JP2007125574A - 電子ビーム表面改質方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】断面積が大きくてエネルギ密度の大きい電子ビームパルスを照射する表面改質は、柱状乃至は台状体の頂部表面に対する照射改質をすると頂部近くの外周側面も改質されるが、断面に角部がある柱状体では側面改質領域が長さ方向に均一に行なわれないと言う問題が有った。
【解決手段】電離性の希ガスが低気圧状態で充填してある電子銃部内で自然電子を拘束する磁場をソレノイドに電流を流して形成させ、該形成が所定状態になったところで環状アノードによりアノードプラズマを生成させ、磁場形成中に於けるアノードプラズマが所定の生成状態になった所でカソードに高く短い負の電圧パルスを印加して電子ビームを生成させアノードプラズマを通路として照射していたのを、繰り返す電子ビームの生成、照射毎に磁場形成用のソレノイド電流を反転させることにより側面改質領域を均一化する。
【選択図】 図11
【解決手段】電離性の希ガスが低気圧状態で充填してある電子銃部内で自然電子を拘束する磁場をソレノイドに電流を流して形成させ、該形成が所定状態になったところで環状アノードによりアノードプラズマを生成させ、磁場形成中に於けるアノードプラズマが所定の生成状態になった所でカソードに高く短い負の電圧パルスを印加して電子ビームを生成させアノードプラズマを通路として照射していたのを、繰り返す電子ビームの生成、照射毎に磁場形成用のソレノイド電流を反転させることにより側面改質領域を均一化する。
【選択図】 図11
Description
本発明は、各種金属部品、金型、工具、電気接続部品、金属医療機器、金属装飾品などの表面を鏡面化、清浄化、アモルファス化、及び/または耐食化するために電子ビームを表面に照射して表面改質をおこなう方法及び該方法を好適に行なう装置に関する。
この技術は断面積10cm2以上、低エネルギ10〜50kV、高電流10〜30kAの電子ビームを用いて金属部材表面の改質を行なうもので、従来の真空電子銃による高密度の細く、時間的に連続な電子ビームではなく、電離ガスのプラズマ中を通過する大きいエネルギの電子ビームをパルス状に短時間照射するので、物質に照射されたとき深溶け込みなどの深く加工作用することがなく、広い面積に一様な作用をあたえるので表面の改質に利用される。ここでいう改質とは、物質表面に付着する異物の除去、浄化、表面あらさの改善、微視的凹凸を平坦化して鏡面となすこと、急激な加熱と冷却による金属のアモルファス化、及び/または耐食化などである。
この技術は一種の電子銃であるが真空室ではなく低圧の電離用の希ガスが充填されプラズマ化されているのでプラズマ電子銃ともよばれている。このプラズマを安定に保つために反射放電(Reflected Discharge)方式という円環状のアノードプラズマ生成用のアノードが設けられ、電子銃の外部にソレノイドが設けられて銃内空間に磁場を作る。
この装置の電子ビーム発射機構は電界放射カソードとしてチタン等の針金を束ねて円板状の広い面積に形成した金属または黒鉛が用いられ、被照射体がターゲット陽極になる。カソードとターゲットとの両極間に10〜40kVの高圧コンデンサにより加速用の高電圧印加と放電を発生させて数μs程度の短い電子ビームパルスを放射させる。プラズマ発生回路は前記の環状アノードと電子銃筐体との間にコンデンサ充放電によるグロー放電を作り電離ガスをプラズマ化する。プラズマ保持時間は数100μsでその時間内に前記高電圧の印加による電子ビームパルスの放射が行なわれる。プラズマ保持時間の前後を通じ電子銃内の電子加速空間内に自然電子を回転等させて逃げ出さないように作用する磁場をつくるための前記ソレノイドを励磁する電源としてまた別のコンデンサ充放電回路が備えられている。
表面改質をする被照射体をターゲットとしてのテーブルに設置し電子銃内を一旦真空にしてから電離ガス、たとえばArガスを低圧に充填し、磁場形成、プラズマ形成、電子ビーム発射の順序で作動させると被照射体の表面が改質される。通常は1回の照射のように出来るだけ少ない照射回数で処理するが、1回の照射では不充分な場合には、数回から数10回の照射を約10s程度以内の時間間隔で繰り返し行なってから真空ハウジングを開放して被照射体を取り出す。
被照射体の材質、成分組成、表面積、改質前の状態などによって照射条件を選ぶ必要があるが、条件の選定の数式がある訳ではないので実験の結果とか経験に依存されている。常識的な判断として溶解温度の高い材質には大きいエネルギで、低い材質には小さいエネルギで照射することになる。放射エネルギが変わる条件とは、1)前記加速用高電圧印加のカソード電圧 2)カソードとターゲット(設置被照射体表面)間の距離 3)電離ガス圧力の3条件が通常用いられる。これらの条件は全体装置を制御運用するシステムの指令手段で調整できるように構成されている。
図6は従来例の一例の電子ビーム表面改質装置の概略全体構成説明図で、1はハウジング、6は環状アノード電極、8は前述カソード、Sは電子銃内加速空間、5は励磁ソレノイド、14はターゲットとして被照射体12を設置するテーブルである。一点破線部1−1以下の函体部分1Bには図示しないテーブル移動機構などが設けられる大きな広がりを持つ空間部であるのに対し、上部は筒状の電子銃部1Aである。電子銃1Aを含むハウジング1内の電離ガスの調整システムとしてスクロールポンプ2、ターボ分子ポンプ3が、流量調整弁2A、3Aを介して連結され、さらに図示しない圧力センサとともに作動する。室内は一旦真空状態とした後ボンベ15からバルブ4を介して希ガス、例えばArを充填し所定低気体圧状態(0.02〜0.1Pa)に保たれる。
改質装置には最初に作動して電子銃部1A内にソレノイド5により磁場を作る励磁電源16、次に作動して環状陽極6付近にアノードプラズマ7を生成するコンデンサ充放電回路を含むパルス電源17、そしてアノードプラズマ7を通過する電子ビーム11を放射して改質作用を実行するビーム加速電源であってコンデンサ充放電回路で構成されるパルス電源18が備えられている。それぞれの電源は独立しており、絶縁物6A、8Aによりハウジング1から絶縁されており、各パルス電源16、17、18からの電圧印加タイミングチャートが、図7として示してある。
表面改質の目的は表面の粗さの改善、鏡面化、清浄化、アモルファス化、耐食化など多様であるし、また材質も多様である。従がって前述の三つの条件を適正に選択することが困難である。放射された電子ビームの相当部分が散逸し被照射体12に吸収される割合は一定ではないから結果としての効果も変わってしまうという欠点があった。被照射体12と同じ条件で照射された結果のデータを持つことができなかったからである。
しかしながら、何れにしても斯種の電子ビームパルスの発生装置を使用して被照射体12の表面改質を行なう手法としては、被照射体に、しかも通常被照射体の被照射表面領域に、前記電子ビームのパルスを1パルスではなく、2〜4パルスとか、10パルスとか、或いは30パルス前後とか複数パルスを繰り返し照射する表面改質の手法が常態であり、さらにその複数回繰り返される電子ビームパルスの照射は、作業効率等の都合上、例えば、約10s前後の如く数10s以内の時間間隔で繰り返し行なわれるものであった(特許文献2−3、及び非特許文献1−2参照。)。
そして、従来は、上述のような表面改質の処理操作に依って得られた被処理済み被照射体を、表面改質が短時間で効率良く為されたものとして満足していたのであるが、かかる使用の用に供されている内に、表面改質の面質等に対する要求に止まらず、被照射体の表面改質を行う部分とか領域、及びその部分や領域の凹凸等の形状部分に対する万辺ない改質処理の要請が為されるようになって来ているのが実情である。
図8の(A)および(B)は、前述大面積の電子ビームのパルス11の有効径が約φ60mmの時の照射円11と径φ30mmの円柱台の被照射体12とが同軸状にテーブル14上に在るように示した平面図と正面図で、図示のように円柱台12の外周まわりに充分な幅の電子ビームパルス11の照射領域が存在する場合には被照射体12は、照射電子ビームのパルス11と相対向する上部φ30mm頂面12Aだけでなく、外周側面12Bも、前記照射領域外照射の電子ビーム11が回り込んで照射されて、深さ方向に約10〜15mm迄の外周側面が表面改質される。しかし、円柱台が符号121を付して示すように円柱台121の高さが高くなると、側面121Bの面積が大きくなり、またカソード8前面と被照射体表面迄の距離は、円柱台121の上表面121A間の距離によって調整設定されるので、円柱台12、121の側面は頂面から途中迄しか表面改質されないこと当然である。
図9の(A)および(B)は、前述図8の電子ビームパルス11の照射領域に前述凹凸等の複雑な3次元形状部分を有する被照射体122が配置された場合の1例を示す平面図と正面図で、円柱台12が円板12Cに同軸に固設され、さらに環状の電子ビーム11照射領域を有する前記円板12Cの前記環状表面部には、突条円12Dが形成されているが、円柱台12の頂部表面12Aおよび外周側面12B,円板12C上の内外環状表面と外周側面、突条円12Dの表面、並びに円柱台12部の基部外周と円板12C表面とで形成される角円部等は、前記突条円12Dの円板12Cから立ち上がる内外の角円部をも含め、所望複数回の電子ビームの照射を繰り返すことにより、被照射体の例えば姿勢変更等を要することなくほぼ目的通りの表面改質が行なわれるものである。
これは、被照射体12の照射領域の凹凸等の形状が中心に対して対称な円形状であり、かつ電子ビームパルス11の照射断面に対して前記円形状の被照射体12が、ほぼ同芯乃至は同軸の位置関係に配置して電子ビームのパルス11の照射を行なっているからであると考えられる。
と言うのは、前述図8の(A)および(B)の場合の被照射体12を、図10の(A)および(B)の如く、電子ビームのパルス11の断面照射位置に対して、中心不一致の偏倚した位置に配置し、之を動かすことなく電子ビームのパルス11を照射すると、頂部表面12Aの場所による表面改質の強弱等の片寄りは少なかったが、外周側面12Bに対する表面改質は、偏倚方向に対する直角方向の側面部位において偏りが大きく、改質の均一化には、被照射体12の前述偏倚とは反対側への偏倚をさせての電子ビームパルス11の照射が必要であったからである。
と言うのは、前述図8の(A)および(B)の場合の被照射体12を、図10の(A)および(B)の如く、電子ビームのパルス11の断面照射位置に対して、中心不一致の偏倚した位置に配置し、之を動かすことなく電子ビームのパルス11を照射すると、頂部表面12Aの場所による表面改質の強弱等の片寄りは少なかったが、外周側面12Bに対する表面改質は、偏倚方向に対する直角方向の側面部位において偏りが大きく、改質の均一化には、被照射体12の前述偏倚とは反対側への偏倚をさせての電子ビームパルス11の照射が必要であったからである。
図11の(A)および(B)は、前記被照射体として、円柱台12に代えて30mm×30mm角、高さ20mmの四角柱台123を設けた場合の表面改質状況を説明するための平面図と正面図で、頂部表面123Aの改質状態は、図8〜10の既説のものと変わらないが、側面123Bの改質状態が、周囲四面とも(B)に改質表面を符号123xとして示すように頂部表面123Aから側面の途中迄しか改質されないのは、前述の側面改質が後述する条件の電子ビームパルス11の照射の場合、頂部表面12A、121Aから約10mm以上、最大約15mm程度以内である所から止もう得ないとしても、各側面123Bがその正面から見て、その左右において改質深さが可成り大きな割合で右に行くに従って減少しており、そしてこの状態は同じ条件の電子ビームのパルス11を何発か照射しても、改質の進む領域は殆んど変わらなく、頂部表面123Aから或る程度の深さ迄(例えば、10mm以上)側面改質を必要とする金型等の表面改質には、被照射体の例えば姿勢を変える等の面倒な操作が必要になるなどの問題があった。
被照射体12として、前述の図11の縦横長比が、1:1のものに対し、それ以外のもの、断面三角形のもの、及び五角形、六角形、又はそれ以上の多角形体に対する表面改質の電子ビームパルス11の照射においても頂部表面外周縁からの外周に対する側面廻り込み又は掛け下りの状況は、外側面の何れにおいても前述図11(A)、(B)に図示して説明したのと、同様な状況で、側面の頂部表面周縁から深さ方向10〜15mmの深さにわたる側面改質は半端で不満なものであった。
前述の問題点の原因を探るべく、上述図8乃至図11の表面改質の実施実験条件の検証を行なった。
電子銃部1Aの内径:φ190mm、内部軸方向長さ:350mm、カソード8電極前面縁から電子銃部1A開口前面縁迄の長さ:151mm、アノード6前面縁から電子銃部1A開口前縁迄の長さ:90mm、カソード8:φ0.15mmチタン(Ti)針金のφ60mmの束、アノード6:断面2mm×20mmで、内径:φ120mmの環、カソード8電極前面縁から、ターゲットテーブル14に設置した被照射体12の頂部表面12A、121A、123A迄の距離:181mm(電子銃部1A開口前縁からの距離:30mm)、ソレノイドコイル5:設置位置は後述する電子銃部1Aの開口前縁廻り、被照射体:SKD11、電離ガス:Ar0.05Pa。
なお、コイル5、アノード6、及びカソード8に対する第1、第2、及び第3パルス電源による励磁電圧、電流(peak)条件(励磁タイミングチャートを含む)は図7に示した通りであり、使用カロリメータによれば、照射電子ビーム11のエネルギ密度は、約6〜7J/cm2と推定された。
電子銃部1Aの内径:φ190mm、内部軸方向長さ:350mm、カソード8電極前面縁から電子銃部1A開口前面縁迄の長さ:151mm、アノード6前面縁から電子銃部1A開口前縁迄の長さ:90mm、カソード8:φ0.15mmチタン(Ti)針金のφ60mmの束、アノード6:断面2mm×20mmで、内径:φ120mmの環、カソード8電極前面縁から、ターゲットテーブル14に設置した被照射体12の頂部表面12A、121A、123A迄の距離:181mm(電子銃部1A開口前縁からの距離:30mm)、ソレノイドコイル5:設置位置は後述する電子銃部1Aの開口前縁廻り、被照射体:SKD11、電離ガス:Ar0.05Pa。
なお、コイル5、アノード6、及びカソード8に対する第1、第2、及び第3パルス電源による励磁電圧、電流(peak)条件(励磁タイミングチャートを含む)は図7に示した通りであり、使用カロリメータによれば、照射電子ビーム11のエネルギ密度は、約6〜7J/cm2と推定された。
なお、前記ソレノイドコイル5は、従来例に於いては、アノード6を軸方向に挟んで一対設けられているケースを多く見掛けるが、吾人のテスト及び上述の実験をした限りに於いては、上述の1個のコイル5を図示、説明の位置に設けて使用すれば、充分目的の用を果たしているものと確信している。
また、前記ソレノイドコイル5の励磁による電子銃部1A内の磁場の形成状態は、図12に示すように、コイル5が電子銃部1Aに設置された状態でカソード8からターゲット14を見る位置関係で右巻きであり、電子銃部1A(アノード6)内の磁場(磁力線)の方向は、前記カソード8からターゲット14を見る向きに形成されているものである。なお、ハウジングを含み電子銃部1A及びターゲット14廻りの部品は、その大部分が非磁性のステンレス材から構成されているものである。
また、前記ソレノイドコイル5の励磁による電子銃部1A内の磁場の形成状態は、図12に示すように、コイル5が電子銃部1Aに設置された状態でカソード8からターゲット14を見る位置関係で右巻きであり、電子銃部1A(アノード6)内の磁場(磁力線)の方向は、前記カソード8からターゲット14を見る向きに形成されているものである。なお、ハウジングを含み電子銃部1A及びターゲット14廻りの部品は、その大部分が非磁性のステンレス材から構成されているものである。
以上のことから、そして前述図8乃至図11に於ける照射電子ビームのパルス11による被照射体12側面に対する特に図11の偏倚した表面改質状態、電子ビームの被照射体側面に対する廻り込み状況から見ると、ソレノイドコイル5によって形成される磁場と、第3のパルス電源18によってカソード8とターゲット14間に印加されて、カソード8表面から叩き、及び/又は引き出された電子を引張り加速し、アノードプラズマを導体通路として通過して形成される電子ビーム(電流)との間の何等かの電磁作用に起因して生じている現象ではないかと思い、アノード6と、コイル5、及びカソード8間の相対位置変更から、各パルス電源16、17、18による印加電圧及び放電電流の値の変更とか、印加放電のタイミング変更等等の実験を繰り返している内の、前記コイル5による電子銃部1A内磁場(磁力線)の方向を反転させた所、前記図11の(B)の被照射体123の側面123Bに於ける改質表面123xのパターンが左右反転することを発見したものである。
そこで本発明は、電界放射カソードと、アノードプラズマ生成環状アノード電極と、前記電界放射カソードからの電子ビームを受ける被照射体を設置するテーブルターゲットとを一軸上に備えると共に被電離低圧希ガスを収納するハウジング内に設けられ、該ハウジング内に磁場を形成するソレノイドが設けられる電子銃であって、前記ソレノイドが磁場を形成してからアノードプラズマを生成させ、更に電界放射カソードとターゲットとの間に高い負の電圧パルスを加速電圧として印加してアノードプラズマを通路とする電子ビームのパルスを生成、放射して前記被照射体の表面を処理する表面改質方法において、被照射体の頂部表面外周縁から外周側面に廻り込む、及び/又は側面を掛け下りる表面改質が、外周全体に於いて、深さ方向にほぼ等しい距離行なわれるようにする方法及び装置を提供することを目的とする。
前述の本発明の目的は、(1)電子ビーム発生部を収納する円筒状の電子銃部と、電子ビームの被照射体を設置するターゲットテーブルを収納する照射処理部とを気密に結合させた真空ハウジングであって、所望の希ガスが所定の低気圧状態に充填保持され、前記電子銃部の一方の照射処理部側に設けられる環状アノードと、該環状アノードの軸線上の電子銃部の他側端部に設けられる大面積の電界放射カソードと、該カソードと前記アノード設置領域を含む電子銃部内に、前記アノードの軸線の周りを該軸線方向の磁力線で取り囲む磁場を形成し得るように電子銃の外周に同軸状に巻回して設けたソレノイドと、前記電子銃部内に前記磁場を所定時間形成するように前記ソレノイドを所定の電流値で励磁する第1のパルス電源と、前記低気圧ガス空間中に設けられた前記ターゲットテーブルと環状アノードとの間に、前記第1のパルス電源によるソレノイドの励磁が所定の磁場形成状態になるのを待つか検出して印加され、前記低圧充填希ガスの電離によりアノードプラズマを生成させるために接続される第2のパルス電源と、前記第2のパルス電源による電圧印加開始後の前記アノードプラズマが生成した微小遅延時間後に前記ターゲットに対してカソードに立ち上がり時間が短い負の高電圧を電子ビームパルスの照射時間となる所定の時間幅の間印加する第3のパルス電源とを設け、前記テーブルに設置した被照射体に所要複数回前記電子ビームのパルスを照射して被照射体の表面改質する方法に於いて、繰り返される電子ビームパルスの生成を前記磁場の磁力線の方向を適宜に反転させて行なう表面改質方法とすることにより達成される。
また、前述の本発明の目的は、(2)前記磁場の磁力線の反転は、電子ビームパルスの生成が、一回または複数回ずつ交互に行なわれる前記(1)に記載の表面改質方法とすることにより達成される。
また、前述の本発明の目的は、(3)前記磁場の磁力線の反転による生成電子ビームのパルスの照射を互いに同数とする前記(2)に記載の表面改質方法とすることにより達成される。
また、前述の本発明の目的は、(4)電子ビーム発生部を収納する円筒状の電子銃部と、電子ビームの被照射体を設置するターゲットテーブルを収納する照射処理部とを気密に結合させた真空ハウジングであって、所望の希ガスが所定の低気圧状態に充填保持され、前記電子銃部の一方の照射処理部側に設けられる環状アノードと、該環状アノードの軸線上の電子銃部の他側端部に設けられる大面積の電界放射カソードと、該カソードと前記アノード設置領域を含む電子銃部内に、前記アノードの軸線の周りを該軸線方向の磁力線で取り囲む磁場を形成し得るように電子銃の外周に同軸状に巻回して設けたソレノイドと、
前記電子銃部内に前記磁場を所定時間形成するように前記ソレノイドを所定の電流値で励磁する第1のパルス電源と、前記低気圧ガス空間中に設けられた前記ターゲットテーブルと環状アノードとの間に、前記第1のパルス電源によるソレノイドの励磁が所定の磁場形成状態になるのを待つか検出して印加され、前記低圧充填希ガスの電離によりアノードプラズマを生成させるために接続される第2のパルス電源と、前記第2のパルス電源による電圧印加開始後の前記アノードプラズマが生成した微小遅延時間後に前記ターゲットに対してカソードに立ち上がり時間が短い負の高電圧を電子ビームパルスの照射時間となる所定の時間幅の間印加する第3のパルス電源とを設け、さらに、前記磁場の磁力線の方向を反転させる手段が設けられている表面改質装置とすることにより達成される。
前記電子銃部内に前記磁場を所定時間形成するように前記ソレノイドを所定の電流値で励磁する第1のパルス電源と、前記低気圧ガス空間中に設けられた前記ターゲットテーブルと環状アノードとの間に、前記第1のパルス電源によるソレノイドの励磁が所定の磁場形成状態になるのを待つか検出して印加され、前記低圧充填希ガスの電離によりアノードプラズマを生成させるために接続される第2のパルス電源と、前記第2のパルス電源による電圧印加開始後の前記アノードプラズマが生成した微小遅延時間後に前記ターゲットに対してカソードに立ち上がり時間が短い負の高電圧を電子ビームパルスの照射時間となる所定の時間幅の間印加する第3のパルス電源とを設け、さらに、前記磁場の磁力線の方向を反転させる手段が設けられている表面改質装置とすることにより達成される。
また、前述の本発明の目的は、(5)前記磁場の磁力線の方向を反転させる手段が、前記第1のパルス電源の出力端子とソレノイドコイルの入力端子との間に、コイルの励磁電流の方向を切換えるために設けられた極性切換手段から成る前記(4)に記載の表面改質装置とすることにより達成される。
また、前述の本発明の目的は、(6)前記磁場の磁力線の方向を反転させる手段が、互いに逆向きに巻回されたソレノイドが一対設けられ、前記第1のパルス電源が両ソレノイドを切換え励磁し得るように設けられるか、または前記両ソレノイドに別個に第1のパルス電源が設けられ、両電源に対する選択作動手段が設けられて成る前記(4)に記載の表面改質装置とすることにより達成される。
前述の本発明(1)乃至(3)によれば、ターゲットのテーブル上に設置する表面改質用の被照射体として、電子ビームの照射方向に厚さ、深さ、又は高さ等を有する3次元形状体で、要改質表面外周縁より前記高さ等の方向に要改質外側面を有する被照射体の表面改質を、電子ビームパルスの生成、照射の際に、その領域に発生、作用させられる磁場(磁力線)の方向を適宜に反転させながら行なうようにすることにより、所望複数回の電子ビームのパルスを繰り返し照射するうちに、確実に目的通り、所望の領域に渡る改質を行なうことができるようになる。
また、前述本発明(4)―(5)によれば、被照射体の上部表面と共にこの上部表面の外周縁より外周側面を所望の深さ方向の側面領域に渡って改質する方法を簡単確実に行なうことができる効果を奏するものである。
さらに、前述の本発明(6)によれば、前記発明(5)の、コイル5に対する極性切換装置を介してのカソード励磁直流パルス電源18の接続と言う構成に対し、ときに装置構成や制御の自由度を増し得る利点を有するものである。
図1は、電子銃部1Aと前述第1、第2、及び第3のパルス電源16、17、及び18とにより本発明表面改質方法を実施する一実施例電源回路の説明図で、前述従来例の図6に於いて図示説明したものと同一物又は同等物には同一符号が付せられていて、一部説明が省略してある。
第1、第2、及び第3のパルス電源16、17、18は図示のように夫々コンデンサ16C,17C、及び18Cと、該各コンデンサを充電する直流電源16A、17A,18A、及び各コンデンサの電圧を印加して放電させるスイッチ16B、17B,18Bとそのトリガ駆動回路16D,17D,18Dを有し、カソード8とターゲット14間に高圧コンデンサ18Cを接続印加して放電させることにより大電流の電子ビームを生成加速するスイッチ18Bは、他のスイッチ16B、17Bのようなサイリスタ等では、容量が不足するところから、例えば、冷却能の高い水素ガス等を封入したギャップスイッチ18Bを使用するのが望ましいものである。
10は、前述電子銃部1A内に磁場を形成させるためのソレノイドコイル5の励磁入力端子と、その励磁電源16の出力端子との間に挿設されて極性切換装置で、カソード8からターゲット14を見て右巻き又は左巻きのソレノイド5に、電源16からのコンデンサ16C放電電圧・電流の向きを反転変更することにより電子銃部1Aのアノード6、環状電極の内外に形成される磁場の磁力線の向きを反転させることができる。
図示例の極性切換装置10は、ダブル・ブレイク及びダブル・メイク接点の組み合わせから成り、図示しないスプリング等により常時はオンの図示するB接点作動時に、前記右巻きソレノイド5に放電した励磁電流によって形成される磁場の磁力線の向きはカソード8からターゲット14に向う向きであり、図示しない制御装置からの指令によってリレーコイルが励磁されてA接点オンに切換えられている状態においてソレノイド5に放電した励磁電流によって形成される磁場の磁力線の向きは、前記ターゲット14からカソード8に向う向きであって、前述の場合に対し磁場の磁力線の向きは反転しているものである。
この図1の表面改質装置を用いて前述図11と同じ正方四角柱台123の表面改質を本発明方法により行なった。なお、表面改質は、前述図11の実験を行なった検証実験の条件と実質同一に設定されているものとする。
図2に於いて、(A)は平面図、(B)は正面図で、(C)は、図8の(B)と同じく、即ち、前記極性切換装置10のB接点オンの状態でソレノイド5を例示して磁場形成を行なってアノード6励起によるアノードプラズマ7の生成、次いでカソード8を励起して改質電子ビーム11を生成させて四角柱台123上部表面123Aを照射改質したときの、各四方側面123Bの改質状態を示すもので、符号123xを付したクロス斜線を施した部分が、電子ビーム照射改質領域であって、頂部表面123Aの外周縁外を降下照射される電子ビーム11の一部以上が外周側面に沿って掛け下り又は外周側面に廻り込んで改質されたものである。各側面の改質領域、又はそのパターンは、四角柱台123が電子ビーム11の断面に中心を一致させてあるのでほぼ同一であり、各側面の改質領域は右肩下がりに狭くなっている。
図2(C)の右側に(D)として示したものは、前述(A),(B)のように設置した四角柱台123に対し、図1の極性切換装置10を指令又は設定によりA接点をオンに切換えた状態として電子ビームのパルス11を生成、照射した際の各四方側面の改質状態をパターン化して示したもので、前述(C)に対し左右を反転させたものとなっているが、この(C)と(D)の違いは唯一のものであって、その違いは、電子ビームパルス11の照射、加速領域に付与される磁場の磁力線の方向が前述反転していることだけなのである。
そこで本発明は、正方四角柱台状の被照射体123に対する頂部表面123Aとその外周縁から外周側面へと続く外周側面の表面改質に於いて、図1の表面改質装置により繰り返し照射される電子ビームのパルス11の生成、照射の加速空間の照射軸方向に与えられる磁場の磁力線の方向を反転させながら行なうことにより、図2の(E)に示すように、前記外周廻り全体に於いて、深さ方向にほぼ等しい領域迄等しく表面改質を行なうことに成功したものである。前記磁場の磁力線の方向の反転は、電子ビームパルスの照射の毎に、即ち、交互に方向を変えながら必要な照射回数照射して改質処理を進めるのが改質のバランスを保って処理が進められて良いようであるが、特定の目的等ケースによっては、各任意回数の照射の毎に磁場の磁力線の方向を変更させるようにすることができる。
図3は、横40mm、縦20mm、厚さ(高さ)30mmのSKD11材にワイヤ放電加工により、横方向に2条の溝列と縦方向に3条の溝列を約7mmの深さに加工形成したものを表面改質(溝側面を含む主として面粗度改善)の被照射体として使用した例を示すもので、前述来の改質の電子ビームのパルス11は、被照射体の頂部表面から最大で約10〜15mmの深さの外周側面の改質能力(エネルギ密度J/cm2)を有するものであるので、溝幅の狭い縦溝列部を除き、頂部表面は勿論各溝列の溝側面(立ち壁面)及び溝底面が、2回の磁場の磁力線の方向を反転させた電子ビームパルスの照射で、全体的にむらなく放電加工面3.48μmRyが2.04μmRyに仕上り、エッジのダレも金型としての使用の許容範囲に収まっていた。
前述図1に於ける極性切換装置10は、ソレノイドコイル5が1個に対して、コンデンサ充電電源1個と言う構成によるもので、コンデンサ充電電源を2個用意すれば、2つのコンデンサ充電電源から一方を選んでコイル5に接続する構成としても良い。
また、本発明の実施に使用可能なソレノイド5と電源16及びスイッチ10による、装置の構成としては、1つのコンデンサ充電電源に対する2つのソレノイドコイルの組合わせる方式のものとして、例えば、図4(A)は電子銃部に設置した状態で互いに逆巻のコイルの一方を選択して電源に接続使用する態様、同(B)は同じく2つの同一方向に巻いたコイルを極性切換的に切換えて電源に接続使用する態様のものなどがある。
そして、さらに、切換選択するコイルが同一方向巻きか2つが互に逆巻きのコイルを備えるのに対し、2つのコンデンサ充電電源を使用する場合で、本発明の目的を達するための接続、切換えには多様な接離構成とすることができるので、その1例を図5に示しておくものとする。
本発明は、断面積が大きくエネルギの大きい電子ビームのパルスを使用する表面改質の実用化と用途拡大の道を拓くものである。
1 ハウジング
1A 電子銃部
1B 加工処理函体部
2 スクロールポンプ
3 ターボ分子ポンプ
4 流量調整弁
5 ソレノイド
6 アノードプラズマ生成環状電極
7 アノードプラズマ
8 カソード
9 カソードプラズマ
10 極性切換装置
11 電子ビームパルス
12 被照射体
14 ターゲット
15 電離性希ガス
16 ソレノイド励磁パルス電源
17 アノードプラズマ生成パルス電源
18 電子ビーム生成加速用カソードパルス電源
16A,17A,18A コンデンサ充電直流電源
16B,17B,18B 電圧印加、放電スイッチ
16C,17C,18C コンデンサ
16D,17D,18D トリガ駆動回路
1A 電子銃部
1B 加工処理函体部
2 スクロールポンプ
3 ターボ分子ポンプ
4 流量調整弁
5 ソレノイド
6 アノードプラズマ生成環状電極
7 アノードプラズマ
8 カソード
9 カソードプラズマ
10 極性切換装置
11 電子ビームパルス
12 被照射体
14 ターゲット
15 電離性希ガス
16 ソレノイド励磁パルス電源
17 アノードプラズマ生成パルス電源
18 電子ビーム生成加速用カソードパルス電源
16A,17A,18A コンデンサ充電直流電源
16B,17B,18B 電圧印加、放電スイッチ
16C,17C,18C コンデンサ
16D,17D,18D トリガ駆動回路
Claims (6)
- 電子ビーム発生部を収納する円筒状の電子銃部と、電子ビームの被照射体を設置するターゲットテーブルを収納する照射処理部とを気密に結合させた真空ハウジングであって、所望の希ガスが所定の低気圧状態に充填保持され、前記電子銃部の一方の照射処理部側に設けられる環状アノードと、該環状アノードの軸線上の電子銃部の他側端部に設けられる大面積の電界放射カソードと、該カソードと前記アノード設置領域を含む電子銃部内に、前記アノードの軸線の周りを該軸線方向の磁力線で取り囲む磁場を形成し得るように電子銃の外周に同軸状に巻回して設けたソレノイドと、前記電子銃部内に前記磁場を所定時間形成するように前記ソレノイドを所定の電流値で励磁する第1のパルス電源と、前記低気圧ガス空間中に設けられた前記ターゲットテーブルと環状アノードとの間に、前記第1のパルス電源によるソレノイドの励磁が所定の磁場形成状態になるのを待つか検出して印加され、前記低圧充填希ガスの電離によりアノードプラズマを生成させるために接続される第2のパルス電源と、前記第2のパルス電源による電圧印加開始後の前記アノードプラズマが生成した微小遅延時間後に前記ターゲットに対してカソードに立ち上がり時間が短い負の高電圧を電子ビームパルスの照射時間となる所定の時間幅の間印加する第3のパルス電源とを設け、前記テーブルに設置した被照射体に所要複数回前記電子ビームのパルスを照射して被照射体の表面改質する方法に於いて、繰り返される電子ビームパルスの生成を前記磁場の磁力線の方向を適宜に反転させて行なうことを特徴とする表面改質方法。
- 前記磁場の磁力線の反転は、電子ビームパルスの生成が、一回または複数回ずつ交互に行なわれることを特徴とする請求項1に記載の表面改質方法。
- 前記磁場の磁力線の反転による生成電子ビームのパルスの照射を互いに同数とする請求項2に記載の表面改質方法。
- 電子ビーム発生部を収納する円筒状の電子銃部と、電子ビームの被照射体を設置するターゲットテーブルを収納する照射処理部とを気密に結合させた真空ハウジングであって、所望の希ガスが所定の低気圧状態に充填保持され、前記電子銃部の一方の照射処理部側に設けられる環状アノードと、該環状アノードの軸線上の電子銃部の他側端部に設けられる大面積の電界放射カソードと、該カソードと前記アノード設置領域を含む電子銃部内に、前記アノードの軸線の周りを該軸線方向の磁力線で取り囲む磁場を形成し得るように電子銃の外周に同軸状に巻回して設けたソレノイドと、前記電子銃部内に前記磁場を所定時間形成するように前記ソレノイドを所定の電流値で励磁する第1のパルス電源と、前記低気圧ガス空間中に設けられた前記ターゲットテーブルと環状アノードとの間に、前記第1のパルス電源によるソレノイドの励磁が所定の磁場形成状態になるのを待つか検出して印加され、前記低圧充填希ガスの電離によりアノードプラズマを生成させるために接続される第2のパルス電源と、前記第2のパルス電源による電圧印加開始後の前記アノードプラズマが生成した微小遅延時間後に前記ターゲットに対してカソードに立ち上がり時間が短い負の高電圧を電子ビームパルスの照射時間となる所定の時間幅の間印加する第3のパルス電源とを設け、さらに、前記磁場の磁力線の方向を反転させる手段が設けられていることを特徴とする表面改質装置。
- 前記磁場の磁力線の方向を反転させる手段が、前記第1のパルス電源の出力端子とソレノイドコイルの入力端子との間に、コイルの励磁電流の方向を切換えるために設けられた極性切換手段から成ることを特徴とする請求項4に記載の表面改質装置。
- 前記磁場の磁力線の方向を反転させる手段が、互いに逆向きに巻回されたソレノイドが一対設けられ、前記第1のパルス電源が両ソレノイドを切換え励磁し得るように設けられるか、または前記両ソレノイドに別個に第1のパルス電源が設けられ、両電源に対する選択作動手段が設けられて成ることを特徴とする請求項4に記載の表面改質装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005319235A JP2007125574A (ja) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | 電子ビーム表面改質方法及び装置 |
PCT/JP2006/311883 WO2006132421A1 (ja) | 2005-06-07 | 2006-06-07 | 電子ビームによってワークの表面を改質する方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005319235A JP2007125574A (ja) | 2005-11-02 | 2005-11-02 | 電子ビーム表面改質方法及び装置 |
Publications (1)
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JP2007125574A true JP2007125574A (ja) | 2007-05-24 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005319235A Pending JP2007125574A (ja) | 2005-06-07 | 2005-11-02 | 電子ビーム表面改質方法及び装置 |
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JP (1) | JP2007125574A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009191733A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Toshiba Corp | 蒸気タービン翼およびその表面改質方法 |
JP2013049880A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Sodick Co Ltd | 金属表面改質方法 |
KR101990921B1 (ko) * | 2017-12-21 | 2019-06-19 | 울산과학기술원 | 금속 표면 처리 장치 및 방법 |
CN114507841A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-05-17 | 马鞍山市鑫龙特钢有限公司 | 一种碳素钢制件多元合金共渗工艺 |
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2005
- 2005-11-02 JP JP2005319235A patent/JP2007125574A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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