JP2007078631A - バイオチップ用基板、バイオチップ、バイオチップ用基板の製造方法、及びバイオチップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面に複数の水酸基を導入可能な基体15、基体15上に配置され、基体15に達する複数のウェル41a, 41b, 41c, 41d, 41e, 41f, 41g, 41h, 41iが設けられた金属系膜13、及び金属系膜13上に配置され、架橋性の高分子膜11を備えることを特徴とするバイチップ用基板。 基体と、前記基体上に配置され、前記基体に達する複数のウェルが設けられた金属系膜と、前記複数のウェルのそれぞれから表出する前記基体の表面に結合された複数のプローブ生体分子とを備えることを特徴とするバイオチップ。
【選択図】図2
Description
本発明の第1の実施の形態に係るバイオチップ用基板は、図1及びA-A方向から見た断面図である図2に示すように、表面に複数の水酸(-OH)基を導入可能な基体15、及び基体15上に配置され、基体15に達する複数のウェル41a, 41b, 41c, 41d, 41e, 41f, 41g, 41h, 41i, 42a, 42b, 42c, 42d, 42e, 42f, 42g, 42h, 42i, 43a, 43b, 43c, 43d, 43e, 43f, 43g, 43h, 43i, 44a, 44b, 44c, 44d, 44e, 44f, 44g, 44h, 44i, 45a, 45b, 45c, 45d, 45e, 45f, 45g, 45h, 45i, 46a, 46b, 46c, 46d, 46e, 46f, 46g, 46h, 46i, 47a, 47b, 47c, 47d, 47e, 47f, 47g, 47h, 47i, 48a, 48b, 48c, 48d, 48e, 48f, 48g, 48h, 48i, 49a, 49b, 49c, 49d, 49e, 49f, 49g, 49h, 49iが設けられた金属系膜13を備える。基体15の膜厚は例えば550μmであり、基体15の材料としては合成石英(SiO2)及び表面に自然酸化膜が形成されたシリコン基板等が使用可能である。金属系膜13の膜厚は例えば10nm〜10μmであり50nmが好適である。金属系膜13の材料としてはチタン(Ti)、白金(Pt)、クロム(Cr)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、及びタングステン(W)等の遷移金属、或いはアルミニウム(Al)及び金(Au)等の金属が使用可能であり、特にTiが好適である。金属系膜13の材料としては、他に、一酸化チタン(TiO)或いは二酸化チタン(TiO2)等の遷移金属酸化物、窒化チタン(TiN)等の遷移金属窒化物、及び炭化チタン(TiC)等の遷移金属炭化物等が使用可能である。また金属系膜13の材料として酸化インジウム錫ITO(Indium Tin Oxide) 等も使用可能である。
本発明の第2の実施の形態に係るバイオチップは、図7及びA-A方向から見た断面図である図8に示すように、基体15、及び基体15上に配置され、基体15に達する複数のウェル41a, 41b, 41c, 41d, 41e, 41f, 41g, 41h, 41i, 42a, 42b, 42c, 42d, 42e, 42f, 42g, 42h, 42i, 43a, 43b, 43c, 43d, 43e, 43f, 43g, 43h, 43i, 44a, 44b, 44c, 44d, 44e, 44f, 44g, 44h, 44i, 45a, 45b, 45c, 45d, 45e, 45f, 45g, 45h, 45i, 46a, 46b, 46c, 46d, 46e, 46f, 46g, 46h, 46i, 47a, 47b, 47c, 47d, 47e, 47f, 47g, 47h, 47i, 48a, 48b, 48c, 48d, 48e, 48f, 48g, 48h, 48i, 49a, 49b, 49c, 49d, 49e, 49f, 49g, 49h, 49iが設けられた金属系膜13を備える。基体15及び金属系膜13のそれぞれの膜厚と材料は図1に示すバイオチップ用基板と同様であるので説明は省略する。
論である。
図7に示した複数のウェル41a〜41i, 42a〜42i, 43a〜43i, 44a〜44i, 45a〜45i, 46a〜46i, 47a〜47i, 48a〜48i, 49a〜49iのそれぞれに異なる塩基配列を有するプローブDNAを合成することも可能である。以下、複数のウェル41a〜41i, 42a〜42i, 43a〜43i, 44a〜44i, 45a〜45i, 46a〜46i, 47a〜47i, 48a〜48i, 49a〜49iのそれぞれに異なる塩基配列を有するプローブDNAを合成する方法を説明する。
第3の実施の形態に係るバイオチップ用基板は、図30及びA-A方向から見た断面図である図31に示すように、表面に複数の水酸基を導入可能な基体15、及び複数の水酸基のそれぞれにプローブ生体分子を結合させる時に基体15上に配置され、基体15の表面におけるプローブ生体分子の結合領域を規定する複数の貫通孔141a, 141b, 141c, 141d, 141e, 141f, 141g, 141h, 141i, 142a, 142b, 142c, 142d, 142e, 142f, 142g, 142h, 142i, 143a, 143b, 143c, 143d, 143e, 143f, 143g, 143h, 143i, 144a, 144b, 144c, 144d, 144e, 144f, 144g, 144h, 144i, 145a, 145b, 145c, 145d, 145e, 145f, 145g, 145h, 145i, 146a, 146b, 146c, 146d, 146e, 146f, 146g, 146h, 146i, 147a, 147b, 147c, 147d, 147e, 147f, 147g, 147h, 147i, 148a, 148b, 148c, 148d, 148e, 148f, 148g, 148h, 148i, 149a, 149b, 149c, 149d, 149e, 149f, 149g, 149h, 149iを有する保護部材211を備える。
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかになるはずである。例えば、基体15に透明基板を用い、図7に示す複数のウェル41a〜41i, 42a〜42i, 43a〜43i, 44a〜44i, 45a〜45i, 46a〜46i, 47a〜47i, 48a〜48i, 49a〜49iのそれぞれの直径を少なくとも300μmとし、金属系膜13を遮光性とすることによって、肉眼で容易に発色反応を確認することも可能となる。また図30に示すように、複数のウェル41a〜41i, 42a〜42i, 43a〜43i, 44a〜44i, 45a〜45i, 46a〜46i, 47a〜47i, 48a〜48i, 49a〜49iのそれぞれの間に溝120a, 120b, 120c, 120dを金属系膜13に設けることにより、複数のウェル41a〜41i, 42a〜42i, 43a〜43i, 44a〜44i, 45a〜45i, 46a〜46i, 47a〜47i, 48a〜48i, 49a〜49iのそれぞれの肉眼による存在位置の判別がより容易になる。また溝120a〜120dを金属系膜13に設けると、バイオチップの製造工程において高分子膜11の金属系膜13からの剥離もより容易になる。この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
13…金属系膜
15…基体
41a, 41b, 41c, 41d, 41e, 41f, 41g, 41h, 41i, 42a, 42b, 42c, 42d, 42e, 42f, 42g, 42h, 42i, 43a, 43b, 43c, 43d, 43e, 43f, 43g, 43h, 43i, 44a, 44b, 44c, 44d, 44e, 44f, 44g, 44h, 44i, 45a, 45b, 45c, 45d, 45e, 45f, 45g, 45h, 45i, 46a, 46b, 46c, 46d, 46e, 46f, 46g, 46h, 46i, 47a, 47b, 47c, 47d, 47e, 47f, 47g, 47h, 47i, 48a, 48b, 48c, 48d, 48e, 48f, 48g, 48h, 48i, 49a, 49b, 49c, 49d, 49e, 49f, 49g, 49h, 49i…ウェル
81a, 81b, 81c, 81d, 81e, 81f, 81g, 81h, 81i…シランカップリング層
91a, 91b, 91c, 91d, 91e, 91f, 91g, 91h, 91i…生体物質層
95a, 95b, 95c…抗体
111a, 111b, 111c, 111d…エポキシ樹脂
115…側面
120a, 120b, 120c, 120d…溝
130a,130b, 130c…ブロック層
141a, 141b, 141c, 141d, 141e, 141f, 141g, 141h, 141i, 142a, 142b, 142c, 142d, 142e, 142f, 142g, 142h, 142i, 143a, 143b, 143c, 143d, 143e, 143f, 143g, 143h, 143i, 144a, 144b, 144c, 144d, 144e, 144f, 144g, 144h, 144i, 145a, 145b, 145c, 145d, 145e, 145f, 145g, 145h, 145i, 146a, 146b, 146c, 146d, 146e, 146f, 146g, 146h, 146i, 147a, 147b, 147c, 147d, 147e, 147f, 147g, 147h, 147i, 148a, 148b, 148c, 148d, 148e, 148f, 148g, 148h, 148i, 149a, 149b, 149c, 149d, 149e, 149f, 149g, 149h, 149i…貫通孔
211…保護部材
Claims (36)
- 表面に複数の水酸基を導入可能な基体と、
前記基体上に配置され、前記基体に達する複数のウェルが設けられた金属系膜と、
前記金属系膜上に配置された架橋性の高分子膜
とを備えることを特徴とするバイオチップ用基板。 - 前記基体は、酸化ケイ素からなることを特徴とする請求項1に記載のバイオチップ用基板。
- 前記金属系膜は、チタンからなることを特徴とする請求項1又は2に記載のバイオチップ用基板。
- 前記金属系膜は、遷移金属酸化物からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のバイオチップ用基板。
- 前記金属系膜は、遷移金属窒化物からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のバイオチップ用基板。
- 前記金属系膜は、遷移金属炭化物からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のバイオチップ用基板。
- 前記高分子膜は酸性溶液に対して不溶性であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のバイオチップ用基板。
- 前記高分子膜は、感光性を有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のバイオチップ用基板。
- 前記高分子膜は、エポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のバイオチップ用基板。
- 前記高分子膜は、エスユー8からなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のバイオチップ用基板。
- 基体と、
前記基体上に配置され、前記基体に達する複数のウェルが設けられた金属系膜と、
前記複数のウェルのそれぞれから表出する前記基体の表面に結合された複数のプローブ生体分子
とを備えることを特徴とするバイオチップ。 - 前記基体は、酸化ケイ素からなることを特徴とする請求項11に記載のバイオチップ。
- 前記金属系膜は、チタンからなることを特徴とする請求項11又は12に記載のバイオチップ。
- 前記金属系膜は、遷移金属酸化物からなることを特徴とする請求項11又は12に記載のバイオチップ。
- 前記金属系膜は、遷移金属窒化物からなることを特徴とする請求項11又は12に記載のバイオチップ。
- 前記金属系膜は、遷移金属炭化物からなることを特徴とする請求項11又は12に記載のバイオチップ。
- 前記複数のプローブ生体分子は、前記表面に導入された複数の水酸基を介して前記表面に結合されていることを特徴とする請求項11乃至16のいずれか1項に記載のバイオチップ。
- 表面に複数の水酸基を導入可能な基体を準備するステップと、
前記基体上に金属系膜を形成するステップと、
前記金属系膜上に架橋性の高分子膜を形成するステップと、
前記高分子膜の一部を選択的に除去するステップと、
前記一部が選択的に除去された高分子膜をエッチマスクとして用いて、前記金属系膜に前記基体に達する複数のウェルを形成するステップ
とを含むことを特徴とするバイオチップ用基板の製造方法。 - 前記金属系膜は、チタンからなることを特徴とする請求項18に記載のバイオチップ用基板の製造方法。
- 前記金属系膜は、遷移金属酸化物からなることを特徴とする請求項18に記載のバイオチップ用基板の製造方法。
- 前記金属系膜は、遷移金属窒化物からなることを特徴とする請求項18に記載のバイオチップ用基板の製造方法。
- 前記金属系膜は、遷移金属炭化物からなることを特徴とする請求項18に記載のバイオチップ用基板の製造方法。
- 前記高分子膜は、エポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項18乃至22のいずれか1項に記載のバイオチップ用基板の製造方法。
- 前記高分子膜は、エスユー8からなることを特徴とする請求項18乃至23のいずれか1項に記載のバイオチップ用基板の製造方法。
- 基体を準備するステップと、
前記基体上に金属系膜を形成するステップと、
前記金属系膜に架橋性の高分子膜を形成するステップと、
前記高分子膜の一部を選択的に除去するステップと、
前記一部が選択的に除去された高分子膜をエッチマスクとして用いて、前記金属系膜に前記基体に達する複数のウェルを形成するステップと、
前記複数のウェルから表出する前記基体の表面に複数の水酸基を導入するステップと、
前記複数の水酸基に複数のプローブ生体分子を各々結合させるステップと、
前記金属系膜及び前記高分子膜をアルカリ溶液に浸し、前記高分子膜を前記金属系膜から剥離させるステップ
とを含むことを特徴とするバイオチップの製造方法。 - 基体と、前記基体上に配置され、前記基体に達する複数のウェルが設けられた金属系膜、前記金属系膜上に配置された架橋性の高分子膜、及び前記複数のウェルから表出する前記基体の表面に導入された複数の水酸基とを備えるバイオチップ用基板を準備するステップと、
前記複数の水酸基に複数のプローブ生体分子を各々結合させるステップと、
前記金属系膜及び前記高分子膜をアルカリ溶液に浸し、前記高分子膜を前記金属系膜から剥離させるステップ
とを含むことを特徴とするバイオチップの製造方法。 - 前記基体は、酸化ケイ素からなることを特徴とする請求項25又は26に記載のバイオチップの製造方法。
- 前記金属系膜は、チタンからなることを特徴とする請求項25乃至27のいずれか1項に記載のバイオチップの製造方法。
- 前記金属系膜は、遷移金属酸化物からなることを特徴とする請求項25乃至27のいずれか1項に記載のバイオチップの製造方法。
- 前記金属系膜は、遷移金属窒化物からなることを特徴とする請求項25乃至27のいずれか1項に記載のバイオチップの製造方法。
- 前記金属系膜は、遷移金属炭化物からなることを特徴とする請求項25乃至27のいずれか1項に記載のバイオチップの製造方法。
- 前記高分子膜は、エポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項25乃至31のいずれか1項に記載のバイオチップの製造方法。
- 前記高分子膜は、エスユー8からなることを特徴とする請求項25乃至31のいずれか1項に記載のバイオチップの製造方法。
- 前記複数のプローブ生体分子に含まれるアミノ基を前記アルカリ溶液で脱保護するステップを更に含むことを特徴とする請求項25乃至33のいずれか1項に記載のバイオチップの製造方法。
- 前記高分子膜を前記金属系膜から剥離させるステップは、前記高分子膜の側面に気体を吹き付ける手順を含むことを特徴とする請求項25乃至34のいずれか1項に記載のバイオチップの製造方法。
- 表面に複数の水酸基を導入可能な基体と、
前記複数の水酸基のそれぞれにプローブ生体分子を結合させる時に前記基体上に配置され、前記基体の表面における前記プローブ生体分子の結合領域を規定する複数の貫通孔を有する保護部材
とを備えることを特徴とするバイオチップ用基板。
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