JP2007114660A - 液晶表示モジュールの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本来欠陥のある液晶表示パネルあるいは液晶表示モジュールがパネル点灯検査およびモジュール点灯検査を良品としてくぐりぬけて以降の製造工程や流通過程に流れないようにする。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタを備えた液晶表示パネルを作成し、ついで、この液晶表示パネルの薄膜トランジスタに対して、この薄膜トランジスタの耐圧の70〜100%に相当する電圧を印加したのち、この液晶表示パネルに点灯検査を行って、不良の液晶表示パネルを検出し、これを除外し、良品の液晶表示パネルに駆動用ICを実装して液晶表示モジュールとする。高電圧をゲート電極側に印加することが好ましく、高周波の矩形波の高電圧を印加することが好ましい。
【選択図】なし
【解決手段】複数の薄膜トランジスタを備えた液晶表示パネルを作成し、ついで、この液晶表示パネルの薄膜トランジスタに対して、この薄膜トランジスタの耐圧の70〜100%に相当する電圧を印加したのち、この液晶表示パネルに点灯検査を行って、不良の液晶表示パネルを検出し、これを除外し、良品の液晶表示パネルに駆動用ICを実装して液晶表示モジュールとする。高電圧をゲート電極側に印加することが好ましく、高周波の矩形波の高電圧を印加することが好ましい。
【選択図】なし
Description
この発明は、薄膜トランジスタアクティブマトリクス型の液晶表示モジュールの製造方法に関し、液晶表示パネルに設けられた薄膜トランジスタ(以下、TFTと略称する)などに潜む潜在的な欠陥を検知して、潜在的な欠陥が潜む液晶表示パネルが以後の製造工程、流通過程に流れないようにするものである。
液晶表示モジュールの製造は、まず液晶表示パネルを作製し、この液晶表示パネルに対して点灯検査を実施して不良品を検出、除外し、良品の液晶表示パネルに駆動用ICを実装して液晶表示モジュールとし、この液晶表示モジュールに対して再度点灯検査を実施する方法によって行われている。
この一連の工程において、パネル点灯検査およびモジュール点灯検査を経て良品とされた液晶表示モジュールに、その後の製造工程、流通過程において、点灯不良などの欠陥が新たに発見されることがまれにあり、その解消が望まれていた。
特開平9−311306号公報
よって、本発明における課題は、本来欠陥のある液晶表示パネルあるいは液晶表示モジュールがパネル点灯検査およびモジュール点灯検査をくぐりぬけて良品として以降の製造工程や流通過程に流れないようにすることにある。
かかる課題を解決するため、
請求項1にかかる発明は、複数の薄膜トランジスタを備えた液晶表示パネルを作成し、ついで、この液晶表示パネルの薄膜トランジスタに対して、この薄膜トランジスタの耐圧の70〜100%に相当する高電圧を印加したのち、この液晶表示パネルに点灯検査を行うことを特徴とする液晶表示モジュールの製造方法である。
請求項1にかかる発明は、複数の薄膜トランジスタを備えた液晶表示パネルを作成し、ついで、この液晶表示パネルの薄膜トランジスタに対して、この薄膜トランジスタの耐圧の70〜100%に相当する高電圧を印加したのち、この液晶表示パネルに点灯検査を行うことを特徴とする液晶表示モジュールの製造方法である。
請求項2にかかる発明は、前記高電圧を薄膜トランジスタのゲート電極側に印加することを特徴とする請求項1記載の液晶表示モジュールの製造方法である。
請求項3にかかる発明は、前記高電圧は高周波の矩形波であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示モジュールの製造方法である。
請求項3にかかる発明は、前記高電圧は高周波の矩形波であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示モジュールの製造方法である。
請求項4にかかる発明は、複数の薄膜トランジスタと対向電極を備えた液晶表示パネルを作成し、ついで、薄膜トランジスタのゲートを開いた状態としたうえ、上記対向電極に対して、この薄膜トランジスタの耐圧の70〜100%に相当する高電圧を印加したのち、この液晶表示パネルに点灯検査を行うことを特徴とする液晶表示モジュールの製造方法である。
本発明によれば、本来欠陥のある液晶表示パネルあるいは液晶表示モジュールがパネル点灯検査およびモジュール点灯検査を良品としてくぐりぬけて以降の製造工程や流通過程に流れることがない。
すなわち、本来欠陥のある液晶表示パネルあるいは液晶表示モジュールがパネル点灯検査およびモジュール点灯検査を良品としてくぐりぬける原因は、以下に詳しく説明するように、TFTの絶縁層内に導電性異物が混入してその耐圧が低下していることが第1に挙げられる。
このため、耐圧に近い電圧を印加することで、導電性異物が混入している絶縁層が絶縁破壊を起こし、そのTFTの動作不良をパネル点灯検査で検出できるようにする。
このため、耐圧に近い電圧を印加することで、導電性異物が混入している絶縁層が絶縁破壊を起こし、そのTFTの動作不良をパネル点灯検査で検出できるようにする。
また、第2の原因として、TFTの半導体層に異物が存在する場合が挙げられる。この場合には、特にゲート電極側から耐圧に近い電圧を印加することで、この半導体層が破壊され、やはり不良品として次のパネル点灯検査で検出できる。
第3の原因として、画素電極上あるいは画素電極近傍に導電性異物が存在する場合が挙げられる。この場合には、対向基板の対向電極に耐圧に近い電圧を印加して、画素電極や導電性異物を破壊して、パネル点灯検査で不良品として検出する。
また、高周波の矩形波の高電圧を印加することで、正常なTFTを破壊することが防止できる。
以上により本発明にあっては、液晶表示モジュールの信頼性が向上し、液晶表示モジュールの製造にかかるコストの低減が可能になるなどの効果が得られる。
以上により本発明にあっては、液晶表示モジュールの信頼性が向上し、液晶表示モジュールの製造にかかるコストの低減が可能になるなどの効果が得られる。
まず、本来欠陥のある液晶表示パネルあるいは液晶表示モジュールがパネル点灯検査およびモジュール点灯検査をくぐりぬける原因について詳しく説明する。
この原因は、液晶表示パネル製造の際にTFTを構成する絶縁層内に微少な導電性異物が混入していることにある。
この原因は、液晶表示パネル製造の際にTFTを構成する絶縁層内に微少な導電性異物が混入していることにある。
液晶表示パネルの製造は、薄膜形成技術、微細加工技術を用いて、例えば一方のガラス基板に複数のゲート線、複数のソース線および複数の補助容量配線を格子状に形成し、複数の画素電極をマトリクス状に形成し、さらに個々の画素電極に対応してTFTを形成してTFTアレイ基板を作製する。
また、他方のガラス基板に、カラーフィルタと上記画素電極に対向する対向電極を形成して対向基板を作製する。
ついで、TFTアレイ基板と対向基板とを重ね合わせ、基板の周辺部を封止樹脂で封止し、2枚の基板間の間隙に液晶を注入したのち、基板の外側面に光学フィルムを貼付して液晶表示パネルとする方法で行われている。
ついで、TFTアレイ基板と対向基板とを重ね合わせ、基板の周辺部を封止樹脂で封止し、2枚の基板間の間隙に液晶を注入したのち、基板の外側面に光学フィルムを貼付して液晶表示パネルとする方法で行われている。
この製造において、TFTアレイ基板のTFTを構成する絶縁層内に微少な導電性異物が混入することがある。この導電性異物は、絶縁層の成膜時に何らかの理由により導電性薄膜の微少な破片が取り込まれたものである。
このようにTFTの絶縁層内に導電性異物が混入している場合には、2回の点灯検査では、通常の動作条件での電圧を印加して行われるため、絶縁層に加わる電位は、さほど高くなく、この電圧では絶縁層の絶縁破壊が生じず、正常の動作を示すことになる。
その後、何らかの原因、例えば静電気が加わって、TFTにその耐圧に近い電圧あるいは耐圧を超える電圧が加わると、絶縁層内に導電性異物が混入しているTFTでは、その絶縁層の絶縁破壊が生じ、このTFTが動作不良となるのである。
また、同様の現象は、TFTの絶縁層内に導電性異物が混入した場合だけではなく、TFTを構成する半導体層に異物が混入している場合や、画素電極上あるいは画素電極近傍に導電性異物が存在している場合にも発生することがある。
このため、本発明では、液晶表示パネルを製造したのち、通常のパネル点灯検査に先立って、通常のパネル点灯検査における印加電圧よりも高い電圧を印加して、絶縁層に導電性異物が混入している恐れのあるTFT、半導体層に異物が混入している恐れのあるTFT、画素電極上あるいは画素電極近傍に導電性異物が存在している恐れのある画素電極を破壊しておき、その後のパネル点灯検査の際にこれを検出し、不良品の液晶表示パネルとして製造ラインから除外するものである。
本発明の製造方法にあっては、まず液晶表示パネルを常法によって作製する。ついで、この液晶表示パネルのTFTに対して、TFTの耐圧の70〜100%の電圧(以下、試験電圧と言う。)を印加する。この印加工程を、以下予備検査と呼ぶことにする。
本発明において、TFTの耐圧とは、TFTの動作保証電圧を言う。
本発明において、TFTの耐圧とは、TFTの動作保証電圧を言う。
図1は、TFTアレイ基板に形成されたTFTの例を示すもので、図中符号1はゲート電極を、2は第1絶縁層を、3は半導体層を、4はオーミックコンタクト層を、5はソース電極を、6はドレイン電極を、7は第2絶縁層を示す。このTFTについては、従来周知のものであるので、その説明を省略する。
この予備検査の第1の実施形態は、TFTのゲート電極1とソース電極5との間、ゲート電極1とドレイン電極6との間、ソース電極5とドレイン電極6との間のすくなくとも1つの間またはすべての間に、試験電圧を印加するものである。
実際には、TFTアレイ基板に形成されたゲート線、ソース線、補助容量配線を利用してTFTアレイ基板に形成されたすべてのTFTに同時に試験電圧を印加することになる。
実際には、TFTアレイ基板に形成されたゲート線、ソース線、補助容量配線を利用してTFTアレイ基板に形成されたすべてのTFTに同時に試験電圧を印加することになる。
この試験電圧が、TFTの耐圧の100%を越えると、正常なTFTが破壊され、70%未満では欠陥のある絶縁層2、7、半導体層3を破壊することができない。試験電圧は、パルス幅10〜100μsec.、デューティ比50〜500の高周波の矩形波が用いられ、実効電圧がTFTの耐圧を越えないようにされる。試験電圧の印加時間は1〜2秒間とされる。このような試験電圧を用いることにより、絶縁層2、7の絶縁性が低下しやすくなり、放電現象が生じやすくなる。
例えば、TFTの耐圧が5Vであった場合、交流100V、1/20デュティの矩形波を周期30μsec.で印加し、試験電圧の実効値が5Vとなるようにし、その耐圧を越えないようにする。また、TFTの耐圧が1Vであった場合には、交流100V、1/100デュティの矩形波を周期30μsec.で印加し、試験電圧の実効値が1Vとなるようにし、その耐圧を越えないようにする。
この試験電圧の印加により、TFTの第1絶縁層2および/または第2絶縁層7に導電性異物が混入していた場合には、これらの絶縁層2、7の絶縁性が低下しているので、放電現象により瞬間的に大きな電流が流れ、絶縁層2、7が破壊される。また、絶縁層2、7にそのような異物が存在しない正常なTFTは破壊されない。
この実施形態において、ゲート電極1側から試験電圧を印加するものでは、ソース電極5および/またはドレイン電極6に大きな電流を流すことができ、第1絶縁層2に導電性異物が混入した場合に第1絶縁層2を確実に破壊することができる。
かくして、絶縁層2、7が破壊されたTFTは、次のパネル点灯検査において、不良として検出され、その液晶表示パネルが除外される。
かくして、絶縁層2、7が破壊されたTFTは、次のパネル点灯検査において、不良として検出され、その液晶表示パネルが除外される。
さらに、ゲート電極1側に試験電圧を印加すると、TFTの半導体層3に異物が混入して耐圧が低下しているなどの不具合がある場合には、この半導体層3が破壊され、つぎのパネル点灯検査において、不良として検出される。これによって、例えば半導体層3の耐圧が10%程度低下しているものでも、これを検出することができる。
予備検査の第2の実施形態は、TFTのゲート電極1にある値の電圧を印加して、ゲートを開いた状態(TFTのON状態)とし、画素電極に印加される電圧を0Vとし、対向電極に試験電圧を印加するものである。
この実施形態によれば、画素電極上あるいは画素電極近傍に導電性異物が存在した場合にその画素電極が破壊され、次のパネル点灯検査において不良として検出される。
この実施形態によれば、画素電極上あるいは画素電極近傍に導電性異物が存在した場合にその画素電極が破壊され、次のパネル点灯検査において不良として検出される。
このようにして液晶表示パネルに対して予備検査を行ったのち、この液晶表示パネルに対してパネル点灯検査を行う。
このパネル点灯検査は、従来から行われているものと同様であり、その詳細な説明は省略する。このパネル点灯検査では、先の予備検査において破壊されたTFT、画素電極を検出すると同時に液晶表示パネル製造工程までにおいて生じた欠陥を検出するものであり、全点灯、全不点灯、RGBパターン点灯などが行われる。
このパネル点灯検査は、従来から行われているものと同様であり、その詳細な説明は省略する。このパネル点灯検査では、先の予備検査において破壊されたTFT、画素電極を検出すると同時に液晶表示パネル製造工程までにおいて生じた欠陥を検出するものであり、全点灯、全不点灯、RGBパターン点灯などが行われる。
このパネル点灯検査によって、点灯不良等の欠陥が検出された液晶表示パネルは、不良品として製造ラインから除外され、良品はつぎのモジュール製造工程に送られる。
モジュールの製造工程では、液晶表示パネルに駆動用ICを実装して、液晶表示モジュールとする。この液晶表示モジュールは、さらにモジュール点灯検査が施され、これに合格したものが次の製造工程に流される。
モジュールの製造工程では、液晶表示パネルに駆動用ICを実装して、液晶表示モジュールとする。この液晶表示モジュールは、さらにモジュール点灯検査が施され、これに合格したものが次の製造工程に流される。
このような製造方法によれば、通常のパネル点灯検査およびモジュール点灯検査によって検出できなかった潜在的な欠陥を有する液晶表示パネルまたは液晶表示モジュールを後工程に流すことや製品として出荷することが無くなり、製品の信頼性が向上するととも潜在的な欠陥を有する液晶表示パネルまたは液晶表示モジュールに対して無駄な製造工程を加えることが無くなり、製造コストを低減できるものとなる。
1・・ゲート電極
Claims (4)
- 複数の薄膜トランジスタを備えた液晶表示パネルを作成し、ついで、この液晶表示パネルの薄膜トランジスタに対して、この薄膜トランジスタの耐圧の70〜100%に相当する高電圧を印加したのち、この液晶表示パネルに点灯検査を行うことを特徴とする液晶表示モジュールの製造方法。
- 前記高電圧を薄膜トランジスタのゲート電極側に印加することを特徴とする請求項1記載の液晶表示モジュールの製造方法。
- 前記高電圧は高周波の矩形波であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示モジュールの製造方法。
- 複数の薄膜トランジスタと対向電極を備えた液晶表示パネルを作成し、ついで、薄膜トランジスタのゲートを開いた状態としたうえ、上記対向電極に対して、この薄膜トランジスタの耐圧の70〜100%に相当する高電圧を印加したのち、この液晶表示パネルに点灯検査を行うことを特徴とする液晶表示モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005308328A JP2007114660A (ja) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 液晶表示モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005308328A JP2007114660A (ja) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 液晶表示モジュールの製造方法 |
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JP2007114660A true JP2007114660A (ja) | 2007-05-10 |
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JP2005308328A Withdrawn JP2007114660A (ja) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 液晶表示モジュールの製造方法 |
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JP (1) | JP2007114660A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012115003A1 (ja) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | シャープ株式会社 | 液晶パネルの検査装置および検査方法 |
JP2020118811A (ja) * | 2019-01-22 | 2020-08-06 | 株式会社デンソー | 表示装置 |
-
2005
- 2005-10-24 JP JP2005308328A patent/JP2007114660A/ja not_active Withdrawn
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