JP2007158009A - Light-emitting device - Google Patents
Light-emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007158009A JP2007158009A JP2005350953A JP2005350953A JP2007158009A JP 2007158009 A JP2007158009 A JP 2007158009A JP 2005350953 A JP2005350953 A JP 2005350953A JP 2005350953 A JP2005350953 A JP 2005350953A JP 2007158009 A JP2007158009 A JP 2007158009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- transparent resin
- plane
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
本発明は、発光ダイオードと蛍光体との組合せによって種々の色を発光可能な発光装置に関し、特に導光板等と組み合わせて平面光源を形成する薄型の発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device capable of emitting various colors by a combination of a light emitting diode and a phosphor, and more particularly to a thin light emitting device that forms a planar light source in combination with a light guide plate or the like.
窒化物半導体を用いた青色発光ダイオードが開発されたことから、該発光ダイオードから出力される光の一部を吸収して異なる波長の光を出力する蛍光体と組み合わせることにより、種々の色調の発光色を有する発光装置を作製することが可能となった。特に、発光ダイオードが青色発光ダイオードであり、蛍光体が青色発光ダイオードの発光の一部を吸収して青色の補色に変換すれば、白色を発光する発光ダイオードが得られる。 Blue light-emitting diodes using nitride semiconductors have been developed. By combining with phosphors that absorb part of the light output from the light-emitting diodes and output light of different wavelengths, light emission of various colors A light emitting device having a color can be manufactured. In particular, if the light emitting diode is a blue light emitting diode and the phosphor absorbs part of the light emitted from the blue light emitting diode and converts it into a blue complementary color, a light emitting diode that emits white light can be obtained.
このような青色発光ダイオードと蛍光体とを組み合わせた発光ダイオードとしては、用途に応じて種々の形状のものが知られている(例えば特許文献1及び2参照)。発光素子を覆い蛍光剤を含む立体状の第1の樹脂層と、第1の樹脂層の全表面又は上面のみを覆う老化防止剤入りの第2の樹脂層と、を備えた表面実装型の発光装置が知られている。この発光装置は、発光素子の周囲に蛍光物質を集めることができ、蛍光物質を理想的な最適位置への混入状態にすることができると共に、第2の樹脂層により、第1の樹脂層、蛍光体及び発光素子を紫外線から保護している。
As light emitting diodes combining such blue light emitting diodes and phosphors, those having various shapes are known depending on the application (see, for example,
特許文献3には、発光素子を封止した第1の樹脂層と、第1の樹脂層の外側を覆う第2の樹脂層と、第2の樹脂層の側面に形成された反射部とを備え、第1の樹脂層又は第2の樹脂層のいずれかに、蛍光物質を混入した発光装置が開示されている。この発光装置では、側面に向かった光が反射部によって反射され樹脂内部に戻ることになり、やがては光の射出面側である上方に向かうので、輝度が向上する。
特許文献4には、絶縁性部材から成り凹部を有するパッケージと、パッケージの凹部内からパッケージ底部まで配線されたリード部材と、パッケージの凹部に固定されリード部材に電気的に接続された発光素子と、パッケージの凹部の開口面を覆っている蛍光物質含有の透光性被覆部材とを備えた薄型の発光装置が開示されている。
特許文献4に示すような白色の薄型発光装置は、平板状の導光板と組み合わせて携帯電話等のバックライト用平面光源として利用されている。近年では、より薄型で、且つ高輝度の平面光源への要求が高まっており、これに伴って薄型発光装置に対しても、さらなる薄型化と光の取出し効率向上とが求められている。また、平面光源の色調を一定に維持しつつ欠陥品の発生率を低下するために、製造工程において発光装置ごとの色調を調節できることが望まれている。
A white thin light-emitting device as shown in
そこで本発明は、極めて薄型で、発光面からの光の取出し効率が良好な発光装置を提供することを目的とする。また、本発明は、製造工程において、色調調節が可能な発光装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a light-emitting device that is extremely thin and has good light extraction efficiency from a light-emitting surface. Another object of the present invention is to provide a light emitting device capable of adjusting the color tone in the manufacturing process.
本発明の発光装置は、発光観測面から観察したときに1対の長辺と1対の短辺とを有する略長矩形の基板と、前記基板上に形成された正極及び負極の電極と、前記正極及び負極に接続された発光ダイオードと、前記基板の一方の長辺を含む第1の平面と該第1の平面に対面し前記基板の他方の長辺を含む第2の平面とを有し、前記発光ダイオードを覆っている樹脂と、を備えた発光装置であって、前記樹脂は、前記発光ダイオードを覆い且つ該発光ダイオードの出射光により励起されて発光する蛍光体を含む第1透明樹脂と、該第1透明樹脂を覆う第2透明樹脂とを有しており、さらに、前記第1の平面と前記第2の平面とには、前記第1透明樹脂と第2透明樹脂とが共に露出しており、前記第1の平面と前記第2の平面の少なくとも一方に、反射部材が形成されていることを特徴とする。 The light emitting device of the present invention comprises a substantially long rectangular substrate having a pair of long sides and a pair of short sides when observed from a light emission observation surface, positive and negative electrodes formed on the substrate, A light emitting diode connected to the positive electrode and the negative electrode; a first plane including one long side of the substrate; and a second plane including the other long side of the substrate facing the first plane. And a resin covering the light emitting diode, wherein the resin includes a phosphor that covers the light emitting diode and is excited by light emitted from the light emitting diode to emit light. And a second transparent resin that covers the first transparent resin, and further, the first transparent resin and the second transparent resin are provided on the first plane and the second plane. Both are exposed and at least one of the first plane and the second plane Wherein the reflecting member is formed.
導光板と組み合わせて平面光源を構成する場合など、発光装置のある用途においては、導光板の幅方向には広い角度範囲に光を出射等の配光制御が必要であるが、導光板の厚さ方向には正面方向を含む狭い角度範囲に光を出射すれば十分である。本発明の発光装置は、第1の平面及び第2の平面に平行な方向(長辺方向と称する)には広い角度範囲で光を出射したり、又はそれらを平行光として出射したりするなど、目的に応じた自由な配光制御ができるように、第1の平面及び第2の平面は基板の長辺に合わせて幅広にする一方、長辺方向と垂直な方向(短辺方向と称する)では、そのような配光制御を必要とせず、正面方向に光が出射できればよいため基板の短辺相当の狭幅にして発光装置を薄型にしている。そして、蛍光体を含む第1透明樹脂層を、第1及び第2の平面から露出させると共に、第1及び第2の平面のいずれか一方に反射部材を一体に形成している。これによって全体が薄型になると共に、第1又は第2の平面からの漏れ光を反射して発光面から効率良く光を出射できる。さらに、反射部材形成前に第1及び第2の平面を研磨することで蛍光体量を調整でき、しかも、第1及び第2の平面を研磨しても配光特性への影響が少ないので、色調の調整が容易にできる。 In some applications of light-emitting devices, such as when a planar light source is configured in combination with a light guide plate, light distribution control such as emitting light over a wide angle range in the width direction of the light guide plate is necessary. In the vertical direction, it is sufficient to emit light in a narrow angle range including the front direction. The light emitting device of the present invention emits light in a wide angle range in a direction parallel to the first plane and the second plane (referred to as a long side direction), or emits them as parallel light. The first plane and the second plane are widened in accordance with the long side of the substrate so as to allow free light distribution control according to the purpose, while the direction perpendicular to the long side direction (referred to as the short side direction). However, such light distribution control is not required, and it is only necessary that light can be emitted in the front direction, so that the light emitting device is made thin by making it narrow corresponding to the short side of the substrate. Then, the first transparent resin layer containing the phosphor is exposed from the first and second planes, and the reflection member is integrally formed on one of the first and second planes. As a result, the entire structure becomes thin, and light leaking from the first or second plane can be reflected to efficiently emit light from the light emitting surface. Furthermore, the amount of the phosphor can be adjusted by polishing the first and second planes before the reflecting member is formed, and even if the first and second planes are polished, there is little influence on the light distribution characteristics. Color tone can be easily adjusted.
このように、本発明は、長辺方向では配光状態の制御を必須とし、短辺方向では配光状態の制御を必要としない薄型の発光装置において、薄型のまま光の取出し効率を向上すると共に、色調不良による欠陥品発生率を低減することができる。 As described above, the present invention improves light extraction efficiency while maintaining a thin shape in a thin light-emitting device that requires control of the light distribution state in the long side direction and does not require control of the light distribution state in the short side direction. At the same time, it is possible to reduce the occurrence rate of defective products due to poor color tone.
実施の形態1.
本実施の形態の発光装置1は、図1の斜視図に示すように、上面が平坦な略直方体形状の絶縁基板2の上面に、蛍光体が分散された第1透明樹脂層12と、その第1透明樹脂層12と絶縁基板2のほぼ全面とを覆う第2透明樹脂層14が順次形成されている。第1透明樹脂層12の中には、発光ダイオード8が絶縁基板2に固定された状態で配置されている。第1及び第2透明樹脂層12、14は、実装基板2上面の長辺Lを含む2つの平面40、42と、実装基板2上面の短辺Tを含む2つの平面44、46によって周囲を囲まれている。そして、第1透明樹脂層14の上面が、発光装置1の光を取り出す発光面14bである。なお、本実施の形態では、発光面14bを凸状の曲面にすることにより発光装置にレンズ機能を持たせている。レンズ機能については、後で詳細に説明する。
As shown in the perspective view of FIG. 1, the light-
第1及び第2透光性樹脂層12、14の周囲を囲む平面のうち、長辺Lを含む2つの平面が第1平面40と第2平面42である。本実施の形態の発光装置1は、第1平面40及び第2平面42と、図2に示したX−X’断面とが、ほぼ同一の形状を備えており、これらの平面40、42及び断面では、上縁40E、42Eが発光面14bの凸状形状に合わせて山形の曲線形状を描いている。
そして、第1及び第2透光性樹脂層12、14の周囲を囲む平面のうち、短辺Tを含む2つの平面が第3平面44及び第4平面46である。この平面は、第1平面40、第2平面42、及び発光面14bと交差して、それらの平面の端部を規定している。本発明では、図1及び図2に図示したような第3平面44及び第4平面46を備えた発光装置1の形態の他にも、発光面14bが絶縁基板2の上面まで達しており、第3平面及び第4平面が存在しない発光装置1の形態も含む。
Of the planes surrounding the first and second
Of the planes surrounding the first and second
本実施形態の発光装置1は、引用文献4に開示された薄型発光装置のような絶縁材料のパッケージを備えていないので、実装基板2の短辺Tをパッケージの肉厚分だけ薄型化することができる。特に、本発明のような薄型発光装置では、基板2の長辺Lは、短辺Tの1.5倍以上10倍以下にするのが好ましく、薄型でありながら、長辺方向の配光制御の自由度を高めるのに要求される光の広がりを十分に確保して、導光板と組合せた平面光源に使用するのに好適な発光装置を得ることができる。また、発光装置1の短辺Tを0.1mm以上2.0mm以下にするのが好ましく、バックライトに組み込むのに適した薄型の発光装置を得ることができる。
Since the
図2に示すように、第1透明樹脂12の形状は、第1平面40側及び前記第2平面42側からみたとき、すなわち長辺方向において略半円状であるのが好ましい。このような発光装置1では、発光素子8から発光して長辺方向に広がる光は、蛍光体16を含む第1透明樹脂層12の中を等しい距離だけ進行することになるので、長辺方向の光を均一な色調にすることができる。これに対して、図3に示したY−Y’断面にあるように、第1透明樹脂層12の短辺方向における形状は矩形になっているので、短辺方向に広がる光は、第1透明樹脂層12の中を異なる距離だけ進み、その進行距離によって異なる色調になる。それらの異なる色調の光は、第2平面42に形成した反射部材17によって反射されて、発光面14bから取り出される。しかしながら、本発明の発光装置1は、短辺の短い薄型の発光装置であり、出射光の短辺方向への広がり角度が狭いので、様々な色調を有する光は、混色された状態で視認されることになり、観察方向による色調の差を生じることがない。
このように、第1透明樹脂層12を、長辺方向を含む平面内において略半円形にすることにより、長辺方向における色むらを減らして、光学的特性(配光特性)の良好な発光装置を得ることができる。
As shown in FIG. 2, the shape of the first
As described above, the first
本実施の形態の発光装置1は、第2平面42に金属膜から成る反射部材17が形成されている。この反射部材17は、第2平面42に直接密着して一体に形成するのが好ましい。それにより、別体の反射部材を後で接着するのに比べて接着剤の厚さ分だけ薄くでき、さらに第2平面42からの漏れ光を反射して発光面から効率良く光を出射できる。反射部材17は、発光素子8で発光した光と、蛍光体により波長変換された光とのいずれの波長の反射率も高い材料から形成するのが好ましく、第2平面42の方向に向かった光を確実に反射して、発光装置内に戻すことができる。
In the
金属材料から成る反射部材17は、第2平面42に露出した負電極4及び正電極6に接触して電極間の短絡を起こさないように、それらの電極から間隔dをあけて形成されている。しかし、負電極4及び正電極6の露出部分を絶縁処理等によって短絡を防止すれば、反射部材17は、正及び負電極6、4を覆うように形成することもできる。また、反射部材17が酸化膜等の絶縁材料から成る場合には、正及び負電極6、4上を覆う反射部材を形成することができる。
The
絶縁基板2には、負電極4、正電極6が所定の間隔を空けて形成されている。負電極4及び正電極6は、絶縁基板2の裏面に形成された実装用電極(図示せず)とスルーホール(図示せず)を介して接続されている。正電極及び負電極を半導体面側に備えた発光ダイオード8は、絶縁基板2の負電極4上に実装されており、発光ダイオード8の負電極が絶縁基板2上の負電極4と、正電極が絶縁基板2上の正電極6と、各々ワイヤ10によって接続されている。
A
本実施の形態の発光装置1は、第1平面40及び第2平面42に第1透明樹脂層12が露出しているので、反射部材形成前に第1及び第2平面40、42を研磨する等によって第1透明樹脂層12に含まれる蛍光体16の量を調整して、発光装置の色調を容易に調整することができる。すなわち、第1平面40又は第2平面42を研磨等により薄くすれば、第1透明樹脂層12に含まれる蛍光体16の量を減らすことができる。これによって製造工程の途中において、発光ダイオード8と蛍光体16の発光強度比を調節して、個々の発光装置の色調の補正を行うことができる。
なお、本実施の形態のようにシリンドリカルレンズを備えた発光装置1は、色調補正のために第1平面40及び第2平面42を切削してもレンズ形状が変わらない。よって、レンズを備えた発光装置1にも、レンズ性能を変化させずに色調補正を行うことができる。
In the
Note that the
図4及び図5は、図1乃至図3に示した発光装置1を実装基板上に実装した様子を示す斜視図である。なお、図4の発光装置1は、説明のために反射部材17を除いた状態で図示している。発光装置1は、該装置の長手方向に平行な第1平面40を実装面として、実装基板3の上に実装されている。このとき発光面である第2透明樹脂層14の発光面14bは、実装基板3に対して略垂直となる。発光装置1は、実装基板3と接する第1平面40において、絶縁基板2、第1透明樹脂層12及び第2透明樹脂層14が全て略面一になっているため、実装面が広面積かつ平坦であり、安定した実装が可能である。実装基板3の表面には、正及び負のリード電極18及び20が形成されており、発光装置1の絶縁基板3の裏面に形成された実装用電極(図示せず)と半田22によって接続されている。
4 and 5 are perspective views showing a state in which the
発光装置1の実装面が第1平面40であるときには、反射部材17は、第2平面42に形成されているのが好ましい。発光装置1の中の発光ダイオード8で発生した光は、一部は第2透明樹脂層14の上面(レンズ形成面)14bに直進するが、多くは第1平面40及び第2平面42に進み、反射されながらレンズ形成面14bに進む。第1平面40は、実装基板3により反射されやすくなっているのに対して、第2平面42は反射率が低いので、第2平面42から漏れていた光は、発光装置の光の損失になっていた。本実施の形態にかかる発光装置では、第2平面42に反射部材17を一体に形成することによって、漏れ光を発光装置に戻して発光面から取り出すことができるので、発光装置1の発光効率を著しく向上することができる。
When the mounting surface of the
本実施の形態に係る発光装置は、発光装置1の一方の側面に反射部材17を形成し、その反射面が実装基板3への実装面と対向するように実装することにより、発光装置1の発光効率を向上させることができる。また、発光装置1の製造途中で、発光装置1の第2平面42の表面上に反射部材17を直接形成すれば、発光装置1と反射部材17とを直接密着させることができる。このことは、例えば反射部材17を発光装置1に接着剤によって付着させた場合や、単に反射部材17を発光装置1に隣接配置させた場合に比べて、発光装置1と反射部材17との隙間が生じず、発光装置1の厚さを抑えることができるので好ましい。また、発光装置1と反射部材17との間に接着剤や空間による隙間があると、発光装置1から漏れだした光が、反射部材17で反射されて発光装置1内に戻ってくる間に、光の損失が生じてしまう。これに対して、本実施の形態では、発光装置1と反射部材17とが密着しているので、光の損失が起こるのを抑制できる点でも有効である。さらに、本発明では、反射部材17を第2平面42上に直接形成することにより、厚さが極めて薄くて別体として取り扱うことのできないような薄膜状の反射部材17を利用することができるので、発光装置1の薄型化に有利である。
In the light emitting device according to the present embodiment, the reflecting
図1及び図2に示すように、発光装置1の発光面14bを凸状の曲面に成形してレンズ機能を持たせると、別体のレンズを必要とせず、発光装置の光学的特性(配光特性)を良好にできるので好ましい。図1及び図2の発光装置1では、発光面14bのレンズ形状は、半円柱状のシリンドリカルレンズである。このシリンドリカルレンズは、発光装置1の長辺方向(長辺方向)の断面においては曲率を有しているので、光を正面方向に曲げることができる。すなわち、シリンドリカルレンズは、発光ダイオード8や蛍光体16から発光して発光装置1の長辺方向に広がった光を、発光方向Aに向かう平行光に変換することができる。また、このシリンドリカルレンズは、発光装置1の短辺方向の断面においては曲率を有していないので光を直進させる。本発明のように薄型の発光装置1では、発光ダイオード等8で発光した光は、短辺方向にはそれほど広がらないので、短辺方向のレンズ効果はそれほど必要とはされない。よって、本発明の発光装置1は、シリンドリカルレンズのように異方的なレンズ機能によって、十分に配光を制御することができる。
As shown in FIGS. 1 and 2, when the light emitting surface 14b of the
また、図に示したような凸状のシリンドリカルレンズ以外にも、発光素子から第1樹脂層を通過した光を所望の方向に曲げることのできるレンズであれば、本発明の発光装置に利用することができる。例えば、凹状のシリンドリカルレンズにして、横方向への光を広げる導光板と組合せることもできる。 In addition to the convex cylindrical lens as shown in the figure, any lens that can bend the light passing through the first resin layer from the light emitting element in a desired direction is used for the light emitting device of the present invention. be able to. For example, a concave cylindrical lens can be combined with a light guide plate that spreads light in the lateral direction.
第1及び第2透明樹脂層12、14のうち、レンズ形状に加工に適しているのは第2透明樹脂層14である。第2透明樹脂層14には、光散乱の原因にもなる蛍光体16は分散されていないので、第2透明樹脂層14のレンズ作用が阻害される恐れがないからである。尚、第2透明樹脂層14には、レンズ作用を阻害しない程度の少量であれば、蛍光体を分散させることができる。このとき、第2透明樹脂層14に含まれる蛍光体の平均密度は、第1透明樹脂層12に含まれる蛍光体の平均密度の1/10以下、特に好ましくは1/100以下であることが好ましい。
このように、第2透明樹脂層14は、発光ダイオード8等を保護する封止層として機能すると同時に、発光装置の光線方向を制御するレンズ層として機能する。
Of the first and second transparent resin layers 12 and 14, the second
As described above, the second
さらに、本実施の形態に係る発光装置は、後述するように、第1透明樹脂14をライン塗布又は印刷法によって形成できるため、簡易に製造することができる利点もある。
Furthermore, since the light emitting device according to the present embodiment can form the first
以下、発光装置1の各構成について詳細に説明する。
(第1透明樹脂層12)
第1透明樹脂層12は、できるだけ発光ダイオード8の近傍に形成されることが好ましい。これは、第1透明樹脂層12の内部に分散された蛍光体16が発光するため、その分布が狭い方が理想的な点光源に近づくからである。また、第1透明樹脂層12の高さは、できるだけ低い方が好ましい。但し、ワイヤ10よりも低くなると、ワイヤ10が第1透明樹脂層12と第2透明樹脂層14にまたがることになり、ワイヤ10が切れ易くなる。従って、第1透明樹脂層10の高さは、少なくともワイヤ10を越えることが好ましい。また、より理想的な点光源に近づける目的で、第1透明樹脂層12内において蛍光体16を沈降させることが好ましい。但し、蛍光体16が沈降し過ぎると、第1透明樹脂層12の研磨によって色調が補正しにくくなるため、適当な程度に沈降させることが好ましい。また、第1透明樹脂層12は、略半円柱状であり、実装面に平行な断面(=発光面に直交する断面)が半円状又は半楕円状であることが好ましい。これによって観察方位による色ムラが小さくなる。尚、第1透明樹脂層12を上記形状に形成するには、本実施の形態で説明するライン塗布法を用いることが好ましい。尚、第1透明樹脂層12は、実施の形態2で説明するように印刷で形成しても良い。
Hereinafter, each structure of the light-emitting
(First transparent resin layer 12)
The first
第1透明樹脂層12の材料は、発光ダイオード8と蛍光体16の発光を透過し、蛍光体16を安定に分散可能な材料であれば特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。さらに、樹脂以外にガラスを用いることができる。第1透明樹脂層12中にフィラーや拡散材が分散されていても良い。尚、第1透明樹脂層12は、発光ダイオード8の熱を受け易いため、耐熱性の良好な樹脂であることが好ましい。例えば、エポキシ、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、オキセタン樹脂を用いることが好ましい。第1透明樹脂層12の粘度は、硬化前で100〜2000mPa・sであることが好ましい。尚、ここでいう「粘度」は、円錐平板型回転粘度計を用い、常温下で測定したものを指す。また、第1透明樹脂は、硬化条件が80℃〜180℃、数分〜数時間の下で形状を維持できる程度の硬さになる樹脂であることが望ましい。
The material of the first
(第2透明樹脂層14)
第2透明樹脂層14に形成するレンズは、実装面に平行な方向に大きなレンズ径を有することが好ましい。これは実装面に平行な方向は、実装面に垂直な方向に比べて配光特性を制御する必要性が高いからである。一方、実装面に垂直な方向には薄型にする必要があるため、レンズ径を小さくすることが好ましい。また、実装面に垂直な方向には、レンズの曲率も小さなことが好ましい。これは、実装面に垂直な方向に大きな曲率を持ったレンズを形成すると、第1及び第2透明樹脂層12、14の側面を研磨して色調を補正する際に、レンズ特性が変化し易くなるからである。例えば、第2透明樹脂層14に形成するレンズを、実装面に平行な方向にだけ曲率を有するシリンドリカルレンズとしても良い。尚、実装面に垂直な方向における第2透明樹脂層14の断面は、完全に平らである必要はなく、ある程度の曲率を有していても構わない。
(Second transparent resin layer 14)
The lens formed on the second
また、第2透明樹脂層14の材料は、発光ダイオード8と蛍光体16の発光を透過する材料であれば特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミド等を用いることができる。さらに、樹脂以外にガラスを用いることもできる。第2透明樹脂層14中に、フィラーや拡散剤が分散されていてもよい。第2透明樹脂層14は、第1透明樹脂層12や発光ダイオード8を保護する役割も果たすため、絶縁基板2との密着性、耐候性、硬度に優れ、ごみの付着しにくいものが好ましい。例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、オキセタン樹脂を用いることが好ましい。
The material of the second
(絶縁基板2/電極4、6)
絶縁基板2は、適当な機械的強度と絶縁性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、BTレジン、ガラスエポキシ等を用いることができる。また、エポキシ系樹脂シートを多層張り合わせたものでも良い。また、絶縁基板2に形成する負及び正電極4,6は、Cuを主成分とする金属層とすることが好ましい。例えば、負及び正電極4,6は、Cu/Ni/Agによって構成することができる。
(Insulating
The insulating
(発光ダイオード8/蛍光体16)
発光ダイオード8と蛍光体16は、発光ダイオード8の一部又は全部の発光を蛍光体16が波長変換できるような組合せであれば特に限定されない。例として、現在最も需要の多い白色の発光装置を構成するために適した発光ダイオード8と蛍光体16の組合せについて説明する。
−発光ダイオード8
白色の発光装置を構成するために適した発光ダイオードとして、窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いたものを用いることができる。この発光ダイオードは、InxGa1-xN(0<x<1)を発光層として有しており、その混晶度によって発光波長を約365nmから650nmで任意に変えることができる。
(
The
-
As a light-emitting diode suitable for configuring a white light emitting device, the use of which using a nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1- X-Y N, 0 ≦ X, 0 ≦ Y, X + Y ≦ 1) Can do. This light emitting diode has In x Ga 1-x N (0 <x <1) as a light emitting layer, and the light emission wavelength can be arbitrarily changed from about 365 nm to 650 nm depending on the degree of mixed crystal.
白色系の光を発光させる場合は、蛍光体から出射される光との補色関係を考慮すると、発光ダイオード8の発光波長は400nm以上530nm以下に設定することが好ましく、420nm以上490nm以下に設定することがより好ましい。なお、蛍光体の種類を選択することにより、400nmより短い紫外域の波長の光を発光するLEDチップを適用することもできる。
In the case of emitting white light, considering the complementary color relationship with the light emitted from the phosphor, the emission wavelength of the
−蛍光体16
蛍光体16は、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオード8からの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。
-
The
(反射部材17)
反射部材17は、発光ダイオード8からの発光と蛍光体16により変換された光とを高効率で反射できる材料であれば特に限定されない。例としては、Al、Ag、Pt、Rh、Ni等の金属や、酸化チタン、アルミナ、シリカ等の酸化物を用いることができる。金属材料から成る反射部材17は、無電解メッキや蒸着によって膜状に形成することができる。また、酸化物材料から成る反射部材17は、粉末状にした酸化物材料をバインダーに分散させた後に塗布して膜状に形成することができる。
(Reflection member 17)
The reflecting
(色調の補正方法)
次に、本実施の形態における色調の補正方法について説明する。同時に多数の発光装置の色調補正を行う場合、次のような方法で行うことが好ましい。
(Color correction method)
Next, a color tone correction method according to this embodiment will be described. When correcting the color tone of a large number of light emitting devices at the same time, it is preferable to perform the following method.
−ステップ1.
ステップ1では、第1及び第2透明樹脂層を硬化させた後の発光装置の色度を全数測定する(初期色度測定工程)。
-
In
−ステップ2.
ステップ2では、ステップ1で測定された色度に基づいて、前記測定された色度と目標色度との差があらかじめ設定された範囲内にあるものをそれぞれ1つのグループとすることにより色度範囲ごとに分類する(グループ化工程)。分類するグループ数は、調整後の色度バラツキを小さくするためには多い程よいが、要求される色度の範囲(規格)及び製造効率を考慮して適当な分類数とする。
-
In
−ステップ3.
最後に、ステップ3で、各グループごとに、目標色度との差に基づいて設定された量だけ第1及び第2透明樹脂層の側面を研磨する(研磨工程)。すなわち、同一のグループに属する発光素子は、同じ研磨量(グループごとに設定された値)だけ研磨される。以上のような調整方法によれば、グループごとに一括して色度を調整できるので、効率よく色度を調整でき、かつ色度バラツキを小さくできる。尚、研磨は実装面と逆側の側面で行うことが好ましい。実装面の平坦性を損なわないためである。
-
Finally, in
研磨は、例えば次のような方法で行うことができる。研磨装置上に複数個配列して、目標色度になるように研磨する。研磨するための工具は、回転軸の先に、例えば、円盤形状の砥石を設けたものを用い、第1透明樹脂層12及び第2透明樹脂層14を、目標色度と測定色度との差に対応した量だけ研磨する。この研磨の際、研磨装置上に配列した複数の発光装置の各々に対して砥石を設けることにより、複数の発光装置を一度に調整することができる。また、この際、削り量に応じてグルーピングして一括して削るようにもできるし、1つ1つ光センサーにより色度を測定しながら目標色度になるまで削るようにしてもよい(この場合でも、光センサーと砥石をそれぞれの発光装置に設けて各発光素子ごとに削り量を制御するようにすれば、複数の発光素子を同時に並列処理できることはいうまでもない)。
Polishing can be performed, for example, by the following method. A plurality are arranged on a polishing apparatus and polished so as to achieve a target chromaticity. As a tool for polishing, for example, a disk-shaped grindstone is provided at the tip of the rotating shaft, and the first
(製造方法)
次に、本実施の形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
1、パッケージアッセンブリ
本実施の形態の製造方法において、複数の発光装置を一括して製造できるように、第2透明樹脂層14を硬化させるまでは複数のパッケージが集合したパッケージアッセンブリを用いる。このパッケージアッセンブリにおいては、大面積の絶縁基板2上に、各発光ダイオード8の実装領域がマトリックス状に配置されている(図8A参照)。また、各発光ダイオード8の実装領域を両側から挟むように、各々の発光ダイオード8に対応する負電極4及び正電極6が形成されている。また、各列のパッケージは、互いの負電極同士及び正電極同士がつながっている。すなわち、各列の負電極4及び正電極6は、各々、1本の連続した電極となっている(図6A参照)。絶縁性基板2は、例えば厚さが0.06mm〜2.0mmの樹脂積層品等からなり、厚さ方向に貫通する複数のスルーホール(図示せず)が形成されている。負電極4と正電極6は、このスルーホールを介して、絶縁基板2の裏面に形成された実装用電極とつながっている。
(Production method)
Next, a method for manufacturing the light emitting device according to this embodiment will be described.
1. Package assembly In the manufacturing method of the present embodiment, a package assembly in which a plurality of packages are gathered is used until the second
2、発光ダイオード8の実装
上述のように構成されたパッケージアッセンブリの各負電極4の所定の位置に、発光ダイオード8をダイボンディングする。そして、ワイヤ10により所定の配線をする(図5A参照)。
2. Mounting of Light-Emitting
3、第1透明樹脂層12の形成
次に、第1透明樹脂層12を形成する。第1透明樹脂層12には予め所定量の蛍光体16が分散されている。第1透明樹脂層12は、図6A〜Cに示すライン塗布法で形成することが好ましい。ライン塗布法によれば、第1透明樹脂層12を薄膜化できると共に、製造工程が簡易になる。また、ライン塗布法では表面張力を利用して第1透明樹脂層12を形成できるため、ワイヤ10と負電極4及び正電極6のパターンに沿って第1透明樹脂層12は形成することができる。また、負電極4及び正電極6のパターンを適切にすれば、第1透明樹脂層12の形成領域を発光ダイオード8の近くに制限することができる。
3. Formation of first
ライン塗布法とは、図6Aに示すように、ディスペンサ24から所定量の第1透明樹脂を吐出させながら、ディスペンサ24を発光ダイオード8の配列に沿って移動させ、ライン状につながった樹脂層を形成する方法である。ライン塗布法で形成した場合、第1透明樹脂層12の形状を、樹脂の表面張力によって決めることができる。例えば、電極4及び正電極6の外縁は、その厚み分だけ絶縁基板2の表面よりも高い位置にある。従って、両者の高さの差が十分にあれば、図6B及び図6Cに示すように、第1透明樹脂12は表面張力によって負電極4及び正電極6の外縁4a及び6aから先には流れ出さない。また、第1透明樹脂12は、吐出量を適切にすれば、表面張力によってワイヤ10を少し越えた高さで維持させることができる。さらに、第1透明樹脂12の断面形状は、図6Cに示すように、略半円形又は略半楕円形となる。このようにライン塗布法によれば、極めて簡易な構成によって短時間に多数のチップを同時処理でき、しかも形状が安定する。従って、ライン塗布法によって第1透明樹脂層12を形成すれば、量産性が高く、また色調バラツキが少なくなるという利点が得られる。
The line coating method, as shown in FIG. 6A, moves the
尚、第1透明樹脂の表面張力が小さい場合は、電極4,6の厚み分の段差だけでは形状が維持できない場合がある。そこで、第1透明樹脂の流れだしを防止するための構造を設けても良い。例えば、図7Aでは、負電極4及び正電極6の外側に、レジスト等からなる壁32を形成している。図7Bでは、負電極4及び正電極6の外側に、溝34を形成している。さらに、図7Cでは、負電極4及び正電極の外側に、絶縁基板2を高くした段差36を設けている。
In addition, when the surface tension of the first transparent resin is small, the shape may not be maintained with only the steps corresponding to the thicknesses of the
第1透明樹脂12をライン塗布した後、第1透明樹脂12を硬化させる。第1透明樹脂が熱硬化性の樹脂であれば、常温でライン塗布した後、加熱して硬化させれば良い。第1透明樹脂12内における蛍光体16の沈降程度は、例えば、ライン塗布が終了してから硬化開始までの時間や、硬化前又は硬化途中における透明樹脂の粘度によって制御できる。すなわち、ライン塗布が終了してから硬化開始までの時間が長いほど、第1透明樹脂12内における蛍光体16の沈降が進行する。また、硬化前における第1透明樹脂12の粘性が低いほど、蛍光体16の沈降が進行する。硬化前に粘性が高い透明樹脂であっても、エポキシのように加熱によって一旦粘性が低下する材料であれば、粘性が低下したときに蛍光体16の沈降を進行させることができる。
After line application of the first
4、第2透明樹脂層14の形成
次に、第2透明樹脂層14を形成する。第2透明樹脂層14の形成には、トランスファモールド、圧縮成形、射出成形などの方法を用いることができる。トランスファモールドの場合を例にして、説明する。まず、図8Aに示すように、第1透明樹脂層12を形成したパッケージアッセンブリ5を準備する。次に、図8Bに示すように、パッケージアッセンブリ5の上下をトランスファモールド用の金型26及び28で挟む。図8Bに示す例では、下側金型26は平坦であり、上側金型28には第2透明樹脂層を形成するためのレンズ型28aが設けられている。次に、図8Cに示すように、上側金型26とパッケージアセンブリ5の間に形成された樹脂の注入口を通じて第2透明樹脂14を流し込む。このとき、第2透明樹脂14は、半溶性のペレットとして準備し、注入口から圧入しながら樹脂を溶かす。そして、金型内で短時間加熱して硬化させた後、金型を外してさらに加熱することにより、第2透明樹脂層14が形成できる。トランスファモールドで形成する場合、第2透明樹脂14は、ある程度粘度が高い樹脂であることが必要である。例えば、エポキシ樹脂等がトランスファ成形に適している。
4. Formation of second
トランスファモールドに代えて、圧縮成形で第2透明樹脂層14を形成しても良い。特に使用する樹脂が、液状である場合は、トランスファモールドではなく、圧縮成形で第2透明樹脂層14を形成することが好ましい。第2透明樹脂層14を圧縮成形で形成する場合、第2透明樹脂をパッケージアッセンブリ5の全面に塗布した後、圧縮成形用の金型で上面から押さえつけ、加熱して硬化させる。
Instead of the transfer mold, the second
5、ダイシング
次に、図8Dに示すように、パッケージアセンブリ5を2方向からダイシングし、所定幅と所定長さで発光装置を切り出す。
5. Dicing Next, as shown in FIG. 8D, the
6、反射部材17の形成
ダイシング後の個々の装置状態で、第2平面42に金属材料又は酸化物からなる反射部材17を形成することによって、発光装置が完成する。無電解メッキなどで形成するときには、反射部材を形成しない表面領域をマスキングしてから反射部材17を形成するのが好ましい。
6. Formation of Reflecting
実施の形態2.
本実施の形態の発光装置は、図9に示すように、第2平面42に反射部材17bを形成するのみでなく、第1平面40にも反射部材17aを形成すること以外は、実施の形態1と同様である。
第1平面40及び第2平面42には、金属膜から成る反射部材17a、17bがそれぞれ形成されている。この反射部材17は、第1平面40に密着して一体に形成されているので、別体の反射部材を後で接着するのに比べて接着剤の厚さ分だけ薄くでき、さらに第1平面40及び第2平面42からの漏れ光を反射して発光面から効率良く光を出射できる。反射部材17a、17bは、実施の形態1の反射部材17と同様の材料から形成することができる。第1平面40の反射部材17aと第2平面42の反射部材17bとは、異なる材料から形成することもできるが、同じ材料から形成すると、無電解メッキや蒸着のように広い範囲を同時に処理できる方法によって同時に形成することができるので好ましい。
As shown in FIG. 9, the light emitting device of the present embodiment is not limited to forming the reflecting
本実施の形態の発光装置1を、図5と同様に第1平面40を実装面として実装すると、第1平面40及び第2平面42のいずれにも反射部材17が形成されていると、第1平面40及び第2平面42からの漏れ光を抑えることができるので好ましい。すなわち、発光装置1の中の発光ダイオード8で発生した光は、一部は第2透明樹脂層14の上面(レンズ形成面)14bに直進するが、多くは第1平面40及び第2平面42に進み、反射されながらレンズ形成面14bに進む。第1平面40は、実装基板3により反射されやすくなっているが、より反射能の高い反射部材17bを密着して備えることにより、発光装置1の発光効率を向上させることができる。また、実施の形態1と同様に、第2平面42に反射部材17aを密着して形成することによって、発光装置1の発光効率を著しく向上することができる。
このように、本実施の形態にかかる発光装置では、第1平面40及び第2平面42に反射部材17を一体に形成することによって、漏れ光を発光装置に戻して発光面から取り出すことができるので、発光装置1の発光効率を著しく向上することができる。
When the
As described above, in the light emitting device according to the present embodiment, by integrally forming the reflecting
本実施の形態に係る発光装置1は、図9に示すように、基板2の裏面を実装面として実装する場合にも適している。すなわち、第1平面40及び第2平面42のいずれもが、実装基板3に面していない実装方法であっても、それぞれの平面から漏れる光を反射部材17a、17bによって反射することができるので、発光装置の発光効率を下げることなく実装面を変更することができる。
As shown in FIG. 9, the
実施の形態2の変形例として、図10に示すように、発光装置1の第1平面40及び第2平面42に加えて、第3平面44及び第4平面46に反射部材17c、17dを形成している。
第3平面44及び第4平面46に反射部材17c、17dを形成すると、第3平面44及び第4平面46からのわずかな漏れ光も反射して、発光面からの発光効率を向上することができる。第3及び第4平面44、46の反射部材17c、17dは、第1及び第2平面40、42の反射部材17a、17bと同じく、実施の形態1の反射部材17と同様の材料から形成することができる。第1〜第4平面の反射部材17a〜17dは、異なる材料から形成することもできるが、同じ材料から形成すると、無電解メッキや蒸着のように広い範囲を同時に処理できる方法によって同時に形成することができるので好ましい。
As a modification of the second embodiment, as shown in FIG. 10, reflecting members 17 c and 17 d are formed on the
When the reflecting members 17c and 17d are formed on the
このように、本実施の形態に係る発光装置1は、発光面である発光面14bから射出される光以外の漏れ光を装置内部に反射させることにより、光の取出し効率を向上させることができる。
As described above, the
実施の形態3.
本実施の形態の発光装置は、第1透明樹脂層12の形状が異なる以外は、実施の形態1〜3と同様である。
蛍光体16を含む第1透明樹脂層12は、発光素子8の近傍のみに形成されていると点光源に近くなるので好ましく、ワイヤ10の強度が十分にあれば、図11に示すように、第1透明樹脂がワイヤの一部を覆うようにしても良い。このとき、第1透明樹脂層12が第3表面42及び第4平面44に露出すると、第3及び第4の平面の研磨によって、第3及び第4の平面の方向に向かう光の色調整が可能となるので好ましい。
本実施の形態は、実施の形態3と同様に第3及び第4の平面に反射部材17c、17dが形成されていると、第3及び第4の平面44、46に向かう光が透明樹脂層の発光面14bから効率良く取り出せるので、第3及び第4の平面の研磨による色調整が、一層効果を表すことができる。
The light emitting device of the present embodiment is the same as
If the first
In the present embodiment, similarly to the third embodiment, when the reflecting members 17c and 17d are formed on the third and fourth planes, the light directed toward the third and
実施の形態4.
本実施の形態では、第1透明樹脂層12を印刷法によって形成する例について説明する。その他の事項は、実施の形態1と同様である。
まず、図12Aに示すように、パッケージアッセンブリ5の全面に印刷によって第1透明樹脂層12を形成する。第1透明樹脂層12は、絶縁基板2の全面に形成されており、かつ、上面が平坦になる。尚、第1透明樹脂層12の印刷によってワイヤ10の折れ、切断などが起きないように、第1透明樹脂層12の厚さをワイヤ10の高さよりも十分大きくなるようにする。その後、第1透明樹脂層12を加熱して硬化させる。
In the present embodiment, an example in which the first
First, as shown in FIG. 12A, the first
次に、絶縁基板2の全面に形成された第1透明樹脂層12の上に、実施の形態1と同様の方法によってレンズ付きの第2透明樹脂層14を形成する。そして、第2透明樹脂層14を硬化した後、パッケージアッセンブリ5を2方向からダイシングすれば、図12Bに示すように、発光装置1が得られる。尚、本実施の形態の方法によって形成された第1透明樹脂層12は、絶縁基板2と略同一面積の直方体状となる。
Next, a second
本実施の形態のように印刷法によって第1透明樹脂層12を形成すれば、実施の形態1のライン塗布に比べて短時間で第1透明樹脂層12を形成することができる。しかしながら、印刷法では、第1透明樹脂層の上面がワイヤ10よりも十分高いところに位置するようにしないとならないため、ライン塗布法に比べて、第1透明樹脂層12の厚さが厚くなり易い。また、図12A及びBに示すように、蛍光体16の分布が絶縁基板2の全面に広がるため、観察方向に依存した色ムラが発生し易くなる。
If the first
実施の形態5.
そこで実施の形態3では、印刷法によって第1透明樹脂層を形成しながら、蛍光体16の広がりを抑制する方法について説明する。
まず、図13Aに示すように、第1透明樹脂層12を印刷する前に、第1透明樹脂層12の印刷範囲を制限するためのマスク30を絶縁基板2上に形成する。マスク30は、例えばレジスト等から成る。またマスク30は、第1透明樹脂の印刷範囲を発光ダイオード8の近傍に制限するように、発光ダイオード8の配列を左右から挟む平行なストライプ状にすることができる。
In the third embodiment, a method for suppressing the spread of the
First, as shown in FIG. 13A, before printing the first
第1透明樹脂層12を硬化した後、マスク30を除去する。そして実施の形態1と同様の方法によって、第2透明樹脂層14を形成する。第2透明樹脂層14を硬化した後、パッケージアッセンブリ5を2方向からダイシングすれば、図13Bに示すように、発光装置1が得られる。
After the first
本実施の形態において形成された第1透明樹脂層12は、図13Bに示すように、略直方体形状をしており、発光装置の長手方向における幅が絶縁基板2よりも短い。すなわち、第1透明樹脂層12の形成範囲は、発光ダイオード8の近傍に制限されている。従って、実施の形態5に比べて、観察方向に依存した色ムラが抑制される。
As shown in FIG. 13B, the first
尚、上記実施の形態では印刷法で第1透明樹脂層12を形成する例について説明したが、スプレーや金型による成形を用いて第1透明樹脂層12を形成することもできる。
In the above embodiment, an example in which the first
以上の実施の形態1〜6の発光装置では、発光ダイオード8として電極側から光を出射するものを用い、発光ダイオード8の電極と絶縁基板2上の電極とをワイヤーボンディングした例について示した。しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、発光ダイオード8を絶縁基板2上にフリップチップボンディングするようにしてもよい。具体的には、発光ダイオード8のp側の電極とn側の電極とがそれぞれ、絶縁基板2上に形成された正負の電極に対向するように発光ダイオードを載置して、対向する電極間をそれぞれ半田等の導電性接着部材で接合することにより実装する。
In the light emitting devices of
尚、フリップチップボンディング用の発光ダイオードは、基本的にはワイヤーボンディング用の発光ダイオードと同様に構成される。例えば、窒化物半導体発光素子の場合では、光透光性の基板の一方の主面上にn型およびp型窒化物半導体層を含む複数の窒化物半導体層を積層して、最上層のp型窒化物半導体層(p型コンタクト層)の上にp側の電極を形成し、p型窒化物半導体層の一部を除去することにより露出させたn型窒化物半導体層上にn側の電極を形成することにより構成し、光透光性基板の他方の主面を主光取り出し面とすればよい。 The light emitting diode for flip chip bonding is basically configured in the same manner as the light emitting diode for wire bonding. For example, in the case of a nitride semiconductor light emitting device, a plurality of nitride semiconductor layers including n-type and p-type nitride semiconductor layers are stacked on one main surface of a light-transmitting substrate, and the uppermost p is formed. Forming a p-side electrode on the n-type nitride semiconductor layer (p-type contact layer) and removing the p-type nitride semiconductor layer to remove a portion of the p-type nitride semiconductor layer; An electrode is formed, and the other main surface of the light-transmitting substrate may be a main light extraction surface.
実施の形態6.
本実施の形態は、上記の実施の形態1〜6により形成したサイドビュー型発光装置1と導光板とを組み合わせたバックライトである。
図14は、透明樹脂層の発光面14bをシリンドリカルレンズに成形した発光装置1と、導光板50とを組み合わせた形態を示している。導光板50の一端52には、発光装置1のレンズ形状に対応した切除部54が形成されている。この切除部54に発光装置1の上面14bをはめ合わせることにより、発光装置1からの光は、導光板50の端部52に導入されて導光板50の全体に広げられる。
The present embodiment is a backlight in which the side-view type
FIG. 14 shows a configuration in which the
図15に示すように、バックライト60に使用する導光板50の厚みは、反射部材17を含めた発光装置1の厚みとほぼ一致させると、発光装置1からの光を全て導光板50に導入できるので好ましい。よって、導光板50の厚みを薄くするには、発光装置1の厚みを薄くし、特に反射部材17を含めた厚みを薄くするのが効果的である。本発明にかかる発光装置1は、反射部材17を発光装置1と一体に形成することにより、反射部材17を含む発光装置1の厚さを薄くすることができるので、導光板50と組み合わせたバックライト60として使用するのに好適である。
As shown in FIG. 15, if the thickness of the
1 発光装置、
2 絶縁基板
4 負電極、
6 正電極、
8 発光ダイオード、
10 ワイヤ
12 第1透明樹脂層、
14 第2透明樹脂層、
16 蛍光体
17 反射部材
18 正のリード電極
20 負のリード電極
40 第1平面
42 第2平面
44 第3平面
45 第4平面
50 導光板
60 バックライト
1 light emitting device,
2 Insulating
6 Positive electrode,
8 Light-emitting diodes,
10
14 second transparent resin layer,
16
Claims (9)
前記基板上に形成された正極及び負極の電極と、
前記正極及び負極に接続された発光ダイオードと、
前記基板の一方の長辺を含む第1の平面と該第1の平面に対面し前記基板の他方の長辺を含む第2の平面とを有し、前記発光ダイオードを覆っている樹脂と、を備えた発光装置であって、
前記樹脂は、前記発光ダイオードを覆い且つ該発光ダイオードの出射光により励起されて発光する蛍光体を含む第1透明樹脂と、該第1透明樹脂を覆う第2透明樹脂とを有しており、
さらに、前記第1の平面と前記第2の平面とには、前記第1透明樹脂と第2透明樹脂とが共に露出しており、
前記第1の平面と前記第2の平面の少なくとも一方に、反射部材が形成されていることを特徴とする発光装置。 A substantially long rectangular substrate having a pair of long sides and a pair of short sides when observed from a light emission observation surface;
A positive electrode and a negative electrode formed on the substrate;
A light emitting diode connected to the positive and negative electrodes;
A first plane including one long side of the substrate and a second plane including the other long side of the substrate facing the first plane and covering the light emitting diode; A light emitting device comprising:
The resin includes a first transparent resin that covers the light emitting diode and includes a phosphor that emits light when excited by light emitted from the light emitting diode, and a second transparent resin that covers the first transparent resin,
Furthermore, both the first transparent resin and the second transparent resin are exposed on the first plane and the second plane,
A light emitting device, wherein a reflective member is formed on at least one of the first plane and the second plane.
前記正極及び前記負極を複数組設けた前記基板上に、前記発光ダイオードを複数設置し、前記各発光ダイオードを前記正極及び前記負極と電気的に接続する実装工程と、
前記複数の発光ダイオードを、前記蛍光体を含有する前記第1透明樹脂で封止する第1樹脂形成工程と、
前記第1透明樹脂を、前記第2透明樹脂で被覆する第2樹脂形成工程と、
前記第1透明樹脂、前記第2透明樹脂及び前記基板を、前記発光ダイオードを少なくとも1つ含む区画毎に切断して前記第1の平面及び前記第2の平面を形成する切断工程と、
前記第1の平面の少なくも一方に反射部材を形成する反射部材形成工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
A method for manufacturing the light emitting device according to claim 1, comprising:
A mounting step of installing a plurality of the light emitting diodes on the substrate on which a plurality of sets of the positive electrodes and the negative electrodes are provided, and electrically connecting each of the light emitting diodes to the positive electrode and the negative electrode;
A first resin forming step of sealing the plurality of light emitting diodes with the first transparent resin containing the phosphor;
A second resin forming step of covering the first transparent resin with the second transparent resin;
A cutting step of cutting the first transparent resin, the second transparent resin, and the substrate into sections each including at least one light emitting diode to form the first plane and the second plane;
And a reflecting member forming step of forming a reflecting member on at least one of the first planes.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005350953A JP4956977B2 (en) | 2005-12-05 | 2005-12-05 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005350953A JP4956977B2 (en) | 2005-12-05 | 2005-12-05 | Light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007158009A true JP2007158009A (en) | 2007-06-21 |
JP4956977B2 JP4956977B2 (en) | 2012-06-20 |
Family
ID=38241977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005350953A Active JP4956977B2 (en) | 2005-12-05 | 2005-12-05 | Light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4956977B2 (en) |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009027129A (en) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Novalite Optronics Corp | Super-thin side-view light emitting diode (led) package, and manufacturing method thereof |
JP2009038315A (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Sharp Corp | Manufacturing method for light emitting device |
JP2010183035A (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device |
WO2010140604A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 先端フォトニクス株式会社 | Submount, optical module provided therewith, and submount manufacturing method |
EP2293354A1 (en) * | 2008-05-30 | 2011-03-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, planar light source, liquid crystal display device and method for manufacturing light emitting device |
JP2011187929A (en) * | 2010-02-09 | 2011-09-22 | Sony Corp | Light emitting device and manufacturing method thereof |
CN102414851A (en) * | 2010-03-11 | 2012-04-11 | 松下电器产业株式会社 | Light emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method for manufacturing light emitting module |
JP2012134355A (en) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device and manufacturing method of the same |
JP2012142430A (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device |
JP2012156162A (en) * | 2011-01-21 | 2012-08-16 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device, manufacturing method of the light emitting device, and lighting device |
JPWO2010095441A1 (en) * | 2009-02-19 | 2012-08-23 | シャープ株式会社 | Light emitting device, surface light source, and display device |
JP2012227290A (en) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Panasonic Corp | Light emitting device, back light unit, liquid crystal display device, and lighting device |
JP2012533904A (en) * | 2009-07-22 | 2012-12-27 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | LED with reduced color change with respect to angle |
US8369375B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
WO2013121800A1 (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode and lighting device including the same |
KR101488454B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-01-30 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode package and method for fabricating the same diode |
WO2016086173A1 (en) * | 2014-11-25 | 2016-06-02 | Quarkstar Llc | Lighting device having a 3d scattering element and optical extractor with convex output surface |
US9698324B2 (en) | 2014-10-24 | 2017-07-04 | Nichia Corporation | Light emitting device, package, and methods of manufacturing the same |
US9752757B2 (en) | 2013-03-07 | 2017-09-05 | Quarkstar Llc | Light-emitting device with light guide for two way illumination |
US9863605B2 (en) | 2011-11-23 | 2018-01-09 | Quarkstar Llc | Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light |
US10181552B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-01-15 | Nichia Corporation | Light emitting device, package, and method for manufacturing these |
WO2020197174A1 (en) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting module and lighting device comprising same |
WO2020197173A1 (en) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting module and lighting apparatus comprising same |
WO2020197172A1 (en) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting module and lighting apparatus having same |
JP2022019555A (en) * | 2020-07-17 | 2022-01-27 | エクセレンス オプトエレクトロニクス インコーポレイテッド | Surface light source type LED device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6207236B2 (en) | 2013-05-28 | 2017-10-04 | 三菱電機株式会社 | Point light source, planar light source device and display device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0325052U (en) * | 1989-07-24 | 1991-03-14 | ||
JPH1153919A (en) * | 1997-08-04 | 1999-02-26 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor planar light source |
JP2000124507A (en) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Citizen Electronics Co Ltd | Surface-mounted light-emitting diode |
JP2002134792A (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of white semiconductor light- emitting device |
JP2002368286A (en) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting diode and method of manufacturing the same |
JP2003110146A (en) * | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting device |
JP2003179271A (en) * | 2000-03-17 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emission device, its manufacturing method, and surface light emission device |
JP2005197423A (en) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led light source |
-
2005
- 2005-12-05 JP JP2005350953A patent/JP4956977B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0325052U (en) * | 1989-07-24 | 1991-03-14 | ||
JPH1153919A (en) * | 1997-08-04 | 1999-02-26 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor planar light source |
JP2000124507A (en) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Citizen Electronics Co Ltd | Surface-mounted light-emitting diode |
JP2003179271A (en) * | 2000-03-17 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emission device, its manufacturing method, and surface light emission device |
JP2002134792A (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of white semiconductor light- emitting device |
JP2002368286A (en) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Citizen Electronics Co Ltd | Light-emitting diode and method of manufacturing the same |
JP2003110146A (en) * | 2001-07-26 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Works Ltd | Light-emitting device |
JP2005197423A (en) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Led light source |
Cited By (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009027129A (en) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Novalite Optronics Corp | Super-thin side-view light emitting diode (led) package, and manufacturing method thereof |
JP2009038315A (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Sharp Corp | Manufacturing method for light emitting device |
EP2293354A1 (en) * | 2008-05-30 | 2011-03-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, planar light source, liquid crystal display device and method for manufacturing light emitting device |
JP2014064021A (en) * | 2008-05-30 | 2014-04-10 | Sharp Corp | Light-emitting device, surface light source and liquid crystal display device |
JP5512515B2 (en) * | 2008-05-30 | 2014-06-04 | シャープ株式会社 | Light emitting device, surface light source, and liquid crystal display device |
EP2293354A4 (en) * | 2008-05-30 | 2015-01-14 | Sharp Kk | Light emitting device, planar light source, liquid crystal display device and method for manufacturing light emitting device |
JP2010183035A (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Light-emitting device |
JPWO2010095441A1 (en) * | 2009-02-19 | 2012-08-23 | シャープ株式会社 | Light emitting device, surface light source, and display device |
US8369375B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device |
WO2010140604A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 先端フォトニクス株式会社 | Submount, optical module provided therewith, and submount manufacturing method |
US9240527B2 (en) | 2009-06-05 | 2016-01-19 | Advanced Photonics, Inc. | Submount, optical module provided with submount, and submount manufacturing method |
US8803171B2 (en) | 2009-07-22 | 2014-08-12 | Koninklijke Philips N.V. | Reduced color over angle variation LEDs |
JP2012533904A (en) * | 2009-07-22 | 2012-12-27 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | LED with reduced color change with respect to angle |
JP2011187929A (en) * | 2010-02-09 | 2011-09-22 | Sony Corp | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US9261246B2 (en) | 2010-03-11 | 2016-02-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method of manufacturing light-emitting module |
CN102414851A (en) * | 2010-03-11 | 2012-04-11 | 松下电器产业株式会社 | Light emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method for manufacturing light emitting module |
EP2546899A4 (en) * | 2010-03-11 | 2013-12-25 | Panasonic Corp | Light emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method for manufacturing light emitting module |
EP2546899A1 (en) * | 2010-03-11 | 2013-01-16 | Panasonic Corporation | Light emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method for manufacturing light emitting module |
JP2012134355A (en) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device and manufacturing method of the same |
JP2012142430A (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device |
JP2012156162A (en) * | 2011-01-21 | 2012-08-16 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device, manufacturing method of the light emitting device, and lighting device |
JP2012227290A (en) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Panasonic Corp | Light emitting device, back light unit, liquid crystal display device, and lighting device |
US10408428B2 (en) | 2011-11-23 | 2019-09-10 | Quarkstar Llc | Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light |
US9863605B2 (en) | 2011-11-23 | 2018-01-09 | Quarkstar Llc | Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light |
US10451250B2 (en) | 2011-11-23 | 2019-10-22 | Quickstar LLC | Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light |
US11009193B2 (en) | 2011-11-23 | 2021-05-18 | Quarkstar Llc | Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light |
US11353167B2 (en) | 2011-11-23 | 2022-06-07 | Quarkstar Llc | Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light |
CN104137281A (en) * | 2012-02-16 | 2014-11-05 | 西铁城电子株式会社 | Light-emitting diode and lighting device including the same |
EP2815437A4 (en) * | 2012-02-16 | 2015-11-04 | Citizen Electronics | Light-emitting diode and lighting device including the same |
US9024518B2 (en) | 2012-02-16 | 2015-05-05 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode and lighting device including the same |
JP2015510680A (en) * | 2012-02-16 | 2015-04-09 | シチズン電子株式会社 | Light emitting diode and lighting device having light emitting diode |
WO2013121800A1 (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode and lighting device including the same |
US9752757B2 (en) | 2013-03-07 | 2017-09-05 | Quarkstar Llc | Light-emitting device with light guide for two way illumination |
US10429034B2 (en) | 2013-03-07 | 2019-10-01 | Quarkstar Llc | Light-emitting device with light guide for two way illumination |
KR101488454B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-01-30 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode package and method for fabricating the same diode |
US9847466B2 (en) | 2014-10-24 | 2017-12-19 | Nichia Corporation | Light emitting device, package, and methods of manufacturing the same |
US9698324B2 (en) | 2014-10-24 | 2017-07-04 | Nichia Corporation | Light emitting device, package, and methods of manufacturing the same |
EP3224529A1 (en) * | 2014-11-25 | 2017-10-04 | Quarkstar LLC | Lighting device having a 3d scattering element and optical extractor with convex output surface |
CN107110478A (en) * | 2014-11-25 | 2017-08-29 | 夸克星有限责任公司 | The lighting device of optical extractor with 3D dispersing elements and with convex output surface |
US10546983B2 (en) | 2014-11-25 | 2020-01-28 | Quarkstar Llc | Lighting device having a 3D scattering element and optical extractor with convex output surface |
CN107110478B (en) * | 2014-11-25 | 2020-04-07 | 夸克星有限责任公司 | Illumination device with 3D scattering element and optical extractor with convex output surface |
WO2016086173A1 (en) * | 2014-11-25 | 2016-06-02 | Quarkstar Llc | Lighting device having a 3d scattering element and optical extractor with convex output surface |
US10804449B2 (en) | 2015-04-28 | 2020-10-13 | Nichia Corporation | Method for manufacturing package, and method for manufacturing light emitting device |
US10181552B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-01-15 | Nichia Corporation | Light emitting device, package, and method for manufacturing these |
WO2020197172A1 (en) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting module and lighting apparatus having same |
WO2020197173A1 (en) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting module and lighting apparatus comprising same |
WO2020197174A1 (en) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 엘지이노텍 주식회사 | Lighting module and lighting device comprising same |
US11428372B2 (en) | 2019-03-22 | 2022-08-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting module and lighting device comprising same |
US11543579B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-01-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting module and lighting device comprising same |
US11614208B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-03-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting module and lighting device comprising same |
US11828969B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-11-28 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting module and lighting device comprising same |
US11946607B2 (en) | 2019-03-22 | 2024-04-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Lighting module and lighting device comprising same |
JP2022019555A (en) * | 2020-07-17 | 2022-01-27 | エクセレンス オプトエレクトロニクス インコーポレイテッド | Surface light source type LED device |
JP7341186B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-09-08 | エクセレンス オプトエレクトロニクス インコーポレイテッド | Surface light source type LED device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4956977B2 (en) | 2012-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4956977B2 (en) | Light emitting device | |
US10230029B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
US20210140607A1 (en) | Light-emitting device and integrated light-emitting device | |
KR100983428B1 (en) | Light-emitting device | |
US10461065B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
JP5123466B2 (en) | Light emitting device | |
JP4953578B2 (en) | Light emitting device | |
KR101204115B1 (en) | Light emitting device with light distribution characteristic controlling lens | |
US10825968B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting device | |
JP6205897B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
CN108231974B (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
JP6566016B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
JP6947966B2 (en) | Light emitting device | |
US10873008B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing same | |
JP6512201B2 (en) | Method of manufacturing linear light emitting device and linear light emitting device | |
US20190006568A1 (en) | Light emitting device | |
EP3093893A1 (en) | Method for manufacturing light distribution members, method for manufacturing light emitting device, light distribution member, and light emitting devices | |
JP6460189B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP6326830B2 (en) | Light emitting device and lighting device including the same | |
US11264549B2 (en) | Method for producing light emitting device, and light emitting device | |
US11688838B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
JP5205773B2 (en) | Light emitting device | |
JP5447407B2 (en) | Light emitting device | |
JP2022156442A (en) | light emitting device | |
JP5309749B2 (en) | Light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070817 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120305 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150330 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4956977 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150330 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |