JP2007141317A

JP2007141317A - 光集積ユニット、光ピックアップ装置およびセラミック基板

Info

Publication number: JP2007141317A
Application number: JP2005331840A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Miyake; 知之三宅; Masaru Ogawa; 勝小川
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2005-11-16
Filing date: 2005-11-16
Publication date: 2007-06-07

Abstract

【課題】放熱性に優れた光集積ユニット、光ピックアップ装置およびそれらに用いるセラミック基板を提供する。
【解決手段】光集積ユニットは、部品配置用パターンおよび接続用パターン６２が設けられた基板１と、部品配置用パターンに搭載された受発光素子と、基板１に搭載された部品を保護するキャップ３とを備えている。キャップ３は一対の突出部３ａ，３ｂを有し、突出部は基板１の切り欠き部２ａ，２ｂに挿入されて基板１を挟み込んでいる。
【選択図】図１

Description

この発明は、光ディスクなどの情報記録媒体に対し光学的に情報を記録または再生する光ディスク装置に搭載される、光集積ユニットおよびそれを備えた光ピックアップ装置、ならびにそれらに用いられるセラミック基板に関する。

特許文献１（特開２００２−２３２０５９号公報）には従来の光集積ユニットおよびそれを用いた光ピックアップ装置が開示されている。図１１ないし図１３を用いて従来の光集積ユニットについて説明する。図１１は、従来の光集積ユニットの主要部の構造を示す斜視図であり、図１２は、従来の光集積ユニットの構造を示す斜視図であり、図１３は、従来の光ピックアップ装置の構造を示す断面図である。

従来の光集積ユニットは、主にアイランド部１０１と樹脂部１０５とリード１０６を備える。アイランド部１０１は、フランジ部１３２とブロック部１０７とを有している。アイランド部１０１は金属で構成されており、フランジ部１３２およびブロック部１０７は冷間鍛造等で一体成型されている。

フランジ部１３２は基準面１０２を有している。基準面１０２は、光集積ユニットに搭載する光源や受光素子の位置決め用あるいは光ピックアップ装置に光集積ユニットを組込む際の位置基準の役割をなす。

樹脂部１０５の図１１における上側には、受光部取付面１２２が設けられている。受光部取付面１２２には受光部として受光素子１０４が載置されている。ブロック部１０７は、アイランド部１０１から上方に突出するように設けられており、ブロック部１０７の側面にはサブマウント１２１が設けられている。サブマウント１２１には、光源であるレーザチップ１０３が固定されており、サブマウント１２１はレーザチップ１０３の放熱を促進する役割を兼ねている。サブマウント１２１は、図示しないモニタ用受光素子を有している。

光集積ユニットには、他部品と接続可能なようにリード１０６が設けられており、リード１０６は樹脂部１０５に保持されている。リード１０６の下端は樹脂部１０５から一部が露出している。一方、リード１０６の上端は、樹脂部１０５から突出している。さらにリード１０６の上部の側面は樹脂部１０５から露出している。リード１０６の樹脂部１０５から突出した上端または露出した側面は、レーザチップ１０３や受光素子１０４にワイヤボンディングによって電気的に接続される。

レーザチップ１０３や受光素子１０４、およびワイヤボンディングに用いるリード線等を保護するため、通常は図１２に示すような保護部材であるキャップ１１１を装着する。装着に際しては、アイランド部１０１の２つのフランジ部１３２の間に形成された凹部にキャップ１１１の突出部１３１を挿入する。キャップ１１１はフランジ部１３２の一部に抵抗溶接されて固定される。

図１２に示すように、キャップ１１１の上にはホログラム素子１１２などの光学素子が、位置調整しながら取り付けられて、光集積ユニット１００が構成されている。キャップ１１１には、ホログラム素子１１２と重なる位置に開口部が設けられており、レーザチップ１０３から上方へ発射されたレーザ光は、この開口部およびホログラム素子１１２を通過して上方に出射される。

この従来の光集積ユニット１００は、図１３に示すような光ピックアップ装置のハウジング１４１に取り付けられる。
特開２００２−２３２０５９号公報

近年の光ディスク装置の高速化に対応するため、光源となる半導体レーザに要求される光出力が増大している。それに伴って半導体レーザからの発熱量も増大している。一方、光ディスク装置の小型化、薄型化に伴って光ピックアップ装置およびそれに搭載される光集積ユニットも小型化、薄型化されており、その結果、光ピックアップ装置や光集積ユニットに使われる金属部分が少なくなっている。そのため、少ない金属部分に如何に効率よく放熱するかが重要な課題となっている。

従来の光集積ユニット１００では、レーザチップ１０３で発生した熱は、サブマウント１２１を介してアイランド部１０１のブロック部１０７に伝導し、ブロック部１０７に連続するフランジ部１３２に伝導する。その熱の一部はフランジ部１３２で放熱される。しかし、光集積ユニット１００の小型化、薄型化が求められていることから、フランジ部１３２をそれほど大きくすることはできない。そのため、フランジ部１３２のみの放熱量では十分でない。

そこでフランジ部１３２からキャップ１１１に熱を伝導し、キャップ１１１を介して放熱することが必要となる。

アイランド部１０１において最も高温となり得るブロック部１０７の比較的近傍には、キャップ１１１の側面が位置している。キャップ１１１の側面は、アイランド部１０１から光集積ユニットの厚さ方向（短辺方向）に位置するので、アイランド部１０１から幅方向（長辺方向）に位置するフランジ部より距離が短い。

したがって、ブロック部１０７からの熱をキャップ１１１の側面に直接放熱することができれば効果的である。しかしながら、ブロック部１０７とキャップ１１１との間には樹脂部１０５が介在しているため、樹脂部１０５に熱の溜まりが生じレーザチップ１０３の近傍での放熱効率が極めて悪くなる。

放熱効率が悪い場合、レーザチップ１０３の動作電流の増加による消費電流の増加、さらにはレーザチップ１０３の寿命の低下などの問題が発生する。

また、従来の光集積ユニットにおいては、図１１および１２における上下方向（光ピックアップ装置の長さ方向）にリード１０６が延在しているため、光集積ユニットや光ピックアップ装置の小型化を妨げるという課題があった。

したがって、この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、放熱性に優れた光集積ユニット、光ピックアップ装置およびそれらに用いるセラミック基板を提供することを目的とする。

この発明に基づいた光集積ユニットに従えば、部品配置用パターンおよび接続用パターンが設けられた基板と、上記部品配置用パターンに搭載された受発光素子と、上記基板に搭載された部品を保護する保護部材とを備えた光集積ユニットであって、上記保護部材は突出部を有し、上記突出部が基板の一部を挟み込んでいる。

上記光集積ユニットにおいて好ましくは、上記基板は空隙部を有し、上記突出部を上記空隙部に挿入している。

上記空隙部は、上記基板の側面に形成された切り欠き部であってもよい。また、上記空隙部は、上記基板に形成された孔部であってもよい。そのとき、上記基板の厚さは、上記突出部の突出長さより大きいことが好ましい。

上記光集積ユニットにおいて、上記突出部と上記基板は嵌合状態で連結されていてもよい。

また、上記光集積ユニットにおいて、上記基板上に搭載される上記受発光素子のうち最も発熱量の大きい部品は、上記保護部材に接触しているか、または、上記保護部材の近傍に位置していてもよい。また、上記基板上に搭載される上記受発光素子のうち最も発熱量の大きい部品は、上記保護部材に接触していると共に、上記保護部材は上記部品を取り囲んでいてもよい。さらに、上記保護部材は、接地されていてもよい。

上記光集積ユニットにおいて、上記基板はセラミック積層型基板であってもよい。その場合、上記積層型基板を構成する各層のうちの少なくとも１層には、部品実装面に設けられた上記接続用パターンの面積より大きな面積を有する導電性領域を設けても良い。

また、上記積層型基板を構成する各層のうちの少なくとも１層には導電性領域が設けられ、上記導電性領域の少なくとも一部は基板の側面に露出しており、上記保護部材の上記突出部は、上記基板の側面において上記導電性領域の上記露出部分に接触していてもよい。

上記光集積ユニットにおいて、上記基板の上記部品配置用パターンが上記接続用パターンの一部と導通していてもよい。また、上記部品配置用パターンまたは上記接続用パターンの一部が、上記基板表面において上記保護部材と接触していてもよい。

本発明に係る光集積ユニット、光ピックアップ装置およびそれらに用いられるセラミック基板によると、放熱性に優れた光ピックアップ装置を構成することができる。

以下、この発明に基づいた各実施の形態における光集積ユニット、光ピックアップ装置およびそれらに用いられるセラミック基板の構造について、図を参照しながら説明する。なお、各実施の形態において、同一または相当箇所については同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さないこととする。

（実施の形態１）
図１は、本実施の形態の光集積ユニットの主要部の構造を示す分解斜視図である。図１に示すように、光集積ユニットは、セラミック基板１を有している。セラミック基板１の部品実装面には、光源である半導体レーザ３０、半導体レーザ３０からの光を図示しない光記録媒体に向けて反射する反射ミラー４０、反射ミラー４０の反射面を一部透過した光を検出する前方モニタ用の光検出器５０、光記録媒体からの反射光を受光する光検出器５１，５２が実装されている。なお以下の説明においては、基板がセラミック基板である場合について説明するが、基板の材質は必ずしもこれに限定されるものではない。

半導体レーザ３０や光検出器５０，５１，５２などの受発光素子は、セラミック基板１上の電極パッドに図示しない接続線でワイヤボンディングされている。半導体レーザ３０、反射ミラー４０、光検出器５０，５１，５２およびワイヤボンディングされた接続線は、保護部材であるキャップ３で覆われる。キャップ３は金属で構成され、平面視略長方形である。

略長方形に構成されたセラミック基板１は、その対向する長辺に沿って切り欠き部２ａ，２ｂを有している。キャップ３は、その下部の切り欠き部２ａ，２ｂに対応する位置に突出部３ａ，３ｂを有している。突出部３ａ，３ｂはキャップ３の長辺でセラミック基板１に接する側に設けられている。切り欠き部２ａ，２ｂにおけるセラミック基板１の厚みは、キャップ３の突出部３ａ，３ｂの突出長さよりも大きく構成されている。

突出部３ａ，３ｂは、セラミック基板１の切り欠き部２ａ，２ｂにそれぞれ挿入される。このとき突出部３ａ，３ｂの内側面は、切り欠き部２ａ，２ｂに位置するセラミック基板１の側面に接触する。このように、本実施の形態においては、セラミック基板１とキャップ３の突出部３ａ、３ｂとが直接接触しており、従来技術のような熱伝導性の悪い樹脂部が両者の間に介在しないため、セラミック基板１の内部の熱を切り欠き部２ａ，２ｂから突出部３ａ，３ｂに効率よく伝達することができる。

本実施の形態では、一対の突出部３ａ，３ｂを対向するように設けているが、突出部の構成はこれに限定されるものではない。たとえば、セラミック基板１の一方の側に位置する切り欠き部２ａの中央部に位置するひとつの突出部を設け、セラミック基板１の他方の側に位置する切り欠き部２ｂの両端部に位置する二つの突出部を設けて、これら３つの突出部によりセラミック基板１を挟むようにしてもよい。

このとき、両者の間の熱伝達をより良好にするため、突出部３ａ，３ｂと切り欠き部２ａ，２ｂとは嵌合状態で装着され、互いに与圧を与える構成であることが好ましい。さらに、熱伝導性の良い接着剤を、突出部３ａ，３ｂとセラミック基板１との間に挟み込むことで、両者の結合力と熱伝導性をさらに向上させてもよい。

セラミック基板１には、半導体レーザ３０がサブマウント３１を台座にして装着されている。記録再生時の半導体レーザ３０で生じた熱はサブマウント３１を介してセラミック基板１に伝導される。したがって、セラミック基板１において半導体レーザ３０の近傍の部分Ｈが最も高温になりやすい。

この部分Ｈに最も近い切り欠き部２ａと、切り欠き部２ａに対し短辺方向に反対側の切り欠き部２ｂとに、それぞれキャップ３の突出部３ａ，３ｂが挿入され、セラミック基板１に直接接触していることにより、半導体レーザ３０の熱を効率よくキャップ３に伝達することが可能となる。

また、本実施の形態では、最も多くの熱を発生する半導体レーザ３０を、キャップ３の突出部３ａ，３ｂおよび切り欠き部２ａ，２ｂに挟まれる領域に配置している。これにより二つの突出部３ａ，３ｂを介して半導体レーザ３０の熱を放出することができ、放熱効率が向上する。

本実施の形態では、セラミック基板１の中央部寄りに半導体レーザ３０およびサブマウント３１を配置しているが、セラミック基板１の端部に半導体レーザ３０のサブマウント３１を配置して、半導体レーザ３０のサブマウント３１がキャップ３の内側面に接触するようにしてもよい。この場合には、半導体レーザ３０の熱をサブマウント３１を介してキャップ３に伝達することができるので放熱効率がさらに向上する。また、半導体レーザ３０のサブマウント３１とキャップ３とが接触し導通することが不都合な場合には、キャップ３の近傍、すなわち、キャップ３と半導体レーザ３０とは導通しないが、半導体レーザ３０の熱がキャップ３に伝わる程度の距離にサブマウント３１が位置するように、半導体レーザ３０およびサブマウント３１を配置しても良い。

キャップ３は、グランド配線に接続するようにしてもよい。この場合には、グランド配線を介してキャップ３に伝わった熱を放出することができる。

図２は、部品を実装した変形例のセラミック基板の構造を示す平面図である。図２に示すように、切り欠き部２ａ，２ｂに代えて、突出部３ａ，３ｂを挿入する空隙部をスロット状の孔部７１ａ，７１ｂで構成しても良い。この場合には、突出部３ａ，３ｂとセラミック基板１との接触面積が増加し、両者間の熱伝達をより良好にすることができる。ここではスロット状の孔部７１を設けた場合について説明したが、孔部の形状はこれに限定されるものではない。

図３は、光学素子を装着した光集積ユニットの構造を示す斜視図である。上述のようにセラミック基板１にキャップ３を装着した後、図３に示すようなホログラム等で構成される光学素子５をキャップ３上に設置することで光集積ユニット１０が完成する。光学素子５は搭載されたホログラムにより図示しない光記録媒体からの反射光を光検出器５１，５２に向けて回折するものである。

図４は、光集積ユニットの側面図である。上述のように、キャップ３の突出部３ａ，３ｂの突出長さは、切り欠き部２ａ，２ｂにおけるセラミック基板１の厚みよりも短くしている。したがって、図４に示すように、キャップ３の突出部３ａ，３ｂはセラミック基板１よりも突出することがない。これにより、光集積ユニット１０をより薄型に構成することができる。

図５は、部品を実装したセラミック基板の上面の構造を示す平面図である。図５において、二点鎖線はキャップ３の外形を示している。ここでは、キャップ３のコーナー部３ｃを円弧状に形成した場合を示している。図５に示すように、キャップ３の突出部３ａ，３ｂは、切り欠き部２ａ，２ｂにそれぞれ挿入されている。

セラミック基板１の短辺には、半円状の窪み部６が設けられ、セラミック基板１の角部には扇形の窪み部７が設けられている。これらは、図１および図３では記載を省略している。この窪み部６は、光集積ユニット１０を光ピックアップ装置に搭載する際の位置決め用の窪みである。また、窪み部７は、セラミック基板１を製造する際の位置決め用の窪みである。

続いて、本実施の形態のセラミック基板の構造についてより詳しく説明する。図６は、セラミック基板の構造を示し、（ａ）は部品配置面、（ｂ）は側面、（ｃ）は電気接続面を示す図である。セラミック基板１の部品配置面には、図６（ａ）に示すように、複数の部品配置用パターン６１と、それらを挟むように両側に配列された複数の接続用パターン６２とが設けられている。部品配置用パターン６１は、セラミック基板１上に配置する部品の位置を示すものであり、接続用パターン６２は、部品配置用パターン６１に配置された部品への配線を接続する電極を構成するものである。

図６（ｃ）に示すように、セラミック基板１の裏面には、複数の接続用電極６３が配列されている。部品配置面に設けられた接続用パターン６２と電気接続面に設けられた接続用電極６３とは、図示しない配線パターンやスルーホールなどを介して適宜接続されている。接続用電極６３には、外部からの配線が接続され、光集積ユニット１０への電源の供給、光集積ユニット１０からの信号の出力などが行なわれる。

接続用電極６３の面積は、導通する各接続用パターン６２の面積より大きくなるように形成されている。部品配置面においては、接続用パターン６２の面積は実装密度の関係から自ずと制限されるが、電気接続面においては面積に余裕があるので、その面積を拡大することができる。このように、導通する接続用電極６３の面積を拡大することで、放熱を促進するのに有効な金属の面積を大きくすることができる。これにより実装された部品で発生した熱の放出を促進することができる。

また、本実施の形態の光集積ユニットにおいては、外部接続用の接続用電極６３をセラミック基板１の裏面に設けているので、従来の光ピックアップにおいて用いられていた高さ方向に延びる外部に突出したリード端子が不要となる。これにより、光集積ユニット１０を小型化することができる。

（実施の形態２）
図７は、本実施の形態のセラミック基板の構造を示す平面図である。図７に示す実施の形態においては、部品配置用パターン６１の一部と、接続用パターン６２の一部とを接続部６２ａにより接続している。

部品配置用パターン６１を接続する接続用パターン６２として、グランド配線に接続される接続用パターン６２を選択することで、部品配置用パターン６１、接続部６２ａ、接続用パターン６２およびグランド配線を介して、部品配置用パターン６１に搭載された部品の熱を放熱することができる。これにより、放熱効率がさらに向上する。

（実施の形態３）
図８は、本実施の形態のセラミック基板の構造を示す側面図である。図９は、セラミック基板にキャップを取り付けた状態を示す側面図である。図８に示す実施の形態においては、セラミック基板１を、複数層のセラミック層を積層した多層セラミック基板により構成している。各層を構成するセラミック板としては、たとえば０．４ｍｍ程度の厚さのセラミック板を用いることができる。

また、セラミック基板１の中間層に金属膜からなる導電性領域を形成している。そして、その一部を図８に斜線で示すように、切り欠き部２ａ，２ｂに対応する位置で、セラミック基板１の側面に露出させている。この導電性領域の露出部８１は、図９に示すように、キャップ３の突出部３ａ，３ｂの内側面と接触する。このように構成することで、セラミック基板１の熱をさらに効率よくキャップ３に伝達することができる。

（実施の形態４）
図１０は、本実施の形態のセラミック基板の構造を示す平面図である。図１０に示す本実施の形態のセラミック基板においては、部品配置用パターン６１と、接続用パターン６２とを接続部６２ａで接続し、さらに接続用パターン６２を外側に向かって延長している。接続用パターン６２から延長された延長部６２ｂは、図１０に二点鎖線で示すキャップ３の先端面に接触する。

このように構成することで、部品配置用パターン６１に搭載された部品で発生した熱を、部品配置用パターン６１、接続部６２ａ、接続用パターン６２、延長部６２ｂ、キャップ３の順に伝達することができる。これにより、部品で発生した熱を効率よく放出することができる。

ここでは、部品配置用パターン６１と接続用パターン６２と順に接続し、接続用パターン６２からキャップ３に到達する延長部６２ｂを形成するようにしたが、部品配置用パターン６１から直接キャップ３に到達するパターンを設けるようにしてもよい。また、延長部６２ｂを設けた接続用パターン６２と部品配置用パターン６１との間を接続しないようにしてもよい。

なお、キャップ３に接触する延長部６２ｂが設けられた接続用パターン６２はグランドに接続されたものを用いることが好ましい。

以上説明したように、本実施の形態に係る光集積ユニットによれば、半導体レーザ３０などの発熱の大きい部品の近傍に切り欠き部２ａ，２ｂを設け、該切り欠き部２ａ，２ｂにキャップ３の突出部３ａ，３ｂを挿入することにより、小型化、薄型化が必要な光集積ユニットにおいて効率よくキャップ３への放熱が可能となる。これにより、半導体レーザ等の発熱部品の長寿命化を図ることができる。

上述の光集積ユニットは、図１３で示したハウジングと同様のハウジングに取り付けられて、光ピックアップ装置を構成することができる。

なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

この発明に基づいた実施の形態１における光集積ユニットの主要部の構造を示す分解斜視図である。この発明に基づいた実施の形態１における部品を実装した変形例のセラミック基板の構造を示す平面図である。この発明に基づいた実施の形態１における光学素子を装着した光集積ユニットの構造を示す斜視図である。この発明に基づいた実施の形態１における光集積ユニットの側面図である。この発明に基づいた実施の形態１における部品を実装したセラミック基板の上面の構造を示す平面図である。この発明に基づいた実施の形態１におけるセラミック基板の構造を示し、（ａ）は部品配置面、（ｂ）は側面、（ｃ）は電気接続面を示す図である。この発明に基づいた実施の形態２におけるセラミック基板の構造を示す平面図である。この発明に基づいた実施の形態３におけるセラミック基板の構造を示す側面図である。この発明に基づいた実施の形態３におけるセラミック基板にキャップを取り付けた状態を示す側面図である。この発明に基づいた実施の形態４におけるセラミック基板の構造を示す平面図である。従来の光集積ユニットの主要部の構造を示す斜視図である。従来の光集積ユニットの構造を示す斜視図である。従来の光ピックアップ装置の構造を示す断面図である。

符号の説明

１セラミック基板、２ａ，２ｂ切り欠き部、３キャップ、３ａ，３ｂ突出部、５光学素子、１０光集積ユニット、３０半導体レーザ、３１サブマウント、４０反射ミラー、５０，５１，５２光検出器、６１部品配置用パターン、６２接続用パターン、６２ａ接続部、６２ｂ延長部、６３接続用電極、７１ａ，７１ｂ孔部、８１露出部。

Claims

部品配置用パターンおよび接続用パターンが設けられた基板と、前記部品配置用パターンに搭載された受発光素子と、前記基板に搭載された部品を保護する保護部材とを備えた光集積ユニットであって、
前記保護部材は突出部を有し、前記突出部が前記基板の一部を挟み込んでいる、光集積ユニット。
前記基板は空隙部を有し、前記突出部が前記空隙部に挿入されている、請求項１に記載の光集積ユニット。
前記空隙部は、前記基板の側面に形成された切り欠き部である、請求項２に記載の光集積ユニット。
前記空隙部は、前記基板に形成された孔部である、請求項２に記載の光集積ユニット。
前記基板の厚みは前記突出部の突出長さより大きい、請求項２から４のいずれかに記載の光集積ユニット。
前記突出部と前記基板は嵌合状態で連結されている、請求項１から５のいずれかに記載の光集積ユニット。
前記基板上に搭載される前記受発光素子のうち最も発熱量の大きい部品は、前記保護部材に接触しているか、または、前記保護部材の近傍に位置している、請求項１から６のいずれかに記載の光集積ユニット。
前記基板上に搭載される前記受発光素子のうち最も発熱量の大きい部品は、前記保護部材に接触すると共に、前記保護部材は前記部品を取り囲んでいる、請求項１から６のいずれかに記載の光集積ユニット。
前記保護部材は接地されている、請求項１から８のいずれかに記載の光集積ユニット。
前記基板は積層型基板である、請求項１から９のいずれかに記載の光集積ユニット。
前記積層型基板を構成する各層のうちの少なくとも１層には、部品実装面に設けられた前記接続用パターンの面積より大きな面積を有する導電性領域が設けられている、請求項１０に記載の光集積ユニット。
前記積層型基板を構成する各層のうちの少なくとも１層には導電性領域が設けられ、
前記導電性領域の少なくとも一部は前記基板の側面に露出しており、
前記保護部材の前記突出部は、前記基板の側面において前記導電性領域の露出部分に接触している、請求項１０または１１に記載の光集積ユニット。
前記部品配置用パターンが前記接続用パターンの一部と導通している、請求項１から１２のいずれかに記載の光集積ユニット。
前記部品配置用パターンまたは前記接続用パターンの一部が、前記基板表面において前記保護部材と接触している、請求項１から１３のいずれかに記載の光集積ユニット。
請求項１から１４のいずれかに記載の光集積ユニットを備えた光ピックアップ装置。
部品配置用パターンおよび接続用パターンが設けられ、前記部品配置用パターンに搭載される受発光素子を含む部品を保護する保護部材が取り付けられるセラミック基板であって、
前記セラミック基板は積層型セラミック基板であり、
前記積層型セラミック基板を構成する各層のうちの少なくとも１層には、部品実装面に設けられた前記接続用パターンの面積より大きな面積を有する導電性領域が設けられている、セラミック基板。
部品配置用パターンおよび接続用パターンが設けられ、前記部品配置用パターンに搭載される受発光素子を含む部品を保護する保護部材が取り付けられるセラミック基板であって、
前記積層型セラミック基板を構成する各層のうちの少なくとも１層には導電性領域が設けられ、
前記導電性領域の少なくとも一部は、その側面に露出している、セラミック基板。
部品配置用パターンおよび接続用パターンが設けられ、前記部品配置用パターンに搭載される受発光素子を含む部品を保護する保護部材が取り付けられるセラミック基板であって、
前記部品配置用パターンが前記接続用パターンの一部と導通している、セラミック基板。