JP2007071251A - ベローズシールバルブ - Google Patents

ベローズシールバルブ Download PDF

Info

Publication number
JP2007071251A
JP2007071251A JP2005256559A JP2005256559A JP2007071251A JP 2007071251 A JP2007071251 A JP 2007071251A JP 2005256559 A JP2005256559 A JP 2005256559A JP 2005256559 A JP2005256559 A JP 2005256559A JP 2007071251 A JP2007071251 A JP 2007071251A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bellows
valve
valve body
flow path
stem
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005256559A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Iwabuchi
俊昭 岩渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kitz SCT Corp
Original Assignee
Kitz SCT Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kitz SCT Corp filed Critical Kitz SCT Corp
Priority to JP2005256559A priority Critical patent/JP2007071251A/ja
Publication of JP2007071251A publication Critical patent/JP2007071251A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Details Of Valves (AREA)
  • Lift Valve (AREA)

Abstract

【課題】 高コンダクタンスで大流量のガスを滞りなく流すことができるベローズシールバルブであり、本体内にパーティクルや生成物が付着するのを防止し、ガス置換特性も良好なベローズシールバルブを提供すること。
【解決手段】 流路口12を有する弁本体11に傾斜筒13を連通させてボデー10を構成し、傾斜筒13内に配設したステム22の先端側の弁体23で流路口12を開閉自在に設け、このステム22をシールするベローズ28の内部を流路口12側に配置すると共に、弁体23またはベローズ28を固着するベローズフランジ21の少なくとも何れか一方にバックシール用のガスケット26を設けて弁体23の弁開状態のときにガスケット23でベローズ28内部を密閉するようにしたベローズシールバルブである。
【選択図】 図2

Description

本発明は、半導体製造装置のガス供給系ライン等に接続され、特に、蒸気圧の低い原料ガスを供給したり、或はセンサー遮断用として使用するベローズシールバルブに関する。
半導体製造装置に使用される蒸気圧の低い原料ガスを供給するガス供給系ラインでは、ガスの原料を入れた容器を加熱し、原料をガス化したのちにリアクター(チャンバー)に供給して半導体ウエハを処理している。このような蒸気圧の低い原料ガスを供給する場合、圧力損失が大きくなるため供給圧力も低くなって原料ガスが再液化したり生成物が供給ライン内部に付着するなどの問題が生じることがある。このため、例えば、1/2インチや15Aなどの大きな配管径の配管を用いて流路を構成し、この大径の流路によって蒸気圧の低いガスが流れやすくなるようにしている。
ガス供給系ラインは、バルブを接続して流路を開閉するようにしているが、バルブの開閉時には、このバルブを構成している部品がバルブ内部を摺動したときにパーティクルが発生するおそれがある。
パーティクルが発生すると、このパーティクルがリアクター内に侵入して生成物として付着し、半導体ウエハを汚染することがある。半導体ウエハに生成物が付着するとウエハ上の回路を破損する可能性があるため、半導体製造時にはパーティクルの発生を防ぎ、半導体ウエハに生成物が付着するのを防止する必要がある。
生成物の付着や堆積を防ぐために、バルブや配管を原料容器と同様に均一温度に加熱することがあるが、例えば、真空圧力計の仕切弁に使用されるダイヤフラムバルブなどでは、たとえバルブや配管を原料容器と均一温度に加熱していたとしても、バルブ本体内の流路が複雑な形状を呈していたり、流路がガス流が直角に当たるような形状を呈している場合や、或は、流路の断面形状が一定でなく容積変化が大きい場合などには、生成物が堆積しやすくなることが知られている。
半導体製造装置のガス供給系ラインで用いられるベローズバルブとしては、例えば、本体と下面をもつ可動部材とを有し、この可動部材は、バルブ開位置のときの本体における密封位置から隔てられた位置と、バルブ閉位置のときの密封位置との間を移動でき、可動部材の下面外周に環状の密封部材が配置されてバルブが閉位置にあるときに本体の一部分と密封係合する流体フローバルブがある(例えば、特許文献1参照。)。
また、高純度ガス流れ入口、高純度ガス流れ出口、高純度ガス流れ妨害溝、シートシール受け面を具備する胴部と、高純度ガスの送達を制御するためのガス流れ妨害手段を有する高純度ガス送達アセンブリであり、ガス流れ妨害手段に、未利用容積画定手段とこの未利用容積画定手段から離間されたシートシールを具備するシールアセンブリを備えた高純度ガス送達アセンブリがある(例えば、特許文献2参照。)。
特表平9−502243号公報 特許第2709858号公報
上述したように、半導体製造装置のガス供給系ラインでは、蒸気圧の低い原料ガスの供給時にできるだけ圧力損失を少なくすることが要求されるが、このガス供給系ラインにダイヤフラムバルブを使用した場合には、ダイヤフラムバルブは流路のコーナーが多く弁体リフト時の移動量も小さいという特徴を有しているため、弁開時の原料ガスのコンダクタンスが悪くなって圧力損失が大きくなり、バルブ流路内で原料ガスが再液化したり、生成物がバルブ内部に堆積したりするおそれがある。
さらに、原料の蒸気圧が特に低く、高温に加熱しないと気化や昇華しにくい材料の場合には、流路内に僅かなコーナー部分があるだけでも生成物が堆積しやすくなる。
このため、この種のガス供給系ラインにおいては、流路径がほぼ一定であるボアスルー構造のバルブを使用するのが望ましい。
ボアスルータイプのバルブにおいて、ボールバルブは、弁体であるボールが回転摺動部であるためパーティクルが発生しやすくなり、上記ガス供給系ラインに使用するには好ましくない。
一方、特許文献1、特許文献2のような略Y型のベローズバルブを用いる場合は、このベローズバルブの流路口径を大きくすることでコンダクタンスが向上すると共に、弁体リフト時の移動量を大きくしたり、流路のコーナー部分を小さくすることが可能となる。
しかしながら、これらのバルブは、弁棒の外周側にベローズを周設し、弁棒の可動時にはベローズが流路側に伸縮する構造であるため、弁閉時にはベローズとボデー内面との間に大きなデッドスペースが生じ、このデッドスペース内に生成物が付着しやすくなっていた。このうち、特許文献2の高純度ガス送達アセンブリは、未利用容積を僅かにできるとはいうものの、ベローズの外周側が流路側に接した構造であることには変わりがないため、必然的にベローズ外周側と流路側との空間が大きくなってデッドスペースが大きくなっていた。
また、この種のバルブは、複数種の原料ガスを切換えて供給することが多く、この原料ガスの切換え前には半導体ウエハへの生成物の付着を防止する観点からバルブ内の残留ガスの除去を行うようにしているが、この大きなデッドスペース内に原料ガスが残留してガス置換特性が悪くなっていた。
本発明は、従来の課題点に鑑みて開発したものであり、その目的とするところは、高コンダクタンスで大流量のガスを滞りなく流すことができるベローズシールバルブであり、本体内にパーティクルや生成物が付着するのを防止し、ガス置換特性も良好なベローズシールバルブを提供することにある。
上記の目的を達成するため、請求項1に係る発明は、流路口を有する弁本体に傾斜筒を連通させてボデーを構成し、傾斜筒内に配設したステムの先端側の弁体で流路口を開閉自在に設け、このステムをシールするベローズの内部を流路口側に配置すると共に、弁体またはベローズを固着するベローズフランジの少なくとも何れか一方にバックシール用のガスケットを設けて弁体の弁開状態のときにガスケットでベローズ内部を密閉するようにしたベローズシールバルブである。
請求項2に係る発明は、傾斜筒の途中にベローズフランジを固定して設け、このベローズフランジの一面にベローズの一端を固着すると共に、ベローズフランジの他面に、弁体に設けたガスケットを当接させて弁開時にベローズ内部を密閉し、弁閉時にベローズ内部と二次側流路を連通させるようにしたベローズシールバルブである。
請求項3に係る発明は、弁本体の突設部にボンネットを設けて傾斜筒を形成し、この傾斜筒内にステムを自動又は手動で昇降動自在に設けたベローズシールバルブである。
請求項4に係る発明は、弁本体の流路口の口径よりも弁体のリフト量を大きくして、弁開状態では流路口をボアスルーにしたベローズシールバルブである。
請求項5に係る発明は、弁体とこの弁体を接続したステムは、流路口の開閉時にボデー及びボンネットに非接触状態で動作可能に所定の間隙を設けて配設したベローズシールバルブである。
請求項6に係る発明は、ベローズを弁体内を流れる原料ガスと略同温度まで加熱可能なヒーターを着脱自在に設けたベローズシールバルブである。
請求項1及び2に係る発明によると、蒸気圧の低い原料ガスであっても大流量によって滞りなく高コンダクタンスで流すことのできるベローズシールバルブあり、パーティクルの発生を可能な限り防いで、内部への生成物の堆積を防止して半導体ウエハに悪影響を与えることなく高品質で製造することができる。
弁閉状態では、ベローズの内側がチャンバー側に配設されたポンプで真空に排気されてパーティクルの付着等を防ぎ、一方、弁開状態では、原料ガスが直進するようにチャンバー側に滞りなく供給され、このとき、弁体がベローズ内部をバックシールによって高シール性を発揮しながら密閉するため、原料ガスが拡散してベローズ内部に侵入するのを確実に防止することができるベローズシールバルブを提供することが可能となる。
さらに、この弁開状態では、流路のデッドスペースが最少となってガス置換特性が良好となるため、複数の原料ガスを切換えながら供給した場合でもバルブ内に残留した各原料ガスを迅速かつ確実に除去して高純度の原料ガスを迅速に供給することができるベローズシールバルブを提供できる。
請求項3に係る発明によると、傾斜筒を分離可能であるためメンテナンスが容易であり、ボンネットを交換するだけで自動又は手動バルブに切換えることもできる。更には、バルブ全体を小型化でき、ガス供給系ラインの狭い設置箇所にも取付けることができるベローズシールバルブである。
請求項4に係る発明によると、弁開時には原料ガスの流れに悪影響を与えることがなく、パーティクルの発生を防ぐことができ、流路をボアスルーに確保できることで蒸気圧の低い原料ガスであっても供給圧力を維持しながら流すことができるベローズシールバルブである。
請求項5に係る発明によると、弁動作時の摺動を防いでパーティクルの発生を防ぎ、パーティクルが弁体内に飛散することがないベローズシールバルブである。
請求項6に係る発明によると、生成物が付着したり堆積するのをより確実に防ぐことができ、高品質の半導体ウエハを製造することができるベローズシールバルブである。
本発明におけるベローズシールバルブの一実施形態とその作用を図面に基づいて説明する。
図1において、ベローズシールバルブのバルブ本体8は、低蒸気圧材料から生成される原料ガスを供給可能に設けており、例えば、図3に示した半導体製造装置のガス供給系ライン1のクリーンルーム内のチャンバー2の上流側に接続される。チャンバー2内には、図示しない半導体ウエハを収納可能に設けており、チャンバー2内において半導体ウエハに対してエッチングなどの処理が行われる。
バルブ本体8には上流側にガス供給管3が接続され、このガス供給管3を介して原料ガスが供給される。原料ガスは、図示しないタンクに個別に収容され、必要に応じて各種の原料ガスが供給される。バルブ本体8に供給された原料ガスは、バルブ本体8の弁の開閉によって下流側に接続された接続管4を介してチャンバー2に供給される。ここで、配管であるガス供給管3や接続管4をバルブ本体8に溶接する際において、バルブの角部位付近にバルブ本体8の流路と連通する図示しない分岐流路を設け、この分岐流路から、例えば、Nパージガス等のガスを流すようにすれば、バルブ本体8内へのパーティクルや酸素の逆流を防止できる。
チャンバー2の下流側にはスライドバルブ5が取り付けられており、このスライドバルブ5の開閉により半導体ウエハを処理した後の原料ガスを排出することができ、処理後の原料ガスはポンプ6によって吸引される。
図3のガス供給系ラインにおいて、バルブ本体8が弁閉状態のときには、バルブ本体8内に設けた後述するベローズ28内部がチャンバー2側のポンプ6で真空に排気されており、また、瞬時に弁開状態になったときには、原料ガスが直進するようにチャンバー2側に供給され、弁体23はベローズ28内部をバックシールで密閉し、原料ガスが拡散してベローズ28内部に侵入するのを防止している。
弁本体11は流路口12を有し、この流路口12に対して原料ガスが流入する。突設部11aは、弁本体11の流路口12に対して略45°の角度で交叉するように形成したものであり、この突設部11aに流路口12と連通して開口部11bが設けられている。突設部11aにはOリング20を介してボンネット14を設けており、弁本体11に対して傾斜した傾斜筒13を連通させるようにしてボデー10を構成している。ボンネット14は、蛇腹状に形成したベローズ28を固着するベローズフランジ21を介して突設部11aに取付けられ、このように傾斜筒13の途中にベローズフランジ21を固定して設けている。
傾斜筒13内にはステム22を配設しており、このステム22の先端側には弁体23を設け、この弁体23で流路口12を開閉自在に設けている。
弁体23は、開口部11bから流路口12にかけての空間に位置し、ステム22を進退移動させることによりこの弁体23を移動させて流路口12を開閉する。弁体23の径は、開口部11bの径よりも僅かに縮径して形成し、また、弁体23のリフト量Lを流路口12の口径Dよりも大きくなるように構成している。
弁体23において、ベローズフランジ21、弁座19との対向面側に装着溝24、25をそれぞれ形成しており、この装着溝24、25にバックシール用のガスケット26、27を装着している。このうち、ベローズフランジ21側に位置するガスケット26は、弁体23またはベローズフランジ21の少なくとも何れか一方に設けるようにすればよく、ベローズフランジ21側に設けるようにしてもよい。また、ガスケット27に関しても同様であり、弁座19側に設けるようにしてもよい。
ガスケット26、27は、例えば、パーフロロ・エラストマーを主原料とした材料を用いて形成すればよく、この場合高い耐化学薬品性を有している。また、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)等の樹脂を使用して形成しても良い。ガスケット26、27は、これら以外にも各種の材料を用いることができるが、この場合、例えば、−30℃から+230℃までの広い温度範囲において使用可能で、各種の原料ガスを用いた場合でも高いシール性を長期間安定して発揮できる材質によって形成するのが望ましい。
ボンネット14のベローズフランジ21側の他端側にはシリンダ15が取付けられており、このシリンダ15内部にピストン16を収納し、このピストン16をシリンダ15内において移動可能になるようにしている。シリンダ15にはエア供給口17、18が穿孔して設けられ、各エア供給口17、18には、図示しないエア供給装置のエア流路がそれぞれ接続されている。エア供給装置より圧縮エアが供給されると、この圧縮エアは各エア供給口17、18よりシリンダ15内に供給される。
一方側のエア供給口17より圧縮エアが供給されると、この圧縮エアによってピストン16が弁閉方向に押圧され、このピストン16が図1の矢印方向に摺動して、弁体23が弁閉方向に移動して流路口12が閉状態となる。このとき弁体23の弁座19側のガスケット27が弁座19に密着シールして流路口12を閉状態に密閉する。
一方、他方側のエア供給口18より圧縮エアが供給されると、この圧縮エアによってピストン16が弁閉方向に押圧され、このピストン16が図2の矢印方向に摺動して弁体23が弁開方向に移動し、流路口12が開状態となる。
このとき、弁体23がベローズフランジ21側に移動してガスケット26がベローズフランジ21に密着シールしてベローズ28内部が密閉される。ガスケット26は、弁体23とベローズフランジ21との間に挟着されることにより、流路口12側からボンネット14内部側への原料ガスの侵入が確実に防がれる。
また、弁体23のリフト量Lが流路口12の口径Dよりも大きいことから、弁開状態において流路口12がボアスルー状態に開口される。
本例においては、圧縮エアを利用して自動によってステム22を昇降動自在に設けているが、図示しないハンドル等を設けて手動によってステム22を昇降動させるようにしてもよい。
ベローズフランジ21において、連通穴21aは、ステム22の径よりも僅かに大きく形成し、ステム22の移動時にこのステム22が接触することなく無摺動で動作可能に設けている。
ボンネット14内部のベローズフランジ21とステム22の間のベローズ28は、例えば、ハステロイ(登録商標)C22等の高耐熱耐食合金からなる材料によって形成している。これによりあらゆる原料ガスにも耐えうることができ、パーティクルの付着も防いでいる。
蛇腹状のベローズ28は、一端側をベローズフランジ21の一面側、他端側をステム22外周側である拡径部22aに接着等の手段により固着し、ベローズ28内部を流路口12側に配置してステム22をシールしている。
ステム22が流路口12側に移動して弁閉すると、ベローズ28は拡径部22aに押されるようにして収縮し、このとき、ベローズ28の内側部分と流路口12の二次側が連通している。一方、ステム22がピストン16側に移動して弁開すると、ステム22の拡径部22aがピストン16側に移動することでベローズ28は伸長する。弁体23の開閉動作時には、ベローズ28は、常にボンネット14内部に収納された状態で伸縮動作するため、弁閉動作時においても流路口12側に露出することがない。
弁体23とステム22は、弁体23の開閉時にボデー11及びボンネット14に非接触状態で動作するようにこのボデー11、ボンネット14とは所定の間隙を設けて配設しており、これにより、弁体開閉時に弁体23やステム22が11、ボンネット14と摺動することなく移動させてパーティクルの発生を防いでいる。
ヒーター30は、図1、図2に示すようにアルミ製などによってジャケット状に構成しており、このヒーター30はバルブ本体8を被覆するように取付け可能に設けている。ヒーター30は、ベローズ28を加熱して、このベローズ28を弁内を流れる原料ガスと略同温度まで加熱可能に設けている。ヒーター30を装着することにより、バルブ本体8内と原料ガスの温度差によって生じる生成物が付着するのをより確実に防ぐことができる。このヒーター30は、ベローズ28の小型化に応じて小さく形成することができ、バルブ本体8全体を覆うことなく加熱効果を発揮することができるため、ヒーター装着後のバルブ本体8を小型化できる。このとき、均一に加熱することが難しいと言われるベローズであっても、その周囲を覆うようにヒーター30を取付けることができるため、温度差を生じることなく加熱することができる。また、ヒーター30を着脱自在のカートリッジ構造とすることもできる。
本発明のベローズシールバルブは、弁本体11の流路口12の口径Dよりも弁体23のリフト量Lを大きくして、弁開状態では流路口12をボアスルーにしているので、配管との場合と同様に圧力損失を最小に抑えることができ、原料ガスを滞りなく高コンダクタンスで流すことができる。また、本体内の流路にコーナーがないため、生成物が堆積しにくい。
弁体23またはベローズ28を固着するベローズフランジ21の少なくとも何れか一方にはバックシール用のガスケット26を設けており、前記ベローズフランジ21は、傾斜筒13の途中に固定して設け、このベローズフランジ21の一面にベローズ28の一端を固着し、ベローズフランジ21の他面にガスケット26を当接させて弁開時にベローズ28内部を密閉しているので、この弁開時において流路口12からベローズ28内部への生成物付着が防止され、パーティクルの発生を抑えることができる。このように、表面積が大きく、原料ガスに触れると生成物が堆積しやすい特性を有しているベローズ28への生成物の付着を極力抑えることができる。
一方、弁閉時には、弁体23と弁座19とをシールするガスケット27により、流路口12を確実に閉塞することができる。この弁閉時には、ベローズ28の内部と流路口12の二次側流路を連通させるようにしているので、原料ガスの排気時において、弁閉状態でチャンバー2の側(二次側)を真空排気したときにベローズ28の内側も真空排気され、残留ガスを迅速に置換することができる。
ベローズ28は、ステム22の拡径部22aとベローズフランジ21の間に配置し、ステム22側の空間とピストン16側の空間をこのベローズ28の内側で密封シールしている構造であるため、弁開状態においては、ベローズ28が伸長したときに生じる傾斜筒13内との間のデッドスペースを極小にすることができる。
また、ベローズ28の外周面側は、接ガス側である流路口12及び開口部11a側に露出することがないため、パーティクルの付着を抑えることができる。これにより弁体23の動作時にベローズ28からパーティクルが飛散したり生成物が堆積するのを防ぎ、半導体ウエハへの悪影響を防ぐことができる。
ガスケット26、27は、バックシール構造で装着され、弁の開閉時には押圧方向に潰れるようにシールされるため、高いシール機能が発揮される。
本実施形態におけるベローズシールバルブの一例としては、例えば、流路口12の口径をφ10.2mmとしたときに、使用圧力:真空状態〜0.05MPa、耐圧:0.1MPa、使用温度:最高200℃、耐久性:20万回以上、操作圧力:0.4〜0.5MPaの性能を有するベローズシールバルブを設けることができる。
このときボデー10の流路端部間の面間寸法は適宜変更することができ、各種のガス供給系ライン1に対応できる。
本発明におけるベローズシールバルブの一実施形態を示した一部切欠き側面図である。 図1のベローズシールバルブの弁開状態を示した一部切欠き側面図である。 半導体製造装置のガス供給系ラインの一例を示す概略図である。
符号の説明
8 バルブ本体
10 ボデー
11 弁本体
11a 突設部
12 流路口
13 傾斜筒
14 ボンネット
21 ベローズフランジ
22 ステム
23 弁体
26、27 ガスケット
28 ベローズ
30 ヒーター

Claims (6)

  1. 流路口を有する弁本体に傾斜筒を連通させてボデーを構成し、前記傾斜筒内に配設したステムの先端側の弁体で前記流路口を開閉自在に設け、このステムをシールするベローズの内部を前記流路口側に配置すると共に、前記弁体または前記ベローズを固着するベローズフランジの少なくとも何れか一方にバックシール用のガスケットを設けて弁体の弁開状態のときに前記ガスケットで前記ベローズ内部を密閉するようにしたことを特徴とするベローズシールバルブ。
  2. 前記傾斜筒の途中にベローズフランジを固定して設け、このベローズフランジの一面に前記ベローズの一端を固着すると共に、前記ベローズフランジの他面に、前記弁体に設けたガスケットを当接させて弁開時に前記ベローズ内部を密閉し、弁閉時に前記ベローズ内部と二次側流路を連通させるようにした請求項1記載のベローズシールバルブ。
  3. 前記弁本体の突設部にボンネットを設けて傾斜筒を形成し、この傾斜筒内にステムを自動又は手動で昇降動自在に設けた請求項1又は2記載のベローズシールバルブ。
  4. 前記弁本体の流路口の口径よりも弁体のリフト量を大きくして、弁開状態では流路口をボアスルーにした請求項1乃至3の何れか1項に記載のベローズシールバルブ。
  5. 前記弁体とこの弁体を接続したステムは、前記流路口の開閉時に前記ボデー及びボンネットに非接触状態で動作可能に所定の間隙を設けて配設した請求項1乃至4の何れか1項に記載のベローズシールバルブ。
  6. 前記ベローズを弁体内を流れる原料ガスと略同温度まで加熱可能なヒーターを着脱自在に設けた請求項1乃至5の何れか1項に記載のベローズシールバルブ。


JP2005256559A 2005-09-05 2005-09-05 ベローズシールバルブ Pending JP2007071251A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005256559A JP2007071251A (ja) 2005-09-05 2005-09-05 ベローズシールバルブ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005256559A JP2007071251A (ja) 2005-09-05 2005-09-05 ベローズシールバルブ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007071251A true JP2007071251A (ja) 2007-03-22

Family

ID=37932891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005256559A Pending JP2007071251A (ja) 2005-09-05 2005-09-05 ベローズシールバルブ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007071251A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011202780A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Ckd Corp 流体制御弁及び弁部流路構造
CN107255187A (zh) * 2017-08-04 2017-10-17 英侨机械制造有限公司 用于蒸汽系统的波纹管蒸汽阀
CN108361387A (zh) * 2018-04-13 2018-08-03 何书贵 一种工业管线用阀门
CN116592146A (zh) * 2023-07-07 2023-08-15 长沙华实半导体有限公司 一种直通密封型真空角阀及其组装方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011202780A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Ckd Corp 流体制御弁及び弁部流路構造
CN107255187A (zh) * 2017-08-04 2017-10-17 英侨机械制造有限公司 用于蒸汽系统的波纹管蒸汽阀
CN108361387A (zh) * 2018-04-13 2018-08-03 何书贵 一种工业管线用阀门
CN116592146A (zh) * 2023-07-07 2023-08-15 长沙华实半导体有限公司 一种直通密封型真空角阀及其组装方法
CN116592146B (zh) * 2023-07-07 2023-12-05 长沙华实半导体有限公司 一种直通密封型真空角阀及其组装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100481773B1 (ko) 차단개방기
KR101386845B1 (ko) 밸브 연결관 조립체
US9206919B2 (en) Corrosion and deposition protected valve apparatus and method
US7063304B2 (en) Extended stroke valve and diaphragm
US20060192170A1 (en) Pendulum valve assemblies and seal rings
US8968472B2 (en) Valve and processing apparatus provided with the same
JP2011158096A (ja) バタフライ式圧力制御バルブ
JP2004044807A (ja) ポンピング防止式分配弁
JP2007071251A (ja) ベローズシールバルブ
WO2008023499A1 (fr) Soupape de dépression
WO2000075544A1 (fr) Clapet et appareil de traitement sous vide comportant ce clapet
JPH10122387A (ja) 閉止弁
JP2000346238A5 (ja) 真空用バルブ及び真空処理装置
KR102173561B1 (ko) 슬라이드 방식의 진공 게이트 밸브
JP2001509579A (ja) 高流動型ダイヤフラム弁
TWI420039B (zh) 止回閥及真空系統
JP4237032B2 (ja) 開閉弁及びこれを用いた半導体製造設備用排気装置
US6361020B1 (en) Valve for use with high purity gas
WO2010058726A1 (ja) ダイヤフラムバルブ
MX2010000239A (es) Valvula para flujo de fluidos.
JP2009150422A (ja) 流体機器
KR200492544Y1 (ko) 진공 게이트 밸브에 적용되는 기밀유지장치
KR200492543Y1 (ko) 진공 게이트 밸브에 적용되는 압력변동 충격방지장치
JPH06281026A (ja) ブロック弁
US8651139B2 (en) Valve