JP2007081078A - 制御システム及び露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 高精度なステージ制御を実現すること。
【解決手段】 フィルタ５３は、ウエハ干渉計１８の計測値を入力し、あるサンプリング時点でのフィルタ５３への入力と、そのサンプリング時点の１サンプリング前のサンプリング時点におけるフィルタ５３への入力との差分の重み付け積算値を出力し、ウエハ干渉計１８の計測値に含まれる低周波なノイズ成分を除去する。フィルタ５７は、レチクル干渉計１６の計測値を入力し、あるサンプリング時点でのフィルタ５７への入力と、そのサンプリング時点の１サンプリング前のサンプリング時点におけるフィルタ５７への入力との差分の重み付け積算値を出力し、レチクル干渉計１６の計測値に含まれる低周波なノイズ成分を除去する。
【選択図】図２

Description

本発明は、制御システム及び露光装置に係り、さらに詳しくは、２つの物体の相対的な位置を制御する制御システム及び該制御システムを備える露光装置に関する。

従来より、露光装置においては、レチクル上の回路パターンの像を、ウエハ上に正確に転写することができるように、そのパターンの像を投影する投影光学系と、ウエハを保持するウエハステージや、レチクルを保持するレチクルステージとの相対位置を一定に保つ位置制御が行われている。より具体的には、投影光学系の側面に設置された参照鏡とウエハステージに設けられた移動鏡との相対変位を、レーザ干渉計で計測し、その計測値に対応する両者の相対位置を一定に保つような制御が行われている。

近年、露光装置内の温度や気圧変動などにより、投影光学系の光軸と参照鏡との間の距離が低周波で変動し、この変動が、レーザ干渉計の計測値に基づく両者の相対位置制御に悪影響（転写位置のずれ等）を与えてしまう虞があることがわかってきており、そのような低周波振動に対する対策が必要となってきている。

一方、従来より、露光装置のステージの加減速移動に伴って発生する装置内の局所的な弾性振動（例えば、参照鏡近傍に発生する加速度）を検出し、その弾性振動に対する補償を、ステージの位置制御系に積極的に与える技術も提案されているが（例えば特許文献１参照）、このような制振技術を用いても上記低周波振動の影響を除去することは困難である。

特開平１１−２０４４０６号公報

本発明は、第１の観点からすると、２つの物体の相対的な位置情報に相当する信号を出力する計測装置と；前記位置情報に相当する信号における所定の周波数以上の周波数帯域の成分が定常状態にある場合には、一定値を出力する機能を有するフィルタと；前記フィルタの出力に基づいて、前記２つの物体のうちの一方の物体に対する他方の物体の相対位置を制御する制御装置と；を備える制御システムである。

これによれば、２つの物体の相対的な位置情報に相当する信号における所定の周波数以上の周波数帯域の成分が定常状態にある場合には、一定値を出力する機能を有するフィルタを備え、そのフィルタの出力に基づいて２つの物体の相対位置制御を行うので、２つの物体の相対的な位置情報に混入される低周波のノイズに影響されない高精度な相対位置制御が可能となる。

本発明は、第２の観点からすると、投影光学系と；該投影光学系を介した投影像が投影される物体を保持する移動体と；前記投影光学系と、前記移動体との相対位置を制御する本発明の制御システムと；を備える露光装置である。かかる場合には、本発明の制御システムを用いて、投影光学系と移動体との相対位置を高精度に制御しながら、移動体に保持された物体を用いて露光を行うので、高精度な露光を実現することができる。

以下、本発明の一実施形態を図１、図２に基づいて説明する。図１には、本発明の一実施形態に係る露光装置１００の概略構成が示されている。この露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置である。図１では、後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向をＺ軸方向とし、これに直交する面内でレチクルＲとウエハＷとが相対走査される方向をＹ軸方向とし、これらＺ軸及びＹ軸に直交する方向をＸ軸方向として示している。

この露光装置１００は、照明光（露光光）ＩＬによりレチクルＲを照明する照明系１０、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、ウエハＷを保持するウエハステージＷＳＴ、レチクルステージＲＳＴ及び投影光学系ＰＬなどを搭載するボディＢＤ及びこれらの制御系等を備えている。

照明系１０は、レチクルＲ上のスリット状の照明領域を照明光ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ＩＬとしては、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。

レチクルステージＲＳＴは、ボディＢＤの一部を構成するベース上に、その底面に設けられた不図示のエアベアリングなどによって例えば数μｍ程度のクリアランスを介して浮上支持されている。このレチクルステージＲＳＴ上には、レチクルＲが、例えば真空吸着（又は静電吸着）により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、ここでは、リニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部１１により、後述する投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直なＸＹ平面内で２次元的に（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＸＹ平面に直交するＺ軸回りの回転方向（θｚ方向）に）微少駆動可能であるとともに、ベース上を所定のＹ軸方向に指定された走査速度で駆動可能となっている。

レチクルステージＲＳＴのステージ移動面内の位置は、レチクルレーザ干渉計（以下、レチクル干渉計という）１６によって、移動鏡１５を介して、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。この場合、投影光学系ＰＬの側面に固定された固定鏡１４を基準として位置計測が行われる。すなわち、厳密に言えば、レチクル干渉計１６の計測値は、固定鏡１４に対する、移動鏡１５の相対位置となる。

ここで、実際には、レチクルステージＲＳＴ上にはＹ軸方向に直交する反射面を有するＹ移動鏡とＸ軸方向に直交する反射面を有するＸ移動鏡とが設けられ、これらの移動鏡に対応してレチクルＹ干渉計とレチクルＸ干渉計とが設けられ、更に、これに対応して、Ｘ軸方向位置計測用の固定鏡と、Ｙ軸方向位置計測用の固定鏡が設けられているが、図１ではこれらが代表的に移動鏡１５、レチクル干渉計１６、固定鏡１４として示されている。

また、レチクルＹ干渉計とレチクルＸ干渉計の一方、例えばレチクルＹ干渉計は、測長軸を２軸有する２軸干渉計であり、このレチクルＹ干渉計の計測値に基づきレチクルステージＲＳＴのＹ位置に加え、θｚ方向の回転も計測できるようになっている。レチクル干渉計１６の計測値は、ステージ制御装置１９（図２参照）に送られている。ステージ制御装置１９では、レチクル干渉計１６の計測値に基づいてレチクルステージ駆動部１１を介してレチクルステージＲＳＴを駆動制御する。

投影光学系ＰＬは、レチクルステージＲＳＴの図１における下方でボディＢＤの一部を構成する定盤にフランジＦＬＧを介して保持されている。投影光学系ＰＬとしては、例えばＺ軸方向の共通の光軸ＡＸを有する複数のレンズ（レンズエレメント）から成る屈折光学系が用いられている。また、投影光学系ＰＬ内には、空気（酸素）の含有率が数ｐｐｍ未満とされたクリーンなヘリウムガス（Ｈｅ）または乾燥窒素ガス（Ｎ_２）が充填されている。この投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率（例えば１／４倍又は１／５倍）を有する。このため、照明系１０からの照明光ＩＬによってレチクルＲの照明領域が照明されると、このレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその照明領域内のレチクルＲの回路パターンの縮小像（回路パターンの一部の縮小像）が表面にレジスト（感光剤）が塗布されたウエハＷ上に形成される。ここで、ウエハＷは、例えば半導体（シリコンなど）又はＳＯＩ（Silicon Insulator）などの円板状の基板であり、その上にレジストが塗布されている。

ウエハステージＷＳＴは、ボディＢＤの一部を構成するベースの上面の上方に配置されている。このウエハステージＷＳＴ上に、不図示のウエハホルダを介してウエハＷが真空吸着（又は静電吸着）によって固定されている。

ウエハステージＷＳＴのＸＹ面内の位置情報は、その上部に固定された移動鏡１７に測長ビームを照射するウエハレーザ干渉計（以下、ウエハ干渉計という）１８によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。このウエハ干渉計１８は、ボディＢＤの一部に吊り下げ状態で固定され、投影光学系ＰＬの側面に固定された固定鏡５８の反射面を基準とする移動鏡１７の反射面の位置情報をウエハステージＷＳＴの位置情報として計測する。

ここで、ウエハステージＷＳＴ上には、実際には、走査方向であるＹ軸方向に直交する反射面を有する移動鏡と非走査方向であるＸ軸方向に直交する反射面を有する移動鏡とが設けられ、これに対応してレーザ干渉計及び固定鏡も、Ｘ軸方向位置計測用とＹ軸方向位置計測用のものがそれぞれ設けられているが、図１ではこれらが代表的に移動鏡１７、ウエハ干渉計１８、固定鏡５８として図示されている。また、Ｘ軸方向位置計測用のレーザ干渉計及びＹ軸方向位置計測用のレーザ干渉計は、ともに測長軸を複数有する多軸干渉計であり、ウエハステージＷＳＴのＸ、Ｙ位置の他、回転（ヨーイング（θｚ方向の回転）、ピッチング（θｘ方向の回転）、ローリング（θｙ方向の回転））も計測可能となっている。従って、以下の説明ではウエハ干渉計１８によって、ウエハステージＷＳＴのＸ、Ｙ、θｚ、θｙ、θｘの５自由度方向の位置が計測されるものとする。また、多軸干渉計は４５°傾いてウエハステージＷＳＴに設置される反射面を介して、投影光学系ＰＬが保持されるボディＢＤの一部に設けられる不図示の反射面にレーザビームを照射し、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に関する相対位置情報を検出するようにしても良い。

図２に示されるように、ウエハ干渉計１８で計測されたウエハステージＷＳＴの位置情報（又は速度情報）は、ステージ制御装置１９に送られ、ステージ制御装置１９では、ウエハステージＷＳＴの位置情報（又は速度情報）に基づいて、ウエハステージ駆動部２４を介してウエハステージＷＳＴのＸＹ面内の位置を制御する。

図２には、本実施形態の露光装置１００のステージ制御に関連する制御系のブロック図が示されている。この図２の制御系は、主制御装置２０及びステージ制御装置１９を中心に構成されている。

主制御装置２０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）、ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）等から成るいわゆるマイクロコンピュータ（又はワークステーション）を含んで構成され、装置全体を統括して制御する。

ステージ制御装置１９には、図２に示されるような、両ステージＷＳＴ、ＲＳＴの制御系が構築されている。この制御系は、指令出力部５１と、フィルタ５３と、ウエハステージコントローラＷＳＣと、同期演算部５５と、フィルタ５７と、レチクルステージコントローラＲＳＣとを備えている。

指令出力部５１は、主制御装置２０から送られた情報に基づいて、ウエハステージＷＳＴに対する位置指令を作成して出力する。

一方、フィルタ５３は、ウエハ干渉計１８からのウエハステージＷＳＴの位置情報に対し所定のフィルタ処理を施す。ここで、このフィルタ５３のフィルタ処理について具体的に説明する。ｔを現在のサンプリング時点を表すサンプリング番号とする。ここで、ウエハ干渉計１８の出力（すなわちフィルタ５３への入力）をｆ（ｔ）とすると、このフィルタ処理の演算式は次式で表される。

すなわち、このフィルタ５３では、ウエハ干渉計１８の計測値ｆ（ｔ）を入力し、上記式（１）のｇ（ｔ）を出力するようになる。

ここで、式（１）について、さらに詳細に説明する。上記式（１）を展開すると、α₀・（ｆ（ｔ）−ｆ（ｔ−１））＋α₁・（ｆ（ｔ−１）−ｆ（ｔ−１−１））＋α₂・（ｆ（ｔ−２）−ｆ（ｔ−２−１））＋…＋α_T・（ｆ（ｔ−Ｔ）−ｆ（ｔ−Ｔ−Δｔ））となる。すなわち、この式（１）は、あるサンプリング時点でのフィルタ５３への入力と、そのサンプリング時点の１サンプリング前のサンプリング時点におけるフィルタ５３への入力との差分の重み付け積算値となる。重みα_t'は、α₀＞α₁＞α₂＞α₃…＞α_Tとなるように設定されている。すなわち、フィルタ５３では、入力が過去のものになるにつれて、その出力に与える入力の重みが軽減されるように設定されている。

上記式（１）の展開結果からもわかるように、このフィルタ５３は、現在の入力と過去の入力との差分に基づく値を出力としているため、入力の低周波数成分を除去するハイパスフィルタとして機能する。言い換えると、フィルタ５３は、ウエハステージＷＳＴの位置情報に相当する信号における所定の周波数以上の周波数帯域の成分が定常状態にある場合には、一定値を出力する機能を有するように動作する。このフィルタ５３のカットオフ周波数は、重みα_t'によって決定される。

なお、上記式（１）は、次式のように変形することもできる。

ここで、β_t'＝α_t'−α_t'+1とおくと、次式が満たされることが重みβ_t'の設定条件となる。

すなわち、β_t'は、その総和が０となるように決定されるのが望ましい。このように設定すれば、フィルタ５３の出力に不要なオフセット成分が表れることはない。

ウエハステージコントローラＷＳＣでは、指令出力部５１から出力される位置指令と、フィルタ５３の出力との偏差に基づいて、ウエハステージ駆動部２４に対する駆動指令を作成して出力する。この駆動指令は、ウエハステージ駆動部２４に送られ、ウエハステージ駆動部２４は、この駆動指令に従って、ウエハステージＷＳＴを駆動する。

フィルタ５３の出力は、同期演算部５５にも送られている。同期演算部５５は、ウエハステージＷＳＴに対するレチクルステージＲＳＴの同期位置を演算して出力する。

一方、フィルタ５７は、レチクル干渉計１６からのレチクルステージＲＳＴの位置情報に対し所定のフィルタ処理を施す。フィルタ５７は、上記フィルタ５３の同様のハイパスフィルタであり、レチクル干渉計１６の計測値（レチクルステージＲＳＴの実測位置情報）に相当する信号における所定の周波数以上の周波数帯域の成分が定常状態にある場合には、一定値を出力するように動作する。

レチクルステージコントローラＲＳＣは、レチクルステージＷＳＴの同期位置と、フィルタ５７の出力との偏差に基づいて、レチクルステージ駆動部１１への駆動指令を出力する。レチクルステージ駆動部１１は、その駆動指令に従って、レチクルステージＲＳＴを駆動制御する。

ところで、ウエハ干渉計１８の計測値に含まれるノイズ成分には、様々なものがある。例えば、投影光学系ＰＬの例えばレンズ調整によるその光軸ＡＸと固定鏡５８との間の距離の変動がある。この変動は、約１００ｎｍ程度の振幅成分を有しており、要求される露光精度からいえばこれを無視することができない。また、この変動は、投影光学系ＰＬの温度変化や、ガス圧の変動により引き起こされるものであるため、その周波数帯域は数Ｈｚ程度と非常に低くなっている。したがって、ウエハ干渉計１８の計測値に含まれるこれらの低周波成分を、ハイパスフィルタであるフィルタ５３により除去すれば、ウエハステージＷＳＴがこの変動成分に追従しないようになり、投影光学系ＰＬの光軸と、ウエハステージＷＳＴとの相対位置関係を示すべきウエハステージＷＳＴの位置情報の検出精度が向上する。

同様に、レチクル干渉計１６の出力に含まれるノイス成分にも、様々なものがある。例えば、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと固定鏡１４との間の距離の変動がある。この変動成分もその周波数帯域が低いので、ハイパスフィルタであるフィルタ５７の作用によりその成分が除去される。このようにすれば、レチクルステージＷＳＴがこの変動成分に追従しないようになり、投影光学系ＰＬの光軸とレチクルステージＲＳＴとの相対位置関係を示すべきレチクルステージＲＳＴの位置情報の検出精度が向上する。

このように、両ステージＷＳＴ、ＲＳＴの位置情報の検出精度が向上したため、それらの位置情報を用いたレチクルステージＲＳＴに保持されたレチクルＲと、ウエハステージＷＳＴに保持されたウエハＷとの同期制御の制御性能が向上し、高精度な露光を実現することができる。

以上詳細に述べたように、本実施形態によれば、ウエハステージＷＳＴ又はレチクルステージＲＳＴと投影光学系ＰＬとの相対的な位置情報に相当する信号（すなわちウエハ干渉計１８又はレチクル干渉計１６の出力）における所定の周波数以上の周波数帯域の成分が定常状態にある場合には、一定値を出力する機能を有するフィルタ５３、５７を備え、そのフィルタ５３、５７の出力に基づいて２つの物体の相対位置制御を行うので、投影光学系ＰＬ内部の温度や、気圧の変化に起因するような、その光軸と、固定鏡５８との位置関係の変動のような低周波のノイズに影響されない相対位置制御を実現することが可能となる。

また、本実施形態によれば、フィルタ５３、５７の出力は、上記式（１）又は（２）に示されるように、サンプリング間隔毎にサンプリングされるウエハ干渉計１８の位置情報に相当する信号の差分の重み付け積算値となる。すなわち、このフィルタ５３、５７は、入力信号の差分を出力とするため、ハイパスフィルタとして機能するが、その差分の重み付け積算値であるため、ステージの制御系に加えられる外乱に対して頑健なフィルタとなる。

また、本実施形態によれば、重み付け積算値における各差分の重みは、古い順に小さくなるように設定されている。すなわち、過去の差分であればあるほど、フィルタ５３、５７の出力に対する重みが軽くなるように設定されている。このようにすれば、現在の制御系に影響を与えない程度に時間が経過したデータについては、フィルタ５３、５７の出力に影響を与えないように設定している。

なお、この差分データの重みは、上記条件を満たすものであれば、任意の設定値とすることができるが、除去すべき低周波成分の周波数帯域などを考慮して決定されるようになる。

なお、上記実施形態では、フィルタ５３、５７の出力を、サンプリング間隔毎に得られるウエハステージＷＳＴ、レチクルステージＲＳＴの位置情報に相当する信号の差分の重み付け積算値としたが、これには限られない。フィルタ５３、５７は、ウエハ干渉計１８、レチクル干渉計１６からの出力に含まれる低周波成分を除去可能なハイパスフィルタであればよい。

例えば、次式で示されるｇ（ｔ）をフィルタの出力とすることができる。

すなわち、ある期間での干渉計１８の計測値の総和から、その期間での干渉計１８の計測値の移動平均値を引いた値を、ハイパスフィルタの出力とすることができる。

このように、一般に、ハイパスフィルタとしては、ローパスフィルタへの入力と、そのローパスフィルタからの出力との差を出力とすることができるので、比較的容易に設計することができる。

また、フィルタ５３、５７は、バンドパスフィルタであってもよい。この場合には、投影光学系ＰＬなどに起因する低周波成分を除去することができるとともに、制御系に悪影響を与える干渉計の出力に含まれる高周波帯域のノイズ成分をも除去することが可能となる。

また、上記実施形態では、ウエハステージＷＳＴとレチクルステージＲＳＴとの同期制御に用いられる各干渉計の出力に含まれる低周波のノイズ成分を除去するためのシステムについて述べたが、ウエハステージＷＳＴ、レチクルステージＲＳＴの単独の位置制御に、本発明を適用することができるのは勿論である。また、フィルタ５３、５７のいずれか一方はなくてもよい。

また、上記実施形態では、投影光学系ＰＬと、両ステージＷＳＴ、ＲＳＴとの相対位置情報の検出に対するフィルタリングをしたが、本発明はこれには限られず、露光装置１００内の２つの物体の相対位置情報の検出などをする際には適用することが可能である。例えば、照明系１０と、レチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、ウエハステージＷＳＴとの間の相対位置制御、ボディＢＤの部材間の相対位置制御にも適用することが可能である。

なお、上記実施形態では、本発明が、スキャニング・ステッパに適用された場合について例示したが、本発明の適用範囲がこれに限定されるものではなく、本発明は、マスクと基板とを静止した状態で露光を行うステッパ等の静止型の露光装置や、ステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも本発明は好適に適用できる。

また、露光装置の露光対象である物体は、上記の実施形態のように半導体製造用のウエハに限定されることなく、例えば、液晶表示素子、プラズマディスプレイや有機ＥＬなどのディスプレイ装置の製造用の角型のガラスプレートや、薄膜磁気へッド、撮像素子（ＣＣＤなど）、マスク又はレチクルなどを製造するための基板であっても良い。

また、上記実施形態の露光装置における投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良いし、投影光学系ＰＬは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。

また、照明光ＩＬは、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）に限らず、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）や、Ｆ₂レーザ光（波長１５７ｎｍ）などであっても良い。投影光学系としては、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光などの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英やホタル石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ₂レーザ光などを用いる場合はホタル石その他のフッ化物結晶を用いる必要がある。

また、例えば真空紫外光としては、ＡｒＦエキシマレーザ光やＦ₂レーザ光などが用いられるが、これに限らず、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。

また、上記実施形態では、露光装置の照明光ＩＬとしては波長１００ｎｍ以上の光に限らず、波長１００ｎｍ未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近年、７０ｎｍ以下のパターンを露光するために、ＳＯＲやプラズマレーザを光源として、軟Ｘ線領域（例えば５〜１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を発生させるとともに、その露光波長（例えば１３．５ｎｍ）の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたＥＵＶ露光装置の開発が行われている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられるので、かかる装置も本発明の転写特性計測方法により、パターンの転写特性を計測することができる。さらに、例えば国際公開ＷＯ９９／４９５０４号パンプレットなどに開示される、投影光学系ＰＬとウエハとの間に液体（例えば純水など）が満たされる液浸型露光装置などにも本発明を適用することができる。

また、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置も、本発明は適用できる。なお、電子線露光装置は、ペンシルビーム方式、可変成形ビーム方式、セルプロジェクション方式、ブランキング・アパーチャ・アレイ方式、及びマスク投影方式のいずれであっても良い。

なお、本発明に係るステージ装置は、露光装置に限らず、その他の基板の処理装置（例えば、レーザリペア装置、基板検査装置その他）、あるいはその他の精密機械における試料の位置決め装置、ワイヤーボンディング装置等にも広く適用できる。

なお、複数のレンズ等から構成される照明ユニット、投影光学系などを露光装置本体に組み込み、光学調整をする。そして、上記のウエハステージ、レチクルステージ、並びにその他の様々な部品を機械的及び電気的に組み合わせて調整し、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより、上記実施形態の露光装置１００等の本発明に係る露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

なお、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した制御システムによりパターンの転写特性が調整される上記実施形態の露光装置で、マスクに形成されたパターンを感光物体上に転写するリソグラフィステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置が用いられるので、高集積度のデバイスを歩留り良く製造することができる。

以上説明したように、本発明の制御システムは、２つの物体の相対位置制御を行うのに適しており、本発明の露光装置は、マイクロデバイスの製造に適している。

本発明の一実施形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。 ステージ制御装置の制御系の構成を示すブロック図である。

符号の説明

１０…照明系、１１…レチクルステージ駆動部、１４…固定鏡、１５…移動鏡、１６…レチクル干渉計、１７…移動鏡、１８…ウエハ干渉計、１９…ステージ制御装置、２０…主制御装置、２４…ウエハステージ駆動部、５１…指令出力部、５３…フィルタ、５５…同期演算部、５７…フィルタ、５８…固定鏡、１００…露光装置、ＢＤ…ボディ、ＦＬＧ…フランジ、ＩＬ…照明光、ＰＬ…投影光学系、Ｒ…レチクル、ＲＳＣ…レチクルステージコントローラ、ＲＳＴ…レチクルステージ、ＷＳＣ…ウエハステージコントローラ、Ｗ…ウエハ、ＷＳＴ…ウエハステージ。

Claims (5)

1. ２つの物体の相対的な位置情報に相当する信号を出力する計測装置と；
   前記位置情報に相当する信号における所定の周波数以上の周波数帯域の成分が定常状態にある場合には、一定値を出力する機能を有するフィルタと；
   前記フィルタの出力に基づいて、前記２つの物体のうちの一方の物体に対する他方の物体の相対位置を制御する制御装置と；を備える制御システム。
2. 前記フィルタの出力は、
   所定のサンプリング間隔毎に得られる前記位置情報に相当する信号の差分の重み付け積算値であることを特徴とする請求項１に記載の制御システム。
3. 前記重み付け積算値における前記各差分の重みは、古い順に小さくなるように設定されていることを特徴とする請求項２に記載の制御システム。
4. 所定のパターンを投影光学系を介して感光物体に転写する露光装置に用いられ、
   前記２つの物体は、前記投影光学系と、前記感光物体及び前記所定のパターンが形成された部材のいずれか一方の物体を保持する移動体とであり、
   前記計測装置は、前記投影光学系及び前記移動体にそれぞれ測定光を照射するレーザ干渉計であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の制御システム。
5. 投影光学系と；
   該投影光学系を介した投影像が投影される物体を保持する移動体と；
   前記投影光学系と、前記移動体との相対位置を制御する請求項４に記載の制御システムと；を備える露光装置。

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