JP2007165745A - Mounting structure, electrooptical device and electronic equipment - Google Patents

Mounting structure, electrooptical device and electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2007165745A
JP2007165745A JP2005362795A JP2005362795A JP2007165745A JP 2007165745 A JP2007165745 A JP 2007165745A JP 2005362795 A JP2005362795 A JP 2005362795A JP 2005362795 A JP2005362795 A JP 2005362795A JP 2007165745 A JP2007165745 A JP 2007165745A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electro
substrate
conductor
uneven shape
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005362795A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Saito
淳 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epson Imaging Devices Corp
Original Assignee
Epson Imaging Devices Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epson Imaging Devices Corp filed Critical Epson Imaging Devices Corp
Priority to JP2005362795A priority Critical patent/JP2007165745A/en
Publication of JP2007165745A publication Critical patent/JP2007165745A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve electric reliability of a mounting structure by reducing and stabilizing resistance in a conductive connection portion by improving a conductive connection state between a protruding electrode and a conductor in a mounting structure or an electrooptical device provided with the same. <P>SOLUTION: This electrooptical device 100 is provided with an electronic component 120 provided with protruding electrodes 121, 122; and an electrooptical panel having a substrate having an electrooptical substance arranged thereon and provided with conductors 117, 118 coductively connected to the protruding electrode via conductive particles 132, on the substrate 111. In this device 100, the electronic component is bonded on the substrate by an insulation resin 131, a minute surface uneven shape is provided on the conductors, and the conductors are conductively connected with the conductive particles in a mode in which the conductive particles are engaged with the surface uneven shape. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、実装構造体、電気光学装置及び電子機器に係り、特に、半導体装置その他の
電子部品をガラス、セラミックス等の硬質基板上に実装する場合に好適な実装構造に関す
る。
The present invention relates to a mounting structure, an electro-optical device, and an electronic apparatus, and more particularly to a mounting structure suitable for mounting a semiconductor device or other electronic components on a hard substrate such as glass or ceramics.

一般に、基板上に半導体チップ等の電子部品を実装する場合には、数十μm程度の狭ピ
ッチで形成された電子部品の電極と、これに対応する基板上の配線パターン等の導電体と
を正確かつ確実に導電接続するために、微細な導電性粒子を絶縁樹脂に混入してなる異方
性導電材(ACF:Anisotropic Conductive Film/Pas
te)を用いた実装方法が用いられる。例えば、薄膜状の異方性導電材を電子部品と基板
との間に介在させ、電子部品を基板上に熱圧着することにより、絶縁樹脂が軟化して電子
部品の電極と基板上の導電体との間に導電性粒子が介在した状態で加圧されることによっ
て電極と導電体との導電接続が確保され、この状態で絶縁樹脂を硬化させることにより、
前記導電接続が保持される。
Generally, when an electronic component such as a semiconductor chip is mounted on a substrate, an electrode of the electronic component formed with a narrow pitch of about several tens of μm and a corresponding conductor such as a wiring pattern on the substrate are provided. An anisotropic conductive material (ACF: Anisotropic Conductive Film / Pas) in which fine conductive particles are mixed in an insulating resin for accurate and reliable conductive connection.
te) is used. For example, by interposing a thin film-like anisotropic conductive material between an electronic component and the substrate and thermocompression bonding the electronic component onto the substrate, the insulating resin softens and the electronic component electrode and the conductor on the substrate The conductive connection between the electrode and the conductor is ensured by being pressed in a state where the conductive particles are interposed between them, and by curing the insulating resin in this state,
The conductive connection is maintained.

例えば、特許文献1には、図11に示すように、絶縁樹脂15中に導電ゴムからなる導
電性粒子16を混合してなる異方性導電材14を用いた導電接続構造10が記載されてい
る。この導電接続構造10では、ガラス等で構成される基板11の表面上に配線層19が
形成され、この配線層19の接続端子19a、19bの上に異方性導電材14を介して半
導体チップ17が熱圧着される。この電気光学装置では、半導体チップ17の突起電極1
7a、17bと配線層19の接続端子19a、19bの間に挟持された導電性粒子16は
多少弾性変形した状態とされている。このようにすれば、絶縁樹脂15の熱膨張などの原
因により基板11と半導体チップ17の間隔が多少増大しても、導電性粒子16の弾性復
元力によって突起電極17a,17bと接続端子19a,19bの導電接続状態は維持さ
れる。
For example, Patent Document 1 describes a conductive connection structure 10 using an anisotropic conductive material 14 obtained by mixing conductive particles 16 made of conductive rubber in an insulating resin 15 as shown in FIG. Yes. In this conductive connection structure 10, a wiring layer 19 is formed on the surface of a substrate 11 made of glass or the like, and a semiconductor chip is provided on connection terminals 19 a and 19 b of the wiring layer 19 via an anisotropic conductive material 14. 17 is thermocompression bonded. In this electro-optical device, the protruding electrode 1 of the semiconductor chip 17 is used.
The conductive particles 16 sandwiched between the connection terminals 19a and 19b of the wiring layers 19 and 7a and 17b are in a state of being somewhat elastically deformed. In this way, even if the distance between the substrate 11 and the semiconductor chip 17 is somewhat increased due to thermal expansion of the insulating resin 15, the protruding electrodes 17 a and 17 b and the connection terminals 19 a and 19 a are caused by the elastic restoring force of the conductive particles 16. The conductive connection state of 19b is maintained.

また、図12に示すように、半導体チップ27の突起電極27a、27bとして、弾性
変形可能なコア樹脂28を金属薄膜等の導電性薄膜29によって被覆して構成し、これら
の突起電極27a、27bを基板11上の接続端子19a,19bに当接させて導電接続
させるとともに、絶縁樹脂材24(NCF:Non Conductive Film/
Paste)で半導体チップ27を基板11上に接着固定してなる別の導電接続構造20
も知られている(例えば、以下の特許文献2参照)。この構造では、薄膜状の絶縁樹脂材
24を半導体チップ27と基板12の間に介在させ、半導体チップ27を基板11に熱圧
着させることにより、半導体チップ27の電極27a、27bが配線層19の接続端子1
9a、19bに当接したまま、そのコア樹脂28が弾性変形した状態となり、この状態が
絶縁樹脂材24によって保持固定される。この場合でも、絶縁樹脂材24の熱膨張などの
原因により基板11と半導体チップ27の間隔が多少増大しても、コア樹脂28の弾性復
元力によって突起電極27a,27bと接続端子19a,19bの導電接続状態は維持さ
れる。
特開平05−182516号公報 特開2005−136402号公報
Further, as shown in FIG. 12, the protruding electrodes 27a and 27b of the semiconductor chip 27 are configured by covering an elastically deformable core resin 28 with a conductive thin film 29 such as a metal thin film, and these protruding electrodes 27a and 27b. Is brought into contact with the connection terminals 19a and 19b on the substrate 11 for conductive connection, and an insulating resin material 24 (NCF: Non Conductive Film /
Another conductive connection structure 20 formed by bonding and fixing the semiconductor chip 27 on the substrate 11 by Paste).
Is also known (see, for example, Patent Document 2 below). In this structure, a thin insulating resin material 24 is interposed between the semiconductor chip 27 and the substrate 12, and the semiconductor chip 27 is thermocompression bonded to the substrate 11, whereby the electrodes 27 a and 27 b of the semiconductor chip 27 are formed on the wiring layer 19. Connection terminal 1
The core resin 28 is elastically deformed while being in contact with 9a and 19b, and this state is held and fixed by the insulating resin material 24. Even in this case, even if the distance between the substrate 11 and the semiconductor chip 27 is slightly increased due to thermal expansion of the insulating resin material 24, the protruding electrodes 27a and 27b and the connection terminals 19a and 19b are caused by the elastic restoring force of the core resin 28. The conductive connection state is maintained.
JP 05-182516 A Japanese Patent Laid-Open No. 2005-136402

しかしながら、前述の異方性導電材を用いた実装方法では、実装時において半導体チッ
プ17を加熱しながら加圧することにより、突起電極が17a,17bが接続端子19a
,19bに接近する過程で異方性導電材14の絶縁樹脂が軟化して周囲に流動し、異方性
導電材14中の導電性粒子16も周囲に流れ出るため、最終的に突起電極17a,17b
と接続端子19a,19bの間に介在する導電性粒子16の数が少なくなることから、実
装後の導電接続抵抗が高くなったり、ばらついたりするという問題点がある。
However, in the mounting method using the anisotropic conductive material, the protruding electrodes 17a and 17b are connected to the connection terminals 19a by applying pressure while heating the semiconductor chip 17 during mounting.
19b, the insulating resin of the anisotropic conductive material 14 softens and flows to the surroundings, and the conductive particles 16 in the anisotropic conductive material 14 also flow to the surroundings. 17b
Since the number of conductive particles 16 interposed between the connection terminals 19a and 19b is reduced, there is a problem that the conductive connection resistance after mounting becomes high or varies.

また、前述のコア樹脂28(樹脂よりなる突出体)を備えた突起電極27a、27bを
用いた実装方法では、突起電極27a,27bの高さのばらつき等に起因して、突起電極
27a,27bと接続端子19a,19bの当接状態によってコア樹脂28の弾性変形量
が変化するため、導電接触面積がばらつき、安定したコンタクト抵抗を得ることが難しい
という問題点がある。
Further, in the mounting method using the protruding electrodes 27a and 27b provided with the core resin 28 (the protruding body made of resin), the protruding electrodes 27a and 27b are caused by variations in the height of the protruding electrodes 27a and 27b. Since the amount of elastic deformation of the core resin 28 changes depending on the contact state of the connection terminals 19a and 19b, there is a problem that the conductive contact area varies and it is difficult to obtain a stable contact resistance.

そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、実装構造体若しくは
これを備えた電気光学装置において、突起電極と導電体の導電接続状態を改善することに
より、導電接続部の抵抗を低減させるとともに安定させ、これによって実装構造の電気的
信頼性を向上させることにある。
Accordingly, the present invention solves the above-described problems, and the problem is that in the mounting structure or the electro-optical device including the mounting structure, the conductive connection portion is improved by improving the conductive connection state between the protruding electrode and the conductor. In other words, the electrical reliability of the mounting structure is improved.

上記の課題に鑑み、第1発明の実装構造体は、突起電極を備えた電子部品と、前記突起
電極に対して導電性粒子を介して導電接続された導電体を基板上に備えた基体とを有し、
前記電子部品と前記基体とが絶縁樹脂により接着されてなる実装構造体において、前記導
電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状に前記導電性粒子が嵌合する態
様で前記導電体と前記導電性粒子とが導電接触していることを特徴とする。
In view of the above problems, a mounting structure according to a first aspect of the present invention includes an electronic component provided with a protruding electrode, and a base provided on a substrate with a conductive conductor conductively connected to the protruding electrode via conductive particles. Have
In the mounting structure in which the electronic component and the base are bonded with an insulating resin, the conductor is provided with a fine surface uneven shape, and the conductive particles are fitted in the surface uneven shape. The conductor and the conductive particles are in conductive contact.

この発明によれば、前記導電体に微細な表面凹凸形状が設けられることにより、実装時
において導電性粒子の一部が当該表面凹凸形状によって捕捉されるため、突起電極と導電
体の間に従来よりも多くの導電性粒子が介在することから導電接触面積を増加させること
ができるとともに、当該表面凹凸形状に嵌合するように導電性粒子が導電接触することに
より当接界面を安定させることができることにより、導電接触抵抗の低減及び安定化を図
ることができる。また、導電体の表面凹凸形状に導電性粒子が嵌合することにより、導電
体と導電性粒子との間の導電接触面積を増加させることもできるため、さらなる導電接触
抵抗の低減を図ることが可能になる。さらに、突起電極と導電体との間の導電性粒子の残
存率を高めることができることから、導電性粒子の混入密度を低減できるので、隣接端子
間の電気的短絡不良の発生を防止できる。
According to this invention, since a fine surface uneven shape is provided on the conductor, a part of the conductive particles is captured by the surface uneven shape at the time of mounting. The conductive contact area can be increased because more conductive particles intervene, and the contact interface can be stabilized by conductive contact of the conductive particles so as to fit into the surface uneven shape. As a result, the conductive contact resistance can be reduced and stabilized. Moreover, since the conductive contact area between the conductor and the conductive particles can be increased by fitting the conductive particles into the surface irregularity shape of the conductor, the conductive contact resistance can be further reduced. It becomes possible. Furthermore, since the residual ratio of the conductive particles between the protruding electrode and the conductor can be increased, the mixing density of the conductive particles can be reduced, so that an electrical short circuit failure between adjacent terminals can be prevented.

また、第2発明の実装構造体は、弾性部材(弾性素材、例えば樹脂)により形成された
突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極を備えた電子部品と、前記突
起電極に導電接続された導電体を基板上に備えた基体とを有し、前記電子部品と前記基体
とが絶縁樹脂により接着されてなる実装構造体において、前記導電体には微細な表面凹凸
形状が設けられ、該表面凹凸形状によって前記突出体が変形することにより前記突起電極
の導電接触面が微細な凹凸状に構成されていることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a mounting structure including an electronic component including a protrusion formed of an elastic member (an elastic material such as resin) and a protruding electrode having an electrode layer formed on the protrusion, and the protrusion A mounting structure in which a conductive body conductively connected to an electrode is provided on a substrate, and the electronic component and the base are bonded to each other with an insulating resin. And the conductive contact surface of the protruding electrode is formed in a fine uneven shape by deforming the protruding body due to the uneven surface shape.

この発明によれば、前記導電体に微細な表面凹凸形状が設けられることにより、突起電
極の突出体が表面凹凸形状に応じて変形し、導電接触面が微細な凹凸状に構成されるため
、導電接触面積を増加させることができるとともに当接界面を安定させることができるこ
とから、導電接触抵抗の低減及び安定化を図ることができる。
According to this invention, since the fine surface uneven shape is provided on the conductor, the protruding body of the protruding electrode is deformed according to the surface uneven shape, and the conductive contact surface is configured to have a fine uneven shape. Since the conductive contact area can be increased and the contact interface can be stabilized, it is possible to reduce and stabilize the conductive contact resistance.

本発明において、前記導電体は前記基板上に形成された凹凸形状の表面を有する下地層
上に形成され、該下地層の表面の凹凸形状を反映して前記表面凹凸形状が設けられている
ことが好ましい。これによれば、下地層の表面に凹凸形状を設け、この下地層上に導電体
を形成することにより、下地層表面の凹凸形状を反映させて導電体の表面凹凸形状を容易
に形成できる。ここで、下地層としては感光性樹脂に露光処理及び現像処理を施して上記
凹凸形状を形成してなるものであることが、凹凸形状の表面を制御性よく安価に形成でき
る点で望ましい。
In the present invention, the conductor is formed on an underlayer having an uneven surface formed on the substrate, and the surface uneven shape is provided reflecting the uneven shape of the surface of the underlayer. Is preferred. According to this, by providing an uneven shape on the surface of the underlayer and forming a conductor on the underlayer, the uneven surface shape of the conductor can be easily formed by reflecting the uneven shape on the surface of the underlayer. Here, the underlying layer is preferably formed by subjecting a photosensitive resin to exposure processing and development processing to form the uneven shape, so that the surface of the uneven shape can be formed with good controllability and low cost.

本発明において、前記基板の表面には凹凸形状が形成され、前記導電体は前記基板の凹
凸形状の表面上に直接形成され、前記基板の表面の凹凸形状を反映して前記表面凹凸形状
が設けられていることが好ましい。これによれば、基板表面に凹凸形状を形成し、この凹
凸形状を反映した態様で導電体に表面凹凸形状が形成されることにより、導電体の表面凹
凸形状を容易に形成できるとともに、基板上に直接導電体を形成することが可能になる。
ここで、基板の表面は所定のエッチング液でウエットエッチング(フロスト処理)を施す
ことにより形成されることが好ましい。
In the present invention, a concavo-convex shape is formed on the surface of the substrate, the conductor is formed directly on the concavo-convex shape surface of the substrate, and the surface concavo-convex shape is provided reflecting the concavo-convex shape of the surface of the substrate. It is preferable that According to this, by forming a concavo-convex shape on the substrate surface and forming the surface concavo-convex shape on the conductor in a manner reflecting this concavo-convex shape, the surface concavo-convex shape of the conductor can be easily formed and It is possible to directly form a conductor.
Here, the surface of the substrate is preferably formed by performing wet etching (frost treatment) with a predetermined etching solution.

次に、第1発明の電気光学装置は、突起電極を備えた電子部品と、電気光学物質が配さ
れてなる基板を有し、前記突起電極に対して導電性粒子を介して導電接続された導電体を
前記基板上に備えた電気光学パネルと、前記電子部品と前記基板とが絶縁樹脂により接着
されてなる電気光学装置において、前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表
面凹凸形状に前記導電性粒子が嵌合する態様で前記導電体と前記導電性粒子とが導電接触
していることを特徴とする。
Next, an electro-optical device according to a first aspect of the present invention includes an electronic component having a protruding electrode and a substrate on which an electro-optical material is disposed, and is conductively connected to the protruding electrode through conductive particles. In an electro-optical device in which an electro-optical panel provided with a conductor on the substrate and the electronic component and the substrate are bonded by an insulating resin, the conductor is provided with a fine surface uneven shape, The conductive body and the conductive particles are in conductive contact in a form in which the conductive particles are fitted in a concavo-convex shape.

この発明によれば、前記導電体に微細な表面凹凸形状が設けられることにより、実装時
において導電性粒子が導電体の表面凹凸形状によって捕捉されるため、突起電極と導電体
の間により多くの導電性粒子が介在することとなることから導電接触面積を増加させるこ
とができるとともに、表面凹凸構造に導電性粒子が嵌合することにより当接界面を安定さ
せることができることから、導電接触抵抗の低減及び安定化を図ることができる。また、
導電体の表面凹凸形状に導電性粒子が嵌合することにより、導電体と導電性粒子との間の
導電接触面積を増加させることもできるため、さらなる導電接触抵抗の低減を図ることが
可能になる。したがって、電気光学パネルの駆動電位の安定性及び再現性を確保すること
ができ、その駆動品位を高めることができる。さらに、導電性粒子の混入密度を低減でき
るので、隣接端子間の電気的短絡不良の発生を防止できる。
According to the present invention, since the conductive body is provided with a fine surface irregularity shape, the conductive particles are captured by the surface irregularity shape of the conductor during mounting, so that more and more between the protruding electrode and the conductor. Since the conductive particles are interposed, the conductive contact area can be increased, and the contact interface can be stabilized by fitting the conductive particles into the surface uneven structure. Reduction and stabilization can be achieved. Also,
The conductive contact area between the conductor and the conductive particles can be increased by fitting the conductive particles into the surface irregularity shape of the conductor, so that it is possible to further reduce the conductive contact resistance. Become. Therefore, the stability and reproducibility of the drive potential of the electro-optical panel can be ensured, and the drive quality can be improved. Furthermore, since the mixing density of conductive particles can be reduced, it is possible to prevent the occurrence of an electrical short circuit failure between adjacent terminals.

また、第2発明の電気光学装置は、弾性部材(弾性素材、例えば樹脂)により形成され
た突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極を備えた電子部品と、電気
光学物質が配されてなる基板を有し、前記突起電極に導電接続された導電体を前記基板上
に備えた電気光学パネルと、前記電子部品と前記基板とが絶縁樹脂により接着されてなる
電気光学装置において、前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状
によって前記突出体が弾性変形することにより前記突起電極の導電接触面が微細な凹凸状
に構成されていることを特徴とする。
An electro-optical device according to a second aspect of the invention includes an electronic component including a protruding body formed of an elastic member (elastic material, for example, resin) and a protruding electrode having an electrode layer formed on the protruding body, and an electro-optical device. An electro-optical panel having a substrate on which a substance is disposed and having a conductor conductively connected to the protruding electrode on the substrate, and the electronic component and the substrate bonded together with an insulating resin In the apparatus, the conductor is provided with a fine surface uneven shape, and the projecting body is elastically deformed by the surface uneven shape, whereby the conductive contact surface of the protruding electrode is formed into a fine uneven shape. Features.

この発明によれば、前記導電体に微細な表面凹凸形状が設けられることにより、突起電
極の突出体が表面凹凸形状に応じて弾性変形し、導電接触面が微細な凹凸状に構成される
ため、導電接触面積を増加させることができるとともに当接界面を安定させることができ
ることから、導電接触抵抗の低減及び安定化を図ることができる。したがって、電気光学
パネルの駆動電位の安定性及び再現性を確保することができ、その駆動品位を高めること
ができる。
According to the present invention, since the conductor is provided with a fine surface uneven shape, the protruding body of the protruding electrode is elastically deformed according to the surface uneven shape, and the conductive contact surface is configured in a fine uneven shape. Since the conductive contact area can be increased and the contact interface can be stabilized, the conductive contact resistance can be reduced and stabilized. Therefore, the stability and reproducibility of the drive potential of the electro-optical panel can be ensured, and the drive quality can be improved.

本発明において、前記導電体は前記電気光学物質の配置されていない領域に設けられ、
前記電気光学パネルの前記基板の前記電気光学物質の配置された領域には微細な表面凹凸
形状を備えた反射層が設けられ、前記反射層と前記導電体の少なくとも一部とが同一層で
構成されていることが好ましい。これによれば、導電体の少なくとも一部(例えば、導電
体が複数の層で形成されている場合にはそれらの層のうちの少なくとも一層)が電気光学
物質の配置された領域に設けられた反射層と同一層で構成されていることにより、表面凹
凸形状を備えた導電体を形成するための一又は複数の工程を共通化することができるため
、製造工程数の増加や製造コストの増大を抑制できる。
In the present invention, the conductor is provided in a region where the electro-optic material is not disposed,
In the electro-optic panel, a region of the substrate where the electro-optic material is disposed is provided with a reflective layer having fine surface irregularities, and the reflective layer and at least a part of the conductor are formed of the same layer. It is preferable that According to this, at least a part of the conductor (for example, when the conductor is formed of a plurality of layers, at least one of those layers) is provided in the region where the electro-optical material is disposed. By comprising the same layer as the reflective layer, it is possible to share one or more steps for forming a conductor with a surface irregular shape, thus increasing the number of manufacturing steps and manufacturing costs. Can be suppressed.

本発明において、前記電気光学パネルの前記基板における前記電気光学物質の配置され
ていない領域及び前記電気光学物質の配置された領域に凹凸形状の表面を有する下地層が
それぞれ形成され、前記電気光学物質の配置されていない領域に形成された前記下地層上
には前記凹凸形状を反映した前記表面凹凸形状を備えた前記導電体が設けられ、前記電気
光学物質が配置された領域に形成された前記下地層上には前記凹凸形状を反映した表面凹
凸形状を備えた反射層が設けられていることが好ましい。これによれば、電気光学物質の
配置されていない領域と、電気光学物質の配置されている領域の双方にそれぞれ下地層が
形成され、これらの下地層の表面には共に凹凸形状が設けられ、しかも、電気光学物質の
配置されていない領域の下地層上にはその凹凸形状を反映した表面凹凸形状を備えた導電
体が設けられるとともに、電気光学物質の配置されている領域の下地層上には上記凹凸形
状を反映した表面凹凸形状を備えた反射層が設けられることにより、導電体の表面凹凸形
状を容易に形成することができるとともに、表面凹凸形状を備えた導電体を形成するため
の一又は複数の工程を共通化することができるため、製造工程数の増加や製造コストの増
大を抑制できる。
In the present invention, a base layer having a concavo-convex surface is respectively formed in a region where the electro-optical material is not disposed and a region where the electro-optical material is disposed in the substrate of the electro-optical panel, The conductor having the surface uneven shape reflecting the uneven shape is provided on the base layer formed in the region where the electro-optic material is not disposed, and the electro-optical material is formed in the region. It is preferable that a reflective layer having a surface uneven shape reflecting the uneven shape is provided on the base layer. According to this, the foundation layer is formed in both the area where the electro-optic substance is not arranged and the area where the electro-optic substance is arranged, and both the surfaces of these foundation layers are provided with uneven shapes, In addition, a conductor having a surface uneven shape reflecting the uneven shape is provided on the base layer in the region where the electro-optical material is not disposed, and on the base layer in the region where the electro-optical material is disposed. Is provided with a reflective layer having a surface uneven shape reflecting the above uneven shape, so that the surface uneven shape of the conductor can be easily formed and a conductor having the surface uneven shape can be formed. Since one or a plurality of steps can be shared, an increase in the number of manufacturing steps and an increase in manufacturing cost can be suppressed.

次に、本発明の電子機器は、上記各発明の電気光学装置を含むことを特徴とする。この
ような電子機器としては、電気光学装置を表示体として用いる各種機器、例えば、モニタ
、コンピュータ装置、電子時計、携帯電話機等を挙げることができる。
Next, an electronic apparatus according to the invention includes the electro-optical device according to any of the inventions described above. Examples of such an electronic device include various devices using an electro-optical device as a display body, such as a monitor, a computer device, an electronic timepiece, and a mobile phone.

なお、上記の各発明の基板としては、ガラス、セラミックス、硬質樹脂等からなる硬質
基板であることが好ましい。このような硬質基板を用いる場合には、上記の構造を採用し
た場合における十分なコンタクト圧を確保することができ、電気的信頼性をさらに向上さ
せることができる。
In addition, as a board | substrate of said each invention, it is preferable that it is a hard board | substrate consisting of glass, ceramics, hard resin, etc. When such a hard substrate is used, a sufficient contact pressure when the above structure is employed can be secured, and the electrical reliability can be further improved.

次に、添付図面を参照して本発明に係る導電接続構造の実施形態について詳細に説明す
る。
Next, an embodiment of a conductive connection structure according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

[第1実施形態]
図1は本発明に係る第1実施形態の電気光学装置の全体構成を示す概略斜視図である。
この電気光学装置100は、電気光学パネル110と、この電気光学パネル120を構成
する基板111上に実装された電子部品(半導体装置)120とを備えている。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic perspective view showing the overall configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention.
The electro-optical device 100 includes an electro-optical panel 110 and an electronic component (semiconductor device) 120 mounted on a substrate 111 that constitutes the electro-optical panel 120.

電気光学パネル110は、ガラスやプラスチック等で構成された一対の基板111と1
12が所定間隔(3〜10μm)をもってシール材113で貼り合わせられ、基板111
と112の間に電気光学物質が配置されたものである。図示例では、基板111と112
の間のシール材113の内側に液晶114が封入された液晶表示体が構成されている。
The electro-optical panel 110 includes a pair of substrates 111 and 1 made of glass, plastic, or the like.
12 are bonded together with a sealing material 113 at a predetermined interval (3 to 10 μm), and the substrate 111
And 112, an electro-optic material is disposed between them. In the illustrated example, the substrates 111 and 112 are shown.
A liquid crystal display body in which the liquid crystal 114 is sealed inside the sealing material 113 is formed.

一対の基板111,112の相互に対向する内面上には透明導電体よりなる図示しない
電極がそれぞれ形成され、これらの電極間に印加する電圧を制御することにより、電極同
士が重なる平面範囲(画素)内において液晶114の光変調特性が適宜に設定され、所定
の表示が実現される。
Electrodes (not shown) made of a transparent conductor are respectively formed on the inner surfaces of the pair of substrates 111 and 112 facing each other, and by controlling the voltage applied between these electrodes, a planar range (pixels) where the electrodes overlap each other ), The light modulation characteristics of the liquid crystal 114 are appropriately set, and a predetermined display is realized.

一対の基板111、112のうち、一方の基板111は、他方の基板112と対向する
対向部1111aと基板112の外形より張り出した張り出し部111bとを有する。対
向部111a上には上記の電極が形成され、複数の画素が配列された駆動領域が構成され
ている。なお、基板111と112の外面上には偏光板115、116がそれぞれ配置(
貼着)されている。
Of the pair of substrates 111 and 112, one substrate 111 includes a facing portion 1111 a that faces the other substrate 112 and a protruding portion 111 b that protrudes from the outer shape of the substrate 112. The electrode is formed on the facing portion 111a, and a drive region in which a plurality of pixels are arranged is configured. Note that polarizing plates 115 and 116 are disposed on the outer surfaces of the substrates 111 and 112, respectively (
Pasted).

上記の電極は駆動配線117に直接若しくは間接的に導電接続されている。この駆動配
線117は基板111の張り出し部分111bに引き出されている。また、基板111の
張り出し部分111bの端縁側には入力配線118が形成されている。駆動配線層117
の端部である接続端子と、入力配線118の端部である接続端子は、それぞれ図の前後方
向に複数配列されている。
The electrodes are conductively connected to the drive wiring 117 directly or indirectly. The drive wiring 117 is drawn out to the protruding portion 111 b of the substrate 111. An input wiring 118 is formed on the edge side of the protruding portion 111b of the substrate 111. Drive wiring layer 117
A plurality of connection terminals, which are the ends of the input wiring 118, and a plurality of connection terminals, which are the ends of the input wiring 118, are arranged in the front-rear direction of the drawing.

駆動配線117及び入力配線118は、ITO等の透明導電体、Al、Cu、Auやこ
れらの合金等の金属、或いは、異種材料の積層体として構成される。また、電子部品12
0と導電接続される接続端子は、他の配線部分と同一の構造を有していてもよく、或いは
、他の配線部分とは異なる素材で形成されていたり、異なる構造(たとえば、表面にAu
等の薄膜層を積層した構造など)を有していたりしてもよく、さらに、後述するように、
基板111上に適宜の下地層を介して形成されていてもよい。
The drive wiring 117 and the input wiring 118 are configured as a transparent conductor such as ITO, a metal such as Al, Cu, Au, or an alloy thereof, or a laminate of different materials. Also, the electronic component 12
The connection terminal that is conductively connected to 0 may have the same structure as other wiring portions, or may be formed of a different material from other wiring portions, or may have a different structure (for example, Au on the surface).
Etc.) and, as will be described later,
It may be formed on the substrate 111 through an appropriate underlayer.

また、入力配線118の上記接続端子と反対側の端部である入力端子には、張り出し部
111bの端縁に実装されたフレキシブル配線基板141の図示しない配線パターンが導
電接続されている。
In addition, a wiring pattern (not shown) of the flexible wiring board 141 mounted on the edge of the protruding portion 111b is conductively connected to the input terminal which is the end of the input wiring 118 opposite to the connection terminal.

電子部品120は、例えば、半導体チップであり、シリコン(Si)等からなる半導体
基板にトランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサなどの各種素子を含む集積回路を形
成したものである。電子部品120の図示下面上には複数の突起電極が配列形成され、こ
れらの突起電極が上記駆動配線117及び入力配線118にそれぞれ導電接続する態様で
、電子部品120が基板111の張り出し部111b上に実装されている。
The electronic component 120 is, for example, a semiconductor chip, in which an integrated circuit including various elements such as a transistor, a diode, a resistor, and a capacitor is formed on a semiconductor substrate made of silicon (Si) or the like. A plurality of protruding electrodes are formed on the lower surface of the electronic component 120 in the figure, and these protruding electrodes are conductively connected to the drive wiring 117 and the input wiring 118, respectively, so that the electronic component 120 is on the protruding portion 111b of the substrate 111. Has been implemented.

図2は第1実施形態の電気光学装置100における実装構造体に係る部分を模式的に示
す概略部分縦断面図である。上記の電子部品120の表面(図示下面、半導体チップの能
動面など)には、突起電極121、122がそれぞれ突出形成されている。これらの電極
121、122は、駆動配線117の接続端子117aと入力配線118の接続端子11
8aにそれぞれ対応した位置に配置され、複数の接続端子と同じ形成ピッチで複数配列さ
れている。
FIG. 2 is a schematic partial longitudinal sectional view schematically showing a part related to the mounting structure in the electro-optical device 100 of the first embodiment. Projecting electrodes 121 and 122 project from the surface of the electronic component 120 (the lower surface in the drawing, the active surface of the semiconductor chip, etc.), respectively. These electrodes 121 and 122 are connected to the connection terminal 117 a of the drive wiring 117 and the connection terminal 11 of the input wiring 118.
A plurality of the terminals are arranged at positions corresponding to 8a and arranged at the same formation pitch as the plurality of connection terminals.

なお、上記突起電極121,122は、電子部品120に設けられた接続パッド120
a,120bに導電接続されている。図示例の場合、接続パッド120a,120b上に
電解めっき等によってNi等の金属が堆積されることで、上記突起電極121,122が
形成される。通常、突起電極121,122の表面はAu等の表面層で被覆される。
The protruding electrodes 121 and 122 are connected pads 120 provided on the electronic component 120.
a and 120b are conductively connected. In the case of the illustrated example, the protruding electrodes 121 and 122 are formed by depositing a metal such as Ni on the connection pads 120a and 120b by electrolytic plating or the like. Usually, the surfaces of the protruding electrodes 121 and 122 are covered with a surface layer such as Au.

本実施形態では、電子部品120は異方性導電材130を介して基板111上に実装さ
れている。異方性導電材130は、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等からなる絶縁樹脂13
1中に多数の導電性粒子132を分散してなる薄膜(シート)状に構成されている。この
異方性導電材130は、その厚さ方向には導電性粒子132により導電性を有するが、そ
の平面方向には絶縁性樹脂131によって絶縁性を有するように構成される。ここで、導
電性粒子132としては、図示しない弾性変形可能な樹脂を導電性の金属層によって被覆
してなるものが好ましいが、全てが金属で構成されたものであってもよく、また、導電ゴ
ムで構成されたものであってもよい。
In the present embodiment, the electronic component 120 is mounted on the substrate 111 via the anisotropic conductive material 130. The anisotropic conductive material 130 is an insulating resin 13 made of acrylic resin, epoxy resin, or the like.
1 has a thin film (sheet) shape in which a large number of conductive particles 132 are dispersed. The anisotropic conductive material 130 is electrically conductive by the conductive particles 132 in the thickness direction, but is configured to be insulative by the insulating resin 131 in the planar direction. Here, the conductive particles 132 are preferably formed by coating an elastically deformable resin (not shown) with a conductive metal layer. However, the conductive particles 132 may be composed entirely of metal or conductive. It may be composed of rubber.

上記の異方性導電材130は基板111と半導体チップ120との間に配置され、絶縁
樹脂131が基板111と半導体チップ120を接着している。そして、基板111上の
接続端子117a、118aと、半導体チップ120の電極121,122との間には上
記導電性粒子132が介在し、両者が導電性粒子132を介して導電接続されている。ま
た、導電性粒子132は、接続端子117a,118aと電極121,122とに挟持さ
れることによって弾性変形し、潰れた状態となっている。この導電性粒子132の弾性変
形状態は上記絶縁樹脂131の接着力によって維持されている。
The anisotropic conductive material 130 is disposed between the substrate 111 and the semiconductor chip 120, and an insulating resin 131 bonds the substrate 111 and the semiconductor chip 120. The conductive particles 132 are interposed between the connection terminals 117 a and 118 a on the substrate 111 and the electrodes 121 and 122 of the semiconductor chip 120, and both are conductively connected via the conductive particles 132. The conductive particles 132 are elastically deformed and crushed by being sandwiched between the connection terminals 117 a and 118 a and the electrodes 121 and 122. The elastic deformation state of the conductive particles 132 is maintained by the adhesive force of the insulating resin 131.

本実施形態において、接続端子117a,118aの表面には微細な凹凸形状が設けら
れている。この表面凹凸形状は、図3に示すように、その凹部117b,118bに上記
導電性粒子132が嵌合することの可能な周期及び深さを備え、全体として波状に構成さ
れている。例えば、導電性粒子132の平均粒径(例えば粒径分布を正規分布(ガウス分
布)にフィッティングしたときのピーク値)が約1μmであるとすると、凹部117b、
118bの曲率半径も同様の約1μmとされ、実装状態において弾性変形した導電性粒子
132が凹部117b、118bにぴったりと嵌合しうる形状とされる。
In the present embodiment, the surface of the connection terminals 117a and 118a is provided with a fine uneven shape. As shown in FIG. 3, the surface uneven shape has a period and a depth at which the conductive particles 132 can be fitted in the concave portions 117 b and 118 b, and is configured in a wave shape as a whole. For example, assuming that the average particle size of the conductive particles 132 (for example, the peak value when the particle size distribution is fitted into a normal distribution (Gaussian distribution)) is about 1 μm, the concave portion 117b,
The curvature radius of 118b is also set to about 1 μm, and the conductive particles 132 elastically deformed in the mounted state can be fitted into the recesses 117b and 118b.

ただし、凹部117b、118bの深さは導電性粒子132の直径よりも浅く構成され
る必要があり、当該深さが導電性粒子132の直径の半分以下であることが好ましい。凹
部117b、118bの平面形状は導電性粒子132と同様の円状であってもよく、楕円
状、長円状であってもよい。また、凹部117b、118bが帯状の平面形状を有する凹
溝として構成されていても構わない。
However, the depth of the recesses 117b and 118b needs to be configured to be shallower than the diameter of the conductive particles 132, and the depth is preferably half or less of the diameter of the conductive particles 132. The planar shape of the recesses 117b and 118b may be a circle similar to that of the conductive particles 132, or may be an ellipse or an ellipse. Moreover, you may comprise the recessed parts 117b and 118b as a ditch | groove which has a strip | belt-shaped planar shape.

上述の表面凹凸形状は、配線パターンの一部をインプリント法(転写法)、サンドブラ
スト法、エッチング等によって処理することによって形成することができる。また、後述
する第3実施形態や第4実施形態の方法で形成してもよい。
The above-mentioned surface unevenness shape can be formed by treating a part of the wiring pattern by imprinting (transfer method), sandblasting, etching or the like. Moreover, you may form by the method of 3rd Embodiment or 4th Embodiment mentioned later.

上記実施形態では、実装時において基板111と電子部品120との間に異方性導電材
130を配置し、電子部品120を加熱しながら加圧して、基板111上に押し付ける。
これによって異方性導電材130の絶縁樹脂131が軟化し、突起電極121、122と
接続端子117a,118aとの間に配置された絶縁樹脂が周囲に流動して、やがて突起
電極121,122と接続端子117a,118aとは、その間に導電性粒子132が介
在した形で間接的に導電接続される。導電性粒子132には電子部品120に対する加圧
力が及ぼされ、やや押しつぶされた形状に弾性変形する。このとき、導電性粒子132は
接続端子117a,118aの表面凹凸形状の凹部117b、118bに嵌合した状態と
される。
In the above embodiment, the anisotropic conductive material 130 is disposed between the substrate 111 and the electronic component 120 at the time of mounting, and the electronic component 120 is pressed while being heated and pressed onto the substrate 111.
As a result, the insulating resin 131 of the anisotropic conductive material 130 is softened, and the insulating resin disposed between the protruding electrodes 121 and 122 and the connection terminals 117a and 118a flows to the surroundings, and eventually the protruding electrodes 121 and 122 and The connection terminals 117a and 118a are indirectly conductively connected with the conductive particles 132 interposed therebetween. The conductive particles 132 are pressed against the electronic component 120 and elastically deformed into a slightly crushed shape. At this time, the conductive particles 132 are fitted in the concave and convex portions 117b and 118b of the surface irregularities of the connection terminals 117a and 118a.

上記の実装時において、突起電極121、122が接続端子117a,118aに接近
していく過程では、絶縁樹脂131が周囲に流動して排出される段階で、導電性粒子13
2もまた絶縁樹脂131とともに移動するが、本実施形態の場合、導電性粒子132の一
部が接続端子117a,118aの表面凹凸形状の凹部117b,118bに捕捉される
ことにより、最終的に突起電極121,122と接続端子117a,118aとの間に残
存する導電性粒子132の数が従来よりも増加する。
During the mounting described above, in the process in which the protruding electrodes 121 and 122 approach the connection terminals 117a and 118a, the conductive particles 13 are discharged at the stage where the insulating resin 131 flows and is discharged.
2 also moves together with the insulating resin 131, but in the case of this embodiment, a part of the conductive particles 132 is finally captured by the concave and convex portions 117b and 118b of the surface unevenness of the connection terminals 117a and 118a. The number of conductive particles 132 remaining between the electrodes 121 and 122 and the connection terminals 117a and 118a is increased as compared with the conventional case.

本願発明者らの実験では、従来方法による実装において、異方性導電材130中におけ
る導電性粒子132の密度を基準として突起電極121,122と接続端子117a,1
18aの間に介在する導電性粒子の数の比率(残存率)が10〜15%程度であったのに
対し、本実施形態では、残存率を40〜50%と大幅に増加させることができた。
In the experiments by the inventors of the present application, in the mounting by the conventional method, the protruding electrodes 121 and 122 and the connection terminals 117a and 1 are used with reference to the density of the conductive particles 132 in the anisotropic conductive material 130.
In contrast to the ratio of the number of conductive particles interposed between 18a (residual rate) of about 10 to 15%, in the present embodiment, the residual rate can be greatly increased to 40 to 50%. It was.

また、導電性粒子132が接続端子117a,118aの表面凹凸形状に嵌合した状態
とされることで、接続端子117a,118aと導電性粒子132との接触面積も増大し
、これによっても導電接続部の抵抗が低減されている。その結果、本実施形態では、従来
に較べて導電接続部の抵抗が低下するとともに、抵抗値の再現性が向上した。
Further, since the conductive particles 132 are fitted to the surface irregularities of the connection terminals 117a and 118a, the contact area between the connection terminals 117a and 118a and the conductive particles 132 is also increased, and thus the conductive connection is also achieved. The resistance of the part is reduced. As a result, in the present embodiment, the resistance of the conductive connection portion is reduced as compared with the conventional case, and the reproducibility of the resistance value is improved.

さらに、本実施形態では、上述のように導電性粒子132の残存率を高めることができ
ることにより、異方性導電材130中の導電性粒子132の混入密度を低下させることが
可能になることから、導電性粒子132による隣接端子間の電気的短絡不良の発生を防止
することができるという利点がある。
Furthermore, in this embodiment, since the residual rate of the conductive particles 132 can be increased as described above, the mixing density of the conductive particles 132 in the anisotropic conductive material 130 can be reduced. There is an advantage that the occurrence of an electrical short circuit failure between adjacent terminals due to the conductive particles 132 can be prevented.

なお、上記実施形態では、電気光学パネル110を構成する基板111上に半導体チッ
プ等の電子部品120を実装してなる電気光学装置100について説明したが、上記の構
成は、電気光学装置に限らず、種々の基板上に半導体チップその他の電子部品を実装する
各種の実装構造体に適用可能である。ただし、上記の異方性導電材130を用いた実装方
法は、ガラス、セラミックス、硬質樹脂等の硬質基板上に形成された接続端子(導電体)
に電子部品(半導体装置)を実装する場合に特に好適な構成となっている。
In the above-described embodiment, the electro-optical device 100 in which the electronic component 120 such as a semiconductor chip is mounted on the substrate 111 constituting the electro-optical panel 110 has been described. However, the above-described configuration is not limited to the electro-optical device. The present invention can be applied to various mounting structures for mounting semiconductor chips and other electronic components on various substrates. However, the mounting method using the anisotropic conductive material 130 is a connection terminal (conductor) formed on a hard substrate such as glass, ceramics, or hard resin.
This configuration is particularly suitable when an electronic component (semiconductor device) is mounted.

[第2実施形態]
次に、図4及び図5を参照して、本発明に係る第2実施形態について説明する。図4は
第2実施形態の電気光学装置に用いられる実装構造を模式的に示す部分縦断面図、図5は
導電接触部を拡大して示す拡大部分縦断面図である。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5. 4 is a partial longitudinal sectional view schematically showing a mounting structure used in the electro-optical device of the second embodiment, and FIG. 5 is an enlarged partial longitudinal sectional view showing an enlarged conductive contact portion.

この第2実施形態では、電子部品120′及びこの電子部品120′の実装構造のみが
第1実施形態とは異なり、他の構造、すなわち、電気光学パネル110の構成については
第1実施形態と同様であるので、同様の構造に関する説明は省略する。また、下記説明中
で引用する第1実施形態と同様の構造を有する各部については、第1実施形態と同一の符
号を付することとする。
In the second embodiment, only the electronic component 120 ′ and the mounting structure of the electronic component 120 ′ are different from the first embodiment, and the other structure, that is, the configuration of the electro-optical panel 110 is the same as that of the first embodiment. Therefore, the description regarding the same structure is abbreviate | omitted. In addition, each part having the same structure as that of the first embodiment cited in the following description is denoted by the same reference numeral as that of the first embodiment.

本実施形態の電子部品120′においては、その表面(図示下面、半導体チップである
場合には能動面)上に、弾性部材である樹脂よりなる突出体121a′,122a′と、
これらの突出体の表面上に配置された電極層121b′、122b′とを備えた突起電極
121′、122′が設けられている。上記電極層121b′、122b′は表面上に露
出した接続パッド120a′、120b′に導電接続されるとともに、接続パッド120
a′、120b′の傍らに形成された上記突出体121a′、122a′の頂部まで少な
くとも伸びるように帯状に形成されている。
In the electronic component 120 ′ of the present embodiment, protrusions 121 a ′ and 122 a ′ made of resin that is an elastic member are formed on the surface (the lower surface in the drawing, an active surface in the case of a semiconductor chip),
Protruding electrodes 121 ′ and 122 ′ having electrode layers 121 b ′ and 122 b ′ disposed on the surfaces of these protrusions are provided. The electrode layers 121b 'and 122b' are conductively connected to the connection pads 120a 'and 120b' exposed on the surface, and the connection pads 120a.
It is formed in a strip shape so as to extend at least to the tops of the protrusions 121a ′ and 122a ′ formed beside a ′ and 120b ′.

突出体121a′,122a′を構成する素材は任意の樹脂を用いることができるが、
特に、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン変
性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。突出体121a′、122
a′は製造を容易にする関係上、感光性樹脂で構成されることが好ましい。感光性樹脂と
しては、露光条件によって形状制御が可能であるアクリル樹脂がパターニングを容易にす
る上で最も好ましい。なお、上記樹脂は弾性部材の一例であり、実装構造に適した弾性特
性を備えた弾性素材であれば、上記素材に限定されるものではない。
The material constituting the protrusions 121a 'and 122a' can be any resin,
In particular, an acrylic resin, a phenol resin, a silicone resin, a polyimide resin, a silicone-modified polyimide resin, an epoxy resin, or the like can be used. Protruding bodies 121a ′, 122
In view of facilitating production, a ′ is preferably composed of a photosensitive resin. As the photosensitive resin, an acrylic resin whose shape can be controlled depending on exposure conditions is most preferable for facilitating patterning. The resin is an example of an elastic member, and is not limited to the above material as long as it is an elastic material having elastic characteristics suitable for a mounting structure.

また、電極層121b′、122b′の素材構成としては、Ti−W上にAuを積層し
た構造、或いは、Cr上にAuを積層した構造などが好適に用いられる。ただし、Au、
Ti−W、Cu、Ni、Pd、Al、Cr、Ti、W、Ni−V、鉛フリー半田等の各種
金属(合金)を単層とした構造、或いは、これらを適宜の組み合わせで積層した構造を用
いることもできる。
Further, as the material structure of the electrode layers 121b 'and 122b', a structure in which Au is laminated on Ti-W, a structure in which Au is laminated on Cr, or the like is preferably used. However, Au,
A structure in which various metals (alloys) such as Ti-W, Cu, Ni, Pd, Al, Cr, Ti, W, Ni-V, and lead-free solder are formed as a single layer, or a structure in which these are laminated in an appropriate combination. Can also be used.

上記の突起電極121′、122′は接続端子117a,118aに対して加圧された
状態で直接に導電接触し、突出体121a′、122a′が押しつぶされる態様で弾性変
形している。そして、この状態は絶縁樹脂131′によって電子部品120′と基板11
1とが接着固定されることで保持されている。
The protruding electrodes 121 'and 122' are in direct conductive contact with the connection terminals 117a and 118a in a pressurized state, and are elastically deformed in such a manner that the protrusions 121a 'and 122a' are crushed. In this state, the electronic component 120 ′ and the substrate 11 are separated by the insulating resin 131 ′.
1 is held by being bonded and fixed.

この第2実施形態においては、第1実施形態と同様に、接続端子117a、118aに
表面凹凸形状が設けられているので、突出体121a′、122a′が接続端子117a
、118aの表面凹凸形状に応じて弾性変形し、その結果、突起電極121′、122′
(電極層121b′、122b′)と接続端子117a,118aの導電接触面が凹凸状
に構成されている。
In the second embodiment, as in the first embodiment, since the connection terminals 117a and 118a are provided with surface irregularities, the protrusions 121a 'and 122a' are connected to the connection terminals 117a.
, 118a is elastically deformed according to the surface irregularity shape, and as a result, the protruding electrodes 121 ', 122'
The conductive contact surfaces of the electrode layers 121b ′ and 122b ′ and the connection terminals 117a and 118a are formed in an uneven shape.

より具体的には、図5に示すように、接続端子117a、118aの表面凹凸形状に応
じた突出体121a′、122a′の弾性変形で、電極層121b′、122b′が凹凸
状(波状)に変形し、表面凹凸形状の凹部117b、118bに嵌合した状態となってい
る。したがって、突起電極121′、122′と接続端子117a,118aとの密着性
が強化されるとともに、電極層121b′、122b′と接続端子117a,118aと
の導電接触面積が増大し、その結果、導電接続抵抗の低減及びその抵抗値の再現性が向上
する。
More specifically, as shown in FIG. 5, the electrode layers 121 b ′ and 122 b ′ are uneven (wavy) due to elastic deformation of the protrusions 121 a ′ and 122 a ′ according to the surface unevenness of the connection terminals 117 a and 118 a. And is in a state of being fitted into the concave and convex portions 117b and 118b having an uneven surface shape. Therefore, the adhesion between the protruding electrodes 121 ′, 122 ′ and the connection terminals 117a, 118a is enhanced, and the conductive contact area between the electrode layers 121b ′, 122b ′ and the connection terminals 117a, 118a is increased. Reduction of conductive connection resistance and reproducibility of the resistance value are improved.

[第3実施形態]
次に、図6を参照して、本発明に係る第3実施形態について説明する。図6は第3実施
形態の電気光学装置の基板111上の接続端子117a′、118a′の構造を示す概略
部分断面図である。なお、本実施形態は、接続端子117a′、118a′の構造を除き
、第1実施形態とほぼ同じ構成を有するため、第1実施形態と同一部分については同一符
号を付し、その説明は省略する。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic partial cross-sectional view showing the structure of the connection terminals 117a ′ and 118a ′ on the substrate 111 of the electro-optical device of the third embodiment. Since this embodiment has substantially the same configuration as that of the first embodiment except for the structure of the connection terminals 117a ′ and 118a ′, the same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. To do.

本実施形態においては、表面に微細な凹凸形状を備えた下地層117c′、118c′
を基板111上に形成し、この下地層117c′、118c′の上に薄膜状の接続端子1
17a′、118a′を成膜することで、接続端子117a′、118a′の表面に、上
記凹凸形状を反映した表面凹凸形状が形成されている。
In the present embodiment, the underlying layers 117c ′ and 118c ′ having a fine uneven shape on the surface.
Is formed on the substrate 111, and the thin film connection terminals 1 are formed on the underlayers 117c 'and 118c'.
By forming the films 17a 'and 118a', surface irregularities reflecting the above irregularities are formed on the surfaces of the connection terminals 117a 'and 118a'.

下地層117c′、118c′としては種々の素材を用いることができるが、例えば、
アクリル樹脂等の感光性樹脂を用いることで、露光・現像処理によって上記凹凸形状を容
易に設けることができる。例えば、微細な開口を多数分散させてなる露光マスクを用いて
プロキシミティ露光装置で露光することによって、滑らかな波状の凹凸形状を形成するこ
とができる。そして、このような構造を用いることで、接続端子117a′、118a′
の表面凹凸形状を容易に形成でき、また、当該表面凹凸形状に対する制御性を高めること
ができるため、導電接続状態を向上させるために表面凹凸形状を最適化することも可能に
なる。
Various materials can be used as the underlayers 117c ′ and 118c ′.
By using a photosensitive resin such as an acrylic resin, the uneven shape can be easily provided by exposure / development processing. For example, a smooth wavy uneven shape can be formed by exposing with a proximity exposure apparatus using an exposure mask in which a large number of fine openings are dispersed. By using such a structure, the connection terminals 117a ′ and 118a ′ are used.
The surface uneven shape can be easily formed, and the controllability to the surface uneven shape can be improved, so that the surface uneven shape can be optimized in order to improve the conductive connection state.

なお、図示例では、接続端子117a′、118a′のみを下地層117c′、118
c′上に形成しているが、駆動配線117及び入力配線118の他の配線部分をも下地層
上に形成してもよい。この場合には、接続端子の形成領域にのみ上記の凹凸形状を形成す
れば足りる。
In the illustrated example, only the connection terminals 117a ′ and 118a ′ are used as the base layers 117c ′ and 118a.
Although formed on c ′, other wiring portions of the drive wiring 117 and the input wiring 118 may also be formed on the base layer. In this case, it is sufficient to form the uneven shape only in the connection terminal formation region.

[第4実施形態]
次に、図7を参照して、本発明に係る第4実施形態について説明する。図7は第4実施
形態の電気光学装置の基板111″上の接続端子117a″、118a″の構造を示す概
略部分断面図である。なお、本実施形態は、基板111″及び接続端子117a″、11
8a″の構造を除き、第1実施形態とほぼ同じ構成を有するため、第1実施形態と同一部
分については同一符号を付し、その説明は省略する。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic partial sectional view showing the structure of the connection terminals 117a ″ and 118a ″ on the substrate 111 ″ of the electro-optical device of the fourth embodiment. In this embodiment, the substrate 111 ″ and the connection terminals 117a ″ are shown. , 11
Except for the structure of 8a ″, the configuration is almost the same as that of the first embodiment.

本実施形態では、基板111″の表面上に微細な凹凸形状を有する表面部111c″を
形成し、この表面部111c″上に薄膜状の接続端子117a″、118a″を形成する
ことで、接続端子117a″、118a″に上記凹凸形状を反映した表面凹凸形状を設け
ている。
In the present embodiment, a surface portion 111c ″ having a fine uneven shape is formed on the surface of the substrate 111 ″, and connection terminals 117a ″ and 118a ″ in the form of thin films are formed on the surface portion 111c ″. The terminals 117a "and 118a" are provided with surface irregularities reflecting the above irregularities.

基板111″に上記表面部111c″を設ける方法としては、例えばエッチング液でウ
エットエッチングを行う方法、微粒子を基板表面に吹き付ける方法(サンドブラスト)な
どがある。特に、基板がガラスで形成される場合には、フッ化水素酸を含むエッチング液
を用いるなどのエッチング加工、フロスト加工、タペストリー加工と呼ばれる公知の方法
によって容易に微細な凹凸形状を設けることが可能である。
Examples of the method of providing the surface portion 111c ″ on the substrate 111 ″ include a method of performing wet etching with an etching solution, and a method of spraying fine particles on the substrate surface (sand blasting). In particular, when the substrate is formed of glass, it is possible to easily provide fine irregularities by a known method called etching, frosting, or tapestry using an etching solution containing hydrofluoric acid. It is.

「第5実施形態」
次に、図8を参照して本発明に係る第5実施形態について説明する。この実施形態では
、電気光学パネル及び電子部品の基本構成については第1実施形態と同様に構成され、接
続端子構造としては第2実施形態又は第3実施形態と同様に構成されているため、それぞ
れの実施形態と対応する部分には同一符号を付し、同様の構成については説明を省略する
“Fifth Embodiment”
Next, a fifth embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the basic configuration of the electro-optical panel and the electronic component is configured in the same manner as in the first embodiment, and the connection terminal structure is configured in the same manner as in the second or third embodiment. Portions corresponding to those of the embodiment are denoted by the same reference numerals, and description of similar configurations is omitted.

電気光学パネル110においては、基板111の内面(基板112に対向する面)上に
、配線やスイッチング素子(TFT等の三端子非線形素子やTFD等の二端子非線形素子
など)が適宜の層間絶縁膜を介して形成されてなる素子配線層111dが設けられている
。この素子配線層111dからは上記駆動配線117′が実装領域に向けて引き出されて
いる。その上には、下地層117c′、118c′と同じ素材で同一工程にて形成される
下地層111eが設けられている。この下地層111eの表面には微細な凹凸形状が形成
され、この凹凸形状は、下地層117c′、118c′の凹凸形状と同様に同一方法で形
成される。
In the electro-optical panel 110, wiring and switching elements (three-terminal non-linear elements such as TFT and two-terminal non-linear elements such as TFD) are appropriately formed on the inner surface of the substrate 111 (the surface facing the substrate 112). An element wiring layer 111d formed through the gap is provided. From the element wiring layer 111d, the drive wiring 117 'is drawn out toward the mounting region. A base layer 111e formed of the same material as the base layers 117c ′ and 118c ′ in the same process is provided thereon. A fine concavo-convex shape is formed on the surface of the base layer 111e, and this concavo-convex shape is formed by the same method as the concavo-convex shape of the base layers 117c ′ and 118c ′.

下地層111e上にはAg、Al、Cr或いは適宜の合金等で構成される反射層111
fが形成される。この反射層111fは基板112側から入射した外光を反射するための
反射面を備えたものであり、上記下地層111eの凹凸形状を反映した微細な表面凹凸形
状を有する散乱性反射面を有している。
A reflective layer 111 made of Ag, Al, Cr, or an appropriate alloy is formed on the base layer 111e.
f is formed. This reflective layer 111f has a reflective surface for reflecting external light incident from the substrate 112 side, and has a scattering reflective surface having a fine surface uneven shape reflecting the uneven shape of the underlayer 111e. is doing.

なお、この反射層111fは、上記下地層117c′、118c′上にも同時に形成さ
れて、上記接続端子117a′、118a′の少なくとも一部を構成するものとされても
よい。この場合には、接続端子117a′、118a′は金属層のみで構成されるか、或
いは、当該金属層上にさらに別の層が積層された積層体として構成される。なお、反射層
と同じ素材で同じ工程において、駆動配線117′、118′における接続端子以外の配
線部分を形成してもよい。
The reflective layer 111f may be simultaneously formed on the base layers 117c ′ and 118c ′ to constitute at least a part of the connection terminals 117a ′ and 118a ′. In this case, the connection terminals 117a ′ and 118a ′ are formed of only a metal layer or a stacked body in which another layer is stacked on the metal layer. Note that wiring portions other than the connection terminals in the drive wirings 117 ′ and 118 ′ may be formed in the same process using the same material as the reflective layer.

また、反射層111fは、図示例の場合には、画素G内において形成されていない領域
が存在するように設けられている。すなわち、画素G内において、反射層111fが形成
されていない領域が透過表示領域となり、反射層111fが形成されている領域が反射表
示領域を構成している。つまり、図示例の電気光学パネル110は半透過反射型の液晶表
示体となっている。ただし、画素G全体に反射層111fが形成されてなる反射型の液晶
表示体を構成しても構わない。
In the illustrated example, the reflective layer 111f is provided so that there is a region not formed in the pixel G. That is, in the pixel G, a region where the reflective layer 111f is not formed becomes a transmissive display region, and a region where the reflective layer 111f is formed constitutes a reflective display region. That is, the electro-optical panel 110 in the illustrated example is a transflective liquid crystal display. However, a reflective liquid crystal display in which the reflective layer 111f is formed on the entire pixel G may be configured.

反射層111f上にはITO等の透明導電体で構成された電極111gが設けられてい
る。図示例の場合、電極111gは上記スイッチング素子に導電接続された画素電極であ
る。また、この電極111gと同じ素材で同じ工程において駆動配線117′及び入力配
線118′が形成される。さらに、電極111g上にはポリイミド樹脂等からなる配向膜
111hが設けられる。
An electrode 111g made of a transparent conductor such as ITO is provided on the reflective layer 111f. In the illustrated example, the electrode 111g is a pixel electrode that is conductively connected to the switching element. In addition, a drive wiring 117 'and an input wiring 118' are formed in the same process using the same material as the electrode 111g. Further, an alignment film 111h made of polyimide resin or the like is provided on the electrode 111g.

一方、基板112の内面(基板111と対向する面)上には、画素Gに対応させて複数
の色の着色層112aが配列され、それらの上に透明な保護膜112bが形成される。保
護膜112b上にはITO等の透明導電体よりなる電極112cが設けられ、この電極1
12c上には配向膜112dが形成される。
On the other hand, on the inner surface of the substrate 112 (the surface facing the substrate 111), a plurality of colored layers 112a are arranged corresponding to the pixels G, and a transparent protective film 112b is formed thereon. An electrode 112c made of a transparent conductor such as ITO is provided on the protective film 112b.
An alignment film 112d is formed on 12c.

本実施形態では、張り出し部111b上に下地層117c′、118c′が形成される
とともに、同じ工程にて画素Gが配列された駆動領域(表示領域)内に下地層111eが
形成され、さらに、この下地層111eと上記下地層117c′、118c′の凹凸形状
を反映して反射層111gの散乱性反射面及び接続端子117a′、118a′の表面凹
凸形状が構成されるため、当該工程の下地層の形成パターンを変更するだけでよく、工数
を増加させる必要がない。
In the present embodiment, the base layers 117c ′ and 118c ′ are formed on the projecting portion 111b, and the base layer 111e is formed in the drive region (display region) in which the pixels G are arranged in the same process. Reflecting the concave and convex shapes of the base layer 111e and the base layers 117c ′ and 118c ′, the scattering reflective surface of the reflective layer 111g and the surface concave and convex shapes of the connection terminals 117a ′ and 118a ′ are configured. It is only necessary to change the formation pattern of the formation, and it is not necessary to increase the man-hours.

また、接続端子117a′、118a′を電極111gや反射層111fの形成工程で
形成することができるので、やはり工数を増加させる必要がない。したがって、本実施形
態では接続端子に表面凹凸形状を形成しても、製造工数や製造コストの増加を抑制するこ
とができる。
Further, since the connection terminals 117a ′ and 118a ′ can be formed in the step of forming the electrode 111g and the reflective layer 111f, it is not necessary to increase the number of man-hours. Therefore, in this embodiment, even if the surface unevenness is formed on the connection terminal, it is possible to suppress an increase in manufacturing steps and manufacturing costs.

[電子機器]
最後に、図9及び図10を参照して、本発明に係る電子機器の例について説明する。図
10は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるノート型パーソナルコンピュータを示
している。このパーソナルコンピュータ200は、複数の操作ボタン201aや他の操作
装置201bを備えた本体部201と、この本体部201に接続され、表示画面202a
を備えた表示部202とを備えている。図示例の場合、本体部201と表示部202は開
閉可能に構成されている。表示部202の内部には上述の電気光学装置100が内蔵され
ており、表示画面202aに所望の表示画像が表示されるようになっている。この場合、
パーソナルコンピュータ200の内部には、上記電気光学装置100を制御する表示制御
回路が設けられる。この表示制御回路は、電気光学装置100に対して映像信号その他の
入力データや所定の制御信号を送り、その動作態様を決定するように構成されている。
[Electronics]
Finally, an example of an electronic apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 10 shows a notebook personal computer which is an embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. The personal computer 200 is connected to a main body 201 having a plurality of operation buttons 201a and other operation devices 201b, and the main body 201, and a display screen 202a.
And a display unit 202 including In the case of the illustrated example, the main body unit 201 and the display unit 202 are configured to be openable and closable. The electro-optical device 100 described above is built in the display unit 202, and a desired display image is displayed on the display screen 202a. in this case,
A display control circuit for controlling the electro-optical device 100 is provided inside the personal computer 200. The display control circuit is configured to send an image signal and other input data and a predetermined control signal to the electro-optical device 100 to determine the operation mode.

図10は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここ
に示す携帯電話機300は、複数の操作ボタン301a,301b及び送話口などを備え
た操作部301と、表示画面302aや受話口などを備えた表示部302とを有し、表示
部302の内部に上記の電気光学装置100が組み込まれてなる。そして表示部302の
表示画面302aにおいて電気光学装置100により形成された表示画像を視認すること
ができるようになっている。この場合、携帯電話機300の内部には、上記電気光学装置
100を制御する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路は、電気光学装置100
に対して映像信号その他の入力データや所定の制御信号を送り、その動作態様を決定する
ように構成されている。
FIG. 10 shows a mobile phone which is another embodiment of the electronic apparatus according to the invention. A cellular phone 300 shown here includes an operation unit 301 including a plurality of operation buttons 301a and 301b and a mouthpiece, and a display unit 302 including a display screen 302a and a mouthpiece. The electro-optical device 100 is incorporated inside. The display image formed by the electro-optical device 100 can be viewed on the display screen 302a of the display unit 302. In this case, a display control circuit that controls the electro-optical device 100 is provided inside the mobile phone 300. The display control circuit includes the electro-optical device 100.
A video signal and other input data and a predetermined control signal are sent to the apparatus to determine the operation mode.

なお、電子機器としては、第1実施形態の電気光学装置100を搭載したものに限らず
、例えば上述の他の実施形態の電気光学装置のいずれかを搭載したものとして構成しても
よい。また、電気光学装置以外でも、何らかの基板上に半導体チップ等の電子部品が実装
されてなる実装構造体が搭載されているものであれば、如何なる電子機器であっても構わ
ない。例えば、本発明に係る電子機器としては、上記の図示例の他に、液晶テレビ、カー
ナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、POS端末機
、プロジェクタなどが挙げられる。
Note that the electronic apparatus is not limited to the one on which the electro-optical device 100 according to the first embodiment is mounted, and for example, may be configured as one on which any of the electro-optical devices according to the other embodiments described above is mounted. In addition to the electro-optical device, any electronic device may be used as long as a mounting structure in which an electronic component such as a semiconductor chip is mounted on a certain substrate. For example, as the electronic apparatus according to the present invention, there are a liquid crystal television, a car navigation device, an electronic notebook, a calculator, a workstation, a videophone, a POS terminal, a projector, and the like in addition to the illustrated examples.

尚、本発明は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態では液晶
表示体を備えた電気光学装置を構成しているが、有機エレクトロルミネッセンス装置、電
気泳動表示装置、プラズマディスプレイ装置など、種々の電気光学パネルを備えたものを
採用することができる。
Note that the present invention is not limited to the illustrated examples described above, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, an electro-optical device including a liquid crystal display is configured, but an apparatus including various electro-optical panels such as an organic electroluminescence device, an electrophoretic display device, and a plasma display device is employed. Can do.

本発明に係る第1実施形態の全体構成を模式的に示す概略斜視図。The schematic perspective view which shows typically the whole structure of 1st Embodiment which concerns on this invention. 同実施形態の実装構造部分を示す部分縦断面図。The fragmentary longitudinal cross-section which shows the mounting structure part of the embodiment. 同実施形態の導電接触部を拡大して示す拡大部分縦断面図。The expanded partial longitudinal cross-sectional view which expands and shows the conductive contact part of the embodiment. 第2実施形態の実装構造部分を示す部分縦断面図。The fragmentary longitudinal cross-section which shows the mounting structure part of 2nd Embodiment. 第2実施形態の導電接続部を拡大して示す拡大部分縦断面図。The expanded partial longitudinal cross-sectional view which expands and shows the electroconductive connection part of 2nd Embodiment. 第3実施形態の基板上の実装領域の構造を示す部分縦断面図。The fragmentary longitudinal cross-section which shows the structure of the mounting area | region on the board | substrate of 3rd Embodiment. 第4実施形態の基板上の実装領域の構造を示す部分縦断面図。The fragmentary longitudinal cross-section which shows the structure of the mounting area | region on the board | substrate of 4th Embodiment. 第5実施形態の実装領域近傍を示す部分縦断面図。The fragmentary longitudinal cross-section which shows the mounting area vicinity of 5th Embodiment. 本発明に係る電子機器の一実施形態であるコンピュータ装置を示す概略斜視図。1 is a schematic perspective view illustrating a computer device that is an embodiment of an electronic apparatus according to the invention. 本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示す概略斜視図。1 is a schematic perspective view showing a mobile phone that is an embodiment of an electronic apparatus according to the invention. 従来のACFを用いた実装構造を模式的に示す概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view which shows typically the mounting structure using the conventional ACF. 従来のNCFを用いた実装構造を模式的に示す概略縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view which shows typically the mounting structure using the conventional NCF.

符号の説明Explanation of symbols

100…電気光学装置、110…電気光学パネル、111、112…基板、113…シー
ル材、120…電子部品、121、122…突起電極、130…異方性導電材、131…
絶縁樹脂、132…導電性粒子、117…駆動配線、118…入力配線、117a、11
8a…接続端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Electro-optical apparatus, 110 ... Electro-optical panel, 111, 112 ... Board | substrate, 113 ... Sealing material, 120 ... Electronic component, 121, 122 ... Projection electrode, 130 ... Anisotropic conductive material, 131 ...
Insulating resin, 132 ... conductive particles, 117 ... drive wiring, 118 ... input wiring, 117a, 11
8a: Connection terminal

Claims (9)

突起電極を備えた電子部品と、前記突起電極に対して導電性粒子を介して導電接続され
た導電体を基板上に備えた基体とを有し、前記電子部品と前記基体とが絶縁樹脂により接
着されてなる実装構造体において、
前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状に前記導電性粒子が嵌
合する態様で前記導電体と前記導電性粒子とが導電接触していることを特徴とする実装構
造体。
An electronic component having a protruding electrode; and a base provided on a substrate with a conductor conductively connected to the protruding electrode through conductive particles. The electronic component and the base are made of an insulating resin. In the bonded mounting structure,
The conductor is provided with a fine surface irregularity shape, and the conductor and the conductive particle are in conductive contact in such a manner that the conductive particle fits into the surface irregularity shape. Structure.
弾性部材により形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極
を備えた電子部品と、前記突起電極に導電接続された導電体を基板上に備えた基体とを有
し、前記電子部品と前記基体とが絶縁樹脂により接着されてなる実装構造体において、
前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状によって前記突出体が
変形することにより前記突起電極の導電接触面が微細な凹凸状に構成されていることを特
徴とする実装構造体。
An electronic component having a projecting body formed of an elastic member and a projecting electrode having an electrode layer formed on the projecting body, and a base body provided on a substrate with a conductor conductively connected to the projecting electrode. In the mounting structure in which the electronic component and the base are bonded with an insulating resin,
The conductive body is provided with a fine surface uneven shape, and the projecting body is deformed by the surface uneven shape, whereby the conductive contact surface of the protruding electrode is formed into a fine uneven shape. Structure.
前記導電体は前記基板上に形成された凹凸形状の表面を有する下地層上に形成され、該
下地層の表面の凹凸形状を反映して前記表面凹凸形状が設けられていることを特徴とする
請求項1又は2に記載の実装構造体。
The conductor is formed on an underlayer having an uneven surface formed on the substrate, and the surface uneven shape is provided reflecting the uneven shape of the surface of the underlayer. The mounting structure according to claim 1 or 2.
前記基板の表面には凹凸形状が形成され、前記導電体は前記基板の凹凸形状の表面上に
直接形成され、前記基板の表面の凹凸形状を反映して前記表面凹凸形状が設けられている
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の実装構造体。
An uneven shape is formed on the surface of the substrate, the conductor is formed directly on the uneven surface of the substrate, and the uneven surface shape is provided reflecting the uneven shape of the surface of the substrate. The mounting structure according to claim 1 or 2.
突起電極を備えた電子部品と、電気光学物質が配されてなる基板を有し、前記突起電極
に対して導電性粒子を介して導電接続された導電体を前記基板上に備えた電気光学パネル
と、前記電子部品と前記基板とが絶縁樹脂により接着されてなる電気光学装置において、
前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状に前記導電性粒子が嵌
合する態様で前記導電体と前記導電性粒子とが導電接触していることを特徴とする電気光
学装置。
An electro-optical panel having an electronic component having a protruding electrode and a substrate on which an electro-optic material is disposed, and a conductor electrically connected to the protruding electrode through conductive particles on the substrate. And in the electro-optical device in which the electronic component and the substrate are bonded by an insulating resin,
The electrical conductor is provided with a fine surface irregularity shape, and the electrical conductor and the conductive particle are in conductive contact with each other in such a manner that the conductive particle fits into the surface irregularity shape. Optical device.
弾性部材により形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極
を備えた電子部品と、電気光学物質が配されてなる基板を有し、前記突起電極に導電接続
された導電体を一方の前記基板上に備えた電気光学パネルと、前記電子部品と前記基板と
が絶縁樹脂により接着されてなる電気光学装置において、
前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状によって前記突出体が
変形することにより前記突起電極の導電接触面が微細な凹凸状に構成されていることを特
徴とする電気光学装置。
An electronic component comprising a protruding body formed of an elastic member and a protruding electrode having an electrode layer formed on the protruding body, and a substrate on which an electro-optic material is disposed, and is conductively connected to the protruding electrode. In an electro-optical device in which the conductive member provided on one of the substrates is bonded to the electronic component and the substrate with an insulating resin,
The conductor is provided with a fine uneven surface, and the protrusion is deformed by the uneven surface, whereby the conductive contact surface of the protruding electrode is formed into a fine uneven shape. Optical device.
前記導電体は前記電気光学物質の配置されていない領域に設けられ、前記電気光学パネ
ルの前記基板の前記電気光学物質が配置された領域には微細な表面凹凸形状を備えた反射
層が設けられ、前記反射層と前記導電体の少なくとも一部とが同一層で構成されているこ
とを特徴とする請求項5又は6に記載の電気光学装置。
The conductor is provided in a region where the electro-optical material is not disposed, and a reflective layer having a fine surface uneven shape is provided in the region of the substrate of the electro-optical panel where the electro-optical material is disposed. The electro-optical device according to claim 5, wherein the reflective layer and at least a part of the conductor are formed of the same layer.
前記電気光学パネルの前記基板における前記電気光学物質の配置されていない領域及び
前記電気光学物質の配置された領域に凹凸形状の表面を有する下地層がそれぞれ形成され
、前記電気光学物質の配置されていない領域に形成された前記下地層上には前記凹凸形状
を反映した前記表面凹凸形状を備えた前記導電体が設けられ、前記電気光学物質が配置さ
れた領域に形成された前記下地層上には前記凹凸形状を反映した表面凹凸形状を備えた反
射層が設けられていることを特徴とする請求項5又は6に記載の電気光学装置。
A base layer having a concavo-convex surface is formed in a region where the electro-optical material is not disposed and a region where the electro-optical material is disposed in the substrate of the electro-optical panel, and the electro-optical material is disposed. On the base layer formed in a region where the electro-optic material is disposed, the conductor having the surface uneven shape reflecting the uneven shape is provided on the base layer formed in a non-region. 7. The electro-optical device according to claim 5, further comprising a reflective layer having a surface uneven shape reflecting the uneven shape.
請求項5乃至8のいずれか一項に記載の電気光学装置を搭載してなる電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 5.
JP2005362795A 2005-12-16 2005-12-16 Mounting structure, electrooptical device and electronic equipment Withdrawn JP2007165745A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005362795A JP2007165745A (en) 2005-12-16 2005-12-16 Mounting structure, electrooptical device and electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005362795A JP2007165745A (en) 2005-12-16 2005-12-16 Mounting structure, electrooptical device and electronic equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007165745A true JP2007165745A (en) 2007-06-28

Family

ID=38248272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005362795A Withdrawn JP2007165745A (en) 2005-12-16 2005-12-16 Mounting structure, electrooptical device and electronic equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007165745A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009054833A (en) * 2007-08-28 2009-03-12 Seiko Epson Corp Ectronic device and its manufacturing emthod, electrooptical device, and electronic device
JP2012185201A (en) * 2011-03-03 2012-09-27 Denso Corp Connection device for display panel
JP2014239131A (en) * 2013-06-07 2014-12-18 日本電信電話株式会社 Junction structure and method for manufacturing the same
WO2019039178A1 (en) * 2017-08-23 2019-02-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 Touch sensor
CN110471219A (en) * 2019-07-31 2019-11-19 厦门天马微电子有限公司 LED substrate and display device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009054833A (en) * 2007-08-28 2009-03-12 Seiko Epson Corp Ectronic device and its manufacturing emthod, electrooptical device, and electronic device
JP2012185201A (en) * 2011-03-03 2012-09-27 Denso Corp Connection device for display panel
JP2014239131A (en) * 2013-06-07 2014-12-18 日本電信電話株式会社 Junction structure and method for manufacturing the same
WO2019039178A1 (en) * 2017-08-23 2019-02-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 Touch sensor
CN110471219A (en) * 2019-07-31 2019-11-19 厦门天马微电子有限公司 LED substrate and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4784304B2 (en) Electronic component, method for manufacturing electronic component, circuit board, and electronic device
KR100699666B1 (en) Electronic component, mounted structure, electro-optical device, and electronic device
US6771348B2 (en) Displaying substrate and liquid crystal display device having the same
KR100754575B1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same and circuit board
JP2007165745A (en) Mounting structure, electrooptical device and electronic equipment
JP5125314B2 (en) Electronic equipment
US7429704B2 (en) Electronic component, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2009054833A (en) Ectronic device and its manufacturing emthod, electrooptical device, and electronic device
JP2007047346A (en) Manufacturing method for electro-optical device, electrooptical device, and electronic equipment
US7180196B2 (en) Semiconductor device mounting method, semiconductor device mounting structure, electro-optical device, electro-optical device manufacturing method and electronic device
JP2007165744A (en) Semiconductor device, mounting structure, electrooptical device, method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing mounting structure, method of manufacturing electrooptical device, and electronic equipment
JP5169071B2 (en) Electronic component, electronic device, mounting structure for electronic component, and method for manufacturing mounting structure for electronic component
JP2005241858A (en) Electrooptical device, electronic apparatus, and method for manufacturing electrooptical device
JP2008277646A (en) Substrate for electrooptical device, mounting structure, and electronic equipment
JP2005167274A (en) Semiconductor device, method for manufacturing same, and liquid crystal display device
JP2000111939A (en) Liquid crystal display device
JP4577375B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2008233636A (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP4305547B2 (en) Mounting structure, electro-optical device, electronic device, and manufacturing method of mounting structure
JP2005108997A (en) Method of mounting semiconductor element, electrooptic device, method of manufacturing same, and electronic equipment equipped therewith
JP2006184671A (en) Liquid crystal device, its manufacturing method, and electronic apparatus
JP4656191B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2011233624A (en) Semiconductor element and electronic apparatus including the semiconductor element
JP2005158785A (en) Mounting structure, manufacturing method therefor, electro-optic device and manufacturing method for electro-optic device and electronic equipment
JP2008108868A (en) Semiconductor device, mounting structure, electro-optic device, electronic apparatus, and process for manufacturing electronic component

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070404

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20090303