JP2007080471A - 受光素子回路及び光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】温度上昇によりレーザ光源からのレーザ放射角がドリフトした場合でも、レーザパワーを正確にモニタし、光ディスクの高倍速記録、高速記録を安定して行うことができ、且つ低消費電力化に寄与し、安価な受光素子回路及び光ピックアップ装置を提供する
【解決手段】光ディスク装置のレーザの発光量をモニタする受光素子回路であって、少なくとも３つの受光領域が配列され、外側の受光領域が金属配線で接続され形成される第１の受光セルと、内側の領域で形成される第２の受光セルを有する。
【選択図】 図３

Description

この発明は、受光素子回路及び光ディスク装置に関するもので、例えば、ＣＤ（コンパクトディスクプレーヤ）、ＬＤ（レーザディスクプレーヤ）、ＤＶＤ（デジタルバーサータイルディスク）、最近では青色レーザを利用したＨＤ ＤＶＤ等の光ピックアップ装置に使用されて有効な発明である。またこの発明に係る受光素子回路は、アンプ内蔵光センサ半導体集積回路とも称され（以下これらを総称してＡＰＣ−ＰＤＩＣと略記する）、特にレーザの発光量を自動調整するためにいわゆるフロントモニタするのに用いられる。

情報読み取り用として赤外レーザを使用するＣＤ（Compact Disk）、赤色レーザを使用するＤＶＤ（Digital Versatile Disk）、最近では青色レーザを使用するハイビジョンクラスの映像の記録媒体として規格されているＨＤ ＤＶＤ（High Definition Digital Versatile Disk）等などがある。これらの光ディスクを用いる記録再生装置における音楽、映画等情報信号の記録/再生は、レーザビームを対物レンズで微小サイズの集光スポットにして光ディスクへ照射する、そして、光ディスクからのレーザ反射光を検出することにより行われている。

このために最近のドライブでは、使用するレーザ光の波長としては、３波長（ＣＤ用、ＤＶＤ用、ＨＤ ＤＶＤ用）にもなる。さらに記録のハイスピード化が進み、ＣＤでは記録５２倍速、ＤＶＤでは記録１６倍速のドライブが発売されており、レーザの光量もそれにともないハイパワーになってきている。

レーザは、各部ミラー等を経由して対物レンズからディスクに照射される。一般的にＡＰＣ−ＰＤＩＣは、レーザ光路の途中のミラーの背面に搭載され、そのレーザの一部光量をモニタして電圧に変換し、レーザ駆動回路にフィードバックしている。このフィードバックループによりレーザの光量を一定にすべく、自動パワーコントロール（Auto Power control）が行われる（以下、ＡＰＣと略記する）。

従来のＡＰＣ方式は、１つの受光セルを使用し、レーザ光量をモニタしているため、再生系の仕様と記録系の仕様、この２つの仕様のバランスをとる必要性があった。

再生系の仕様は、周波数帯域は１ＭＨｚ程度と低くてよいが、雑音レベルは低く、信号出力が大きいことが要求される。

一方、記録系の仕様は、再生系とは逆に、記録パルスを忠実にモニタするため周波数帯域は１００ＭＨｚ以上、低パワーから高パワーまで、倍速記録モードにもよるが、１対１０〜１５０の割合で変化している記録パルスの低パワー側で低雑音が要求される。つまり広帯域、低雑音が要求される。

従来、再生系と記録系で、この相反した仕様のため、両方の仕様のバランス取りが非常に難しかった。また、光ディスクでは、記録後すぐに再生、またその逆に再生後すぐに記録という高速切り替えを要求されるが、従来の回路では、帯域の低い方の切り替え時定数が支配的になり、高速で、記録／再生の切り替えができないという問題があった。

また、従来のＡＰＣ−ＰＤＩＣは、レーザ出射光量に対する、ＡＰＣ−ＰＤＩＣ受光光量（モニタ量）を上げると、すなわち光路中のレーザビームパワーに対してモニタする光量の割合を大きく（光量を上げようと）すると、ＳＮ良くモニタ信号が得られるが、対物出射パワー、すなわち記録パワーが不足する、逆に、モニタ量を下げると、レーザ光量モニタの十分な感度、十分なモニタ信号電圧が得られないため、ＳＮが悪くなってしまうという問題があった。

また、再生系のＳＮを上げるため、センサ面積を大きくすると、センサ容量が大きくなる。このセンサ容量の影響で、今度は、再生系の周波数特性のピーキングを抑えるために、センサ容量とほぼ同等の位相補償コンデンサを必要とされ、この結果、周波数帯域は狭くなるので、再生系はこれで問題ない。しかしこの結果、記録時のモニタ周波数帯域が不足、減少してしまうという大きな欠点があった。

このように従来の回路では、再生系の仕様と記録系の仕様には相反する要件が存在し、この２つの仕様のバランスをとる必要性があり、またバランスが重要であるという課題がある。また、上記のようにセンサ面積を大きくし、それに伴い位相補償コンデンサが大きくなると、チップサイズが大きくなり、ＩＣの単価が上がるという大きな欠点もある。

また、従来のＡＰＣ−ＰＤＩＣでは、実装位置にばらつきが生じるという問題がある。これは、製造機械の精度を頼りに実装を行っている為である。しかし、従来であると、このような精度は問題視されていなかった。なぜなら、受光素子の実装位置のずれを考慮し、受光領域より大きなビームサイズで受光素子にレーザビームを入射している為である。しかし、ビームサイズを大きくすることにより、レーザの出力を上げることになり、レーザが発熱するという問題があった。また、近年記録の高倍速化が進むにつれて、レーザの光量がハイパワーになってきている。その為、レーザは非常に大きな発熱を起こしてしまう。このように、レーザが発熱することにより、レーザ放射角がドリフトすることが問題になっている。

上記のような、受光素子回路に関する技術としては以下の文献に開示された技術がある。

特許文献１に開示される技術は、受光素子を２分割し、低パワー用、高パワー用としてセンサ精度を向上させるものである。また、受光素子を複数分割し、レーザビームを受光しているセルと、受光していないセルで演算し、暗電流、オフセット電圧に対して対策を施したものである。

特許文献２に開示される技術は、１つの受光セルを使用し、ゲインの異なる増幅器を複数設けたものである。

特許文献３に開示される技術は、複数の電流増幅回路の出力を加算した後、電流電圧変換回路によって電圧変化及び増幅し、出力するものである。

特許文献４開示される技術は、発光素子による光伝送により、制御信号を送り、その制御信号を元にデコーダ、メモリ、電子ボリュームで受光素子の感度を制御するものである。

特許文献５開示される技術は、受光したレーザノイズを演算し、ディスクからの反射光からレーザノイズを除去するものである。
特開平０５−８１６９５ 特開Ｐ２００３−２８１７７０ 特開Ｐ２００３−２３３２７ 特開Ｐ２００３−６３５４３ 特開Ｐ２００５−１８２８６８

従来の赤外レーザを利用したＣＤ、赤色レーザを利用したＤＶＤと比較し、近年開発されたＨＤ ＤＶＤ等のように青色レーザを利用した光ピックアップ装置が開発されている。その為、扱う容量も増大しており、高記録密度化、さらなる高倍速記録化、高速記録化が求められている。それを実現する為に、光ディスクの回転速度の高速化が図られている。この結果、光を検出するピックアップ部において扱う記録再生信号の周波数帯域は１００ＭＨｚになっている。この為、記録レーザパワーは、再生レーザパワーの１５０倍近いものとなる。この結果、レーザは非常に大きな発熱を起こし、レーザ放射角がドリフトすることが大きな問題となる。

そこで本発明では、温度上昇によりレーザ光源からのレーザ放射角がドリフトした場合でも、レーザパワーを正確にモニタし、光ディスクの高倍速記録、高速記録を安定して行うことができ、且つ低消費電力化に寄与し、安価な受光素子回路及び光ディスク装置を提供することを目的とする。

またさらに、受光素子の実装位置の許容範囲の緩和にも有効であり、結果的には、低消費電力を実現する、受光素子回路及び光ディスク装置を提供することを目的とする。

この発明の一面では、レーザの発光量をモニタする受光素子回路であって、
基板上に複数の矩形状の受光領域を配置し、受光領域を金属配線で接続することで形成した第１の受光セルと、前記第１の受光セル以外の受光領域を金属配線で接続して形成した第２の受光セルと、を有し、再生時には前記第１と第２の受光セルの両方の出力が用いられるように構成し、記録時には前記第１と第２の受光セルのいずれか一方の出力を用いるように構成したことを特徴とする。

上記した手段により、感度特性はもちろんのこと、交流特性である周波数帯域、位相特性、スルーレート、群遅延特性等については、再生系、記録系それぞれで、独立して調整可能となり最適化が可能になる。

すなわち、再生系では、レーザパワーが小さいこと、周波数特性は１ＭＨｚ程度と低くて良いことから、受光セル面積を大きくすることにより、信号レベルを大きくＳＮを良くすることが可能になる。一方記録系では、再生系のおよそ１５０倍の非常に大きいレーザパワーが出射されるため、高速パルスを広帯域で受光しなければならないため、再生系の受光セルサイズに比べて小さい受光セルサイズにすることにより、高倍速記録、高速記録に対応することが可能になる。

以上のように、２つの受光セルを使用し、レーザ光量をモニタする方式では、再生系の仕様と記録系の仕様、この２つのバランスが非常にとりやすくなるという効果がある。また、無駄なエネルギーを省くことになり、低消費電力化が期待できる。

受光セルサイズを感度特性、交流特性において最適化したことにより、再生レーザパワーと記録レーザパワーのレーザパワー比が１対１５０のような場合にもレーザパワーを正確に、リニアリティ良くモニタし、レーザパワーを安定にするためのＡＰＣ制御が容易に行うことが可能になり、この結果、光ディスクの高記録密度化、高倍速記録化が容易になる。

また、レーザの発熱によりレーザ放射角が変化した場合、受光素子の実装位置にずれが生じた場合でも、レーザパワーの正確なモニタを行うことが出来る。

また、光ディスクでは、記録後すぐに再生、またその逆に再生後すぐに記録という高速切り替えを要求されるが、本発明のＡＰＣ−ＰＤＩＣを使用した回路では、帯域の低い方の時定数で切り替えスピードが遅くなるという大きな問題が全くなくなり、高速で記録／再生の切り替えが可能になるという非常に大きい効果がある。

以上のように、本発明では再生系、記録系各々でＡＣ特性の優れた安価なＡＰＣ−ＰＤＩＣを提供することが可能になる。

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について詳細に説明する。以下に示す説明は本発明の一実施の形態であって、本発明の装置及び方法を限定するものではない。

図１は本発明が適用される光ディスク装置の構成を示すブロック図である。最初に、装置の動作概略について説明する。

光ディスク２は読出し専用の光ディスクあるいはユーザデータを記録可能な光ディスクである。光ディスク２はスピンドルモータ３によって回転駆動される。光ディスク２が取り付けられているスピンドルモータ３は、スピンドルモータ制御回路４により、再生データが安定に読み出せるように光ディスク２及びスピンドルモータ３の回転数を制御している。

光ディスク２に対する情報の記録、再生は、光ピックアップヘッド（以下ＰＵＨと記載）５によって行われる。ＰＵＨ５は、ギア７を介してスレッドモータ６と連結されており、スレッドモータ６が回転することにより、ＰＵＨ５が光ディスク２の半径方向に移動する。このスレッドモータ６はスレッドモータ制御回路８により制御される。

スレッドモータ制御回路８には、ＣＰＵ９からＰＵＨ５のシーク先アドレスが入力され、このアドレスに基づいてスレッドモータ制御回路８はスレッドモータ６を制御する。

ＰＵＨ５には、図示しないワイヤ或いは板バネによって支持された対物レンズ１０が設けられる。対物レンズ１０はフォーカス駆動コイル１１の駆動によりフォーカシング方向（レンズの光軸方向）への移動が可能であり、又トラッキング駆動コイル１２の駆動によりトラッキング方向（レンズの光軸と直交する方向）への移動が可能である。

レーザ光は、レーザ制御回路１３内のレーザ駆動回路１４により、半導体レーザ１５から発せられる。半導体レーザ１５から発せられるレーザ光は、コリメータレンズ１６、ハーフプリズム１７、対物レンズ１０を介して光ディスク２上に照射される。

その一方でハーフプリズム１７を透過するレーザ光が、ＡＰＣ−ＰＤＩＣ１８で電気信号に変換され、レーザ駆動回路１４に出力されている。このＡＰＣ−ＰＤＩＣ１８はいわゆるフロントモニタである。従ってレーザ駆動回路１４は、半導体レーザ１５から発せられるレーザ光の光量をＡＰＣ−ＰＤＩＣ１８でモニタし、常にＣＰＵ９に指令された光量が出るように制御している。

光ディスク２からの反射光は、対物レンズ１０、ハーフプリズム１７、集光レンズ１９、及びシリンドリカルレンズ２０を介して、ＰＤＩＣ１に導かれる。

ＰＤＩＣ１は、例えば４分割の光検出セルから成り、分割された各光検出セルの検知信号は高周波（以下ＲＦ）アンプ２１に出力される。ＲＦアンプ２１は光検知セルからの信号を合成し、フォーカシング用検知信号ＦＥ、トラッキング用検出信号ＴＥ、全加算信号ＲＦを出力する。

フォーカシング制御回路２２は前述のフォーカシング用検知信号ＦＥに基づいて、フォーカス制御信号ＦＣを生成する。フォーカス制御信号ＦＣはフォーカシング方向に対物レンズ１０を移動するフォーカス駆動コイル１１に供給され、レーザ光が光ディスク２の記録膜上に常時ジャストフォーカスとなるフォーカスサーボが行われる。

トラッキング制御回路２３はトラッキング用検知信号ＴＥに基づいてトラッキング制御信号ＴＣを生成する。トラッキング制御信号ＴＣはトラッキング方向に対物レンズ１０を移動する駆動コイル１２に供給され、レーザ光が光ディスク２上に形成されたトラック上を常にトレースするトラッキングサーボが行われる。上記トラッキング制御回路２３によって対物レンズ１０が制御されているとき、スレッドモータ制御回路８により、対物レンズ１０がＰＵＨ５内の所定位置近傍に位置するようスレッドモータ６つまりＰＵＨ５が制御される。

チルトセンサ２４は光ディスク２にチルト検出用光ビームを照射し、その反射光をＰＳＤ（ｐｏｓｉｔｉｏｎ ｓｅｎｓｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）により受光し、ディスク２のチルトを検出する。チルトセンサ２４の検知出力すなわちディスクチルト検知信号ＤＴＤはチルト制御回路２５に供給される。

チルト制御回路２５はディスクチルト検出信号ＤＴＤに基づいて、ディスクチルト制御信号ＤＴＣを生成する。ディスクチルト制御信号ＤＴＣはチルト駆動コイル２６に供給され、対物レンズ１０がディスク２に対してチルトが０になるようにその傾きが制御される。

上記フォーカスサーボ、トラッキングサーボ及びチルト制御がなされることで、ＰＤＩＣ１の４つの光受光セルの出力を全加算した信号「ＶＡ＋ＶＢ＋ＶＣ＋ＶＤ」、すなわち加算信号ＲＦには、光ディスク２のトラック上に形成されたピットなどからの反射光の変化が反映される。

このＲＦ信号は、データ再生回路２７に供給される。データ再生回路２７は、ＰＬＬ回路２８からの再生用クロック信号に基づき、ＰＲＭＬ（Partial Response and Most Likelihood）方式処理により情報を復号する。

復号された情報信号は、ＣＰＵ９の指令で、バス２８を介してＲＡＭ２９、エラー訂正回路３１が使用され、エラー訂正処理される。その後情報信号は、インターフェース回路３２から一般的なＡＴＡＰＩインターフェースにより、ドライブ外部のホスト回路３３へ送られる。

スピンドルモータ制御回路４、スレッドモータ制御回路８、レーザ制御回路１３、ＰＬＬ制御回路２８、データ再生回路２７、フォーカス制御回路２２、トラッキング制御回路２３、エラー訂正回路３１、ＲＡＭ２９、ＲＯＭ３０は、バス２８を介してＣＰＵ９によって制御される。ＣＰＵ９はインターフェース回路３２を介してホスト回路３３から提供される動作コマンドに従って、この記録再生装置を総合的に制御する。又ＣＰＵ９は、ＲＡＭ２９を作業エリアとして使用し、ＲＯＭ３０に記録されたプログラムに従って所定の動作を行う。

これまでは、ディスク２に記録された情報信号の再生について説明したが、情報信号の記録について簡単に説明する。

ドライブ外部のホスト回路３３から、ＡＴＡＰＩインターフェースで送られてくる情報信号は、インターフェース回路３２を介して、バス２８に送られ、エラー訂正回路３１、ＲＡＭ２９を使用して、エラー訂正用信号、ヘッダー等の付加情報が、情報信号に付加され、記録信号になる。

この記録信号は、レーザ制御回路１３内の変調回路３４で８−１６変調され、変調された情報信号はレーザ駆動回路１４により、半導体レーザ１５から、光に変換されて出力される。光出力された記録信号は、コリメータレンズ１６、ハーフプリズム１７、対物レンズ１０を介して光ディスク２上に照射され、光ディスク２上では、光強度に応じた記録信号が記録される。記録信号の再生については、前述した通りなので省略する。

ここで、以下の説明の中で、「再生レーザパワー」、「記録レーザパワー」という言葉の定義は、正確には、対物レンズから「再生レーザパワー」、あるいは「記録レーザパワー」を発生させているレーザ出力のことであり、ディスクから反射して戻ってくる再生信号あるいは記録信号を含んでいるレーザビームのことではないので、注意を要する。

図２は、図１に示したＡＰＣ−ＰＤＩＣ１８の回路構成例を示す図である。ＰＤ−Ａ１とＰＤ−Ａ２は再生用受光領域である。また、ＰＤ−Ｂは記録用受光領域である。ここで、受光領域ＰＤ−Ａ１とＰＤ−Ａ２は金属配線により接続されており、電気的には１つの再生用受光セルＰＤ−Ａ１２を形成している。また、ＰＤ−Ｂは同時に記録用受光セルを形成しており、再生用受光セルＰＤ−Ａ１２と記録用受光セルＰＤ−Ｂとで受光素子全体を構成している。

再生時は、再生用受光セルＰＤ−Ａ１２（受光領域ＰＤ−Ａ１、ＰＤ−Ａ２）からＴＩＡ回路Ｕ１へ、再生レーザパワーに対応した電流が出力される。また、受光セルＰＤ−ＢからＴＩＡ回路Ｕ２へ、再生レーザパワーに対応した電流が出力される。ここで、ＴＩＡ回路Ｕ１、Ｕ２は、それぞれ再生レーザパワーに対応した電流を電流電圧変換し増幅して出力する。ＴＩＡ回路Ｕ２の出力はＴＩＡ回路Ｕ１の出力に加算回路ＡＤＤ１で加算され、スイッチＳＷ１の一方入力端子に出力される。スイッチＳＷ１の他方の入力端子にはＴＩＡ回路Ｕ２の出力が供給される。スイッチＳＷ１は、いずれか一方の入力を選択し、増幅回路Ｕ３に供給する。再生時には、加算回路ＡＤＤ１の出力が選択される。増幅回路Ｕ３では、入力がシングルエンド−差動変換され、この増幅回路Ｕ３の出力は、出力端子ＯＵＴ−Ｐ３５、出力端子ＯＵＴ−Ｎ３６を経由し、レーザ駆動回路１４内部のＡＰＣ系回路に伝送される。

記録時は、スイッチＳＷ１は、ＴＩＡ回路Ｕ２の出力を選択するように切り替えられる。受光領域ＰＤ−ＢからＴＩＡ回路Ｕ２へ、記録レーザパワーに対応した電流が出力される。ＴＩＡ回路Ｕ２は、記録レーザパワーに対応した電流を電流電圧変換し増幅して出力する。ＴＩＡ回路Ｕ２の出力はスイッチＳＷ１を介して増幅回路Ｕ３に供給される。ここで入力がシングルエンド−差動変換され、増幅回路Ｕ３の出力は、出力端子ＯＵＴ−Ｐ３５、出力端子ＯＵＴ−Ｎ３６を経由し、レーザ駆動回路１４内部のＡＰＣ系回路に伝送される。

このＡＰＣ−ＰＤＩＣ１８は、さらに基準電圧発生回路Ｖｒｅｆ、再生／記録ゲイン制御回路４０を含む。基準電圧発生回路Ｖｒｅｆは、基準電位を発生させ、ＴＩＡ回路Ｕ１、Ｕ２、増幅回路Ｕ３へ供給する。また、ＴＩＡ回路Ｕ１、Ｕ２は、受光セルＰＤ−Ａ１２、ＰＤ−Ｂへの逆バイアス供給も兼ねている。

再生／記録ゲイン制御回路４０には、記録モード、再生モードを切り替えるＲ／Ｗ切替端子３７、第１ゲイン切替端子３８、第２ゲイン切替端子３９が接続されている。再生／記録ゲイン制御回路４０は、これらの端子３７，３８，３９からから供給される制御信号に基づいて、記録時と再生時とで、スイッチＳＷ１の選択状態、ＴＩＡ回路Ｕ１、Ｕ２のゲイン状態を切り替え制御する。

ＴＩＡ回路Ｕ１は、その出力端子と、負入力端子間に接続されたトランスインピーダンスＶＲＡ１が可変されることでゲインが切換わる。またＴＩＡ回路Ｕ２は、その出力端子と負入力端子間に接続されたトランスインピーダンスＶＲＡ２が可変されることでゲインが切換わる。

今、それぞれトランスインピーダンスＶＲＡ１，ＶＲＡ２を、ゲイン制御端子である第１ゲイン切替端子３８、第２ゲイン切替端子３９で各々３ステートで変化させることができるものとする。すると再生時、記録時各々、３ステート×３ステート＝９ゲインモードを得ることができる。なおトランスインピーダンスＶＲＡ１，ＶＲＡ２は、図面ではボリュームの如く示され散るが、実際には、直列或いは並列に配置された複数の固定抵抗を選択切り替えて、段階的にゲイン調整できるようになっている。また、トランスインピーダンスＶＲＡ１及びトランスインピーダンスＶＲＡ２のゲイン数を各々９としたが、これに限定されるものではない。無段階のトランスインピーダンスを使用しても、本発明の要旨を逸脱することはない。

上記したＡＰＣ−ＰＤＩＣ１８は、ディスク再生レーザパワーの時には、第１と第２の受光セルＰＤ−Ａ１２、ＰＤ−Ｂからの光電変換された電気信号の加算出力を、レーザ駆動回路の制御信号として導き出す第１の処理回路１００を構成している。またディスク記録レーザパワーの時には、前記第１と第２の受光セルからのいずれか一方、この例では受光セルＰＤ−Ｂの光電変換された電気信号を前記レーザ駆動回路の制御信号として導き出す第２の処理回路２００を構成している。

図３は、図２の受光セルＰＤ−Ａ１２，ＰＤ−Ｂの物理的な配置構造の例を示す図である。この受光素子は、基本的には、半導体基板上に３つの矩形状の受光領域をストライプ状（平行）に形成して配置している。即ち、受光領域ＰＤ−Ａ１、受光領域ＰＤ−Ｂ、受光領域ＰＤ−Ａ２が順番に配置されている。外側が、受光領域ＰＤ−Ａ１、受光領域ＰＤ−Ａ２であり、内側が、受光領域ＰＤ−Ｂである。さらに外側の受光領域ＰＤ−Ａ１、受光領域ＰＤ−Ａ２は、アルミ配線４１で接続されている。これにより、電気的な接続は、図２に示したような受光素子となる。

ここで、上記受光素子と、半導体レーザ１５から照射されるレーザビーム４２の光束との関係を説明する。レーザビーム４２は、強度分布からみた断面形状が楕円である。ここで、楕円を説明するのに、径の長い方向を長円方向、径の短い方向を短円方向として説明することにする。

図３の例では、複数の受光領域が並ぶ方向（各領域の短辺の向き）と、レーザビーム４２の長円方向とが一致するような関係に設定している。これは、次のような理由によるものである。

すなわち、再生レーザパワー、記録レーザパワーなどのレーザビームは強度分布が楕円状であり、アスペクト比は一般的に長円方向：短円方向＝２：１である。そこで、受光素子とレーザビームとの間で、温度上昇に伴うレーザビームの放射角のドリフト、また取り付け精度による相互間位置ずれが、長円方向に生じた場合は、その検出性能の影響を受けにくいが、短円方向に生じた場合は、検出性能に大きな影響を受けやすい。そこで本発明の受光素子は、短円方向のドリフト、位置ずれに対しても検出性能の影響を受けにくいように図３に示すような構成になっている。これは、各受光領域の長手方向がレーザビームの短円方向に一致するように選定したからである。

図４は、図３の実施例のＡＰＣ−ＰＤＩＣ受光セルパターンＰＤを、９０度半時計方向に回転させた実施例を示したものである。横線ハッチング部が受光セルＰＤ−Ａ１とＰＤ−Ａ２、縦線ハッチング部が受光セルＰＤ−Ｂである。楕円形状のハッチング部はレーザビームを示している。受光セルＰＤ−Ａ１とＰＤ−Ａ２は、アルミ配線４１により、電気的には一つの受光セルとして動作することになる。図３の例では、受光するレーザビーム４２の強度分布の長円方向が、上下方向の場合を示したが、図４の実施例では、受光するレーザビーム４２の強度分布の長円方向が、左右方向の場合を示した。機能、動作は同じである。このように受光セル配置は、使用するシステム、光学系により、レーザビーム４２の強度分布の長円方向が、左右方向あるいは、上下方向どちらでも可能である。

当然であるが、図３の場合と同様に、図４の場合も、理解を容易にするため、受光セルに対して、レーザビーム４２を小さく記載してある。一般的なＡＰＣ−ＰＤＩＣの使用方法としては、受光素子よりも大きなビームを入れて、位置誤差を排除する方法が取られる。

しかし大きなレーザビームはそれだけエネルギーを多く消費することになるので、できるだけ効率的な大きさを選択することが好ましい。

ここで重要なことは、この楕円レーザビーム４２のアスペクト比である。一般的には、長円方向「２」に対して、短円方向は「１」の比になる。一般的な受光素子のカタログデータ等から類推すると、価格、特性のバランスが考慮されていて、Φ０．４ｍｍ 〜 Φ０．８ｍｍになっている。

この現実的なサイズと、前述のアスペクト比から考えると、再生用として使用する受光領域（ＰＤ−Ａ１）＋（ＰＤ−Ａ２）＋（ＰＤ−Ｂ）の面積と、記録用として使用する受光領域ＰＤ−Ｂの面積比は、２：１、あるいはこの値に近い面積比が好ましい。その理由は、再生については、その動作周波数帯域は高くとっても１ＭＨｚもあれば、充分なので、受光領域面積は大きくてよい。しかし記録については、レーザから出力されている記録情報で変調された光信号を、正確に、忠実にモニタするためには、１００ＭＨｚ以上の広帯域が必要とされる。

この仕様から現状技術で特性を満足する受光素子のサイズは、Φ０．１〜Φ０．６と考えられる。もちろんこれは、受光素子の製造プロセスによって大きく変わり、またこの受光素子を使用する光ディスクシステムのスペック、システム設計によっても変わってしまうので、一概にこのサイズとは言えないしが、現状技術ではこうなる。従って、例えば再生用の受光領域はΦ０．８ｍｍ、記録用の受光領域はΦ０．１ 〜 Φ０．６ｍｍとすると、その面積比は、約０．１６〜０．５６となる。

図５及び図６は、半導体レーザ１５から照射されるレーザビーム４２の形が真円若しくはそれに近い形状である場合の、受光素子の構成例を示す図である。受光領域ＰＤ−Ｂを受光領域ＰＤ−Ａが囲んで形成されている。

図５の受光領域ＰＤ−Ａ及びＰＤ−Ｂは、四角形の受光領域である。再生時は受光領域ＰＤ−ＡとＰＤ−Ｂの出力の加算出力を使用する。また、記録時は、受光領域ＰＤ−Ｂの出力を使用する。基本的な動作は、図３に示した受光素子と同様である。この場合も、再生用受光領域と記録用受光領域の面積比は２：１である。

図６の受光領域ＰＤ−Ａ及びＰＤ−Ｂは、円形の受光領域であり、再生時は受光領域ＰＤ−Ａ、ＰＤ−Ｂの出力の加算出力を使用する。また、記録時は、受光領域ＰＤ−Ｂの出力を使用する。基本的な動作は、図３に示した受光素子と同様である。また、この場合も、再生用受光領域と記録用受光領域の比は２：１である。

図７は、図２に示したＡＰＣ−ＰＤＩＣ１８の細部をさらに具体的に示した図である。ここでは、ＴＩＡ回路Ｕ１、Ｕ２に接続されているトランスインピーダンスの回路構成が明確に示されている。また、シングルエンド−差動変換を行なう増幅回路Ｕ３の周辺回路も具体的に示されている。また再生／記録ゲイン制御回路４０の内部もさらに詳しく示されている。

ＴＩＡ回路Ｕ１のゲイン切り替え要素から説明する。ＴＩＡ回路Ｕ１の負極性入力端子と出力端子の間には、例えば１個、２個、４個、８個と、合計１５個のトランスインピーダンスＲｒが直列に接続されている。また、直列に接続されているトランスインピーダンスＲｒの、負極性入力端子側から１個目のトランスインピーダンスＲｒに、電子スイッチＳＷｒ１が並列に接続されている。さらに次の２個のトランスインピーダンスＲｒ、Ｒｒに電子スイッチＳＷｒ２が並列に接続されている。またさらに次の４個のトランスインピーダンスＲｒ、Ｒｒ，Ｒｒ，Ｒｒに電子スイッチＳＷｒ３が並列に接続されている。またさらに８個のトランスインピーダンスＲｒ、…、Ｒｒに電子スイッチＳＷｒ４が並列接続されている。また、電子スイッチＳＷｒ１、ＳＷｒ２、ＳＷｒ３、ＳＷｒ４は直列に接続されている。この構成により、電子スイッチＳＷｒ１、ＳＷｒ２、ＳＷｒ３、ＳＷｒ４を選択的に組み合わせてオンオフ（ＯＮ／ＯＦＦ）することによって、ゲインを変えることができる。

ＴＩＡ回路Ｕ２のゲイン切り替え要素を説明する。ＴＩＡ回路Ｕ２の負極性入力端子と出力端子の間には、例えば１個、２個、４個、８個と、合計１５個のトランスインピーダンスＲｗが直列に接続されている。また、直列に接続されているトランスインピーダンスＲｗの、負極性入力端子側から１個目のトランスインピーダンスＲｗに、電子スイッチＳＷｗ１が並列に接続されている。さらに次の２個のトランスインピーダンスＲｗ、Ｒｗに電子スイッチＳＷｗ２が並列に接続されている。またさらに次の４個のトランスインピーダンスＲｗ、Ｒｗ，Ｒｗ，Ｒｗに電子スイッチＳＷｗ３が並列に接続されている。またさらに８個のトランスインピーダンスＲｗ、…、Ｒｗに電子スイッチＳＷｗ４が並列接続されている。また、電子スイッチＳＷｗ１、ＳＷｗ２、ＳＷｗ３、ＳＷｗ４は直列に接続されている。この構成により、電子スイッチＳＷｗ１、ＳＷｗ２、ＳＷｗ３、ＳＷｗ４を選択的に組み合わせてオンオフ（ＯＮ／ＯＦＦ）することによって、ゲインを変えることができる。

また、増幅回路Ｕ３の負極性入力端子と、スイッチＳＷ１の間には１つのトランスインピーダンスＲｒｗが接続されている。また、増幅回路Ｕ３の負極性入力端子と、出力端子ＯＵＴ−Ｐ３５の間には２つのトランスインピーダンスＲｒｗが直列に接続されている。またさらに、前記直列に接続された２つのトランスインピーダンスＲｒｗの内の後段のトランスインピーダンスＲｒｗには、２つのトランスインピーダンスＲｒｗが並列に接続されている。また、前記並列に接続されたトランスインピーダンスＲｒｗには電子スイッチＳＷｒｗ１が並列に接続されている。

またさらに、増幅回路Ｕ３の正極性入力端子と、基準電圧発生回路Ｖｒｅｆの間には１つのトランスインピーダンスＲｒｗが接続されている。また、増幅回路Ｕ３の正極性入力端子と、出力端子ＯＵＴ−Ｎ３６の間には２つのトランスインピーダンスＲｒｗが直列に接続されている。またさらに、前記直列に接続された２つのトランスインピーダンスＲｒｗの内の後段のトランスインピーダンスＲｒｗには、２つのトランスインピーダンスＲｒｗが並列に接続されている。また、前記並列に接続されたトランスインピーダンスＲｒｗには電子スイッチＳＷｒｗ２が並列に接続されている。

ここで、電子スイッチＳＷｒ１−ＳＷｒ４、ＳＷｗ１−ＳＷｗ４、ＳＷｒｗ１、ＳＷｒｗ２及びスイッチＳＷ１のＯＮ／ＯＦＦ制御は、再生／記録ゲイン制御回路４０からの制御信号によって行われる。再生／記録ゲイン制御回路４０は、Ｒ／Ｗ切替端子３７、ゲイン切替端子３８、ゲイン切替端子３９から供給される入力信号に基づいて、制御信号を出力している。

再生／記録ゲイン制御回路４０は、主に３ステート入力を検知する入力ロジック回路４２と、前記電子スイッチＳＷｒ１−ＳＷｒ４、ＳＷｗ１−ＳＷｗ４、ＳＷｒｗ１、ＳＷｒｗ２をＯＮ／ＯＦＦ制御するゲイン制御デコーダ回路４１を有している。

ここで、電子スイッチＳＷｒｗ１とＳＷｒｗ２は連動して動作するものとする。即ち、電子スイッチＳＷｒｗ１とＳＷｒｗ２がＯＦＦの場合、ゲインは式１のようになる。

（Ｒｒｗ＋Ｒｒｗ//Ｒｒｗ）／Ｒｒｗ＝１．５倍 …（式１）
また、電子スイッチＳＷｒｗ１とＳＷｒｗ２がＯＮの場合、ゲインは式２のようになる。

（Ｒｒｗ）／Ｒｒｗ＝１倍 …（式２）
よって、上記した構成例によって、再生側のＴＩＡ回路Ｕ１において１から１６倍のゲイン比のモードを得ることができる。また、ＳＷｒｗ１、ＳＷｒｗ２のＯＮ／ＯＦＦ制御により、１倍から１．５倍のゲイン比のモードを得ることができる。

図８は、本発明の他の実施の形態における受光素子の構成例を示す図である。この受光素子は、例えば再生用の受光領域（ＰＤ−Ａ１）、（ＰＤ−Ａ２）、（ＰＤ−Ａ３）、（ＰＤ−Ａ４）、（ＰＤ−Ａ５）と記録用の受光領域（ＰＤ−Ｂ１）、（ＰＤ−Ｂ２）、（ＰＤ−Ｂ３）、（ＰＤ−Ｂ４）を有する。そして、再生用と受光用の領域が交互に配置されている。また再生用の受光領域（ＰＤ−Ａ１）、（ＰＤ−Ａ２）、（ＰＤ−Ａ３）、（ＰＤ−Ａ４）、（ＰＤ−Ａ５）は、アルミ配線４１Ａにより接続され、再生用の受光セルとして形成されている。記録用の（ＰＤ−Ｂ１）、（ＰＤ−Ｂ２）、（ＰＤ−Ｂ３）、（ＰＤ−Ｂ４）は、アルミ配線４１Ｂにより接続され、記録用の受光セルとして形成されている。

ここで、図８中の再生用の受光領域（ＰＤ−Ａ１）から（ＰＤ−Ａ５）の幅は全てαである。また、記録用の受光領域（ＰＤ−Ｂ１）から（ＰＤ−Ｂ４）の幅は全てβである。図３、図４の例では、レーザビームの短円方向の位置ずれに対して、検出性能の影響を受けにくい構成である。これに加えて、図８の実施形態は、さらにレーザビームの長円方向の位置ずれに対しても、検出性能の影響をより受けにくい構成としている。

受光領域の分割数が少ないと、ビームの長円方向の位置ずれが生じたとき、検出信号の変化が粗くなる。これに対して、図８の実施形態は、分割数が増えているので、ビームの長円方向の位置ずれが生じても、検出信号の変化は、より細かい変動である。したがって、レーザビームの長円方向の位置ずれに対しても、検出性能の影響をより受けにくい。

上記した実施の形態により、照射されるレーザビーム４２の、長円方向への放射角のドリフトに対して、さらに安定したモニタを行うことができる。ここで、受光素子を形成する受光領域の数を９つにしたが、これに限定されるものではない。受光領域の数を増やすほど、レーザビーム４２の放射角のドリフトに対して安定したモニタを行うことが出来る。

図９は、図８に示した実施例のさらに他の実施の形態を示す図である。再生用の受光領域（ＰＤ−Ａ１）から（ＰＤ−Ａ５）と記録用の受光領域（ＰＤ−Ｂ１）から（ＰＤ−Ｂ４）の幅が、それぞれ外側に配置されているものほど小さくなっている点が図８に示した構成例との差異点である。

再生用の受光領域ＰＤ−Ａ１、ＰＤ−Ａ２、ＰＤ−Ａ３の幅はそれぞれα１、α２、α３である。ここでα１からα３の幅は、α１＞α２＞α３、という関係になっている。また、記録用の受光領域ＰＤ−Ｂ１、ＰＤ−Ｂ２の幅はそれぞれβ１、β２である。ここでβ１、β２の幅は、β１＞β２、という関係になっている。

また、受光領域の面積は、ＰＤ−Ａ１＝ＰＤ−Ａ５、ＰＤ−Ａ２＝ＰＤ−Ａ４、ＰＤ−Ｂ１＝ＰＤ−Ｂ４、ＰＤ−Ｂ２＝ＰＤ−Ｂ３、という関係になっている。

上記した構成により、レーザビーム４２の放射角のドリフトにより、変動が起きやすいと考えられる受光領域の面積を狭くしている為、レーザビームプロファイルのエッジによって起こる変動を小さくすることができる。この結果、レーザビーム４２の放射角のドリフトに対して、受光領域の分割数を増やすことなく、さらに安定したモニタを行うことが出来る。この場合は、製造上でも有利となる。

この発明は、上記した実施の形態に限定されるものではない。半導体レーザ１５の放射角のドリフトが生じた場合、対物レンズ出射レーザパワーは減少してしまう為、放射角のドリフトを感知し、対物レンズ出射レーザパワーの光量変動を抑制する構成にしてもよい。

図１０は、図３に示した受光素子の他の実施の形態の構成例を示す図である。基本的には図３に示した受光素子と同じ構成である。この例では、記録用の受光領域ＰＤ−Ｂの上下の長辺ｂ１、ｂ２が、弧形である。これに伴い、長辺ｂ１に対向している再生用の受光領域ＰＤ−Ａ１の長辺ａ１も逆弧形に形成されている。また長辺ｂ２に対向している再生用の受光領域ＰＤ−Ａ２の長辺ａ２も逆弧形に形成されている。

この構成であると、図３の構成例に比べて、半導体レーザの光軸の角度ずれ時の光強度変動を検出できる。すなわち、光源から出射される光軸の角度ずれ（光軸の方向ずれ）時には、対物レンズ出射レーザパワーは光軸の位置ずれにより減少してしまう。しかし通常はＡＰＣ−ＰＤＩＣには、その受光セルサイズよりも大きいビーム束を入れているので、逆に対物レンズ出射レーザビームパワーが変動しても、モニタ側ではその変動を検知できないという欠点がある。

しかし、この図１０の実施例ではこの問題点が解決される。図１０に示すように、受光セルを図のように弧形にしたことで、受光セルに入射されるレーザが左右方向、上下方向のいずれにずれても、対物レンズ出射レーザビームパワーの光量変動を検知できる。この結果、記録・再生時に半導体レーザの光軸の角度ずれ時でも対物レンズ出射レーザビームパワーの光量変動を抑制することが出来る。また同時にレーザビームの光束を適切な太さに設定し、低消費電力化を得ることができる。

上記した構成によって、記録レーザパワー受光時に、半導体レーザ１５の放射角のドリフトを感知することができ、対物レンズ出射レーザパワーの光量変動を抑制することができる。

図１１は、図３、図１０に示した受光素子のさらに他の実施の形態の構成例を示す図である。基本的に図３、図１０に示した受光素子と同じ構成である。この例では、記録用の受光領域ＰＤ−Ｂの上下の長辺ｂ１、ｂ２が、弧形である。これに伴い、長辺ｂ１に対向している再生用の受光領域ＰＤ−Ａ１の長辺ａ１も逆弧形に形成されている。また長辺ｂ２に対向している再生用の受光領域ＰＤ−Ａ１の長辺ａ２も逆弧形に形成されている。さらに、受光領域ＰＤ−Ａ１の外側の長辺ａ２と、受光領域ＰＤ−Ａ２の外側の長辺ａ２２も弧形に形成されている。

上記した構成によって、再生レーザパワー受光時に、半導体レーザ１５の放射角のドリフトを感知することができ、対物レンズ出射レーザパワーの光量変動を抑制することができる。

図１２は、図３、図１０、図１１に示した受光素子のさらにまた他の実施の形態の構成例を示す図である。基本的に図３、図１０、図１１に示した受光素子と同じ構成である。この実施の形態であると、長辺ａ１，ｂ１，ｂ２，ａ２はそれぞれ直線であるが、長辺ａ１１，ａ２２が弧形である。

この場合も、記録・再生いずれのレーザパワー受光時でも、半導体レーザ１５の放射角のドリフトを感知することができ、対物レンズ出射レーザパワーの光量変動を抑制することができる。上記した弧形、逆弧形などの長辺は、図８、図９に示した受光領域が有しても良い。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

この発明の実施の形態が適用可能な情報記録再生装置（光ディスク装置）の構成の一例を示すブロック図である。 図１の光ディスク装置に組み込まれる光ヘッド装置に用いられるＡＰＣ−ＰＤＩＣの回路の基本的な構成を示す図である。 図２の受光セルＰＤ−Ａ１２，ＰＤ−Ｂの物理的なパターンを示す構成説明図である。 図２の受光セルＰＤ−Ａ１２，ＰＤ−Ｂの物理的なパターンの他の例を示す構成説明図である。 図２の受光セルＰＤ−Ａ１２，ＰＤ−Ｂの物理的なパターンのまた他の例を示す構成説明図である。 図２の受光セルＰＤ−Ａ１２，ＰＤ−Ｂの物理的なパターンのさらに他の例を示す構成説明図である。 図２に示したＡＰＣ−ＰＤＩＣの回路をさらに詳しく示す構成説明図である。 図２の受光セルＰＤ−Ａ１２，ＰＤ−Ｂの物理的なパターンのまた他の例を示す構成説明図である。 図２の受光セルＰＤ−Ａ１２，ＰＤ−Ｂの物理的なパターンのまた他の例を示す構成説明図である。 図２の受光セルＰＤ−Ａ１２，ＰＤ−Ｂの物理的なパターンのまた他の例を示す構成説明図である。 図２の受光セルＰＤ−Ａ１２，ＰＤ−Ｂの物理的なパターンのまた他の例を示す構成説明図である。 図２の受光セルＰＤ−Ａ１２，ＰＤ−Ｂの物理的なパターンのまた他の例を示す構成説明図である。

符号の説明

１…受光素子回路（ＰＤＩＣ）、２…光ディスク、４…光ピックアップヘッド（ＰＵＨ）、１０…対物レンズ、１４…レーザ駆動回路、１５…半導体レーザ、１８…受光素子回路（ＡＰＣ−ＰＤＩＣ）、ＰＤ−Ａ、ＰＤ−Ｂ…受光領域（受光セル）、Ｕ１、Ｕ２…電流電圧変換回路（ＴＩＡ回路）、Ｕ３…増幅回路、ＡＤＤ１…加算回路、Ｖｒｅｆ…基準電圧発生回路。

Claims (20)

1. レーザの発光量をモニタする受光素子回路であって、
   基板上に複数の矩形状の受光領域を配置し、
   受光領域を金属配線で接続することで形成した第１の受光セルと、
   前記第１の受光セル以外の受光領域を金属配線で接続して形成した第２の受光セルと、を有し、
   再生時には前記第１と第２の受光セルの両方の出力が用いられるように構成し、
   記録時には前記第１と第２の受光セルのいずれか一方の出力を用いるように構成した
   ことを特徴とする受光素子回路。
2. 再生時に前記第１と第２の受光セルの両方の出力を用いために、全領域を使用する構成、又は、セル出力を加算する構成としており、前記上記の第１と第２の受光セルのいずれか一方の出力を用いるために、前記再生時よりも小さい受光領域を使用する構成としている
   ことを特徴とする請求項１記載の受光素子回路。
3. レーザの発光量をモニタする受光素子回路であって、
   基板上に少なくとも３つの矩形状の受光領域を配置し、
   この受光領域のうち、外側の受光領域が金属配線で接続されることで形成されて前記第１の受光セルが形成され、
   前記３つの受光領域のうち内側の領域で第２の受光セルが形成されていることを特徴とする受光素子回路。
4. 前記第２の受光セルを構成した受光領域の２つの長辺の形状は弧形であり、前記２つの長辺に対向して沿っている、前記第１の受光セルを構成する外側の各受光領域の各長辺は逆弧形である、
   ことを特徴とする請求項３記載の受光素子回路。
5. 前記第２の受光セルを構成した受光領域の２つの長辺の形状は弧形であり、前記２つの長辺に対向して沿っている前記第１の受光セルを構成する外側の各受光領域の各長辺は、逆弧形であり、前記各受光領域の外側の各長辺は弧形である、
   ことを特徴とする請求項３記載の受光素子回路。
6. 前記第２の受光セルを構成した受光領域の２つの長辺の形状は直線であり、前記２つの長辺に対向して沿っている、前記第１の受光セルを構成する外側の各受光領域の各長辺も直線であり、前記各受光領域の外側の各長辺は弧形である、
   ことを特徴とする請求項３記載の受光素子回路。
7. 前記受光領域が３つ以上配列され、
   前記第１の受光セルを形成している受光領域と、前記第２の受光セルを形成している受光領域とが交互に配列され、同じ受光セルを形成している受光領域は金属配線で接続されていることを特徴とする請求項３記載の受光素子回路。
8. 前記交互に配列されている受光領域は、外側にいくほど幅が小さくなることを特徴とする、請求項７記載の受光素子回路。
9. レーザ光源からのレーザのディスク再生レーザパワーと、ディスク記録レーザパワーとが切り替えられる光ピックアップ装置と、前記レーザ光源からディスクに向かうレーザ光路の途中でレーザの一部をモニタする受光素子回路と、を有した光ディスク装置において、
   前記受光素子回路は、
   基板上に複数の矩形状の受光領域を配置し、
   受光領域を金属配線で接続することで形成した第１の受光セルと、
   前記第１の受光セル以外の受光領域を金属配線で接続して形成した第２の受光セルと、を有し、
   再生時には前記第１と第２の受光セルの両方の出力が用いられるように構成し、
   記録時には前記第１と第２の受光セルのいずれか一方の出力を用いるように構成していることを特徴とする光ディスク装置。
10. 前記再生時に前記第１と第２の受光セルの両方の出力を用いために、全領域を使用する構成、又は、セル出力を加算する構成としており、前記上記の第１と第２の受光セルのいずれか一方の出力を用いるために、前記再生時よりも小さい受光領域を使用する構成としていることを特徴とする請求項９記載の光ディスク装置。
11. レーザ光源からのレーザのディスク再生レーザパワーと、ディスク記録レーザパワーとが切り替えられる光ピックアップ装置と、前記レーザ光源からディスクに向かうレーザ光路の途中でレーザの一部をモニタする受光素子回路と、を有した光ディスク装置において、
    前記受光素子回路は、基板上に少なくとも３つの矩形状の受光領域を配置し、この受光領域のうち、外側の受光領域が金属配線で接続されることで形成されて前記第１の受光セルが形成され、前記３つの受光領域のうち内側の領域で第２の受光セルが形成されており、
    ディスク再生レーザパワーの時には、前記第１と第２の受光セルからの光電変換された電気信号の加算出力を、レーザ駆動回路の制御信号として導き出す第１の処理回路と、
    ディスク記録レーザパワーの時には、前記第１と第２の受光セルからのいずれか一方の光電変換された電気信号を前記レーザ駆動回路の制御信号として導き出す第２の処理回路と、
    を具備したことを特徴とする光ディスク装置。
12. 前記第２の受光セルを構成した受光領域の２つの長辺の形状は弧形であり、前記２つの長辺に対向して沿っている、前記第１の受光セルを構成する外側の各受光領域の各長辺は逆弧形である、
    ことを特徴とする請求項１１記載の光ディスク装置。
13. 前記第２の受光セルを構成した受光領域の２つの長辺の形状は弧形であり、前記２つの長辺に対向して沿っている、前記第１の受光セルを構成する外側の各受光領域の各長辺は逆弧形であり、前記各受光領域の外側の各長辺は弧形である、
    ことを特徴とする請求項１１記載の光ディスク装置。
14. 前記第２の受光セルを構成した受光領域の２つの長辺の形状は直線であり、前記２つの長辺に対向して沿っている、前記第１の受光セルを構成する外側の各受光領域の各長辺も直線であり、前記各受光領域の外側の各長辺は弧形である、
    ことを特徴とする請求項１１記載の光ディスク装置。
15. 前記受光領域が３つ以上配列され、
    前記第１の受光セルを形成している受光領域と、前記第２の受光セルを形成している受光領域とが交互に配列され、同じ受光セルを形成している受光領域は金属配線で接続されていることを特徴とする請求項１１記載の光ディスク装置。
16. 前記交互に配列されている受光領域は、外側にいくほど幅が小さくなることを特徴とする、請求項１５記載の光ディスク装置。
17. レーザの発光量をモニタする受光素子回路であって、
    受光領域を有する第１の受光セルと、受光領域を有する第２の受光セルと、を有し、
    再生時には前記第１と第２の受光セルの両方の出力が用いられるように構成し、
    記録時には前記第１と第２の受光セルのいずれか一方の出力を用いるように構成した
    ことを特徴とする受光素子回路。
18. 前記第１の受光セルの受光領域が、前記第２の受光領域の受光領域を取り囲んで形成されていることを特徴とする請求項１７記載の受光素子回路。
19. レーザ光源からのレーザのディスク再生レーザパワーと、ディスク記録レーザパワーとが切り替えられる光ピックアップ装置と、前記レーザ光源からディスクに向かうレーザ光路の途中でレーザの一部をモニタする受光素子回路と、を有した光ディスク装置において、
    前記受光素子回路は、受光領域を有する第１の受光セルと、受光領域を有する第２の受光セルと、を有し、
    再生時には前記第１と第２の受光セルの両方の出力が用いられるように構成し、
    記録時には前記第１と第２の受光セルのいずれか一方の出力を用いるように構成した
    ことを特徴とする光ディスク装置。
20. 前記第１の受光セルの受光領域が、前記第２の受光領域の受光領域を取り囲んで形成されていることを特徴とする請求項１９記載の光ディスク装置。

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