JP2007109410A - プラズマディスプレイパネルの製造方法、および、プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Abstract
【課題】良好な結晶MgO保護層を適切に形成可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】結晶MgO保護層34の形成工程において、スクリーン印刷法を用いて単結晶MgO34Aを含有する印刷用ペーストを誘電体層33上に塗工して、誘電体層33の歪み点以上の温度で焼成する。これにより、歪み点以上の温度の焼成で誘電体層33が溶け始め、印刷用ペーストに含まれる単結晶MgO34Aの下側が誘電体層33に埋め込まれる。そして、冷却されると、誘電体層33が硬化して、一部が誘電体層33に埋め込まれた単結晶MgO34Aにより結晶MgO保護層34が形成される。
【選択図】図5
【解決手段】結晶MgO保護層34の形成工程において、スクリーン印刷法を用いて単結晶MgO34Aを含有する印刷用ペーストを誘電体層33上に塗工して、誘電体層33の歪み点以上の温度で焼成する。これにより、歪み点以上の温度の焼成で誘電体層33が溶け始め、印刷用ペーストに含まれる単結晶MgO34Aの下側が誘電体層33に埋め込まれる。そして、冷却されると、誘電体層33が硬化して、一部が誘電体層33に埋め込まれた単結晶MgO34Aにより結晶MgO保護層34が形成される。
【選択図】図5
Description
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法、および、プラズマディスプレイパネルに関する。
プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して互いに対向配置された一対の平面ガラス基板である前面基板および背面基板を備えており、背面基板の内面上に井桁状などの隔壁を設けて前記放電空間を複数個の放電セルに区画し、これら複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を実施する。
このようなプラズマディスプレイパネルの前面基板の内面側には、放電ギャップを介して対向する複数の透明電極およびこれら透明電極の一端部に積層するバス電極を備えた複数の表示電極対と、これら表示電極対間に設けられた複数のブラックストライプと、これら表示電極対およびブラックストライプ上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層と、などがそれぞれ設けられている。
上記保護層は、誘電体層が放電によりスパッタリングされることを防ぐと共に、低電圧で放電を発生させるための二次電子の放出層としての役割も持っている。また、発光は保護層を通して前面基板側から観察されるため可視光に対する透明性も必要とされる。このため、保護層の材料としては、低スパッタ率、高二次電子放出係数、可視光に対する透明性などの特性により酸化マグネシウム(以下MgOと記す)が広く用いられている。
従来、このようなMgOによる保護層の形成方法として、スプレーガンを用いたスプレー法により、MgOの微結晶粉末を溶剤に分散させた塗工液を基板に対して吹き付けるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。また、スパッタリング法などの真空プロセスにより、保護層を形成する方法が知られている。
特許文献1に記載の構成では、直径が1〜2μmのMgOの微結晶粉末をエチルアルコールを分散溶媒として分散させ、吹き付けに用いる懸濁液としている。そして、スプレーガンに懸濁液と霧化用の高圧エアを供給し、懸濁液をガラス基板上にスプレー塗布した後、ガラス基板を200℃に加熱しエチルアルコールを充分に蒸発させ、MgO微結晶が積層したMgO膜を得る構成が採用されている。
また、真空プロセスとしてスパッタリング法を用いる構成では、中〜高真空のチャンバー内のMgのターゲットにプラズマビームや電子ビームなどを照射して、ターゲットをイオン化、ラジカル化させる。そして、活性化したこれらの雰囲気中の酸素との反応により、基板にMgOを成長させてMgO膜を得る構成が採用されている。
しかしながら、上述したような特許文献1のような構成では、ガラス基板を誘電体層が溶けない200℃で加熱してMgO膜を得るため、MgO膜が誘電体層上に載っている状態で設けられてしまい、MgO膜と誘電体層との結合力が弱くなるおそれがある。
また、真空プロセスを利用する構成では、MgO膜が柱状結晶となっているために粒界が存在し、結晶としての強度が弱くなるおそれがある。
このため、特許文献1および真空プロセスを利用する構成では、例えばプラズマディスプレイパネルの使用時における放電により、MgOが飛散しやすくなるおそれがある。
また、真空プロセスを利用する構成では、装置コストやランニングコストが高くなるおそれがある。さらに、メンテナンス時やトラブル時に大気開放した後の真空引きに時間がかかるため、生産性が悪くなるおそれがある。
また、真空プロセスを利用する構成では、MgO膜が柱状結晶となっているために粒界が存在し、結晶としての強度が弱くなるおそれがある。
このため、特許文献1および真空プロセスを利用する構成では、例えばプラズマディスプレイパネルの使用時における放電により、MgOが飛散しやすくなるおそれがある。
また、真空プロセスを利用する構成では、装置コストやランニングコストが高くなるおそれがある。さらに、メンテナンス時やトラブル時に大気開放した後の真空引きに時間がかかるため、生産性が悪くなるおそれがある。
本発明は、上述したような問題点に鑑みて、良好な保護層を適切に形成可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイパネルを提供することを1つの目的とする。
請求項1に記載の発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記保護層の形成工程には、酸化マグネシウム粉体を前記誘電体層上に塗工する塗工工程と、前記誘電体層の歪み点以上の温度で焼成する保護層焼成工程と、が含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。
請求項7に記載の発明は、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の製造方法で製造されたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層は、一部が前記誘電体層に埋め込まれた酸化マグネシウム粉体により前記誘電体層上に形成されたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
以下、本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの内部構造を示した分解斜視図である。図2は、プラズマディスプレイパネルを模式的に示した正面図である。図3は、図2のIII−III線における断面図である。図4は、図2のIV−IV線における断面図である。図5は、保護層近傍の部分拡大図である。
〔プラズマディスプレイパネルの構成〕
本実施形態において、図1に示すように、1はプラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel:PDP)であり、このPDP1は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このPDP1は、画像表示領域を構成する放電空間Hを介して、互いに対向配置された一対の基板である背面基板2および前面基板3を備えている。
本実施形態において、図1に示すように、1はプラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel:PDP)であり、このPDP1は、例えば略平面長方形状に形成され、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示する装置である。このPDP1は、画像表示領域を構成する放電空間Hを介して、互いに対向配置された一対の基板である背面基板2および前面基板3を備えている。
これら背面基板2および前面基板3は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されている。そして、封着された当該空間内部は例えば6.7×104Pa(500Torr)程度の減圧状態とされ、当該空間にはHe−Xe(ヘリウム−キセノン)系やNe−Xe(ネオン−キセノン)系の不活性ガスが充填されている。
背面基板2は、例えば板状ガラス材にて平面長方形状に形成されている。この背面基板2の内面上には、図1に示すように、複数の直線状のアドレス電極21と、これらアドレス電極21上を覆うアドレス電極保護層22と、このアドレス電極保護層22上に一体的に設けられた隔壁23と、この隔壁23の放電セル231内部に充填された蛍光体層(24R,24G,24B)と、などがそれぞれ設けられている。
具体的には、アドレス電極21は、例えばAl(アルミニウム)などにて形成され、図1および2に示すように、背面基板2の長手方向に略直交して一定の間隔で配設されている。それぞれのアドレス電極21の一端には図示しないアドレス電極引出部が形成されて、このアドレス電極引出部を介して各アドレス電極21に図示しない列電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
アドレス電極保護層22は、例えばガラスペーストなどにて形成され、図1,3および4に示すように、背面基板2の内面上におけるアドレス電極引出部を除いた略全面に亘り設けられている。このアドレス電極保護層22は、パネル駆動時において、放電によるアドレス電極21の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する誘電体層として機能する。なお、アドレス電極保護層22の外周縁部上には前述のシールフリットが設けられている。
隔壁23は、図1および3に示すように、例えばアドレス電極保護層22と同一成分のガラスペーストにて略梯子状に形成されている。そして、アドレス電極保護層22上において、アドレス電極21と略直交する複数の直線状の隙間S(図3参照)をそれぞれ間に挟んで、複数並列して設けられている。この隔壁23により放電空間Hが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル231が形成されている。そして、隔壁23は、その基端部から頂部までの高さがそれぞれ所定の高さ寸法に設定されており、背面基板2と前面基板3との間隙寸法を規定する。
蛍光体層(24R,24G,24B)は、図1,3および4に示すように赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍光体ペーストが放電セル231内部に順に充填され、これが焼成されることにより形成される。これら蛍光体層(24R,24G,24B)は、それぞれの放電セル231で発生した紫外光により励起され、赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の可視光を発光する。
前面基板3は、PDP1の表示面を構成し、例えば背面基板2と同一材料にて略同一形状に形成されている。この前面基板の内面上には、図1に示すように、アドレス電極21と略直交して一定の間隔で配列された複数の表示電極対31と、これら表示電極対31間にそれぞれ設けられた複数のブラックストライプ32と、これら表示電極対31およびブラックストライプ32上を覆う誘電体層33と、この誘電体層33を覆う結晶MgO保護層34と、などがそれぞれ設けられている。
具体的には、表示電極対31は、図2および3に示すように、放電ギャップG(図2参照)を介して対向する複数対の透明電極311a,311bと、これら透明電極311a,311bの一端部に積層する一対の直線状のバス電極312a,312bとを備えて構成されている。
透明電極311a,311bは、図2に示すように、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜で略T字形状に形成されており、所定の放電セル231に対応して一対ずつ設けられている。
バス電極312a,312bは、一対の透明電極311a,311bにおける放電ギャップG(図2参照)に対して反対側の端部に、それぞれ積層して設けられている。これらバス電極312a,312bのそれぞれの一端には図示しないバス電極引出部が形成され、このバス電極引出部を介して各透明電極311a,311bに図示しない行電極駆動部からの電圧パルスが印加されるようになっている。
このようなバス電極312a,312bは、図3に示すように、透明電極311a,311b上に積層して設けられた黒色無機顔料などからなるバス電極黒層313a,313bと、これらバス電極黒層313a,313bに積層して設けられたAg(銀)などを主成分とする金属材料からなる主導電層314a,314bとを備えた2層構造となっている。
このようなバス電極312a,312bは、図3に示すように、透明電極311a,311b上に積層して設けられた黒色無機顔料などからなるバス電極黒層313a,313bと、これらバス電極黒層313a,313bに積層して設けられたAg(銀)などを主成分とする金属材料からなる主導電層314a,314bとを備えた2層構造となっている。
ブラックストライプ32は、図2および3に示すように、バス電極黒層313a,313bと同質の材料にて、直線状に形成されている。このブラックストライプ32およびバス電極黒層313a,313bにて、前面基板3の外方から照射された可視光が吸収されるようになっている。
誘電体層33は、図3および4に示すように、例えばガラスペーストなどにて形成され、背面基板2のアドレス電極保護層22と対向して設けられている。この誘電体層33は、パネル駆動時において、放電による表示電極対31の損耗を防止するとともに、駆動に必要な電荷を蓄積する。
結晶MgO保護層34は、図1,3および4に示すように、誘電体層33上面を被覆するMgO(酸化マグネシウム)により層状に設けられている。具体的には、結晶MgO保護層34は、図5に示すように、一部が誘電体層33に埋め込まれた状態で設けられた酸化マグネシウム粉体としての単結晶のMgO(以下単結晶MgOと記す)34Aにより、誘電体層33上における単結晶MgO34Aの被覆率が50%以上となる状態に形成されている。この結晶MgO保護層34は、例えばスクリーン印刷法にて形成される。
このような結晶MgO保護層34は、誘電体層33が放電によりスパッタリングされることを防ぐ機能を有している。なお、結晶MgO保護層34を、スプレーガンやダイコータを用いた方法により形成してもよい。
このような結晶MgO保護層34は、誘電体層33が放電によりスパッタリングされることを防ぐ機能を有している。なお、結晶MgO保護層34を、スプレーガンやダイコータを用いた方法により形成してもよい。
〔PDP1の製造方法〕
次に、上述した構成のPDP1の製造方法について説明する。
次に、上述した構成のPDP1の製造方法について説明する。
まず、PDP1の背面基板2の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に金属薄膜を形成して、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極21のパターンを形成する。このアドレス電極21上にガラスペーストを塗布して、当該ガラスペーストを成形・焼成することによりアドレス電極保護層22および隔壁23を形成する。そして、放電セル231内部にスクリーン印刷法などにより赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層(24R,24G,24B)を形成する。これにより、PDP1の背面基板2が完成する。
次に、PDP1の前面基板3の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。この後、当該ガラス基板の内面側の全面に透明電極材料層を形成して、フォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極311a,311bを形成する。この透明電極対上にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを積層形成し、更にこのパターン上にAgペーストのパターンを積層形成する。そして、これらのパターンを焼成して、バス電極黒層313a,313bおよび主導電層314a,314bからなる2層構造のバス電極312a,312bを形成する。この後、これらバス電極312a,312b間にスクリーン印刷法などにより黒色無機顔料のペーストパターンを塗布して、これを焼成して複数のブラックストライプ32を形成する。さらに、透明電極311a,311b、バス電極312a,312bおよびブラックストライプ32を被覆する状態にダイコータなどによりガラスペーストを塗布する。そして、このガラスペーストを焼成して誘電体層33を形成する。この後、誘電体層33の上にスクリーン印刷法により単結晶MgO34Aを含有する印刷用ペーストを塗工する塗工工程を実施し、これを所定の焼成条件で焼成する保護層焼成工程を実施して結晶MgO保護層34を形成する(以下に詳述)。これにより、PDP1の前面基板3が完成する。
(結晶MgO保護層の形成工程)
次に、結晶MgO保護層34の形成工程について説明する。
次に、結晶MgO保護層34の形成工程について説明する。
(塗工工程)
まず、結晶MgO保護層34の形成工程として、塗工工程について説明する。
スクリーン印刷用の図示しない印刷機のスクリーン版に、結晶MgO保護層34を形成するための塗工液としての印刷用ペーストを供給する。ここで、印刷用ペーストは、単結晶MgO34Aと、溶剤と、バインダーとなどにより、単結晶MgO34Aが分散しかつ所定の粘性を有する状態に調整されている。また、印刷用ペーストは、保護層焼成工程後の誘電体層33上における単結晶MgO34Aの被覆率が50%以上となる状態に調整されている。ここで、バインダーは、バインダー樹脂を完全に除去でき、バインダー除去時に発生する反応ガスにより、単結晶MgO34Aの放電確率が低下しないものを選択する必要がある。また、バインダーとしては、分子量が高く、粘度が高い分散剤を用いてもよい。
そして、印刷機の図示しない載置部に、誘電体層33が焼成形成された前面基板3を載置する。この後、印刷機の図示しないスキージをスクリーン版上で移動させ、この前面基板3の誘電体層33上に、単結晶MgO34Aを含有する印刷用ペーストを塗工する。
まず、結晶MgO保護層34の形成工程として、塗工工程について説明する。
スクリーン印刷用の図示しない印刷機のスクリーン版に、結晶MgO保護層34を形成するための塗工液としての印刷用ペーストを供給する。ここで、印刷用ペーストは、単結晶MgO34Aと、溶剤と、バインダーとなどにより、単結晶MgO34Aが分散しかつ所定の粘性を有する状態に調整されている。また、印刷用ペーストは、保護層焼成工程後の誘電体層33上における単結晶MgO34Aの被覆率が50%以上となる状態に調整されている。ここで、バインダーは、バインダー樹脂を完全に除去でき、バインダー除去時に発生する反応ガスにより、単結晶MgO34Aの放電確率が低下しないものを選択する必要がある。また、バインダーとしては、分子量が高く、粘度が高い分散剤を用いてもよい。
そして、印刷機の図示しない載置部に、誘電体層33が焼成形成された前面基板3を載置する。この後、印刷機の図示しないスキージをスクリーン版上で移動させ、この前面基板3の誘電体層33上に、単結晶MgO34Aを含有する印刷用ペーストを塗工する。
(保護層焼成工程)
次に、結晶MgO保護層34の形成工程として、保護層焼成工程について説明する。
塗工工程で印刷用ペーストが塗工された前面基板3を、図示しない焼成炉に搬送する。この後、この焼成炉にて、溶剤およびバインダーを完全に蒸発させる温度や時間などの条件で前面基板3を焼成する。これにより、印刷用ペーストの溶剤およびバインダーが蒸発する。そして、この前面基板3を、誘電体層33を形成するガラスフリットの軟化点以上の温度で所定時間焼成する。これにより、誘電体層33が軟化して、印刷用ペーストに含まれる単結晶MgO34Aの下側が誘電体層33に埋め込まれる。そして、前面基板3が冷却されると、誘電体層33が硬化して、図5に示すように、一部が誘電体層33に埋め込まれた単結晶MgO34Aにより、誘電体層33上の被覆率が50%以上の結晶MgO保護層34が形成される。
次に、結晶MgO保護層34の形成工程として、保護層焼成工程について説明する。
塗工工程で印刷用ペーストが塗工された前面基板3を、図示しない焼成炉に搬送する。この後、この焼成炉にて、溶剤およびバインダーを完全に蒸発させる温度や時間などの条件で前面基板3を焼成する。これにより、印刷用ペーストの溶剤およびバインダーが蒸発する。そして、この前面基板3を、誘電体層33を形成するガラスフリットの軟化点以上の温度で所定時間焼成する。これにより、誘電体層33が軟化して、印刷用ペーストに含まれる単結晶MgO34Aの下側が誘電体層33に埋め込まれる。そして、前面基板3が冷却されると、誘電体層33が硬化して、図5に示すように、一部が誘電体層33に埋め込まれた単結晶MgO34Aにより、誘電体層33上の被覆率が50%以上の結晶MgO保護層34が形成される。
〔実施例〕
本実施形態の効果を確認するための実施例を以下に示す。
本実施形態の効果を確認するための実施例を以下に示す。
(印刷用ペースト中の単結晶MgO濃度と被覆率の関係)
印刷用ペースト中の単結晶MgO濃度と被覆率との関係について調べた。
単結晶MgOは平均粒径が約1μmのもので、例えばスパッタリング法などの真空プロセスを用いて誘電体層上に形成したMgOの層(以下薄膜MgO保護層と記す)のMgOよりも放電確率が高いものを用いた。
また、印刷用ペーストには、溶剤としてグリセリンを用いた。そして、単結晶MgO濃度を10,20,30,50,70wt%とし、粘度調整、チクソトロピー性確保のためにアニオン系ポリマーとしてアクリルアミド・アクリル酸ナトリウムを3wt%添加した。これらを混合した後に、3本のロールで混練して印刷用ペーストを作製した。
上記印刷用ペーストをスクリーン印刷法により、あらかじめ誘電体層まで作製した基板に、通常の条件で塗工する塗工工程を実施した。なお、誘電体層のガラスフリットには、軟化点が510℃のものを用いた。そして、この塗工工程の後、保護層焼成工程を以下の条件により実施した。
まず、バインダーを完全に蒸発、分解させるために、400℃で30分間焼成した。そして、ピーク温度が570℃の状態で20分間焼成した。
ここで、ピーク温度が誘電体層のガラスフリットの軟化点よりも高いため、印刷用ペーストの単結晶MgOの下側が誘電体層に埋め込まれた状態で結晶MgO保護層が形成される。
なお、ここでは、ピーク温度を誘電体層のガラスフリットの軟化点よりも高い温度で焼成した場合を例示するが、誘電体層が流動しはじめる温度である歪点以上の温度で焼成してもよい。
印刷用ペースト中の単結晶MgO濃度と被覆率との関係について調べた。
単結晶MgOは平均粒径が約1μmのもので、例えばスパッタリング法などの真空プロセスを用いて誘電体層上に形成したMgOの層(以下薄膜MgO保護層と記す)のMgOよりも放電確率が高いものを用いた。
また、印刷用ペーストには、溶剤としてグリセリンを用いた。そして、単結晶MgO濃度を10,20,30,50,70wt%とし、粘度調整、チクソトロピー性確保のためにアニオン系ポリマーとしてアクリルアミド・アクリル酸ナトリウムを3wt%添加した。これらを混合した後に、3本のロールで混練して印刷用ペーストを作製した。
上記印刷用ペーストをスクリーン印刷法により、あらかじめ誘電体層まで作製した基板に、通常の条件で塗工する塗工工程を実施した。なお、誘電体層のガラスフリットには、軟化点が510℃のものを用いた。そして、この塗工工程の後、保護層焼成工程を以下の条件により実施した。
まず、バインダーを完全に蒸発、分解させるために、400℃で30分間焼成した。そして、ピーク温度が570℃の状態で20分間焼成した。
ここで、ピーク温度が誘電体層のガラスフリットの軟化点よりも高いため、印刷用ペーストの単結晶MgOの下側が誘電体層に埋め込まれた状態で結晶MgO保護層が形成される。
なお、ここでは、ピーク温度を誘電体層のガラスフリットの軟化点よりも高い温度で焼成した場合を例示するが、誘電体層が流動しはじめる温度である歪点以上の温度で焼成してもよい。
そして、これら保護層焼成工程を実施した基板の表面の顕微鏡写真を画像データ化し、それをあらかじめ定めた閾値にて2値化処理して、画像面積に対する2値化された粒子面積の合計として、被覆率を求めた。
表1の結果より、印刷用ペーストにおける単結晶MgOの濃度を20%よりも大きくすることにより、被覆率が50%以上となることが確認できた。
(単結晶MgOと誘電体層の結合力評価)
次に、上記実施例1−1〜1−5の単結晶MgOと誘電体層の結合力評価を行った。
実施例1−1〜1−5の基板と、以下のような比較例1−1の基板とを用意した。
ここで、比較例1−1の基板の構成について説明する。
比較例1−1の基板を作製する際には、例えばスパッタリング法を用いて誘電体層上に薄膜MgO保護層を形成する。さらに、この薄膜MgO保護層上に、例えばスクリーン印刷法やスプレー法などにより単結晶MgOを塗工して、吸着ガスや水分の除去のために焼成する。ここで、この焼成の際、誘電体層が軟化しないように誘電体層の焼成温度よりも低い温度で焼成する。
このため、比較例1−1の基板では、単結晶MgOが薄膜MgO保護層上に載っている状態で設けられる。
次に、上記実施例1−1〜1−5の単結晶MgOと誘電体層の結合力評価を行った。
実施例1−1〜1−5の基板と、以下のような比較例1−1の基板とを用意した。
ここで、比較例1−1の基板の構成について説明する。
比較例1−1の基板を作製する際には、例えばスパッタリング法を用いて誘電体層上に薄膜MgO保護層を形成する。さらに、この薄膜MgO保護層上に、例えばスクリーン印刷法やスプレー法などにより単結晶MgOを塗工して、吸着ガスや水分の除去のために焼成する。ここで、この焼成の際、誘電体層が軟化しないように誘電体層の焼成温度よりも低い温度で焼成する。
このため、比較例1−1の基板では、単結晶MgOが薄膜MgO保護層上に載っている状態で設けられる。
そして、実施例1−1〜1−5の基板および比較例1−1の基板の表面を♯400のヤスリおよび指で擦った。
表2により、一部が誘電体層に埋め込まれた状態で単結晶MgOが設けられた基板(実施例1−1〜1−5)では、紙ヤスリで擦っても単結晶MgOが剥がれないことが確認できた。また、薄膜MgO保護層に載っている状態で単結晶MgOが設けられた基板(比較例1−1)では、指で擦るだけで単結晶MgOが剥がれることが確認できた。
一部が誘電体層に埋め込まれる状態で設けられた単結晶MgOと誘電体層との結合力は、薄膜MgO保護層に載っている単結晶MgOと薄膜MgO保護層との結合力よりも大きいことが分かる。
一部が誘電体層に埋め込まれる状態で設けられた単結晶MgOと誘電体層との結合力は、薄膜MgO保護層に載っている単結晶MgOと薄膜MgO保護層との結合力よりも大きいことが分かる。
(被覆率による放電確率評価)
次に、上記実施例1−1〜1−5の基板を用いたPDPの放電確率のばらつき評価を行った。
以下のような、実施例1−1〜1−5の基板を用いた実施例2−1〜2−5のPDPと、比較例2−1のPDPとを用意した。
ここで、比較例2−1のPDPの構成について説明する。
比較例2−1のPDPを作製する際には、例えばスパッタリング法を用いて誘電体層上に薄膜MgO保護層を形成する。そして、この基板を用いて、通常の工程にて比較例2−1のPDPを製造した。なお、この比較例2−1のPDPの構成は、現状における一般的なPDPの構成である。
また、実施例1−1〜1−5の基板を用いて、通常の工程にて実施例2−1〜2−5のPDPを製造した。
次に、上記実施例1−1〜1−5の基板を用いたPDPの放電確率のばらつき評価を行った。
以下のような、実施例1−1〜1−5の基板を用いた実施例2−1〜2−5のPDPと、比較例2−1のPDPとを用意した。
ここで、比較例2−1のPDPの構成について説明する。
比較例2−1のPDPを作製する際には、例えばスパッタリング法を用いて誘電体層上に薄膜MgO保護層を形成する。そして、この基板を用いて、通常の工程にて比較例2−1のPDPを製造した。なお、この比較例2−1のPDPの構成は、現状における一般的なPDPの構成である。
また、実施例1−1〜1−5の基板を用いて、通常の工程にて実施例2−1〜2−5のPDPを製造した。
そして、比較例2−1のPDPの面内20点について、放電確率を調べた。この後、実施例2−1〜2−5のPDPの面内20点について放電確率を調べ、比較例2−1の放電確率の平均値で規格化した確率を、規格化放電確率として算出した。この規格化放電確率の算出結果を図6に示す。
図6より、被覆率が小さいもの程、面内でのばらつきが大きいことが分かる。また、被覆率が50%を超えると、規格化放電確率が1よりも大きくなることが分かる。これは、単結晶MgOにより形成された結晶MgO保護層の電子放出特性が、薄膜MgO保護層よりもよいことを意味している。
比較例2−1のPDP、すなわち、現状の一般的なPDPと同様の放電確率を得るためには、被覆率を50%以上にする必要があることが分かる。
比較例2−1のPDP、すなわち、現状の一般的なPDPと同様の放電確率を得るためには、被覆率を50%以上にする必要があることが分かる。
(PDPの寿命評価)
次に、単結晶MgOを各種状態で設けたPDPの寿命の評価を行った。
以下のような、実施例3−1、3−2のPDPと、比較例3−1、3−2のPDPとを用意した。
実施例3−1、3−2のPDPを作製する際には、例えば上記実施例1−1の基板と同様の方法により、一部が誘電体層に埋め込まれた状態で単結晶MgOが設けられ、被覆率がそれぞれ50%、90%の結晶MgO保護層を基板上に形成する。そして、これらの基板を用いて、通常の工程にて実施例3−1、3−2のPDPを製造した。
また、比較例3−1のPDPを作製する際には、蒸着法を用いて誘電体層上にMgOの層(以下蒸着MgO保護層と記す)を基板上に形成する。そして、この基板を用いて、比較例3−1のPDPを作製する。
さらに、比較例3−2のPDPを作製する際には、蒸着MgO保護層を基板上に形成した後に、上述した比較例1−1の基板作製時と同様に、スクリーン印刷法などにより単結晶MgOを塗工して、誘電体層が軟化しない条件で焼成する。この焼成条件により、単結晶MgOが蒸着MgO保護層上に載っている状態で設けられる。そして、この基板を用いて、比較例3−2のPDPを作製する。
次に、単結晶MgOを各種状態で設けたPDPの寿命の評価を行った。
以下のような、実施例3−1、3−2のPDPと、比較例3−1、3−2のPDPとを用意した。
実施例3−1、3−2のPDPを作製する際には、例えば上記実施例1−1の基板と同様の方法により、一部が誘電体層に埋め込まれた状態で単結晶MgOが設けられ、被覆率がそれぞれ50%、90%の結晶MgO保護層を基板上に形成する。そして、これらの基板を用いて、通常の工程にて実施例3−1、3−2のPDPを製造した。
また、比較例3−1のPDPを作製する際には、蒸着法を用いて誘電体層上にMgOの層(以下蒸着MgO保護層と記す)を基板上に形成する。そして、この基板を用いて、比較例3−1のPDPを作製する。
さらに、比較例3−2のPDPを作製する際には、蒸着MgO保護層を基板上に形成した後に、上述した比較例1−1の基板作製時と同様に、スクリーン印刷法などにより単結晶MgOを塗工して、誘電体層が軟化しない条件で焼成する。この焼成条件により、単結晶MgOが蒸着MgO保護層上に載っている状態で設けられる。そして、この基板を用いて、比較例3−2のPDPを作製する。
そして、実施例3−1、3−2、比較例3−1、3−2のPDPについて、輝度の劣化に基づいて寿命を評価した。
この結果、一部が誘電体層に埋め込まれた状態で単結晶MgOが設けられたPDP(実施例3−1、3−2)の輝度の劣化の程度が、蒸着法でMgOが設けられたPDP(比較例3−1)や、蒸着MgO保護層に載っている状態でMgOが設けられたPDP(比較例3−2)よりも小さいことが確認できた。これは、結晶MgO保護層は結晶性がよいためにスパッタリング耐性があり、放電に寄与するMgOがスパッタリングされにくく、残存性がよいことを示している。
この結果、一部が誘電体層に埋め込まれた状態で単結晶MgOが設けられたPDP(実施例3−1、3−2)の輝度の劣化の程度が、蒸着法でMgOが設けられたPDP(比較例3−1)や、蒸着MgO保護層に載っている状態でMgOが設けられたPDP(比較例3−2)よりも小さいことが確認できた。これは、結晶MgO保護層は結晶性がよいためにスパッタリング耐性があり、放電に寄与するMgOがスパッタリングされにくく、残存性がよいことを示している。
また、実施例3−1、3−2の比較では、被覆率が90%のPDP(実施例3−2)の輝度の劣化の程度が、50%のもの(実施例3−1)よりも小さいことが確認できた。これは、実施例3−2のPDPの方が、被覆率が高く放電に寄与するMgO量が増えたためであることを示している。
さらに、50000時間使用後に相当する実施例3−1、3−2、比較例3−1、3−2のMgOをSEM(走査電子顕微鏡)で観察すると、蒸着MgO保護層が設けられたPDP(比較例3−1、3−2)は、MgOが柱状結晶となっており結晶としての強度が弱いため、維持電極のエッジ上のMgOがスパッタリングにより掘られており、下地の誘電体層が露出していたことが確認できた。一方、結晶MgO保護層が設けられたPDP(実施例3−1、3−2)は、維持電極のエッジ上のMgOが多少掘られていたものの、誘電体層が露出していないことが確認できた。
また、残像特性(輝度残像)は、結晶MgO保護層のPDP(実施例3−1、3−2)の方が蒸着MgO保護層のPDP(比較例3−1、3−2)よりも良好であることが確認できた。これは、結晶MgO保護層のPDPは、スパッタリング耐性がよいので、輝度残像の発生が蒸着MgO保護層のPDPと比べて低下することを示している。具体的には、MgOが関連する残像は、MgOの状態が関係している。すなわち、ある一部分のセルを放電させたときには、そこから飛ばされるスパッタリングなどで生じるMgO粒子が周りのセルに移る。そして、このセルが放電する際に、飛ばされてきたMgO粒子により、他の部分よりも輝度が像介して残存減少が発生する。このため、スパッタリング耐性がよい結晶MgO保護層のPDPは、輝度残像の発生が蒸着MgO保護層のPDPと比べて低下することとなる。
〔実施形態の効果〕
上述したように、上記実施の形態におけるPDP1によれば、以下の効果を奏することができる。
上述したように、上記実施の形態におけるPDP1によれば、以下の効果を奏することができる。
(1)結晶MgO保護層34の形成工程において、塗布工程にて、スクリーン印刷法を用いて単結晶MgO34Aを含有する印刷用ペーストを誘電体層33上に塗工する。そして、保護層焼成工程にて、誘電体層33の歪み点以上の温度で焼成する。
これにより、歪み点以上の温度の焼成で誘電体層33が溶け始め、印刷用ペーストに含まれる単結晶MgO34Aの下側が誘電体層33に埋め込まれる。そして、冷却されると、誘電体層33が硬化して、一部が誘電体層33に埋め込まれた単結晶MgO34Aにより結晶MgO保護層34が形成される。
このため、MgO膜が誘電体層上に載っている状態で設けられた従来の保護層と比べて、結晶MgO保護層34と誘電体層33との結合力を強めることができる。また、真空プロセスを利用した薄膜MgO保護層や蒸着MgO保護層のMgOと比べて、結晶性がよい単結晶MgO34Aにより結晶MgO保護層34を形成しているため、結晶MgO保護層34の耐スパッタリング性をよくすることができる。したがって、PDP1の使用時における放電により、MgOを飛散しにくくすることができ、PDP1の長寿命化を実現できる。
また、真空プロセスを用いることなく結晶MgO保護層34を形成することができるため、装置コストやランニングコストの増加や生産性の悪化を招くことがない。
したがって、良好な結晶MgO保護層34が適切に形成されたPDP1を得ることができる。
これにより、歪み点以上の温度の焼成で誘電体層33が溶け始め、印刷用ペーストに含まれる単結晶MgO34Aの下側が誘電体層33に埋め込まれる。そして、冷却されると、誘電体層33が硬化して、一部が誘電体層33に埋め込まれた単結晶MgO34Aにより結晶MgO保護層34が形成される。
このため、MgO膜が誘電体層上に載っている状態で設けられた従来の保護層と比べて、結晶MgO保護層34と誘電体層33との結合力を強めることができる。また、真空プロセスを利用した薄膜MgO保護層や蒸着MgO保護層のMgOと比べて、結晶性がよい単結晶MgO34Aにより結晶MgO保護層34を形成しているため、結晶MgO保護層34の耐スパッタリング性をよくすることができる。したがって、PDP1の使用時における放電により、MgOを飛散しにくくすることができ、PDP1の長寿命化を実現できる。
また、真空プロセスを用いることなく結晶MgO保護層34を形成することができるため、装置コストやランニングコストの増加や生産性の悪化を招くことがない。
したがって、良好な結晶MgO保護層34が適切に形成されたPDP1を得ることができる。
(2)保護層焼成工程では、誘電体層33の軟化点以上の温度で焼成することが好ましい。
このような焼成によれば、誘電体層33の歪み点近傍の温度で焼成する構成と比べて誘電体層33がより軟化されるため、単結晶MgO34Aをより誘電体層33に埋め込むことができる。したがって、結晶MgO保護層34と誘電体層33との結合力をより強めることができ、PDP1のさらなる長寿命化を実現できる。
このような焼成によれば、誘電体層33の歪み点近傍の温度で焼成する構成と比べて誘電体層33がより軟化されるため、単結晶MgO34Aをより誘電体層33に埋め込むことができる。したがって、結晶MgO保護層34と誘電体層33との結合力をより強めることができ、PDP1のさらなる長寿命化を実現できる。
(3)塗工工程では、保護層焼成工程後の誘電体層33上における単結晶MgO34Aの被覆率が50%以上となる状態に調整された印刷用ペーストを塗工することが好ましい。
このような塗工によれば、PDP1の放電確率を現状の一般的なPDPと同様にできる。したがって、現状のPDPと同様の放電確率を有する状態で長寿命化を実現できる。
このような塗工によれば、PDP1の放電確率を現状の一般的なPDPと同様にできる。したがって、現状のPDPと同様の放電確率を有する状態で長寿命化を実現できる。
(4)塗工工程では、単結晶MgO34Aの濃度が20wt%よりも大きい印刷用ペーストを塗工することが好ましい。
このような塗工によれば、印刷用ペースト中の単結晶MgO34Aの濃度を調整するだけの簡単な方法で、保護層焼成工程後の誘電体層33上における単結晶MgO34Aの被覆率を50%以上にすることができる。
このような塗工によれば、印刷用ペースト中の単結晶MgO34Aの濃度を調整するだけの簡単な方法で、保護層焼成工程後の誘電体層33上における単結晶MgO34Aの被覆率を50%以上にすることができる。
(5)塗工工程では、スクリーン版を用いたスクリーン印刷法により単結晶MgO34Aを塗工することが好ましい。
このような塗工によれば、霧粒子の乾燥時に単結晶MgOが凝集しやすいスプレー法を用いる構成と比べて、容易に単結晶MgO34Aを敷き詰めて塗工することができる。
このような塗工によれば、霧粒子の乾燥時に単結晶MgOが凝集しやすいスプレー法を用いる構成と比べて、容易に単結晶MgO34Aを敷き詰めて塗工することができる。
(6)保護層焼成工程では、単結晶MgO34Aを分散させる溶剤およびバインダーを完全に蒸発させる条件で焼成することが好ましい。
このような焼成によれば、溶剤およびバインダーを完全に蒸発させるので、これらが残留する構成と比べて、結晶MgO保護層34と誘電体層33との結合力をさらに強めることができる。
このような焼成によれば、溶剤およびバインダーを完全に蒸発させるので、これらが残留する構成と比べて、結晶MgO保護層34と誘電体層33との結合力をさらに強めることができる。
〔実施形態の変形〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、保護層焼成工程にて誘電体層33の軟化点以上の温度で焼成するとしたが、これに限らず、歪み点以上かつ軟化点未満の温度で焼成してもよい。このような構成により、焼成炉の消費電力を低減できる。
前記実施形態では、誘電体層33上における単結晶MgO34Aの被覆率が50%以上の結晶MgO保護層34を形成するとしたが、これに限らず、被覆率が50%未満の結晶MgO保護層34を形成してもよい。このような構成により、放電確率が現状のPDPと比べて低下するが、結晶MgO保護層34と誘電体層33との結合力を強めることができる。
前記実施形態では、スクリーン印刷法により単結晶MgO34Aを塗工するとしたが、これに限らず、スプレー法により塗工してもよい。スプレー法を用いる場合、単結晶MgOを含有する塗工液に、分散剤を添加して誘電体層との付着力を増加させたり単結晶MgOの濃度を高くしたりすることにより、スクリーン印刷法と同様に単結晶MgOを敷き詰めて塗工することができる。
前記実施形態では、単結晶MgO34Aを分散させる溶剤およびバインダーを完全に蒸発させる条件で焼成するとしたが、これに限らず、溶剤およびバインダーが残留する条件としてもよい。このような構成により、焼成の際に溶剤およびバインダーを完全に蒸発させる条件にする必要がなく、焼成時間の短縮を図ることができる。なお、この条件においても、後の工程であり、放電空間内の排気を行う排気行程を経れば、溶剤およびバインダーの除去が期待できるからである。
例えば、以下のような工程により、結晶MgO保護層を設ける構成としてもよい。すなわち、誘電体層を形成するためのガラスペーストをスクリーン印刷法やダイコートあるいはフィルムを用いて塗布した後に、例えばスクリーン印刷法やスプレー法により単結晶MgOをガラスペースト上に塗工する。そして、誘電体層の歪み点以上の温度で焼成することにより、一部が誘電体層に埋め込まれた単結晶MgOによる結晶MgO保護層を形成してもよい。
また、誘電体層を形成するためのガラスペーストを塗布した後に、誘電体層の歪み点以上の温度で焼成するとともに、この焼成中にスプレー法により単結晶MgOを塗工して、一部が誘電体層に埋め込まれた単結晶MgOによる結晶MgO保護層を形成してもよい。
これらのような方法を用いる場合、誘電体層のガラスペーストのバインダーと、単結晶MgOとが反応しないことが条件となるが、上記実施形態よりも焼成回数を減らすことができ、環境負荷やコストを低減することができる。
また、誘電体層を形成するためのガラスペーストを塗布した後に、誘電体層の歪み点以上の温度で焼成するとともに、この焼成中にスプレー法により単結晶MgOを塗工して、一部が誘電体層に埋め込まれた単結晶MgOによる結晶MgO保護層を形成してもよい。
これらのような方法を用いる場合、誘電体層のガラスペーストのバインダーと、単結晶MgOとが反応しないことが条件となるが、上記実施形態よりも焼成回数を減らすことができ、環境負荷やコストを低減することができる。
前記実施形態のPDP1を、前面基板3に表示電極対31を形成し誘電体層33によって被覆しかつ背面基板2側に蛍光体層(24R,24G,24B)とアドレス電極21を形成した反射型交流PDPとするとしたが、これに限らない。すなわち、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面基板に蛍光体層を形成した反射型交流PDPや、前面基板側に蛍光体層を形成し背面基板側に表示電極対とアドレス電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流PDP、放電空間の表示電極対とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される三電極型交流PDP、放電空間の表示電極とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される二電極型交流PDPなどの種々の形式のPDPに適用することができる。
前記実施形態では、隔壁23を梯子状に形成するとしたが、これに限らず、井桁状やストライプ状の隔壁としてもよい。
〔実施形態の作用効果〕
上述したように、前記実施形態では、結晶MgO保護層34の形成工程において、スクリーン印刷法を用いて単結晶MgO34Aを含有する印刷用ペーストを誘電体層33上に塗工して、誘電体層33の歪み点以上の温度で焼成する。
これにより、歪み点以上の温度の焼成で誘電体層33が溶け始め、印刷用ペーストに含まれる単結晶MgO34Aの下側が誘電体層33に埋め込まれる。そして、冷却されると、誘電体層33が硬化して、一部が誘電体層33に埋め込まれた単結晶MgO34Aにより結晶MgO保護層34が形成される。
このため、MgO膜が誘電体層上に載っている状態で設けられた従来の保護層と比べて、結晶MgO保護層34と誘電体層33との結合力を強めることができる。また、真空プロセスを利用した薄膜MgO保護層や蒸着MgO保護層のMgOと比べて、結晶性がよい単結晶MgO34Aにより結晶MgO保護層34を形成しているため、結晶MgO保護層34の耐スパッタリング性をよくすることができる。したがって、PDP1の使用時における放電により、MgOを飛散しにくくすることができ、PDP1の長寿命化を実現できる。
また、真空プロセスを用いることなく結晶MgO保護層34を形成することができるため、装置コストやランニングコストの増加や生産性の悪化を招くことがない。
したがって、良好な結晶MgO保護層34が適切に形成されたPDP1を得ることができる。
上述したように、前記実施形態では、結晶MgO保護層34の形成工程において、スクリーン印刷法を用いて単結晶MgO34Aを含有する印刷用ペーストを誘電体層33上に塗工して、誘電体層33の歪み点以上の温度で焼成する。
これにより、歪み点以上の温度の焼成で誘電体層33が溶け始め、印刷用ペーストに含まれる単結晶MgO34Aの下側が誘電体層33に埋め込まれる。そして、冷却されると、誘電体層33が硬化して、一部が誘電体層33に埋め込まれた単結晶MgO34Aにより結晶MgO保護層34が形成される。
このため、MgO膜が誘電体層上に載っている状態で設けられた従来の保護層と比べて、結晶MgO保護層34と誘電体層33との結合力を強めることができる。また、真空プロセスを利用した薄膜MgO保護層や蒸着MgO保護層のMgOと比べて、結晶性がよい単結晶MgO34Aにより結晶MgO保護層34を形成しているため、結晶MgO保護層34の耐スパッタリング性をよくすることができる。したがって、PDP1の使用時における放電により、MgOを飛散しにくくすることができ、PDP1の長寿命化を実現できる。
また、真空プロセスを用いることなく結晶MgO保護層34を形成することができるため、装置コストやランニングコストの増加や生産性の悪化を招くことがない。
したがって、良好な結晶MgO保護層34が適切に形成されたPDP1を得ることができる。
1…プラズマディスプレイパネル
2…背面基板
3…前面基板
31…表示電極対
33…誘電体層
34…結晶MgO保護層
34A…酸化マグネシウム粉体としての単結晶MgO
2…背面基板
3…前面基板
31…表示電極対
33…誘電体層
34…結晶MgO保護層
34A…酸化マグネシウム粉体としての単結晶MgO
Claims (7)
- 放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に形成された複数の電極対と、これら電極対上を被覆する誘電体層と、この誘電体層上を被覆する保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記保護層の形成工程には、
酸化マグネシウム粉体を前記誘電体層上に塗工する塗工工程と、
前記誘電体層の歪み点以上の温度で焼成する保護層焼成工程と、
が含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記保護層焼成工程では、前記誘電体層の軟化点以上の温度で焼成する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記塗工工程では、前記保護層焼成工程後の前記誘電体層上における前記酸化マグネシウム粉体の被覆率が50%以上となる状態に前記酸化マグネシウム粉体を塗工する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項3に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記塗工工程では、前記酸化マグネシウム粉体の濃度が20wt%よりも大きい塗工液を塗工する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記塗工工程では、スクリーン版を用いたスクリーン印刷法により前記酸化マグネシウム粉体を塗工する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項5に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記保護層焼成工程では、前記酸化マグネシウム粉体を分散させる溶剤およびバインダーを完全に蒸発させる条件で焼成する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の製造方法で製造されたプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層は、一部が前記誘電体層に埋め込まれた酸化マグネシウム粉体により前記誘電体層上に形成された
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
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