JP3807347B2 - Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel - Google Patents

Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は放射線像変換パネル及び放射線像変換パネルの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
【0003】
具体的な方法としては、支持体上に輝尽性蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線像変換方法が知られている(米国特許第3,859,527号参照)。
【0004】
より高輝度、高感度の輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換方法として、例えば特開昭59−75200号等に記載されているBaFX:Eu2+系(X:Cl、Br、I)蛍光体を用いた放射線像変換方法、同61−72087号等に記載されているようなアルカリハライド蛍光体を用いた放射線像変換方法、同61−73786号、同61−73787号等に記載のように、共賦活剤としてTl+及びCe3+、Sm3+、Eu3+、Y3+、Ag+、Mg2+、Pb2+、In3+の金属を含有するアルカリハライド蛍光体が開発されている。
【0005】
更に、近年診断画像の解析においてより高鮮鋭性の放射線像変換パネルが要求されている。鮮鋭性改善の為の手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
【0006】
これらの試みの1つの方法として、例えば特開昭61−142497号等に記載されている微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。
【0007】
また、特開昭61−142500号に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭62−39737号に記載されている支持体上に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭62−110200号に記載に記載されているように、支持体上に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されている。
【0008】
更に、特開平2−58000号には、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが記載されている。
【0009】
これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロールする方法は、いずれも輝尽性蛍光体層を柱状とすることで、輝尽励起光又は輝尽発光の横方向への拡散を抑える(クラック(柱状結晶)界面において反射を繰り返しながら支持体面まで到達する)ことができるため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることができるという特徴がある。
【0010】
最近ではCsBrなどのハロゲン化アルカリを母体にEuを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換パネルが提案され、特にEuを賦活剤とすることで従来不可能であったX線変換効率を向上させることが可能となった。
【0011】
しかしながら、Euは熱による拡散が顕著であり、真空下における蒸気圧も高いために離散するなどにより母体中のEuの存在を遍在させる問題があり、目的とした高いX線変換効率を得ることが難しいため市場での実用化に至っていない。
【0012】
特にX線変換効率の点で優れている希土類元素の賦活においては真空下における蒸着膜形成に関しては蒸気圧特性より賦活剤の均一化が難しい問題であった。特に製造法においてはこれらの気相成長(堆積)により形成した輝尽性蛍光体層では輝尽性蛍光体層を作製する際に原料加熱、真空蒸着時の基板(支持体)加熱、膜形成後のアニール(基板歪み緩和)処理により加熱処理を多く施されるために賦活剤の存在状態が不均一となる問題がある。
【0013】
このため放射線像変換パネルとして市場から要求される輝度、鮮鋭性の改善、賦活剤の均一性についての改良が求められていた。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、賦活剤の均一性に優れ、且つ、高輝度、高鮮鋭性を示す放射線像変換パネル及び放射線像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は以下の構成により達成された。
【0016】
1.支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層が気相成長法により50μm〜1mmの膜厚を有するように形成され、該輝尽性蛍光体層のpH値Aが0<A<7の範囲であることを特徴とする放射線像変換パネル。
【0017】
2.少なくとも1層の輝尽性蛍光体層が、前記一般式(1)で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体層が気相成長法により50μm〜1mmの膜厚を有するように形成されていることを特徴とする前記1に記載の放射線像変換パネル。
【0018】
3.前記1又は2に記載の放射線像変換パネルを、蛍光体原料のpH値Bが0<B<7の範囲にある蛍光体原料を用いて製造することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【0019】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の放射線像変換パネルは、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層が気相成長法により50μm〜1mmの膜厚を有するように形成され、該輝尽性蛍光体層のpH値Aが0<A<7であることを特徴としており、該放射線像変換パネルをpH値Bが0<B<7である蛍光体原料(以下、蒸着源ともいう)を用い放射線像変換パネルを製造することを特徴としている。
【0020】
即ち、賦活剤を導入する蛍光体原料のpH値Bを0<B<7とすることで蒸着源結晶中のEuが2価で安定化し、蒸着中及び蒸着終了後の蒸着源輻射熱、蒸着終了後のアニール処理を経る蒸着膜形成プロセスでの接触酸化などの影響をなくすことが可能となり、蒸発時にBr化合物から発せられるガス雰囲気によってEuを2価に安定化させることができるものと推定される。
【0021】
また、蛍光体層(以下、蒸着膜ともいう)のpH値Aを0<A<7とすることで蒸着源中に存在する複塩、不純物の炭酸塩などを除去した蒸着膜を得ることができる。
【0022】
蒸着膜中に前記複塩、不純物として炭酸塩をなどを含む場合には蒸着後の熱処理時の雰囲気により局部的な発熱が発生し、熱膨張差により膜はがれやひび割れなどが発生し、特にアニール処理を施す場合に還元ガス(水素)を流した場合にこの現象が顕著に現れる。
【0023】
尚、pH測定は測定試料(蛍光体原料)をpH7.00の純水100gに5g溶解しマグネチックスターラーで攪拌溶解後5min静置後、硝子電極法にて測定した。
【0024】
蒸着膜のpHは蒸着膜を5g採取し、蛍光体原料と同様にしてpHを測定した。
【0025】
測定方法はJIS−Z−8802のpH測定法に準拠して測定した。また、測定に用いた装置は島津製作所(株)製ハンディpH計・WAT−1である。
【0026】
本発明は、希土類Euを蒸着膜中に導入したい量に対し1〜100倍を蛍光体原料中に含有させることが好ましい。
【0027】
賦活剤含有結晶を蒸着源として用い、蒸着源(蛍光体原料)中に賦活剤を含有させることは、賦活剤及び結晶の混合物に比べ、蒸着膜中のEuの均一性及び酸化防止の観点から好ましい。
【0028】
また、賦活剤の含有方法としては湿式法にて水溶液中で合成することが好ましい。
【0029】
次に、本発明に好ましく用いられる前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体について説明する。
【0030】
前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体において、MIは、Li、Na、K、Rb及びCs等の各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子を表し、中でもRb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくはCs原子である。
【0031】
2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNi等の各原子から選ばれる少なくとも1種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Be、Mg、Ca、Sr及びBa等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【0032】
3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びIn等の各原子から選ばれる少なくとも1種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはY、Ce、Sm、Eu、Al、La、Gd、Lu、Ga及びIn等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【0033】
AはEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1の金属原子である。
【0034】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、X、X′及びX″はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲンで原子を表すが、F、Cl及びBrから選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子が好ましく、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子が更に好ましい。
【0035】
前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。
【0036】
まず蛍光体原料として、以下の組成となるように炭酸塩に酸(HI、HBr、HCl、HF)を加え混合攪拌した後、中和点にて濾過を行い得られた後、ろ液の水分を蒸発気化させて以下の結晶を作製する。
【0037】
蛍光体原料としては、
(a)NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIから選ばれる少なくとも1種の化合物が用いられる。
【0038】
(b)MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCI2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaBr2・2H2O、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2の化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物が用いられる。
【0039】
(c)前記一般式(1)において、Eu、Tb、In、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMg等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【0040】
一般式(I)で表される化合物において、aは0≦a<0.5、好ましくは0≦a<0.01、bは0≦b<0.5、好ましくは0≦b≦10-2、eは0<e≦0.2、好ましくは0<e≦0.1である。
【0041】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記(a)〜(c)の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。
【0042】
この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合しても良い。次に、得られた水溶液のpH値Cを0<C<7に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【0043】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボ或いはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は500〜1000℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、0.5〜6時間が好ましい。
【0044】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【0045】
尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のままで冷却してもよい。また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【0046】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長法によって形成される。
輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。
【0047】
本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。
第1の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とする。
【0048】
次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。
【0049】
この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【0050】
また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【0051】
蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線像変換パネルが製造される。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。
【0052】
さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体(支持体、保護層又は中間層)を冷却あるいは加熱してもよい。
【0053】
また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じてO2、H2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。
【0054】
第2の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層又は中間層を有する支持体をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して1.333×10-1Pa程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。
【0055】
前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。
【0056】
第3の方法としてCVD法があり、又、第4の方法としてイオンプレーティング法がある。
【0057】
また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は0.05μm/分〜300μm/分であることが好ましい。成長速度が0.05μm/分未満の場合には本発明の放射線像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また成長速度が300μm/分を越える場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましくない。
【0058】
放射線像変換パネルを、前記の真空蒸着法、スパッタリイング法などにより得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線像変換パネルが得られ好ましい。
【0059】
前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から50μm〜1mmであり、好ましくは50〜300μmであり、更に好ましくは100〜300μmであり、特に好ましくは、150〜300μmである。
【0060】
上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、100℃以上に設定することが好ましく、更に好ましくは、150℃以上であり、特に好ましくは150〜400℃である。
【0061】
また、高鮮鋭性を示す放射線像変換パネルを得る観点から、本発明の輝尽性蛍光体層の反射率は20%以上であることが好ましく、より好ましくは30%以上であり、更に好ましくは40%以上である。尚、上限は100%である。
【0062】
又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよく、これにより補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。
【0063】
次に、本発明の輝尽性蛍光体層の形成を図1、図2を用いて説明する。
図1は、上記記載の気相成長法を用いて、支持体上に形成した柱状結晶を有する輝尽性蛍光体層の一例を示す概略断面図である。11は支持体、12が輝尽性蛍光体層、13が該輝尽性蛍光体層を構成する柱状結晶を示している。尚、14は柱状結晶間に形成された間隙を示している。
【0064】
図2は、支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示す図であるが、輝尽性蛍光体蒸気流16の支持体面の法線方向(R)に対する入射角度をθ2(図では60°で入射している)とすると、形成される柱状結晶の支持体面の法線方向(R)に対する角度はθ1(図では約30°、経験的には大体半分になる)で表され、この角度で柱状結晶が形成される。
【0065】
この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルより層厚を厚くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
【0066】
又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。
【0067】
高反射率の物質とは、輝尽励起光(500〜900nm、特に600〜800nm)に対する反射率の高い物質のことをいい、例えば、アルミニウム、マグネシウム、銀、インジウム、その他の金属等、白色顔料及び緑色〜赤色領域の色材を用いることができる。白色顔料は輝尽発光も反射することができる。
【0068】
白色顔料としては、例えば、TiO2(アナターゼ型、ルチル型)、MgO、PbCO3・Pb(OH)2、BaSO4、Al23、M(II)FX(但し、M(II)はBa、Sr及びCaの各原子から選ばれるの少なくとも一種の原子であり、XはCl原子又はBr原子である。)、CaCO3、ZnO、Sb23、SiO2、ZrO2、リトポン(BaSO4・ZnS)、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。
【0069】
これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線像変換パネルの感度を顕著に向上させることができる。
【0070】
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボンブラックは輝尽発光も吸収する。
【0071】
また、色材は、有機又は無機系色材のいずれでもよい。
有機系色材としては、例えば、ザボンファーストブルー3G(ヘキスト製)、エストロールブリルブルーN−3RL(住友化学製)、D&CブルーNo.1(ナショナルアニリン製)、スピリットブルー(保土谷化学製)、オイルブルーNo.603(オリエント製)、キトンブルーA(チバガイギー製)、アイゼンカチロンブルーGLH(保土ヶ谷化学製)、レイクブルーAFH(協和産業製)、プリモシアニン6GX(稲畑産業製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化学製)、シアンブルーBNRCS(東洋インク製)、ライオノイルブルーSL(東洋インク製)等が用いられる。
【0072】
また、カラーインデクスNo.24411、23160、74180、74200、22800、23154、23155、24401、14830、15050、15760、15707、17941、74220、13425、13361、13420、11836、74140、74380、74350、74460等の有機系金属錯塩色材もあげられる。
【0073】
無機系色材としては群青、例えば、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、TiO2−ZnO−Co−NiO系等の無機顔料があげられる。
【0074】
本発明の放射線像変換パネルに用いられる支持体としては各種のガラス、例えば、高分子材料、金属等が用いられるが、例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、或いはセルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。
【0075】
即ち、これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的で支持体の表面をマット面としてもよい。
【0076】
また、本発明においては、支持体と輝尽性蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて支持体の表面に予め接着層を設けてもよい。
【0077】
これら支持体の厚みは用いる支持体の材質等によって異なるが、一般的には80〜2000μmであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは80〜1000μmである。
【0078】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は保護層を有していても良い。
保護層は保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手段を取ってもよい。
【0079】
保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層としてもちいることもできる。
【0080】
また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、SiC、SiO2、SiN、Al23等の無機物質を積層して形成してもよい。
【0081】
これらの保護層の層厚は0.1〜2000μmが好ましい。
図3は、本発明の放射線像変換パネルの構成の一例を示す概略図である。
【0082】
図3において21は放射線発生装置、22は被写体、23は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネル、24は放射線像変換パネル23の放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起光源、25は放射線像変換パネル23より放出された輝尽発光を検出する光電変換装置、26は光電変換装置25で検出された光電変換信号を画像として再生する画像再生装置、27は再生された画像を表示する画像表示装置、28は輝尽励起光源24からの反射光をカットし、放射線像変換パネル23より放出された光のみを透過させるためのフィルタである。
【0083】
尚、図3は被写体の放射線透過像を得る場合の例であるが、被写体22自体が放射線を放射する場合には、前記放射線発生装置21は特に必要ない。
【0084】
また、光電変換装置25以降は放射線像変換パネル23からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、前記に限定されない。
【0085】
図3に示されるように、被写体22を放射線発生装置21と放射線像変換パネル23の間に配置し放射線Rを照射すると、放射線Rは被写体22の各部の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像RI(即ち、放射線の強弱の像)が放射線像変換パネル23に入射する。
【0086】
この入射した透過像RIは放射線像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによって輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した数の電子及び/又は正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体のトラップレベルに蓄積される。
【0087】
即ち、放射線透過像のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在化する。
【0088】
また、可視あるいは赤外領域の光を照射する輝尽励起光源24によって輝尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積された電子及び/又は正孔を追い出し、蓄積されたエネルギーを輝尽発光として放出させる。
【0089】
この放出された輝尽発光の強弱は蓄積された電子及び/又は正孔の数、すなわち放射線像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この光信号を、例えば、光電子増倍管等の光電変換装置25で電気信号に変換し、画像再生装置26によって画像として再生し、画像表示装置27によってこの画像を表示する。
【0090】
画像再生装置26は単に電気信号を画像信号として再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、画像の記憶、保存等が出来るものを使用するとより有効である。
【0091】
また、光エネルギーで励起する際、輝尽励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放出される発光を受光する光電変換器は一般に600nm以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったものが望ましい。
【0092】
本発明の輝尽性蛍光体の発光波長域は300〜500nmであり、一方輝尽励起波長域は500〜900nmであるので前記の条件を同時に満たすが、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射線像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で、且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザが好まれ、そのレーザ光の波長は680nmであることが好ましく、本発明の放射線像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、680nmの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すものである。
【0093】
即ち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれも500nm以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を高めることができる。
【0094】
輝尽励起光源24としては、放射線像変換パネル23に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、また輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率をあげることができ、より好ましい結果が得られる。
【0095】
レーザとしては、例えば、He−Neレーザ、He−Cdレーザ、Arイオンレーザ、Krイオンレーザ、N2レーザ、YAGレーザ及びその第2高調波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はHe−NeレーザやArイオンレーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル1画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。
【0096】
また、フィルタ28を用いずに特開昭59−22046号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好ましい。
【0097】
上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。
【0098】
フィルタ28としては放射線像変換パネル23から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカットするものであるから、これは放射線像変換パネル23に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起光源24の波長の組合わせによって決定される。
【0099】
例えば、輝尽励起波長が500〜900nmで輝尽発光波長が300〜500nmにあるような実用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては例えば東芝社製C−39、C−40、V−40、V−42、V−44、コーニング社製7−54、7−59、スペクトロフィルム社製BG−1、BG−3、BG−25、BG−37、BG−38等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置25としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。
【0100】
【実施例】
以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
【0101】
実施例1
《放射線像変換パネル試料1〜8の作製(表1中では試料1〜8と記載)》
表1に示した条件で、1mm厚の結晶化ガラス(日本電気ガラス社製)支持体の表面に図4に示した蒸着装置(但し、θ1=5度、θ2=5度に設定する)を用いて輝尽性蛍光体(CsBr:Eu)を有する輝尽性蛍光体層を形成した。
【0102】
図4に示した蒸着装置を使用し、アルミニウム製のスリットを用い、支持体とスリットとの距離dを60cmとして、支持体と平行な方向に支持体を搬送しながら蒸着を行ない、輝尽性蛍光体層の厚みが300μmになるように調整した。
【0103】
尚、蒸着にあたっては、前記支持体を蒸着器内に設置し、次いで、蛍光体原料(CsBr:Eu)を蒸着源としてプレス成形し水冷したルツボにいれた。
【0104】
その後、蒸着器内を一旦排気、N2ガスを導入し、0.133Paに真空度を調整した後、支持体の温度(基板温度ともいう)を約350℃に保持しながら、蒸着した。輝尽性蛍光体層の膜厚が300μmとなったところで蒸着を終了させ、次いで、この蛍光体層を温度400℃で加熱処理した。乾燥空気の雰囲気内で、支持体及び硼珪酸ガラスを有する保護層周縁部を接着剤で封入して、蛍光体層が密閉された構造の放射線像変換パネル試料1(比較例)を得た。
【0105】
放射線像変換パネル試料1(比較例)の作製において、表1に記載の条件にした以外は同様にして、放射線像変換パネル試料2〜8を各々作製した。
【0106】
得られた放射線像変換パネル試料1〜8について、下記のような評価を行った。
【0107】
《鮮鋭性評価》
各々作製した放射線像変換パネル試料の鮮鋭性は、変調伝達関数(MTF)を求めて評価した。
【0108】
MTFは、放射線像変換パネル試料にCTFチャートを貼付した後、放射線像変換パネル試料に80kVpのX線を10mR(被写体までの距離:1.5m)照射した後、100μmφの直径の半導体レーザ(680nm:パネル上でのパワー40mW)を用いてCTFチャート像を走査読み取りして求めた。表の値は、2.0lp/mmのMTF値を足し合わせた値で示す。得られた結果を表1に示す。
【0109】
《輝度、輝度分布の評価》
輝度はコニカ(株)製Regius350を用いて評価を行った。
【0110】
鮮鋭性評価と同様にX線をタングステン管球にて80kVp、10mAsで爆射線源とプレート間距離2mで照射した後、Regius350にプレートを設置して読みとった。得られたフォトマルからの電気信号を元に相対評価を行った。試料2の輝度1.0とし、後はその相対値で表した。
【0111】
撮影された面内のフォトマルからの電気信号分布を相対評価し、標準偏差を求め、それぞれ各試料の輝度分布(S.D)とした。値が小さい程、賦活剤の均一性に優れている。
【0112】
尚、蛍光体原料、蒸着膜のpHは前述の詳細な説明で述べた方法で測定した。
【0113】
【表1】

Figure 0003807347
【0114】
表1から明らかなように、本発明の試料が比較の試料に比して優れていることが分かる。
【0115】
【発明の効果】
実施例で実証した如く、本発明による放射線像変換パネル及び放射線像変換パネルの製造方法は、賦活剤の均一性に優れ、且つ、高輝度、高鮮鋭性にも優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】支持体上に形成した柱状結晶を有する輝尽性蛍光体層の一例を示す断面図である。
【図2】支持体上に輝尽性蛍光体層を蒸着法により形成される様子を示す図である。
【図3】本発明の放射線像変換パネルの構成の一例を示す概略図である。
【図4】蒸着により支持体上に輝尽性蛍光体層を作製する方法の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
11 支持体
12 輝尽性蛍光体層
13 柱状結晶
14 柱状結晶間に形成された間隙
15 支持体ホルダ
21 放射線発生装置
22 被写体
23 放射線像変換パネル
24 輝尽励起光源
25 光電変換装置
26 画像再生装置
27 画像表示装置
28 フィルタ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a radiation image conversion panel and a method for manufacturing a radiation image conversion panel.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, so-called radiography using a silver salt has been used to obtain a radiographic image, but a method for imaging a radiographic image without using a silver salt has been developed. That is, the radiation transmitted through the subject is absorbed by the phosphor, and then the phosphor is excited with a certain energy to emit the radiation energy accumulated in the phosphor as fluorescence, and this fluorescence is detected. A method for imaging is disclosed.
[0003]
As a specific method, a radiation image conversion method using a panel having a photostimulable phosphor layer on a support and using one or both of visible light and infrared light as excitation energy is known (US Patent No. 1). 3,859,527).
[0004]
As a radiation image conversion method using a stimulable phosphor with higher brightness and sensitivity, for example, BaFX: Eu described in JP-A-59-75200 and the like. 2+ Radiation image conversion method using system (X: Cl, Br, I) phosphor, Radiation image conversion method using alkali halide phosphor as described in JP-A-61-72087, etc., JP-A-61-73786 As described in JP-A-61-73787, Tl as a co-activator + And Ce 3+ , Sm 3+ , Eu 3+ , Y 3+ , Ag + , Mg 2+ , Pb 2+ , In 3+ Alkali halide phosphors containing these metals have been developed.
[0005]
In recent years, there has been a demand for a radiation image conversion panel with higher sharpness in analysis of diagnostic images. As means for improving the sharpness, for example, attempts have been made to improve the sensitivity and sharpness by controlling the shape of the photostimulable phosphor to be formed.
[0006]
As one of these attempts, for example, it is composed of a fine pseudo-columnar block formed by depositing a photostimulable phosphor on a support having a fine concavo-convex pattern described in, for example, JP-A No. 61-142497. There is a method using a stimulable phosphor layer.
[0007]
Further, as described in JP-A-61-142500, a crack between columnar blocks obtained by depositing a photostimulable phosphor on a support having a fine pattern was further developed by applying a shock treatment. A method of using a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer, and further a crack from the surface side of a photostimulable phosphor layer formed on a support described in JP-A-62-39737. And a stimulable phosphor layer having a cavity formed by vapor deposition on a support, as described in JP-A-62-110200. There has also been proposed a method in which a cavity is grown by heat treatment and a crack is formed after the formation.
[0008]
Further, JP-A-2-58000 discloses a radiation having a stimulable phosphor layer in which elongated columnar crystals having a certain inclination with respect to the normal direction of the support are formed on the support by vapor deposition. An image conversion panel is described.
[0009]
In any of the methods for controlling the shape of the photostimulable phosphor layer, the stimulable phosphor layer is formed into a columnar shape, thereby suppressing the lateral diffusion of the photostimulated excitation light or the photostimulated luminescence (crack ( The columnar crystal) can reach the support surface while repeating reflection at the interface), and is therefore characterized in that the sharpness of the image due to stimulated emission can be remarkably increased.
[0010]
Recently, a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor in which Eu is activated with an alkali halide such as CsBr as a base has been proposed, and in particular, X-ray conversion efficiency that has been impossible in the past by using Eu as an activator. It became possible to improve.
[0011]
However, Eu has a remarkable diffusion due to heat, and since there is a high vapor pressure under vacuum, there is a problem of ubiquitous existence of Eu in the matrix, and the intended high X-ray conversion efficiency can be obtained. However, it has not been put to practical use in the market.
[0012]
In particular, in the activation of rare earth elements that are excellent in terms of X-ray conversion efficiency, it has been difficult to make the activator uniform due to vapor pressure characteristics in the formation of a deposited film under vacuum. In particular, in the manufacturing method, in the stimulable phosphor layer formed by vapor phase growth (deposition), the raw material is heated when the stimulable phosphor layer is produced, the substrate (support) is heated during vacuum deposition, and the film is formed. There is a problem that the presence state of the activator becomes non-uniform because a large amount of heat treatment is performed by a later annealing (substrate strain relaxation) treatment.
[0013]
For this reason, the brightness | luminance requested | required as a radiation image conversion panel, the improvement of sharpness, and the improvement about the uniformity of an activator were calculated | required.
[0014]
[Problems to be solved by the invention]
Therefore, the objective of this invention is providing the manufacturing method of the radiation image conversion panel which is excellent in the uniformity of an activator, and shows high brightness | luminance and high sharpness, and a radiation image conversion panel.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
The above object of the present invention has been achieved by the following constitution.
[0016]
1. In a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer on a support, at least one photostimulable phosphor layer is formed to have a film thickness of 50 μm to 1 mm by vapor deposition, A radiation image conversion panel, wherein the pH value A of the fluorescent phosphor layer is in the range of 0 <A <7.
[0017]
2. At least one photostimulable phosphor layer contains a photostimulable phosphor based on an alkali halide represented by the general formula (1), and the photostimulable phosphor layer is formed by vapor phase growth. 2. The radiation image conversion panel according to 1 above, wherein the radiation image conversion panel is formed to have a film thickness of 50 μm to 1 mm.
[0018]
3. 3. The method for producing a radiation image conversion panel according to 1 or 2, wherein the radiation image conversion panel according to 1 or 2 is produced using a phosphor material having a pH value B of the phosphor material in a range of 0 <B <7. .
[0019]
Hereinafter, the present invention will be described in more detail.
The radiation image conversion panel of the present invention is formed so that at least one stimulable phosphor layer has a film thickness of 50 μm to 1 mm by a vapor phase growth method, and the pH value A of the stimulable phosphor layer is The radiation image conversion panel is manufactured using a phosphor material (hereinafter, also referred to as an evaporation source) having a pH value B of 0 <B <7. It is characterized by that.
[0020]
In other words, by setting the pH value B of the phosphor raw material into which the activator is introduced to 0 <B <7, Eu in the vapor deposition source crystal is stabilized to be bivalent, and the vapor deposition source radiant heat during the vapor deposition and after the vapor deposition is completed. It is possible to eliminate the influence of contact oxidation or the like in the deposited film formation process that undergoes the subsequent annealing treatment, and it is estimated that Eu can be stabilized to a divalent state by the gas atmosphere generated from the Br compound during evaporation. .
[0021]
Further, by setting the pH value A of the phosphor layer (hereinafter also referred to as a vapor deposition film) to 0 <A <7, it is possible to obtain a vapor deposition film from which double salts and carbonates of impurities existing in the vapor deposition source are removed. it can.
[0022]
When the above-mentioned double salt and carbonate as an impurity are contained in the deposited film, local heat generation occurs due to the atmosphere during the heat treatment after the deposition, and the film is peeled off or cracked due to the difference in thermal expansion. This phenomenon appears remarkably when reducing gas (hydrogen) is flowed in the treatment.
[0023]
The pH was measured by dissolving 5 g of a measurement sample (phosphor raw material) in 100 g of pure water having a pH of 7.00, stirring and dissolving with a magnetic stirrer, and allowing to stand for 5 minutes, and then measuring by a glass electrode method.
[0024]
The pH of the deposited film was 5 g of the deposited film, and the pH was measured in the same manner as the phosphor material.
[0025]
The measuring method was measured according to the pH measuring method of JIS-Z-8802. Moreover, the apparatus used for the measurement is Shimadzu Corporation handy pH meter WAT-1.
[0026]
In the present invention, it is preferable that 1 to 100 times the amount of rare earth Eu to be introduced into the deposited film is contained in the phosphor material.
[0027]
Using an activator-containing crystal as a vapor deposition source and including the activator in the vapor deposition source (phosphor raw material) is more preferable than a mixture of the activator and the crystal from the viewpoint of uniformity of Eu in the vapor deposition film and oxidation prevention. preferable.
[0028]
Moreover, as an activator containing method, it is preferable to synthesize | combine in aqueous solution with a wet method.
[0029]
Next, the stimulable phosphor represented by the general formula (1) preferably used in the present invention will be described.
[0030]
In the photostimulable phosphor represented by the general formula (1), M I Represents at least one alkali metal atom selected from each atom such as Li, Na, K, Rb and Cs, among which at least one alkaline earth metal atom selected from each atom of Rb and Cs is preferable. More preferred is a Cs atom.
[0031]
M 2 Represents at least one divalent metal atom selected from atoms such as Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu, and Ni. Among them, Be, Mg, Ca are preferably used. , A divalent metal atom selected from each atom such as Sr and Ba.
[0032]
M Three Is at least one selected from each atom such as Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In Among these, trivalent metal atoms selected from each atom such as Y, Ce, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga, and In are preferably used.
[0033]
A is at least one selected from Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. It is a metal atom.
[0034]
From the viewpoint of improving the photostimulable emission brightness of the photostimulable phosphor, X, X ′ and X ″ each represents an atom with at least one halogen selected from F, Cl, Br and I atoms. And at least one halogen atom selected from Br and I, and more preferably at least one halogen atom selected from Br and I atoms.
[0035]
The photostimulable phosphor represented by the general formula (1) is produced, for example, by the production method described below.
[0036]
First, as a phosphor material, an acid (HI, HBr, HCl, HF) is added to a carbonate so as to have the following composition, mixed and stirred, and then filtered at a neutralization point. Is evaporated to produce the following crystals.
[0037]
As a phosphor material,
(A) At least one compound selected from NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr and CsI is used.
[0038]
(B) MgF 2 MgCl 2 , MgBr 2 , MgI 2 , CaF 2 , CaCl 2 , CaBr 2 , CaI 2 , SrF 2 , SrCI 2 , SrBr 2 , SrI 2 , BaF 2 , BaCl 2 , BaBr 2 , BaBr 2 ・ 2H 2 O, BaI 2 ZnF 2 ZnCl 2 ZnBr 2 , ZnI 2 , CdF 2 , CdCl 2 , CdBr 2 , CdI 2 , CuF 2 CuCl 2 , CuBr 2 , CuI, NiF 2 NiCl 2 , NiBr 2 And NiI 2 At least one compound selected from these compounds is used.
[0039]
(C) In the general formula (1), Eu, Tb, In, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu And a compound having a metal atom selected from each atom such as Mg.
[0040]
In the compound represented by the general formula (I), a is 0 ≦ a <0.5, preferably 0 ≦ a <0.01, b is 0 ≦ b <0.5, preferably 0 ≦ b ≦ 10. -2 , E is 0 <e ≦ 0.2, preferably 0 <e ≦ 0.1.
[0041]
The phosphor materials (a) to (c) are weighed so as to have a mixed composition in the above numerical range, and dissolved in pure water.
[0042]
At this time, the mixture may be sufficiently mixed using a mortar, ball mill, mixer mill or the like. Next, a predetermined acid is added so that the pH value C of the obtained aqueous solution is adjusted to 0 <C <7, and then water is evaporated.
[0043]
Next, the obtained raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace. The firing temperature is preferably 500 to 1000 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature and the like, but is preferably 0.5 to 6 hours.
[0044]
The firing atmosphere includes a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide gas atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere and an argon gas atmosphere, or a small amount of oxygen gas. A weak oxidizing atmosphere is preferred.
[0045]
After firing once under the above firing conditions, the fired product is taken out from the electric furnace and pulverized, and then the fired product powder is again filled in a heat-resistant container and placed in the electric furnace, and again under the same firing conditions as described above. If the calcination is performed, the emission luminance of the phosphor can be further increased. When the baked product is cooled to the room temperature from the calcination temperature, the desired fluorescence can also be obtained by removing the baked product from the electric furnace and allowing it to cool in air. The body can be obtained, but it may be cooled in the same weakly reducing atmosphere or neutral atmosphere as at the time of firing. In addition, by moving the fired product from the heating unit to the cooling unit in an electric furnace and quenching in a weak reducing atmosphere, neutral atmosphere or weak oxidizing atmosphere, the emission luminance due to the phosphor phosphors obtained can be increased. It can be further increased.
[0046]
Further, the photostimulable phosphor layer of the present invention is formed by a vapor phase growth method.
Vapor deposition methods, sputtering methods, CVD methods, ion plating methods, and others can be used as the vapor phase growth method of the photostimulable phosphor.
[0047]
In the present invention, for example, the following methods can be mentioned.
In the first vapor deposition method, first, a support is placed in a vapor deposition apparatus, and then the interior of the apparatus is evacuated to 1.333 × 10 6. -Four The degree of vacuum is about Pa.
[0048]
Next, at least one of the photostimulable phosphors is heated and evaporated by a resistance heating method, an electron beam method, or the like to grow the photostimulable phosphor on the surface of the support to a desired thickness.
[0049]
As a result, a photostimulable phosphor layer containing no binder is formed, but it is also possible to form the photostimulable phosphor layer in a plurality of times in the vapor deposition step.
[0050]
In the vapor deposition step, it is possible to co-evaporate using a plurality of resistance heaters or electron beams to synthesize the desired photostimulable phosphor on the support and simultaneously form the photostimulable phosphor layer. is there.
[0051]
After the vapor deposition is completed, the radiation image conversion panel of the present invention is manufactured by providing a protective layer on the side opposite to the support side of the photostimulable phosphor layer as necessary. In addition, after forming a photostimulable phosphor layer on a protective layer, a procedure for providing a support may be taken.
[0052]
Furthermore, in the vapor deposition method, the vapor deposition target (support, protective layer or intermediate layer) may be cooled or heated as necessary during vapor deposition.
[0053]
Further, the stimulable phosphor layer may be heat-treated after the vapor deposition. In the vapor deposition method, O as necessary. 2 , H 2 Reactive vapor deposition may be performed in which gas such as gas is introduced for vapor deposition.
[0054]
In the sputtering method as the second method, like the vapor deposition method, a support having a protective layer or an intermediate layer is placed in the sputtering apparatus, and then the inside of the apparatus is evacuated to 1.333 × 10 6. -Four The degree of vacuum was set to about Pa, and then an inert gas such as Ar or Ne was introduced into the sputtering apparatus as a sputtering gas to obtain 1.333 × 10 6. -1 The gas pressure is about Pa. Next, a stimulable phosphor layer is grown on the support to a desired thickness by sputtering using the stimulable phosphor as a target.
[0055]
Various applied treatments can be used in the sputtering step as in the vapor deposition method.
[0056]
The third method is a CVD method, and the fourth method is an ion plating method.
[0057]
The growth rate of the stimulable phosphor layer in the vapor phase growth is preferably 0.05 μm / min to 300 μm / min. When the growth rate is less than 0.05 μm / min, the productivity of the radiation image conversion panel of the present invention is unfavorable. If the growth rate exceeds 300 μm / min, it is difficult to control the growth rate.
[0058]
When the radiation image conversion panel is obtained by the above-described vacuum deposition method, sputtering method, etc., since there is no binder, the packing density of the stimulable phosphor can be increased, and radiation that is preferable in terms of sensitivity and resolution. An image conversion panel is preferably obtained.
[0059]
The film thickness of the photostimulable phosphor layer varies depending on the intended use of the radiation image conversion panel and the type of stimulable phosphor, but is 50 μm to 1 mm, preferably 50 from the viewpoint of obtaining the effects of the present invention. It is -300 micrometers, More preferably, it is 100-300 micrometers, Most preferably, it is 150-300 micrometers.
[0060]
In producing the photostimulable phosphor layer by the vapor phase growth method described above, the temperature of the support on which the photostimulable phosphor layer is formed is preferably set to 100 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher. Especially preferably, it is 150-400 degreeC.
[0061]
Further, from the viewpoint of obtaining a radiation image conversion panel exhibiting high sharpness, the reflectance of the stimulable phosphor layer of the present invention is preferably 20% or more, more preferably 30% or more, and still more preferably. 40% or more. The upper limit is 100%.
[0062]
In addition, the gap between the columnar crystals may be filled with a filler or the like, and in addition to reinforcing the stimulable phosphor layer, it may be filled with a high light absorption substance, a high light reflectance substance, or the like. In addition to providing a reinforcing effect, this is effective in reducing the lateral light diffusion of the stimulated excitation light incident on the stimulable phosphor layer.
[0063]
Next, formation of the photostimulable phosphor layer of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a photostimulable phosphor layer having columnar crystals formed on a support using the vapor phase growth method described above. Reference numeral 11 denotes a support, 12 denotes a stimulable phosphor layer, and 13 denotes a columnar crystal constituting the stimulable phosphor layer. Reference numeral 14 denotes a gap formed between the columnar crystals.
[0064]
FIG. 2 is a diagram showing a state in which a photostimulable phosphor layer is formed on the support by vapor deposition. The incident angle of the photostimulable phosphor vapor flow 16 with respect to the normal direction (R) of the support surface is shown. θ 2 (In the figure, it is incident at 60 °), the angle of the formed columnar crystal with respect to the normal direction (R) of the support surface is θ 1 (In the figure, it is approximately 30 °, and empirically, it is approximately half), and columnar crystals are formed at this angle.
[0065]
Since the photostimulable phosphor layer formed on the support in this manner does not contain a binder, it has excellent directivity, high directivity of stimulated excitation light and stimulated emission, and high brightness. The layer thickness can be made thicker than that of a radiation image conversion panel having a dispersive stimulable phosphor layer in which a stimulable phosphor is dispersed in a binder. Furthermore, the sharpness of the image is improved by reducing the scattering of the stimulating light in the stimulable phosphor layer.
[0066]
In addition, the gap between the columnar crystals may be filled with a filler or the like, and in addition to reinforcing the stimulable phosphor layer, it may be filled with a high light absorption substance, a high light reflectance substance, or the like. Thus, in addition to providing the above-mentioned reinforcing effect, it is effective for reducing the light diffusion in the lateral direction of the stimulated excitation light incident on the stimulable phosphor layer.
[0067]
A highly reflective substance refers to a substance having a high reflectivity with respect to stimulated excitation light (500 to 900 nm, particularly 600 to 800 nm). For example, white pigments such as aluminum, magnesium, silver, indium, and other metals In addition, a color material in the green to red region can be used. White pigments can also reflect stimulated emission.
[0068]
As a white pigment, for example, TiO 2 (Anatase type, rutile type), MgO, PbCO Three ・ Pb (OH) 2 , BaSO Four , Al 2 O Three , M (II) FX (where M (II) is at least one atom selected from Ba, Sr and Ca atoms, and X is a Cl atom or a Br atom), CaCO Three , ZnO, Sb 2 O Three , SiO 2 , ZrO 2 , Lithopone (BaSO Four ZnS), magnesium silicate, basic silicate, basic lead phosphate, aluminum silicate and the like.
[0069]
Since these white pigments have a strong hiding power and a high refractive index, they can easily scatter photostimulated luminescence by reflecting or refracting light, thereby significantly improving the sensitivity of the resulting radiation image conversion panel. it can.
[0070]
In addition, as a material having a high light absorption rate, for example, carbon black, chromium oxide, nickel oxide, iron oxide, and the like and a blue color material are used. Among these, carbon black absorbs stimulated light emission.
[0071]
The color material may be either an organic or inorganic color material.
Examples of organic colorants include Zavon First Blue 3G (Hoechst), Estrol Brill Blue N-3RL (Sumitomo Chemical), D & C Blue No. 1 (made by National Aniline), Spirit Blue (made by Hodogaya Chemical), Oil Blue No. 1 603 (made by Orient), Kitten Blue A (made by Ciba Geigy), Eisen Katyron Blue GLH (made by Hodogaya Chemical), Lake Blue AFH (made by Kyowa Sangyo), Primocyanin 6GX (made by Inabata Sangyo), Brill Acid Green 6BH (Hodogaya) Chemical Blue), Cyan Blue BNRCS (Toyo Ink), Lionoyl Blue SL (Toyo Ink), etc. are used.
[0072]
In addition, the color index No. 24411, 23160, 74180, 74200, 22800, 23154, 23155, 24401, 14830, 15050, 15760, 15707, 17941, 74220, 13425, 13361, 13420, 11836, 74140, 74380, 74350, 74460, etc. There are also materials.
[0073]
As an inorganic color material, ultramarine blue, for example, cobalt blue, cerulean blue, chromium oxide, TiO 2 Examples include inorganic pigments such as -ZnO-Co-NiO.
[0074]
As the support used in the radiation image conversion panel of the present invention, various types of glass such as polymer materials and metals are used. For example, plate glass such as quartz, borosilicate glass and chemically tempered glass, or cellulose acetate. A metal sheet such as a film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyamide film, a polyimide film, a triacetate film, a polycarbonate film, a metal sheet such as an aluminum sheet, an iron sheet, or a copper sheet, or a metal sheet having a coating layer of the metal oxide. preferable.
[0075]
That is, the surface of the support may be a smooth surface, or the surface of the support may be a matte surface for the purpose of improving the adhesion to the stimulable phosphor layer.
[0076]
Moreover, in this invention, in order to improve the adhesiveness of a support body and a photostimulable phosphor layer, you may provide an adhesive layer in advance on the surface of a support body as needed.
[0077]
The thickness of the support varies depending on the material of the support used, but is generally 80 to 2000 μm, and more preferably 80 to 1000 μm from the viewpoint of handling.
[0078]
Moreover, the photostimulable phosphor layer of the present invention may have a protective layer.
The protective layer may be formed by directly applying a protective layer coating solution on the photostimulable phosphor layer, or a protective layer separately formed in advance may be adhered on the photostimulable phosphor layer. Alternatively, a means for forming a stimulable phosphor layer on a separately formed protective layer may be taken.
[0079]
Materials for the protective layer include cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride, nylon, polytetrafluoroethylene, polytrifluoride-chloride. Usual protective layer materials such as ethylene, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer are used. In addition, a transparent glass substrate can be used as a protective layer.
[0080]
In addition, this protective layer is made of SiC, SiO, etc. by vapor deposition or sputtering. 2 , SiN, Al 2 O Three Alternatively, an inorganic substance such as the above may be laminated.
[0081]
The thickness of these protective layers is preferably 0.1 to 2000 μm.
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the radiation image conversion panel of the present invention.
[0082]
In FIG. 3, 21 is a radiation generator, 22 is a subject, 23 is a radiation image conversion panel having a visible or infrared photostimulable phosphor layer containing a stimulable phosphor, and 24 is a radiation of the radiation image conversion panel 23. A stimulated excitation light source for emitting a latent image as stimulated emission, 25 is a photoelectric conversion device for detecting the stimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 23, and 26 is a photoelectric conversion signal detected by the photoelectric conversion device 25. 27 is an image display device that displays the reconstructed image, and 28 is a device that cuts off the reflected light from the stimulating excitation light source 24 and transmits only the light emitted from the radiation image conversion panel 23. It is a filter to make it.
[0083]
FIG. 3 shows an example of obtaining a radiation transmission image of a subject. However, when the subject 22 itself emits radiation, the radiation generator 21 is not particularly necessary.
[0084]
The photoelectric conversion device 25 and the subsequent devices are not limited to the above as long as the optical information from the radiation image conversion panel 23 can be reproduced as an image in some form.
[0085]
As shown in FIG. 3, when the subject 22 is placed between the radiation generator 21 and the radiation image conversion panel 23 and irradiated with the radiation R, the radiation R is transmitted according to the change in the radiation transmittance of each part of the subject 22. The transmission image RI (that is, an image of the intensity of radiation) enters the radiation image conversion panel 23.
[0086]
The incident transmission image RI is absorbed by the photostimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23, so that a number of electrons and / or holes proportional to the amount of radiation absorbed in the photostimulable phosphor layer are generated. Occurs and accumulates at the trap level of the photostimulable phosphor.
[0087]
That is, a latent image in which the energy of the radiation transmission image is accumulated is formed. Next, this latent image is made visible by being excited with light energy.
[0088]
In addition, the stimulable phosphor layer is irradiated with light in the visible or infrared region and the photostimulable phosphor layer is irradiated to expel electrons and / or holes accumulated at the trap level, and the accumulated energy is stimulated. Release as luminescence.
[0089]
The intensity of the emitted stimulated emission is proportional to the number of accumulated electrons and / or holes, that is, the intensity of the radiation energy absorbed in the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23. The optical signal is converted into an electrical signal by a photoelectric conversion device 25 such as a photomultiplier tube, and is reproduced as an image by an image reproduction device 26, and this image is displayed by an image display device 27.
[0090]
The image reproducing device 26 is more effective not only for reproducing an electrical signal as an image signal but also using what can perform so-called image processing, image calculation, image storage, storage, and the like.
[0091]
In addition, when excited by light energy, it is necessary to separate the reflected light of the stimulated excitation light from the stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer, and it is emitted from the stimulable phosphor layer. Photoelectric converters that receive light emission generally have high sensitivity to light energy with a short wavelength of 600 nm or less, so that the stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer has a spectral distribution in the short wavelength region as much as possible. What you have is desirable.
[0092]
The emission wavelength range of the photostimulable phosphor of the present invention is 300 to 500 nm, while the photostimulable excitation wavelength range is 500 to 900 nm, which satisfies the above-mentioned conditions at the same time. Recently, downsizing of diagnostic devices has progressed. A semiconductor laser that has a high output and is easy to be compacted is preferable for the excitation wavelength used for image reading of the radiation image conversion panel. The wavelength of the laser light is preferably 680 nm. The stimulable phosphor incorporated in the panel exhibits very good sharpness when using an excitation wavelength of 680 nm.
[0093]
That is, all of the photostimulable phosphors of the present invention emit light having a main peak at 500 nm or less, the photostimulated excitation light is easily separated, and coincides well with the spectral sensitivity of the light receiver, so that light can be received efficiently. The sensitivity of the image receiving system can be increased.
[0094]
As the stimulated excitation light source 24, a light source including the stimulated excitation wavelength of the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel 23 is used. In particular, when laser light is used, the optical system is simplified, and the intensity of the stimulated excitation light can be increased, so that the stimulated emission efficiency can be increased, and a more preferable result can be obtained.
[0095]
Examples of lasers include He—Ne laser, He—Cd laser, Ar ion laser, Kr ion laser, N 2 There are lasers, YAG lasers and second harmonics thereof, ruby lasers, semiconductor lasers, various dye lasers, metal vapor lasers such as copper vapor lasers, and the like. Normally, a continuous wave laser such as a He—Ne laser or an Ar ion laser is desirable, but a pulsed laser can also be used if the scanning time and pulse of one pixel of the panel are synchronized.
[0096]
Further, when using a method of separating light emission using a delay of light emission as shown in Japanese Patent Laid-Open No. 59-22046 without using the filter 28, a pulsed laser is used rather than modulation using a continuous wave laser. It is preferable to use it.
[0097]
Among the various laser light sources described above, the semiconductor laser is particularly preferably used because it is small and inexpensive and does not require a modulator.
[0098]
Since the filter 28 transmits the stimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 23 and cuts the stimulated excitation light, this is the excitation of the stimulable phosphor contained in the radiation image conversion panel 23. It is determined by the combination of the emission wavelength and the wavelength of the stimulated excitation light source 24.
[0099]
For example, in the case of a practically preferable combination in which the photostimulation excitation wavelength is 500 to 900 nm and the photostimulation emission wavelength is 300 to 500 nm, examples of the filter include C-39, C-40, V-40, manufactured by Toshiba Corporation. Purple-blue glass filters such as V-42, V-44, Corning 7-54, 7-59, Spectrofilm BG-1, BG-3, BG-25, BG-37, BG-38, etc. Can be used. If an interference filter is used, a filter having an arbitrary characteristic can be selected and used to some extent. The photoelectric conversion device 25 may be any device capable of converting a change in light quantity into a change in electronic signal, such as a photoelectric tube, a photomultiplier tube, a photodiode, a phototransistor, a solar cell, or a photoconductive element.
[0100]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated concretely, the embodiment of this invention is not limited to these.
[0101]
Example 1
<< Preparation of Radiation Image Conversion Panel Samples 1-8 (in Table 1, described as Samples 1-8) >>
Under the conditions shown in Table 1, the deposition apparatus shown in FIG. 4 (provided that θ1 = 5 degrees and θ2 = 5 degrees) is provided on the surface of a 1 mm thick crystallized glass (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) support. A stimulable phosphor layer having a stimulable phosphor (CsBr: Eu) was used.
[0102]
Using the vapor deposition apparatus shown in FIG. 4, using an aluminum slit, setting the distance d between the support and the slit to 60 cm, vapor deposition is carried out while transporting the support in a direction parallel to the support, and the photostimulability The thickness of the phosphor layer was adjusted to be 300 μm.
[0103]
In the vapor deposition, the support was placed in a vapor deposition device, and then, the phosphor raw material (CsBr: Eu) was pressed using a vapor deposition source and placed in a water-cooled crucible.
[0104]
Thereafter, the inside of the vapor deposition device is once exhausted, 2 After introducing gas and adjusting the degree of vacuum to 0.133 Pa, vapor deposition was performed while maintaining the temperature of the support (also referred to as substrate temperature) at about 350 ° C. Deposition was terminated when the thickness of the photostimulable phosphor layer reached 300 μm, and then this phosphor layer was heat-treated at a temperature of 400 ° C. In a dry air atmosphere, the periphery of the protective layer having a support and borosilicate glass was sealed with an adhesive to obtain a radiation image conversion panel sample 1 (comparative example) having a structure in which the phosphor layer was sealed.
[0105]
In production of the radiation image conversion panel sample 1 (comparative example), radiation image conversion panel samples 2 to 8 were produced in the same manner except that the conditions described in Table 1 were used.
[0106]
The obtained radiation image conversion panel samples 1 to 8 were evaluated as follows.
[0107]
《Evaluation of sharpness》
The sharpness of each prepared radiation image conversion panel sample was evaluated by obtaining a modulation transfer function (MTF).
[0108]
In the MTF, after attaching a CTF chart to the radiation image conversion panel sample, the radiation image conversion panel sample is irradiated with 80 kVp X-rays at a distance of 10 mR (distance to the subject: 1.5 m), and then a semiconductor laser having a diameter of 100 μmφ (680 nm). : Scanning and reading of CTF chart image using panel power of 40 mW). The values in the table are shown as values obtained by adding MTF values of 2.0 lp / mm. The obtained results are shown in Table 1.
[0109]
<Evaluation of luminance and luminance distribution>
The luminance was evaluated using a Regius 350 manufactured by Konica Corporation.
[0110]
As in the sharpness evaluation, X-rays were irradiated with a tungsten tube at 80 kVp and 10 mAs at a distance of 2 m between the bombardment source and the plate, and a plate was set on the Regius 350 and read. Relative evaluation was performed based on the electrical signal from the obtained photomultiplier. The luminance of Sample 2 was set to 1.0, and the subsequent values were expressed as relative values.
[0111]
The electrical signal distribution from the photomultiplier in the photographed surface was relatively evaluated, the standard deviation was obtained, and the luminance distribution (SD) of each sample was obtained. The smaller the value, the better the uniformity of the activator.
[0112]
The pH of the phosphor material and the deposited film was measured by the method described in the above detailed description.
[0113]
[Table 1]
Figure 0003807347
[0114]
As can be seen from Table 1, the sample of the present invention is superior to the comparative sample.
[0115]
【The invention's effect】
As demonstrated in the examples, the radiation image conversion panel and the method for producing the radiation image conversion panel according to the present invention have excellent uniformity of the activator, and also have excellent effects of high brightness and high sharpness.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a photostimulable phosphor layer having columnar crystals formed on a support.
FIG. 2 is a view showing a state in which a photostimulable phosphor layer is formed on a support by a vapor deposition method.
FIG. 3 is a schematic view showing an example of the configuration of the radiation image conversion panel of the present invention.
FIG. 4 is a schematic view showing an example of a method for producing a photostimulable phosphor layer on a support by vapor deposition.
[Explanation of symbols]
11 Support
12 photostimulable phosphor layer
13 Columnar crystals
14 Gaps formed between columnar crystals
15 Support holder
21 Radiation generator
22 Subject
23 Radiation image conversion panel
24 Excited light source
25 Photoelectric conversion device
26 Image playback device
27 Image display device
28 Filter

Claims (3)

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層が気相成長法(気相堆積法ともいう)により50μm〜1mmの膜厚を有するように形成され、該輝尽性蛍光体層のpH値Aが0<A<7の範囲であることを特徴とする放射線像変換パネル。In a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer on a support, at least one photostimulable phosphor layer has a thickness of 50 μm to 1 mm by vapor deposition (also referred to as vapor deposition). A radiation image conversion panel, wherein the stimulable phosphor layer has a pH value A in a range of 0 <A <7. 少なくとも1層の輝尽性蛍光体層が、下記一般式(1)で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体層が気相成長法により50μm〜1mmの膜厚を有するように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の放射線像変換パネル。
一般式(1)
1X・aM2X′2・bM3X″3:eA
〔式中、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInの各原子から選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であり、X、X′、X″はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、AはEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子であり、また、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を表す。〕
At least one photostimulable phosphor layer contains a photostimulable phosphor based on an alkali halide represented by the following general formula (1), and the photostimulable phosphor layer is a vapor phase growth method. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the radiation image conversion panel is formed to have a film thickness of 50 μm to 1 mm.
General formula (1)
M 1 X · aM 2 X ′ 2 · bM 3 X ″ 3 : eA
[Wherein, M 1 is at least one alkali metal atom selected from Li, Na, K, Rb and Cs atoms, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu. And at least one divalent metal atom selected from each atom of Ni, and M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, At least one trivalent metal atom selected from each atom of Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, and X, X ′ and X ″ are at least selected from each atom of F, Cl, Br and I 1 type of halogen atom, A is Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg. At least one metal atom selected from each atom, and a, b, e each represent a number between 0 ≦ a <0.5,0 ≦ b <0.5,0 <e ≦ 0.2.]
請求項1又は2に記載の放射線像変換パネルを、蛍光体原料のpH値Bが0<B<7の範囲にある蛍光体原料を用いて製造することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。A radiation image conversion panel according to claim 1 or 2, wherein the radiation image conversion panel is manufactured using a phosphor material having a pH value B of the phosphor material in a range of 0 <B <7. Method.
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