JP2007095229A - 垂直磁気記録媒体の製造方法、及び垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の成膜装置を用いても、垂直磁気記録媒体として十分に機能し、かつ高い生産性を有する垂直磁気記録媒体の製造方法、及び垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体１０の製造方法であって、基板１２を準備する準備工程と、成膜装置に基板１２を設置して、軟磁性層１６と、キャップ層１８とを連続的に成膜する第１の成膜工程と、成膜装置から基板を取り出す取り出し工程と、垂直磁気記録層２４を成膜するための成膜装置に基板１２を設置して、シード層２０と、下地層２２と、垂直磁気記録層２４とを連続的に成膜する第２の成膜工程とを備え、キャップ層１８及びシード層２０は、単体のＴａ（タンタル）で形成されたＴａ層であり、シード層２０の膜厚は、２ｎｍ以上である。
【選択図】図１

Description

本発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法、及び垂直磁気記録媒体に関する。

近年、磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。また、垂直磁気記録方式で用いられる垂直磁気記録媒体は、２層媒体と呼ばれ、硬質磁性材料の垂直磁気記録層と、軟磁性層（軟磁性裏打ち層）の二つの磁性層を構成要素として有する。このうち、長手磁気記録方式用の面内媒体では用いられていない軟磁性層は、垂直磁気記録用ヘッドの書き込み磁界を収束させることによって書き込みを助ける役割を有する。そのため、軟磁性層は、より高密度で書き込みを行うためにも、垂直磁気記録媒体では必須である。

このような２層媒体と呼ばれる構成においては、軟磁性層と垂直磁気記録層の間の中間層の膜厚が重要である。すなわち、この中間層の膜厚が薄いほど、２層間の距離が近くなるため、書き込みが容易になる。また、より高密度での書き込みが可能になる。但し、中間層の膜厚がが薄くなるにつれて、上部の垂直磁気記録層の垂直配向が乱れやすくなる。これは、垂直磁気記録層の垂直配向が、垂直磁気記録層の下地層の配向の乱れと連動しているためである。そのため、従来、下地層の下にシード層等を形成する方法が知られている。シード層等を用いることによって、下地層が薄い場合であっても、垂直磁気記録層について十分な特性を得ることができる。

ここで、このような２層媒体と呼ばれる垂直磁気記録媒体においては、軟磁性層起因によるスパイクノイズを抑えるため、軟磁性層自体、複数の層からなる複雑な構造をとらざるを得ない。その結果、近年、垂直磁気記録媒体のトータルの層数が増え、面内媒体等で用いられているような成膜装置一台ではチヤンバー数が不足する事態となってきた。

そこで、従来、成膜装置を２台使用して垂直磁気記録媒体の製造を行う方法が提案されている（例えば、特許文献１、２参照。）。これらの方法においては、例えば、１台目の成膜装置では主に軟磁性層を成膜し、２台目の成膜装置では垂直磁気記録層、保護層等を成膜する。このように従来の成膜装置を流用することは、製造コストの面において高いメリットがある。しかし、これらの方法では、成膜対象の基板を連続成膜の途中で成膜装置から取り出すこととなる。そのため、基板の成膜面にパーティクルが付着するおそれがある。また、全てを連続成膜できないことにより、所望の特性が得られないという問題が生じうる。

このような問題点に対する対策として、特許文献１、２に開示されている方法では、２台目の成膜装置に基板を投入する直前に洗浄を行ってパーティクルを取リ除く方法、軟磁性層上にアモルファスカーボン等の保誰層を設ける方法等が提案されている。また、軟磁性層上の保護層と２台目の成膜装置にて成膜する最初の層（シード層）とを同じ材料で形成すること等が提案されている。
特開２００４−２２７７４０号公報 特開２００４−２２７６１８号公報

ところが、本願発明者らが研究を進めるうち、従来の方法では更なる高密度化へ向けて、所望の特性が得られないことがわかってきた。例えば、基板を成膜装置から取り出して大気暴露する前後の層、すなわち、１台目の成膜装置による最後の成膜層（キャップ層）と、２台目の成膜装置による最初の成膜層（シード層）の材料が同じ場合、合金系の材料を用いると、所望の特性を得られない場合があることがわかった。

メカニズムを考察した結果、その理由としては、膜界面での相互拡散が発生しており、合金系では混ざり方が不均一になってしまうことが考えられる。また、混ざり方が不均一になると、キャップ層とシード層との間に、両者が混ざった組成の部分が生じることから、性質の異なる層（変質層）が増えたような状況になり、上層の結晶配向性が劣化してしまう。例えば、シード層の上にＲｕ（ルテニウム）の下地層を形成する場合、Ｒｕの結晶配向性が劣化する。そのため、Ｒｕの結晶配向性を所望の特性にするためには、必要なシード層膜厚が増加してしまう。

ここで、軟磁性層を有する２層媒体の垂直磁気記録媒体において、軟磁性層と垂直磁気記層の間の中間層の膜厚を減らしつつ、下地層のＲｕ等の結晶配向性を良好に保つことは、前述のように特性向上のために非常に重要なポイントである。そのため、キャップ層とシード層を単に同じ材料で形成するのみならず、相互拡散が発生しても組成が変わらないように設計するのが肝要である。

この観点から、本願発明者らは、相互拡散が発生しても組成が変わらないように、単体の材料でキャップ層及びシード層を形成することを検討した。そして、単体の中でも上層の下地層におけるＲｕ等や、更に上層の垂直磁気記録層のＣｏ等の結晶配向性の観点から、適・不適があることを見出した。例えば、本願発明者らは、現時点において、キャップ層及びシード層をＴａ（タンタル）で形成することが好ましいことを見出した。尚、詳しいメカニズムについては解析中であるが、Ｔａは高融点であり、体心立方（ｂｃｃ）構造であることが関係している可能性がある。そのため、例えば、Ｔａよりも高融点であり、かつ体心立方構造の単体金属でキャップ層及びシード層を形成することも好ましいと考えられる。

また、本願発明者らは、キャップ層及びシード層をＴａで形成した構成について更に研究を進めた。その結果、キャップ層及びシード層をＴａで形成する場合にも、これらの層の膜厚等の条件によっては、上層の下地層や垂直磁気記録層の結晶配向性を十分に高められない場合があることを見出した。垂直磁気記録層等の結晶配向性の悪化は、例えば、再生出力の低下や媒体ノイズの増加の原因となる。尚、垂直磁気記録層の結晶配向性は、例えば、垂直磁気記録層の磁性の配向分散（配向のバラツキ）が大きくなることにより悪化する。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、例えば従来の成膜装置を用いても垂直磁気記録媒体として十分に機能し、なおかつ高い生産性を有する垂直磁気記録媒体の製造方法、及び垂直磁気記録媒体を提供することにある。

本願発明者らは、上述の課題を解決すべ＜研究を進めた結果、以下の構成を用いれば、所望の特性が得られることを見出した。

（構成１）軟磁性層及び垂直磁気記録層を備える垂直磁気記録媒体の製造方法であって、基板を準備する準備工程と、成膜装置に基板を設置して、軟磁性層と、軟磁性層を覆うキャップ層とを連続的に成膜する第１の成膜工程と、成膜装置から基板を取り出す取り出し工程と、垂直磁気記録層を成膜するための成膜装置に基板を設置して、上層の結晶配向性及び結晶成長性を制御するためのシード層と、垂直磁気記録層の結晶配向性、結晶粒径、及び粒界偏析を制御するための下地層と、垂直磁気記録層とを連続的に成膜する第２の成膜工程とを備え、キャップ層及びシード層は、単体のＴａ（タンタル）で形成されたＴａ層であり、シード層の膜厚は、２ｎｍ以上である。キャップ層の膜厚は、例えば２ｎｍ以下である。

このようにすれば、下地層及び垂直磁気記録層の結晶配向性を十分に高めることができる。また、例えばキャップ層及びシード層を他の材料で形成した場合等と比べ、薄いシード層を用い、軟磁性層と垂直磁気記録層の間の中間層の膜厚を小さくした場合であっても、良好な結晶配向性、及び良好なＳＮＲ（信号とノイズの強度比）特性が得られる。

また、軟磁性層の膜厚（総膜厚）は、例えば１００ｎｍ以下（例えば２０〜１００ｎｍ）、より好ましくは８０ｎｍ以下（例えば３０〜８０ｎｍ）、更に好ましくは６０ｎｍ以下（例えば、４０〜６０ｎｍ）である。このようにすれば、垂直磁気記録媒体の再生特性を適切に高めることができる。

ここで、軟磁性層の膜厚を薄くした場合には、表面状態の影響が大きくなる。そのため、例えば、キャップ層及びシード層を合金系の材料で形成したとすると、相互拡散によって両層の間に生じる変質層の影響が大きくなる。また、このように膜厚の薄い軟磁性層を用いた場合、成膜熱が低下するため、表面酸化の度合いも減少し、表面酸化以外の要因の影響が大きくなる。そのため、このような変質層の影響は、大気中への暴露によってキャップ層表面が酸化されることの影響よりも大きいと考えられる。しかし、構成１のようにすれば、キャップ層及びシード層を共に単体のＴａで形成することで、相互拡散により変質層が生じるのを適切に防ぐことができる。そのため、軟磁性層を薄くした場合であっても、下地層及び垂直磁気記録層の結晶配向性を十分に高めることができる。

また、構成１のようにした場合、取り出し工程と第２の成膜工程との間の期間を長く確保できる。この場合、垂直磁気記録媒体の製造方法は、取り出し工程と第２の成膜工程との間に保管工程を更に備えてもよい。このようにすれば、例えば垂直磁気記録媒体を大量生産する場合に、工程のスケジューリングの自由度を高めることができる。尚、垂直磁気記録媒体のＳＮＲ（信号とノイズの強度比）は時間と共に低下する。そのため、保管工程は、基板を、例えば１ヶ月以内（例えば１〜３０日程度）の期間、より好ましくは１週間以内（例えば１〜７日程度）の期間保管するのが望ましい。

（構成２）取り出し工程と第２の成膜工程との間に、イソプロピルアルコールを用いた超音波洗浄、及びイソプロピルアルコールを用いた蒸気洗浄を行う洗浄工程を更に備える。このようにすれば、成膜装置から取り出した基板にパーティクル等が付着したとしても、当該パーティクル等を適切に除去できる。

（構成３）シード層の膜厚は、７ｎｍ以上であり、下地層はＲｕ層であり、下地層におけるＲｕ結晶の（００２）面の結晶配向性が、Δθ５０で３．５°以下である。このようにすれば、下地層及び垂直磁気記録層の結晶配向性を更に適切に高めることができる。

（構成４）構成１から３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法により製造されたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。このように構成すれば、構成１〜３と同様の効果を得ることができる。

本発明によれば、例えば従来の成膜装置を用いても、垂直磁気記録媒体として十分に機能し、かつ高い生産性を有する垂直磁気記録媒体の製造方法、及び垂直磁気記録媒体を提供することができる。

以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明に係る垂直磁気記録媒体１０の一実施形態を説明するための断面模式図である。垂直磁気記録媒体１０は、基板１２上に、付着層１４（密着層）、軟磁性層１６、キャップ層１８、シード層２０、下地層２２（中間層）、垂直磁気記録層２４、磁気的結合層２６、保護層２８、及び潤滑層３０を順次形成して成る構成を有する。基板１２としては、各種公知の垂直磁気記録媒体用に用いられる基板を用いることができる。このような基板としては、例えば、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、強化ガラス、又は結晶化ガラス等が挙げられる。付着層１４は、軟磁性層１６と基板１２との密着性を高めるための層である。付着層１４としては、例えばＣｒＴｉ層、Ｃｒ層、Ｔｉ層等を用いることができる。

軟磁性層１６としては、ＮｉＦｅ系合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、飽和磁束密度の大きなＦｅＣｏ合金等の層を用いることができる。また、軟磁性層１６の材料として、非晶質のＣｏ合金、例えば、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒ等を用いることによリ、良好な電磁変換特性を得ることができる。軟磁性層１６の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。

軟磁性層１６の磁壁の形成を抑制するためには、軟磁性層１６の下層にＣｏ合金等の強磁性層を形成し、これを所望の方向に磁化させるように着磁する方法や、反強磁性薄膜を形成し、交換結合を利用して磁化をピン止めする方法、軟磁性材料の層と非磁性層とを多数回積層することにより磁壁の形成を抑制する方法等を用いることができる。磁壁制御の目的で軟磁性材料の層と非磁性層とを多数回積層する場合、非磁性層の材料としては、例えばＲｕ等を用いることができる。

キャップ層１８は、軟磁性層１６のキャップ層であり、Ｔａ（タンタル）で形成される。キャップ層１８は、軟磁性層１６の成膜後、成膜装置から基抜を取り出す際、軟磁性層１６の保護のために設けられる。キャップ層１８の膜厚は、軟磁性層１６の酸化を防ぐのに必要最小限の膜厚とすることが望ましい。厚すぎる場合には、信号の書込み能力を低下させてしまう原因となる。キャップ層１８の膜厚は、例えば１０ｎｍ以下、より好ましくは１〜７ｎｍ、更に好ましくは２〜５ｎｍである。

シード層２０は、下地層２２の結晶配向性及び結晶成長性を制御するための層であり、キャップ層１８と同じ材料のＴａで形成される。シード層２０の膜厚は、下地層２２の結晶成長を制御するのに必要最小限の膜厚とすることが望ましい。厚すぎる場合には、キャップ層１８の場合と同様に、信号の書き込み能力を低下させてしまう原因となる。

但し、シード層２０の成膜前に透明基板１２を成膜装置から一旦取り出す場合、シード層２０の膜厚が不十分であると、下地層２２等の結晶配向性を適切に制御できない。そのため、シード層２０の膜厚は、例えば２〜１５ｎｍ、より好ましくは３〜１０ｎｍ、更に好ましくは５〜７ｎｍである。

尚、垂直磁気記録媒体１０の全層を連続成膜する場合には、シード層２０が特に必要ない場合もある。しかし、軟磁性層１６のキャップ層１８を成膜後に、一旦基板１２を成膜装置から出す場合、下地層２２の結晶成長性等が悪くなることがある。これに対し、シード層２０を用いることにより、このような下地層２２の劣化を防ぐことができる。

下地層２２は、垂直磁気記録層２４の結晶配向性、結晶粒径、及び粒界偏析を好適に制御するための層である。下地層２２の材料としては、面心立方（ｆｃｃ）構造又は六法最密充填（ｈｃｐ）構造を有する単金属膜又は合金膜が好ましい。このような膜としては、例えばＴｉ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔの膜やそれらを含む合金膜が挙げられるが、それらに限定されない。下地層２２の膜厚としては、垂直磁気記録層２４の構造制御を行なうのに必要最小限の膜厚とすることが、記録の面からは好ましい。下地層２２の膜厚は、例えば１０〜４０ｎｍ、より好ましくは１５〜３５ｎｍ、更に好ましくは２０〜３０ｎｍである。

垂直磁気記録層２４は、硬質磁性材料で形成された強磁性層である。垂直磁気記録層２４としては、磁性粒の細かなグラニュラ膜、例えばＣｏＣｒＰｔ系合金膜、結晶粒界にＳｉＯ_２等の非磁性酸化物や窒化物を有するグラニュラー膜、Ｃｏ／Ｐｄ等の積層膜、希土類−遷移金属合金非晶質膜、ＦｅＰｔ規則合金膜等を用いることができる。垂直磁気記録層２４の膜厚は、例えば５〜２０ｎｍ、より好ましくは８〜１８ｎｍ、更に好ましくは１０〜１５ｎｍである。

磁気的結合層２６は、垂直磁気記録層２４と共にＣＧＣ構造を構成する層であり、交換相互作用により垂直磁気記録層２４と磁気的結合する。磁気的結合層２６の膜厚は、例えば１〜１０ｎｍ、より好ましくは２〜７ｎｍ、更に好ましくは３〜６ｎｍである。尚、垂直磁気記録層２４及び磁気的結合層２６としては、各種公知のＣＧＣ構造を用いることができる。ＣＧＣ構造を用いることにより、例えば、軟磁性層１６の熱安定性を高めることができる。

保護層２８及び潤滑層３０は、各種公知の垂直磁気記録媒体で用いられている保護層及び潤滑層と同一又は同様の層である。保護層２８としては、例えば、カーボンを主体とする保護膜を用いることができる。潤滑層３０としては、例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。また、保護層２８及び潤滑層３０の膜厚等の条件は、各種公知の垂直磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。

続いて、垂直磁気記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。垂直磁気記録媒体１０を製造工程においては、最初に、基板を準備し（準備工程）、スパッタリング装置等の成膜装置を用いて、付着層１４、軟磁性層１６、及びキャップ層１８を基板１２上に連続して成膜する（第１の成膜工程）。そして、基板１２を一旦成膜装置から取り出し（取り出し工程）、洗浄（洗浄工程）後、次の成膜装置に基板１２を設置する。そして、その成膜装置を用いて、シード層２０、下地層２２、垂直磁気記録層２４、磁気的結合層２６、及び保護層２８を連続して成膜する（第２の成膜工程）。また、保護層２８上に潤滑層３０を成膜する。尚、下地層２２以降を成膜する成膜装置は、付着層１４、軟磁性層１６、及びキャップ層１８を成膜する成膜装置と同じ装置であってもよい。この場合、例えば、シード層２０を成膜する前に、スパッタリング装置で用いられるターゲット等の交換を行う。

ここで、キャップ層１８の成膜後、基板１２を成膜装置から取り出すことにより、キャップ層１８の表面にパーティクル等が付着するおそれがある。このパーティクルが付着したままその後の成膜を行なった場合、完成した垂直磁気記録媒体１０の信頼性に大きな影響を及ぼす可能性がある。そのため、表面に付着したパーティクル等を除去するために、基板１２の洗浄（中間洗浄）を行なう洗浄工程が非常に重要な工程となる。洗浄工程には、例えば、垂直磁気記録媒体の各層の成膜前に行われている各種公知の洗浄方法と同一又は同様の洗浄方法を用いることができる。

尚、垂直磁気記録媒体の各層の成膜前の洗浄方法では、酸やアルカリ等の洗剤や溶剤が使われる場合がある。しかし、中間洗浄を行う洗浄工程においては、既に一部の膜の成膜が行なわれているため、これらの洗剤や溶剤を使うことは好ましくない。そのため、この洗浄工程では、純水や有機溶剤等を用いることが好ましい。更に、ウレタン等のパットを用いて表面を物理的に擦り洗いすることは表面付着物を除去するためには有効である。但し、この場合にも、洗剤等は用いずに純水等のみとする必要がある。

以下、本発明の実施例について説明する。以下の実施例は、本発明の好適に説明する代表例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。

（実施例１）
基板１２として、非磁性基体であるアルミノシリケート系アモルファス強化ガラス基板を用い、これを洗浄後、成膜装置内に導入した。成膜装置としては、公知のスパッタリング装置を用いた。そして、付着層１４としてＣｒＴｉ層を１０ｎｍ成膜後、軟磁性層１６を成膜した。軟磁性層１６としては、ＣｏＴａＺｒ層を５０ｎｍ、Ｒｕ層１ｎｍ、ＣｏＴａＺｒ層を５０ｎｍ成膜した。更に、キャップ層１８としてＴａ層を２ｎｍ成膜後、一旦成膜装置から取り出した。取り出した基板１２に対し、中間洗浄として、イソプロピルアルコールを用いた超音波洗浄（ＩＰＡ−ＵＳ）、及びイソプロピルアルコールを用いた蒸気洗浄（ＩＰＡ−Ｖａｐｅｒ）を行なった。

その後、以降の膜を成膜するためのターゲットに全て交換を済ませた成膜装置に、中間洗浄済み基板１２を導入し、シード層２０としてＴａ層を３ｎｍ、下地層２２としてＲｕ層を２５ｎｍ、垂直磁気記録層２４としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２層を１４ｎｍ成膜した。また、磁気的結合層２６として、Ｐｄ層を１ｎｍ、ＣｏＢ層を１．５ｎｍ成膜した。そして、最後に、保護層２８としてカーボン層を５ｎｍ成膜した。そして、保護層２８の成膜後、成膜装置から基板１２を取り出した。その後、潤滑層３０として、パーフルオロポリエーテルからなる液体層を１ｎｍ、ディップ法により成膜し、実施例１に係る垂直磁気記録媒体１０を作製した。

（比較例１）
軟磁性層を成膜後、装置から取り出す前にキャップ層を成膜しなかったこと以外は実施例１に示した方法と同様にして、比較例１に係る垂直磁気記録媒体を作製した。

（比較例２）
軟磁性層を成膜後、装置から取り出す前に、Ｔａ層に代えてＮｉＴａ層のキャップ層を成膜し、中間洗浄後、再び成膜装置内に導入した以外は、実施例１に示した方法と同様にして比較例２に係る垂直磁気記録媒体を作製した。

（比較例３）
軟磁性層を成膜後、装置から取り出す前に、Ｔａ層に代えてＲｕ層のキャップ層を成膜し、中間洗浄後、再び成膜装置内に導入した以外は、実施例１に示した方法と同様にして比較例３に係る垂直磁気記録媒体を作製した。

（比較例４）
軟磁性層を成膜後、装置から取り出す前に、Ｔａ層に代えてＣ（カーボン）層のキャップ層を成膜し、中間洗浄後、再び成膜装置内に導入した以外は、実施例１に示した方法と同様にして比較例４に係る垂直磁気記録媒体を作製した。

（比較例５）
軟磁性層を成膜後、装置から取り出す前に、Ｔａ層に代えてＴｉ層のキャップ層を成膜し、中間洗浄後、再び成膜装置内に導入した以外は、実施例１に示した方法と同様にして比較例５に係る垂直磁気記録媒体を作製した。

（比較例６）
軟磁性層を成膜後、装置から取り出す前に、Ｔａ層に代えてＰｄ層のキャップ層を成膜し、中間洗浄後、再び成膜装置内に導入した以外は、実施例１に示した方法と同様にして比較例６に係る垂直磁気記録媒体を作製した。

Ｘ線評価装置を用い、実施例１及び比較例１〜６における下地層及び垂直磁気記録層の結晶配向性を測定した。また、スピンスタンドテスターを用い、ＳＰＴ／ＧＭＲヘッドにより、実施例１及び比較例１〜６に係る垂直磁気記録媒体の電磁変換特性を測定した。

表１は、実施例１及び比較例１〜６の結晶配向性と、電磁変換特性とを示す。下地層の結晶配向性としては、Ｒｕ結晶の（００２）面のΔθ５０を測定した。垂直磁気記録層の結晶配向性としては、Ｃｏ結晶の（００２）面のΔθ５０を測定した。Δθ５０は、Ｘ線回折装置を用いたロッキングカーブ法により測定した。また、電磁変換特性としては、ＳＮＲ（信号とノイズの強度比）を測定した。

シード層としてＴａ層を用いた実施例１及び比較例１〜６の中では、シード層材料と同じ組成のＴａ層をキャップ層に用いた実施例１の場合に、最も良好な結晶配向性とＳＮＲが得られた。尚、Δθ５０は、結晶子の配向のばらつきの大きさを表す配向分散（c軸分散角）であり、小さいほど配向性が優れていることを示す。

（比較例７、８）
軟磁性層を成膜後、装置から取り出す前にキャップ層を成膜せず、中間洗浄後、再び成膜装置内に導入した後にＴａ層に代えてＮｉＴａ層のシード層を３ｎｍ成膜した以外は実施例１に示した方法と同様にして、比較例７に係る垂直磁気記録媒体を作製した。また、磁性層を成膜後、装置から取り出す前に、Ｔａ層に代えてＮｉＴａ層のキャップ層を２ｎｍ成膜し、中間洗浄後、再び成膜装置内に導入した後に、Ｔａ層に代えてＮｉＴａ層のシード層を３ｎｍ成膜した以外は実施例１に示した方法と同様にして、比較例８に係る垂直磁気記録媒体を作製した。

表２は、比較例７、８の結晶配向性を示す。結晶配向性としては、下地層のＲｕ結晶の（００２）面のΔθ５０を測定した。Ｔａ層でキャップ層１８及びシード層２０を成膜した実施例１と比べ、比較例７、８では結晶配向性が劣化していることが確認できた。

（比較例９）
中間洗浄後、再び成膜装置内に導入した後にシード層を成膜しなかったこと以外は実施例１に示した方法と同様にして、比較例９に係る垂直磁気記録媒体を作製した。

（実施例２〜４）
シード層２０の膜厚を２ｎｍ、７ｎｍ、１０ｎｍとしたこと以外は実施例１に示した方法と同様にして、実施例２〜４に係る垂直磁気記録媒体１０を作製した。

表３は、比較例９及び実施例２〜４の結晶配向性を示す。結晶配向性としては、下地層のＲｕ結晶の（００２）面のΔθ５０を測定した。Ｔａ層でキャップ層１８及びシード層２０を成膜した実施例２〜４において、実施例１と同様に、良好な結晶配向性が得られた。

以上のように、垂直磁気記録媒体１０において、軟磁性層１６を成膜後、成膜装置から取り出す前に、軟磁性層１６の劣化を防ぐために連続してキャップ層１８を成膜し、中間洗浄後に成膜装置に導入後、下地層２２を成膜する前にシード層２０を成膜するようにし、かつキャップ層１８及びシード層２０に同じ単体のＴａ膜を用いることによリ、優れた結晶配向性及び電磁変換特性を実現することができることが確認できた。このような垂直磁気記録媒体を製造するためには、既存の成膜装置をそのまま使用することができるため、新たな設備投資を行なう必要がなくなる。そのため、今後の垂直磁気記録媒体の大量生産に非常に適している。

以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

本発明は、例えば垂直磁気記録媒体の製造方法、及び垂直磁気記録媒体に好適に利用できる。

本発明に係る垂直磁気記録媒体１０の一実施形態を説明するための断面模式図である。

符号の説明

１０・・・垂直磁気記録媒体、１２・・・基板、１４・・・付着層、１６・・・軟磁性層、１８・・・キャップ層、２０・・・シード層、２２・・・下地層、２４・・・垂直磁気記録層、２６・・・磁気的結合層、２８・・・保護層、３０・・・潤滑層

Claims (4)

1. 軟磁性層及び垂直磁気記録層を備える垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
   基板を準備する準備工程と、
   成膜装置に前記基板を設置して、前記軟磁性層と、前記軟磁性層を覆うキャップ層とを連続的に成膜する第１の成膜工程と、
   前記成膜装置から前記基板を取り出す取り出し工程と、
   前記垂直磁気記録層を成膜するための成膜装置に前記基板を設置して、上層の結晶配向性及び結晶成長性を制御するためのシード層と、前記垂直磁気記録層の結晶配向性、結晶粒径、及び粒界偏析を制御するための下地層と、前記垂直磁気記録層とを連続的に成膜する第２の成膜工程と
   を備え、
   前記キャップ層及び前記シード層は、単体のＴａで形成されたＴａ層であり、
   前記シード層の膜厚は、２ｎｍ以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
2. 前記取り出し工程と前記第２の成膜工程との間に、イソプロピルアルコールを用いた超音波洗浄、及びイソプロピルアルコールを用いた蒸気洗浄を行う洗浄工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
3. 前記シード層の膜厚は、７ｎｍ以上であり、
   前記下地層はＲｕ層であり、
   前記下地層におけるＲｕ結晶の（００２）面の結晶配向性が、Δθ５０で３．５°以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法により製造されたことを特徴とする垂直磁気記録媒体。