JP2007093453A - Surface mount temperature sensors - Google Patents

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Masatoshi Abe
Yoshihiro Higuchi
由浩 樋口
政利 阿部
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Mitsubishi Materials Corp
三菱マテリアル株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve higher temperature accuracy and response properties with less effect of thermal dissipation from the upper surface in a surface-mounted temperature sensor. <P>SOLUTION: The surface-mounted temperature sensor is provided with: an insulating substrate 10; a heat-sensitive resistor part 11 composed of a thermistor film formed on the surface of the insulating substrate 10; a film-like resistor part 12 which is formed on the surface of the insulating substrate 10 and whose one end and one end of the heat-sensitive resistor part 11 are electrically connected to each other; a first terminal electrode 13 electrically connected to the other end of the heat-sensitive resistor part 11; a second terminal electrode 14 electrically connected to the other end of the film-like resistor part 12; and a third terminal electrode 15 electrically connected to respective ends of the heat-sensitive resistor part 11 and the film-like resistor part 12. The heat-sensitive resistor part 11 is formed on the lower surface of the insulating substrate 10 to be the mounting surface. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、温度検出用や温度補償用等に有効な表面実装型温度センサに関する。 The present invention relates to an effective surface mount temperature sensors in the temperature detection, temperature compensation, and the like.

従来、温度検出用や温度補償用として用いられている薄膜あるいは厚膜タイプのサーミスタとしては、絶縁性基板上にサーミスタ部を形成し、その両端に端子電極部を形成した2端子構造のものが知られている。 Conventionally, as a thermistor thin film or thick film type is used for the or a temperature compensating temperature sensing, is a two terminal structure forming a thermistor part on an insulating substrate to form a terminal electrode portions at both ends thereof Are known. このようなサーミスタを利用した一般的な温度検出回路としては、図9の等価回路に示すように、入力端子電極1、抵抗2、出力端子電極3、NTCサーミスタ(Negative Temperature Coefficient Themistor)4及びアース端子電極5をこの順に直列に接続したものが知られている。 Typical temperature detection circuit using such a thermistor, as shown in the equivalent circuit of FIG. 9, the input terminal electrodes 1, resistor 2, the output electrode 3, NTC thermistor (Negative Temperature Coefficient Themistor) 4 and ground the terminal electrodes 5 in this order formed by connecting in series is known.

このような構成の温度検出回路は、入力端子電極1とアース端子電極5との間に電圧を印加し、出力端子電極3とアース端子電極5との間の電圧を計測することにより、出力電圧を温度に換算して温度変化を検出することができるものである。 Temperature detection circuit having such a configuration, by the voltage applied between the input terminal electrode 1 and the ground terminal electrode 5, to measure the voltage between the output electrode 3 and the ground terminal electrodes 5, the output voltage the in terms of temperature and is capable of detecting a temperature change.
従来、例えば特許文献1には、絶縁基板の上面(表面)にサーミスタ厚膜と抵抗体厚膜とを形成した厚膜サーミスタが提案されている。 Conventionally, for example, Patent Document 1, the thick film thermistor forming a resistor thick film thermistor thick film on the upper surface (surface) of the insulating substrate has been proposed.

特開平10−312916号公報(特許請求の範囲、図7) JP 10-312916 discloses (Claims, FIG. 7)

上記従来の技術には、以下の課題が残されている。 Above conventional technique, the following problems remain.
すなわち、従来では、絶縁基板の上面からの熱放散によりサーミスタ厚膜における温度精度及び応答性が低下してしまう不都合があった。 That is, in the conventional, temperature accuracy and responsiveness in the thermistor thick film has a disadvantage that lowered by the heat dissipation from the upper surface of the insulating substrate. また、特に、過熱保護用途の場合であってFET等の発熱部品が検出対象となる場合に、この発熱部品との熱結合を図る場合に、検出温度精度をより向上させることが要望されている。 In particular, heat-generating components such as an FET in a case of a thermal protection applications when to be detected, in the case to achieve the thermal coupling between the heat generating component, possible to further improve the detection temperature accuracy is desired .

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、上面からの熱放散の影響が少なく、より温度精度が高いと共に応答性に優れた表面実装型温度センサを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-less affected by heat dissipation from the upper surface, and an object thereof is to provide a surface mount type temperature sensor having excellent responsiveness with more temperature accuracy is high.

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。 The present invention adopts the following configurations in order to solve the above problems. すなわち、本発明の表面実装型温度センサは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の面上に形成されたサーミスタ膜からなる感温抵抗部と、前記絶縁性基板の面上に形成され前記感温抵抗部と互いの一端同士が電気的に接続された膜状抵抗部と、前記感温抵抗部の他端に電気的に接続された第1の端子電極と、前記膜状抵抗部の他端に電気的に接続された第2の端子電極と、前記感温抵抗部及び前記膜状抵抗部のそれぞれの一端に電気的に接続された第3の端子電極と、を備え、前記感温抵抗部が、実装面となる前記絶縁性基板の下面に形成されていることを特徴とすることを特徴とする。 That is, the surface mount type temperature sensor of the present invention includes an insulating substrate, wherein the temperature-sensitive resistor portion made of a thermistor film formed on a surface of the insulating substrate, is formed on the surface of the insulating substrate said sensitive and temperature resistance portion and another one ends electrically connected membrane-like resistance portion, a first terminal electrode electrically connected to the other end of the temperature sensing resistor portion, the other of the film-like resistor portion comprises a second terminal electrode electrically connected to the end, and a third terminal electrodes electrically connected to one end of each of the temperature sensing resistor portion and the membrane resistance portion, the temperature sensing resistance unit, characterized in that characterized in that it is formed on the lower surface of the insulating substrate serving as a mounting surface.

この表面実装型温度センサでは、感温抵抗部が実装面となる絶縁性基板の下面に形成されているので、感温抵抗部が絶縁性基板上面から離間しており、絶縁性基板上面からの熱放散の影響を低減することができ、高い温度精度を得ることができる。 In this surface-mounted temperature sensor, since temperature sensitive resistor portion is formed on the lower surface of the insulating substrate serving as a mounting surface, the temperature sensitive resistive portion is separated from the insulating substrate top surface, from the insulating substrate top surface it is possible to reduce the influence of heat dissipation, it is possible to obtain a high temperature accuracy. また、実装された状態で感温抵抗部が実装基板に接触又は近接するため、実装基板からの直接的な熱伝導が得られて応答性を高めることができる。 Further, since the temperature sensitive resistive portion is mounted state is in contact with or in proximity to the mounting substrate, it is possible to enhance the responsiveness direct heat conduction is obtained from the mounting board. 特に、過熱保護用途の場合であってFET等の発熱部品が検出対象となる場合に、この発熱部品との熱結合を図る場合に、検出温度精度を向上させることができるメリットがある。 Particularly, when the heat-generating components such as the FET in the case of overheat protection applications be detected, when to achieve thermal coupling between the heat generating component, there is a merit that it is possible to improve the detection temperature accuracy.

また、本発明の表面実装型温度センサは、前記膜状抵抗部が、少なくとも前記絶縁性基板の上面に形成されていることを特徴とする。 The surface-mounted temperature sensor of the present invention, the film-like resistor section, characterized in that it is formed at least on an upper surface of the insulating substrate. すなわち、この表面実装型温度センサでは、膜状抵抗部が感温抵抗部とは反対側の絶縁性基板の上面に形成されて感温抵抗部とは別々の面上に配されるので、同一面内に感温抵抗部と膜状抵抗部とを形成する場合に比べて、絶縁性基板の面上における膜状抵抗部及び感温抵抗部の面積を大きく設定することができる。 That is, in this surface-mounted temperature sensor, since the film-like resistor portion is disposed on the different surfaces and formed on the upper surface of the opposite side of the insulating substrate temperature sensitive resistor portion and the temperature sensing resistor unit, the same as compared with the case of forming the temperature sensitive resistive portion and the film-like resistor portion in a plane, it is possible to set a large area of ​​the membrane resistance section and the thermal sensitive resistor portion on the surface of the insulating substrate. 逆に言えば、同じ面積の感温抵抗部及び膜状抵抗部で、絶縁性基板のチップサイズを小さくすることができ、全体の小型化を図ることができる。 Conversely, in the temperature sensitive resistance portion and a membrane resistance of the same area, it is possible to reduce the chip size of the insulating substrate, it is possible to achieve an overall size reduction. また、感温抵抗部が、膜状抵抗部の発熱の影響を受け難くなり、より温度精度を高めることができる。 Further, the thermal sensitive resistor portion is not easily influenced by the heat generation of the film-like resistance portion, it is possible to enhance the temperature accuracy.

また、本発明の表面実装型温度センサは、前記絶縁性基板の下面及び端面の少なくとも一方に形成され前記第1〜3の端子電極と電気的に絶縁された第4の端子電極を備えていることを特徴とする。 The surface-mounted temperature sensor of the present invention is provided with a fourth terminal electrodes are formed insulating the first to third terminal electrodes and electrically to at least one of the insulating lower surface and the end face of the substrate it is characterized in. すなわち、この表面実装型温度センサでは、第4の端子電極を絶縁性基板の下面及び端面の少なくとも一方に形成しているので、第4の端子電極が熱的結合端子として機能し、より高い熱伝導性を得ることができる。 That is, in this surface-mounted temperature sensor, since the fourth terminal electrodes are formed on at least one of the lower surface and the end surface of the insulating substrate, a fourth terminal electrodes function as thermal coupling terminals, higher thermal it can be obtained conductivity. なお、この場合、第4の端子電極は、熱伝導性が良好でかつハンダ付け可能な材料で形成されることが好ましい。 In this case, the fourth terminal electrode, the heat conductivity is formed at and with solderable material good is preferred.

さらに、本発明の表面実装型温度センサは、前記第4の端子電極が、前記絶縁性基板の互いに対向する一方の端面側に形成され、前記第1〜3の端子電極が、前記絶縁性基板の互いに対向する他方の端面側に形成され、前記第4の端子電極の面積が、前記第1〜3の端子電極よりも大きく設定されていることを特徴とする。 Furthermore, surface-mounted temperature sensor of the present invention, the fourth terminal electrode, wherein formed on one end face of which facing each other of the insulating substrate, the first to third terminal electrodes, the insulating substrate formed on the other end surface side facing each other in the area of ​​the fourth terminal electrode, characterized in that it is set larger than the first to third terminal electrodes. すなわち、この表面実装型温度センサでは、第1〜3の端子電極と反対側に広い面積で第4の端子電極が形成されているので、熱結合端子となる第4の端子電極側をFET等の発熱部品側に向けて実装することで、大面積の第4の端子電極により、熱を受け易くすることができると共に、小面積の第1〜3の端子電極により、熱を逃がし難くすることができる。 That is, in this surface-mounted temperature sensor, since a large area on the opposite side of the first to third terminal electrodes fourth terminal electrodes are formed, a fourth terminal electrode side of the thermal coupling terminal FET such as by implementing towards the heating component side, that the fourth terminal electrode having a large area, it is possible to easily receive heat by the first to third terminal electrodes of small area, which hardly escape of heat can.

また、本発明の表面実装型温度センサは、前記感温抵抗部上に、保護膜が形成されており、前記保護膜が、前記絶縁性基板の下面全体を面一にするように形成されていることを特徴とする。 The surface-mounted temperature sensor of the present invention, on the temperature sensing resistor unit, the protective film is formed, the protective film, the entire lower surface of the insulating substrate is formed so as to flush and said that you are. すなわち、この表面実装型温度センサでは、保護膜が絶縁性基板の下面全体を面一にするように形成されているので、実装した際に、絶縁性基板の下面全体が実装基板上に密着した状態で固定されることで、下面の感温抵抗部に対してより効率的に熱の伝導を図ることができる。 That is, in this surface-mounted temperature sensor, the protective film is formed so as to flush the entire lower surface of the insulating substrate, when mounted, the entire lower surface of the insulating substrate are in close contact on a mounting board by being fixed in a state, it is possible to more efficiently heat conduction to the lower surface of the temperature sensitive resistor unit.

本発明によれば、以下の効果を奏する。 According to the present invention, the following effects.
すなわち、本発明に係る表面実装型温度センサによれば、感温抵抗部が実装面となる絶縁性基板の下面に形成されているので、絶縁性基板上面からの熱放散の影響を低減することができると共に実装基板からの直接的な熱伝導を得ることができ、高い温度精度及び応答性を得ることができる。 That is, according to the surface mounting type temperature sensor according to the present invention, since the temperature sensitive resistive portion is formed on the lower surface of the insulating substrate serving as a mounting surface, to reduce the effect of heat dissipation from the insulating substrate top surface can be obtained direct heat conduction from the mounting substrate it is, it is possible to obtain a high temperature accuracy and responsiveness. したがって、特に、FET等の発熱部品に対する過熱保護用途等に好適である。 Thus, particularly suitable for overheat protection applications such as for heating components such as the FET.

以下、本発明に係る表面実装型温度センサの第1実施形態を、図1から図3を参照しながら説明する。 Hereinafter, a first embodiment of a surface mount type temperature sensor according to the present invention will be described with reference to FIGS.

本実施形態の表面実装型温度センサ110は、図1及び図2に示すように、アルミナ基板等の絶縁性基板10と、実装面となる絶縁性基板10の上面に形成され厚膜又は薄膜のサーミスタ膜からなる感温抵抗部11と、絶縁性基板10の下面に形成され感温抵抗部11と互いの一端同士が電気的に接続されトリミング可能な膜状抵抗部12と、感温抵抗部11の他端に電気的に接続された第1の端子電極13と、膜状抵抗部12の他端に電気的に接続された第2の端子電極14と、感温抵抗部11及び膜状抵抗部12のそれぞれの一端に電気的に接続された第3の端子電極15と、第1〜3の端子電極13〜15と電気的に絶縁された第4の端子電極16と、を備えている。 Surface mount temperature sensor 110 of the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, an insulating substrate 10 of the alumina substrate or the like, is formed on the upper surface of the insulating substrate 10 serving as a mounting surface of the thick or thin a temperature sensitive resistor portion 11 formed of a thermistor film and trimmable membrane resistance portion 12 bottom surface to the formed thermosensitive resistor portion 11 and each other one ends are electrically connected to the insulating substrate 10, the temperature sensitive resistor portion a first terminal electrode 13 is electrically connected to the other end 11, the second terminal electrode 14 electrically connected to the other end of the membrane resistance portion 12, the temperature sensitive resistor 11 and a film-like includes a third terminal electrodes 15 which are electrically connected to each end of the resistor 12, a fourth terminal electrode 16 which is insulated first to third terminal electrodes 13 to 15 and electrically, the there. すなわち、この表面実装型温度センサは、第1〜3の端子電極13〜15からなる有効3端子と、第4の端子電極16の熱結合端子と、を有する電圧出力タイプの温度センサである。 That is, the surface-mounted temperature sensor, an effective three-terminal consisting of the first to third terminal electrodes 13 to 15, the thermal coupling terminal of the fourth terminal electrode 16, a temperature sensor voltage output type having.

上記感温抵抗部11としては、NTC型、PTC型、CTR型等のサーミスタが挙げられるが、本実施形態ではNTC型サーミスタを採用している。 As the temperature sensitive resistor portion 11, NTC type, PTC type, including but thermistor CTR type or the like, and employs an NTC type thermistor in this embodiment. 感温抵抗部11は、矩形状にMn−Co−Cu系材料、Mn−Co−Fe系材料等のサーミスタ材料で形成されている。 Temperature sensitive resistor 11, Mn-Co-Cu-based material into a rectangular shape and is formed of a thermistor material such as Mn-Co-Fe-based material. また、感温抵抗部11下には、互いに所定間隔を空けて対向配置された第1の膜下電極部17aと、第2の膜下電極部17bとが形成されている。 Also, the lower the temperature sensitive resistor 11 are formed in the first layer below the electrode portion 17a that are opposed to each other at a predetermined distance from each other, and a second layer below the electrode portion 17b is.

さらに、第1の膜下電極部17aと第1の端子電極13とは、絶縁性基板10上に形成された第1の配線部13aで接続されている。 Furthermore, the first film under the electrode portion 17a and the first terminal electrodes 13 are connected by the first wiring part 13a formed on the insulating substrate 10. また、第2の膜下電極部17bと第3の端子電極15とは、絶縁性基板10上に形成された第2の配線部15aで接続されている。 Further, a second layer under the electrode portion 17b and the third terminal electrode 15 is connected with the second wiring portion 15a formed on the insulating substrate 10. また、絶縁性基板10上には、第2の端子電極14と接続された第3の配線部14aが膜状抵抗部12の一端部下まで延在して形成されている。 Further, on the insulating substrate 10, the third wiring portion 14a connected to the second terminal electrode 14 is formed extending to one end subordinate of the membranous resistance portion 12. さらに、第2の配線部15aは、一部が膜状抵抗部12の他端部下まで延在して形成されている。 Further, the second wiring portion 15a is partially formed to extend to the other end subordinate of the membranous resistance portion 12. すなわち、図9の等価回路で説明すると、第1の端子電極13はアース端子電極5として、また、第2の端子電極14は入力端子電極1として、さらに、第3の端子電極15は出力端子電極3として機能する。 That is, if explained in the equivalent circuit of FIG. 9, a first terminal electrode 13 ground terminal electrodes 5, and the second terminal electrode 14 as an input terminal electrode 1, further third terminal electrode 15 is the output terminal functions as an electrode 3.

上記膜状抵抗部12は、帯状に酸化ルテニウム系の厚膜材料で形成されている。 The membrane-like resistance portion 12 is formed in the thick-film material of the ruthenium oxide to the strip. また、上記第1〜第4の端子電極13〜16は、Agフィラー入り樹脂電極と、Niめっき層と、Snめっき層と、をこの順で積層した構成を有している。 Further, the first to fourth terminal electrodes 13 to 16 includes a Ag filler-containing resin electrode, an Ni plating layer, and a Sn plating layer, a structure in which the laminated in this order. また、第1及び第2の膜下電極部17a、17b及び第1〜第3の配線部13a、14a、15aは、Ag系又はAg/Pd系電極材料で形成されている。 The first and second film under the electrode portions 17a, 17b and the first to third wiring portion 13a, 14a, 15a are formed in the Ag-based or Ag / Pd-based electrode material.

なお、上述したように、第1〜第4の端子電極13〜16は、熱伝導性が良好でかつハンダ付け可能な材料で形成される。 As described above, the first to fourth terminal electrodes 13 to 16, the thermal conductivity is formed at and with solderable material good.
また、感温抵抗部11と膜状抵抗部12とは、互いに所定間隔を空けて配されている。 Further, the temperature sensitive resistor 11 and the film-like resistor portion 12, are arranged at a predetermined distance from each other. さらに、絶縁性基板10の上には、図2に示すように、感温抵抗部11と膜状抵抗部12とを覆うようにガラス材料、SiO スパッタ膜や樹脂材料(エポキシ系)等の保護膜18が形成されている。 Further, on the insulating substrate 10, as shown in FIG. 2, a glass material so as to cover the temperature sensitive resistor 11 and the film-like resistor portion 12, SiO 2 sputtered film or a resin material (epoxy) such protective film 18 is formed. この保護膜18は、図3に示すように、絶縁性基板10の下面全体を面一にするように形成されている。 The protective film 18, as shown in FIG. 3, and the entire lower surface of the insulating substrate 10 is formed so as to flush. なお、図2及び図3以外の図では、保護膜18を省略して図示している。 In the illustration of other 2 and 3, it is omitted the protective film 18.

第1〜第4の端子電極13〜16は、絶縁性基板10の互いに対向する端面に設けられていると共に、絶縁性基板10の上面及び下面まで回り込んだ状態で延在して形成されている。 First to fourth terminal electrodes 13 to 16, with provided on the end face facing each other of the insulating substrate 10, it is formed to extend in a state of wrapping around to the upper surface and the lower surface of the insulative substrate 10 there.
また、第1の端子電極13と第4の端子電極16とは、感温抵抗部11を間に挟んで互いに対向して配置されていると共に、第2の端子電極14と第3の端子電極15とは、膜状抵抗部12を間に挟んで互いに対向して配置されている。 Further, the first terminal electrode 13 and the fourth terminal electrodes 16, with being opposed to each other in between the temperature sensitive resistor 11, and the second terminal electrode 14 a third terminal electrodes the 15, are arranged to face each other with sandwiching the membrane resistance portion 12.

次に、本実施形態の表面実装型温度センサ110の製造方法について、以下に説明する。 Next, a method of manufacturing the surface-mounted temperature sensor 110 of the present embodiment will be described below. なお、本実施形態においては、複数の表面実装型温度センサ110を一括形成する場合について説明する。 In the present embodiment, the case of collectively forming a plurality of surface mount temperature sensors 110.

まず、複数の表面実装型温度センサ110を形成可能な大面積のアルミナ基板等の絶縁性基板10を用意し、この絶縁性基板10上に、Ag系又はAg/Pd系電極材料を1つの表面実装型温度センサ110が形成される領域毎にスクリーン印刷によりパターン形成し、850℃で焼成することで、第1及び第2の膜下電極17a、17b並びに第1〜第3の配線部13a、14a、15aを形成する。 First, a dielectric substrate 10 of the alumina substrate or the like having a large area capable of forming a plurality of surface mount type temperature sensor 110, on the insulating substrate 10, Ag-based or Ag / Pd-based electrode material of one surface patterned by screen printing for each region-mounted temperature sensor 110 is formed and fired at 850 ° C., the first and second film under the electrode 17a, 17b and the first to third wiring portion 13a, 14a, to form the 15a.

次に、厚膜のサーミスタ膜を絶縁性基板10上の所定領域にパターン形成して感温抵抗部11を形成する。 Then, a temperature sensitive resistor 11 thermistor film thick film is patterned in a predetermined region on the insulating substrate 10. 例えば、絶縁性基板10上に、ペースト状の厚膜サーミスタ材料をスクリーン印刷を用いて矩形状にパターニングした後、850℃で焼成して感温抵抗部11を形成する。 For example, on the insulating substrate 10, after patterning the rectangular form of a paste thick film thermistor material using screen printing to form a temperature sensitive resistor 11 and calcined at 850 ° C.. また、この際、感温抵抗部11の両端が、第1及び第2の膜下電極17a、17b上に位置するように形成する。 At this time, both ends of the temperature sensitive resistor 11 is, first and second film under the electrode 17a, it is formed so as to be positioned on 17b.

さらに、絶縁性基板10上の所定領域に酸化ルテニウム系のペースト状抵抗材料をスクリーン印刷によりパターン形成し、850℃で焼成することで、膜状抵抗部12を形成する。 Moreover, a paste-like resistor material ruthenium oxide based on a predetermined region on the insulating substrate 10 was patterned by screen printing and fired at 850 ° C., to form a film-like resistance portion 12.
上記膜状抵抗部12の形成後、絶縁性基板10上にガラスペーストをスクリーン印刷により塗布し、600℃で焼成する。 After formation of the film-like resistor 12, a glass paste is applied by screen printing on an insulating substrate 10 and baked at 600 ° C.. このガラスペーストは、保護膜18の一部として機能する。 The glass paste functions as part of the protective film 18.

次に、事前に感温抵抗部11のサーミスタ特性を測定しておき、その値に合わせるように、膜状抵抗部12の抵抗を測定しながら、膜状抵抗部12に対してレーザトリミングを行う。 Next, in advance, by measuring the thermistor properties of the temperature-sensitive resistor 11, to align its value, while measuring the resistance of the membrane-like resistance portion 12, performs the laser trimming to the film-like resistor 12 .
この後、絶縁性基板10上にエポキシ樹脂をスクリーン印刷によりコーティングし、200℃で硬化させることで、保護膜18を形成する。 Thereafter, the epoxy resin on the insulating substrate 10 is coated by screen printing, by curing at 200 ° C., to form a protective film 18. この際、保護膜18は、絶縁性基板10の下面全体を面一にするように凹凸を埋めて形成される。 At this time, the protective film 18 is formed the entire lower surface of the insulating substrate 10 fills the irregularities to flush.

次に、この状態で、平板状の絶縁性基板10を短冊状に一次分割し、その絶縁性基板10の端面に、Ag系樹脂によるAgフィラー入り樹脂電極を所定領域に形成し、さらに、チップ状に二次分割した状態で、絶縁性基板10の端面のAgフィラー入り樹脂電極上に、Niめっき及びSnめっきをこの順で施して第1〜第4の端子電極13〜16を形成することで、表面実装型温度センサ110が作製される。 Next, in this state, the plate-like insulating substrate 10 into strips and primary division, the end face of the insulating substrate 10, to form a Ag filler-containing resin electrode by an Ag-based resin in a predetermined area, and further, the chip Jo in the secondary divided state, on the Ag filler-containing resin electrode end surface of the insulating substrate 10, forming the first to fourth terminal electrodes 13 to 16 is subjected to Ni plating and Sn plating in that order in surface mount type temperature sensor 110 is fabricated.

この表面実装型温度センサ110を実装する場合、図3に示すように、感温抵抗部11が形成された下面を実装面として実装基板P上に載置し、第1〜第4の端子電極13〜16をハンダHにより実装基板Pに接着すると共に電気的接続を行う。 When implementing this surface mount type temperature sensor 110, as shown in FIG. 3, is placed on a mounting substrate P to the lower surface of the temperature sensitive resistor 11 is formed as a mounting surface, first to fourth terminal electrodes 13-16 for electrical connection with the bonding by solder H on the mounting substrate P. なお、この実装の際、熱結合端子である第4の端子電極16を、FET等の発熱部品F側に向けて実装基板Pに固定することで、発熱部品Fに第4の端子電極16が近くなり、温度精度及び応答性が向上する。 At the time of this mounting, the fourth terminal electrode 16 is thermally coupled terminals, by fixing to the mounting substrate P toward the heat generating component F side such as FET, a fourth terminal electrode 16 to the heat generating component F closer, improved temperature accuracy and responsiveness.

このように本実施形態では、感温抵抗部11が実装面となる絶縁性基板10の下面に形成されているので、感温抵抗部11が絶縁性基板10上面から離間しており、絶縁性基板10上面からの熱放散の影響を低減することができ、高い温度精度を得ることができる。 As described above, in this embodiment, since the temperature sensitive resistor 11 is formed on the lower surface of the insulating substrate 10 serving as a mounting surface, the temperature sensitive resistor 11 is spaced apart from the insulating substrate 10 upper surface, insulating it is possible to reduce the influence of heat dissipation from the substrate 10 upper surface, it is possible to obtain a high temperature accuracy. また、実装された状態で感温抵抗部11が実装基板Pに接触又は近接するため、実装基板Pからの直接的な熱伝導が得られて応答性を高めることができる。 Further, since the temperature sensitive resistor 11 in the mounted state is in contact with or in proximity to the mounting the substrate P, and is possible to enhance the responsiveness direct heat conduction is obtained from the mounting substrate P. 特に、過熱保護用途の場合であってFET等の発熱部品が検出対象となる場合に、この発熱部品との熱結合を図る場合に、検出温度精度を向上させることができるメリットがある。 Particularly, when the heat-generating components such as the FET in the case of overheat protection applications be detected, when to achieve thermal coupling between the heat generating component, there is a merit that it is possible to improve the detection temperature accuracy.

また、第4の端子電極16を絶縁性基板10の端面及び下面に形成しているので、第4の端子電極16が熱的結合端子として機能し、より高い熱伝導性を得ることができる。 Further, since the fourth terminal electrode 16 is formed on the end surface and the lower surface of the insulating substrate 10 can be a fourth terminal electrode 16 functions as a thermal coupling terminal, obtaining a higher thermal conductivity.
さらに、保護膜18が絶縁性基板10の下面全体を面一にするように形成されているので、実装した際に、絶縁性基板10の下面全体が実装基板P上に密着した状態で固定されることで、下面の感温抵抗部11に対してより効率的に熱の伝導を図ることができる。 Further, since the protective film 18 is formed so as to flush the entire lower surface of the insulating substrate 10, upon mounting, is fixed in a state in which the entire lower surface of the insulating substrate 10 are in close contact on the mounting substrate P in Rukoto, it is possible to more efficiently heat conduction to the lower surface of the temperature sensitive resistor 11.

次に、本発明に係る表面実装型温度センサの第2実施形態について、図4から図6を参照して以下に説明する。 Next, a second embodiment of a surface mount type temperature sensor according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 4-6. なお、以下の各実施形態おいて、上記実施形態で説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。 In the following Keep the embodiments, the same reference numerals are given to the same components described in the above embodiment, a description thereof will be omitted.

第2実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、膜状抵抗部12が感温抵抗部11と同一面である絶縁性基板10の下面に形成されているのに対し、第2実施形態の表面実装型温度センサ120は、図4から図6に示すように、膜状抵抗部12が、絶縁性基板10の上面に形成されている点である。 The point of difference between the second embodiment and the first embodiment, in the first embodiment, although film-like resistance portion 12 is formed on the lower surface of the insulating substrate 10 is flush with the temperature sensitive resistor 11 against, surface mount temperature sensors 120 of the second embodiment, as shown in FIGS. 4-6, the film-like resistance portion 12 is that formed on the upper surface of the insulating substrate 10. すなわち、第2実施形態の表面実装型温度センサ120では、膜状抵抗部12が感温抵抗部11とは反対側の絶縁性基板10の上面に形成されて感温抵抗部11とは別々の面上に配されている。 That is, in the surface-mounted temperature sensor 120 of the second embodiment, the formed on the upper surface temperature sensitive resistor 11 on the opposite side of the insulating substrate 10 is film-like resistance portion 12 and the temperature sensitive resistor 11 separate It is arranged on the surface.

したがって、第2実施形態の表面実装型温度センサ120では、同一面内に感温抵抗部11と膜状抵抗部12とを形成する場合に比べて、絶縁性基板10の面上における膜状抵抗部12及び感温抵抗部11の面積を大きく設定することができる。 Therefore, the surface-mounted temperature sensor 120 of the second embodiment, as compared with the case of forming the temperature sensing resistor 11 and the film-like resistor portion 12 in the same plane, membranous resistance on the surface of the insulating substrate 10 area parts 12 and the temperature sensitive resistor 11 may be a larger set. 逆に言えば、同じ面積の感温抵抗部11及び膜状抵抗部12で、絶縁性基板10のチップサイズを小さくすることができ、全体の小型化を図ることができる。 Conversely, in the temperature sensitive resistor 11 and the film-like resistor portion 12 of the same area, it is possible to reduce the chip size of the insulating substrate 10, it is possible to achieve an overall size reduction. また、感温抵抗部11が、膜状抵抗部12の発熱の影響を受け難くなり、より温度精度を高めることができる。 Further, the temperature sensitive resistor 11 is hardly influenced by the heat generation of the film-like resistor portion 12, it is possible to enhance the temperature accuracy.

次に、本発明に係る表面実装型温度センサの第3実施形態について、図7及び図8を参照して以下に説明する。 Next, a third embodiment of a surface mount type temperature sensor according to the present invention will be described below with reference to FIGS.

第3実施形態と第2実施形態との異なる点は、第2実施形態では、第4の端子電極16と第3の端子電極15とが絶縁性基板10の同じ端面側に同様の面積で形成されているのに対し、第3実施形態の表面実装型温度センサ130では、図7及び図8に示すように、第4の端子電極36が、絶縁性基板10の互いに対向する一方の端面側に形成され、第1〜3の端子電極33〜35が、絶縁性基板10の互いに対向する他方の端面側に形成され、第4の端子電極36の面積が、第1〜3の端子電極33〜35よりも大きく設定されている点である。 The point of difference between the third embodiment and the second embodiment, in the second embodiment, formed in the same area and the fourth terminal electrodes 16 the same end face side of the third terminal electrodes 15 and the insulating substrate 10 of the while being, in surface mount temperature sensors 130 of the third embodiment, as shown in FIGS. 7 and 8, a fourth terminal electrode 36, one end face of which facing each other of the insulating substrate 10 are formed on, the first to third terminal electrodes 33 to 35 are formed on the other end surface side facing each other of the insulating substrate 10, the area of ​​the fourth terminal electrode 36, the first to third terminal electrodes 33 a point which is set larger than 35.

すなわち、第3実施形態の表面実装型温度センサ130では、第4の端子電極36が絶縁性基板10の一端面の全長にわたって形成されている。 That is, in the surface-mounted temperature sensor 130 of the third embodiment, the fourth terminal electrode 36 is formed over the entire length of one end surface of the insulating substrate 10. また、第1の端子電極33と第1の膜下電極部17aとを接続する第1の配線部33a及び第3の端子電極35と第2の膜下電極部17bとを接続する第2の配線部35aが、それぞれ複数折り返されたミアンダ状の細線部とされている。 The second connecting the first wiring portion 33a and the third terminal electrode 35 second subintimal electrode portion 17b connected to the first terminal electrode 33 and the first film under the electrode portion 17a wiring portion 35a, there is a plurality folded meandering thin line portion.
この表面実装型温度センサ130を実装する場合、FET等の発熱部品F側に第4の端子電極36を向けて実装固定する。 When implementing this surface mount type temperature sensor 130 is mounted fixed toward the fourth terminal electrode 36 to the heat generating component F side such as the FET.

このように第3実施形態では、第1〜3の端子電極33〜35と反対側に広い面積で第4の端子電極36が形成されているので、熱結合端子となる第4の端子電極36側をFET等の発熱部品F側に向けて実装することで、大面積の第4の端子電極36により、熱を受け易くすることができると共に、小面積の第1〜3の端子電極33〜35により、熱を逃がし難くすることができる。 In this manner, the third embodiment, since the first to third terminal electrodes 33 to 35 on the opposite side to the wide area at a fourth terminal electrode 36 is formed, a fourth terminal electrode serving as the thermal coupling terminal 36 side by mounting towards the heating component F side such as FET, the fourth terminal electrode 36 having a large area, it is possible to easily subject to thermal, first to third terminal electrodes of small area 33 to by 35, it is possible to make it difficult escape of heat. また、第1の配線部33a及び第2の配線部35aが、ミアンダ状の細線部とされているので、信号ラインからの熱の流出、すなわち、熱が第1の配線部33a及び第2の配線部35aを介して第1の端子電極33及び第3の端子電極35に伝わって放散してしまうことを抑制することができる。 Further, the first wiring portion 33a and the second wiring portion 35a, since there is a meandering thin line portion, the outflow of heat from the signal line, i.e., heat is first wiring part 33a and the second it is possible to suppress that would wiring portion 35a dissipated transmitted to the first terminal electrode 33 and the third terminal electrode 35 through the.

なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiments and can be variously modified without departing from the scope of the present invention.

例えば、上記各実施形態では、スクリーン印刷法等を用いて厚膜サーミスタの感温抵抗部を形成しているが、絶縁性基板10上に、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行ってスパッタリングで薄膜サーミスタの感温抵抗部11を形成しても構わない。 For example, the above-described embodiments, by using a screen printing method or the like to form a temperature sensitive resistor portion of a thick film thermistor, on the insulating substrate 10, a thin film thermistor sputtering and patterned by photolithography it may be formed temperature sensing resistor 11.
また、膜状抵抗部12は、NiCr膜やCr膜等の抵抗薄膜材料で形成しても構わない。 Further, the film-like resistor 12, may be formed by resistance thin film material such as NiCr film or the Cr film.

本発明に係る第1実施形態の表面実装型温度センサを示す下面図である。 It is a bottom view showing a surface-mounted temperature sensor according to a first embodiment of the present invention. 第1実施形態の表面実装型温度センサを示す下面側からみた斜視図である。 Is a perspective view from the lower surface side of a surface mount type temperature sensor in the first embodiment. 第1実施形態の表面実装型温度センサを示す実装状態の概略断面図である。 Is a schematic cross-sectional view of a mounting state of a surface mount type temperature sensor in the first embodiment. 本発明に係る第2実施形態の表面実装型温度センサを示す上面側からみた斜視図である。 The surface mount type temperature sensor according to the second embodiment of the present invention is a perspective view seen from top side shown. 第2実施形態の表面実装型温度センサを示す下面図である。 It is a bottom view showing a surface-mounted temperature sensor in the second embodiment. 第2実施形態の表面実装型温度センサを示す上面図である。 It is a top view showing a surface-mounted temperature sensor in the second embodiment. 本発明に係る第3実施形態の表面実装型温度センサを示す上面側からみた斜視図である。 The surface mount type temperature sensor according to the third embodiment of the present invention is a perspective view seen from top side shown. 第3実施形態の表面実装型温度センサを示す下面図である。 It is a bottom view showing a surface-mounted temperature sensor in the third embodiment. サーミスタを利用した一般的な温度検出回路を示す等価回路図である。 It is an equivalent circuit diagram showing a typical temperature sensing circuit using a thermistor.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

10…絶縁性基板、11…感温抵抗部、12…膜状抵抗部、13、33…第1の端子電極、14、34…第2の端子電極、15、35…第3の端子電極、16、36…第4の端子電極、110、120、130…表面実装型温度センサ 10 ... insulating substrate 11 ... temperature sensitive resistor unit, 12 ... film-like resistor portion, 13 and 33 ... first terminal electrodes, 14, 34 ... second terminal electrodes, 15 and 35 ... third terminal electrodes, 16, 36 ... fourth terminal electrodes, 110, 120, 130 ... surface mount temperature sensors

Claims (5)

  1. 絶縁性基板と、 And the insulating substrate,
    前記絶縁性基板の面上に形成されたサーミスタ膜からなる感温抵抗部と、 And the temperature sensitive resistor unit comprising a thermistor film formed on a surface of the insulating substrate,
    前記絶縁性基板の面上に形成され前記感温抵抗部と互いの一端同士が電気的に接続された膜状抵抗部と、 Said formed on the surface of the insulating substrate the temperature sensing resistor portion and each other end to each other electrically connected membrane resistance portion,
    前記感温抵抗部の他端に電気的に接続された第1の端子電極と、 A first terminal electrode electrically connected to the other end of the temperature sensing resistor unit,
    前記膜状抵抗部の他端に電気的に接続された第2の端子電極と、 A second terminal electrode electrically connected to the other end of the film-like resistor portion,
    前記感温抵抗部及び前記膜状抵抗部のそれぞれの一端に電気的に接続された第3の端子電極と、を備え、 And a third terminal electrodes electrically connected to one end of each of the temperature sensing resistor portion and the membrane resistance portion,
    前記感温抵抗部が、実装面となる前記絶縁性基板の下面に形成されていることを特徴とすることを特徴とする表面実装型温度センサ。 Surface mount temperature sensors, characterized in that the temperature sensing resistor unit, characterized in that it is formed on the lower surface of the insulating substrate serving as a mounting surface.
  2. 請求項1に記載の表面実装型温度センサにおいて、 In the surface-mounted temperature sensor according to claim 1,
    前記膜状抵抗部が、前記絶縁性基板の上面に形成されていることを特徴とする表面実装型温度センサ。 Surface mount temperature sensors, characterized in that the film-like resistor portion is formed on the upper surface of the insulating substrate.
  3. 請求項1又は2に記載の表面実装型温度センサにおいて、 In the surface mount type temperature sensor according to claim 1 or 2,
    前記絶縁性基板の下面及び端面の少なくとも一方に形成され前記第1〜3の端子電極と電気的に絶縁された第4の端子電極を備えていることを特徴とする表面実装型温度センサ。 The fourth surface-mounted temperature sensor, characterized in that it comprises a terminal electrode that is formed is insulated the first to third terminal electrodes and electrically to at least one of the lower surface and the end face of the insulating substrate.
  4. 請求項3に記載の表面実装型温度センサにおいて、 In the surface mount type temperature sensor according to claim 3,
    前記第4の端子電極が、前記絶縁性基板の互いに対向する一方の端面側に形成され、 It said fourth terminal electrodes are formed on one end face of which facing each other of the insulating substrate,
    前記第1〜3の端子電極が、前記絶縁性基板の互いに対向する他方の端面側に形成され、 The first to third terminal electrodes are formed on the other end surface side facing each other of the insulating substrate,
    前記第4の端子電極の面積が、前記第1〜3の端子電極よりも大きく設定されていることを特徴とする表面実装型温度センサ。 The area of ​​the fourth terminal electrode, surface mount temperature sensors, characterized in that it is set larger than the first to third terminal electrodes.
  5. 請求項1から4のいずれか一項に記載の表面実装型温度センサにおいて、 In the surface mount type temperature sensor according to claim 1, any one of 4,
    前記感温抵抗部上に、保護膜が形成されており、 On the temperature sensing resistor unit, and the protective film is formed,
    前記保護膜が、前記絶縁性基板の下面全体を面一にするように形成されていることを特徴とする表面実装型温度センサ。 It said protective film, surface-mounted temperature sensor, characterized in that the entire lower surface of the insulating substrate is formed so as to flush.
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