JP2007156567A - 情報処理装置、およびメモリ制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】メモリでの消費電力を抑制すること。
【解決手段】メモリ114と、前記メモリの仕様を格納するSPD115と、第1の周波数および前記格納部に格納された前記メモリの仕様に基づいて求められる第1のタイミングパラメータより前記メモリへのアクセススピードが遅くなる第2のタイミングパラメータを求める手段と、前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行うコントローラ105とを具備する。
【選択図】 図2
【解決手段】メモリ114と、前記メモリの仕様を格納するSPD115と、第1の周波数および前記格納部に格納された前記メモリの仕様に基づいて求められる第1のタイミングパラメータより前記メモリへのアクセススピードが遅くなる第2のタイミングパラメータを求める手段と、前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行うコントローラ105とを具備する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、メモリのアクセスタイミングを制御して消費電力の低下を図った情報処理装置、およびメモリ制御方法
に関する。
に関する。
近年、ラップトップタイプまたはノートブックタイプの種々の携帯型パーソナルコンピュータが開発されている。この種のコンピュータは、バッテリで駆動される。コンピュータの駆動時間を延ばすために様々な工夫が行われている。
駆動時間を延ばすためにメモリでの消費電力を抑制する技術が開示されている(特許文献1、特許文献2、特許文献3)。
特願平8−106339号公報
特願平10−188567号公報
特願平10−209284号公報
上述した特許文献では、メモリでの消費電力を抑制するために、メモリのコアクロックを通常より低くしている。しかし、メモリのコアクロックを下げても、アクセススピードに関係するタイミングパラメータは、下げたコアクロックを元に最適化されるため、コアクロックが下がってもアクセススピードは大きく下がって居らず、消費電力の抑制効果が低かった。
本発明の目的は、メモリでの消費電力を抑制し得る情報処理装置およびメモリ制御方法 を提供することにある。
本発明の一例に係わる情報処理装置は、メモリと、前記メモリの仕様を格納する格納部と、第1の周波数および前記格納部に格納された前記メモリの仕様に基づいて求められる第1のタイミングパラメータより前記メモリへのアクセススピードが遅くなる第2のタイミングパラメータを求める手段と、前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行うコントローラとを具備することを特徴とする。
メモリでの消費電力を抑制することができる。
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る情報処理装置としてのノートブック型のパーソナルコンピュータの構成の一例を示す図である。
パーソナルコンピュータ10は、コンピュータ本体12と、ディスプレイユニット14とから構成されている。ディスプレイユニット14には、表示部であるLCD(Liquid Crystal Display)16が組み込まれている。
ディスプレイユニット14は、コンピュータ本体12の上面を覆う開放位置とコンピュータ本体12の上面が露出する閉塞位置との間を回動自在に変化するように、コンピュータ本体12の奥手側の端部に設けられたヒンジ(支持部)18に取り付けられている。
コンピュータ本体12は薄い箱形の筐体を有しており、その筐体上面中央部には、キーボード20が設けられる。コンピュータ本体12の手前側の筐体部分上面にはパームレストが形成されている。パームレストのほぼ中央部には、操作手段としてのタッチパッド22、およびタッチパッドコントロールボタン26が設けられる。コンピュータ本体12の奥側の筐体部分上面には、コンピュータ本体12の電源をオン/オフするためのパワーボタン28が配置されている。
次に、図2を参照して、本コンピュータのシステム構成の一例について説明する。
本コンピュータは、図2に示されているように、CPU102、ノースブリッジ104、メモリモジュール113、グラフィクスコントローラ108、サウスブリッジ106、BIOS−ROM120、ハードディスクドライブ(HDD)126、エンベデッドコントローラ/キーボードコントローラIC(EC/KBC)124、およびパワーサプライ125等を備えている。
CPU102は本コンピュータの動作を制御するために設けられたプロセッサであり、ハードディスクドライブ(HDD)126からメモリモジュール113に実装されたメインメモリ114にロードされる、オペレーティングシステム(OS)および各種アプリケーションプログラムを実行する。
また、CPU102は、BIOS−ROM120に格納されたシステムBIOS(Basic Input Output System)をメインメモリ114にロードした後、実行する。システムBIOSはハードウェア制御のためのプログラムである。システムBIOSは、メモリモジュール113上に実装されたSPD(Serial Presence Detect)115に格納されたメモリ114のスペック情報に応じて、メモリのコアクロック、タイミングパラメータを求め、メモリコントローラ105の設定を行う。
ノースブリッジ104はCPU102のローカルバスとサウスブリッジ106との間を接続するブリッジデバイスである。ノースブリッジ104には、メインメモリ114をアクセス制御するメモリコントローラ105を内蔵している。また、ノースブリッジ104は、AGP(Accelerated Graphics Port)バスなどを介してグラフィクスコントローラ108との通信を実行する機能も有している。
グラフィクスコントローラ108は本コンピュータのディスプレイモニタとして使用されるLCD16を制御する表示コントローラである。このグラフィクスコントローラ108はビデオメモリ(VRAM)を有しており、OS/アプリケーションプログラムによってビデオメモリに描画された表示データから、LCD16に表示すべき表示イメージを形成する映像信号を生成する。グラフィクスコントローラ108によって生成された映像信号はラインに出力される。
サウスブリッジ106は、PCI(Peripheral Component Interconnect)バスおよびLPC(Low Pin Count)バスにそれぞれ接続されている。また、サウスブリッジ106には、リアルタイムクロック(RTC)が内蔵されている。リアルタイムクロック(RTC)121は日時を計時する時計モジュールであり、本コンピュータ10がパワーオフされている期間中も、リアルタイムクロック(RTC)121専用の電池によって動作する。また、リアルタイムクロック121には、低速モードフラグ122が設けられている。低速モードフラグ122がイネーブルであると、メモリ114のアクセスタイミングが通常の速度より遅くなり、コンピュータ10全体の消費電力を抑制する。
エンベデッドコントローラ/キーボードコントローラIC124は、入力手段としてのタッチパッド22、およびタッチパッドコントロールボタン26のコントロールを行う。エンベデッドコントローラ/キーボードコントローラIC124は、コンピュータ10のシステム状態に関わらず、各種のデバイス(周辺装置やセンサ、電源回路等)を監視し制御するワンチップ・マイコンである。
次に、本コンピュータ10に搭載されたメインメモリ省電力機構について説明する。本コンピュータ10は、メモリ114がサポートしているアクセススピードの最高速と最低速で動作する2つのモードを有する。低速モードフラグ122がイネーブルの場合に、低層モードでメモリにアクセスする。アクセススピードが最低速の低速モードでは、メモリ114のコアクロックだけではなく、アクセススピードに関係するタイミングパラメータ(tCL、tRAS、tRCD、tRP、tWR)もメモリ114およびメモリコントローラ105がサポートしている最低に設定して動作させ、メモリ114の消費電力を低減させる。
図3に低速モードフラグ122を設定するためのアプリケーションが表示するウィンドウについて説明する。低速モードフラグ122を設定するためのアプリケーションはオペレーティングシステム上で動作する。図3に示すように、チェックボックス200にチェックマークを付けることで低速モードフラグ122がイネーブルになり、チェックボックス200にチェックマークを外すことで低速モードフラグ122がディスイネーブルになる。
次ぎに、図4を参照してメモリのアクセスタイミングに関係するタイミングパラメータを設定する手順を説明する。
電源を投入すると、CPU111は、フラッシュBIOS−ROM118に格納されたシステムBIOSを実行する(ステップS11)。システムBIOSは、メモリ初期化処理をスタートする。
システムBIOSは、SPD115からtCL(CAS latency)、tRAS(Raw active time)、tRCD(RAS to CAS delay time)、tRP(Row precharge time)等の情報を取得する(ステップS12)。例えば、システムBIOSがSPD115から取得した情報を図5に示す。図5において、tCLはクロック数で表され、tRAS、tRCD、tRP、およびtWRは時間の単位で表されている。
システムBIOSは、取得した情報から高速モードのタイミングパラメータを導出する(ステップS13)。tCLとして2を選択する。なお、メモリがDDR266規格の場合、メモリは通常133MHzで動作するので、1クロックは7.5nsである。
また、SPD115から取得されたtRASは45nsであるので、RASは45ns/7.5ns=6クロックとなる。また、SPD115から取得されたtRCDは15nsなので、RCDは15/7.5ns=2クロックとなる。SPD115から取得されたtRPは20nsなので、RPは3クロック(20ns/7.5ns=2.66…)。SPD115から取得されたtWRは15nsなので、WRは2クロック(15ns/7.5ns=2)。
次いで、システムBIOSは、低速モードのタイミングパラメータを求める(ステップS14)。ここで求められるタイミングパラメータは、メモリ114およびメモリコントローラ105がサポートする最低の値を用いる。例えば、tCLは2.5クロック。RASは7クロック、RCDは3クロック、RPは4クロック、WRは4クロックで有る。
システムBIOSは、低速モードフラグ122がイネーブルであるか否かを判定する(ステップS15)。低速モードフラグ122がイネーブルの場合(ステップS15のYes)、システムBIOSは、メモリのコアクロックを100MHzにすると共に、ステップS14で求められた低速パラメータを用いてメモリコントローラ105を初期化し、メモリ初期化を終了する(ステップS16)。低速モードフラグ122がディスイネーブルの場合(ステップS15のNo)、システムBIOSは、メモリ114のコアクロックを133MHzにすると共に、ステップS13で求められたタイミングパラメータを用いてメモリコントローラ105を初期化し、メモリ初期化を終了する(ステップS17)。
メモリ初期化終了後、幾つかの処理をおこなった後、システムBIOSは、オペレーティングシステム(OS)をブートする(ステップS18)。
上述したように、低速モードでは、高速モードよりメモリ114へのアクセススピードが遅くなるように、アクセススピードに関係するタイミングパラメータを設定することで、メモリ114のアクセス間隔が広がり、メモリメモリの消費電力の低減に効果がある。
なお、低速モードでは、メモリへのアクセススピードが最低速となるようにタイミングパラメータを求めたが、高速モードよりアクセススピードが遅くなるのであれば、メモリへのアクセススピードが最低速になる必要はない。
又、高速モードでは、メモリへのアクセススピードが必ずしも最高速となら無くても良い。
なお、本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
10…パーソナルコンピュータ,12…コンピュータ本体,14…ディスプレイユニット,16…LCD,18…ヒンジ,20…キーボード,22…タッチパッド,26…タッチパッドコントロールボタン,28…パワーボタン,102…CPU,104…ノースブリッジ,105…メモリコントローラ,106…サウスブリッジ,108…グラフィクスコントローラ,111…CPU,113…メモリモジュール,114…メインメモリ,115…SPD,118…ROM,120…ROM,121…リアルタイムクロック,122…低速モードフラグ,124…キーボードコントローラIC,125…パワーサプライ,126…ハードディスクドライブ
Claims (14)
- メモリと、
前記メモリの仕様を格納する格納部と、
第1の周波数および前記格納部に格納された前記メモリの仕様に基づいて求められる第1のタイミングパラメータより前記メモリへのアクセススピードが遅くなる第2のタイミングパラメータを求める手段と、
前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行うコントローラと
を具備することを特徴とする情報処理装置。 - 前記コントローラは、前記メモリのコアクロックを前記第1の周波数より低い第2の周波数にすることを特徴とする請求項1記載の情報処理装置。
- 前記第2のタイミングパラメータは、前記メモリおよび前記コントローラがサポートする最低の設定であることを特徴とする請求項1記載の情報処理装置。
- 前記格納部に格納された前記メモリの仕様は、tCL(CAS latency)、tRAS(Raw active time)、tRCD(RAS to CAS delay time)、tRP(Row precharge time)、およびtWR(Write recovery time)を含むことを特徴とする請求項1記載の情報処理装置。
- 前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行うか否かを設定する手段と、
前記第1のタイミングパラメータを求める手段とを更に具備し、
前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行わない設定の場合、前記コントローラは前記第1のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行うことを特徴とする請求項1記載の情報処理装置。 - 前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行わない設定の場合、前記コントローラは、前記メモリのコアクロックを前記第1の周波数にすることを特徴とする請求項5記載の情報処理装置。
- 前記第1のタイミングパラメータを求める手段は、前記メモリへのアクセススピードが前記メモリの仕様の範囲内で最大となるように前記第1のタイミングパラメータを求めることを特徴とする請求項5記載の情報処理装置。
- メモリと、前記メモリの仕様を格納する格納部と、前記メモリのアクセス制御を行うコントローラとを具備する情報処理装置のメモリ制御方法であって、
前記格納部に格納された前記メモリの仕様に基づいて求められる第1のタイミングパラメータより前記メモリへのアクセスタイミングが遅くなる第2のタイミングパラメータを求めるステップと、
前記メモリのアクセス制御を行うパラメータとして前記第2のタイミングパラメータを前記コントローラに設定するステップと
を具備することを特徴とするメモリ制御方法。 - 前記メモリのコアクロックを前記第1の周波数より低い第2の周波数にするステップを更に具備することを特徴とする請求項8記載のメモリ制御方法。
- 前記第2のタイミングパラメータは、前記メモリおよび前記コントローラがサポートする最低の設定であることを特徴とする請求項8記載のメモリ制御方法。
- 前記格納部に格納された前記メモリの仕様は、tCL(CAS latency)、tRAS(Raw active time)、tRCD(RAS to CAS delay time)、tRP(Row precharge time)、およびtWR(Write recovery time)を含むことを特徴とする請求項8記載のメモリ制御方法。
- 前記情報処理装置は、前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行うか否かを設定するステップと、
前記第1のタイミングパラメータを求めるステップと
前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行う設定になっているか否かを判定するステップと、
前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行わない設定の場合、前記メモリのアクセス制御を行うパラメータとして前記第1のタイミングパラメータを前記コントローラに設定するステップとを更に具備することを特徴とする請求項8記載のメモリ制御方法。 - 前記第2のタイミングパラメータに基づいて前記メモリのアクセス制御を行わない設定の場合、前記コントローラは、前記メモリのコアクロックを前記第1の周波数にするステップを更に具備することを特徴とする請求項12記載のメモリ制御方法。
- 前記第1のタイミングパラメータを求めるステップでは、前記メモリへのアクセススピードが前記メモリの仕様の範囲内で最大となるように前記第1のタイミングパラメータを求めることを特徴とする請求項12記載のメモリ制御方法。
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