JP2007144362A - Method for manufacturing die head - Google Patents

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Yuki Watanabe
祐樹 渡邉
Nobuyuki Matsunaga
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a die head capable of solving the problem that a lip is mounted on an outside side face part and causes bleeding in a die coating method. <P>SOLUTION: The method for manufacturing a die head, which comprises an upstream side lip having an outside side face part, a slit side face part, and a tip end part; a downstream side lip having an outside side face part, a slit side face part, and a tip end part; and a slit part positioned between the upstream side lip and the downstream side lip, involves forming a water-repelling film on at least a portion of the outside side face parts except the slit side face parts and the tip end parts of the die head by plasm CVD method using a rare gas and raw material gases containing the water-repelling material. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、主に光学部材やエレクトロニクス分野等の精密な要求品質を必要とする分野における、ダイコーティングのダイヘッドおよびその製造方法に関する。更に詳しく言えば、連続的に搬送される長尺状の支持体に対して連続的に加工を行うエクストルージョン型ダイコーティングにおいて、発生する様々な塗布欠陥を起こさないダイヘッドおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a die head for die coating and a method for manufacturing the same, mainly in fields requiring precise required quality such as optical members and electronics. More specifically, the present invention relates to a die head that does not cause various coating defects that occur in an extrusion die coating that continuously processes a long support that is continuously conveyed, and a method for manufacturing the same.

連続的に搬送される長尺状支持体上に、所望の膜厚に塗布液を塗布する方法の一つとして、エクストルージョン型ダイコーティング方式は、均一で高速に薄膜コーティングが可能である事から、種々の分野の精密塗布方式として広く利用されている。特に近年の光学部材やエレクトロニクス分野での高精度大量生産の要求に伴い、その特性により注目されているコーティング方式である。   As one of the methods of applying a coating solution to a desired film thickness on a continuous substrate that is continuously transported, the extrusion die coating method enables uniform and high-speed thin film coating. It is widely used as a precision coating method in various fields. In particular, it is a coating method that is attracting attention due to its characteristics in accordance with the recent demand for high-precision mass production in the optical member and electronics fields.

一般的にダイコーティング方式は図1に示すように、塗布液を吐出するダイヘッド1、そのダイヘッド1と連続的に搬送される長尺状支持体2とのクリアランスギャップを均一に保持しながら一定速で搬送するコーティングロール3から構成され、均一な塗布膜4を形成する事が出来る。塗布液は、図示していない塗布液を供給するポンプシステムより押し出された塗布液を幅方向に広がらせる為のマニホールド5、そのマニホールド5から塗布液が押し出されるスリット部6、塗布液を吐出するリップ部を通り、塗布ビードと呼ばれる液だまり12を形成し、均一に支持体上に塗りつけられる。   In general, as shown in FIG. 1, the die coating method is performed at a constant speed while maintaining a uniform clearance gap between the die head 1 that discharges the coating liquid and the long support 2 that is continuously conveyed. A uniform coating film 4 can be formed. The coating liquid is a manifold 5 for spreading the coating liquid pushed out from a pump system that supplies the coating liquid (not shown) in the width direction, a slit portion 6 from which the coating liquid is pushed out, and discharging the coating liquid. A liquid puddle 12 called an application bead is formed through the lip portion and uniformly applied onto the support.

ダイコーティングにおいては、塗布ビードの安定化が最も重要であり、その安定化対策の為に、図2に示すような減圧チャンバー20をダイヘッドの支持体流れ方向に対して上流側に設置し、支持体走行速度が上がっても上流側を減圧する事により、塗布ビードの崩れを防止する方法も行われる。   In die coating, stabilization of the coating bead is the most important. For this stabilization measure, a decompression chamber 20 as shown in FIG. 2 is installed on the upstream side with respect to the flow direction of the support of the die head. Even if the body running speed is increased, a method for preventing the coating bead from collapsing by reducing the pressure on the upstream side is also performed.

また、ダイコーティング方式には図3に示すように、塗布液を吐出するダイヘッド1が、2本のロール15、16の間に配置され、支持体後方にロールの無いフローティング部分に塗布を行う方法も行われる。この方式を使う事により、ダイヘッドと支持体のクリアランスギャップはおよそコーティング膜厚まで近づける事が出来、高速薄膜塗工が可能になる効果が得られる。   In the die coating method, as shown in FIG. 3, the die head 1 that discharges the coating liquid is disposed between the two rolls 15 and 16, and the coating is performed on the floating portion that does not have a roll behind the support. Is also done. By using this method, the clearance gap between the die head and the support can be brought close to the coating film thickness, and the effect of enabling high-speed thin film coating can be obtained.

上記の各種ダイコーティング方式においては、ダイヘッドリップ部より吐出された塗布液はリップ先端の支持体に平行する面のみに接液する構成となっているが、連続生産を続けているうちに、図1に示すような下流側リップの外側側面部への乗り上げ、および上流側リップの外側側面部への染み出しが発生することがしばしばあった。下流側リップの外側側面部への乗り上げが発生すると、乗り上げて溜まった塗布液が不定期に塗膜面に戻る事によって点状の欠陥を生じたり、点状の乗り上げが大きく成長して継続的に塗布スジを発生する等、連続生産における収率の低下をもたらす重大な問題を生じていた。また、上流側リップの外側側面部への染み出しが発生しても同様の現象が起き、問題を生じさせていた。   In the various die coating methods described above, the coating liquid discharged from the die head lip is configured to come into contact with only the surface parallel to the support at the tip of the lip. In many cases, the downstream lip climbs onto the outer side surface as shown in FIG. 1 and oozes out to the outer side surface of the upstream lip. If the downstream side lip climbs to the outer side surface, the coating liquid that accumulates on the surface will return to the coating surface irregularly, resulting in point defects, or the point-like climbing will grow greatly and continue. As a result, there were serious problems that caused a decrease in yield in continuous production. Moreover, even if the outer side surface portion of the upstream lip oozes out, the same phenomenon occurs, causing a problem.

これに対して、ダイヘッドと支持体とのクリアランスギャップを適切に調整することや、減圧チャンバーのある方式の場合では(例えば、特許文献1参照)、減圧度を最適に調整すること等のオペレーション条件の変更により、乗り上げや染み出しが発生しない条件を見つけ出す対応が取られることが多いが、完全に発生させない条件を見つけ出せない塗布液の特性の場合もあり、大きな塗布液処方の変更を余儀なくされる事もあった。また、支持体とダイヘッドの角度を微妙に変化させることによって、発生させない条件を見つけ出す操作もなされるが、ダイヘッドの角度を調整することは装置精度を著しく悪化させる場合が多く、また別のトラブルを招く事もあった。   On the other hand, operation conditions such as appropriately adjusting the clearance gap between the die head and the support, or in the case of a system having a decompression chamber (see, for example, Patent Document 1), optimally adjusting the degree of decompression. In many cases, it is possible to find a condition that does not cause a run-up or seepage, but there are also cases where the characteristics of the coating liquid cannot find a condition that does not completely occur, which necessitates a major change in the coating liquid formulation. There was also a thing. In addition, by slightly changing the angle between the support and the die head, an operation to find out the conditions that do not occur is also performed, but adjusting the angle of the die head often significantly deteriorates the accuracy of the device, and causes another trouble. I was invited.

また、ダイヘッドの上下流側リップの外側側面部に撥水処理剤を塗布する事により、塗布液を上流側リップの外側側面部や下流側リップの外側側面部に流れ出させない対応が取られる事もあるが、撥水処理剤とダイヘッドの密着性および撥水処理剤の耐久性が悪い為に、拭き取り操作や、連続塗布による経時により、部分的に撥水効果の弱い部分が発生してしまい、逆に塗布スジを起こしてしまう事もあった。   In addition, by applying a water repellent treatment to the outer side surface of the upstream / downstream lip of the die head, it is possible to prevent the coating liquid from flowing out to the outer side surface of the upstream lip or the outer side surface of the downstream lip. However, due to poor adhesion between the water-repellent treatment agent and the die head and the durability of the water-repellent treatment agent, a portion with a weak water-repellent effect occurs partially due to the wiping operation and the lapse of time due to continuous application, On the contrary, there was a case where a coating streak was caused.

また、ダイヘッドの上下流側リップの外側側面部分にフッ素樹脂等の粒子を含有したメッキを施すことにより、撥水効果を持たせる対応も行われるが、メッキ膜面の平面精度やエッジ部分を精密に加工する事が機械的に難しく、塗布スジを発生させる原因となる事が多かった。   In addition, by applying plating containing particles such as fluororesin to the outer side surfaces of the upstream and downstream lips of the die head, it is possible to provide a water repellent effect, but the flatness of the plating film surface and the edge portion are precise. It was mechanically difficult to process and often caused coating streaks.

以下に先行技術文献を示す。
特開2003-53233
Prior art documents are shown below.
JP 2003-53233 A

本発明は上記したような、ダイコーティング方式における、リップの外側側面部への乗り上げ、染み出しの問題を解決することが可能な、ダイヘッドの製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a die head capable of solving the problems of riding on the outer side surface portion of the lip and seepage in the die coating method as described above.

本発明の上記目的は以下の手段により達成される。   The above object of the present invention is achieved by the following means.

請求項1の発明は、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する下流側リップ、および上流側リップおよび下流側リップの間に位置するスリット部を有するダイヘッドのスリット側側面部および先端部を除いた外側側面部の少なくとも一部に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを用いたプラズマCVD法により撥水性膜を設けることを特徴とするダイヘッドの製造方法である。   The invention according to claim 1 includes an upstream lip having an outer side surface portion, a slit side surface portion and a tip portion, an outer side surface portion, a downstream lip having a slit side surface portion and a tip portion, and an upstream lip and a downstream lip. A water repellent film is provided by a plasma CVD method using a source gas containing a dilution gas and a water repellent material on at least a part of the outer side surface portion excluding the slit side surface portion and the tip portion of the die head having a slit portion positioned therebetween. This is a method of manufacturing a die head.

請求項2の発明は、前記プラズマCVD法が圧力15〜150kPaの範囲内で行うことを特徴とする請求項1記載のダイヘッドの製造方法である。   The invention according to claim 2 is the method of manufacturing a die head according to claim 1, wherein the plasma CVD method is performed within a pressure range of 15 to 150 kPa.

請求項3の発明は、前記撥水材料がフッ素含有有機珪素化合物を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のダイヘッドの製造方法である。   The invention according to claim 3 is the method of manufacturing a die head according to claim 1 or 2, wherein the water repellent material contains a fluorine-containing organic silicon compound.

請求項4の発明は、前記希釈ガスが、ヘリウム、アルゴン、窒素から選ばれる単独あるいは混合したガスでありかつ全体における希釈ガスの割合が90%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。   The invention according to claim 4 is characterized in that the dilution gas is a gas selected from helium, argon, or nitrogen alone or mixed, and the ratio of the dilution gas in the whole is 90% or more. A method for producing a die head according to any one of the above.

請求項5の発明は、前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部に対向して配置されかつ電源に接続されている対向電極を有し、前記プラズマCVD法が、上流側リップおよび下流側リップと対向電極との間に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを供給し電極に印加することにより行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。   According to a fifth aspect of the present invention, the plasma CVD method includes: an upstream lip and a downstream side; and a counter electrode disposed opposite to an outer side surface portion of the upstream lip and the downstream lip and connected to a power source. The die head manufacturing method according to any one of claims 1 to 4, wherein a raw material gas containing a dilution gas and a water repellent material is supplied between the lip and the counter electrode and applied to the electrode. .

請求項6の発明は、前記対向電極が誘電体で被覆された金属電極であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。   The invention according to claim 6 is the die head manufacturing method according to any one of claims 1 to 5, wherein the counter electrode is a metal electrode coated with a dielectric.

請求項7の発明は、前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と対向電極の距離が0.05mm〜20mmの範囲内であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。   In a seventh aspect of the present invention, the distance between the outer side surface portions of the upstream lip and the downstream lip and the counter electrode is in the range of 0.05 mm to 20 mm. This is a method of manufacturing a die head.

請求項8の発明は、前記対向電極の上流側リップおよび下流側リップと対向する側が、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と相似形状であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。   The invention according to claim 8 is characterized in that the opposite side of the counter electrode to the upstream lip and the downstream lip is similar in shape to the outer side surface of the upstream lip and the downstream lip. A die head manufacturing method according to any one of the above.

請求項9の発明は、前記希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを上流側リップおよび下流側リップの先端側から供給することを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法である。   The invention according to claim 9 is characterized in that the source gas containing the dilution gas and the water repellent material is supplied from the leading end side of the upstream lip and the downstream lip. It is a manufacturing method.

請求項10の発明は、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する下流側リップ、および上流側リップおよび下流側リップの間に位置するスリット部を有するダイヘッド、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部に対向して配置されかつ電源に接続されている対向電極、上流側リップおよび下流側リップと対向電極間に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを供給するガス供給手段、を備えることを特徴とするダイヘッドの表面処理装置である。   The invention of claim 10 includes an upstream side lip having an outer side surface portion, a slit side surface portion and a tip portion, an outer side surface portion, a downstream lip having a slit side surface portion and a tip portion, and an upstream lip and a downstream lip. A die head having a slit portion positioned between, a counter electrode disposed opposite to the outer side surface of the upstream lip and the downstream lip and connected to a power source, and diluted between the upstream lip and the downstream lip and the counter electrode A die head surface treatment apparatus comprising gas supply means for supplying a source gas containing a gas and a water repellent material.

請求項11の発明は、前記対向電極が誘電体で被覆された金属電極であることを特徴とする請求項10に記載のダイヘッドの表面処理装置である。   The invention according to claim 11 is the die head surface treatment apparatus according to claim 10, wherein the counter electrode is a metal electrode coated with a dielectric.

請求項12の発明は、前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と対向電極の距離が0.05〜20mmの範囲内であることを特徴とする請求項10または11に記載のダイヘッドの表面処理装置である。   The invention according to claim 12 is the die head according to claim 10 or 11, wherein the distance between the outer side surface portions of the upstream lip and the downstream lip and the counter electrode is in the range of 0.05 to 20 mm. It is a surface treatment apparatus.

請求項13の発明は、
前記対向電極の上流側リップおよび下流側リップと対向する側が、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と相似形状であることを特徴とする10〜12のいずれかに記載のダイヘッドの表面処理装置である。
The invention of claim 13
The surface treatment of the die head according to any one of 10 to 12, wherein a side facing the upstream lip and the downstream lip of the counter electrode has a shape similar to the outer side surface portion of the upstream lip and the downstream lip. Device.

本発明によれば、ダイコーティング方式における、リップの外側側面部での乗り上げ、染み出しの発生を抑制出来、塗布スジの発生を低減できる。   According to the present invention, in the die coating method, it is possible to suppress the occurrence of run-up and seepage on the outer side surface portion of the lip, and it is possible to reduce the occurrence of coating stripes.

本発明は、上記目標を達成するために、大気圧近傍の圧力雰囲気下において、ダイヘッドと対向して配置した固体誘電体を被覆した対向電極との間に、交流電圧を印加して発生したプラズマにより、ダイヘッド表面に撥水性の膜を付与するものである。プラズマCVD法を用いることによりダイヘッドの上下流リップの外側側面部のカーブ形状部であっても、均一に成膜することができる。図4に本発明のダイヘッドの製造方法の一実施例の概略を示す断面図を示す。   In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a plasma generated by applying an AC voltage between a counter electrode coated with a solid dielectric disposed opposite to a die head in a pressure atmosphere near atmospheric pressure. Thus, a water repellent film is provided on the die head surface. By using the plasma CVD method, a uniform film can be formed even on the curved shape portions of the outer side surface portions of the upstream and downstream lips of the die head. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an outline of an embodiment of the die head manufacturing method of the present invention.

本発明に用いるダイヘッドは、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有するものである。
大きさ、形状などは特に限定するものではないが、一般的に上流側リップおよび下流側リップの先端部の幅0.1〜2mm、スリット部の幅0.05〜1mmである。また、リップの先端は、図5(a)、(b)、(c)、(d)いずれの形状でもかまわない。
本発明では、すくなくとも上下流側リップの外側側面部の先端部から1〜5mmの範囲で撥水性膜を形成することを特徴とする。この範囲内であれば、リップ先端部での液の乗り上げ、塗布スジなどを抑制できる。
The die head used in the present invention has an upstream side lip having an outer side surface portion, a slit side surface portion and a tip portion, an outer side surface portion, a slit side surface portion and a tip portion.
Although a size, a shape, etc. are not specifically limited, Generally the width of the front-end | tip part of an upstream lip and a downstream lip is 0.1-2 mm, and the width | variety of a slit part is 0.05-1 mm. Further, the tip of the lip may have any shape shown in FIGS. 5 (a), (b), (c), and (d).
The present invention is characterized in that the water-repellent film is formed within a range of 1 to 5 mm from the tip of the outer side surface of the upstream / downstream lip. If it is in this range, it is possible to suppress the liquid from getting on the lip tip, coating stripes, and the like.

ダイヘッドの材質としては、腐食しにくいものが好ましく、このようなものとして、ステンレス、超硬合金等が挙げられる。   The material of the die head is preferably a material that does not easily corrode. Examples of such a material include stainless steel and cemented carbide.

本発明に用いる対向電極は、上下流側リップの外側側面部に対向するように配置するものである。上下流側リップの外側側面部と対向電極の間で放電処理空間を形成し、プラズマCVD法を行う。   The counter electrode used in the present invention is disposed so as to face the outer side surface portion of the upstream / downstream lip. A discharge treatment space is formed between the outer side surface portion of the upstream / downstream lip and the counter electrode, and a plasma CVD method is performed.

上下流側リップの外側側面部と対向電極の間の距離は、安定した放電を考慮すると0.05〜20mmの範囲内であることが好ましい。また、希釈ガスにヘリウムを使用する場合は0.5〜5mm、アルゴンや窒素を用いる場合は0.5〜2mmの範囲内であることが好ましい。   The distance between the outer side surface of the upstream / downstream lip and the counter electrode is preferably in the range of 0.05 to 20 mm in consideration of stable discharge. Further, when helium is used as the dilution gas, it is preferably within a range of 0.5 to 5 mm, and when argon or nitrogen is used, it is preferably within a range of 0.5 to 2 mm.

また、対向電極の上流側リップおよび下流側リップと対向する側が、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と相似形状であることが好ましい。このような形状であれば、ダイヘッドが複雑な形状であっても、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と対向電極の距離が一定に保たれ、均一な放電を起こすことが可能で、均一な処理をすることができる。   Moreover, it is preferable that the side which opposes the upstream lip and downstream lip of a counter electrode is similar to the outer side surface part of an upstream lip and a downstream lip. With such a shape, even if the die head has a complicated shape, the distance between the outer side surface portion of the upstream lip and the downstream lip and the counter electrode can be kept constant, and uniform discharge can be caused. Uniform processing can be performed.

対向電極は、銅、銀、金、チタン、アルミニウム、ステンレス、真鍮などの金属材料、合金導電体材料などを用いることができる。また、これらの金属、合金導電体材料に誘電体を被覆したものを好適に用いることができる。   The counter electrode can be made of a metal material such as copper, silver, gold, titanium, aluminum, stainless steel, or brass, or an alloy conductor material. Moreover, what coated these metals and alloy conductor materials with the dielectric material can be used suitably.

また、対向電極表面に配置する固体誘電体層としては、プラスチック材料や金属酸化膜材料等、誘電体材料であれば、特に構わない。特に好ましいのは、石英、パイレックス(登録商標)、アルミナ等のセラミック材料であり、これらの材料を、板状あるいは、電極51面上に蒸着、溶射したものとして使用される。これら誘電体層の厚みは、材質、形状にもよるが、厚すぎると、プラズマを発生するために、高電圧を必要とし、薄すぎると、誘電体層を破壊し、アーク放電を発生してしまう為、0.3〜5mmの厚さが好ましい。   The solid dielectric layer disposed on the surface of the counter electrode is not particularly limited as long as it is a dielectric material such as a plastic material or a metal oxide film material. Particularly preferred are ceramic materials such as quartz, Pyrex (registered trademark), and alumina, and these materials are used in the form of a plate or deposited and sprayed on the electrode 51 surface. The thickness of these dielectric layers depends on the material and shape, but if they are too thick, a high voltage is required to generate plasma, and if they are too thin, they will break the dielectric layer and cause arc discharge. Therefore, a thickness of 0.3 to 5 mm is preferable.

撥水性の膜の材料として使用する撥水材料としては、プラズマ空間で解離し、基板面上に撥水性を付与できる材料であればよく、有機シリコン化合物やフッ素化合物などが挙げられる。その中でも、被処理体とより強度な密着性を得る為には、反応性官能基と結合している珪素原子を少なくとも1つ以上有するフッ素含有珪素化合物が特に好ましい材料である。   The water-repellent material used as the material for the water-repellent film may be any material that can dissociate in the plasma space and impart water repellency on the substrate surface, and examples thereof include organic silicon compounds and fluorine compounds. Among them, a fluorine-containing silicon compound having at least one silicon atom bonded to a reactive functional group is a particularly preferable material in order to obtain stronger adhesion to the object to be processed.

前記、フッ素含有珪素化合物にに含まれる反応性官能基としては、加水分解性基、ハロゲン原子等が挙げられる。具体的には、加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基;メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基;アリロキシ基、イソプロペノキシ基等のアルケニルオキシ基;アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアシロキシ基;ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基、ジエチルケトオキシム基、シクロペンタノキシム基、シクロヘキサノキシム基等のケトオキシム基;N−メチルアミノ基、N−エチルアミノ基、N−プロピルアミノ基、N−ブチルアミノ基、N,N−ジメチルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基、N−シクロヘキシルアミノ基等のアミノ基;N−メチルアセトアミド基、N−エチルアセトアミド基、N−メチルベンズアミド基等のアミド基;N,N−ジメチルアミノオキシ基、N,N−ジエチルアミノオキシ基等のアミノオキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらのうち、メトキシ基、エトキシ基、イソプロペノキシ基が、特に好ましい。   Examples of the reactive functional group contained in the fluorine-containing silicon compound include a hydrolyzable group and a halogen atom. Specifically, examples of the hydrolyzable group include alkoxy groups such as methoxy group, ethoxy group, propoxy group and butoxy group; alkoxyalkoxy groups such as methoxymethoxy group, methoxyethoxy group and ethoxyethoxy group; allyloxy group and isopropenoxy group Alkenyloxy groups such as acetoxy group, propionyloxy group, butylcarbonyloxy group, benzoyloxy group, etc .; dimethyl ketoxime group, methyl ethyl ketoxime group, diethyl ketoxime group, cyclopentanoxime group, cyclohexanoxime group A ketoxime group such as N-methylamino group, N-ethylamino group, N-propylamino group, N-butylamino group, N, N-dimethylamino group, N, N-diethylamino group, N-cyclohexylamino group, etc. Amino group; N-methyl Acetamide group, N- ethyl acetamide group, an amido group such as N- methylbenzamide group; N, N- dimethylamino group, N, an amino group, such as N- diethylamino group and the like. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Of these, a methoxy group, an ethoxy group, and an isopropenoxy group are particularly preferable.

これらの反応性官能基と結合している珪素原子を1つ以上有するフッ素含有珪素化合物の具体例としては、CF(CF)p(CH)qSi(OCH、CF(CF)p(OC)qOCFCFCHCH(OCONH)(CHO)、SiCHCHCHOCHCFCFO(CFCFCFO)pCFCFCHOCHCHCHSi(OCH、(CHO)CHSiCHCHCHOCHCFCFO(CFCFCFO)pCFCFCHOCHCHCHSiCH(OCH、(CHO)SiCHCHCHOCHCF(OC)q(OCF)rOCFCHOCHCHCHSi(OCH、(CHO)CHSiCHCHCHOCHCF(OC)q(OCF)rOCFCHOCHCHCHSiCH(OCH、(CO)SiCHCHCHOCHCF(OC)q(OCF)rOCFCHOCHCHCHSi(OC、(CHO)SiCHC(=CH)CHCHCHOCHCFCFO(CFCFCFO)pCFCFCHOCHCHCH(CH=)CCHSi(OCH、(CHO)SiCHC(=CH)CHCHCHOCHCF(OC)q(OCF)rOCFCHOCHCHCH(CH=)CCHSi(OCH、(CHO)CHSiCHC(=CH)CHCHCHOCHCF(OC)q(OCF)rOCFCHOCHCHCH(CH=)CCHSiCH(OCHが挙げられる。ただし、p=1〜50、q=1〜50、r=1〜50、q+r=10〜100の整数であり、式中の繰り返し単位はランダムである。 Specific examples of fluorine-containing silicon compounds having one or more silicon atoms bonded to these reactive functional groups include CF 3 (CF 2 ) p (CH 2 ) qSi (OCH 3 ) 3 , CF 3 (CF 2) p (OC 3 F 6 ) qOCF 2 CF 2 CH 2 CH 2 (OCONH) (CH 3 O) 3, SiCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 CF 2 O) pCF 2 CF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, (CH 3 O) 2 CH 3 SiCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 CF 2 O) pCF 2 CF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2, (CH 3 O) 3 SiCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 (OC 2 F 4) q (OCF 2) rOCF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3, (CH 3 O) 2 CH 3 SiCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 (OC 2 F 4) q (OCF 2) rOCF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2, (C 2 H 5 O) 3 SiCH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 (OC 2 F 4) q (OCF 2) rOCF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 Si (OC 2 H 5 ) 3 , (CH 3 O) 3 SiCH 2 C (═CH 2 ) CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 CF 2 O) pCF 2 CF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 (CH 2 =) CCH 2 Si (OCH 3) 3, (CH 3 O) 3 SiCH 2 C (= CH 2 ) CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 (OC 2 F 4) q (OCF 2) rOCF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 (CH 2 =) CCH 2 Si (OCH 3) 3, (CH 3 O ) 2 CH 3 SiCH 2 C ( = CH 2) CH 2 CH 2 CH 2 OCH 2 CF 2 (OC 2 F 4) q (OCF 2) rOCF 2 CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 (CH 2 =) CCH 2 SiCH 3 (OCH 3) 2 and the like. However, it is an integer of p = 1-50, q = 1-50, r = 1-50, q + r = 10-100, and the repeating unit in a formula is random.

これらの撥水材料は、常温常圧で主に液体状であり、加熱、加圧、バブリングなどにより、気化して蒸気として、希釈ガスと混合して、放電処理空間に送られる。   These water-repellent materials are mainly liquid at normal temperature and pressure, and are vaporized by heating, pressurization, bubbling, etc., mixed with dilution gas, and sent to the discharge treatment space.

使用する希釈ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、窒素から選ばれるガスを単独あるいは混合して使用する。これら希釈ガスと前記撥水材料に加えて、場合によっては、空気、酸素、水素、水蒸気、二酸化炭素、炭化水素、アセトンなどの反応性のガスを混合しても構わない。但し、希釈ガスの混合比は、放電の安定性を向上させ、反応性の高い処理空間を維持する為、90%以上にする必要がある。   As a dilution gas to be used, a gas selected from helium, argon and nitrogen is used alone or in combination. In addition to the dilution gas and the water repellent material, in some cases, a reactive gas such as air, oxygen, hydrogen, water vapor, carbon dioxide, hydrocarbon, and acetone may be mixed. However, the mixing ratio of the dilution gas needs to be 90% or more in order to improve discharge stability and maintain a highly reactive processing space.

次に、本発明におけるダイヘッド表面に撥水膜を設ける装置に関して説明を行う。ダイヘッドへ処理を行う場合、環境的・人体の影響を考慮して、外気とは密閉空間にする必要がある。このように、ダイヘッドを放電空間にきれいに固定し、外部と密閉をする装置の構成としては、例えば、図4に示すような配置による装置構成が考えられる。但し、図4の装置構成は一例であり、これに限らない。   Next, an apparatus for providing a water repellent film on the die head surface in the present invention will be described. When processing the die head, the outside air needs to be a sealed space in consideration of environmental and human influences. In this way, as a configuration of the apparatus that cleanly fixes the die head in the discharge space and seals it with the outside, an apparatus configuration with an arrangement as shown in FIG. 4 can be considered, for example. However, the apparatus configuration of FIG. 4 is an example, and the present invention is not limited to this.

対向電極51と固体誘電体層52からなる電極部以外の支持体、例えば図4であれば、リップ先端部側壁面53、ダイヘッド保持部55、ガス供給口58、ガス排気口59等の材質としては、電極部とダイヘッド1間を絶縁できる材質であれば、形状、材質を問わない。放電空間57に接する部分に、導電性の材料を曝してしまうと、異常放電を起こしてしまう為、その点だけは注意が必要である。例えば、ガス供給口58などは、処理空間57に接している為、絶縁性が高く、加工性の良い材料を選ぶ必要があり、具体的には、アクリルやテフロン(登録商標)などが挙げられる。   For example, in the case of FIG. 4, as a material other than the electrode portion composed of the counter electrode 51 and the solid dielectric layer 52, the lip tip side wall surface 53, die head holding portion 55, gas supply port 58, gas exhaust port 59, etc. As long as it is a material that can insulate between the electrode portion and the die head 1, the shape and the material are not limited. If a conductive material is exposed to a portion in contact with the discharge space 57, an abnormal discharge occurs, so that only that point needs attention. For example, since the gas supply port 58 and the like are in contact with the processing space 57, it is necessary to select a material having high insulation and good workability. Specifically, acrylic, Teflon (registered trademark), and the like can be given. .

ダイヘッド1を設置する際には、(1)外部空間との密閉や処理ガスの入り込みを抑える、(2)異常放電を防止する、(3)リップ部の保護の観点から、ダイヘッド1をシール材54などで挟み込むことが好ましい。これら、シール材54の材質としては、絶縁性の素材であれば良く、具体的には、バイトンゴムやシリコンゴム等が挙げられる。   When the die head 1 is installed, (1) sealing with the outside space and entry of processing gas, (2) preventing abnormal discharge, (3) from the viewpoint of protecting the lip portion, the die head 1 is used as a sealing material. 54 or the like is preferable. The material of the sealing material 54 may be an insulating material, and specific examples include Viton rubber and silicon rubber.

本発明で使用する電源56としては、数kHz以上の周波数の交流電源であれば良く、交流パルス電源やMF電源、RF電源等が挙げられる。好ましくは、インピーダンス整合が容易な、1〜100kHz程度の高周波電源、高周波パルス電源が挙げられる。また、電極51への電圧の印加方法としては、ダイヘッド1と電極51のいずれかを高電圧側、グランドに接地して、交流高周波電圧を印加させる方法が考えられる。   The power source 56 used in the present invention may be an AC power source having a frequency of several kHz or more, and examples thereof include an AC pulse power source, an MF power source, and an RF power source. Preferably, a high frequency power source and a high frequency pulse power source of about 1 to 100 kHz that can easily perform impedance matching can be used. As a method of applying a voltage to the electrode 51, a method of applying an AC high frequency voltage by grounding either the die head 1 or the electrode 51 to the high voltage side and the ground can be considered.

電源出力を高出力にするほど、更に処理時間が長くなるほど、電極部および被処理体であるダイヘッド1が加熱され、高温になる。その為、電極部およびダイヘッドは、恒温または冷却した環境で処理することが好ましい。その温度としては、結露の発生と電極の加熱を防ぐ、25〜40℃の範囲が適当である。冷却/恒温方法としては、一般的な空冷法や水冷法が挙げられる。   The higher the power output is and the longer the processing time is, the higher the temperature of the electrode head and the die head 1 as the object to be processed becomes. Therefore, it is preferable to process the electrode part and the die head in a constant temperature or cooled environment. The temperature is suitably in the range of 25 to 40 ° C. which prevents condensation and heating of the electrode. Examples of the cooling / constant temperature method include a general air cooling method and a water cooling method.

混合した希釈ガスと撥水材料そして反応性ガスは放電処理空間に供給するが、その供給方法としては、図4にて、矢印で示したとおり、先端側より供給して、先端より離れていく方向に流して行くと良い。   The mixed dilution gas, the water repellent material and the reactive gas are supplied to the discharge treatment space. As the supply method, as shown by the arrows in FIG. 4, they are supplied from the tip side and away from the tip. It is good to flow in the direction.

先端側から処理することにより、ガス導入手段に近い先端付近に確実に処理を施すことができる。すなわち上下流側リップの外側側面部の先端部から1〜5mmの範囲の処理を確実に行うことができる。   By processing from the front end side, it is possible to reliably perform processing near the front end close to the gas introduction means. That is, processing in the range of 1 to 5 mm can be reliably performed from the tip of the outer side surface portion of the upstream / downstream lip.

これら撥水性の膜を形成するために使用したガスは、供給側と対向した壁面あるいは側面にガス排気口59を設けて回収すると良い。その際、回収したガスは除外装置を設ける必要がある。   The gas used to form these water-repellent films may be recovered by providing a gas exhaust port 59 on the wall surface or side surface facing the supply side. At that time, it is necessary to provide an exclusion device for the recovered gas.

放電処理空間57の処理圧力は、大気圧近傍の圧力下である15〜150kPaで処理することが好ましい。特に、圧力調整が容易な90〜105kPaの圧力帯が好ましい。大気圧下での処理は、真空化で処理するよりも簡便であり、成膜速度も速い。   The treatment pressure in the discharge treatment space 57 is preferably treated at 15 to 150 kPa, which is under a pressure near atmospheric pressure. In particular, a pressure band of 90 to 105 kPa, which allows easy pressure adjustment, is preferable. The treatment under atmospheric pressure is simpler than the treatment under vacuum and the film formation rate is high.

対向電極および固体誘電体は、被処理体であるダイヘッドのリップ部側面形状に相似した形状であるため、均一に成膜することができる。   Since the counter electrode and the solid dielectric have a shape similar to the shape of the side surface of the lip portion of the die head that is the object to be processed, the counter electrode and the solid dielectric can be uniformly formed.

続いて、実施例を用いて、本発明におけるダイヘッド表面に撥水膜を設ける方法とその効果を説明する。
図5に示すように、処理を施すダイヘッド1を設置して密閉した放電処理空間57に、ヘリウムと加熱気化したCF(CF(CHSi(OCHを重量比99.8:0.2の割合で混合して、供給した。上記、撥水材料は、液体原料気化装置(エステック社製)を使用して、気化を行った。
対向電極51と固体誘電体層52としては、チタン材の上にアルミナセラミックを1mm溶射したものを使用して、ダイヘッドと電極の距離を2mmとして、100kHzの高周波電源より電極51を高電圧側、ダイヘッド1をグランドに設置し、ピーク電圧10kVの電圧を2分間、印加した。
上記ダイヘッドを用い、コーター装置により連続塗工を行った。支持体には、厚さ75μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、塗布液には、粘度10mPa・sの溶剤希釈アクリル系樹脂を用い、50m/minの塗布速度で、3900mの連続塗布を行った。その結果、乗り上げ、染み出しの発生も無く、安定して良品を製作する事が出来た。
<比較例>
上記の塗布条件において、表面処理を行わない、通常のステンレス製ダイヘッドを用いて3900mの連続塗工を行った。その結果、乗り上げ、染み出しが約1000m塗布を行った時点より発生し、目視にて確認出来る塗布スジが発生し、良品を得る事が出来なかった。
Next, a method for providing a water-repellent film on the surface of the die head in the present invention and the effects thereof will be described using examples.
As shown in FIG. 5, helium and heat-vaporized CF 3 (CF 2 ) 5 (CH 2 ) 2 Si (OCH 3 ) 3 are mixed in a weight ratio in a discharge treatment space 57 in which the die head 1 to be treated is installed and sealed. The mixture was supplied at a ratio of 99.8: 0.2. The water repellent material was vaporized using a liquid source vaporizer (Estec Co., Ltd.).
The counter electrode 51 and the solid dielectric layer 52 are made by spraying 1 mm of alumina ceramic on a titanium material. The distance between the die head and the electrode is 2 mm. The die head 1 was placed on the ground, and a voltage having a peak voltage of 10 kV was applied for 2 minutes.
Using the die head, continuous coating was performed with a coater apparatus. A polyethylene terephthalate film having a thickness of 75 μm was used as the support, a solvent-diluted acrylic resin having a viscosity of 10 mPa · s was used as the coating solution, and continuous coating at 3900 m was performed at a coating speed of 50 m / min. As a result, it was possible to stably produce good products without getting on or seeping out.
<Comparative example>
Under the above coating conditions, 3900 m of continuous coating was performed using a normal stainless steel die head that was not subjected to surface treatment. As a result, the run-up and the bleeding started from the time when the coating was performed for about 1000 m, and a coating streak that could be visually confirmed was generated, and a good product could not be obtained.

本発明のダイヘッドの製造方法は、高精度な品質を要求する、光学膜、電子基板、食品用包装材、衣料用包装材等の、ダイコーティング方式を利用した大量生産分野において、安定した生産品質を確保し、低コスト化、高精度化に寄与できる可能性が高い。   The die head manufacturing method of the present invention requires high-precision quality, such as optical films, electronic substrates, food packaging materials, clothing packaging materials, etc., in the mass production field using the die coating method, stable production quality Is likely to contribute to cost reduction and higher accuracy.

従来のダイコーティング方式の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of the conventional die coating system. 従来のダイコーティング方式において、減圧機構を有する装置の概略を示す断面図である。In the conventional die coating system, it is sectional drawing which shows the outline of the apparatus which has a pressure reduction mechanism. 従来のダイコーティング方式において、2本のガイドロール間のフローティング支持体部分へ塗布する方式の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of the system apply | coated to the floating support body part between two guide rolls in the conventional die coating system. 本発明のダイヘッドの製造方法の一実施例の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of one Example of the manufacturing method of the die head of this invention. 従来より使用されているダイヘッドのリップ先端部分形状を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the lip front-end | tip part shape of the die head conventionally used.

符号の説明Explanation of symbols

1 ダイヘッド
2 支持体
3 コーティングロール
4 塗布液
5 マニホールド
6 スリット部
7 上流側リップ
8 下流側リップ
9 先端部
10 外側側面部
11 スリット側側面部
12 塗布ビード
13 乗り上げ
14 染み出し
15 下流側ガイドロール
16 上流側ガイドロール
20 バキュームチャンバー
51 対向電極
52 固体誘電体層
53 リップ先端部側壁面
54 シール材
55 ダイヘッド保持部
56 高周波電源
57 放電処理空間
58 ガス供給口
59 ガス排気口
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Die head 2 Support body 3 Coating roll 4 Coating liquid 5 Manifold 6 Slit part 7 Upstream side lip 8 Downstream side lip 9 Tip part 10 Outer side surface part 11 Slit side side part 12 Application | coating bead 13 Riding | exuding 14 Outflow 15 Downstream guide roll 16 Upstream guide roll 20 Vacuum chamber 51 Counter electrode 52 Solid dielectric layer 53 Side wall surface of lip tip part 54 Sealing material 55 Die head holding part 56 High frequency power supply 57 Discharge treatment space 58 Gas supply port 59 Gas exhaust port

Claims (13)

外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する下流側リップ、および上流側リップおよび下流側リップの間に位置するスリット部を有するダイヘッドのスリット側側面部および先端部を除いた外側側面部の少なくとも一部に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを用いたプラズマCVD法により撥水性膜を設けることを特徴とするダイヘッドの製造方法。   An upstream side lip having an outer side surface portion, a slit side surface portion and a tip portion, an outer side surface portion, a downstream lip having a slit side surface portion and a tip portion, and a slit portion positioned between the upstream lip and the downstream lip A die head characterized in that a water repellent film is provided by plasma CVD using a source gas containing a dilution gas and a water repellent material on at least a part of an outer side surface portion excluding a slit side surface portion and a tip portion of the die head. Production method. 前記プラズマCVD法が圧力15〜150kPaの範囲内で行うことを特徴とする請求項1記載のダイヘッドの製造方法。   2. The method of manufacturing a die head according to claim 1, wherein the plasma CVD method is performed within a pressure range of 15 to 150 kPa. 前記撥水材料がフッ素含有有機珪素化合物を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のダイヘッドの製造方法。   The method for manufacturing a die head according to claim 1, wherein the water repellent material contains a fluorine-containing organic silicon compound. 前記希釈ガスが、ヘリウム、アルゴン、窒素から選ばれる単独あるいは混合したガスでありかつ全体における希釈ガスの割合が90%以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。   The die head according to any one of claims 1 to 3, wherein the dilution gas is a gas selected from helium, argon, and nitrogen alone or mixed, and the ratio of the dilution gas in the whole is 90% or more. Manufacturing method. 前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部に対向して配置されかつ電源に接続されている対向電極を有し、前記プラズマCVD法が、上流側リップおよび下流側リップと対向電極との間に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを供給し電極に印加することにより行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。   A counter electrode disposed opposite to the outer side surface of the upstream lip and the downstream lip and connected to a power source, wherein the plasma CVD method is provided between the upstream lip and the downstream lip and the counter electrode; 5. The method of manufacturing a die head according to claim 1, wherein a raw material gas containing a dilution gas and a water repellent material is supplied to the electrode and applied to the electrode. 前記対向電極が誘電体で被覆された金属電極であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。   The die head manufacturing method according to claim 1, wherein the counter electrode is a metal electrode coated with a dielectric. 前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と対向電極の距離が0.05mm〜20mmの範囲内であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。   The die head manufacturing method according to any one of claims 1 to 6, wherein a distance between the outer side surface portions of the upstream lip and the downstream lip and the counter electrode is in a range of 0.05 mm to 20 mm. 前記対向電極の上流側リップおよび下流側リップと対向する側が、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と相似形状であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。   The die head according to any one of claims 1 to 7, wherein a side facing the upstream lip and the downstream lip of the counter electrode has a shape similar to an outer side surface portion of the upstream lip and the downstream lip. Production method. 前記希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを上流側リップおよび下流側リップの先端側から供給することを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載のダイヘッドの製造方法。   9. The method of manufacturing a die head according to claim 5, wherein the source gas containing the dilution gas and the water repellent material is supplied from the leading end side of the upstream lip and the downstream lip. 外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する上流側リップ、外側側面部、スリット側側面部および先端部を有する下流側リップ、および上流側リップおよび下流側リップの間に位置するスリット部を有するダイヘッド、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部に対向して配置されかつ電源に接続されている対向電極、上流側リップおよび下流側リップと対向電極間に希釈ガスと撥水材料を含む原料ガスを供給するガス供給手段、を備えることを特徴とするダイヘッドの表面処理装置。   An upstream side lip having an outer side surface portion, a slit side surface portion and a tip portion, an outer side surface portion, a downstream lip having a slit side surface portion and a tip portion, and a slit portion positioned between the upstream lip and the downstream lip A counter electrode disposed opposite to the outer side surface portion of the die lip, the upstream lip and the downstream lip and connected to a power source, and includes a dilution gas and a water repellent material between the upstream lip and the downstream lip and the counter electrode. A die head surface treatment apparatus comprising gas supply means for supplying a source gas. 前記対向電極が誘電体で被覆された金属電極であることを特徴とする請求項10に記載のダイヘッドの表面処理装置。   The die head surface treatment apparatus according to claim 10, wherein the counter electrode is a metal electrode coated with a dielectric. 前記上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と対向電極の距離が0.05〜20mmの範囲内であることを特徴とする請求項10または11に記載のダイヘッドの表面処理装置。   The die head surface treatment apparatus according to claim 10 or 11, wherein a distance between an outer side surface portion of the upstream lip and the downstream lip and a counter electrode is in a range of 0.05 to 20 mm. 前記対向電極の上流側リップおよび下流側リップと対向する側が、上流側リップおよび下流側リップの外側側面部と相似形状であることを特徴とする10〜12のいずれかに記載のダイヘッドの表面処理装置。   The surface treatment of the die head according to any one of claims 10 to 12, wherein a side facing the upstream lip and the downstream lip of the counter electrode has a shape similar to an outer side surface portion of the upstream lip and the downstream lip. apparatus.
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