JP2007057306A - Radiation image conversion panel using stimulable phosphor and method for manufacturing it - Google Patents

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JP2007057306A JP2005240949A JP2005240949A JP2007057306A JP 2007057306 A JP2007057306 A JP 2007057306A JP 2005240949 A JP2005240949 A JP 2005240949A JP 2005240949 A JP2005240949 A JP 2005240949A JP 2007057306 A JP2007057306 A JP 2007057306A
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Shinichi Okamura
真一 岡村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation image conversion panel which uses stimulable phosphors and improves both in physical durability and in luminance and a method for manufacturing the panel. <P>SOLUTION: The radiation image conversion panel which has a stimulable phosphor layer on a support is characterized in that the stimulable phosphor layer is formed by a vapor phase epitaxial method and in that the stress intensity factor K<SB>Ic</SB>is between 0.3 (MPa m<SP>1/2</SP>) and 60 (MPa m<SP>1/2</SP>) inclusive. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a radiation image conversion panel using a photostimulable phosphor and a manufacturing method thereof.

X線画像のような放射線画像は、病気診断用などの分野で多く用いられている。このX線画像を得る方法としては、被写体を通過したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射し、これにより可視光を生じさせた後、この可視光を通常の写真を撮るときと同様にして、ハロゲン化銀写真感光材料(以下、単に感光材料ともいう。)に照射し、次いで現像処理を施して可視銀画像を得る、いわゆる放射線写真方式が広く利用されている。   Radiation images such as X-ray images are often used in fields such as disease diagnosis. The X-ray image is obtained by irradiating the phosphor layer (phosphor screen) with X-rays that have passed through the subject, thereby generating visible light, and then using this visible light as when taking a normal photograph. Thus, a so-called radiographic method in which a silver halide photographic light-sensitive material (hereinafter also simply referred to as a light-sensitive material) is irradiated and then developed to obtain a visible silver image is widely used.

しかしながら、近年では、ハロゲン化銀塩を有する感光材料による画像形成方法に代わり、蛍光体層から直接画像を取り出す新たな方法が進展している。   However, in recent years, a new method for taking out an image directly from a phosphor layer has been developed instead of an image forming method using a photosensitive material having a silver halide salt.

この方法は、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出し画像化する方法がある。   In this method, the radiation transmitted through the subject is absorbed by the phosphor, and then the phosphor is excited by light or thermal energy, for example, so that the radiation energy accumulated by the phosphor is absorbed as fluorescence. There is a method of emitting and detecting this fluorescence and imaging.

具体的には、例えば、米国特許第3,859,527号及び特開昭55−12144号公報等に記載されているような輝尽性蛍光体を用いる放射線画像変換方法が知られている。この方法は、輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を用いる放射線像変換パネルを使用するもので、この放射線像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて、その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波(励起光)で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して、電気信号を得て、この信号を感光材料等の記録材料、CRT等の表示装置上に可視像として再生するものである。   Specifically, for example, a radiation image conversion method using a photostimulable phosphor as described in US Pat. No. 3,859,527 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-12144 is known. This method uses a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor layer containing a stimulable phosphor, and the radiation transmitted through the subject is applied to the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel. The radiation energy corresponding to the radiation transmission density of each part of the subject is accumulated, and then the stimulable phosphor is excited in time series with electromagnetic waves (excitation light) such as visible light and infrared light. Radiation energy accumulated in the phosphor is emitted as stimulated emission, and a signal based on the intensity of this light is photoelectrically converted, for example, to obtain an electrical signal, which is then used as a recording material such as a photosensitive material, CRT The image is reproduced as a visible image on a display device.

上記の放射線画像の再生方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せによる放射線写真法と比較して、はるかに少ない被曝線量で、情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点を有している。
これらの輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後、励起光の走査によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後に再度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能である。つまり、従来の放射線写真法では、一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線画像変換方法では放射線画像変換パネルを繰り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有利である。
According to the above radiographic image reproduction method, it is possible to obtain a radiographic image with a large amount of information with a much smaller exposure dose as compared with a radiographic method using a combination of a conventional radiographic film and an intensifying screen. It has the advantage of being able to.
Radiation image conversion panels using these photostimulable phosphors, after accumulating radiation image information, release accumulated energy by scanning excitation light, so that radiation images can be accumulated again after scanning, and repeated Can be used. In other words, the conventional radiographic method consumes a radiographic film for each imaging, whereas this radiographic image conversion method repeatedly uses a radiographic image conversion panel, so from the viewpoint of resource protection and economic efficiency. Is also advantageous.

更に、近年、診断画像の解析においてより高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されている。鮮鋭性改善の為の手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし、感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。   Furthermore, in recent years, a radiographic image conversion panel with higher sharpness has been required for analysis of diagnostic images. As means for improving the sharpness, for example, an attempt has been made to improve the sensitivity and sharpness by controlling the shape of the photostimulable phosphor itself.

これらの試みの1つとして、例えば、特開昭61−142497号公報に記載されている微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。   As one of these attempts, for example, it is composed of a fine pseudo-columnar block formed by depositing a photostimulable phosphor on a support having a fine concavo-convex pattern described in JP-A No. 61-142497. There is a method using a stimulable phosphor layer.

また、特開昭61−142500号公報に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して、更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いる方法、更には支持体の面に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法(特許文献1参照)、更には支持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されている(特許文献2参照)。   Further, as described in JP-A-61-142500, a crack between columnar blocks obtained by depositing a photostimulable phosphor on a support having a fine pattern is subjected to shock treatment for further development. Method using a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer formed, and further, radiation image conversion in which a photostimulable phosphor layer formed on the surface of a support is cracked from the surface side to form a pseudo columnar shape A method using a panel (see Patent Document 1), a method of forming a stimulable phosphor layer having a cavity by vapor deposition on the upper surface of a support, and then growing a cavity by heat treatment to provide a crack are proposed. (See Patent Document 2).

更に、気相成長法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されている(特許文献3参照)。   Furthermore, a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer in which elongated columnar crystals having a certain inclination with respect to the normal direction of the support are formed on the support by vapor phase epitaxy has been proposed ( (See Patent Document 3).

最近では、CsBrなどのハロゲン化アルカリを母体にEuを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案され、特にEuを賦活剤とすることで従来得られていなかった高いX線変換効率を導き出すことが可能となった。   Recently, a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor activated with Eu based on an alkali halide such as CsBr has been proposed, and in particular, high X-rays that have not been obtained by using Eu as an activator. It became possible to derive the conversion efficiency.

ところで、前述したように、輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換パネルは繰り返し使用され、使用法によっては、使用中にパネルを積み重ねたり、またロールでパネルを搬送するため、物理的な衝撃などに強く、耐久性の高いものであることが要求される。   By the way, as described above, radiation image conversion panels using photostimulable phosphors are used repeatedly, and depending on the method of use, the panels are stacked during use, or the panels are transported by rolls. It is required to be strong and durable.

耐久性を向上させる手段として、過去に、光反射層と支持体との間に硬化した接着層を設ける方法や、圧縮硬さを規定した保護シートを蛍光体層上に積層させる方法等が提案されているが、物理的耐久性の向上という観点で更なる改善が必要であり、また、当該方法では輝度ムラが改善されるわけではない(特許文献4、5参照)。
特開昭62−39737号公報 特開昭62−110200号公報 特開平2−58000号公報 特開2004−101386号公報 特開2005−62015号公報
As means to improve durability, methods such as providing a cured adhesive layer between the light reflecting layer and the support or laminating a protective sheet with a specified compression hardness on the phosphor layer have been proposed in the past. However, further improvement is necessary from the viewpoint of improving physical durability, and the method does not improve luminance unevenness (see Patent Documents 4 and 5).
JP 62-39737 A JP-A-62-110200 JP-A-2-58000 JP 2004-101386 A Japanese Patent Laid-Open No. 2005-62015

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換パネルであって、物理的耐久性が向上し、かつ輝度が向上した放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is a radiation image conversion panel using a photostimulable phosphor, which has improved physical durability and improved brightness. It is providing the conversion panel and its manufacturing method.

本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。   The above object of the present invention is achieved by the following configurations.

(1)支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、当該輝尽性蛍光体層が気相成長法により形成され、当該支持体の応力拡大係数KIcが0.3MPa・m1/2以上60MPa・m1/2以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 (1) In a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer on a support, the photostimulable phosphor layer is formed by a vapor phase growth method, and the stress intensity factor K Ic of the support is 0.3 MPa. - a radiation image conversion panel, wherein m is 1/2 or more 60 MPa · m 1/2 or less.

(2)支持体の前記応力拡大係数KIcが1MPa・m1/2以上20MPa・m1/2以下であることを特徴とする前記(1)に記載の放射線画像変換パネル。 (2) The radiation image conversion panel according to (1), wherein the stress intensity factor K Ic of the support is 1 MPa · m 1/2 or more and 20 MPa · m 1/2 or less.

(3)支持体のヤング率が0.5GPa以上60GPa以下であることを特徴とする前記(1)又は(2)に記載の放射線画像変換パネル。   (3) The radiation image conversion panel according to (1) or (2), wherein the support has a Young's modulus of 0.5 GPa or more and 60 GPa or less.

(4)輝尽性蛍光体層が下記一般式(1)で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする前記(1)〜(3)のいずれか1項に記載の放射線画像変換パネル。
一般式(1) M1X・aM2X′・bM3X″:eA
〔式中、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInの各原子から選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であり、X、X′、X″はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、AはEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子であり、また、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を表す。〕。
(4) Any of the above (1) to (3), wherein the photostimulable phosphor layer contains a photostimulable phosphor based on an alkali halide represented by the following general formula (1) The radiation image conversion panel of Claim 1.
The general formula (1) M 1 X · aM 2 X '· bM 3 X ": eA
[Wherein, M 1 is at least one alkali metal atom selected from Li, Na, K, Rb and Cs atoms, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu. And at least one divalent metal atom selected from each atom of Ni, and M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, At least one trivalent metal atom selected from each atom of Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, and X, X ′ and X ″ are at least selected from each atom of F, Cl, Br and I 1 type of halogen atom, A is Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg. At least one metal atom selected from each atom, and a, b, e each represent a number between 0 ≦ a <0.5,0 ≦ b <0.5,0 <e ≦ 0.2.].

(5)前記(1)〜(4)のいずれか1項に記載の放射線画像変換パネルを製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。   (5) A method for manufacturing a radiation image conversion panel, wherein the radiation image conversion panel according to any one of (1) to (4) is manufactured.

本発明の上記構成により、物理的耐久性が向上し、かつ輝度が向上した放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することができる。   According to the above configuration of the present invention, it is possible to provide a radiation image conversion panel having improved physical durability and improved luminance and a method for manufacturing the same.

以下、本発明及び構成要素について詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention and components will be described in detail.

(支持体の応力拡大係数とヤング率)
本発明での応力拡大係数KIcとは、試験片に亀裂が存在する場合、それを起点として荷重増加を伴うことなく破壊が進行する際に材料が示す抵抗値を意味する。
(Stress intensity factor and Young's modulus of support)
In the present invention, the stress intensity factor K Ic means a resistance value indicated by a material when a crack progresses without an increase in load when a crack exists in a test piece.

本発明における支持体の応力拡大係数は、0.3MPa・m1/2以上60MPa・m1/2以下が好ましく、1MPa・m1/2以上20MPa・m1/2以下が特に好ましい。 Stress intensity factor of the support in the present invention is preferably 0.3 MPa · m 1/2 or more 60 MPa · m 1/2 or less, particularly preferably 1 MPa · m 1/2 or more 20 MPa · m 1/2 or less.

支持体の応力拡大係数が低すぎると放射線画像変換パネルの耐衝撃性が低くなる。また、一般的に応力拡大係数が高い材料は高価であるため、支持体の応力拡大係数が高すぎる基板を選択すると放射線画像変換パネル全体のコストが高くなることや、材料の断裁性が悪い等の取り扱い性が悪いことが多く適さない。   If the stress intensity factor of the support is too low, the impact resistance of the radiation image conversion panel will be low. In addition, since a material having a high stress intensity factor is generally expensive, selecting a substrate having a stress intensity factor of the support that is too high increases the cost of the entire radiation image conversion panel, and the material has poor cutting properties. It is unsuitable for the poor handling.

更に、本発明者等は、支持体の応力拡大係数が上記範囲内でかつヤング率が特定の範囲内である場合に、パネルの物理的耐久性が向上するばかりでなく、驚くべきことに輝度ムラが抑制されることを見出した。即ち、支持体のヤング率が0.5GPa以上60GPa以下、かつ支持体の応力拡大係数が0.3MPa・m1/2以上60MPa・m1/2以下であるとき効果が顕著であり、支持体のヤング率が0.5GPa以上60GPa以下、かつ支持体の応力拡大係数が1MPa・m1/2以上20MPa・m1/2以下であるとき更に効果が顕著である。 Furthermore, the present inventors surprisingly not only improved the physical durability of the panel but also surprisingly the brightness when the stress intensity factor of the support is within the above range and the Young's modulus is within a specific range. It has been found that unevenness is suppressed. That is, the effect is significant when the Young's modulus of the support is 0.5 GPa or more and 60 GPa or less and the stress intensity factor of the support is 0.3 MPa · m 1/2 or more and 60 MPa · m 1/2 or less. The effect is more remarkable when the Young's modulus is 0.5 GPa or more and 60 GPa or less and the stress intensity factor of the support is 1 MPa · m 1/2 or more and 20 MPa · m 1/2 or less.

支持体の応力拡大係数とヤング率の組み合わせにより物理的耐久性の向上ばかりでなく輝度ムラの抑制をも達成しうることは新たな発見である。輝度ムラが抑制される理由は、以下のように推定している。一般に、蛍光体層に微細なクラック(亀裂)が存在すると蛍光体層の光反射率、吸収率に影響を及ぼし輝度ムラが生じることがあるが、支持体の応力拡大係数が特定の範囲内でかつヤング率が特定の範囲内である場合、パネルが物理的衝撃を受けても支持体表面上にクラック発生が生じにくいため、蛍光体層のクラック発生を抑制することができ、輝度ムラが抑制されるのであろう。   It is a new discovery that the combination of the stress intensity factor and the Young's modulus of the support can achieve not only improvement in physical durability but also suppression of luminance unevenness. The reason why the luminance unevenness is suppressed is estimated as follows. In general, if there are fine cracks in the phosphor layer, it may affect the light reflectance and absorption rate of the phosphor layer and cause uneven brightness. However, the stress intensity factor of the support is within a specific range. When the Young's modulus is within a specific range, cracks are unlikely to occur on the surface of the support even when the panel is subjected to a physical impact. Will be done.

(支持体)
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる支持体としては、応力拡大係数、ヤング率が本発明の範囲内であれば特に限定はされない。
(Support)
The support used in the radiation image conversion panel of the present invention is not particularly limited as long as the stress intensity factor and Young's modulus are within the scope of the present invention.

例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイト、ポリアミドイミド等のプラスチック、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート、該金属酸化物の被覆層を有する金属シート、アモルファスカーボンのセラミック等が挙げられる。   For example, flat glass such as quartz, borosilicate glass, chemically tempered glass, cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate, polyamide, polyimide, triacetate, polycarbonate, polyphenylene sulfite, polyamideimide, and other plastics, aluminum sheet, iron Examples thereof include metal sheets such as sheets and copper sheets, metal sheets having a coating layer of the metal oxide, and ceramics of amorphous carbon.

(輝尽性蛍光体層)
図1は、本発明に係る支持体上に形成した柱状結晶形状の一例を示す概略図である。図1のa)、b)において、2は気相堆積法により、支持体1上に形成された輝尽性蛍光体の柱状結晶である。
(Stimulable phosphor layer)
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a columnar crystal shape formed on a support according to the present invention. In FIG. 1 a) and b), reference numeral 2 denotes a stimulable phosphor columnar crystal formed on the support 1 by vapor deposition.

図1のa)は、柱状結晶のほぼ中心部に尖角部を有する一例であり、また図1のb)は、柱状結晶の先端部が一定の傾斜を有し、柱状結晶の側面部に尖角部を有する一例である。   FIG. 1 a) is an example having a cusp at substantially the center of the columnar crystal, and FIG. 1 b) is an example in which the tip of the columnar crystal has a certain inclination, and the columnar crystal has a side surface. It is an example which has a cusp part.

本発明においては、柱状結晶の平均結晶径が0.5〜50μmであることが好ましく、より好ましくは1〜50μmである。ここで、柱状結晶の平均結晶径とは、柱状結晶を支持体と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも100個以上の柱状結晶を視野中に含む電子顕微鏡写真から計算する。   In the present invention, the average crystal diameter of the columnar crystals is preferably 0.5 to 50 μm, more preferably 1 to 50 μm. Here, the average crystal diameter of the columnar crystal is an average value of the diameter in terms of a circle of the cross-sectional area of each columnar crystal when the columnar crystal is observed from a plane parallel to the support, and is at least 100 or more columnar crystals. Is calculated from the electron micrograph including

上記で規定する柱状結晶の平均結晶径とすることにより、輝尽性蛍光体層bのヘイズ率を低下することができ、結果として優れた鮮鋭性を実現することができる。   By setting the average crystal diameter of the columnar crystal as defined above, the haze ratio of the photostimulable phosphor layer b can be reduced, and as a result, excellent sharpness can be realized.

なお、柱状結晶径は、支持体温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶を形成することができる。例えば、支持体温度については、温度が低くなるほど細くなる傾向にあるが、低すぎると柱状状態の維持が困難となる。好ましい支持体の温度としては、100〜300℃であり、より好ましくは150〜270℃である。蒸気流の入射角度としては、0〜5°が好ましい。また、真空度については、1.3×10-1Pa以下であることが好ましい。 The columnar crystal diameter is affected by the support temperature, the degree of vacuum, the vapor flow incident angle, and the like, and by controlling these, columnar crystals having a desired thickness can be formed. For example, the support temperature tends to become thinner as the temperature decreases, but if it is too low, it becomes difficult to maintain the columnar state. The temperature of the support is preferably 100 to 300 ° C, more preferably 150 to 270 ° C. The incident angle of the vapor flow is preferably 0 to 5 °. Further, the degree of vacuum is preferably 1.3 × 10 −1 Pa or less.

次いで気相堆積法について詳細に説明する。気相堆積法で形成する輝尽性蛍光体層で用いることのできる輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭48−80487号に記載されているBaSO4:Axで表される蛍光体、特開昭48−80488号記載のMgSO4:Axで表される蛍光体、特開昭48−80489号に記載されているSrSO4:Axで表される蛍光体、特開昭51−29889号に記載されているNa2SO4、CaSO4及びBaSO4等にMn、Dy及びTbの中少なくとも1種を添加した蛍光体、特開昭52−30487号に記載されているBeO、LiF、MgSO4及びCaF2等の蛍光体、特開昭53−39277号に記載されているLi247:Cu,Ag等の蛍光体、特開昭54−47883号に記載されているLi2O・(Be22)x:Cu,Ag等の蛍光体、米国特許第3,859,527号に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、La22S:Eu,Sm及び(Zn,Cd)S:Mnxで表される蛍光体があげられる。 Next, the vapor deposition method will be described in detail. Examples of the stimulable phosphor that can be used in the stimulable phosphor layer formed by the vapor deposition method include, for example, a phosphor represented by BaSO 4 : Ax described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 48-80487. Phosphors represented by MgSO 4 : Ax described in JP-A-48-80488, phosphors represented by SrSO 4 : Ax described in JP-A-48-80489, JP-A-51-29889 Phosphors obtained by adding at least one of Mn, Dy, and Tb to Na 2 SO 4 , CaSO 4, BaSO 4 and the like described in No. 52, BeO, LiF described in JP-A-52-30487, Phosphors such as MgSO 4 and CaF 2 , phosphors such as Li 2 B 4 O 7 : Cu, Ag described in JP-A-53-39277, Li described in JP-A-54-47883 2 O · (Be 2 O 2 ) x: u, phosphors such as Ag, U.S. Patent No. 3,859,527 is described in JP SrS: Ce, Sm, SrS: Eu, Sm, La 2 O 2 S: Eu, Sm and (Zn, Cd) S : A phosphor represented by Mnx.

また、特開昭55−12142号に記載されているZnS:Cu,Pb蛍光体、一般式がBaO・xAl23:Euであげられるアルミン酸バリウム蛍光体及び一般式がM(II)O・xSiO2:Aで表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体があげられる。 Further, a ZnS: Cu, Pb phosphor described in JP-A-55-12142, a barium aluminate phosphor whose general formula is BaO.xAl 2 O 3 : Eu, and a general formula of M (II) O X SiO 2 : An alkaline earth metal silicate phosphor represented by A can be used.

また、特開昭55−12143号に記載されている一般式が(Ba1-x-yMgxCay)Fx:Eu2+で表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12144号に記載されている一般式がLnOXxAで表される蛍光体、特開昭55−12145号に記載されている一般式が(Ba1-xM(II)x)FxyAで表される蛍光体、特開昭55−84389号に記載されている一般式がBaFX:xCe,yAで表される蛍光体、特開昭55−160078号に記載されている一般式がM(II)FX・xA:yLnで表される希土類元素賦活二価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ZnS:A、CdS:A、(Zn,Cd)S:A,Xで表される蛍光体、特開昭59−38278号に記載されている下記の何れかの一般式で表される蛍光体、
一般式
xM3(PO42・NX2y
xM3(PO42y
特開昭59−155487号に記載されている下記の何れかの一般式で表される蛍光体。
Further, an alkaline earth fluorohalide phosphor represented by the general formula (Ba 1-xy Mg x Ca y ) F x : Eu 2+ described in Japanese Patent Laid-Open No. 55-12143, The phosphor represented by the general formula described in Japanese Patent No. 55-12144 is LnO x : x A, and the general formula described in Japanese Patent Laid-Open No. 55-12145 is (Ba 1-x M (II) x ). A phosphor represented by F x : y A, a phosphor represented by BaFX: x Ce, y A having a general formula described in JP-A No. 55-84389, described in JP-A No. 55-160078 Rare earth element-activated divalent metal fluorohalide phosphors represented by the general formula M (II) FX · x A: y Ln, general formula ZnS: A, CdS: A, (Zn, Cd) S: A , X, a phosphor represented by any one of the following general formulas described in JP-A-59-38278 Phosphor represented,
General formula xM 3 (PO 4 ) 2 · NX 2 : y A
xM 3 (PO 4 ) 2 : y A
A phosphor represented by any one of the following general formulas described in JP-A-59-155487.

一般式
nReX3mAX′2xEu
nReX3mAX′2xEu,ySm
で表される蛍光体、特開昭61−72087号に記載されている下記一般式、
M(I)X・aM(II)X′2・bM(III)X″3c
で表されるアルカリハライド蛍光体及び特開昭61−228400号に記載されている一般式M(I)X:xBiで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等があげられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。
General formula nReX 3 · m AX ′ 2 : x Eu
nReX 3 · m AX ′ 2 : x Eu, y Sm
A phosphor represented by the following general formula described in JP-A-61-72087,
M (I) X · a M (II) X ′ 2 · bM (III) X ″ 3 : c A
In represented by an alkali halide phosphor and JP 61-228400 formula is described in JP M (I) X: Bismuth activated alkali halide phosphor, etc. represented by x Bi and the like. In particular, the alkali halide phosphor is preferable because a columnar photostimulable phosphor layer can be easily formed by a method such as vapor deposition or sputtering.

(一般式(1)で表される輝尽性蛍光体)
次に、本発明に係る前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体について説明する。本発明の前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体において、M1は、Na、K、Rb及びCs等の各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子を表し、中でもRb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくはCs原子である。
(Stimulable phosphor represented by the general formula (1))
Next, the photostimulable phosphor represented by the general formula (1) according to the present invention will be described. In the photostimulable phosphor represented by the general formula (1) of the present invention, M 1 represents at least one alkali metal atom selected from each atom such as Na, K, Rb and Cs, among which Rb And at least one alkaline earth metal atom selected from each atom of Cs, and more preferably a Cs atom.

2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNi等の各原子から選ばれる少なくとも1種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Be、Mg、Ca、Sr及びBa等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。 M 2 represents at least one divalent metal atom selected from atoms such as Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu, and Ni, and among them, Be, Mg are preferably used. , A divalent metal atom selected from atoms such as Ca, Sr and Ba.

3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びIn等の各原子から選ばれる少なくとも1種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはY、Ce、Sm、Eu、Al、La、Gd、Lu、Ga及びIn等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
AはEu、Tb、In、Ga、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子である。
M 3 is at least selected from each atom such as Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In. One kind of trivalent metal atom is represented, and among these, trivalent metal atoms selected from each atom such as Y, Ce, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga and In are preferred. is there.
A is at least selected from each atom of Eu, Tb, In, Ga, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. One kind of metal atom.

輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、X、X′及びX″はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲンで原子を表すが、F、Cl及びBrから選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子が好ましく、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子が更に好ましい。   From the viewpoint of improving the photostimulable emission brightness of the photostimulable phosphor, X, X ′ and X ″ each represents an atom with at least one halogen selected from F, Cl, Br and I atoms. And at least one halogen atom selected from Br and I, and more preferably at least one halogen atom selected from Br and I atoms.

本発明の一般式(1)で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。   The photostimulable phosphor represented by the general formula (1) of the present invention is produced, for example, by the production method described below.

蛍光体原料としては、
(a)NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIから選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物が用いられる。
(b)MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCI2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaBr2・2H2O、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2の化合物から選ばれる少なくとも1種又は2種以上の化合物が用いられる。
(c)前記一般式(1)において、Eu、Tb、In、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMg等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
As a phosphor material,
(A) At least one compound selected from NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr and CsI is used.
(B) MgF 2, MgCl 2 , MgBr 2, MgI 2, CaF 2, CaCl 2, CaBr 2, CaI 2, SrF 2, SrCI 2, SrBr 2, SrI 2, BaF 2, BaCl 2, BaBr 2, BaBr 2 2H 2 O, BaI 2 , ZnF 2 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , ZnI 2 , CdF 2 , CdCl 2 , CdBr 2 , CdI 2 , CuF 2 , CuCl 2 , CuBr 2 , CuI, NiF 2 , NiCl 2 , NiBr At least one or two or more compounds selected from 2 and NiI 2 compounds are used.
(C) In the general formula (1), Eu, Tb, In, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu And a compound having a metal atom selected from each atom such as Mg.

一般式(I)で表される化合物において、aは0≦a<0.5、好ましくは0≦a<0.01、bは0≦b<0.5、好ましくは0≦b≦10-2、eは0<e≦0.2、好ましくは0<e≦0.1である。 In the compound represented by the general formula (I), a is 0 ≦ a <0.5, preferably 0 ≦ a <0.01, b is 0 ≦ b <0.5, preferably 0 ≦ b ≦ 10 −. 2 and e are 0 <e ≦ 0.2, preferably 0 <e ≦ 0.1.

上記の数値範囲の混合組成になるように前記(a)〜(c)の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。   The phosphor materials (a) to (c) are weighed so as to have a mixed composition in the above numerical range, and sufficiently mixed using a mortar, ball mill, mixer mill or the like.

次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ルツボ又はアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は300〜1000℃が適当である。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、一般には0.5〜6時間が適当である。焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。   Next, the obtained phosphor raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace. The firing temperature is suitably 300 to 1000 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature, and the like, but generally 0.5 to 6 hours is appropriate. The firing atmosphere includes a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide gas atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere and an argon gas atmosphere, or a small amount of oxygen gas. A weak oxidizing atmosphere is preferred.

尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めることができ好ましい。   After firing once under the above firing conditions, the fired product is taken out from the electric furnace and pulverized, and then the fired product powder is again filled in a heat-resistant container and placed in the electric furnace, and again under the same firing conditions as described above. Firing is preferable because it can further increase the emission luminance of the phosphor.

また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気又は中性雰囲気のままで冷却してもよい。   In addition, when the fired product is cooled to the room temperature from the firing temperature, the desired phosphor can be obtained by taking the fired product from the electric furnace and allowing it to cool in the air. You may cool in an atmosphere or neutral atmosphere.

また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。   In addition, by moving the fired product from the heating unit to the cooling unit in an electric furnace and quenching in a weak reducing atmosphere, neutral atmosphere or weak oxidizing atmosphere, the emission luminance due to the phosphor phosphors obtained can be increased. It can be further increased.

本発明に係る輝尽性蛍光体層は気相成長法によって形成されることを特徴としている。   The photostimulable phosphor layer according to the present invention is formed by a vapor phase growth method.

輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、その他の方法を用いることができる。   As a vapor phase growth method of the photostimulable phosphor, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, and other methods can be used.

本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。第1の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とする。次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。 In the present invention, for example, the following methods can be mentioned. In the vapor deposition method of the first method, first, after the support is installed in the vapor deposition apparatus, the inside of the apparatus is evacuated to a vacuum degree of about 1.333 × 10 −4 Pa. Next, at least one of the photostimulable phosphor is heated and evaporated by a resistance heating method, an electron beam method, or the like to grow the photostimulable phosphor on the surface of the support to a desired thickness. As a result, a photostimulable phosphor layer containing no binder is formed, but it is also possible to form the photostimulable phosphor layer in a plurality of times in the vapor deposition step.

また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。   In the vapor deposition step, it is possible to co-evaporate using a plurality of resistance heaters or electron beams to synthesize the desired photostimulable phosphor on the support and simultaneously form the photostimulable phosphor layer. is there.

蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線画像変換パネルが製造されることが好ましい。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。
さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体(支持体、保護層又は中間層)を冷却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じてO2、H2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。
After the vapor deposition, it is preferable that the radiation image conversion panel of the present invention is manufactured by providing a protective layer on the side opposite to the support side of the photostimulable phosphor layer as necessary. In addition, after forming a photostimulable phosphor layer on a protective layer, a procedure for providing a support may be taken.
Furthermore, in the vapor deposition method, the vapor deposition target (support, protective layer or intermediate layer) may be cooled or heated as necessary during vapor deposition. Further, the stimulable phosphor layer may be heat-treated after the vapor deposition. In the vapor deposition method, reactive vapor deposition may be performed in which vapor deposition is performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 as necessary.

第2の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層又は中間層を有する支持体をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して1.333×10-1Pa程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。 In the sputtering method as the second method, like the vapor deposition method, after a support having a protective layer or an intermediate layer is placed in the sputtering apparatus, the inside of the apparatus is once evacuated to about 1.333 × 10 −4 Pa. The degree of vacuum is set, and then an inert gas such as Ar or Ne is introduced into the sputtering apparatus as a sputtering gas to obtain a gas pressure of about 1.333 × 10 −1 Pa. Next, a stimulable phosphor layer is grown on the support to a desired thickness by sputtering using the stimulable phosphor as a target. Various applied treatments can be used in the sputtering step as in the vapor deposition method.

第3の方法としてCVD法があり、又、第4の方法としてイオンプレーティング法がある。   The third method is a CVD method, and the fourth method is an ion plating method.

また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は0.05μm/分〜300μm/分であることが好ましい。成長速度が0.05μm/分未満の場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く好ましくない。また成長速度が300μm/分を越える場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましくない。   The growth rate of the stimulable phosphor layer in the vapor phase growth is preferably 0.05 μm / min to 300 μm / min. When the growth rate is less than 0.05 μm / min, the productivity of the radiation image conversion panel of the present invention is low, which is not preferable. If the growth rate exceeds 300 μm / min, it is difficult to control the growth rate.

本発明の放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着法、スパッタリング法などにより得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネルが得られ、好ましい。   When the radiation image conversion panel of the present invention is obtained by the above vacuum deposition method, sputtering method, etc., since there is no binder, the packing density of the stimulable phosphor can be increased, which is preferable in terms of sensitivity and resolution. A radiation image conversion panel is obtained and preferable.

前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から50μm〜1mmであることが好ましく、より好ましくは100〜600μmであり、更に好ましくは300〜600μmである。   The film thickness of the photostimulable phosphor layer is preferably 50 μm to 1 mm from the viewpoint of obtaining the effects of the present invention, although it varies depending on the purpose of use of the radiation image conversion panel and the type of stimulable phosphor. More preferably, it is 100-600 micrometers, More preferably, it is 300-600 micrometers.

上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、100℃以上に設定することが好ましく、更に好ましくは、150℃以上であり、特に好ましくは150〜400℃である。   In producing the photostimulable phosphor layer by the vapor phase growth method described above, the temperature of the support on which the photostimulable phosphor layer is formed is preferably set to 100 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher. Especially preferably, it is 150-400 degreeC.

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は、支持体上に前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体を気相成長させて形成されることが好ましく、層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成することがより好ましい。   The stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel of the present invention is preferably formed by vapor-phase growth of the stimulable phosphor represented by the general formula (1) on the support. Sometimes it is more preferred that the photostimulable phosphor forms columnar crystals.

蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成するためには、前記一般式(1)で表される化合物(輝尽性蛍光体)が用いられるが、中でもCsBr系蛍光体が特に好ましく用いられる。   In order to form a columnar photostimulable phosphor layer by a method such as vapor deposition or sputtering, the compound represented by the general formula (1) (stimulable phosphor) is used. Among them, a CsBr phosphor Is particularly preferably used.

また、本発明においては、柱状結晶が、主成分として下記一般式(2)で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。   In the present invention, the columnar crystal preferably has a stimulable phosphor represented by the following general formula (2) as a main component.

一般式(2)
CsX:A
一般式(2)において、XはBr又はIを表し、AはEu、In、Tb又はCeを表す。
General formula (2)
CsX: A
In the general formula (2), X represents Br or I, and A represents Eu, In, Tb, or Ce.

支持体上に、気相堆積法により蛍光体層を形成する方法としては、輝尽性蛍光体の蒸気又は該原料を供給し、蒸着等の気相成長(堆積)させる方法によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる。これらの場合において、支持体と坩堝との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて通常10〜60cmに設置するのが好ましい。   As a method of forming a phosphor layer on a support by a vapor deposition method, an elongate columnar shape independent by a vapor deposition (deposition) method such as vapor deposition by supplying a vapor of the stimulable phosphor or the raw material. A photostimulable phosphor layer made of crystals can be obtained. In these cases, it is preferable that the distance between the shortest part of the support and the crucible is usually set to 10 to 60 cm in accordance with the average range of the stimulable phosphor.

蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃により発した電子ビームの走査により行われるが、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。
また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体単体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。
The stimulable phosphor as an evaporation source is uniformly dissolved or formed by pressing or hot pressing and charged in a crucible. At this time, it is preferable to perform a degassing treatment. The method for evaporating the photostimulable phosphor from the evaporation source is performed by scanning the electron beam emitted from the electron gun, but it can also be evaporated by other methods.
The evaporation source is not necessarily a single stimulable phosphor, and may be a mixture of stimulable phosphor materials.

また、蛍光体の母体に対して賦活剤を後からドープしてもよい。例えば、母体であるRbBrのみを蒸着した後、賦活剤であるTlをドープしてもよい。即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、MTFは低下しないからである。   Moreover, you may dope an activator afterwards with respect to the base material of fluorescent substance. For example, after depositing only RbBr as a base material, Tl as an activator may be doped. That is, since the crystals are independent, even if the film is thick, it can be sufficiently doped, and crystal growth hardly occurs, so the MTF does not decrease.

ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤(賦活剤)を熱拡散、イオン注入法によって行うことが出来る。   Doping can be performed by thermal diffusion and ion implantation of a doping agent (activator) in the base layer of the formed phosphor.

また、各柱状結晶間の間隙の大きさは30μm以下がよく、更に好ましくは5μm以下がよい。即ち、間隙が30μmを越える場合は蛍光体層中のレーザー光の散乱が増加し、鮮鋭性が低下してしまう。   Further, the size of the gap between the columnar crystals is preferably 30 μm or less, and more preferably 5 μm or less. That is, when the gap exceeds 30 μm, the scattering of the laser light in the phosphor layer increases and the sharpness decreases.

次に、本発明に係る輝尽性蛍光体層の形成を図2を用いて説明する。図2は、支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示す図であるが、輝尽性蛍光体蒸気流16を支持体面の法線方向に対する入射角度として0〜5°の範囲で入射することにより、柱状結晶が形成される。   Next, formation of the photostimulable phosphor layer according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing a state where a photostimulable phosphor layer is formed by vapor deposition on a support, and the photostimulable phosphor vapor flow 16 is 0 to 5 as an incident angle with respect to the normal direction of the support surface. A columnar crystal is formed by incidence in the range of °.

この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルより層厚を薄くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。   Since the photostimulable phosphor layer formed on the support in this manner does not contain a binder, it has excellent directivity, high directivity of stimulated excitation light and stimulated emission, and high brightness. The layer thickness can be made thinner than that of a radiation image conversion panel having a dispersive stimulable phosphor layer in which a stimulable phosphor is dispersed in a binder. Furthermore, the sharpness of the image is improved by reducing the scattering of the stimulating light in the stimulable phosphor layer.

また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。ここで、高反射率の物質とは、輝尽励起光(500〜900nm、特に600〜800nm)に対する反射率の高いものをいい、例えば、アルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。   In addition, the gap between the columnar crystals may be filled with a filler or the like, and in addition to reinforcing the stimulable phosphor layer, it may be filled with a high light absorption substance, a high light reflectance substance, or the like. Thus, in addition to providing the above-mentioned reinforcing effect, it is effective for reducing the light diffusion in the lateral direction of the stimulated excitation light incident on the stimulable phosphor layer. Here, the high-reflectance substance means a substance having a high reflectivity to stimulated excitation light (500 to 900 nm, particularly 600 to 800 nm), for example, white pigment such as aluminum, magnesium, silver, indium and other metals. In addition, a color material in the green to red region can be used.

高感度である放射線画像変換パネルを得る観点から、本発明に係る輝尽性蛍光体層の反射率は20%以上であることが好ましく、より好ましくは30%以上であり、特に好ましくは40%以上である。尚、上限は100%である。   From the viewpoint of obtaining a radiation image conversion panel having high sensitivity, the reflectance of the photostimulable phosphor layer according to the present invention is preferably 20% or more, more preferably 30% or more, and particularly preferably 40%. That's it. The upper limit is 100%.

本発明においては、基板上にアルミニウム等の光を反射するような鏡面処理(例えば、蒸着等)が行われている場合は、輝尽性蛍光体層の反射率を測定する。   In the present invention, when a mirror surface treatment (for example, vapor deposition) that reflects light such as aluminum is performed on the substrate, the reflectance of the stimulable phosphor layer is measured.

ここで、反射率の測定は、下記の測定装置を用い、同様の測定条件にて行うことができる。
装置:HITACHI557型、Spectrophotometer
(測定条件)
測定光の波長 :680nm
スキャンスピード:120nm/min
繰り返し回数 :10回
レスポンス :自動設定
白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として、TiO2(アナターゼ型、ルチル型)、MgO、PbCO3・Pb(OH)2、BaSO4、Al23、M(II)FX(但し、M(II)はBa、Sr及びCaの中の少なくとも一種であり、XはCl、及びBrのうちの少なくとも一種である。)、CaCO3、ZnO、Sb23、SiO2、ZrO2、リトポン(BaSO4・ZnS)、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上さることができる。
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボンブラックは輝尽発光も吸収する。
Here, the reflectance can be measured under the same measurement conditions using the following measuring apparatus.
Equipment: HITACHI 557, Spectrophotometer
(Measurement condition)
Measurement light wavelength: 680 nm
Scan speed: 120 nm / min
Number of repetitions: 10 times Response: automatic setting The white pigment can also reflect stimulated emission. As white pigments, TiO 2 (anatase type, rutile type), MgO, PbCO 3 .Pb (OH) 2 , BaSO 4 , Al 2 O 3 , M (II) FX (where M (II) is Ba, Sr and At least one of Ca, and X is at least one of Cl and Br.), CaCO 3 , ZnO, Sb 2 O 3 , SiO 2 , ZrO 2 , lithopone (BaSO 4 .ZnS), silicic acid Examples include magnesium, basic silicic acid sulfate, basic lead phosphate, and aluminum silicate. Since these white pigments have a strong hiding power and a high refractive index, it is possible to easily scatter scattered light by reflecting or refracting light, thereby significantly improving the sensitivity of the resulting radiation image conversion panel. it can.
In addition, as a material having a high light absorption rate, for example, carbon black, chromium oxide, nickel oxide, iron oxide, and the like and a blue color material are used. Among these, carbon black absorbs stimulated light emission.

また、色材は、有機若しくは無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー3G(ヘキスト製)、エストロールブリルブルーN−3RL(住友化学製)、D&CブルーNo.1(ナショナルアニリン製)、スピリットブルー(保土谷化学製)、オイルブルーNo.603(オリエント製)、キトンブルーA(チバガイギー製)、アイゼンカチロンブルーGLH(保土ヶ谷化学製)、レイクブルーAFH(協和産業製)、プリモシアニン6GX(稲畑産業製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化学製)、シアンブルーBNRCS(東洋インク製)、ライオノイルブルーSL(東洋インク製)等が用いられる。またカラーインデクスNo.24411、23160、74180、74200、22800、23154、23155、24401、14830、15050、15760、15707、17941、74220、13425、13361、13420、11836、74140、74380、74350、74460等の有機系金属錯塩色材もあげられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、TiO2−ZnO−Co−NiO系顔料があげられる。 The color material may be either an organic or inorganic color material. Examples of organic colorants include Zavon First Blue 3G (Hoechst), Estrol Brill Blue N-3RL (Sumitomo Chemical), D & C Blue No. 1 (made by National Aniline), Spirit Blue (made by Hodogaya Chemical), Oil Blue No. 1 603 (made by Orient), Kitten Blue A (made by Ciba Geigy), Eisen Katyron Blue GLH (made by Hodogaya Chemical), Lake Blue AFH (made by Kyowa Sangyo), Primocyanin 6GX (made by Inabata Sangyo), Brill Acid Green 6BH (Hodogaya) Chemical Blue), Cyan Blue BNRCS (Toyo Ink), Lionoyl Blue SL (Toyo Ink), etc. are used. The color index No. 24411, 23160, 74180, 74200, 22800, 23154, 23155, 24401, 14830, 15050, 15760, 15707, 17941, 74220, 13425, 13361, 13420, 11836, 74140, 74380, 74350, 74460, etc. There are also materials. Examples of inorganic color materials include ultramarine, cobalt blue, cerulean blue, chromium oxide, and TiO 2 —ZnO—Co—NiO pigments.

(保護層)
本発明に係る輝尽性蛍光体層は、保護層を有していても良い。保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層としてもちいることもできる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、SiC、SiO2、SiN、Al23などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には0.1〜2000μm程度が好ましい。
(Protective layer)
The photostimulable phosphor layer according to the present invention may have a protective layer. The protective layer may be formed by directly applying a coating solution for the protective layer on the photostimulable phosphor layer, or a protective layer separately formed in advance may be adhered on the photostimulable phosphor layer. Or you may take the procedure of forming a photostimulable phosphor layer on the protective layer formed separately. Materials for the protective layer include cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride, nylon, polytetrafluoroethylene, polytrifluoride-ethylene chloride Ordinary protective layer materials such as tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer are used. In addition, a transparent glass substrate can be used as a protective layer. The protective layer may be formed by laminating inorganic materials such as SiC, SiO 2 , SiN, Al 2 O 3 by vapor deposition, sputtering, or the like. The thickness of these protective layers is generally preferably about 0.1 to 2000 μm.

(放射線画像変換パネル及び放射線画像読み取り装置)
図3は、本発明の放射線画像変換パネル及び放射線画像読み取り装置の構成の1例を示す概略図である。
(Radiation image conversion panel and radiation image reading device)
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the radiation image conversion panel and the radiation image reading apparatus according to the present invention.

図3において21は放射線発生装置、22は被写体、23は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、24は放射線画像変換パネル23の放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起光源、25は放射線画像変換パネル23より放出された輝尽発光を検出する光電変換装置、26は光電変換装置25で検出された光電変換信号を画像として再生する画像再生装置、27は再生された画像を表示する画像表示装置、28は輝尽励起光源24からの反射光をカットし、放射線画像変換パネル23より放出された光のみを透過させるためのフィルタである。尚、図3は被写体の放射線透過像を得る場合の例であるが、被写体22自体が放射線を放射する場合には、前記放射線発生装置21は特に必要ない。   In FIG. 3, 21 is a radiation generator, 22 is a subject, 23 is a radiation image conversion panel having a visible or infrared photostimulable phosphor layer containing a stimulable phosphor, and 24 is a radiation of the radiation image conversion panel 23. A stimulated excitation light source for emitting a latent image as stimulated emission, 25 is a photoelectric conversion device that detects the stimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 23, and 26 is a photoelectric conversion signal detected by the photoelectric conversion device 25. 27 is an image display device that displays the reconstructed image, and 28 is a device that cuts off the reflected light from the stimulating excitation light source 24 and transmits only the light emitted from the radiation image conversion panel 23. It is a filter to make it. FIG. 3 shows an example of obtaining a radiation transmission image of a subject. However, when the subject 22 itself emits radiation, the radiation generator 21 is not particularly necessary.

また、光電変換装置25以降は放射線画像変換パネル23からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、前記に限定されない。   The photoelectric conversion device 25 and the subsequent devices are not limited to the above as long as they can reproduce optical information from the radiation image conversion panel 23 as an image in some form.

図3に示されるように、被写体22を放射線発生装置21と放射線画像変換パネル23の間に配置し放射線Rを照射すると、放射線Rは被写体22の各部の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像RI(すなわち放射線の強弱の像)が放射線画像変換パネル23に入射する。この入射した透過像RIは放射線画像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによって輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した数の電子及び/又は正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透過像のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち可視あるいは赤外領域の光を照射する輝尽励起光源24によって輝尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積された電子及び/又は正孔を追い出し、蓄積されたエネルギーを輝尽発光として放出せしめる。この放出された輝尽発光の強弱は蓄積された電子及び/又は正孔の数、すなわち放射線画像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置25で電気信号に変換し、画像再生装置26によって画像として再生し、画像表示装置27によってこの画像を表示する。画像再生装置26は単に電気信号を画像信号として再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、画像の記憶、保存等が出来るものを使用するとより有効である。   As shown in FIG. 3, when the subject 22 is placed between the radiation generator 21 and the radiation image conversion panel 23 and irradiated with the radiation R, the radiation R is transmitted according to the change in the radiation transmittance of each part of the subject 22, A transmission image RI (that is, an image of the intensity of radiation) enters the radiation image conversion panel 23. The incident transmitted image RI is absorbed by the photostimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23, so that a number of electrons and / or holes proportional to the amount of radiation absorbed in the photostimulable phosphor layer are generated. Occurs and accumulates at the trap level of the photostimulable phosphor. That is, a latent image in which the energy of the radiation transmission image is accumulated is formed. Next, this latent image is made visible by being excited with light energy. That is, the photostimulable phosphor layer is irradiated with light in the visible or infrared region and the photostimulable phosphor layer is irradiated to expel electrons and / or holes accumulated at the trap level, and the accumulated energy is stimulated to emit light. Let it be released as. The intensity of the emitted stimulated emission is proportional to the number of accumulated electrons and / or holes, that is, the intensity of the radiation energy absorbed in the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23. The optical signal is converted into an electric signal by a photoelectric conversion device 25 such as a photomultiplier tube, and reproduced as an image by an image reproduction device 26, and this image is displayed by an image display device 27. The image reproducing device 26 is more effective not only for reproducing an electrical signal as an image signal but also using what can perform so-called image processing, image calculation, image storage, storage, and the like.

また、光エネルギーで励起する際、輝尽励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放出される発光を受光する光電変換器は一般に600nm以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったものが望ましい。本発明の輝尽性蛍光体の発光波長域は300〜500nmであり、一方輝尽励起波長域は500〜900nmであるので前記の条件を同時に満たすが、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射画像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザーが好まれ、そのレーザー光の波長は680nmであり、本発明の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、680nmの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すものである。すなわち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれも500nm以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を固めることができる。   In addition, when excited by light energy, it is necessary to separate the reflected light of the stimulated excitation light from the stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer, and it is emitted from the stimulable phosphor layer. Photoelectric converters that receive light emission generally have high sensitivity to light energy with a short wavelength of 600 nm or less, so that the stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer has a spectral distribution in the short wavelength region as much as possible. What you have is desirable. The emission wavelength range of the photostimulable phosphor of the present invention is 300 to 500 nm, while the photostimulable excitation wavelength range is 500 to 900 nm, which satisfies the above-mentioned conditions at the same time. Recently, downsizing of diagnostic devices has progressed. A semiconductor laser that has a high output power and is easy to make compact is preferred for the image reading of the radiation image conversion panel, and the wavelength of the laser light is 680 nm, and is incorporated in the radiation image conversion panel of the present invention. The photostimulable phosphor exhibits extremely good sharpness when an excitation wavelength of 680 nm is used. That is, all of the photostimulable phosphors of the present invention emit light having a main peak at 500 nm or less, and the excitation excitation light can be easily separated and coincides well with the spectral sensitivity of the light receiver. The sensitivity of the image receiving system can be solidified.

輝尽励起光源24としては、放射線画像変換パネル23に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザー光を用いると光学系が簡単になり、又、輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率をあげることができ、より好ましい結果が得られる。   As the excitation light source 24, a light source including the excitation wavelength of the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel 23 is used. In particular, when laser light is used, the optical system is simplified, and the excitation light intensity can be increased, so that the photostimulative emission efficiency can be increased, and a more preferable result can be obtained.

本発明においては、輝尽性蛍光体層に照射されるレーザー径が100μm以下であることが好ましく、より好ましくは80μm以下である。   In the present invention, the laser diameter irradiated to the photostimulable phosphor layer is preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less.

レーザーとしては、He−Neレーザー、He−Cdレーザー、Arイオンレーザー、Krイオンレーザー、N2レーザー、YAGレーザー及びその第2高調波、ルビーレーザー、半導体レーザー、各種の色素レーザー、銅蒸気レーザー等の金属蒸気レーザー等がある。通常はHe−NeレーザーやArイオンレーザーのような連続発振のレーザーが望ましいが、パネル1画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザーを用いることもできる。又、フィルタ28を用いずに特開昭59−22046号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザーを用いて変調するよりもパルス発振のレーザーを用いる方が好ましい。 As the laser, the He-Ne laser, the He-Cd laser, Ar ion laser, Kr ion laser, N 2 laser, YAG laser and its second harmonic, ruby laser, semiconductor lasers, various dye lasers, copper vapor laser, etc. There are metal vapor lasers. Normally, a continuous wave laser such as a He—Ne laser or an Ar ion laser is desirable, but a pulsed laser can also be used if the scanning time and pulse of one pixel of the panel are synchronized. Further, when using a method of separating light emission using a delay of light emission as shown in JP-A-59-22046 without using a filter 28, a pulsed laser is used rather than a continuous wave laser. It is preferable to use it.

上記の各種レーザー光源の中でも、半導体レーザーは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。   Among the various laser light sources described above, the semiconductor laser is particularly preferably used because it is small and inexpensive and does not require a modulator.

フィルタ28としては放射線画像変換パネル23から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカットするものであるから、これは放射線画像変換パネル23に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起光源24の波長の組合わせによって決定される。例えば、輝尽励起波長が500〜900nmで輝尽発光波長が300〜500nmにあるような実用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては、例えば、東芝社製C−39、C−40、V−40、V−42、V−44、コーニング社製7−54、7−59、スペクトロフィルム社製BG−1、BG−3、BG−25、BG−37、BG−38等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置25としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。   Since the filter 28 transmits the stimulated luminescence emitted from the radiation image conversion panel 23 and cuts the stimulated excitation light, this is the stimulation of the stimulable phosphor contained in the radiation image conversion panel 23. It is determined by the combination of the emission wavelength and the wavelength of the stimulated excitation light source 24. For example, in the case of a practically preferable combination in which the excitation wavelength is 500 to 900 nm and the emission wavelength is 300 to 500 nm, examples of the filter include C-39, C-40, and V- 40, V-42, V-44, Corning 7-54, 7-59, Spectrofilm BG-1, BG-3, BG-25, BG-37, BG-38, etc. A filter can be used. If an interference filter is used, a filter having an arbitrary characteristic can be selected and used to some extent. The photoelectric conversion device 25 may be any device capable of converting a change in light quantity into a change in electronic signal, such as a photoelectric tube, a photomultiplier tube, a photodiode, a phototransistor, a solar cell, or a photoconductive element.

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.

実施例
《放射線画像変換パネルの作製》
(放射線画像変換パネル1の作製)
Ti合金からなる支持体111の片面に図4に示す蒸着装置101を使用して、以下に示す方法に従って、輝尽性蛍光体(CsBr:0.0002Eu)を蒸着させ輝尽性蛍光体層112を形成した。まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダ104に支持体111を設置し、支持体111と蒸発源103との間隔を800mmに調節した。続いて蒸着装置101内を一旦排気し、Arガスを導入して0.1Paに真空度を調整した後、10rpmの速度で支持体111を回転しながら支持体111の温度を100℃に保持した。
Example << Preparation of Radiation Image Conversion Panel >>
(Preparation of radiation image conversion panel 1)
Using the vapor deposition apparatus 101 shown in FIG. 4 on one side of a support 111 made of a Ti alloy, a stimulable phosphor (CsBr: 0.0002Eu) is vapor-deposited according to the following method. Formed. First, a resistance heating crucible was filled with the phosphor raw material as a vapor deposition material, and the support 111 was placed on the rotating support holder 104, and the distance between the support 111 and the evaporation source 103 was adjusted to 800 mm. Subsequently, the inside of the vapor deposition apparatus 101 was once evacuated, Ar gas was introduced and the degree of vacuum was adjusted to 0.1 Pa, and then the temperature of the support 111 was maintained at 100 ° C. while rotating the support 111 at a speed of 10 rpm. .

次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層の膜厚が300μmとなったところで蒸着を終了させた。   Next, the resistance heating crucible was heated to deposit the stimulable phosphor, and the deposition was terminated when the thickness of the stimulable phosphor layer reached 300 μm.

次いで、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層が密封された構造の本発明に係る実施例1としての放射線画像変換パネル1を得た。   Next, the stimulable phosphor layer was put in a protective layer bag in dry air to obtain a radiation image conversion panel 1 as Example 1 according to the present invention having a structure in which the stimulable phosphor layer was sealed.

(放射線画像変換パネル2〜13の作製)
放射線画像変換パネル1の作製において、支持体を表1に記載の支持体に変更した以外は同様にして放射線画像変換パネル2〜13を得た。
(Production of radiation image conversion panels 2 to 13)
In the production of the radiation image conversion panel 1, radiation image conversion panels 2 to 13 were obtained in the same manner except that the support was changed to the support described in Table 1.

《評価》
以上のようにして作製した各放射線画像変換パネルを用いて、以下の評価を行った。得られた結果を表1に示す。
<Evaluation>
The following evaluation was performed using each radiographic image conversion panel produced as described above. The obtained results are shown in Table 1.

《応力拡大係数の評価》
応力拡大係数KIcは、図5に示すように10mm×900mmに切断し、ノッチを入れた試料(支持体)を23℃、55%RHの雰囲気下で引っ張り速度40mm/minで引っ張り試験を行い、式(1)より算出した。なお、式(1)において臨界応力値は負荷が最大になる値を指す。
<Evaluation of stress intensity factor>
As shown in FIG. 5, the stress intensity factor K Ic was cut to 10 mm × 900 mm, and a notched sample (support) was subjected to a tensile test at a tensile rate of 40 mm / min in an atmosphere of 23 ° C. and 55% RH. , Calculated from equation (1). In the formula (1), the critical stress value indicates a value at which the load is maximized.

式(1):KIc=σ(πa)1/2・F(α)
ここで、
α=a/w=0.2
F(α)=1.12−0.231α+10.55α2−21.72α3+30.39α4
σ=臨界応力値
aはノッチの長さ(mm)、wは試料幅(即ち10mm)である。
Formula (1): K Ic = σ (πa) 1/2 · F (α)
here,
α = a / w = 0.2
F (α) = 1.12−0.231α + 10.55α 2 −21.72α 3 + 30.39α 4
σ = critical stress value a is the length (mm) of the notch, and w is the sample width (ie 10 mm).

《ヤング率の評価》
10mm×900mmに切断した試料(支持体)を23℃、55%RHの雰囲気下で引張り速度40mm/minで引張り試験を行い応力−歪み曲線の傾きから弾性率を求めた。
<< Evaluation of Young's modulus >>
A sample (support) cut to 10 mm × 900 mm was subjected to a tensile test at a tensile rate of 40 mm / min in an atmosphere of 23 ° C. and 55% RH, and the elastic modulus was obtained from the slope of the stress-strain curve.

《耐衝撃性の評価》
放射線画像変換パネルに対して、500gの鉄球を20cmの高さから落下させた後、目視評価した。さらに、その後各放射線画像変換パネルに、管電圧80kVpのX線を照射した後、パネルをHe−Neレーザー光(633nm)で走査して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を上記記載の受光器で受光して電気信号に変換し、これを画像再生装置によって画像として再生し、出力装置よりプリントアウトし、得られたプリント画像を、目視にて耐衝撃性の評価を行った。結果を表1に示す。
<Evaluation of impact resistance>
A 500 g iron ball was dropped from a height of 20 cm on the radiation image conversion panel, and then visually evaluated. Further, after irradiating each radiation image conversion panel with X-rays having a tube voltage of 80 kVp, the panel is scanned with He-Ne laser light (633 nm) and excited, and the stimulated luminescence emitted from the phosphor layer is emitted as described above. The received light is received and converted into an electrical signal by the described light receiver, reproduced as an image by an image reproducing device, printed out from the output device, and the obtained printed image was visually evaluated for impact resistance. . The results are shown in Table 1.

なお、表1では、耐衝撃性の目視評価を下記の基準に従って示した。   In Table 1, visual evaluation of impact resistance is shown according to the following criteria.

◎:ひび割れがなく、また、均一な画像である。     (Double-circle): There is no crack and it is a uniform image.

○:ひび割れがなく、画質的に殆ど気にならない程度である。     ○: There is no crack, and the image quality is hardly a concern.

△:ひび割れが見られ、画欠が確認されるが、実用上許容できるレベル。     Δ: Cracks are observed, and image defects are confirmed, but at a practically acceptable level.

×:ひび割れが見られ、明らかな画欠が認められ、実用上問題が発生するレベル。     X: A level at which cracks are observed, clear omissions are observed, and problems occur in practice.

《輝度、輝度分布(輝度ムラ)の評価》
輝度はコニカ(株)製Regius350を用いて評価を行った。X線をタングステン管球にて80kVp、10mAsで爆射線源と画像変換パネル間距離2mで照射した後、Regius350に放射線画像変換パネルを設置して読み取った。得られたフォトマルからの電気信号をもとに評価を行った。撮影された面内のフォトマルからの電気信号分布を相対評価し、標準偏差を求め、それぞれ各試料の輝度分布(S.D.)とした。S.D.値が小さい程輝度ムラが抑制されていることを示す。
<< Evaluation of brightness and brightness distribution (uneven brightness) >>
The luminance was evaluated using a Regius 350 manufactured by Konica Corporation. X-rays were irradiated with a tungsten tube at 80 kVp and 10 mAs at a distance of 2 m between the bombardment source and the image conversion panel, and then read by installing a radiation image conversion panel on the Regius 350. Evaluation was performed based on the electrical signal from the obtained photomal. The electrical signal distribution from the photographed in-plane photomultiplier was subjected to relative evaluation, and the standard deviation was obtained to obtain the luminance distribution (SD) of each sample. S. D. A smaller value indicates that luminance unevenness is suppressed.

Figure 2007057306
Figure 2007057306

表1の結果から明らかなように、支持体の応力拡大係数KIcが0.3MPa・m1/2以上60MPa・m1/2以下であるとき耐衝撃性が優れる(試料No.3〜13)。 As is clear from the results in Table 1, the impact resistance is excellent when the stress intensity factor K Ic of the support is 0.3 MPa · m 1/2 or more and 60 MPa · m 1/2 or less (Sample Nos. 3 to 13). ).

またその中で、支持体のKIcが0.3MPa・m1/2以上60MPa・m1/2以下かつ支持体のヤング率が0.5GPa以上60GPa以下であるとき、耐衝撃性のみならず輝度ムラの抑制効果がある(試料No.5、7〜13)。更に支持体のヤング率が0.5GPa以上60GPa以下かつ、支持体の応力拡大係数が1MPa・m1/2以上20MPa・m1/2以下であるとき耐衝撃性、輝度ムラ抑制について効果が顕著である(試料No.8〜13)。 Among them, when K Ic of the support is 0.3 MPa · m 1/2 or more and 60 MPa · m 1/2 or less and the Young's modulus of the support is 0.5 GPa or more and 60 GPa or less, not only the impact resistance. There is an effect of suppressing luminance unevenness (Sample Nos. 5 and 7 to 13). Furthermore, when the Young's modulus of the support is 0.5 GPa or more and 60 GPa or less and the stress intensity factor of the support is 1 MPa · m 1/2 or more and 20 MPa · m 1/2 or less, the effect is remarkable in terms of impact resistance and luminance unevenness suppression. (Sample Nos. 8 to 13).

輝度分布(S.D.)10〜20は優れた性能レベルであるが、胸部画像での末梢血管等の淡い陰影の認識が困難な場合がある。一方、S.D.4以下は著しく優れたレベルであり、胸部画像での淡い陰影の認識が容易にでき、S.D.が10〜20と4以下とでは、その差は大きい。   The luminance distribution (SD) 10 to 20 is an excellent performance level, but it may be difficult to recognize light shadows such as peripheral blood vessels in the chest image. On the other hand, S.M. D. 4 and below are remarkably excellent levels, faint shadows can be easily recognized in chest images, and S.P. D. Is 10 to 20 and 4 or less, the difference is large.

支持体上に形成した柱状結晶形状の一例を示す概略図Schematic showing an example of the columnar crystal shape formed on the support 支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子の一例を示す概略図Schematic showing an example of how the photostimulable phosphor layer is formed on the support by vapor deposition 放射線画像変換パネル及び放射線画像読み取り装置の構成の一例を示す概略Schematic showing an example of the configuration of a radiation image conversion panel and a radiation image reading device 蒸着装置の一例の概略構成を示す断面図Sectional drawing which shows schematic structure of an example of vapor deposition apparatus 応力拡大係数の評価のための引っ張り試験の概念図Conceptual diagram of tensile test for evaluation of stress intensity factor

符号の説明Explanation of symbols

1 支持体
2 柱状結晶
3 結晶成長方向の中心を通る線
4 結晶先端断面部の接線
5 柱状結晶の結晶径
15 支持体ホルダ
16 輝尽性蛍光体蒸気流
21 放射線発生装置
22 被写体
23 放射線画像変換パネル
24 輝尽励起光源
25 光電変換装置
26 画像再生装置
27 画像表示装置
28 フィルタ
101 蒸着装置
102 真空容器
103 蒸発源
104 支持体ホルダ
105 支持体回転機構
106 真空ポンプ
111 支持体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Support body 2 Columnar crystal 3 Line passing the center of crystal growth direction 4 Tangent line of crystal | crystallization tip cross-section part 5 Crystal diameter of columnar crystal 15 Support body holder 16 Stimulable fluorescent substance vapor flow 21 Radiation generator 22 Subject 23 Radiation image conversion Panel 24 Photoexcitation light source 25 Photoelectric conversion device 26 Image reproduction device 27 Image display device 28 Filter 101 Vapor deposition device 102 Vacuum vessel 103 Evaporation source 104 Support holder 105 Support rotation mechanism 106 Vacuum pump 111 Support

Claims (5)

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、当該輝尽性蛍光体層が気相成長法により形成され、当該支持体の応力拡大係数KIcが0.3MPa・m1/2以上60MPa・m1/2以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 In a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer on a support, the photostimulable phosphor layer is formed by a vapor phase growth method, and the stress intensity factor K Ic of the support is 0.3 MPa · m 1. / 2 or more radiographic image conversion panel, characterized in that 60 MPa · m is 1/2 or less. 支持体の前記応力拡大係数KIcが1MPa・m1/2以上20MPa・m1/2以下であることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換パネル。 The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the stress intensity factor K Ic of the support is 1 MPa · m 1/2 or more and 20 MPa · m 1/2 or less. 支持体のヤング率が0.5GPa以上60GPa以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線画像変換パネル。 The radiation image conversion panel according to claim 1 or 2, wherein the Young's modulus of the support is 0.5 GPa or more and 60 GPa or less. 輝尽性蛍光体層が下記一般式(1)で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の放射線画像変換パネル。
一般式(1) M1X・aM2X′・bM3X″:eA
〔式中、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInの各原子から選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であり、X、X′、X″はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、AはEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子であり、また、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を表す。〕。
The stimulable phosphor layer contains a stimulable phosphor based on an alkali halide represented by the following general formula (1). Radiation image conversion panel.
The general formula (1) M 1 X · aM 2 X '· bM 3 X ": eA
[Wherein, M 1 is at least one alkali metal atom selected from Li, Na, K, Rb and Cs atoms, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu. And at least one divalent metal atom selected from each atom of Ni, and M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, At least one trivalent metal atom selected from each atom of Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, and X, X ′ and X ″ are at least selected from each atom of F, Cl, Br and I 1 type of halogen atom, A is Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg. At least one metal atom selected from each atom, and a, b, e each represent a number between 0 ≦ a <0.5,0 ≦ b <0.5,0 <e ≦ 0.2.].
請求項1〜4のいずれか1項に記載の放射線画像変換パネルを製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 The manufacturing method of the radiographic image conversion panel characterized by manufacturing the radiographic image conversion panel of any one of Claims 1-4.
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