JP2007077513A - 成膜方法及び薄膜トランジスタの作製方法 - Google Patents
成膜方法及び薄膜トランジスタの作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007077513A JP2007077513A JP2006332727A JP2006332727A JP2007077513A JP 2007077513 A JP2007077513 A JP 2007077513A JP 2006332727 A JP2006332727 A JP 2006332727A JP 2006332727 A JP2006332727 A JP 2006332727A JP 2007077513 A JP2007077513 A JP 2007077513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- discharge
- film formation
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 シランを成膜ガスとしたプラズマCVD法において、高周波放電を持続させた状態において、シランガスの供給を停止し、代わりに放電ガスでなる水素ガスの供給を行う。そして所定の時間水素ガスの分解による成膜を従わないプラズマを形成する。この状態では、被形成面に負の自己バイアスが加わっているので、負に帯電した微粒子は、被形成面に付着しない。そして、雰囲気内の微粒子が排気された状態で放電を停止させる。こうして、被形成面に微粒子が付着しない状態とすることができる。
【選択図】 図2
Description
(1)成膜を重ねて毎に反応チャンバーの内壁や電極に成膜された反応生成物が、放電の最中に何らかのエネルギーを得て剥がれ落ちたもの。
(2)気相中で生成され、薄膜の形成に寄与しなかったもの。
でもって主に構成されている。いずれにせよ上記微粒子は成膜に用いられる原料ガスによる反応生成物である。
上述したような反応生成物でなる微粒子が成膜される膜にどの時点で付着するのかを鋭意追求した結果、微粒子が成膜の終了前後に膜に付着し、膜質に悪影響を与えることが判明した。
成膜ガスを供給した状態で高周波放電を行わせてプラズマを形成し成膜を行わす第1の段階と、
成膜ガスから放電ガスに切り換えて引き続いて高周波放電を行わせて成膜を従わないプラズマ形成を行う第2の段階と、
を有することを特徴とする。
第1の段階と第2の段階とで雰囲気中の圧力を一定に保つことは重要である。これは、プラズマが形成される条件を変化させないようにするためである。
成膜ガスを供給した状態で高周波放電を行わせてプラズマを形成して成膜を行う第1の段階と、
成膜ガスから放電ガスに切り換えて引き続いて高周波放電を行わせて成膜を従わないプラズマ形成を行う第2の段階と、
を行う機能を有する成膜装置であることを特徴とする。
平行平板型の電極間に高周波放電を起こしてプラズマ気相反応により成膜を行う方法であって、
被形成面に自己バイアスが加わった状態で成膜用のガスの供給を停止し、同時に放電用のガスを供給することで、成膜の終了後も被形成面に自己バイアスが加わった状態を維持することを特徴とする気相反応方法であることを特徴とする。
平行平板型の電極間に高周波放電を起こしてプラズマ気相反応により成膜を行う装置であって、
被形成面に自己バイアスが加わった状態で成膜用のガスの供給を停止し、同時に放電用のガスを供給することで、成膜の終了後も被形成面に自己バイアスが加わった状態を維持する機能を有することを特徴とする成膜装置であることを特徴とする。
まず、本実施例で利用する成膜装置の概要を説明する。図1に非晶質珪素膜を成膜するためのプラズマCVD装置の概略を示す。
ここでは、本明細書で開示する方法を利用して非晶質珪素膜を成膜する場合の例を示す。
11 基板(試料)
12 電極
13 排気系
14 排気ポンプ
15 電極
16 高周波電源
17 シランガス供給系
18 水素ガス供給系
101 ガラス基板
102 下地膜(酸化珪素膜)
103 非晶質珪素膜
104 活性層(結晶性珪素膜)
105 ゲイト絶縁膜
106 アルミニウムパターン
107 レジストマスク
108 多孔質状の陽極酸化膜
109 緻密な膜質を有する陽極酸化膜
110 ゲイト電極
111 ソース領域
115 ドレイン領域
112 低濃度不純物領域
114 低濃度不純物領域
113 チャネル形成領域
116 窒化珪素膜
117 酸化珪素膜
118 アクリル樹脂膜
119 ソース電極
120 ドレイン電極
Claims (12)
- 成膜ガスを供給した状態で高周波放電を行わせてプラズマを形成し成膜を行わす第1の段階と、
成膜ガスから放電ガスに切り換えて引き続いて高周波放電を行わせて成膜を従わないプラズマ形成を行う第2の段階と、
を有することを特徴とする成膜方法。 - 請求項1において、
第1の段階と第2の段階とで雰囲気中の圧力を一定に保つことを特徴とする成膜方法。 - 請求項1において、
成膜ガスとしてシランが利用され、
放電ガスとして水素が利用されることを特徴とする成膜方法。 - 請求項1において、
高周波放電は、平行平板型の電極間において行われ、
被形成面は接地電位に保持された電極側に配置されていることを特徴とする成膜方法。 - 第2の段階を持続させる時間は、雰囲気が入れ代わる時間よりも長いことを特徴とする成膜方法。
- 成膜ガスを供給した状態で高周波放電を行わせてプラズマを形成して成膜を行う第1の段階と、
成膜ガスから放電ガスに切り換えて引き続いて高周波放電を行わせて成膜を従わないプラズマ形成を行う第2の段階と、
を行う機能を有する成膜装置。 - 請求項6において、
第1の段階と第2の段階とで雰囲気中の圧力を一定に保つ機能を有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項6において、
成膜ガスとしてシランが供給され、
放電ガスとして水素が供給される機能を有する成膜装置。 - 請求項6において、
平行平板型の電極構造を有し、
被形成面は接地電位に保持された電極側に配置されることを特徴とする成膜装置。 - 平行平板型の電極間に高周波放電を起こしてプラズマ気相反応により成膜を行う方法であって、
被形成面に自己バイアスが加わった状態で成膜用のガスの供給を停止し、同時に放電用のガスを供給することで、成膜の終了後も被形成面に自己バイアスが加わった状態を維持することを特徴とする成膜方法。 - 請求項10において、成膜の終了後に被形成面に自己バイアスが加わった状態が維持される時間は、雰囲気が入れ代わる時間よりも長いことを特徴とする成膜方法。
- 平行平板型の電極間に高周波放電を起こしてプラズマ気相反応により成膜を行う装置であって、
被形成面に自己バイアスが加わった状態で成膜用のガスの供給を停止し、同時に放電用のガスを供給することで、成膜の終了後も被形成面に自己バイアスが加わった状態を維持する機能を有することを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006332727A JP4515440B2 (ja) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006332727A JP4515440B2 (ja) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14091797A Division JP4470227B2 (ja) | 1997-05-10 | 1997-05-15 | 成膜方法及び薄膜トランジスタの作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007077513A true JP2007077513A (ja) | 2007-03-29 |
JP4515440B2 JP4515440B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=37938109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006332727A Expired - Fee Related JP4515440B2 (ja) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4515440B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015070233A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016174097A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0344472A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-26 | Seiko Epson Corp | プラズマ薄膜の製造方法 |
JPH0684888A (ja) * | 1992-02-27 | 1994-03-25 | G T C:Kk | 絶縁膜の形成方法 |
JPH06291062A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
-
2006
- 2006-12-11 JP JP2006332727A patent/JP4515440B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0344472A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-26 | Seiko Epson Corp | プラズマ薄膜の製造方法 |
JPH0684888A (ja) * | 1992-02-27 | 1994-03-25 | G T C:Kk | 絶縁膜の形成方法 |
JPH06291062A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-18 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015070233A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016174097A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4515440B2 (ja) | 2010-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100536534B1 (ko) | 박막 장치 제작방법 | |
JP4714166B2 (ja) | 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP4660498B2 (ja) | 基板のプラズマ処理装置 | |
US7589002B2 (en) | Method of forming an oxygen- or nitrogen-terminated silicon nanocrystalline structure and an oxygen- or nitrogen-terminated silicon nanocrystalline structure formed by the method | |
WO2008026712A1 (fr) | procédé de génération de plasma, procédé de gravure de film en matériau organique, procédé de génération ionique négatif et procédé de traitement par oxydation ou nitruration | |
WO2007148569A1 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および光電変換素子 | |
JP4557400B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
US20100210093A1 (en) | Method for forming silicon-based thin film by plasma cvd method | |
JP2021523558A (ja) | パターニングのための高品質c膜のパルスプラズマ(dc/rf)蒸着 | |
JP2008004814A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006270097A (ja) | 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法 | |
JP2000068227A (ja) | 表面処理方法および装置 | |
JP4515440B2 (ja) | 薄膜トランジスタの作製方法 | |
JP4470227B2 (ja) | 成膜方法及び薄膜トランジスタの作製方法 | |
TWI593012B (zh) | Plasma processing method and plasma processing device | |
US20220139719A1 (en) | Etching method and plasma processing apparatus | |
KR20040096380A (ko) | 산화 금속막 증착 챔버의 세정 방법 및 이를 수행하기위한 증착 장치 | |
JP4471887B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
JP2008004815A (ja) | プラズマ処理方法およびその方法を用いて製造された光電変換素子 | |
JP4133490B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP3420960B2 (ja) | 電子デバイス製造装置および電子デバイス製造方法 | |
JPH09263948A (ja) | プラズマを用いた薄膜形成方法、薄膜製造装置、エッチング方法、及びエッチング装置 | |
US20020056415A1 (en) | Apparatus and method for production of solar cells | |
CN112582252A (zh) | 形成半导体结构的方法及半导体结构 | |
JP3779428B2 (ja) | 成膜方法および薄膜トランジスタの作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061226 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100309 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100512 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |