JP2007066796A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するために本発明は、ノズルからガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室と、前記クラスター生成室からスキマーを通して導入された前記ガスクラスターをイオン化するイオン化器と、該イオン化器でイオン化された前記ガスクラスターを加速させて被処理物に照射させる電極群と、が備えられているガスクラスターイオンビーム装置において、前記スキマー及び前記イオン化器が接地されていることを特徴とする。
また本発明は、ノズルからガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室と、前記クラスター生成室からスキマーを通して導入された前記ガスクラスターをイオン化するイオン化器と、該イオン化器でイオン化された前記ガスクラスターを加速させて被処理物に照射させる電極群と、が備えられているガスクラスターイオンビーム装置において、前記被処理物に電位を与える電源を有することを特徴とする。
また本発明は、ノズルからガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室と、前記クラスター生成室から前記ガスクラスターをスキマーを通してイオン化器に導入してイオン化し、イオン化されたガスクラスターを電極群によって加速させて被処理物に照射することにより被処理物を加工する加工方法において、スキマー、イオン化器、電極群の電極及び被処理物のそれぞれに電圧を印加または接地することにより、前記スキマーと前記イオン化器の電位差よりも、前記イオン化器と前記被処理物または前記イオン化器と前記電極群の電極の電位差の方が大きくなるようにそれぞれの電位を設定して前記ガスクラスターを加速させて被処理物に照射し、被処理物を加工することを特徴とする。

Claims (9)

1. ノズルからガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室と、前記クラスター生成室からスキマーを通して導入された前記ガスクラスターをイオン化するイオン化器と、該イオン化器でイオン化された前記ガスクラスターを加速させて被処理物に照射させる電極群と、が備えられているガスクラスターイオンビーム装置において、
   前記スキマー及び前記イオン化器が接地されていることを特徴とするガスクラスターイオンビーム装置。
2. 前記スキマー及び前記イオン化器が一体の構成部品であることを特徴とする請求項１記載のガスクラスターイオンビーム装置。
3. 前記電極群による加速後のガスクラスターイオンを中性化する手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載のガスクラスターイオンビーム装置。
4. ノズルからガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室と、前記クラスター生成室からスキマーを通して導入された前記ガスクラスターをイオン化するイオン化器と、該イオン化器でイオン化された前記ガスクラスターを加速させて被処理物に照射させる電極群と、が備えられているガスクラスターイオンビーム装置において、
   前記被処理物に電位を与える電源を有することを特徴とするガスクラスターイオンビーム装置。
5. ノズルからガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室と、前記クラスター生成室から前記ガスクラスターをスキマーを通してイオン化器に導入してイオン化し、イオン化されたガスクラスターを電極群によって加速させて被処理物に照射することにより被処理物を加工する加工方法において、
   スキマー、イオン化器、電極群の電極及び被処理物のそれぞれに電圧を印加または接地することにより、前記スキマーと前記イオン化器の電位差よりも、前記イオン化器と前記被処理物または前記イオン化器と前記電極群の電極の電位差の方が大きくなるようにそれぞれの電位を設定して前記ガスクラスターを加速させて被処理物に照射し、被処理物を加工することを特徴とする加工方法。
6. 前記スキマーとイオン化器の電位差は、０Ｖ以上１０ｋＶ以下であることを特徴とする請求項５に記載の加工方法。
7. 前記被処理物の電位が、前記被処理物に照射されるガスクラスターとは逆極性の電位に設定されていることを特徴とする請求項５に記載の加工方法。
8. 前記被処理物に照射されるガスクラスターは正に帯電していることを特徴とする請求項７に記載の加工方法。
9. 前記電極群による加速後のガスクラスターを中性化して被処理物に照射することを特徴とする請求項５に記載の加工方法。