JP2007067148A - 面発光レーザおよび光伝送モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 活性層13、活性層13の下層側に形成された下部DBR12および活性層13の上層側に形成された上部DBR14を有して構成される共振器と、活性層13を通る電流の流路を制限する絶縁領域をなすものであって、該絶縁領域が少なくとも活性層13の下側又は上側の一部から活性層13の周辺部位まで連続して形成されている電流狭窄層(第1酸化狭窄層18A)とを有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
また、本発明は、面発光レーザの共振器の柱部における外周表面を流れるリーク電流を低減することができ、レーザ発振動作の低閾値化を図ることができる面発光レーザおよび光伝送モジュールの提供を目的とする。
本発明によれば、活性層の側面(外周表面)を流れるリーク電流を、絶縁体からなる電流狭窄層によって大幅に低減することができる。例えば上記リーク電流は、上側反射層の側面から活性層の側面を通り下側反射層の側面にまで流れる流路となる。本発明の面発光レーザでは、電流狭窄層が活性層の下側(又は上側)から活性層の周辺部位まで張り出しているので、上記リーク電流の流路を電流狭窄層によって遮断することができる。したがって、本発明によれば、リーク電流を大幅に低減でき、レーザ発振動作の低閾値化を図ることができる。
本発明によれば、面発光レーザの共振器の柱部における外周表面を流れるリーク電流の流路を、電流狭窄層によって遮断することができる。したがって、前記リーク電流を大幅に低減でき、レーザ発振動作の低閾値化を図ることができる。
本発明によれば、活性層の外周を通るリーク電流を、電流狭窄層により、効果的に低減することができる。
本発明によれば、活性層の上方及び下方の両方に形成された電流狭窄層により、リーク電流をより効果的に低減することができる。
本発明によれば、電流狭窄層の上面の一部が共振器の側面において露出しているので、面発光レーザの共振器の外周表面を流れるリーク電流を大幅に低減することができる。
本発明によれば、電流狭窄層の側面が傾斜しているので、傾斜していない場合よりも、その側面の幅を大きくすることができる。これにより、前記リーク電流の流路を遮断する絶縁体の幅(前記側面の幅)を比較的に簡便に増大でき、リーク電流を簡便に低減することができる。電流狭窄層の側面の幅は、例えば10nm以上あることが好ましい。
本発明によれば、前記リーク電流を効果的に低減することができる。
本発明によれば、良好な高周波特性を有し、消費電力が低い光伝送モジュールを提供することができる。したがって、本発明の光伝送モジュールは、通信等の高速化を図ることができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る面発光レーザを示す模式断面図である。面発光レーザ10は、半導体基板11と、下部DBR(下側反射層)12と、活性層13と、上部DBR(上側反射層)14と、コンタクト層15と、第1酸化狭窄層(電流狭窄層)18Aと、第2酸化狭窄層(電流狭窄層)18Bと、絶縁層19と、第1電極20と、第2電極21とを有して構成されている。
図5は、本発明の第2実施形態に係る面発光レーザを示す模式断面図である。図5において図1の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。本実施形態の面発光レーザ10Aにおける第1実施形態の面波高レーザ10との相違点は、共振器の側面が階段状に形成されている点である。すなわち、下部DBR12、第1酸化狭窄層18A、活性層14、第2酸化狭窄層18B及び上部DBR14を有してなる共振器の側面が階段状に形成されている。さらに、第1酸化狭窄層18Aの一部は共振器の側面において露出している。
図6は、本発明の第3実施形態に係る面発光レーザを示す模式断面図である。図6において図1の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。本実施形態の面発光レーザ10Bにおける第1実施形態の面発光レーザ10との相違点は、共振器の側面が共振器の光軸を基準として傾斜している点である。すなわち、下部DBR12、第1酸化狭窄層18A、活性層14、第2酸化狭窄層18B及び上部DBR14を有してなる共振器の側面が光軸を基準として傾斜している。
図7は、本発明の第4実施形態に係る面発光レーザを示す図である。図7(a)は模式平面図であり、図7(b)は図7(a)の位置LLについての模式断面図である。図7において図1の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。本実施形態の面発光レーザ10Cにおける第1実施形態の面発光レーザ10との相違点は、共振器が柱部を構成していない点である。
孔301,302,303,304は、上部DBR14の上面から第1酸化狭窄層18Aの一部にまで掘られた穴でもよい。換言すると、第1酸化狭窄層18Aに凹部を形成するように孔301,302,303,304を設けてもよい。
図8に、本実施形態の面発光レーザを用いた光伝送モジュールの一例を示す。光伝送モジュールとしてのOSA(Optical Sub−Assembly)100は、システム101の上に、上記で説明した面発光レーザ10(又は面発光レーザ10A,10B,10C)が取り付けられている。また、面発光レーザ10の上方で、かつ面発光レーザ10の光軸上に、レンズ103が配置されている。また、システム101の台から光ファイバ104の一部まで、外部の環境から面発光レーザ10等を保護するために、カバー102が形成されている。また、レンズ103の光軸上に光ファイパ104が配置されている。また、本実施形態では、カバー102は、樹脂製であり、レンズ103と一体で形成されている。
図9は、本発明の実施形態に係る面発光レーザ10(又は面発光レーザ10A,10B,10C)を有してなる光伝達装置を示す図である。光伝達装置200は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器202を相互に接続するものである。電子機器202は、情報通信機器であってもよい。光伝達装置200は、ケーブル204の両端にプラグ206が設けられたものであってもよい。ケーブル204は、光ファイバを含む。プラグ206は、図1に示す面発光レーザ10(又は面発光レーザ10A,10B,10C)を内蔵する。プラグ206は、半導体チップをさらに内蔵してもよい。
図10は、図9に示す光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝達装置212は、図9の光伝達装置200に相当するものである。光伝達装置212は、電子機器210間を接続する。電子機器210として、液晶表示モニタ又はディジタル対応のCRT(金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。)、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、ディジタルTV、小売店のレジ(POS(Point of Sale Scanning)用)、ビデオ、チューナ、ゲーム装置、プリンタ等が挙げられる。
Claims (8)
- 活性層、前記活性層の下層側に形成された下側反射層および前記活性層の上層側に形成された上側反射層を有して構成される共振器と、
絶縁領域が少なくとも前記活性層の下側又は上側の一部から該活性層の周辺部位まで連続して形成されている電流狭窄層とを有することを特徴とする面発光レーザ。 - 前記共振器の全部又は一部は、基板に対して凸形状の柱部を構成しており、
前記電流狭窄層は、前記柱部の側壁部の内側から該側壁部の外側まで連続して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。 - 前記電流狭窄層は、前記活性層の直下又は直上に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の面発光レーザ。
- 前記電流狭窄層は、前記活性層の上方及び下方の両方に配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
- 前記共振器の側面の少なくとも一部は、階段状に形成されており、
前記電流狭窄層の上面の一部は、露出していることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の面発光レーザ。 - 前記共振器の側面の少なくとも一部は、該共振器の光軸を基準として傾斜しており、
前記電流狭窄層の側面は前記光軸を基準として傾斜していることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の面発光レーザ。 - 前記電流狭窄層の厚みは、10nm以上あることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の面発光レーザを有して構成されていることを特徴とする光伝送モジュール。
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JPS61128560A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Fuji Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
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2005
- 2005-08-31 JP JP2005250837A patent/JP2007067148A/ja active Pending
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