JP2007081014A - 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007081014A JP2007081014A JP2005265000A JP2005265000A JP2007081014A JP 2007081014 A JP2007081014 A JP 2007081014A JP 2005265000 A JP2005265000 A JP 2005265000A JP 2005265000 A JP2005265000 A JP 2005265000A JP 2007081014 A JP2007081014 A JP 2007081014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- group
- layer
- emitting layer
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 BCCC*1C(N(*)C(*)C2*)=C2N[C@]1CC Chemical compound BCCC*1C(N(*)C(*)C2*)=C2N[C@]1CC 0.000 description 3
- OCSFNTICIRSZOJ-UHFFFAOYSA-N C(C12)=CSC1c(cccc1)c1N2c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1-[n]1c2ccccc2c2c1cc[s]2 Chemical compound C(C12)=CSC1c(cccc1)c1N2c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1-[n]1c2ccccc2c2c1cc[s]2 OCSFNTICIRSZOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJVXTNIULZUGHQ-UHFFFAOYSA-N C(CC1)CCC1(c(cc1)ccc1-[n]1c2cccnc2c2c1cccc2)c(cc1)ccc1-[n]1c2cccnc2c2ccccc12 Chemical compound C(CC1)CCC1(c(cc1)ccc1-[n]1c2cccnc2c2c1cccc2)c(cc1)ccc1-[n]1c2cccnc2c2ccccc12 MJVXTNIULZUGHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJZQDWNRWFVSLN-UHFFFAOYSA-N C(CC1)CCC1(c(cc1)ccc1-[n]1c2cnccc2c2ccccc12)c(cc1)ccc1-[n]1c2ncccc2c2c1cccc2 Chemical compound C(CC1)CCC1(c(cc1)ccc1-[n]1c2cnccc2c2ccccc12)c(cc1)ccc1-[n]1c2ncccc2c2c1cccc2 DJZQDWNRWFVSLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLVXNQKJQDFWPI-UHFFFAOYSA-N CC1(C=CN=CC1c1c2cccc1)N2c(cc1)cc(C)c1-c1cc(-c(c(C)c2)ccc2-[n]2c3ccncc3c3ccccc23)cc(-c(c(C)c2)ccc2-[n]2c(ccnc3)c3c3ccccc23)c1 Chemical compound CC1(C=CN=CC1c1c2cccc1)N2c(cc1)cc(C)c1-c1cc(-c(c(C)c2)ccc2-[n]2c3ccncc3c3ccccc23)cc(-c(c(C)c2)ccc2-[n]2c(ccnc3)c3c3ccccc23)c1 VLVXNQKJQDFWPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDFDQUVVOBLVSJ-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(-[n]2c3ccccc3c3ccccc23)ccc1-c1cc(-c(c(C)c2)ccc2-[n]2c(ccnc3)c3c3c2ccnc3)cc(-c(c(C)c2)ccc2-[n]2c3ccncc3c3cnccc23)c1 Chemical compound Cc1cc(-[n]2c3ccccc3c3ccccc23)ccc1-c1cc(-c(c(C)c2)ccc2-[n]2c(ccnc3)c3c3c2ccnc3)cc(-c(c(C)c2)ccc2-[n]2c3ccncc3c3cnccc23)c1 PDFDQUVVOBLVSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLSPAUPSVPYHMS-UHFFFAOYSA-N c(c(c1c2cccc1)c1[n]2-c(cc2)ccc2-c(cc2)ccc2-[n]2c([n](cc3)-c4cc(-c(nc5)cc(c6c7cccc6)c5[n]7-c5cc(-[n](c6c7cccc6)c6c7nccc6)cc(-[n]6c(ccnc7)c7c7c6cccc7)c5)ccc4)c3c3ccccc23)c[n]1-c1ccccc1 Chemical compound c(c(c1c2cccc1)c1[n]2-c(cc2)ccc2-c(cc2)ccc2-[n]2c([n](cc3)-c4cc(-c(nc5)cc(c6c7cccc6)c5[n]7-c5cc(-[n](c6c7cccc6)c6c7nccc6)cc(-[n]6c(ccnc7)c7c7c6cccc7)c5)ccc4)c3c3ccccc23)c[n]1-c1ccccc1 CLSPAUPSVPYHMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYYQCLACCNRGJD-UHFFFAOYSA-N c(cc1)cc(c2c3ccnc2)c1[n]3-c1cc(-[n]2c(ccnc3)c3c3ccccc23)cc(-[n]2c(ccnc3)c3c3c2cccc3)c1 Chemical compound c(cc1)cc(c2c3ccnc2)c1[n]3-c1cc(-[n]2c(ccnc3)c3c3ccccc23)cc(-[n]2c(ccnc3)c3c3c2cccc3)c1 CYYQCLACCNRGJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQVNCIAZNIQDJZ-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1-c1cc(-[n]2c3cnccc3c3c2cccc3)ccc1-c(ccc(-[n]1c(cncc2)c2c2ccccc12)c1)c1-c1ccccc1 Chemical compound c(cc1)ccc1-c1cc(-[n]2c3cnccc3c3c2cccc3)ccc1-c(ccc(-[n]1c(cncc2)c2c2ccccc12)c1)c1-c1ccccc1 SQVNCIAZNIQDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFLFNZNHDSSMLQ-UHFFFAOYSA-N c(cc1c2cnccc22)ccc1[n]2-c(cc1)ccc1-c1cc(-c(cc2)ccc2-[n]2c(ccnc3)c3c3c2cccc3)cc(-c(cc2)ccc2-[n]2c(ccnc3)c3c3ccccc23)c1 Chemical compound c(cc1c2cnccc22)ccc1[n]2-c(cc1)ccc1-c1cc(-c(cc2)ccc2-[n]2c(ccnc3)c3c3c2cccc3)cc(-c(cc2)ccc2-[n]2c(ccnc3)c3c3ccccc23)c1 FFLFNZNHDSSMLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
構成層として少なくとも陽極、正孔輸送層、発光層及び陰極を有し、該発光層が、少なくともホスト化合物と金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該正孔輸送層と前記発光層との間に、前記発光層に隣接した中間層を有し、該金属錯体の少なくともひとつが、下記一般式(1)で表される部分構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(2)
構成層として少なくとも陽極、正孔輸送層、発光層及び陰極を有し、該発光層が、少なくともホスト化合物と金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該正孔輸送層と前記発光層との間に、前記発光層に隣接した中間層を有し、該金属錯体の少なくともひとつが、下記一般式(2)で表される部分構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(3)
構成層として少なくとも陽極、正孔輸送層、発光層及び陰極を有し、該発光層が、少なくともホスト化合物と金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該正孔輸送層と前記発光層との間に、前記発光層に隣接した中間層を有し、該金属錯体の少なくともひとつが、下記一般式(3)で表される部分構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(4)
構成層として少なくとも陽極、正孔輸送層、発光層及び陰極を有し、該発光層が、少なくともホスト化合物と金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該正孔輸送層と前記発光層との間に、前記発光層に隣接した中間層を有し、該金属錯体の少なくともひとつが、下記一般式(4)で表される部分構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(5)
構成層として少なくとも陽極、正孔輸送層、発光層及び陰極を有し、該発光層が、少なくともホスト化合物と金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該正孔輸送層と前記発光層との間に、前記発光層に隣接した中間層を有し、該金属錯体の少なくともひとつが、下記一般式(5)で表される部分構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(6)
構成層として少なくとも陽極、正孔輸送層、発光層及び陰極を有し、該発光層が、少なくともホスト化合物と金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該正孔輸送層と前記発光層との間に、前記発光層に隣接した中間層を有し、該金属錯体の少なくともひとつが、下記一般式(6)で表される部分構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(7)
構成層として少なくとも陽極、正孔輸送層、発光層及び陰極を有し、該発光層が、少なくともホスト化合物と金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該正孔輸送層と前記発光層との間に、前記発光層に隣接した中間層を有し、該金属錯体の少なくともひとつが、下記一般式(7)で表される部分構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(8)
構成層として少なくとも陽極、正孔輸送層、発光層及び陰極を有し、該発光層が、少なくともホスト化合物と金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該正孔輸送層と前記発光層との間に、前記発光層に隣接した中間層を有し、該金属錯体の少なくともひとつが、下記一般式(8)で表される部分構造を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(9)
前記中間層と前記発光層が、各々同一のホスト化合物Aを含有することを特徴とする(1)〜(8)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記ホスト化合物または前記ホスト化合物Aのリン光0−0バンドが460nm以下であることを特徴とする(1)〜(9)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記中間層が、下記一般式(9)で表される化合物を含有することを特徴とする(1)〜(10)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(12)
前記一般式(9)が、下記一般式(10)で表されることを特徴とする(11)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(13)
前記一般式(9)が、下記一般式(11)で表されることを特徴とする(11)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(14)
前記一般式(9)が、下記一般式(12)で表されることを特徴とする(11)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(15)
前記一般式(9)が、下記一般式(13)で表されることを特徴とする(11)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(16)
前記8族〜10族の遷移金属元素が、イリジウムまたは白金であることを特徴とする(1)〜(15)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
構成層として、発光層と陰極の間に正孔阻止層を有し、該正孔阻止層が、カルボリンの誘導体または該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくともひとつが窒素原子で置き換えられている環構造を有する誘導体を含有することを特徴とする(1)〜(16)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(1)〜(17)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
(1)〜(17)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
本発明の有機EL素子に係る金属錯体は、発光層の発光ドーパントとして用いられる。
一般式(1)〜(8)において、B1はX1及びNと共に、B2はX2及びNと共に、B3はX3及びNと共に、B4はX4及びNと共に、B5はX5及びNと共に、B6はX6及びNと共に、B7はX7及びNと共に、B8は各々X8及びNと共に各々芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、該芳香族複素環としては、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、テトラゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン等が挙げられる。
一般式(3)で表される部分構造の中でも、下記一般式(3a)〜(3d)で表される部分構造が好ましい。
一般式(4)で表される部分構造の中でも、下記一般式(4a)〜(4e)で表される部分構造が好ましい。
一般式(6)で表される部分構造の中でも、下記一般式(6a)〜(6f)で表される部分構造が好ましい。
一般式(7)で表される部分構造の中でも、下記一般式(7a)〜(7f)で表される部分構造が好ましい。
本発明に係る中間層とは、発光層と正孔輸送層との間の層のことである。該層に含まれる材料の性質によっては、該層を正孔輸送層と呼ぶこともあり、電子阻止層と呼ぶこともある。(正孔輸送層、電子阻止層については以下で説明する。)本発明においては、該中間層中に、発光層に含有されるホスト化合物と同じ材料を含有することが好ましい。また、該ホスト化合物は、2種以上の化合物の混合物でも良い。
本発明の有機EL素子において、発光層には発光ホストと発光ドーパントを含有する。発光層中の主成分であるホスト化合物である発光ホストに対する発光ドーパントとの混合比は好ましくは質量で0.1質量%〜30質量%未満の範囲に調整することである。
本発明に用いられるホスト化合物とは、発光層に含有される化合物のうちで室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.01未満の化合物である。
=4/1(vol/vol)の混合溶媒に溶かし、リン光測定用セルに入れた後液体窒素温度77°Kで励起光を照射し、励起光照射後100msでの発光スペクトルを測定する。リン光は蛍光に比べ発光寿命が長いため、100ms後に残存する光はほぼリン光であると考えることができる。なお、リン光寿命が100msより短い化合物に対しては遅延時間を短くして測定しても構わないが、蛍光と区別できなくなるほど遅延時間を短くしてしまうとリン光と蛍光が分離できないので問題となるため、その分離が可能な遅延時間を選択する必要がある。
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。
(i)陽極/正孔輸送層/中間層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/電子阻止層/中間層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/中間層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(iv)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/中間層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/電子阻止層/中間層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
《阻止層(電子阻止層、正孔阻止層)》
本発明に係る阻止層(例えば、電子阻止層、正孔阻止層)について説明する。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層もしくは複数層を設けることができる。
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
本発明の有機EL素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10〜1000nm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
本発明の有機EL素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は上記有機EL素子を有する。
本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置装置は上記有機EL素子を有する。
《有機EL素子1−1の作製》
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、H−11、Ir−12、BC、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取付けた。
有機EL素子1−1の作製において、表1に記載のように中間層の材料、発光ホスト、発光ドーパント、正孔阻止層の材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子1−2〜1−15を作製した。
得られた有機EL素子1−1〜1−15について下記のような評価を行った。
有機EL素子を室温(約23〜25℃)、2.5mA/cm2の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度(L)[cd/m2]を測定することにより、外部取り出し量子効率(η)を算出した。ここで、発光輝度の測定は、CS−1000(ミノルタ製)を用いた。外部取り出し量子効率は、有機EL素子1−1を100とする相対値で表した。
有機EL素子を室温下、2.5mA/cm2の定電流条件下による連続点灯を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。発光寿命は、有機EL素子1−1を100とする相対値で表した。
《有機EL素子2−1の作製》
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、H−17、Ir−12、BC、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取付けた。
さらに、H−17の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚10nmになるように蒸着し、中間層を設けた。
有機EL素子2−1の作製において、表2に記載のように発光ホスト、発光ドーパント、正孔阻止層の材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子2−2〜2−15を作製した。
《有機EL素子3−1の作製》
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、H−1、Ir−12、BC、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取付けた。
さらに、H−1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚10nmになるように蒸着し、中間層を設けた。
有機EL素子3−1の作製において、表3に記載のように発光ホスト、発光ドーパント、正孔阻止層の材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子3−2〜3−18を作製した。
《有機EL素子4−1の作製》
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、H−25、Ir−12、BC、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取付けた。
さらに、H−25の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚10nmになるように蒸着し、中間層を設けた。
有機EL素子4−1の作製において、表4に記載のように発光ホスト、発光ドーパント、正孔阻止層の材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子4−2〜4−24を作製した。
《有機EL素子5−1の作製》
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、H−8、Ir−12、BC、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取付けた。
さらに、H−8の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚10nmになるように蒸着し、中間層を設けた。
有機EL素子5−1の作製において、表5に記載のように発光ホスト、発光ドーパント、正孔阻止層の材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子5−2〜5−15を作製した。
《有機EL素子6−1の作製》
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、H−15、Ir−12、BC、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取付けた。
有機EL素子6−1の作製において、表6に記載のように発光ホスト、発光ドーパント、正孔阻止層の材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子6−2〜6−24を作製した。
《有機EL素子7−1の作製》
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、H−20、Ir−12、BC、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取付けた。
さらに、H−20の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚10nmになるように蒸着し、中間層を設けた。
有機EL素子7−1の作製において、表7に記載のように発光ホスト、発光ドーパント、正孔阻止層の材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子7−2〜7−24を作製した。
《有機EL素子8−1の作製》
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜した基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。この透明支持基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、H−22、Ir−12、BC、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取付けた。
さらに、H−22の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚10nmになるように蒸着し、中間層を設けた。
有機EL素子8−1の作製において、表8に記載のように発光ホスト、発光ドーパント、正孔阻止層の材料を変更した以外は同様にして、有機EL素子8−2〜8−15を作製した。
《フルカラー表示装置の作製》
(青色発光素子の作製)
実施例1の有機EL素子3−6を青色発光素子として用いた。
実施例1の有機EL素子1−1において、Ir−12をIr−1に変更した以外は同様にして、緑色発光素子を作製し、これを緑色発光素子として用いた。
実施例1の有機EL素子1−1において、Ir−12をIr−9に変更した以外は同様にして、赤色発光素子を作製し、これを赤色発光素子として用いた。
《白色発光素子及び白色照明装置の作製》
実施例1の透明電極基板の電極を20mm×20mmにパターニングし、その上に実施例1と同様に正孔輸送層(正孔注入・輸送機能有り)としてα−NPDを25nmの厚さで成膜し、さらに、H−22の入った前記加熱ボートの通電し中間層としてH−22を10nmの厚さで製膜し、更に、H−22の入った前記加熱ボートと化合物7−9の入ったボート及びIr−9の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるH−22と発光ドーパントである本発明に係る化合物7−9及びIr−9の蒸着速度が100:5:0.6になるように調節し、膜厚30nmの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサ
A 表示部
B 制御部
107 透明電極付きガラス基板
106 有機EL層
105 陰極
102 ガラスカバー
108 窒素ガス
109 捕水剤
Claims (19)
- 前記中間層と前記発光層が、各々同一のホスト化合物Aを含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記ホスト化合物または前記ホスト化合物Aのリン光0−0バンドが460nm以下であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記8族〜10族の遷移金属元素が、イリジウムまたは白金であることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 構成層として、発光層と陰極の間に正孔阻止層を有し、該正孔阻止層が、カルボリンの誘導体または該カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくともひとつが窒素原子で置き換えられている環構造を有する誘導体を含有することを特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1〜17のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
- 請求項1〜17のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005265000A JP4967284B2 (ja) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005265000A JP4967284B2 (ja) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007081014A true JP2007081014A (ja) | 2007-03-29 |
JP4967284B2 JP4967284B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=37941014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005265000A Active JP4967284B2 (ja) | 2005-09-13 | 2005-09-13 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4967284B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1647554A4 (en) * | 2003-07-22 | 2008-02-20 | Idemitsu Kosan Co | METAL COMPLEX CONNECTION AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THIS |
JP2013024570A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 燐光測定方法 |
US20130056716A1 (en) * | 2011-09-06 | 2013-03-07 | National Tsing Hua University | Transition metal carbene complexes and the electroluminescent application thereof |
KR101290054B1 (ko) | 2011-12-19 | 2013-07-30 | 주식회사 두산 | 이리듐 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
JP2013153222A (ja) * | 2013-05-01 | 2013-08-08 | Konica Minolta Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料 |
US8799997B2 (en) | 2011-04-18 | 2014-08-05 | Bank Of America Corporation | Secure network cloud architecture |
CN104335377A (zh) * | 2012-05-24 | 2015-02-04 | 默克专利有限公司 | 包含稠合杂芳族环的金属络合物 |
WO2015072727A1 (ko) * | 2013-04-26 | 2015-05-21 | 주식회사 케이엠더블유 | 기지국 안테나 장치 |
US9183031B2 (en) | 2012-06-19 | 2015-11-10 | Bank Of America Corporation | Provisioning of a virtual machine by using a secured zone of a cloud environment |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151269A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2003109758A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005232159A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-09-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子 |
JP2007042875A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Fujifilm Holdings Corp | 有機電界発光素子 |
-
2005
- 2005-09-13 JP JP2005265000A patent/JP4967284B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151269A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2003109758A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005232159A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-09-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | 化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子 |
JP2007042875A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Fujifilm Holdings Corp | 有機電界発光素子 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1647554A4 (en) * | 2003-07-22 | 2008-02-20 | Idemitsu Kosan Co | METAL COMPLEX CONNECTION AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THIS |
US9184918B2 (en) | 2011-04-18 | 2015-11-10 | Bank Of America Corporation | Trusted hardware for attesting to authenticity in a cloud environment |
US8799997B2 (en) | 2011-04-18 | 2014-08-05 | Bank Of America Corporation | Secure network cloud architecture |
US8839363B2 (en) | 2011-04-18 | 2014-09-16 | Bank Of America Corporation | Trusted hardware for attesting to authenticity in a cloud environment |
US8875240B2 (en) | 2011-04-18 | 2014-10-28 | Bank Of America Corporation | Tenant data center for establishing a virtual machine in a cloud environment |
US8984610B2 (en) | 2011-04-18 | 2015-03-17 | Bank Of America Corporation | Secure network cloud architecture |
US9209979B2 (en) | 2011-04-18 | 2015-12-08 | Bank Of America Corporation | Secure network cloud architecture |
US9100188B2 (en) | 2011-04-18 | 2015-08-04 | Bank Of America Corporation | Hardware-based root of trust for cloud environments |
JP2013024570A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 燐光測定方法 |
US20130056716A1 (en) * | 2011-09-06 | 2013-03-07 | National Tsing Hua University | Transition metal carbene complexes and the electroluminescent application thereof |
US9518217B2 (en) * | 2011-09-06 | 2016-12-13 | E Ink Holdings Inc. | Transition metal carbene complexes and the electroluminescent application thereof |
KR101290054B1 (ko) | 2011-12-19 | 2013-07-30 | 주식회사 두산 | 이리듐 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
CN104335377A (zh) * | 2012-05-24 | 2015-02-04 | 默克专利有限公司 | 包含稠合杂芳族环的金属络合物 |
US9183031B2 (en) | 2012-06-19 | 2015-11-10 | Bank Of America Corporation | Provisioning of a virtual machine by using a secured zone of a cloud environment |
WO2015072727A1 (ko) * | 2013-04-26 | 2015-05-21 | 주식회사 케이엠더블유 | 기지국 안테나 장치 |
JP2013153222A (ja) * | 2013-05-01 | 2013-08-08 | Konica Minolta Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4967284B2 (ja) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5076900B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP5151481B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP5076891B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP5594384B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 | |
JP5011908B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 | |
JP5679017B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP5516668B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料 | |
JP5040077B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5403105B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5076888B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP5130913B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP5303892B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JPWO2005097940A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP4935001B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料 | |
JP2008069268A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP4967284B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP2009057505A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP2008074921A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP2009001742A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP4904727B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JPWO2006129471A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及び表示装置 | |
JP5104981B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP5556929B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料 | |
JP5266540B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料 | |
JP2013138225A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110531 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120306 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120319 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4967284 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |