JP2007066984A - 不揮発性半導体記憶素子およびそれを用いた不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フローティングゲート18に電荷を保持してデータを記憶する不揮発性半導体記憶素子であって、該フローティングゲート18を有するMOSトランジスタ13と、メタル層で構成されたキャパシタCとを有し、キャパシタCの一端がフローティングゲート18に接続されている。上記構成の不揮発性半導体記憶素子において、制御ゲート17への正の高電圧印加によりMOSトランジスタ13においてFNトンネリングで書き込み動作を行い、制御ゲートへの負の高電圧印加によりMOSトランジスタ13においてFNトンネリングで消去動作を行う。
【選択図】 図1
Description
Richard J. McPartland et al, "1.25 Volt, Low Cost, Embedded FLASH Memory for Low Density Applications", 2000 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, pp.158-161.
3、13、19、27、46、66、70 NMOSトランジスタ
4、54 第1制御ゲート
5、55 第2制御ゲート
56 第3制御ゲート
6、15、21、30、38、48、67、71 NMOSトランジスタのドレイン
7、14、20、29、37、47、68、72 NMOSトランジスタのソース
8、10、16、26、31、36、42、50 NMOSトランジスタの基板(P型シリコン基板)
9、18、23、33、39、44、52 フローティングゲート
11、12 ウェル
17、22、24、28、35、41、45、49、53、69、73 制御ゲート
25、32、43、51 STI分離層
34、40 メタル層で形成されたフローティングゲート
57 第1ソースライン
58 第1ビットライン
59 第2ソースライン
60 第2ビットライン
61 第3ソースライン
62 第3ビットライン
63 第1選択ゲート
64 第2選択ゲート
65 選択メモリセル
74 ソースライン
Claims (12)
- 制御ゲートとフローティングゲートとを有し、前記フローティングゲートに電荷を保持することによりデータを記憶する不揮発性半導体記憶素子であって、
ゲートが前記フローティングゲートとなるMOSトランジスタと、前記MOSトランジスタのゲートに一方の電極が接続され、他方の電極が前記制御ゲートとなるキャパシタとを備え、
前記キャパシタの一方および他方の電極がメタル層で構成された不揮発性半導体記憶素子。 - 前記キャパシタの一方および他方の電極を構成するメタル層が複数層からなる請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子。
- 前記キャパシタを構成する一方および他方の電極は同一レイヤのメタル層を交互配置される2つの領域に分離することにより形成され、前記2つの領域のサイドカップリングとして前記キャパシタが構成される請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子。
- メタル層の同一レイヤでキャパシタの一方および他方の電極が櫛形に形成され、互いに対向した状態に配置される請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子。
- 請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子とメタルロジック配線を有する他の回路素子とからなる不揮発性半導体記憶装置であって、
前記キャパシタの誘電体が、前記他の回路素子のメタルロジック配線の絶縁膜よりも高誘電率を有する絶縁膜で形成される不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子からなる多数個のメモリセルを、メモリアレイとして整列配置した不揮発性半導体記憶装置であって、
一つのメモリセルにおける前記キャパシタの他方の電極の一部が、隣接した他のメモリセルにおける前記キャパシタの他方の電極の一部と共有されている不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子からなる多数個のメモリセルを、メモリアレイとして整列配置した不揮発性半導体記憶装置であって、
一つのメモリセルにおける前記キャパシタの他方の電極の一部および前記MOSトランジスタのソースラインが、隣接した他のメモリセルにおける前記キャパシタの他方の電極の一部および前記MOSトランジスタのソースラインとそれぞれ共有されている不揮発性半導体記憶装置。 - DRAMと請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子とが同一チップに混載された半導体記憶装置であって、前記DRAMのキャパシタと前記不揮発性半導体記憶素子のキャパシタが同一プロセス工程で形成される半導体記憶装置。
- 請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子に対してデータの書き込みを行う不揮発性半導体記憶素子のデータ書き込み方法であって、前記制御ゲートへの正の高電圧印加により前記MOSトランジスタにおいてチャネルからフローティングゲートへFNトンネル電流を流すことによって電荷を注入し、それによって書き込み動作を行う不揮発性半導体記憶素子のデータ書き込み方法。
- 請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子に対してデータの消去を行う不揮発性半導体記憶素子のデータ消去方法であって、制御ゲートへの負の高電圧印加により前記MOSトランジスタにおいてフローティングゲートからシリコン基板へFNトンネル電流を流すことによって電荷を放出し、それによって消去動作を行う不揮発性半導体記憶素子のデータ消去方法。
- 請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子からなる多数個のメモリセルを、メモリアレイとして整列配置した不揮発性半導体記憶装置に対して、データの書き込みおよび消去を行う不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み・消去方法であって、メモリセル毎に制御ゲートに正の電圧および負の電圧をそれぞれ印加することで、書き込み動作および消去動作を行う不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み・消去方法。
- 請求項1記載の不揮発性半導体記憶素子に対してデータの書き込みを行う不揮発性半導体記憶素子のデータ書き込み方法であって、制御ゲートへの正の高電圧印加および前記MOSトランジスタのドレイン端子への正の高電圧印加により、前記MOSトランジスタにおいてフローティングゲートへチャネルホットエレクトロンを注入し、それによって書き込み動作を行う不揮発性半導体記憶素子のデータ書き込み方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2005
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