JP2007165920A - β−FeSi2半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】β−FeSi2半導体を、今後様々なデバイスへ用いる場合、光及び電気特性の
制御が必要となる。特に、キャリア濃度の低減と制御、及び光学バンドギャップの値の制
御などは必要不可欠である。
【解決手段】β−FeSi2の薄膜の物理気相成長法又は化学気相成長法において、基板
温度を400℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中に水素を
混入することによりβ−FeSi2を水素化させ、水素化の度合いにより光学バンドギャ
ップの値及び比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とするβ−F
eSi2半導体薄膜の製造方法
【選択図】図15
Description
本発明は、β−FeSi2半導体薄膜の製造方法に関する。
次世代の産業材料は資源寿命の心配がなく、低環境負荷型の元素のみから構成されている
ことが理想である。その候補元素として、資源寿命を考える必要のない大気構成元素(N
、O)や、資源寿命の極めて長い元素(Si、Ca、Ga)や、リサイクル率の高い元素
(Fe、Cu)が考えられる。
ことが理想である。その候補元素として、資源寿命を考える必要のない大気構成元素(N
、O)や、資源寿命の極めて長い元素(Si、Ca、Ga)や、リサイクル率の高い元素
(Fe、Cu)が考えられる。
以上の考えに沿えば、環境材料としては、例えば、半導体ではGaN、Cu2O、β−F
eSi2等の多様なものが考えられる。その中でも、β−FeSi2は、Si基板上にエ
ピタキシャル成長可能である、吸収係数が大きい(可視波長で〜105cm−1)、0.
85eVのバントギャップを持つ直接遷移型の半導体であることから、次世代の半導体材
料として大変注目を集めている。
eSi2等の多様なものが考えられる。その中でも、β−FeSi2は、Si基板上にエ
ピタキシャル成長可能である、吸収係数が大きい(可視波長で〜105cm−1)、0.
85eVのバントギャップを持つ直接遷移型の半導体であることから、次世代の半導体材
料として大変注目を集めている。
具体的な応用としては高効率太陽電池材料やフォトダイオードや発光ダイオードオなどの
光デバイス材料が挙げられ、β−FeSi2薄膜の形成方法に関するもの(特許文献1)
や太陽電池(特許文献2)や、発光素子に関するもの(特許文献3〜7)が特許出願され
ている。
特開2001−64099号公報
特開平11−103080号公報
特開2000−133836号公報
特開2001−127338号公報
特開2002−057368号公報
特開2002−076431号公報
特表2001−502477号公報
光デバイス材料が挙げられ、β−FeSi2薄膜の形成方法に関するもの(特許文献1)
や太陽電池(特許文献2)や、発光素子に関するもの(特許文献3〜7)が特許出願され
ている。
本発明者らは、先に、レーザーアブレーション法で基板上に堆積したままでβ相のFeS
i2薄膜を堆積する方法を開発した(特開2000−178713号公報)。さらに、対
向ターゲット式DCスパッタリング法によるβ相のFeSi2薄膜を堆積する方法に関し
て特許出願した(特願2001−386820)。また、ごく最近、組成比がほぼそのま
までアモルファス状態になった場合にも半導体特性を示す膜が得られることを報告し(「
第62回応用物理学会学術講演予稿集」1022ページ、2001年9月11日、(「平
成13年度応用物理学会九州支部講演会講演予稿集」86ページ、2001年12月1日
)、これも同様に注目されており、関連する発明を特許出願(特願2001−38682
4、特願2001−387341)している。
このような方法で成膜した連続膜はアモルファス状態の膜で0.64〜0.70eVの光
学バンドギャップを示し、β−FeSi2膜は0.85〜0.92eVの光学バンドギャ
ップを示した。
i2薄膜を堆積する方法を開発した(特開2000−178713号公報)。さらに、対
向ターゲット式DCスパッタリング法によるβ相のFeSi2薄膜を堆積する方法に関し
て特許出願した(特願2001−386820)。また、ごく最近、組成比がほぼそのま
までアモルファス状態になった場合にも半導体特性を示す膜が得られることを報告し(「
第62回応用物理学会学術講演予稿集」1022ページ、2001年9月11日、(「平
成13年度応用物理学会九州支部講演会講演予稿集」86ページ、2001年12月1日
)、これも同様に注目されており、関連する発明を特許出願(特願2001−38682
4、特願2001−387341)している。
このような方法で成膜した連続膜はアモルファス状態の膜で0.64〜0.70eVの光
学バンドギャップを示し、β−FeSi2膜は0.85〜0.92eVの光学バンドギャ
ップを示した。
β−FeSi2の光・電気特性は、最近詳細に調べられ明らかになってきており、アモル
ファス鉄シリサイド半導体についてもその光・電気特性が徐々に明かになりつつある中で
、今後、それらの特性制御が大きな課題とされている。β−FeSi2半導体を、今後様
々なデバイスへ用いる場合、光及び電気特性の制御が必要となる。特に、キャリア濃度の
低減と制御、及び光学バンドギャップの値の制御などは必要不可欠である。
ファス鉄シリサイド半導体についてもその光・電気特性が徐々に明かになりつつある中で
、今後、それらの特性制御が大きな課題とされている。β−FeSi2半導体を、今後様
々なデバイスへ用いる場合、光及び電気特性の制御が必要となる。特に、キャリア濃度の
低減と制御、及び光学バンドギャップの値の制御などは必要不可欠である。
本発明者は、鉄シリサイド半導体であるβ−FeSi2の成膜と同時にβ−FeSi2の
水素化により上記の課題が解決できることを見出した。
水素化により上記の課題が解決できることを見出した。
すなわち、本発明は、β−FeSi2の薄膜の物理気相成長法又は化学気相成長法におい
て、基板温度を400℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中
に水素を混入することによりβ−FeSi2を水素化させ、水素化の度合いにより光学バ
ンドギャップの値及び比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とす
るβ−FeSi2半導体薄膜の製造方法である。
て、基板温度を400℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中
に水素を混入することによりβ−FeSi2を水素化させ、水素化の度合いにより光学バ
ンドギャップの値及び比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とす
るβ−FeSi2半導体薄膜の製造方法である。
本発明において、水素化とは、薄膜成長時に水素が薄膜内に混入して、β−FeSi2の
Si原子および/またはFe原子と結合することをいう。水素化の度合いにより光学バン
ドギャップの値を変化させることができる。よって、光学バンドギャップの値の調整によ
り、発受光素子のハイブリッド化や発受光する光の波長を最適化できる。
Si原子および/またはFe原子と結合することをいう。水素化の度合いにより光学バン
ドギャップの値を変化させることができる。よって、光学バンドギャップの値の調整によ
り、発受光素子のハイブリッド化や発受光する光の波長を最適化できる。
また、β−FeSi2を水素化することにより電気抵抗、すなわちキャリア濃度を制御す
ることができる。キャリア濃度制御は発受光素子や回路等のデバイス設計に必要不可欠で
ある。キャリア濃度の制御は、この材料の電子デバイスへの応用を可能とする。キャリア
濃度を示す比抵抗の値は、水素化の度合いが大きくなるとともに、一旦増加した後減少す
る。β−FeSi2に含有される水素は少量ではFe、Si及びHからなり斜方晶の結晶
構造の結晶格中に含まれる非結合電子を終端してキャリア濃度の低減をもたらし、ある程
度以上を含まれるとキャリアの発生に寄与していると考えられる。
ることができる。キャリア濃度制御は発受光素子や回路等のデバイス設計に必要不可欠で
ある。キャリア濃度の制御は、この材料の電子デバイスへの応用を可能とする。キャリア
濃度を示す比抵抗の値は、水素化の度合いが大きくなるとともに、一旦増加した後減少す
る。β−FeSi2に含有される水素は少量ではFe、Si及びHからなり斜方晶の結晶
構造の結晶格中に含まれる非結合電子を終端してキャリア濃度の低減をもたらし、ある程
度以上を含まれるとキャリアの発生に寄与していると考えられる。
本発明のβ−FeSi2半導体薄膜は、様々なデバイスへ用いる場合に、所望の値の光学
バンドギャップ及び比抵抗を持たせることにより光及び電気特性の制御を可能とするとと
もに、同一素子上で異なる光感度をもつ光電変換素子を実現することもできる。
バンドギャップ及び比抵抗を持たせることにより光及び電気特性の制御を可能とするとと
もに、同一素子上で異なる光感度をもつ光電変換素子を実現することもできる。
本発明のβ−FeSi2半導体薄膜は、通常の薄膜成長法、例えば、レーザーアブレーシ
ョン法、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法などの物理気相成長法や化
学気相成長法を用いて製造できる。400℃を境界とした基板温度の違いにより、水素化
β−FeSi2膜又は水素化アモルファスFeSi2を成長することができる。
ョン法、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法などの物理気相成長法や化
学気相成長法を用いて製造できる。400℃を境界とした基板温度の違いにより、水素化
β−FeSi2膜又は水素化アモルファスFeSi2を成長することができる。
レーザーアブレーション法においては、FeSi2ターゲットへのレーザー照射、又はF
eとSiターゲットを同時又は交互にレーザー照射、又は加熱されたSi基板の場合のF
eターゲットへのレーザー照射を用いた膜成長時の雰囲気に水素ガスを流入して水素ガス
の圧力を調整することで、水素含有量の調整されたβ−FeSi2を作製する。
eとSiターゲットを同時又は交互にレーザー照射、又は加熱されたSi基板の場合のF
eターゲットへのレーザー照射を用いた膜成長時の雰囲気に水素ガスを流入して水素ガス
の圧力を調整することで、水素含有量の調整されたβ−FeSi2を作製する。
また、スパッタリング法においては、FeSi2ターゲットのスパッタリング、又はFe
とSiターゲットを同時又は交互のスパッタリング、又は加熱されたSi基板の場合のF
eターゲットのスパッタリングを用いた膜成長時のスパッタリング用希ガスに水素ガスを
流入して、スパッタリング用希ガスと水素ガスの流入量の比を調節することで、水素含有
量の調整されたβ−FeSi2を作製する。スパッタリング用希ガスには、ネオン、アル
ゴン、クリプトン、キセノンのいずれかの成分を含むようにする。
とSiターゲットを同時又は交互のスパッタリング、又は加熱されたSi基板の場合のF
eターゲットのスパッタリングを用いた膜成長時のスパッタリング用希ガスに水素ガスを
流入して、スパッタリング用希ガスと水素ガスの流入量の比を調節することで、水素含有
量の調整されたβ−FeSi2を作製する。スパッタリング用希ガスには、ネオン、アル
ゴン、クリプトン、キセノンのいずれかの成分を含むようにする。
薄膜成長時の雰囲気中の水素ガスの圧力を調整することによって、β−FeSi2の薄膜
内部に含まれる水素量を制御することで、β−FeSi2半導体薄膜の光学的バンドギャ
ップの値を変えることができる。さらに、水素流入量を経時的に変化させて膜作製するこ
とで、膜の深さ方向に異なる値の光学バンドギャップの膜を容易に作製可能である。水素
化の度合いが大きくなるとともに、光学バンドギャップの値が増加する。
内部に含まれる水素量を制御することで、β−FeSi2半導体薄膜の光学的バンドギャ
ップの値を変えることができる。さらに、水素流入量を経時的に変化させて膜作製するこ
とで、膜の深さ方向に異なる値の光学バンドギャップの膜を容易に作製可能である。水素
化の度合いが大きくなるとともに、光学バンドギャップの値が増加する。
同様に、β−FeSi2薄膜内部に含まれる水素量を制御することで、キャリア濃度を低
減させ、又は、キャリア濃度を増加させる効果によって、β−FeSi2半導体薄膜の電
気特性を制御することができる。
キャリア濃度を低減させ、又は、キャリア濃度を増加させる境界の水素含有量は10at
%程度であるが、この境界は生成膜の結晶性に依存し、悪い場合は大きい方に、良い場合
は小さい方にシフトする。
減させ、又は、キャリア濃度を増加させる効果によって、β−FeSi2半導体薄膜の電
気特性を制御することができる。
キャリア濃度を低減させ、又は、キャリア濃度を増加させる境界の水素含有量は10at
%程度であるが、この境界は生成膜の結晶性に依存し、悪い場合は大きい方に、良い場合
は小さい方にシフトする。
本発明の水素化β−FeSi2半導体薄膜を用いて、既存のSiやGaAs系半導体を用
いて作製される光電子素子と同様のpn接合型受光素子などの光・電子素子を製造するこ
とができる。水素化していないβ−FeSi2ではまだpn接合を示す膜は得られていな
いが、本発明の水素化したβ−FeSi2膜を用いてpn接合膜がはじめて実現できた。
シリコンとのpn接合膜を作製したい場合は、例えば、n型Si基板上にp型の水素化し
たβ−FeSi2膜を作製すればよい。
いて作製される光電子素子と同様のpn接合型受光素子などの光・電子素子を製造するこ
とができる。水素化していないβ−FeSi2ではまだpn接合を示す膜は得られていな
いが、本発明の水素化したβ−FeSi2膜を用いてpn接合膜がはじめて実現できた。
シリコンとのpn接合膜を作製したい場合は、例えば、n型Si基板上にp型の水素化し
たβ−FeSi2膜を作製すればよい。
実験1
以下にレーザーアブレーション法による水素化鉄シリサイド薄膜の製造方法と得られた薄
膜の特性について具体的に説明する。
真空チャンバー内をターボ分子ポンプにより2×10−7Torr以下に排気した後、水
素を0.1〜10Paの圧力範囲で流入した真空チャンバー内において、ArFエキシマ
レーザー(波長193nm、FWHM=20ns)を組成比1:2のFeSi2アモルフ
ァス合金(99.99%)ターゲットに集光して入射角45°で照射し、50mm離れて
対向するSi基板上に膜堆積を行った。ターゲット−基板間には高速回転可能な羽根型回
転フィルターを設置してドロップレットの捕獲を行った。レーザーパルスのフルーエンス
Fは4J/cm2、くり返し周波数は10Hz、基板温度は室温(20℃)と700℃と
した。
以下にレーザーアブレーション法による水素化鉄シリサイド薄膜の製造方法と得られた薄
膜の特性について具体的に説明する。
真空チャンバー内をターボ分子ポンプにより2×10−7Torr以下に排気した後、水
素を0.1〜10Paの圧力範囲で流入した真空チャンバー内において、ArFエキシマ
レーザー(波長193nm、FWHM=20ns)を組成比1:2のFeSi2アモルフ
ァス合金(99.99%)ターゲットに集光して入射角45°で照射し、50mm離れて
対向するSi基板上に膜堆積を行った。ターゲット−基板間には高速回転可能な羽根型回
転フィルターを設置してドロップレットの捕獲を行った。レーザーパルスのフルーエンス
Fは4J/cm2、くり返し周波数は10Hz、基板温度は室温(20℃)と700℃と
した。
生成膜の評価はSEM観察、X線回折、光吸収スペクトル測定、電気抵抗測定を行った。
400℃未満でアモルファスFeSi2が、400℃以上でβ−FeSi2膜が生成する
が、雰囲気ガスの水素の圧力を変えることでアモルファスFeSi2及びβ−FeSi2
の水素化を行った。
400℃未満でアモルファスFeSi2が、400℃以上でβ−FeSi2膜が生成する
が、雰囲気ガスの水素の圧力を変えることでアモルファスFeSi2及びβ−FeSi2
の水素化を行った。
図1に、水素の圧力を0Pa,0.3Pa,3Paにした場合のβ−FeSi2膜のX線
回折パターンの変化(aは2θ−θスキャン、bは2θスキャン)を示す。水素の圧力が
高くなってもβ−FeSi2からのピークは観測され、水素が薄膜に混入してもβ−Fe
Si2膜が成長していることが分かる。アモルファスFeSi2が生成した場合は、非晶
質のためXRDピークは水素の圧力にかかわらず観測されない。
回折パターンの変化(aは2θ−θスキャン、bは2θスキャン)を示す。水素の圧力が
高くなってもβ−FeSi2からのピークは観測され、水素が薄膜に混入してもβ−Fe
Si2膜が成長していることが分かる。アモルファスFeSi2が生成した場合は、非晶
質のためXRDピークは水素の圧力にかかわらず観測されない。
図2に、水素化アモルファスFeSi2の典型的な吸収スペクトルを示す。図3に、水素
化β−FeSi2の典型的な吸収スペクトルを示す。ともに、水素フリーの場合に比べて
、光学バンドギャップの値が増加しており、吸収係数の2乗にフィティング出来ることか
ら直接遷移型となっていることが分かる。
化β−FeSi2の典型的な吸収スペクトルを示す。ともに、水素フリーの場合に比べて
、光学バンドギャップの値が増加しており、吸収係数の2乗にフィティング出来ることか
ら直接遷移型となっていることが分かる。
図4に、光学バンドギャップの値(縦軸:Eg[eV])の水素圧力の値(横軸:[Pa
])に対する依存性を示す。水素圧力の増加、すなわち膜中の水素混入量の増加とともに
、光学バンドギャップの値が増加する。
])に対する依存性を示す。水素圧力の増加、すなわち膜中の水素混入量の増加とともに
、光学バンドギャップの値が増加する。
図5に、比抵抗の値(縦軸:ρs[Ω])の水素圧力の値(横軸:[Pa])依存性を示
す。比抵抗の値はβ−FeSi2の方がアモルファスFeSi2に比べて1桁大きいが、
ともに水素圧力の増加とともに一旦増加した後、減少する。水素が膜中に混入することに
より非結合電子が終端されキャリア濃度が減少すること、過度に水素が混入すると水素の
非結合電子がキャリアの原因となって電気抵抗を低減させることが分かる。
す。比抵抗の値はβ−FeSi2の方がアモルファスFeSi2に比べて1桁大きいが、
ともに水素圧力の増加とともに一旦増加した後、減少する。水素が膜中に混入することに
より非結合電子が終端されキャリア濃度が減少すること、過度に水素が混入すると水素の
非結合電子がキャリアの原因となって電気抵抗を低減させることが分かる。
実験2
以下に対向ターゲット式スパッタリング法による水素化鉄シリサイド薄膜の製造方法と得
られた薄膜の特性について具体的に説明する。
チャンバー内をターボ分子ポンプを用いて10−4Pa以下まで排気し、Arガスと水素
ガスをチャンバー内に流入して全圧を1.33×10−1Paとした。ターゲットには組
成比1:2のFeSi2 合金(99.99 %)を使用した。印加電圧,電流をそれぞ
れ950mV、6.0mAとし、Si基板上に、室温(20℃)と700℃でそれぞれア
モルファスFeSi2及びβ−FeSi2を膜厚約240nm成膜した。
以下に対向ターゲット式スパッタリング法による水素化鉄シリサイド薄膜の製造方法と得
られた薄膜の特性について具体的に説明する。
チャンバー内をターボ分子ポンプを用いて10−4Pa以下まで排気し、Arガスと水素
ガスをチャンバー内に流入して全圧を1.33×10−1Paとした。ターゲットには組
成比1:2のFeSi2 合金(99.99 %)を使用した。印加電圧,電流をそれぞ
れ950mV、6.0mAとし、Si基板上に、室温(20℃)と700℃でそれぞれア
モルファスFeSi2及びβ−FeSi2を膜厚約240nm成膜した。
生成膜の評価はSEM観察、X線回折、光吸収スペクトル測定、電気抵抗測定を行った。
400℃未満でアモルファスライクなFeSi2が、400℃以上でβ−FeSi2膜が
生成するが、アルゴンガスと水素ガスの比を調節することによりアモルファスライクFe
Si2及びβ−FeSi2の水素化を行った。
400℃未満でアモルファスライクなFeSi2が、400℃以上でβ−FeSi2膜が
生成するが、アルゴンガスと水素ガスの比を調節することによりアモルファスライクFe
Si2及びβ−FeSi2の水素化を行った。
図6に、得られた水素化β−FeSi2膜のX線回折パターンを示す。また、図7に、得
られた水素化アモルファスFeSi2膜のX線回折パターンを示す。図6に示すように、
水素分圧にかかわらずβ−FeSi2の回折ピークが観測され、水素化されたβ−FeS
i2が成長している。図7に示すように、室温では水素分圧にかかわらずブロードなピー
クが観測され、アモルファスFeSi2が成長している。
られた水素化アモルファスFeSi2膜のX線回折パターンを示す。図6に示すように、
水素分圧にかかわらずβ−FeSi2の回折ピークが観測され、水素化されたβ−FeS
i2が成長している。図7に示すように、室温では水素分圧にかかわらずブロードなピー
クが観測され、アモルファスFeSi2が成長している。
図8に、水素化されていないアモルファスFeSi2の典型的吸収スペクトルを示す。ま
た、図9に、水素化されたFeSi2の典型的吸収スペクトルを示す。吸収スペクトルは
縦軸が吸収係数の2乗の場合にほぼ直線にのることから、直接遷移型半導体となっている
ことが分かる。水素化した薄膜の方が光学バンドギャップの値が大きくなっていることが
分かる。
た、図9に、水素化されたFeSi2の典型的吸収スペクトルを示す。吸収スペクトルは
縦軸が吸収係数の2乗の場合にほぼ直線にのることから、直接遷移型半導体となっている
ことが分かる。水素化した薄膜の方が光学バンドギャップの値が大きくなっていることが
分かる。
図10に、水素化されていないβ−FeSi2の典型的吸収スペクトルを示す。また、図
11に、水素化β−FeSi2の典型的な吸収スペクトルを示す。アモルファスFeSi
2と同様に、直接遷移型半導体となっており、また水素化β−FeSi2の方が光学バン
ドギャップの値が大きくなっている。
11に、水素化β−FeSi2の典型的な吸収スペクトルを示す。アモルファスFeSi
2と同様に、直接遷移型半導体となっており、また水素化β−FeSi2の方が光学バン
ドギャップの値が大きくなっている。
図12に、光学バンドギャップの値(縦軸:Eg[eV])の水素分圧(PH2/PAr
)に対する変化を示す。水素分圧が高くなるとともに光学バンドギャップの値は増加して
おり、薄膜中の水素含有量が大きくなるとともに光学バンドギャップの値が大きくなるこ
とが分かる。
)に対する変化を示す。水素分圧が高くなるとともに光学バンドギャップの値は増加して
おり、薄膜中の水素含有量が大きくなるとともに光学バンドギャップの値が大きくなるこ
とが分かる。
図13に、比抵抗の値(縦軸:ρs[Ω])の水素分圧(PH2/PAr)に対する変化
を示す。比抵抗の値は水素の圧力の増加とともに一旦増加した後、減少する。水素が薄膜
中に混入することにより非結合電子が終端されキャリア濃度が減少すること、過度に水素
が混入すると水素の非結合電子がキャリアの原因となって電気抵抗を低減させることが分
かる。
を示す。比抵抗の値は水素の圧力の増加とともに一旦増加した後、減少する。水素が薄膜
中に混入することにより非結合電子が終端されキャリア濃度が減少すること、過度に水素
が混入すると水素の非結合電子がキャリアの原因となって電気抵抗を低減させることが分
かる。
既存のSiやGaAs系半導体を用いて作製される光電子素子と同様の素子を対向ターゲ
ット式DCスパッタリング方により成膜した水素化β−FeSi2を用いて作製した。タ
ーゲットには、P(リン)を1019cm−3ドープさせた組成比1:2のFeSi2
合金(99.99 %)とB(ボロン)を1019cm−3ドープさせた組成比1:2の
FeSi2 合金(99.99 %)を使用した。チャンバー内はターボ分子ポンプを用
いて10−4 Pa以下まで排気した後、Arガスに15sccmの水素ガスを加えて流
入して、チャンバー内の全圧を1.33×10−1 Paとして成膜を行った。
ット式DCスパッタリング方により成膜した水素化β−FeSi2を用いて作製した。タ
ーゲットには、P(リン)を1019cm−3ドープさせた組成比1:2のFeSi2
合金(99.99 %)とB(ボロン)を1019cm−3ドープさせた組成比1:2の
FeSi2 合金(99.99 %)を使用した。チャンバー内はターボ分子ポンプを用
いて10−4 Pa以下まで排気した後、Arガスに15sccmの水素ガスを加えて流
入して、チャンバー内の全圧を1.33×10−1 Paとして成膜を行った。
基板には絶縁性の石英ガラスを用い、基板温度は600℃とした。基板上にまずPがドー
プされたターゲットを用いてp型水素化β−FeSi2薄膜を5μmの厚さに成膜し、そ
の後、さらにBがドープされたターゲットを用いてn型水素化β−FeSi2薄膜を30
nmの厚さに成膜し積層した。
プされたターゲットを用いてp型水素化β−FeSi2薄膜を5μmの厚さに成膜し、そ
の後、さらにBがドープされたターゲットを用いてn型水素化β−FeSi2薄膜を30
nmの厚さに成膜し積層した。
図14に、水素化β−FeSi2を用いて絶縁性の石英ガラス基板1上にp型水素化β−
FeSi2薄膜2を成膜し、その上にさらにn型水素化β−FeSi2薄膜3を成膜し、
p型水素化β−FeSi2薄膜2とn型水素化β−FeSi2薄膜3のそれぞれに電極4
を形成したpn接合型受光素子の構造を模式的に示す。
FeSi2薄膜2を成膜し、その上にさらにn型水素化β−FeSi2薄膜3を成膜し、
p型水素化β−FeSi2薄膜2とn型水素化β−FeSi2薄膜3のそれぞれに電極4
を形成したpn接合型受光素子の構造を模式的に示す。
図15に、該素子のI−V特性を示す。Siを用いたp−n接合素子と同様に、光を照射
しない場合と、照射した場合とでpn接合に典型的なI−V特性が観測された。光照射時
のV軸、I軸の切片がそれぞれ開放電圧、短絡電流とよばれ、これらの積が光電変換素子
として考えた場合に取り出しうる最大電力に相当する。明白な開放電圧、短絡電流が存在
し、光電素子として機能していることが分かり、β−FeSi2でpn結合膜が実現でき
たことが確認された。
しない場合と、照射した場合とでpn接合に典型的なI−V特性が観測された。光照射時
のV軸、I軸の切片がそれぞれ開放電圧、短絡電流とよばれ、これらの積が光電変換素子
として考えた場合に取り出しうる最大電力に相当する。明白な開放電圧、短絡電流が存在
し、光電素子として機能していることが分かり、β−FeSi2でpn結合膜が実現でき
たことが確認された。
Claims (5)
- β−FeSi2の薄膜の物理気相成長法又は化学気相成長法において、基板温度を400
℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中に水素を混入すること
によりβ−FeSi2を水素化させ、水素化の度合いにより光学バンドギャップの値及び
比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とするβ−FeSi2半導
体薄膜の製造方法。 - 前記薄膜成長法がレーザーアブレーション法であり、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入し
て水素ガスの圧力を調整することで成長する薄膜中の水素含有量を調整することを特徴と
する請求項1記載のβ−FeSi2半導体薄膜の製造方法。 - 薄膜成長法がスパッタリング法であり、スパッタリング用希ガスに水素ガスを流入して、
該希ガスと該水素ガスの流入量の比を調整することで成長する薄膜中の水素含有量を調整
することを特徴とする請求項1記載のβ−FeSi2半導体薄膜の製造方法。 - 請求項1記載の方法によりn型Si基板上にp型水素化β−FeSi2薄膜を成膜するこ
とを特徴とするpn接合型受光素子の製造方法。 - 請求項1記載の方法により基板上にp型水素化β−FeSi2薄膜を成膜し、さらに、n
型水素化β−FeSi2薄膜を成膜して積層することを特徴とするpn接合型受光素子の
製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007007645A JP2007165920A (ja) | 2007-01-17 | 2007-01-17 | β−FeSi2半導体薄膜の製造方法 |
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ID=38248365
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JP2007007645A Pending JP2007165920A (ja) | 2007-01-17 | 2007-01-17 | β−FeSi2半導体薄膜の製造方法 |
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- 2007-01-17 JP JP2007007645A patent/JP2007165920A/ja active Pending
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