JP2007073945A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5089215B2 (ja) * 2007-03-28 2012-12-05 古河電気工業株式会社 窒化物化合物半導体層のエッチング方法及びその方法を用いて製造された半導体デバイス
JP5118544B2 (ja) 2007-05-15 2013-01-16 キヤノン株式会社 面発光レーザ素子
JP4350774B2 (ja) 2007-07-31 2009-10-21 キヤノン株式会社 面発光レーザ
US8194509B2 (en) * 2009-07-30 2012-06-05 Tdk Corporation Thermally-assisted magnetic recording head comprising light source with photonic-band layer
CN102782818B (zh) 2010-01-27 2016-04-27 耶鲁大学 用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用
CN103339747A (zh) * 2011-02-18 2013-10-02 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
JP5836609B2 (ja) * 2011-03-04 2015-12-24 キヤノン株式会社 面発光レーザ、アレイ及び画像形成装置
JP5906108B2 (ja) * 2012-03-23 2016-04-20 キヤノン株式会社 フォトニック結晶の製造方法及び面発光レーザの製造方法
US11095096B2 (en) 2014-04-16 2021-08-17 Yale University Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
JP7016259B6 (ja) 2014-09-30 2023-12-15 イェール ユニバーシティー 多孔質窒化ガリウム層およびそれを含む半導体発光デバイス
US11018231B2 (en) 2014-12-01 2021-05-25 Yale University Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers
US10554017B2 (en) 2015-05-19 2020-02-04 Yale University Method and device concerning III-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer
KR20220093170A (ko) 2019-10-31 2022-07-05 예일 유니버시티 다공성 iii족-질화물 및 이의 사용 및 제조 방법
JP7531805B2 (ja) 2020-06-30 2024-08-13 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
CN116526294B (zh) * 2023-06-26 2023-11-10 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种半导体发光结构及其制备方法、封装模组

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10284806A (ja) * 1997-04-10 1998-10-23 Canon Inc フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ
CN1263208C (zh) * 2001-03-09 2006-07-05 阿莱特技术公司 用横向带隙构造模式控制的垂直空腔表面发射激光器及其制造方法
JP2004006567A (ja) * 2002-03-26 2004-01-08 Japan Science & Technology Corp 点欠陥３次元フォトニック結晶光共振器
JP4063740B2 (ja) * 2003-08-29 2008-03-19 国立大学法人京都大学 エアブリッジ構造を有する２次元フォトニック結晶及びその製造方法
JP4602701B2 (ja) * 2004-06-08 2010-12-22 株式会社リコー 面発光レーザ及び光伝送システム

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