JP2007078513A - 半導体ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板1上に設けた一対の電極2,3間に金属酸化物半導体層4を形成し、この金属酸化物半導体層4中に、導電性微細粒子群9を一対の電極2,3間の全域に亘り連続コンタクトしないで、電極2,3間に少なくとも一つの微小ギャップgが形成されるような拡散状態に混在させてある。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の第一の実施形態を示す半導体ガスセンサ全体の縦断面図であり、同図において、1は耐熱性基板であり、この基板1の表面上には一対の電極2,3が設けられているとともに、これら一対の電極2,3間の基板1表面上には、酸化錫(SnO2 )等の金属酸化物半導体層4が形成され、かつ、前記基板1の裏面側にはヒータ膜10が形成されている。前記ヒータ膜10には、前記金属酸化物半導体層4を加熱して活性化する電力供給線5,6が接続され、また、一対の電極2,3には、前記金属酸化物半導体層4の加熱に伴う抵抗値の変化を検出しその検出信号を図外のガス検知部に伝送するための信号取出線7,8が接続されている。
1a,1b 凹部
1c 基板凸部分
2,3 電極
4 金属酸化物半導体層
9 導電性微細粒子群
g 微小ギャップ
Claims (4)
- 基板上に設けた一対の電極間に金属酸化物半導体層を形成し、この金属酸化物半導体層のガス接触に伴う抵抗値の変化を前記電極で検出することにより、ガス検知を行うように構成されている半導体ガスセンサにおいて、
前記金属酸化物半導体層中に、導電性微細粒子群をそれら微細粒子群が前記一対の電極間の全域に亘り連続コンタクトしないで前記電極間に少なくとも一つの微小なギャップを形成するような拡散状態で混在させてあることを特徴とする半導体ガスセンサ。 - 前記導電性微細粒子群は、1μm以下の微小なギャップを形成するに必要な量が前記金属酸化物半導体層の形成前に予め混合拡散されている請求項1に記載の半導体ガスセンサ。
- 前記一対の電極間の基板部分にエッチングにより少なくとも二つの凹部を形成し、これら凹部内に前記導電性微細粒子群を含む金属酸化物半導体層を充填塗布して隣接凹部間に残存する基板凸部分により1μm以下の微小なギャップが形成されている請求項1に記載の半導体ガスセンサ。
- 前記導電性微細粒子群が、1μm以下の粒径を有し、かつ、前記金属酸化物半導体層の活性化温度で酸化しない導電性金属粒子あるいは非導電性の粒子を導電性金属膜で被覆されたものである請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体ガスセンサ。
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2005
- 2005-09-14 JP JP2005266740A patent/JP2007078513A/ja active Pending
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