JP2007157434A - 導体形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 少なくとも導電性粉末と樹脂を含む導電性ペーストを用いる導体形成方法において、第1加熱温度で加熱して導電性ペーストを少なくとも半硬化させてから、樹脂のガラス転移点以上でありかつ第1加熱温度より低い第2加熱温度で加熱することを特徴とする。
【選択図】図3
Description
第1加熱温度で加熱して前記導電性ペーストを少なくとも半硬化させてから、前記樹脂のガラス転移点以上でありかつ前記第1加熱温度より低い第2加熱温度で加熱することを特徴とする。
<導電性粉末>
粉末粒子同士が接触しやすく、導電性の点で有利なことから、平均粒径0.1〜20μm程度のフレーク状粉末が好ましい。
<樹脂>
<その他の成分>
<導体形成方法>
本発明に係る導体形成方法においては、まず、上述のようにして調整した導電性ペーストを基体に塗布する。そして、少なくとも導電性ペーストを半硬化させるために第1加熱温度で加熱する第1加熱処理を行ってから、樹脂のガラス転移点以上でありかつ第1加熱温度より低い第2加熱温度で加熱する第2加熱処理を行って導体を形成することを特徴とする。
<導体の用途>
なお、上述の用途は例示であり、本実施形態に係る導電性ペーストは、係る用途に限定されるものではなく、導電性や接着性が要求される様々な用途に使用可能である。
得られた結果を図2に示す。
図2において、×は熱硬化性銀ペーストが未硬化であることを示し、○は硬化完了、△はその中間を示す。詳細には、加熱処理後の塗布膜に対してメチルエチルケトン(MEK)の溶媒を用いラビングテスト(往復50回)を行った後、塗布膜外観を目視で評価し、塗膜に異常がない場合は塗布膜が少なくとも半硬化されているので硬化完了として○、塗膜が溶解した場合は未硬化であるとして×、一部溶解した場合は硬化完了と未硬化との中間であるとして△、で示している。
図2に示されるように、加熱処理温度が高い程、短時間でも高い導電性が得られ、例えば、225℃で加熱を行った場合には60分の加熱でも低い抵抗値が得られるが、125〜150℃という比較的低い温度で加熱処理を行った場合には120分以上の加熱によっても十分な導電性が得られていない。しかしながら、225℃で加熱を行った場合には、基体等に熱的ストレスを与えることになる。
図3に示されるように、125℃という比較的低い温度で第2加熱処理を行った場合でも、十分に比抵抗を下げることができる。比抵抗は第2加熱処理を開始してからしばらくの間は急激に低下するが、その低下率はやがて鈍化する。そこで本発明においては、第2加熱処理は、少なくとも第2加熱処理の開始から比抵抗の低下率が鈍化するまでの間、行うことが望ましい。なお、本発明において、「第2加熱処理の開始から比抵抗の低下率が鈍化するまでの間」とは、第2加熱処理を開始してから、図3に示すように、鈍化前の比抵抗の低下率を示す接線と、鈍化後の比抵抗の低下率を示す接線とが交差するまでの時間(図中矢印)を示すものとする。
比抵抗の低下率が鈍化した以降も、加熱により比抵抗は低下するため、第2加熱処理を継続して行っても良い。しかしながら、生産効率の観点からは、比抵抗の低下率が鈍化した以降は所定の時間(例えば100時間)が経過した後に第2加熱処理を終了すると良い。
図4に示すように、熱硬化性樹脂のガラス転移点よりも低い温度であっても、加熱処理を行うことにより、抵抗値は徐々に低下する傾向が見られ、この比較例においては、500時間の加熱処理により抵抗値は約20μΩ・cm低くなった。更に、長時間の加熱処理を行うことにより、比抵抗が下がる可能性はあるが、加熱時間に対する比抵抗値の低下が十分でなく、生産効率上の観点からは望ましくない。
Claims (5)
- 少なくとも導電性粉末と樹脂を含む導電性ペーストを用いる導体形成方法において、
第1加熱温度で加熱して前記導電性ペーストを少なくとも半硬化させてから、前記樹脂のガラス転移点以上でありかつ前記第1加熱温度より低い第2加熱温度で加熱することを特徴とする導体形成方法。 - 前記樹脂は、熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の導体形成方法。
- 前記熱硬化性樹脂は、シリコーン変性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項2に記載の導体形成方法。
- 前記第2加熱温度による加熱は、加熱による導体の抵抗の低下率が鈍化するまでは継続されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の導体形成方法。
- 前記導電性粉末は、銀を主成分とする銀系粉末であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の導体形成方法。
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