JP2003270395A - Radiogram conversion panel - Google Patents

Radiogram conversion panel

Info

Publication number
JP2003270395A
JP2003270395A JP2002066693A JP2002066693A JP2003270395A JP 2003270395 A JP2003270395 A JP 2003270395A JP 2002066693 A JP2002066693 A JP 2002066693A JP 2002066693 A JP2002066693 A JP 2002066693A JP 2003270395 A JP2003270395 A JP 2003270395A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation image
conversion panel
image conversion
stimulable phosphor
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002066693A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Morikawa
修 森川
Satoru Honda
哲 本田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2002066693A priority Critical patent/JP2003270395A/en
Publication of JP2003270395A publication Critical patent/JP2003270395A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiogram conversion panel having excellent rigidity, capable of preventing decline of phosphor brightness and preventing generation of horizontal stripes caused by vibration at the image reading time. <P>SOLUTION: This radiogram conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support is characterized by providing an alkali dissolution prevention layer between the support and the stimulable phosphor layer, and using a glass support as the support. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は放射線画像変換パネ
ルに関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a radiation image conversion panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、輝尽性蛍光体を利用した放射線画
像変換パネルにより放射線像を画像化する方法が用いら
れるようになってきた。
2. Description of the Related Art In recent years, a method of forming a radiation image by a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor has been used.

【0003】これは、例えば、米国特許第3,859,
527号及び特開昭55−12144号等に開示された
様に支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変
換パネルを使用するものである。この放射線画像変換パ
ネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当て
て、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネル
ギーを輝尽性蛍光体層に蓄積させて潜像(蓄積像)を形
成し、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光(レーザー光が
用いられる)で走査することによって各部に蓄積された
放射線エネルギーを放射させて光に変換し、この光の強
弱を読みとって画像を得る。この画像はCRT等各種の
ディスプレイ上に再生してもよいし、又ハードコピーと
して再生してもよい。
This is described, for example, in US Pat. No. 3,859,
A radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer formed on a support as disclosed in JP-A No. 527 and JP-A-55-12144 is used. Radiation that has passed through the subject is applied to the stimulable phosphor layer of this radiation image conversion panel, and radiation energy corresponding to the radiation transmittance of each part of the subject is accumulated in the stimulable phosphor layer to form a latent image (accumulated image). By scanning the photostimulable phosphor layer with photostimulable excitation light (laser light is used), the radiation energy accumulated in each part is emitted and converted into light, and the intensity of this light is read. And get the image. This image may be reproduced on various displays such as a CRT, or may be reproduced as a hard copy.

【0004】この放射線画像変換方法に用いられる放射
線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率
及び光変換率が高いこと、画像の粒状性がよく、高鮮鋭
性であることが要求される。
The stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel used in this radiation image conversion method has a high radiation absorption rate and a high light conversion rate, and has good image graininess and high sharpness. Required.

【0005】通常、放射線輝度を高くするには輝尽性蛍
光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりす
ぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため
発光が外部に出てこなくなる現象があり限界がある。
Usually, the film thickness of the stimulable phosphor layer must be increased in order to increase the radiance, but if it is too thick, the scattering of stimulated emission between the stimulable phosphor particles will occur. Therefore, there is a limit that light emission does not come out to the outside.

【0006】また、鮮鋭性については、輝尽性蛍光体層
を薄層化するほど向上するが、薄すぎると輝度の減少が
大きくなる。
Further, the sharpness is improved as the stimulable phosphor layer is made thinner, but if it is too thin, the decrease in luminance becomes large.

【0007】また、粒状性についても画像の粒状性は放
射線量子数の場所的ゆらぎ(量子モトル)或いは放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ(構造モ
トル)等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層の層
厚が薄くなると輝尽性蛍光体層に吸収される放射線量子
数が減少してモトルが増加したり、構造的乱れが顕在化
して構造モトルが増加したりして画質の低下を生ずる。
従って画像の粒状性を向上させるためには輝尽性蛍光体
層の層厚が厚い必要があった。
Regarding the graininess, the graininess of the image is determined by the spatial fluctuation of the radiation quantum number (quantum mottle), the structural disorder of the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel (structural mottle), or the like. Therefore, as the layer thickness of the stimulable phosphor layer becomes thin, the number of radiation quantum absorbed in the stimulable phosphor layer decreases and mottle increases, or structural disorder becomes apparent and structural mottle increases. As a result, the image quality is degraded.
Therefore, in order to improve the graininess of the image, the stimulable phosphor layer needs to be thick.

【0008】この様に様々な要因により、放射線画像変
換パネルを用いた放射線画像変換方法の画質及び輝度は
決定される。これらの輝度や画質に関する複数の因子を
調整して輝度、画質を改良するため、これまで様々な検
討がされてきた。
As described above, the image quality and the brightness of the radiation image conversion method using the radiation image conversion panel are determined by various factors. Various studies have been conducted so far in order to improve the brightness and the image quality by adjusting a plurality of factors relating to the brightness and the image quality.

【0009】それらのなかで、放射線画像の鮮鋭性改善
の為の手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の
形状そのものをコントロールし輝度及び鮮鋭性の改良を
図る試みがされている。
Among them, as a means for improving the sharpness of a radiation image, for example, an attempt has been made to improve the brightness and the sharpness by controlling the shape itself of the stimulable phosphor to be formed.

【0010】これらの試みの1つとして、例えば特開昭
61−142497号等において行われている様な、微
細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆
積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍
光体層を用いる方法がある。
As one of these attempts, for example, as in JP-A-61-242497, a fine stimulable phosphor formed by depositing a stimulable phosphor on a support having a fine uneven pattern is formed. There is a method of using a stimulable phosphor layer formed of a pseudo columnar block.

【0011】又、特開昭61−142500号に記載の
ように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光
体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショッ
ク処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する
放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭6
2−39737号に記載されたような、支持体の面に形
成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさ
せ擬柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法、更
には、特開昭62−110200号に記載のように、支
持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を
形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設
ける方法等も提案されている。
Further, as described in JP-A-61-142500, a crack between columnar blocks obtained by depositing a stimulable phosphor on a support having a fine pattern is shock-treated and further A method of using a radiation image conversion panel having a developed photostimulable phosphor layer, and further, JP-A-Sho 6
A method of using a radiation image conversion panel in which a stimulable phosphor layer formed on the surface of a support is cracked from the surface side thereof to form a pseudo column, as described in JP-A-2-39737, and further, As described in JP-A-62-110200, a method of forming a stimulable phosphor layer having cavities on the upper surface of a support by vapor deposition and then growing the cavities by heat treatment to form cracks has been proposed. .

【0012】又、特開平2−58000号においては、
気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対
し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性
蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されてい
る。
Further, in JP-A-2-58000,
There has been proposed a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, which is formed by a vapor deposition method, and has elongated columnar crystals having a certain inclination with respect to the normal direction of the support.

【0013】これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロ
ールする試みにおいては、いずれも輝尽性蛍光体層を柱
状とすることで、輝尽励起光(又輝尽発光)の横方向へ
の拡散を抑える(クラック(柱状結晶)界面において反
射を繰り返しながら支持体面まで到達する)ことができ
るため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させ
ることができるという特徴がある。
In all of these attempts to control the shape of the photostimulable phosphor layer, the photostimulable phosphor layer is formed into a columnar shape so that the photostimulable excitation light (or the photostimulated light emission) is directed in the lateral direction. Since the diffusion can be suppressed (it reaches the surface of the support while repeating the reflection at the crack (columnar crystal) interface), the sharpness of the image due to the stimulated emission can be remarkably increased.

【0014】しかしながら、これらの気相成長(堆積)
により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
パネルにおいても、前記の様に、輝度と鮮鋭性の関係は
充分な特性を有しているとはいえず、更に改良が必要で
ある。
However, these vapor-phase growth (deposition)
Even in the radiation image conversion panel having the stimulable phosphor layer formed by the above method, it cannot be said that the relationship between the brightness and the sharpness has sufficient characteristics as described above, and further improvement is required.

【0015】これらの気相成長(堆積)法により形成さ
れた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにお
いて、更に画質特に鮮鋭性を改善しようとする試みが特
開平1−131498号において行われている。これは
前記擬柱状輝尽性蛍光体結晶からなる蛍光体層と低屈折
率層を組み合わせることによって、放射線画像変換パネ
ル中の層界面での反射や屈折を抑え、画質を更に向上さ
せるものである。
In a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer formed by these vapor phase growth (deposition) methods, an attempt to further improve the image quality, particularly sharpness, is made in JP-A-1-1319898. It is being appreciated. This is to suppress reflection and refraction at the layer interface in the radiation image conversion panel by combining the phosphor layer made of the quasi-columnar stimulable phosphor crystal and the low refractive index layer to further improve the image quality. .

【0016】放射線像記録再生方法における読み取り工
程では一般に、放射線画像変換パネルの一方の表面側か
ら励起光を照射し、蛍光体粒子から発せられる輝尽光
(輝尽発光光)を、その励起光照射側に備えた集光ガイ
ドで取り出し、光電変換して読み取る方法が利用されて
いる。しかし、輝尽性蛍光体粒子から発せられる輝尽光
をできるだけ多く取り出したい場合、あるいは輝尽性蛍
光体層内に形成された放射線エネルギーの蓄積像が該層
内でその深さ方向でエネルギー強度分布が変化している
時にそのエネルギー強度分布の変化を放射線画像情報と
して得たい場合などには、放射線画像変換パネルの両側
から輝尽光を集光する方法(両面集光読取方法)を利用
することがある。この両面集光読取方法については、た
とえば特開昭55−87970号公報に記載がある。
In the reading step in the radiation image recording / reproducing method, generally, excitation light is irradiated from one surface side of the radiation image conversion panel, and the stimulated emission light (stimulated emission light) emitted from the phosphor particles is converted into the excitation light. A method is used in which a light-collecting guide provided on the irradiation side is used to take out, photoelectrically convert, and read. However, when it is desired to extract as much stimulable light emitted from the stimulable phosphor particles as possible, or the accumulated image of the radiation energy formed in the stimulable phosphor layer has an energy intensity in the depth direction in the layer. When you want to obtain the change of the energy intensity distribution as radiation image information when the distribution is changing, use the method of concentrating stimulated light from both sides of the radiation image conversion panel (double-sided condensing reading method). Sometimes. This double-sided condensing reading method is described in, for example, JP-A-55-87970.

【0017】また、上記記載の気相成長(堆積)により
形成した、アルカリ土類金属型蛍光体を用いた輝尽性蛍
光体層を有する放射線画像変換パネルにおいては、ガラ
スを支持体として用いる際、加熱工程時にガラス中に含
有されるアルカリ成分が溶出し蛍光体輝度を低下させる
問題があった。また、ガラス厚が薄くなると(例えば、
0.3mm未満)剛性の点、画像読みとり時の振動によ
る横筋の発生の点で問題があった。
Further, in the radiation image conversion panel having the stimulable phosphor layer using the alkaline earth metal type phosphor formed by the vapor phase growth (deposition) described above, when glass is used as the support. However, there is a problem in that the alkaline component contained in the glass is eluted during the heating step to lower the phosphor brightness. Also, when the glass thickness becomes thin (for example,
(Less than 0.3 mm) There is a problem in terms of rigidity and generation of lateral stripes due to vibration during image reading.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、蛍光
体輝度(以下、感度ともいう)の低下が無く、且つ、剛
性の点で優れ、画像読みとり時の振動による横筋発生が
ない放射線画像変換パネルを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a radiation image in which there is no reduction in phosphor brightness (hereinafter, also referred to as sensitivity), which is excellent in rigidity, and which does not cause lateral stripes due to vibration during image reading. To provide a conversion panel.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は以下
の構成により達成される。
The above object of the present invention can be achieved by the following constitutions.

【0020】1.支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放
射線画像変換パネルにおいて、支持体と輝尽性蛍光体層
との間にアルカリ溶出防止層を設け、該支持体がガラス
支持体であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
1. In a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, an alkali elution preventing layer is provided between the support and the stimulable phosphor layer, and the support is a glass support. Radiation image conversion panel.

【0021】2.ガラス支持体の厚さが0.3mm以上
であることを特徴とする前記1に記載の放射線画像変換
パネル。
2. 2. The radiation image conversion panel as described in 1 above, wherein the glass support has a thickness of 0.3 mm or more.

【0022】3.ガラス支持体の厚さが0.5mm以上
であることを特徴とする前記1に記載の放射線画像変換
パネル。
3. 2. The radiation image conversion panel as described in 1 above, wherein the glass support has a thickness of 0.5 mm or more.

【0023】4.ガラス支持体の厚さが0.7mm以上
であることを特徴とする前記1に記載の放射線画像変換
パネル。
4. 2. The radiation image conversion panel as described in 1 above, wherein the glass support has a thickness of 0.7 mm or more.

【0024】5.前記アルカリ溶出防止層の厚さが10
0Å以上であることを特徴とする前記1〜4の何れか1
項に記載の放射線画像変換パネル。
5. The thickness of the alkali elution prevention layer is 10
Any one of 1 to 4 above, which is 0 Å or more
The radiation image conversion panel according to item.

【0025】6.前記アルカリ溶出防止層の厚さが50
0Å以上であることを特徴とする前記1〜4の何れか1
項に記載の放射線画像変換パネル。
6. The alkali elution prevention layer has a thickness of 50.
Any one of 1 to 4 above, which is 0 Å or more
The radiation image conversion panel according to item.

【0026】7.前記アルカリ溶出防止層の厚さが80
0Å以上であることを特徴とする前記1〜4の何れか1
項に記載の放射線画像変換パネル。
7. The thickness of the alkali elution prevention layer is 80
Any one of 1 to 4 above, which is 0 Å or more
The radiation image conversion panel according to item.

【0027】8.前記アルカリ溶出防止層がSiO2
びSi34から選ばれる少なくとも1種の化合物を含有
することを特徴とする前記1〜7の何れか1項に記載の
放射線画像変換パネル。
8. 8. The radiation image conversion panel according to any one of 1 to 7 above, wherein the alkali elution prevention layer contains at least one compound selected from SiO 2 and Si 3 N 4 .

【0028】9.輝尽性蛍光体層が、前記一般式(1)
で表される輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体層が
気相成長法(気相堆積法ともいう)により50μm以上
の膜厚になるように形成されることを特徴とする前記1
〜8の何れか1項に記載の放射線画像変換パネル。
9. The stimulable phosphor layer has the general formula (1)
And a stimulable phosphor layer formed by a vapor growth method (also referred to as a vapor deposition method) to have a film thickness of 50 μm or more. 1 to do
The radiation image conversion panel according to any one of items 1 to 8.

【0029】10.一般式(1)におけるM1がK、R
bおよびCsの各原子から選ばれる少なくとも一種のア
ルカリ金属原子であることを特徴とする前記9に記載の
放射線画像変換パネル。
10. M 1 in the general formula (1) is K, R
10. The radiation image conversion panel as described in 9 above, which is at least one kind of alkali metal atom selected from each atom of b and Cs.

【0030】11.一般式(1)におけるXがBr原子
及びI原子から選ばれる少なくとも一種のハロゲン原子
であることを特徴とする前記9又は10に記載の放射線
画像変換パネル。
11. X in the general formula (1) is at least one halogen atom selected from Br atom and I atom, The radiation image conversion panel as described in 9 or 10 above.

【0031】12.一般式(1)におけるM2がBe、
Mg、Ca、SrおよびBaの各原子から選ばれる少な
くとも一種の二価金属原子であることを特徴とする前記
9〜11の何れか1項に記載の放射線画像変換パネル。
12. M 2 in the general formula (1) is Be,
12. The radiation image conversion panel according to any one of 9 to 11 above, which is at least one divalent metal atom selected from each atom of Mg, Ca, Sr, and Ba.

【0032】13.一般式(1)におけるM3がY、C
e、Sm、Eu、Al、La、Gd、Lu、Gaおよび
Inの各原子から選ばれる少なくとも一種の三価金属原
子であることを特徴とする前記9〜12の何れか1項に
記載の放射線画像変換パネル。
13. M 3 in the general formula (1) is Y or C.
13. The radiation according to any one of 9 to 12 above, which is at least one trivalent metal atom selected from the atoms of e, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga and In. Image conversion panel.

【0033】14.一般式(1)におけるbが0≦b≦
10-2であることを特徴とする前記9〜13の何れか1
項に記載の放射線画像変換パネル。
14. B in the general formula (1) is 0 ≦ b ≦
10 -2 , any one of 9 to 13 above
The radiation image conversion panel according to item.

【0034】15.一般式(1)におけるAが、Eu、
Ce、Sm、Tl及びNaの各原子から選ばれる少なく
とも1種の金属原子であることを特徴とする前記9〜1
4の何れか1項に記載の放射線画像変換パネル。
15. A in the general formula (1) is Eu,
9 to 1 characterized in that it is at least one metal atom selected from each atom of Ce, Sm, Tl and Na.
4. The radiation image conversion panel according to any one of 4 above.

【0035】16.輝尽性蛍光体が柱状結晶を有するこ
とを特徴とする前記1〜15の何れか1項に記載の放射
線画像変換パネル。
16. 16. The radiation image conversion panel according to any one of 1 to 15 above, wherein the stimulable phosphor has columnar crystals.

【0036】17.柱状結晶が主成分として前記一般式
(2)で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とす
る前記16に記載の放射線画像変換パネル。
17. 17. The radiation image conversion panel as described in 16 above, wherein columnar crystals have a stimulable phosphor represented by the general formula (2) as a main component.

【0037】以下、本発明を更に詳細に述べる。本発明
の放射線画像変換パネルの支持体について述べる。
The present invention will be described in more detail below. The support of the radiation image conversion panel of the present invention will be described.

【0038】本発明の放射線画像変換パネルの支持体は
ガラス支持体で、該ガラス厚が0.3mm以上であるこ
とが好ましく、より好ましくは0.5mm以上、更に好
ましくは0.7mm以上である。尚上限は取り扱い上5
mmが好ましい。
The support of the radiation image conversion panel of the present invention is a glass support, and the glass thickness is preferably 0.3 mm or more, more preferably 0.5 mm or more, and further preferably 0.7 mm or more. . The upper limit is 5 due to handling.
mm is preferred.

【0039】上記の範囲にすることにより、剛性が良好
で、画像読みとり時の振動による横筋の発生がなく、画
像読みとりに適している。
Within the above range, the rigidity is good, and horizontal stripes are not generated due to vibration during image reading, which is suitable for image reading.

【0040】ガラスの具体例としては、ほうケイ酸ガラ
ス(BLC(日本電気硝子社製)、7740(コーニン
グ社製)、tempax(ショット社製))、低アルカ
リガラス(AL(旭硝子社製)、D263(ショット社
製))、ソーダガラス(As(旭硝子社製))が好まし
い。
Specific examples of the glass include borosilicate glass (BLC (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.), 7740 (manufactured by Corning Co.), tempax (manufactured by Shot Company)), low alkali glass (AL (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), D263 (manufactured by Schott) and soda glass (As (manufactured by Asahi Glass)) are preferable.

【0041】また、本発明はガラス支持体上に気層堆積
法により輝尽性蛍光体を形成した放射線画像変換パネル
において、ガラス支持体と後述する輝尽性蛍光体層との
間にアルカリ溶出防止層を設けることを特徴とする放射
線画像変換パネルである。
The present invention also provides a radiation image conversion panel in which a stimulable phosphor is formed on a glass support by a vapor deposition method, with an alkali elution between the glass support and a stimulable phosphor layer described later. It is a radiographic image conversion panel characterized by providing an prevention layer.

【0042】前記アルカリ溶出防止層の厚さは100Å
以上であることが好ましく、より好ましくは500Å以
上であり、特に好ましくは800Å以上である。尚、厚
さは厚い程好ましいが、実用面からして、上限は600
0Å未満である。
The thickness of the alkali elution prevention layer is 100Å
It is preferably at least 500 l, more preferably at least 500 l, particularly preferably at least 800 l. The thicker the thickness, the better, but from a practical point of view, the upper limit is 600.
It is less than 0Å.

【0043】尚、アルカリ溶出防止層を有する放射線画
像変換パネル層の断面図は、図示してないが、例えば、
図1(a)において、支持体1と柱状結晶2を有する輝
尽性蛍光体層bの間に上記の厚さになるようにアルカリ
溶出防止層を設けることができる。
Although a cross-sectional view of the radiation image conversion panel layer having the alkali elution preventing layer is not shown, for example,
In FIG. 1A, an alkali elution preventing layer can be provided between the support 1 and the stimulable phosphor layer b having the columnar crystals 2 so as to have the above thickness.

【0044】ガラス支持体上にアルカリ溶出防止層を設
ける方法は、塗布法、蒸着法(気層堆積法)の何れの方
法でも設けることができるが、本発明は蒸着法(気層堆
積法)が好ましい。
The alkali elution-preventing layer may be provided on the glass support by any of a coating method and a vapor deposition method (vapor layer deposition method). In the present invention, the vapor deposition method (vapor layer deposition method) is used. Is preferred.

【0045】尚、上記蒸着法において、好ましいガラス
支持体の温度としては250℃を超えない範囲が好まし
く、真空度は、1.3×10-3Pa以下であることが好
ましい。
In the above vapor deposition method, the temperature of the glass support is preferably not higher than 250 ° C., and the degree of vacuum is preferably 1.3 × 10 −3 Pa or less.

【0046】また、本発明においては、上記アルカリ溶
出防止層を支持体上に蒸着し、さらに、該アルカリ溶出
防止層上に連続して後述する輝尽性蛍光体を下記条件で
蒸着し、輝尽性蛍光体層を形成してもよい。
In the present invention, the alkali elution preventive layer is vapor-deposited on a support, and the stimulable phosphor described later is continuously vapor-deposited on the alkali elution preventive layer under the following conditions. An exhaustible phosphor layer may be formed.

【0047】本発明は、上記アルカリ溶出防止層を設
け、該層の厚さを上記の範囲にすると、加熱工程時のガ
ラス支持体からのアルカリ溶出がなくなり、本発明の目
的である蛍光体感度の低下がなくなり、本発明の効果を
より奏する点で好ましい。
In the present invention, when the above alkali elution preventing layer is provided and the thickness of the layer is within the above range, alkali elution from the glass support during the heating step is eliminated, and the phosphor sensitivity which is the object of the present invention. Is preferable, and the effect of the present invention is further exhibited, which is preferable.

【0048】また、前記アルカリ溶出防止層がSiO2
及びSi34から選ばれる少なくとも1種の化合物を有
することが、本発明の効果を特に奏する点でより好まし
い。
Further, the alkali elution preventing layer is SiO 2
And having at least one compound selected from Si 3 N 4 is more preferable from the viewpoint of particularly exhibiting the effects of the present invention.

【0049】次に、本発明の輝尽性蛍光体層について述
べる。図1は、本発明の支持体上に形成した柱状結晶形
状の一例を示す概略図である。図1のa)、b)におい
て、2は気相堆積法により、支持体1上に形成された輝
尽性蛍光体の柱状結晶であり、その結晶先端部におい
て、結晶成長方向の中心を通る垂線3と結晶先端断面部
の接線4とのなす角度(θ)が20度〜80度であるこ
とが好ましく、より好ましくは40度〜80度である。
Next, the stimulable phosphor layer of the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic view showing an example of a columnar crystal shape formed on the support of the present invention. In a) and b) of FIG. 1, 2 is a columnar crystal of a stimulable phosphor formed on a support 1 by a vapor deposition method, and its crystal tip passes through the center of the crystal growth direction. The angle (θ) formed by the perpendicular 3 and the tangent 4 of the crystal tip cross-section is preferably 20 ° to 80 °, more preferably 40 ° to 80 °.

【0050】図1のa)は、柱状結晶のほぼ中心部に尖
角部を有する一例であり、また図1のb)は、柱状結晶
の先端部が一定の傾斜を有し、柱状結晶の側面部に尖角
部を有する一例である。
1A) is an example in which the columnar crystal has a sharp corner at the center thereof, and FIG. 1B) shows that the tip of the columnar crystal has a certain inclination, and This is an example of having a sharp corner on the side surface.

【0051】本発明において、先端形状として、本発明
で規定する角度(θ)とするには、特に制限はないが、
例えば、後述の気相堆積法により結晶成長時の支持体の
温度、真空度、結晶成長速度、輝尽性蛍光体の種類等を
適宜選択することにより得ることができる。
In the present invention, the tip shape is not particularly limited in terms of the angle (θ) specified in the present invention,
For example, it can be obtained by appropriately selecting the temperature of the support during the crystal growth, the degree of vacuum, the crystal growth rate, the type of the stimulable phosphor, and the like by the vapor deposition method described below.

【0052】また、本発明においては、柱状結晶の平均
結晶径が0.5〜50μmであることが好ましく、より
好ましくは1〜50μmである。
Further, in the present invention, the average crystal diameter of the columnar crystals is preferably 0.5 to 50 μm, more preferably 1 to 50 μm.

【0053】上記で規定する柱状結晶の平均結晶径とす
ることにより、輝尽性蛍光体層bのヘイズ率を低下する
ことができ、結果として優れた鮮鋭性を実現することが
できる。
By setting the average crystal diameter of the columnar crystals defined above, the haze ratio of the stimulable phosphor layer b can be reduced, and as a result, excellent sharpness can be realized.

【0054】柱状結晶の平均結晶径とは、柱状結晶を支
持体と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積
の円換算した直径の平均値であり、少なくとも100個
以上の柱状結晶を視野中に含む電子顕微鏡写真から計算
する。
The average crystal diameter of the columnar crystals is the average value of the circle-converted diameters of the cross-sectional areas of the columnar crystals when the columnar crystals are observed from a plane parallel to the support, and at least 100 or more columnar crystals. Is calculated from the electron micrograph including in the visual field.

【0055】柱状結晶径は、支持体温度、真空度、蒸気
流入射角度等によって影響を受け、これらを制御するこ
とによって所望の太さの柱状結晶を形成することができ
る。
The columnar crystal diameter is influenced by the temperature of the support, the degree of vacuum, the vapor flow incident angle, etc., and by controlling these, a columnar crystal having a desired thickness can be formed.

【0056】例えば、支持体温度については、温度が低
くなるほど細くなる傾向にあるが、低すぎると柱状状態
の維持が困難となる。好ましい支持体の温度としては、
100〜300℃であり、より好ましくは150〜27
0℃である。蒸気流の入射角度としては、0〜5°が好
ましい。また、真空度については、1.3×10-1Pa
以下であることが好ましい。
For example, the temperature of the support tends to become thinner as the temperature becomes lower, but if it is too low, it becomes difficult to maintain the columnar state. As the temperature of the preferable support,
100-300 degreeC, More preferably, it is 150-27.
It is 0 ° C. The incident angle of the steam flow is preferably 0 to 5 °. The degree of vacuum is 1.3 × 10 -1 Pa
The following is preferable.

【0057】次いで気相堆積法について詳細に説明す
る。気相堆積法で形成する輝尽性蛍光体層で用いること
のできる輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭48−
80487号に記載されているBaSO4:Axで表さ
れる蛍光体、特開昭48−80488号記載のMgSO
4:Axで表される蛍光体、特開昭48−80489号
に記載されているSrSO4:Axで表される蛍光体、
特開昭51−29889号に記載されているNa2
4、CaSO4及びBaSO4等にMn、Dy及びTb
の中少なくとも1種を添加した蛍光体、特開昭52−3
0487号に記載されているBeO、LiF、MgSO
4及びCaF2等の蛍光体、特開昭53−39277号に
記載されているLi247:Cu,Ag等の蛍光体、
特開昭54−47883号に記載されているLi2O・
(Be22)x:Cu,Ag等の蛍光体、米国特許第
3,859,527号に記載されているSrS:Ce,
Sm、SrS:Eu,Sm、La22S:Eu,Sm及
び(Zn,Cd)S:Mnxで表される蛍光体があげら
れる。
Next, the vapor deposition method will be described in detail. Examples of the stimulable phosphor that can be used in the stimulable phosphor layer formed by the vapor deposition method include, for example, JP-A-48-
BaSO are described in JP 80487 4: phosphor represented by Ax, MgSO described in JP 48-80488
4 : a phosphor represented by Ax, a phosphor represented by SrSO 4 : Ax described in JP-A-48-80489,
Na 2 S described in JP-A-51-29889
Mn, Dy and Tb in O 4 , CaSO 4 and BaSO 4 etc.
Of at least one of the above-mentioned compounds, JP-A-52-3
BeO, LiF, MgSO described in No. 0487
4 , phosphors such as CaF 2 , phosphors such as Li 2 B 4 O 7 : Cu, Ag described in JP-A-53-39277,
Li 2 O described in JP-A-54-47883
(Be 2 O 2 ) x: phosphors such as Cu and Ag, SrS: Ce, described in US Pat. No. 3,859,527
Examples include phosphors represented by Sm, SrS: Eu, Sm, La 2 O 2 S: Eu, Sm and (Zn, Cd) S: Mnx.

【0058】また、特開昭55−12142号に記載さ
れているZnS:Cu,Pb蛍光体、一般式がBaO・
xAl23:Euであげられるアルミン酸バリウム蛍光
体及び一般式がM(II)O・xSiO2:Aで表される
アルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体があげられる。
Further, a ZnS: Cu, Pb phosphor described in JP-A-55-12142, whose general formula is BaO.
Examples include barium aluminate phosphors represented by xAl 2 O 3 : Eu and alkaline earth metal silicate phosphors represented by the general formula of M (II) O.xSiO 2 : A.

【0059】また、特開昭55−12143号に記載さ
れている一般式が(Ba1-x-yMgxCay)Fx:Eu2+
で表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特
開昭55−12144号に記載されている一般式がLn
OX:xAで表される蛍光体、特開昭55−12145
号に記載されている一般式が(Ba1-xM(II)x
x:yAで表される蛍光体、特開昭55−84389
号に記載されている一般式がBaFX:xCe,yAで
表される蛍光体、特開昭55−160078号に記載さ
れている一般式がM(II)FX・xA:yLnで表され
る希土類元素賦活二価金属フルオロハライド蛍光体、一
般式ZnS:A、CdS:A、(Zn,Cd)S:A,
Xで表される蛍光体、特開昭59−38278号に記載
されている下記の何れかの一般式で表される蛍光体、 一般式 xM3(PO42・NX2:yA xM3(PO42:yA 特開昭59−155487号に記載されている下記の何
れかの一般式で表される蛍光体。
Further, it is described in JP-A-55-12143.
The general formula is (Ba1-xyMgxCay) Fx: Eu2+
Alkaline earth fluorohalide phosphor represented by
The general formula described in Kaisho 55-12144 is Ln.
OX: phosphor represented by xA, JP-A-55-12145
The general formula described in No.1-xM (II)x)
F x: YA phosphor, JP-A-55-84389
The general formula described in No. is BaFX: xCe, yA
Phosphors represented, described in JP-A-55-160078
The general formula is represented by M (II) FX · xA: yLn
Rare earth element activated divalent metal fluorohalide phosphor,
General formula ZnS: A, CdS: A, (Zn, Cd) S: A,
Phosphor represented by X, described in JP-A-59-38278
A phosphor represented by any one of the following general formulas, General formula xM3(POFour)2・ NX2: YA xM3(POFour)2: YA What is described below in JP-A-59-155487
A phosphor represented by the general formula.

【0060】一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm で表される蛍光体、特開昭61−72087号に記載さ
れている下記一般式、 M(I)X・aM(II)X′2・bM(III)X″3:c
A で表されるアルカリハライド蛍光体及び特開昭61−2
28400号に記載されている一般式M(I)X:xB
iで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等が
あげられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、
スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成
させやすく好ましい。
A phosphor represented by the general formula nReX 3 .mAX ' 2 : xEu nReX 3 .mAX' 2 : xEu, ySm, the following general formula described in JP-A-61-272087, M (I) X · aM (II) X ′ 2 · bM (III) X ″ 3 : c
Alkali halide phosphor represented by A and JP-A-61-2
No. 28400, the general formula M (I) X: xB
Examples thereof include bismuth-activated alkali halide phosphors represented by i. In particular, alkali halide phosphors are vapor deposited,
A columnar stimulable phosphor layer can be easily formed by a method such as sputtering, which is preferable.

【0061】次に、本発明の前記一般式(1)で表され
る輝尽性蛍光体について説明する。本発明の前記一般式
(1)で表される輝尽性蛍光体において、MIは、N
a、K、Rb及びCs等の各原子から選ばれる少なくと
も1種のアルカリ金属原子を表し、中でもRb及びCs
の各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金
属原子が好ましく、更に好ましくはCs原子である。
Next, the stimulable phosphor represented by the general formula (1) of the present invention will be described. In the stimulable phosphor represented by the general formula (1) of the present invention, M I is N
a, K, Rb, and Cs, which represent at least one alkali metal atom selected from each atom, among which Rb and Cs
At least one kind of alkaline earth metal atom selected from each atom is preferable, and Cs atom is more preferable.

【0062】M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Z
n、Cd、Cu及びNi等の各原子から選ばれる少なく
とも1種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用
いられるのは、Be、Mg、Ca、Sr及びBa等の各
原子から選ばれる二価の金属原子である。
M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Z
It represents at least one divalent metal atom selected from each atom such as n, Cd, Cu and Ni, and among them, preferably used is selected from each atom such as Be, Mg, Ca, Sr and Ba. It is a divalent metal atom.

【0063】M3はSc、Y、La、Ce、Pr、N
d、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、E
r、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びIn等の各原子
から選ばれる少なくとも1種の三価の金属原子を表す
が、中でも好ましく用いられるのはY、Ce、Sm、E
u、Al、La、Gd、Lu、Ga及びIn等の各原子
から選ばれる三価の金属原子である。
M 3 is Sc, Y, La, Ce, Pr, N
d, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, E
It represents at least one trivalent metal atom selected from each atom such as r, Tm, Yb, Lu, Al, Ga and In, among which Y, Ce, Sm and E are preferably used.
It is a trivalent metal atom selected from each atom such as u, Al, La, Gd, Lu, Ga and In.

【0064】AはEu、Tb、In、Ga、Ce、T
m、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、L
u、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原
子から選ばれる少なくとも1種の金属原子である。
A is Eu, Tb, In, Ga, Ce, T
m, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, L
It is at least one metal atom selected from each atom of u, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu and Mg.

【0065】輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点か
ら、X、X′及びX″はF、Cl、Br及びIの各原子
から選ばれる少なくとも1種のハロゲンで原子を表す
が、F、Cl及びBrから選ばれる少なくとも1種のハ
ロゲン原子が好ましく、Br及びIの各原子から選ばれ
る少なくとも1種のハロゲン原子が更に好ましい。
From the viewpoint of improving the stimulated emission brightness of the stimulable phosphor, X, X'and X "represent an atom of at least one halogen selected from the atoms of F, Cl, Br and I. At least one halogen atom selected from F, Cl and Br is preferable, and at least one halogen atom selected from Br and I is more preferable.

【0066】また、一般式(1)において、b値は0≦
b<0.5を表すが、好ましくは、0≦b≦10-2であ
る。
In the general formula (1), the b value is 0 ≦.
It represents b <0.5, preferably 0 ≦ b ≦ 10 −2 .

【0067】本発明の一般式(1)で表される輝尽性蛍
光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造され
る。
The photostimulable phosphor represented by the general formula (1) of the present invention is produced, for example, by the production method described below.

【0068】蛍光体原料としては、 (a)NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、K
Cl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、R
bI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIから選ば
れる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物が用いら
れる。
As the phosphor material, (a) NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, K
Cl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, R
At least one compound or two or more compounds selected from bI, CsF, CsCl, CsBr, and CsI is used.

【0069】(b)MgF2、MgCl2、MgBr2
MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2
SrF2、SrCI2、SrBr2、SrI2、BaF2
BaCl2、BaBr2、BaBr2・2H2O、Ba
2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、Cd
2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、Cu
Cl2、CuBr2、CuI、NiF2、NiCl2、Ni
Br2及びNiI2の化合物から選ばれる少なくとも1種
又は2種以上の化合物が用いられる。
(B) MgF 2 , MgCl 2 , MgBr 2 ,
MgI 2 , CaF 2 , CaCl 2 , CaBr 2 , CaI 2 ,
SrF 2 , SrCI 2 , SrBr 2 , SrI 2 , BaF 2 ,
BaCl 2 , BaBr 2 , BaBr 2 .2H 2 O, Ba
I 2 , ZnF 2 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , ZnI 2 , Cd
F 2 , CdCl 2 , CdBr 2 , CdI 2 , CuF 2 , Cu
Cl 2 , CuBr 2 , CuI, NiF 2 , NiCl 2 , Ni
At least one compound or two or more compounds selected from compounds of Br 2 and NiI 2 are used.

【0070】(c)前記一般式(1)において、Eu、
Tb、In、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、N
d、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、
Ag、Cu及びMg等の各原子から選ばれる金属原子を
有する化合物が用いられる。
(C) In the general formula (1), Eu,
Tb, In, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, N
d, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na,
A compound having a metal atom selected from each atom such as Ag, Cu and Mg is used.

【0071】一般式(I)で表される化合物において、
aは0≦a<0.5、好ましくは0≦a<0.01、b
は0≦b<0.5、好ましくは0≦b≦10-2、eは0
<e≦0.2、好ましくは0<e≦0.1である。
In the compound represented by the general formula (I),
a is 0 ≦ a <0.5, preferably 0 ≦ a <0.01, b
Is 0 ≦ b <0.5, preferably 0 ≦ b ≦ 10 −2 , and e is 0
<E ≦ 0.2, preferably 0 <e ≦ 0.1.

【0072】上記の数値範囲の混合組成になるように前
記(a)〜(c)の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボール
ミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。
The phosphor raw materials (a) to (c) described above are weighed so as to obtain a mixed composition within the above numerical range, and sufficiently mixed using a mortar, a ball mill, a mixer mill and the like.

【0073】次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ル
ツボ又はアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気
炉中で焼成を行う。
Next, the obtained phosphor raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace.

【0074】焼成温度は300〜1000℃が適当であ
る。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によっ
て異なるが、一般には0.5〜6時間が適当である。
A firing temperature of 300 to 1000 ° C. is suitable. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature, etc., but generally 0.5 to 6 hours is appropriate.

【0075】焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む
窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲
気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス
雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸
化性雰囲気が好ましい。
The firing atmosphere is a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide gas atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere, an argon gas atmosphere, or a small amount of oxygen. A weakly oxidizing atmosphere containing gas is preferred.

【0076】尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼
成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物
粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と
同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に
高めることができ好ましい。
After firing once under the above firing conditions, the fired product is taken out of the electric furnace and crushed. After that, the fired product powder is charged again into the heat resistant container and placed in the electric furnace, and the same firing as described above is performed. Rebaking under the conditions is preferable because the emission brightness of the phosphor can be further increased.

【0077】また、焼成物を焼成温度より室温に冷却す
る際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷する
ことによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼
成時と同じ、弱還元性雰囲気又は中性雰囲気のままで冷
却してもよい。
When the calcined product is cooled to room temperature from the calcining temperature, the desired phosphor can be obtained by removing the calcined product from the electric furnace and allowing it to cool in the air. You may cool in a weak reducing atmosphere or a neutral atmosphere.

【0078】また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却
部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは
弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体
の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
Further, by moving the fired product from the heating unit to the cooling unit in the electric furnace and quenching it in a weak reducing atmosphere, a neutral atmosphere or a weak oxidizing atmosphere, the phosphor obtained is stimulated. The emission brightness can be further increased.

【0079】また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長
法によって形成されることを特徴としている。
The stimulable phosphor layer of the present invention is characterized by being formed by a vapor phase growth method.

【0080】輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着
法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティン
グ法、その他の方法を用いることができる。
As the vapor phase growth method of the stimulable phosphor, a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method and other methods can be used.

【0081】本発明においては、例えば、以下の方法が
挙げられる。第1の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸
着装置内に設置した後、装置内を排気して1.333×
10-4Pa程度の真空度とする。
In the present invention, for example, the following methods can be mentioned. The vapor deposition method of the first method is as follows. First, the support is installed in the vapor deposition apparatus, and then the apparatus is evacuated to 1.333 ×.
The degree of vacuum is set to about 10 −4 Pa.

【0082】次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一
つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱
蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さ
に成長させる。
Next, at least one of the stimulable phosphors is heated and evaporated by a method such as a resistance heating method or an electron beam method to grow the stimulable phosphor on the surface of the support to a desired thickness.

【0083】この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光
体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて
輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
As a result, a stimulable phosphor layer containing no binder is formed, but it is also possible to form the stimulable phosphor layer in a plurality of times in the vapor deposition step.

【0084】また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器
あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体
上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性
蛍光体層を形成することも可能である。
In the vapor deposition step, a plurality of resistance heaters or electron beams are used for co-evaporation to synthesize the desired stimulable phosphor on the support and simultaneously form a stimulable phosphor layer. Is also possible.

【0085】蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光
体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることによ
り本発明の放射線画像変換パネルが製造されることが好
ましい。尚、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、
支持体を設ける手順をとってもよい。
After completion of vapor deposition, it is preferable that the radiation image conversion panel of the present invention is manufactured by providing a protective layer on the side of the stimulable phosphor layer opposite to the support side, if necessary. After forming the stimulable phosphor layer on the protective layer,
You may take the procedure of providing a support body.

【0086】さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、
必要に応じて被蒸着体(支持体、保護層又は中間層)を
冷却あるいは加熱してもよい。
Further, in the vapor deposition method, during vapor deposition,
The material to be vapor-deposited (support, protective layer or intermediate layer) may be cooled or heated as necessary.

【0087】また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処
理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じ
てO2、H2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行
ってもよい。
After the vapor deposition, the stimulable phosphor layer may be heat-treated. Further, in the above vapor deposition method, reactive vapor deposition in which a gas such as O 2 or H 2 is introduced and vapor deposition may be performed, if necessary.

【0088】第2の方法としてのスパッタリング法は、
蒸着法と同様、保護層又は中間層を有する支持体をスパ
ッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して
1.333×10-4Pa程度の真空度とし、次いでスパ
ッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスを
スパッタリング装置内に導入して1.333×10-1
a程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をター
ゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支
持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。
The sputtering method as the second method is
Similar to the vapor deposition method, a support having a protective layer or an intermediate layer is placed in a sputtering apparatus, and then the apparatus is evacuated to a vacuum degree of about 1.333 × 10 −4 Pa and then used as a gas for sputtering. 1.333 × 10 -1 P by introducing an inert gas such as Ar or Ne into the sputtering apparatus
The gas pressure is about a. Next, by using the stimulable phosphor as a target, sputtering is performed to grow a stimulable phosphor layer on the support to a desired thickness.

【0089】前記スパッタリング工程では蒸着法と同様
に各種の応用処理を用いることができる。
In the sputtering process, various applied treatments can be used as in the vapor deposition method.

【0090】第3の方法としてCVD法があり、又、第
4の方法としてイオンプレーティング法がある。
The third method is the CVD method, and the fourth method is the ion plating method.

【0091】また、前記気相成長における輝尽性蛍光体
層の成長速度は0.05μm/分〜300μm/分であ
ることが好ましい。成長速度が0.05μm/分未満の
場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く
好ましくない。また成長速度が300μm/分を越える
場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましく
ない。
The growth rate of the stimulable phosphor layer in the vapor phase growth is preferably 0.05 μm / min to 300 μm / min. When the growth rate is less than 0.05 μm / minute, the productivity of the radiation image conversion panel of the present invention is low, which is not preferable. When the growth rate exceeds 300 μm / min, it is difficult to control the growth rate, which is not preferable.

【0092】放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着
法、スパッタリイング法などにより得る場合には、結着
剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大で
き、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネル
が得られ、好ましい。
When the radiation image conversion panel is obtained by the above-mentioned vacuum vapor deposition method, sputtering method, etc., since the binder does not exist, the packing density of the stimulable phosphor can be increased, and the sensitivity and resolution can be improved. Is preferable because a preferable radiation image conversion panel can be obtained.

【0093】前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像
変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種
類により異なるが、本発明の効果を得る観点から50μ
m〜1mmであることが好ましく、より好ましくは10
0〜600μmであり、更に好ましくは300〜600
μmである。
The film thickness of the stimulable phosphor layer varies depending on the purpose of use of the radiation image conversion panel and the kind of the stimulable phosphor, but is 50 μ from the viewpoint of obtaining the effect of the present invention.
It is preferably m to 1 mm, more preferably 10
0 to 600 μm, more preferably 300 to 600
μm.

【0094】上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の
作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温
度は、100℃以上に設定することが好ましく、更に好
ましくは、150℃以上であり、特に好ましくは150
〜400℃である。
In the production of the stimulable phosphor layer by the above vapor phase growth method, the temperature of the support on which the stimulable phosphor layer is formed is preferably set to 100 ° C. or higher, and more preferably, 150 ° C or higher, particularly preferably 150
~ 400 ° C.

【0095】本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍
光体層は、支持体上に前記一般式(1)で表される輝尽
性蛍光体を気相成長させて形成されることが好ましく、
層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成することが
より好ましい。
The stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel of the present invention is preferably formed by vapor-phase growth of the stimulable phosphor represented by the general formula (1) on a support. ,
More preferably, the stimulable phosphor forms columnar crystals during layer formation.

【0096】蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝
尽性蛍光体層を形成するためには、前記一般式(1)で
表される化合物(輝尽性蛍光体)が用いられるが、中で
もCsBr系蛍光体が特に好ましく用いられる。
In order to form a columnar stimulable phosphor layer by a method such as vapor deposition or sputtering, the compound represented by the above general formula (1) (stimulable phosphor) is used. Among them, CsBr is used. System phosphors are particularly preferably used.

【0097】また、本発明においては、柱状結晶が、主
成分として下記一般式(2)で表される輝尽性蛍光体を
有することが好ましい。
Further, in the present invention, it is preferable that the columnar crystal has a stimulable phosphor represented by the following general formula (2) as a main component.

【0098】一般式(2) CsX:A 一般式(2)において、XはBr又はIを表し、AはE
u、In、Tb又はCeを表す。
General Formula (2) CsX: A In the general formula (2), X represents Br or I, and A is E.
represents u, In, Tb or Ce.

【0099】ガラス支持体(以下、単に支持体ともい
う)上に、気相堆積法により蛍光体層を形成する方法と
しては、輝尽性蛍光体の蒸気又は該原料を供給し、蒸着
等の気相成長(堆積)させる方法によって独立した細長
い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができ
る。
As a method for forming a phosphor layer on a glass support (hereinafter, also simply referred to as a support) by a vapor deposition method, vapor of a stimulable phosphor or the raw material thereof is supplied and vapor deposition or the like is performed. A stimulable phosphor layer composed of independent elongated columnar crystals can be obtained by a vapor growth (deposition) method.

【0100】これらの場合において、支持体と坩堝との
最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて通常
10〜60cmに設置するのが好ましい。
In these cases, it is preferable that the distance between the shortest part of the support and the crucible is usually 10 to 60 cm in accordance with the average range of the stimulable phosphor.

【0101】蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解
させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝
に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好まし
い。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃
により発した電子ビームの走査により行われるが、これ
以外の方法にて蒸発させることもできる。
The stimulable phosphor serving as an evaporation source is uniformly dissolved, or molded into a crucible by pressing or hot pressing. At this time, it is preferable to perform degassing treatment. The method of evaporating the stimulable phosphor from the evaporation source is performed by scanning an electron beam emitted by an electron gun, but it can be evaporated by a method other than this.

【0102】また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体であ
る必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであっ
てもよい。
The evaporation source does not necessarily have to be a stimulable phosphor, and may be a mixture of stimulable phosphor raw materials.

【0103】また、蛍光体の母体に対して賦活剤を後か
らドープしてもよい。例えば、母体であるRbBrのみ
を蒸着した後、賦活剤であるTlをドープしてもよい。
即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にド
ープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、MT
Fは低下しないからである。
Further, the matrix of the phosphor may be doped with an activator later. For example, after vapor-depositing only the base material RbBr, the activator Tl may be doped.
That is, since the crystals are independent, it is possible to dope sufficiently even if the film is thick, and crystal growth does not easily occur.
This is because F does not decrease.

【0104】ドーピングは形成された蛍光体の母体層中
にドーピング剤(賦活剤)を熱拡散、イオン注入法によ
って行うことが出来る。
Doping can be performed by a thermal diffusion or ion implantation method of a doping agent (activator) in the formed base layer of the phosphor.

【0105】また、各柱状結晶間の間隙の大きさは30
μm以下がよく、更に好ましくは5μm以下がよい。即
ち、間隙が30μmを越える場合は蛍光体層中のレーザ
ー光の散乱が増加し、鮮鋭性が低下してしまう。
The size of the gap between the columnar crystals is 30.
It is preferably not more than μm, more preferably not more than 5 μm. That is, when the gap exceeds 30 μm, the scattering of laser light in the phosphor layer increases and the sharpness decreases.

【0106】次に、本発明の輝尽性蛍光体層の形成を図
2を用いて説明する。図2は、支持体上に輝尽性蛍光体
層が蒸着により形成される様子を示す図であるが、輝尽
性蛍光体蒸気流16を支持体面の法線方向に対する入射
角度として0〜5°の範囲で入射することにより、柱状
結晶が形成される。
Next, the formation of the stimulable phosphor layer of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing a state in which a stimulable phosphor layer is formed on a support by vapor deposition. The stimulable phosphor vapor stream 16 is used as an incident angle of 0 to 5 with respect to the normal direction of the support surface. A columnar crystal is formed by incidence in the range of °.

【0107】この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍
光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れ
ており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽
性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層
を有する放射線画像変換パネルより層厚を薄くすること
ができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱
が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
The stimulable phosphor layer thus formed on the support has no directivity because it does not contain a binder, and the directivity of stimulated excitation light and stimulated emission is excellent. The layer thickness is higher than that of a radiation image conversion panel having a dispersion-type stimulable phosphor layer in which a stimulable phosphor is dispersed in a binder. Further, the scattering of the stimulable excitation light in the stimulable phosphor layer is reduced to improve the sharpness of the image.

【0108】また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物
を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、
高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよ
い、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍
光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減
に有効である。
In addition, the gaps between the columnar crystals may be filled with a filler such as a binder to reinforce the stimulable phosphor layer.
It may be filled with a substance having a high light absorption, a substance having a high light reflectance, etc., thereby providing the above-mentioned reinforcing effect and reducing the light diffusion in the lateral direction of the stimulable excitation light incident on the stimulable phosphor layer. It is valid.

【0109】高反射率の物質とは、輝尽励起光(500
〜900nm、特に600〜800nm)に対する反射
率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウ
ム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑
色から赤色領域の色材を用いることができる。
A substance having a high reflectance means a stimulated excitation light (500
Up to 900 nm, particularly 600 to 800 nm), which has a high reflectance, for example, a white pigment and a coloring material in the green to red region such as aluminum, magnesium, silver, indium and other metals can be used.

【0110】高感度である放射線画像変換パネルを得る
観点から、本発明の輝尽性蛍光体層の反射率は20%以
上であることが好ましく、より好ましくは30%以上で
あり、特に好ましくは40%以上である。尚、上限は1
00%である。
From the viewpoint of obtaining a radiation image conversion panel having high sensitivity, the reflectance of the stimulable phosphor layer of the present invention is preferably 20% or more, more preferably 30% or more, and particularly preferably. It is 40% or more. The upper limit is 1
It is 00%.

【0111】高反射率の物質とは、輝尽励起光(500
〜900nm、特に600〜800nm)に対する反射
率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウ
ム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑
色から赤色領域の色材を用いることができる。
A substance having a high reflectance means a stimulated excitation light (500
Up to 900 nm, particularly 600 to 800 nm), which has a high reflectance, for example, a white pigment and a coloring material in the green to red region such as aluminum, magnesium, silver, indium and other metals can be used.

【0112】本発明においては、基板上にアルミニウム
等の光を反射するような鏡面処理(例えば、蒸着等)が
行われている場合は、輝尽性蛍光体層の反射率を測定す
る。
In the present invention, the reflectance of the stimulable phosphor layer is measured when a mirror surface treatment (for example, vapor deposition) that reflects light such as aluminum is performed on the substrate.

【0113】ここで、反射率の測定は、下記の測定装置
を用い、同様の測定条件にて行うことができる。
Here, the reflectance can be measured using the following measuring device under the same measuring conditions.

【0114】装置:HITACHI557型、Spec
trophotometer (測定条件) 測定光の波長 :680nm スキャンスピード:120nm/min 繰り返し回数 :10回 レスポンス :自動設定 白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料
として、TiO2(アナターゼ型、ルチル型)、Mg
O、PbCO3・Pb(OH)2、BaSO4、Al
23、M(II)FX(但し、M(II)はBa、Sr及び
Caの中の少なくとも一種であり、XはCl、及びBr
のうちの少なくとも一種である。)、CaCO 3、Zn
O、Sb23、SiO2、ZrO2、リトポン(BaSO
4・ZnS)、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩
基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。これ
らの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光
を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に
散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に
向上さることができる。
Equipment: HITACHI 557 type, Spec
trophotometer (Measurement condition) Measurement light wavelength: 680 nm Scan speed: 120 nm / min Number of repetitions: 10 times Response: Automatic setting White pigments can also reflect stimulated emission. White pigment
As TiO2(Anatase type, rutile type), Mg
O, PbCO3・ Pb (OH)2, BaSOFour, Al
2O3, M (II) FX (where M (II) is Ba, Sr and
At least one of Ca, X is Cl, and Br
Is at least one of the ), CaCO 3, Zn
O, Sb2O3, SiO2, ZrO2, Lithopone (BaSO
Four・ ZnS), magnesium silicate, basic silicate salts, salts
Examples include basic lead phosphate and aluminum silicate. this
These white pigments have strong hiding power and high refractive index, so
Easily stimulated emission by reflecting or refracting
Scatters and remarkably increases the sensitivity of the obtained radiation image conversion panel
Can be improved.

【0115】また、高光吸収率の物質としては、例え
ば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸
化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボン
ブラックは輝尽発光も吸収する。
As the substance having a high light absorptivity, for example, carbon black, chromium oxide, nickel oxide, iron oxide or the like and a blue coloring material are used. Of these, carbon black also absorbs stimulated emission.

【0116】また、色材は、有機若しくは無機系色材の
いずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファース
トブルー3G(ヘキスト製)、エストロールブリルブル
ーN−3RL(住友化学製)、D&CブルーNo.1
(ナショナルアニリン製)、スピリットブルー(保土谷
化学製)、オイルブルーNo.603(オリエント
製)、キトンブルーA(チバガイギー製)、アイゼンカ
チロンブルーGLH(保土ヶ谷化学製)、レイクブルー
AFH(協和産業製)、プリモシアニン6GX(稲畑産
業製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化学
製)、シアンブルーBNRCS(東洋インク製)、ライ
オノイルブルーSL(東洋インク製)等が用いられる。
またカラーインデクスNo.24411、23160、
74180、74200、22800、23154、2
3155、24401、14830、15050、15
760、15707、17941、74220、134
25、13361、13420、11836、7414
0、74380、74350、74460等の有機系金
属錯塩色材もあげられる。無機系色材としては群青、コ
バルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、TiO
2−ZnO−Co−NiO系顔料があげられる。
The coloring material may be either organic or inorganic coloring material. Examples of organic colorants include Pomelo Fast Blue 3G (made by Hoechst), Estrol Brill Blue N-3RL (made by Sumitomo Chemical), and D & C Blue No. 1
(Manufactured by National Aniline), Spirit Blue (manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), Oil Blue No. 603 (manufactured by Orient), Kiton Blue A (manufactured by Ciba Geigy), Aizenka Tiron Blue GLH (manufactured by Hodogaya Chemical), Lake Blue AFH (manufactured by Kyowa Sangyo), Primocyanin 6GX (manufactured by Inabata Sangyo), Brill Acid Green 6BH (Hodogaya). Chemically manufactured), cyan blue BNRCS (manufactured by Toyo Ink), lionoyl blue SL (manufactured by Toyo Ink) and the like are used.
In addition, the color index No. 24411, 23160,
74180, 74200, 22800, 23154, 2
3155, 24401, 14830, 15050, 15
760, 15707, 17941, 74220, 134
25, 13361, 13420, 11836, 7414
Organic metal complex salt colorants such as 0, 74380, 74350, 74460 are also included. Inorganic colorants include ultramarine blue, cobalt blue, cerulean blue, chromium oxide, TiO
2- ZnO-Co-NiO-based pigments may be mentioned.

【0117】また、本発明の輝尽性蛍光体層は、保護層
を有していても良い。保護層は、保護層用塗布液を輝尽
性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらか
じめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着して
もよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体
層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料として
は酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタ
クリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマ
ール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、
ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化
エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重
合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニ
リデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用
材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層とし
てもちいることもできる。また、この保護層は蒸着法、
スパッタリング法等により、SiC、SiO2、Si
N、Al23などの無機物質を積層して形成してもよ
い。これらの保護層の層厚は一般的には0.1〜200
0μm程度が好ましい。
The stimulable phosphor layer of the present invention may have a protective layer. The protective layer may be formed by directly coating the protective layer coating solution on the stimulable phosphor layer, or a separately formed protective layer may be adhered onto the stimulable phosphor layer. Alternatively, a procedure for forming the stimulable phosphor layer on the separately formed protective layer may be performed. Materials for the protective layer include cellulose acetate, nitrocellulose, polymethylmethacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride,
Ordinary protection of nylon, polytetrafluoroethylene, polytrifluoride-ethylene chloride, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, etc. A layering material is used. Alternatively, a transparent glass substrate can be used as the protective layer. In addition, this protective layer is a vapor deposition method,
By sputtering, etc., SiC, SiO 2 , Si
N, may be formed by laminating an inorganic material such as Al 2 O 3. The layer thickness of these protective layers is generally 0.1 to 200.
About 0 μm is preferable.

【0118】図3は、本発明の放射線画像変換パネル及
び放射線画像読み取り装置の構成の1例を示す概略図で
ある。
FIG. 3 is a schematic view showing an example of the configuration of the radiation image conversion panel and the radiation image reading device of the present invention.

【0119】図3において21は放射線発生装置、22
は被写体、23は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし
赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、
24は放射線画像変換パネル23の放射線潜像を輝尽発
光として放出させるための輝尽励起光源、25は放射線
画像変換パネル23より放出された輝尽発光を検出する
光電変換装置、26は光電変換装置25で検出された光
電変換信号を画像として再生する画像再生装置、27は
再生された画像を表示する画像表示装置、28は輝尽励
起光源24からの反射光をカットし、放射線画像変換パ
ネル23より放出された光のみを透過させるためのフィ
ルタである。尚、図3は被写体の放射線透過像を得る場
合の例であるが、被写体22自体が放射線を放射する場
合には、前記放射線発生装置21は特に必要ない。
In FIG. 3, 21 is a radiation generator, 22
Is a subject, 23 is a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer of visible light or infrared light containing a stimulable phosphor,
24 is a stimulated excitation light source for emitting the radiation latent image of the radiation image conversion panel 23 as stimulated emission, 25 is a photoelectric conversion device for detecting the stimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 23, and 26 is photoelectric conversion An image reproducing device that reproduces the photoelectrically converted signal detected by the device 25 as an image, 27 is an image display device that displays the reproduced image, and 28 is a radiation image conversion panel that cuts off the reflected light from the stimulated excitation light source 24. It is a filter for transmitting only the light emitted from 23. Although FIG. 3 shows an example of obtaining a radiation transmission image of a subject, the radiation generator 21 is not particularly necessary when the subject 22 itself emits radiation.

【0120】また、光電変換装置25以降は放射線画像
変換パネル23からの光情報を何らかの形で画像として
再生できるものであればよく、前記に限定されない。
The photoelectric conversion device 25 and thereafter may be any device capable of reproducing the optical information from the radiation image conversion panel 23 as an image in some form, and is not limited to the above.

【0121】図3に示されるように、被写体22を放射
線発生装置21と放射線画像変換パネル23の間に配置
し放射線Rを照射すると、放射線Rは被写体22の各部
の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像RI
(すなわち放射線の強弱の像)が放射線画像変換パネル
23に入射する。この入射した透過像RIは放射線画像
変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによ
って輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した
数の電子及び/又は正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体
のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透過像
のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの潜
像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち可視
あるいは赤外領域の光を照射する輝尽励起光源24によ
って輝尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積さ
れた電子及び/又は正孔を追い出し、蓄積されたエネル
ギーを輝尽発光として放出せしめる。この放出された輝
尽発光の強弱は蓄積された電子及び/又は正孔の数、す
なわち放射線画像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸
収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この
光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置25で電
気信号に変換し、画像再生装置26によって画像として
再生し、画像表示装置27によってこの画像を表示す
る。画像再生装置26は単に電気信号を画像信号として
再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、
画像の記憶、保存等が出来るものを使用するとより有効
である。
As shown in FIG. 3, when the subject 22 is placed between the radiation generator 21 and the radiation image conversion panel 23 and irradiated with the radiation R, the radiation R is transmitted according to changes in the radiation transmittance of each part of the subject 22. And the transmitted image RI
(That is, an image of the intensity of radiation) is incident on the radiation image conversion panel 23. The incident transmission image RI is absorbed by the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23, whereby a number of electrons and / or holes proportional to the amount of radiation absorbed in the stimulable phosphor layer is generated. Occurs, which accumulates at the trap level of the stimulable phosphor. That is, a latent image is formed by accumulating the energy of the radiation transmission image. Next, this latent image is excited by light energy to become visible. That is, by irradiating the stimulable phosphor layer with a stimulable excitation light source 24 that irradiates light in the visible or infrared region, electrons and / or holes accumulated at the trap level are expelled, and the accumulated energy is stimulated to emit light. To release it. The intensity of the emitted stimulated emission is proportional to the number of accumulated electrons and / or holes, that is, the intensity of the radiation energy absorbed in the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23. The optical signal is converted into an electric signal by a photoelectric conversion device 25 such as a photomultiplier tube, reproduced by an image reproducing device 26 as an image, and displayed by the image display device 27. The image reproducing device 26 not only reproduces an electric signal as an image signal, but also performs so-called image processing and image calculation,
It is more effective to use one that can store and save images.

【0122】また、光エネルギーで励起する際、輝尽励
起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光
とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放
出される発光を受光する光電変換器は一般に600nm
以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなると
いう理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光
はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったもの
が望ましい。本発明にの輝尽性蛍光体の発光波長域は3
00〜500nmであり、一方輝尽励起波長域は500
〜900nmであるので前記の条件を同時に満たすが、
最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射画像
変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出
力で且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザーが好ま
れ、そのレーザー光の波長は680nmであり、本発明
の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体
は、680nmの励起波長を用いた時に、極めて良好な
鮮鋭性を示すものである。
Further, when excited by light energy, it is necessary to separate the reflected light of the photostimulable excitation light and the photostimulated luminescence emitted from the photostimulable phosphor layer, and The photoelectric converter that receives the emitted light is generally 600 nm
The photostimulable luminescence emitted from the stimulable phosphor layer preferably has a spectral distribution in the short wavelength region as much as possible, because the sensitivity to the light energy of the following short wavelengths is high. The emission wavelength range of the stimulable phosphor of the present invention is 3
0 to 500 nm, while the stimulated excitation wavelength range is 500
Since it is ~ 900 nm, the above conditions are satisfied at the same time,
Recently, the downsizing of diagnostic equipment has progressed, and a semiconductor laser that has a high output as an excitation wavelength used for image reading of a radiation image conversion panel and that can be easily made compact is preferred, and the wavelength of the laser light is 680 nm. The stimulable phosphor incorporated in the radiation image conversion panel of the present invention exhibits extremely good sharpness when an excitation wavelength of 680 nm is used.

【0123】すなわち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれ
も500nm以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽
励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一
致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を
固めることができる。
That is, each of the stimulable phosphors of the present invention emits light having a main peak at 500 nm or less, and it is easy to separate the stimulable excitation light and matches well with the spectral sensitivity of the photoreceiver. As a result of being able to receive light, the sensitivity of the image receiving system can be increased.

【0124】輝尽励起光源24としては、放射線画像変
換パネル23に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長
を含む光源が使用される。特にレーザー光を用いると光
学系が簡単になり、又、輝尽励起光強度を大きくするこ
とができるために輝尽発光効率をあげることができ、よ
り好ましい結果が得られる。
As the stimulated excitation light source 24, a light source containing the stimulated excitation wavelength of the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel 23 is used. In particular, the use of laser light simplifies the optical system, and since the intensity of stimulated excitation light can be increased, the stimulated emission efficiency can be increased, and more preferable results can be obtained.

【0125】本発明においては、輝尽性蛍光体層に照射
されるレーザー径が100μm以下であることが好まし
く、より好ましくは80μm以下である。
In the present invention, the laser diameter with which the stimulable phosphor layer is irradiated is preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less.

【0126】レーザーとしては、He−Neレーザー、
He−Cdレーザー、Arイオンレーザー、Krイオン
レーザー、N2レーザー、YAGレーザー及びその第2
高調波、ルビーレーザー、半導体レーザー、各種の色素
レーザー、銅蒸気レーザー等の金属蒸気レーザー等があ
る。通常はHe−NeレーザーやArイオンレーザーの
ような連続発振のレーザーが望ましいが、パネル1画素
の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザ
ーを用いることもできる。又、フィルタ28を用いずに
特開昭59−22046号に示されるような、発光の遅
延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レー
ザーを用いて変調するよりもパルス発振のレーザーを用
いる方が好ましい。
As the laser, a He-Ne laser,
He-Cd laser, Ar ion laser, Kr ion laser, N 2 laser, YAG laser and its second
There are harmonics, ruby lasers, semiconductor lasers, various dye lasers, metal vapor lasers such as copper vapor lasers, and the like. Normally, a continuous wave laser such as a He-Ne laser or an Ar ion laser is desirable, but a pulsed laser can be used if the scanning time of one pixel of the panel is synchronized with the pulse. Further, in the case of the method of separating by utilizing the delay of light emission as shown in JP-A-59-22046 without using the filter 28, the pulse oscillation laser is used rather than the modulation using the continuous oscillation laser. It is preferable to use.

【0127】上記の各種レーザー光源の中でも、半導体
レーザーは小型で安価であり、しかも変調器が不要であ
るので特に好ましく用いられる。
Among the various laser light sources described above, the semiconductor laser is particularly preferable because it is small and inexpensive, and a modulator is unnecessary.

【0128】フィルタ28としては放射線画像変換パネ
ル23から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光を
カットするものであるから、これは放射線画像変換パネ
ル23に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励
起光源24の波長の組合わせによって決定される。
As the filter 28, the photostimulable luminescence emitted from the radiation image conversion panel 23 is transmitted and the photostimulation excitation light is cut off. Therefore, this is a stimulable phosphor contained in the radiation image conversion panel 23. Of the stimulated emission wavelength and the wavelength of the stimulated excitation light source 24.

【0129】例えば、輝尽励起波長が500〜900n
mで輝尽発光波長が300〜500nmにあるような実
用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては、例え
ば、東芝社製C−39、C−40、V−40、V−4
2、V−44、コーニング社製7−54、7−59、ス
ペクトロフィルム社製BG−1、BG−3、BG−2
5、BG−37、BG−38等の紫〜青色ガラスフィル
タを用いることができる。又、干渉フィルタを用いる
と、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用で
きる。光電変換装置25としては、光電管、光電子倍増
管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電
池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し
得るものなら何れでもよい。
For example, the stimulated excitation wavelength is 500 to 900 n.
In the case of a practically preferable combination having a stimulated emission wavelength of 300 to 500 nm in m, examples of the filter include C-39, C-40, V-40 and V-4 manufactured by Toshiba Corporation.
2, V-44, Corning 7-54, 7-59, Spectrofilm BG-1, BG-3, BG-2.
5, BG-37, BG-38 and other purple to blue glass filters can be used. Further, if an interference filter is used, a filter having arbitrary characteristics can be selected and used to some extent. The photoelectric conversion device 25 may be a photoelectric tube, a photomultiplier tube, a photodiode, a phototransistor, a solar cell, a photoconductive element, or any other device capable of converting a change in the amount of light into a change in an electronic signal.

【0130】[0130]

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるもので
はない。
The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the embodiments of the present invention are not limited thereto.

【0131】実施例 《放射線画像変換パネル試料1〜8(但し表1中では試
料1〜8と記載する)の作製》表1に示した条件で、
0.3mm厚のソーダガラス(旭ガラス(株)製)支持
体上に図4に示した蒸着装置を用いて輝尽性蛍光体(C
sBr:Eu)を有する輝尽性蛍光体層を形成した。
Example << Preparation of Radiation Image Conversion Panel Samples 1 to 8 (Indicated as Samples 1 to 8 in Table 1) >> Under the conditions shown in Table 1,
On a 0.3 mm thick soda glass (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) support, a stimulable phosphor (C
A stimulable phosphor layer having sBr: Eu) was formed.

【0132】図4に示した蒸着装置を使用し、アルミニ
ウム製のスリットを用い、支持体とスリットとの距離d
を60cmとして、上記ガラス支持体と平行な方向にガ
ラス支持体を搬送しながら蒸着を行ない、輝尽性蛍光体
層の厚みが300μmになるように調整した。
Using the vapor deposition apparatus shown in FIG. 4, a slit made of aluminum was used and the distance d between the support and the slit was d.
Was 60 cm, vapor deposition was carried out while transporting the glass support in a direction parallel to the glass support, and the thickness of the stimulable phosphor layer was adjusted to 300 μm.

【0133】尚、蒸着にあたっては、前記支持体を蒸着
器内に設置し、次いで、蛍光体原料(CsBr:Eu)
を蒸着源としてプレス成形し水冷したルツボにいれた。
In the vapor deposition, the support is placed in the vapor deposition device, and then the phosphor material (CsBr: Eu) is used.
Was used as a vapor deposition source and was put into a crucible that was press-molded and water-cooled.

【0134】その後、蒸着器内を一旦排気し、その後N
2ガスを導入し0.133Paに真空度を調整した後、
支持体の温度(基板温度ともいう)を約240℃に保持
しながら、蒸着した。
Then, the inside of the vapor deposition device is evacuated once, and then N 2
After introducing 2 gases and adjusting the vacuum degree to 0.133 Pa,
Deposition was performed while maintaining the temperature of the support (also referred to as the substrate temperature) at about 240 ° C.

【0135】輝尽性蛍光体層の膜厚が300μmとなっ
たところで蒸着を終了させ輝尽性蛍光体層を得た。乾燥
空気の雰囲気内で、支持体及び硼珪酸ガラスからなる保
護層周縁部を接着剤で封入して輝尽性蛍光体層が密閉さ
れた構造の放射線画像変換パネル試料1を得た。
When the film thickness of the stimulable phosphor layer reached 300 μm, vapor deposition was terminated to obtain a stimulable phosphor layer. A radiation image conversion panel sample 1 having a structure in which the stimulable phosphor layer was sealed by enclosing the periphery of the protective layer made of a support and borosilicate glass with an adhesive in an atmosphere of dry air was obtained.

【0136】放射線画像変換パネル試料1の作製におい
て、表1に記載の条件にした以外は同様にして、放射線
画像変換パネル試料を各々作製した。
Radiation image conversion panel samples 1 were prepared in the same manner as in the preparation of radiation image conversion panel sample 1, except that the conditions shown in Table 1 were used.

【0137】尚、アルカリ溶出防止層は上記ソーダガラ
ス(旭ガラス(株)製)支持体上に表1に示す化合物
を、図4の装置を用いて、真空度1.3×10-3Pa、
ガラス支持体の温度を200℃に保持しながら、表1に
示す膜厚になるように調整し蒸着した。
For the alkali elution preventing layer, the compounds shown in Table 1 were used on the soda glass (Asahi Glass Co., Ltd.) support, and the vacuum degree was 1.3 × 10 −3 Pa using the apparatus shown in FIG. ,
While maintaining the temperature of the glass support at 200 ° C., vapor deposition was performed by adjusting the film thickness shown in Table 1.

【0138】《放射線画像変換パネルの評価》以上のよ
うにして作製した各放射線画像変換パネル試料につい
て、下記の方法に従って、輝度及び横筋発生の評価を行
った。
<< Evaluation of Radiation Image Conversion Panel >> Each of the radiation image conversion panel samples prepared as described above was evaluated for brightness and generation of horizontal stripes according to the following methods.

【0139】(輝度の評価)作製した各放射線画像変換
パネル試料に管電圧80kVpのX線を均一に照射した
後、蛍光体層を設けた面側から、レーザービーム径が8
0μmの半導体レーザー光(690nm)で走査して励
起し、各蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器(分
光感度S−5の光電子像倍管)で受光し、その強度を測
定してこれを輝度と定義し、放射線画像変換パネル試料
1を1.0とし相対値で表示した。
(Evaluation of Luminance) Each produced radiation image conversion panel sample was uniformly irradiated with X-rays having a tube voltage of 80 kVp, and then the laser beam diameter was 8 from the surface side provided with the phosphor layer.
The semiconductor laser beam (690 nm) of 0 μm was used for scanning and excitation, and photostimulable luminescence emitted from each phosphor layer was received by a photodetector (photoelectron image multiplier with spectral sensitivity S-5), and its intensity was measured. This was defined as luminance, and the radiation image conversion panel sample 1 was set to 1.0 and displayed as a relative value.

【0140】(振動による横筋発生の評価)各試料を傾
き3.0の直線階調処理の画像処理を行った後、レーザ
ーイメージャーを用いて平均光学濃度1.0としてフィ
ルム出力を行った。これをシャーカステンを用いて目視
で5段階評価した。(1(悪い)〜5(優れている))
(Evaluation of generation of transverse stripes due to vibration) Each sample was subjected to image processing of linear gradation processing with an inclination of 3.0, and then film output was performed using a laser imager with an average optical density of 1.0. This was visually evaluated using a Schaukasten in 5 grades. (1 (bad) to 5 (excellent))

【0141】[0141]

【表1】 [Table 1]

【0142】[0142]

【発明の効果】実施例で実証した如く、本発明による放
射線画像変換パネルは、蛍光体輝度の低下が無く、且
つ、剛性の点で優れ、画像読みとり時の振動による横筋
発生がなく優れた効果を有する。
As demonstrated in the examples, the radiation image conversion panel according to the present invention has an excellent effect in that the brightness of the phosphor is not lowered, the rigidity is excellent, and the horizontal stripes are not generated due to vibration during image reading. Have.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】支持体上に形成した柱状結晶形状の一例を示す
概略図である。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a columnar crystal shape formed on a support.

【図2】支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成さ
れる様子の一例を示す概略図。
FIG. 2 is a schematic view showing an example of how a stimulable phosphor layer is formed on a support by vapor deposition.

【図3】本発明の放射線画像変換パネル及び放射線画像
読み取り装置の構成の1例を示す概略図。
FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a configuration of a radiation image conversion panel and a radiation image reading device of the present invention.

【図4】蒸着により支持体上に輝尽性蛍光体層を形成す
る方法の一例を示す概略図。
FIG. 4 is a schematic view showing an example of a method for forming a stimulable phosphor layer on a support by vapor deposition.

【符号の説明】 1 支持体 2 柱状結晶 3 結晶成長方向の中心を通る垂線 4 結晶先端断面部の接線 5 柱状結晶の結晶径 15 支持体ホルダ 21 放射線発生装置 22 被写体 23 放射線画像変換パネル 24 輝尽励起光源 25 光電変換装置 26 画像再生装置 27 画像表示装置 28 フィルタ[Explanation of symbols] 1 support 2 columnar crystals 3 Perpendicular line passing through the center of crystal growth direction 4 Tangent line of crystal tip cross section 5 Crystal size of columnar crystals 15 Support holder 21 Radiation generator 22 subject 23 Radiation image conversion panel 24 Excited excitation light source 25 Photoelectric conversion device 26 Image playback device 27 Image display device 28 filters

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09K 11/61 CPF C09K 11/61 CPF 11/85 11/85 G01T 1/00 G01T 1/00 B Fターム(参考) 2G083 AA03 BB01 CC03 CC04 CC08 DD01 DD02 DD11 EE02 EE03 EE07 4H001 CA02 CA04 CA08 CC11 CF01 XA00 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA21 XA28 XA29 XA30 XA31 XA35 XA37 XA38 XA39 XA48 XA49 XA53 XA55 XA56 YA00 YA11 YA12 YA29 YA47 YA58 YA62 YA63 YA81 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C09K 11/61 CPF C09K 11/61 CPF 11/85 11/85 G01T 1/00 G01T 1/00 BF term (Reference) 2G083 AA03 BB01 CC03 CC04 CC08 DD01 DD02 DD11 EE02 EE03 EE07 4H001 CA02 CA04 CA08 CC11 CF01 XA00 XA03 XA04 XA09 XA11 XA12 XA13 XA17 XA19 XA20 XA XAX XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 XA31 YA58 YA62 YA63 YA81

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射
線画像変換パネルにおいて、支持体と輝尽性蛍光体層と
の間にアルカリ溶出防止層を設け、該支持体がガラス支
持体であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
1. A radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, wherein an alkali elution preventing layer is provided between the support and the stimulable phosphor layer, and the support is a glass support. A radiation image conversion panel characterized by:
【請求項2】 ガラス支持体の厚さが0.3mm以上で
あることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換
パネル。
2. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the glass support has a thickness of 0.3 mm or more.
【請求項3】 ガラス支持体の厚さが0.5mm以上で
あることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換
パネル。
3. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the glass support has a thickness of 0.5 mm or more.
【請求項4】 ガラス支持体の厚さが0.7mm以上で
あることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換
パネル。
4. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the glass support has a thickness of 0.7 mm or more.
【請求項5】 前記アルカリ溶出防止層の厚さが100
Å以上であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1
項に記載の放射線画像変換パネル。
5. The thickness of the alkali elution prevention layer is 100.
It is Å or more, 1 in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
The radiation image conversion panel according to item.
【請求項6】 前記アルカリ溶出防止層の厚さが500
Å以上であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1
項に記載の放射線画像変換パネル。
6. The alkali elution prevention layer has a thickness of 500.
It is Å or more, 1 in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
The radiation image conversion panel according to item.
【請求項7】 前記アルカリ溶出防止層の厚さが800
Å以上であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1
項に記載の放射線画像変換パネル。
7. The thickness of the alkali elution preventing layer is 800.
It is Å or more, 1 in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
The radiation image conversion panel according to item.
【請求項8】 前記アルカリ溶出防止層がSiO2及び
Si34から選ばれる少なくとも1種の化合物を含有す
ることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の
放射線画像変換パネル。
8. The radiation image conversion according to any one of claims 1 to 7, wherein the alkali elution preventing layer contains at least one compound selected from SiO 2 and Si 3 N 4. panel.
【請求項9】 輝尽性蛍光体層が、下記一般式(1)で
表される輝尽性蛍光体を含有し、該輝尽性蛍光体層が気
相成長法(気相堆積法ともいう)により50μm以上の
膜厚になるように形成されることを特徴とする請求項1
〜8の何れか1項に記載の放射線画像変換パネル。 一般式(1) M1X・aM2X′2・bM3X″3:eA 〔式中、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子
から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であ
り、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、C
d、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種
の二価金属原子であり、M3はSc、Y、La、Ce、
Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、H
o、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInの各
原子から選ばれる少なくとも1種の三価金属原子であ
り、X、X′、X″はF、Cl、Br及びIの各原子か
ら選ばれる少なくとも1種のハロゲンで原子であり、A
はEu、Tb、In、Ga、Ce、Tm、Dy、Pr、
Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、T
l、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少
なくとも1種の金属原子であり、また、a、b、eはそ
れぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦0.
2の範囲の数値を表す。〕
9. The stimulable phosphor layer contains a stimulable phosphor represented by the following general formula (1), and the stimulable phosphor layer is formed by a vapor phase growth method (both vapor phase deposition method). According to claim 1), the film is formed to have a film thickness of 50 μm or more.
The radiation image conversion panel according to any one of items 1 to 8. Formula (1) M 1 X · aM 2 X '2 · bM 3 X "3: eA wherein at least one alkali metal M 1 is Li, Na, K, selected from atoms of Rb and Cs Is an atom, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, C
d is at least one divalent metal atom selected from Cu and Ni atoms, and M 3 is Sc, Y, La, Ce,
Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, H
o, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, and at least one trivalent metal atom selected from In, X, X ′, and X ″ are F, Cl, Br, and I atoms. At least one halogen atom selected from
Is Eu, Tb, In, Ga, Ce, Tm, Dy, Pr,
Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, T
1, at least one metal atom selected from each of Na, Ag, Cu, and Mg, and a, b, and e are 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, 0, respectively. <E ≦ 0.
Represents a numerical value in the range of 2. ]
【請求項10】 一般式(1)におけるM1がK、Rb
およびCsの各原子から選ばれる少なくとも一種のアル
カリ金属原子であることを特徴とする請求項9に記載の
放射線画像変換パネル。
10. M 1 in the general formula (1) is K or Rb.
The radiation image conversion panel according to claim 9, wherein the radiation image conversion panel is at least one kind of alkali metal atom selected from the atoms of Cs and Cs.
【請求項11】 一般式(1)におけるXがBr原子及
びI原子から選ばれる少なくとも一種のハロゲン原子で
あることを特徴とする請求項9又は10に記載の放射線
画像変換パネル。
11. The radiation image conversion panel according to claim 9, wherein X in the general formula (1) is at least one halogen atom selected from Br atom and I atom.
【請求項12】 一般式(1)におけるM2がBe、M
g、Ca、SrおよびBaの各原子から選ばれる少なく
とも一種の二価金属原子であることを特徴とする請求項
9〜11の何れか1項に記載の放射線画像変換パネル。
12. M 2 in the general formula (1) is Be, M
The radiation image conversion panel according to any one of claims 9 to 11, wherein the radiation image conversion panel is at least one divalent metal atom selected from each of g, Ca, Sr, and Ba atoms.
【請求項13】 一般式(1)におけるM3がY、C
e、Sm、Eu、Al、La、Gd、Lu、Gaおよび
Inの各原子から選ばれる少なくとも一種の三価金属原
子であることを特徴とする請求項9〜12の何れか1項
に記載の放射線画像変換パネル。
13. M 3 in the general formula (1) is Y or C.
13. At least one trivalent metal atom selected from each atom of e, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga, and In, according to any one of claims 9 to 12. Radiation image conversion panel.
【請求項14】 一般式(1)におけるbが0≦b≦1
-2であることを特徴とする請求項9〜13の何れか1
項に記載の放射線画像変換パネル。
14. b in the general formula (1) is 0 ≦ b ≦ 1.
It is 0 -2 , 1 in any one of Claims 9-13 characterized by the above-mentioned.
The radiation image conversion panel according to item.
【請求項15】 一般式(1)におけるAが、Eu、C
e、Sm、Tl及びNaの各原子から選ばれる少なくと
も1種の金属原子であることを特徴とする請求項9〜1
4の何れか1項に記載の放射線画像変換パネル。
15. A in the general formula (1) is Eu or C.
It is at least 1 sort (s) of metal atom selected from each atom of e, Sm, Tl, and Na, It is characterized by the above-mentioned.
4. The radiation image conversion panel according to any one of 4 above.
【請求項16】 輝尽性蛍光体が柱状結晶を有すること
を特徴とする請求項1〜15の何れか1項に記載の放射
線画像変換パネル。
16. The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the stimulable phosphor has columnar crystals.
【請求項17】 柱状結晶が主成分として下記一般式
(2)で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とす
る請求項16に記載の放射線画像変換パネル。 一般式(2) CsX:A 〔式中、XはBrまたはIを表し、AはEu、In、G
aまたはCeを表す。〕
17. The radiation image conversion panel according to claim 16, wherein the columnar crystal has a stimulable phosphor represented by the following general formula (2) as a main component. General formula (2) CsX: A [In formula, X represents Br or I, A is Eu, In, G.
represents a or Ce. ]
JP2002066693A 2002-03-12 2002-03-12 Radiogram conversion panel Pending JP2003270395A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002066693A JP2003270395A (en) 2002-03-12 2002-03-12 Radiogram conversion panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002066693A JP2003270395A (en) 2002-03-12 2002-03-12 Radiogram conversion panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003270395A true JP2003270395A (en) 2003-09-25

Family

ID=29198356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002066693A Pending JP2003270395A (en) 2002-03-12 2002-03-12 Radiogram conversion panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003270395A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222023A (en) * 2004-01-06 2005-08-18 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Radiographic image reading method and radiographic image reading apparatus and stimulable phosphor plate
JP2006084267A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Radiological image conversion panel and radiological image radiographing method
JP2015001387A (en) * 2013-06-13 2015-01-05 株式会社東芝 Method for manufacturing radiation detector

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222023A (en) * 2004-01-06 2005-08-18 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Radiographic image reading method and radiographic image reading apparatus and stimulable phosphor plate
JP2006084267A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Radiological image conversion panel and radiological image radiographing method
JP2015001387A (en) * 2013-06-13 2015-01-05 株式会社東芝 Method for manufacturing radiation detector

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6992305B2 (en) Radiation image converting panel and production method of the same
JP4265139B2 (en) Radiation image conversion panel and radiation image reading apparatus
JP2004279086A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
US7053385B2 (en) Radiographic image conversion panel and method for manufacturing the same
JP4304998B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2002350597A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
JP2005083792A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
JP2003270395A (en) Radiogram conversion panel
JP3915593B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP4259035B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP4828771B2 (en) Radiation image conversion panel
JP2008116462A (en) Radiographic image conversion panel, and manufacturing method of radiographic image conversion panel
JP4079073B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP4475106B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP3807347B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP3879629B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2006133152A (en) Radiological image conversion panel
JP2006064383A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
JP2006064382A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
JP5360160B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2006125854A (en) Radiation image conversion panel, and manufacturing method therefor
JP2004301819A (en) Radiation image conversion panel, and manufacturing method for radiation image conversion panel
JP2007057306A (en) Radiation image conversion panel using stimulable phosphor and method for manufacturing it
JP2004002530A (en) Radiation image conversion panel and method for producing radiation image conversion panel
JP2007024817A (en) Radiological image conversion panel and its manufacturing method