JP2006125854A - Radiation image conversion panel, and manufacturing method therefor - Google Patents

Radiation image conversion panel, and manufacturing method therefor Download PDF

Info

Publication number
JP2006125854A
JP2006125854A JP2004310612A JP2004310612A JP2006125854A JP 2006125854 A JP2006125854 A JP 2006125854A JP 2004310612 A JP2004310612 A JP 2004310612A JP 2004310612 A JP2004310612 A JP 2004310612A JP 2006125854 A JP2006125854 A JP 2006125854A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image conversion
conversion panel
radiation image
phosphor layer
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004310612A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Okamura
真一 岡村
Takafumi Yanagida
貴文 柳多
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Original Assignee
Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Medical and Graphic Inc filed Critical Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority to JP2004310612A priority Critical patent/JP2006125854A/en
Publication of JP2006125854A publication Critical patent/JP2006125854A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation image conversion panel excellent in sharpness, excellent in stability with the lapse of time of a characteristic, and excellent in an adhesive property of a stimulable phosphor layer, and a manufacturing method therefor. <P>SOLUTION: This radiation image conversion panel having the stimulable phosphor layer on a support is provided with an under coating resin layer having 0.01-0.05μm of average surface roughness Ra, and 0.5-10μm of film thickness, between the support and the stimulable phosphor layer. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル及びその製造方法に関し、詳しくは鮮鋭性、特性の経時安定性及び輝尽性蛍光体層の接着性に優れた放射線画像変換パネル及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a radiation image conversion panel using a photostimulable phosphor and a method for producing the same, and more particularly to a radiation image conversion panel excellent in sharpness, stability of characteristics over time and adhesiveness of the photostimulable phosphor layer, and It relates to the manufacturing method.

X線画像のような放射線画像は、病気診断用等の分野で多く用いられている。このX線画像を得る方法としては、被写体を通過したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射し、これにより可視光を生じさせた後、この可視光を通常の写真を撮るときと同様にして、ハロゲン化銀写真感光材料(以下、単に感光材料ともいう)に照射し、次いで現像処理を施して可視銀画像を得る、いわゆる放射線写真方式が広く利用されている。   Radiation images such as X-ray images are often used in fields such as disease diagnosis. The X-ray image is obtained by irradiating the phosphor layer (phosphor screen) with X-rays that have passed through the subject, thereby generating visible light, and then using this visible light as when taking a normal photograph. Thus, a so-called radiographic method in which a silver halide photographic light-sensitive material (hereinafter also simply referred to as a light-sensitive material) is irradiated and then developed to obtain a visible silver image is widely used.

しかしながら、近年では、ハロゲン化銀塩を有する感光材料による画像形成方法に代わり、蛍光体層から直接画像を取り出す新たな方法が提案されている。   However, in recent years, a new method for taking out an image directly from a phosphor layer has been proposed instead of an image forming method using a photosensitive material having a silver halide salt.

この方法としては、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光体が上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出し画像化する方法がある。   In this method, the radiation transmitted through the subject is absorbed by the phosphor, and then the phosphor is excited by, for example, light or heat energy, so that the radiation energy accumulated by the phosphor is absorbed as fluorescence. There is a method of emitting and detecting this fluorescence and imaging.

具体的には、例えば、米国特許第3,859,527号及び特開昭55−12144号公報等に記載されているような輝尽性蛍光体(以下、単に蛍光体ともいう)を用いる放射線画像変換方法が知られている。   Specifically, for example, radiation using stimulable phosphors (hereinafter also simply referred to as phosphors) as described in US Pat. No. 3,859,527 and JP-A-55-12144. An image conversion method is known.

この方法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて、その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線等の電磁波(励起光)で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して、電気信号を得て、この信号をハロゲン化銀写真感光材料等の記録材料、CRT等の表示装置上に可視像として再生するものである。   This method uses a radiation image conversion panel containing a photostimulable phosphor. The radiation transmission density of each part of the subject is obtained by applying radiation transmitted through the subject to the photostimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel. Is stored in the stimulable phosphor by chronologically exciting the stimulable phosphor with electromagnetic waves (excitation light) such as visible light and infrared light. Radiation energy is emitted as stimulated emission, and a signal based on the intensity of the light is photoelectrically converted to obtain an electrical signal, which is then used as a recording material such as a silver halide photographic material, or a display device such as a CRT. It is reproduced as a visible image on the top.

上記の放射線画像の再生方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せによる放射線写真法と比較して、はるかに少ない被曝線量で、かつ情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点を有している。   According to the above radiographic image reproduction method, it is possible to obtain a radiographic image with a much smaller exposure dose and abundant information as compared with the radiographic method using a combination of a conventional radiographic film and an intensifying screen. Has the advantage of being able to

これらの輝尽性蛍光体を使用した放射線画像変換パネルは、放射線画像情報を蓄積した後、励起光の走査によって蓄積エネルギーを放出するので、走査後に再度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰り返し使用が可能である。つまり従来の放射線写真法では、一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線画像変換方法では放射線画像変換パネルを繰り返し使用するので、資源保護、経済効率の面からも有利である。   Radiation image conversion panels using these photostimulable phosphors release accumulated energy by scanning excitation light after accumulating radiation image information, so that radiation images can be accumulated again after scanning. Can be used. In other words, the conventional radiographic method consumes a radiographic film for each photographing, whereas this radiographic image conversion method repeatedly uses a radiographic image conversion panel, so that also from the viewpoint of resource protection and economic efficiency. It is advantageous.

さらに、近年診断画像の解析において、より高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されている。鮮鋭性改善のための手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし、感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。   Further, in recent years, a higher-definition radiation image conversion panel is required for analysis of diagnostic images. As means for improving the sharpness, for example, an attempt has been made to improve the sensitivity and sharpness by controlling the shape of the photostimulable phosphor to be formed.

これらの試みの一つとして、例えば、特開昭61−142497号公報には微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。   As one of these attempts, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-142497 discloses a stimulating property comprising a fine pseudo-columnar block formed by depositing a stimulable phosphor on a support having a fine uneven pattern. There is a method using a phosphor layer.

また、特開昭61−142500号公報には微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施してさらに発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いる方法、支持体の面に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法(特許文献1参照)、支持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法(特許文献2参照)、気相成長法(気相堆積法)によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いる方法(特許文献3参照)等が提案されている。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-142500 discloses a photostimulation in which cracks between columnar blocks obtained by depositing photostimulable phosphors on a support having a fine pattern are further developed by shock treatment. Using a radiation image conversion panel having a phosphor layer, and a method using a pseudo-columnar radiation image conversion panel in which a photostimulable phosphor layer formed on the surface of a support is cracked from its surface (patent) Reference 1), a method in which a stimulable phosphor layer having a cavity is formed on the upper surface of a support by vapor deposition, and then a cavity is grown by heat treatment (see Patent Document 2). A method using a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer in which elongated columnar crystals having a certain inclination with respect to the normal direction of the support are formed on the support by a phase deposition method (see Patent Document 3) ) Etc. It is.

最近では、CsBr等のハロゲン化アルカリを母体にEuを賦活剤とした輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案され、従来得られていなかった高いX線変換効率を導き出すことが可能となった。   Recently, a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor using Eu as an activator with an alkali halide such as CsBr as a base has been proposed, and it is possible to derive a high X-ray conversion efficiency that has not been obtained so far. It became.

しかしながら、これらの気相成長(堆積)により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいても、市場から要求される鮮鋭性の改善は十分ではなく、さらなる改良が求められていた。   However, even in the radiation image conversion panel having the photostimulable phosphor layer formed by vapor phase growth (deposition), the sharpness required from the market is not sufficiently improved, and further improvement has been demanded.

また、さまざまな条件下で用いられる放射線画像変換パネルにおいて、支持体と蛍光体層との接着性は重要な特性の1つであり、支持体と蛍光体層間に架橋剤を含有する下引き樹脂層を設ける方法が開示されている(特許文献4参照)が、単に下引き樹脂層を設けるだけでは、下引き樹脂層上に上記気相成長法により輝尽性蛍光体層を形成させる際、下引き樹脂層の表面の凹凸が高い場合、支持体との接着性不良及びそれに伴い蛍光体層中の結晶構造が不均一になり、放射線画像変換パネル内での鮮鋭度のバラツキや粒状ムラが生じることがあった。また下引き樹脂層の膜厚が厚すぎて特性の経時安定性が低下することがあった。   In radiation image conversion panels used under various conditions, the adhesion between the support and the phosphor layer is one of the important characteristics, and an undercoat resin containing a cross-linking agent between the support and the phosphor layer. Although a method of providing a layer is disclosed (see Patent Document 4), by simply providing an undercoat resin layer, when forming a stimulable phosphor layer by the vapor phase growth method on the undercoat resin layer, When the surface of the undercoat resin layer is uneven, the adhesion to the support is poor and the crystal structure in the phosphor layer becomes non-uniform, resulting in variations in sharpness and irregularities in the radiation image conversion panel. It sometimes occurred. In addition, the film thickness of the undercoat resin layer may be too large, and the temporal stability of characteristics may be reduced.

このように、放射線画像変換パネルにおいては、鮮鋭性、特性の経時安定性及び輝尽性蛍光体層の支持体との接着性に優れた放射線画像変換パネルの開発が要望されている。
特開昭62−39737号公報 特開昭62−110200号公報 特開平2−58000号公報 特公平4−44959号公報
Thus, in the radiation image conversion panel, development of a radiation image conversion panel excellent in sharpness, stability of characteristics over time, and adhesion to the support of the stimulable phosphor layer is desired.
JP 62-39737 A JP-A-62-110200 JP-A-2-58000 Japanese Patent Publication No. 4-44959

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、鮮鋭性、特性の経時安定性及び輝尽性蛍光体層の接着性に優れた放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a radiation image conversion panel excellent in sharpness, stability of characteristics over time, and adhesiveness of a stimulable phosphor layer, and a method for producing the same. That is.

本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。   The above object of the present invention is achieved by the following configurations.

(請求項1)
支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、支持体と該輝尽性蛍光体層との間に、平均表面粗さRaが0.01〜0.05μmで、かつ膜厚が0.5〜10μmである下引き樹脂層を設けることを特徴とする放射線画像変換パネル。
(Claim 1)
In a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer on a support, an average surface roughness Ra is 0.01 to 0.05 μm and a film between the support and the photostimulable phosphor layer. A radiation image conversion panel comprising an undercoat resin layer having a thickness of 0.5 to 10 μm.

(請求項2)
前記下引き樹脂層の膜厚が1〜5μmであることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換パネル。
(Claim 2)
The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the undercoat resin layer has a thickness of 1 to 5 μm.

(請求項3)
前記輝尽性蛍光体層が、下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の放射線画像変換パネル。
(Claim 3)
The radiation image conversion panel according to claim 1 or 2, wherein the stimulable phosphor layer contains a stimulable phosphor represented by the following general formula (1).

一般式(1)
1X・aM2X′2:eA、A″
(式中、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、X、X′はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、A及びA″はEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm及びYの各原子から選ばれる少なくとも1種の希土類原子であり、a、eはそれぞれ0≦a<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を表す。)
(請求項4)
請求項1〜3のいずれか1項に記載の放射線画像変換パネルを、少なくとも一層の輝尽性蛍光体層が気相成長法(気相堆積法ともいう)により50〜1mmの膜厚になるように形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
General formula (1)
M 1 X · aM 2 X ′ 2 : eA, A ″
(In the formula, M 1 is at least one alkali metal atom selected from Li, Na, K, Rb and Cs atoms, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu. And at least one divalent metal atom selected from each atom of Ni, and X and X ′ are at least one halogen atom selected from each atom of F, Cl, Br and I, and A and A ″ Is at least one rare earth atom selected from each atom of Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm and Y, and a and e are respectively (Numerical values in the range of 0 ≦ a <0.5 and 0 <e ≦ 0.2)
(Claim 4)
The radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 3, wherein at least one of the photostimulable phosphor layers has a thickness of 50 to 1 mm by a vapor deposition method (also referred to as a vapor deposition method). The manufacturing method of the radiographic image conversion panel characterized by forming like this.

本発明により、鮮鋭性、特性の経時安定性及び輝尽性蛍光体層の接着性に優れた放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することができる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a radiation image conversion panel excellent in sharpness, temporal stability of characteristics, and adhesiveness of a stimulable phosphor layer, and a method for producing the same.

本発明者は鋭意研究の結果、支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、支持体と該輝尽性蛍光体層との間に、平均表面粗さRaが0.01〜0.05μmで、かつ膜厚が0.5〜10μmである下引き樹脂層を設けることにより、鮮鋭性、特性の経時安定性及び輝尽性蛍光体層の接着性に優れた放射線画像変換パネルが得られることを見出した。   As a result of diligent research, the present inventor has found that in a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, the average surface roughness Ra is 0. 0 between the support and the stimulable phosphor layer. By providing an undercoat resin layer having a thickness of 01 to 0.05 μm and a film thickness of 0.5 to 10 μm, the radiation image is excellent in sharpness, stability of characteristics over time and adhesiveness of the stimulable phosphor layer. We found that a conversion panel was obtained.

また、この効果をより発現するには、前記下引き樹脂層の膜厚が1〜5μmであること、前記輝尽性蛍光体層が、上記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体を含有することが好ましい。   Moreover, in order to express this effect more, the film thickness of the said undercoat resin layer is 1-5 micrometers, and the said stimulable fluorescent substance layer is the stimulable fluorescence represented by the said General formula (1). It is preferable to contain a body.

以下、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

〔支持体〕
本発明に用いられる放射線画像変換パネルの支持体について説明する。
[Support]
The support for the radiation image conversion panel used in the present invention will be described.

本発明の放射線画像変換パネルに用いられる支持体としては、各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられ、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラス、また、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シートまたは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが挙げられる。中でもアルミニウムを主成分とする金属基板またはガラスが好ましい。   As the support used in the radiation image conversion panel of the present invention, various glasses, polymer materials, metals, and the like are used. For example, plate glass such as quartz, borosilicate glass, chemically tempered glass, cellulose acetate film, Examples include polyester films, polyethylene terephthalate films, polyamide films, polyimide films, triacetate films, polycarbonate films and other metal films such as aluminum sheets, iron sheets and copper sheets, or metal sheets having a coating layer of the metal oxide. . Among these, a metal substrate or glass mainly composed of aluminum is preferable.

〔下引き樹脂層〕
本発明は、支持体と輝尽性蛍光体層との間に、平均表面粗さRaが0.01〜0.05μmで、かつ膜厚が0.5〜10μm、より好ましくは1〜5μmである下引き樹脂層を設けることが特徴である。
[Undercoat resin layer]
In the present invention, the average surface roughness Ra is 0.01 to 0.05 μm and the film thickness is 0.5 to 10 μm, more preferably 1 to 5 μm between the support and the photostimulable phosphor layer. It is characterized by providing a certain undercoat resin layer.

下引き樹脂層で用いることのできる樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリビニアルコール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ナイロン、(メタ)アクリル酸または(メタ)アクリル酸エステル、ビニルエステル類、ビニルケトン類、スチレン類、ジオレフィン類、(メタ)アクリルアミド類、塩化ビニル類、塩化ビニリデン類、ニトロセルロース、アセチルセルロース、ジアセチルセルロース等のセルロース誘導体、シリコン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。中でも支持体と輝尽性蛍光体層との接着性、支持体の耐腐食性の観点でポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の疎水性樹脂が好ましい。   The resin that can be used in the undercoat resin layer is not particularly limited. For example, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester resin, polyethylene terephthalate, polyethylene, nylon, (meth) acrylic acid or ( (Meth) acrylic acid esters, vinyl esters, vinyl ketones, styrenes, diolefins, (meth) acrylamides, vinyl chlorides, vinylidene chloride, cellulose derivatives such as nitrocellulose, acetylcellulose, diacetylcellulose, silicone resins, Examples include polyurethane resins, polyamide resins, various synthetic rubber resins, phenol resins, epoxy resins, urea resins, melamine resins, and phenoxy resins. Of these, hydrophobic resins such as polyester resins and polyurethane resins are preferable from the viewpoint of adhesion between the support and the stimulable phosphor layer and corrosion resistance of the support.

本発明における下引き樹脂層の膜厚は0.5〜10μmであり、より好ましくは1〜5μmである。下引き樹脂層の膜厚が0.5μm未満では支持体と輝尽性蛍光体層との接着力が弱い場合があり、10μmを超えると鮮鋭性等の品質の経時安定性が低下することがる。   The film thickness of the undercoat resin layer in the present invention is 0.5 to 10 μm, more preferably 1 to 5 μm. If the thickness of the undercoat resin layer is less than 0.5 μm, the adhesive force between the support and the photostimulable phosphor layer may be weak, and if it exceeds 10 μm, the temporal stability of quality such as sharpness may decrease. The

本発明でいう平均表面粗さRaとは、JIS−B−0601により定義される。すなわち、Raとは粗さ曲線からその中心線の方向に測定長さLの部分を抜き取り、カットオフ値0.8mmとして、この抜き取り部分の中心線をX軸、縦倍率の方向をY軸、粗さ曲線をY=f(X)で表したとき、下式によって求められる値をマイクロメートル(μm)で表したものをいう。   The average surface roughness Ra as used in the present invention is defined by JIS-B-0601. That is, Ra is a portion of the measurement length L from the roughness curve in the direction of the center line, with a cut-off value of 0.8 mm, the center line of the extracted portion is the X axis, the direction of the vertical magnification is the Y axis, When the roughness curve is represented by Y = f (X), the value obtained by the following equation is represented by micrometers (μm).

Figure 2006125854
Figure 2006125854

測定装置としては、例えば、触針法やレーザ干渉測長法といった周知の表面粗さ測定法で測定することができる。   As a measuring apparatus, for example, it can be measured by a known surface roughness measuring method such as a stylus method or laser interferometry.

本発明における下引き樹脂層の粗さRaは、0.01〜0.05である。下引き樹脂層の粗さRaが0.01未満では、下引き樹脂層と輝尽性蛍光体層との接着力が弱く輝尽性蛍光体層が剥落しやすいといった問題がある。下引き樹脂層の粗さRaが0.05を超えると、気相成長法により輝尽性蛍光体を形成させる際、輝尽性蛍光体層中の結晶構造が不均一になり、放射線画像変換パネル内での鮮鋭度のバラツキや粒状ムラを生じるといった問題がある。   The roughness Ra of the undercoat resin layer in the present invention is 0.01 to 0.05. When the roughness Ra of the undercoat resin layer is less than 0.01, there is a problem that the adhesive strength between the undercoat resin layer and the stimulable phosphor layer is weak and the stimulable phosphor layer is easily peeled off. If the roughness Ra of the undercoat resin layer exceeds 0.05, the crystal structure in the photostimulable phosphor layer becomes non-uniform when the photostimulable phosphor is formed by the vapor phase growth method, and the radiation image is converted. There is a problem that sharpness variation and granular unevenness occur in the panel.

本発明に係る下引き樹脂層には、樹脂の他に膜強度を付与するために架橋剤を含有してもよい。用いることのできる架橋剤としては、特に制限はなく、例えば、多官能イソシアネート及びその誘導体、メラミン及びその誘導体、アミノ樹脂及びその誘導体等を挙げることができるが、多官能イソシアネート化合物が好ましい。多官能イソシアネート化合物としては、例えば、日本ポリウレタン社製のコロネートHX、コロネート3041等が挙げられる。   In addition to the resin, the undercoat resin layer according to the present invention may contain a crosslinking agent in order to impart film strength. There is no restriction | limiting in particular as a crosslinking agent which can be used, For example, a polyfunctional isocyanate and its derivative (s), a melamine and its derivative (s), an amino resin, and its derivative (s) etc. can be mentioned, A polyfunctional isocyanate compound is preferable. Examples of the polyfunctional isocyanate compound include Coronate HX and Coronate 3041 manufactured by Nippon Polyurethane.

架橋剤の使用量は、目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光体層及び支持体に用いる材料の種類、下引き樹脂層に用いる樹脂の種類等によって異なるが、輝尽性蛍光体層と支持体との接着強度の維持を考慮すれば、下引き樹脂に対して50質量%以下が好ましく、5〜30質量%がより好ましい。5質量%未満では、架橋密度が低く、耐熱性、強度のいずれも不十分である。30質量%を超えると、架橋密度が高く、下引き樹脂層との靱性が低くなり(脆くなり)、下引き樹脂層がひび割れしてしまう。   The amount of the crosslinking agent used varies depending on the characteristics of the intended radiation image conversion panel, the type of materials used for the stimulable phosphor layer and the support, the type of resin used for the undercoat resin layer, etc. Considering the maintenance of the adhesive strength between the body layer and the support, it is preferably 50% by mass or less, more preferably 5 to 30% by mass with respect to the undercoat resin. If it is less than 5% by mass, the crosslinking density is low, and both heat resistance and strength are insufficient. When it exceeds 30% by mass, the crosslink density is high, the toughness with the undercoat resin layer is lowered (becomes brittle), and the undercoat resin layer is cracked.

本発明においては、支持体に下引き樹脂層を塗設した後、輝尽性蛍光体層を塗設する前に、下引き樹脂層中の樹脂と架橋剤との反応を完遂させるため40〜150℃で1〜100時間の熱処理を行う。   In the present invention, in order to complete the reaction between the resin in the undercoat resin layer and the cross-linking agent after coating the undercoat resin layer on the support and before coating the stimulable phosphor layer, 40 to Heat treatment is performed at 150 ° C. for 1 to 100 hours.

下引き樹脂層は、支持体に下引き樹脂層塗設液を塗布乾燥することにより得られる。塗布方法は、特に制限はなく、ドクターブレード、ロールコーター、ナイフコーター、押し出しコーター等の公知の塗布コーターを用いても、スピンコーターを用いて塗布してもよい。   The undercoat resin layer can be obtained by applying and drying an undercoat resin layer coating liquid on a support. The coating method is not particularly limited, and a known coating coater such as a doctor blade, a roll coater, a knife coater, or an extrusion coater may be used, or a spin coater may be used.

〔輝尽性蛍光体層〕
次に、本発明の輝尽性蛍光体層について説明する。
[Stimulable phosphor layer]
Next, the photostimulable phosphor layer of the present invention will be described.

図1は、本発明の支持体上に形成した柱状結晶形状の一例を示す概略図である。図1のa)、b)において、2は気相堆積法により、支持体1上に形成された輝尽性蛍光体の柱状結晶であり、その結晶先端部において、結晶成長方向の中心を通る垂線3と結晶先端断面部の接線4とのなす角度(θ)が20〜80°であることが好ましく、より好ましくは40〜80°である。   FIG. 1 is a schematic view showing an example of a columnar crystal shape formed on the support of the present invention. 1A and 1B, reference numeral 2 denotes a stimulable phosphor columnar crystal formed on the support 1 by vapor deposition, and passes through the center of the crystal growth direction at the crystal tip. The angle (θ) formed between the perpendicular 3 and the tangent 4 of the crystal tip cross section is preferably 20 to 80 °, more preferably 40 to 80 °.

図1のa)は、柱状結晶のほぼ中心部に尖角部を有する一例であり、また図1のb)は、柱状結晶の先端部が一定の傾斜を有し、柱状結晶の側面部に尖角部を有する一例である。   FIG. 1 a) is an example having a cusp at substantially the center of the columnar crystal, and FIG. 1 b) is an example in which the tip of the columnar crystal has a certain inclination, and the columnar crystal has a side surface. It is an example which has a cusp part.

また、本発明においては、柱状結晶の平均結晶径が0.5〜50μmであることが好ましく、より好ましくは1〜50μmである。この範囲の柱状結晶の平均結晶径とすることにより、輝尽性蛍光体層bのヘイズ率を低下することができ、結果として優れた鮮鋭性を実現することができる。   Moreover, in this invention, it is preferable that the average crystal diameter of a columnar crystal is 0.5-50 micrometers, More preferably, it is 1-50 micrometers. By setting the average crystal diameter of the columnar crystals in this range, the haze ratio of the photostimulable phosphor layer b can be lowered, and as a result, excellent sharpness can be realized.

柱状結晶の平均結晶径とは、柱状結晶を支持体と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも100個以上の柱状結晶を視野中に含む電子顕微鏡写真から計算する。   The average crystal diameter of the columnar crystals is an average value of the diameters in terms of circles of the cross-sectional areas of the columnar crystals when the columnar crystals are observed from a plane parallel to the support, and at least 100 columnar crystals are being viewed. It is calculated from the electron micrographs included.

柱状結晶径は、支持体温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶を形成することができる。   The columnar crystal diameter is influenced by the support temperature, the degree of vacuum, the vapor flow incident angle, and the like, and by controlling these, columnar crystals having a desired thickness can be formed.

例えば、支持体温度については、温度が低くなるほど細くなる傾向にあるが、低すぎると柱状状態の維持が困難となる。好ましい支持体の温度としては、100〜300℃であり、より好ましくは150〜270℃である。蒸気流の入射角度としては、0〜5°が好ましい。また、真空度については、1.3×10-1Pa以下であることが好ましい。 For example, the support temperature tends to become thinner as the temperature decreases, but if it is too low, it becomes difficult to maintain the columnar state. The temperature of the support is preferably 100 to 300 ° C, more preferably 150 to 270 ° C. The incident angle of the vapor flow is preferably 0 to 5 °. Further, the degree of vacuum is preferably 1.3 × 10 −1 Pa or less.

次いで気相堆積法について詳細に説明する。   Next, the vapor deposition method will be described in detail.

気相堆積法で形成する輝尽性蛍光体層で用いることのできる輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭48−80487号に記載のBaSO4:Axで表される蛍光体、特開昭48−80488号に記載のMgSO4:Axで表される蛍光体、特開昭48−80489号に記載のSrSO4:Axで表される蛍光体、特開昭51−29889号に記載のNa2SO4、CaSO4及びBaSO4等にMn、Dy及びTbの中少なくとも1種を添加した蛍光体、特開昭52−30487号に記載のBeO、LiF、MgSO4及びCaF2等の蛍光体、特開昭53−39277号に記載のLi247:Cu,Ag等の蛍光体、特開昭54−47883号に記載のLi2O・(Be22)x:Cu,Ag等の蛍光体、米国特許第3,859,527号に記載のSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、La22S:Eu,Sm及び(Zn,Cd)S:Mnxで表される蛍光体が挙げられる。 Examples of the stimulable phosphor that can be used in the stimulable phosphor layer formed by the vapor deposition method include, for example, a phosphor represented by BaSO 4 : Ax described in JP-A-48-80487, Phosphors represented by MgSO 4 : Ax described in Kaikai 48-80488, phosphors represented by SrSO 4 : Ax described in JP-A 48-80489, described in JP-A 51-29889 Phosphors obtained by adding at least one of Mn, Dy, and Tb to Na 2 SO 4 , CaSO 4, BaSO 4, etc., and BeO, LiF, MgSO 4, CaF 2, etc. described in JP-A-52-30487 Phosphors, phosphors such as Li 2 B 4 O 7 : Cu, Ag described in JP-A-53-39277, Li 2 O. (Be 2 O 2 ) x described in JP-A-54-47883 Phosphors such as Cu and Ag, US Pat. No. 3,859,5 7 described in JP SrS: Ce, Sm, SrS: Eu, Sm, La 2 O 2 S: Eu, Sm and (Zn, Cd) S: phosphor can be cited represented by Mnx.

また、特開昭55−12142号に記載のZnS:Cu,Pb蛍光体、一般式がBaO・xAl23:Euで表されるアルミン酸バリウム蛍光体及び一般式がM(II)O・xSiO2:Aで表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。 Further, a ZnS: Cu, Pb phosphor described in JP-A-55-12142, a barium aluminate phosphor represented by the general formula BaO.xAl 2 O 3 : Eu, and a general formula represented by M (II) O. An alkaline earth metal silicate phosphor represented by xSiO 2 : A is exemplified.

また、特開昭55−12143号に記載の一般式が(Ba1-x-yMgxCay)Fx:Eu2+で表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開昭55−12144号に記載の一般式がLnOX:xAで表される蛍光体、特開昭55−12145号に記載の一般式が(Ba1-xM(II)x)Fx:yAで表される蛍光体、特開昭55−84389号に記載の一般式がBaFX:xCe,yAで表される蛍光体、特開昭55−160078号に記載の一般式がM(II)FX・xA:yLnで表される希土類元素賦活二価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ZnS:A、CdS:A、(Zn,Cd)S:A,Xで表される蛍光体、特開昭59−38278号に記載の下記の何れかの一般式で表される蛍光体、
一般式
xM3(PO42・NX2:yA
xM3(PO42:yA
特開昭59−155487号に記載の下記の何れかの一般式で表される蛍光体、
一般式
nReX3・mAX′2:xEu
nReX3・mAX′2:xEu,ySm
特開昭61−72087号に記載の一般式M(I)X・aM(II)X′2・bM(III)X″3:cAで表されるアルカリハライド蛍光体及び特開昭61−228400号に記載の一般式M(I)X:xBiで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。
Further, an alkaline earth fluorohalide phosphor represented by the general formula (Ba 1-xy Mg x Ca y ) F x : Eu 2+ described in JP-A-55-12143, The phosphor represented by the general formula described in No. 12144 is represented by LnOX: xA, and the general formula described in JP-A-55-12145 is represented by (Ba 1-x M (II) x ) F x : yA. Phosphor, a phosphor represented by the general formula described in JP-A-55-84389 as BaFX: xCe, yA, and a general formula described in JP-A-55-160078 as M (II) FX.xA: yLn Rare earth element activated divalent metal fluorohalide phosphors represented by general formulas ZnS: A, CdS: A, phosphors represented by (Zn, Cd) S: A, X, JP-A-59-38278 A phosphor represented by any one of the following general formulas:
General formula xM 3 (PO 4 ) 2 · NX 2 : yA
xM 3 (PO 4 ) 2 : yA
A phosphor represented by any one of the following general formulas described in JP-A-59-155487,
General formula nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu
nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu, ySm
JP 61-72087 general formulas described in JP-M (I) X · aM ( II) X '2 · bM (III) X "3: alkali halide phosphor and JP represented by cA 61-228400 Bismuth-activated alkali halide phosphors represented by the general formula M (I) X: xBi described in No. 1. In particular, alkali halide phosphors are columnar photostimulable phosphors by a method such as vapor deposition or sputtering. It is preferable because a layer is easily formed.

次に、本発明の前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体について説明する。   Next, the photostimulable phosphor represented by the general formula (1) of the present invention will be described.

本発明の前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体において、MIは、Na、K、Rb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子を表し、中でもRb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはCs原子である。 In the photostimulable phosphor represented by the general formula (1) of the present invention, M I represents at least one alkali metal atom selected from Na, K, Rb, and Cs atoms, among which Rb and At least one alkaline earth metal atom selected from each atom of Cs is preferable, and a Cs atom is more preferable.

2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Be、Mg、Ca、Sr及びBa等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。 M 2 represents at least one divalent metal atom selected from the atoms of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu, and Ni. Among these, Be, Mg, It is a divalent metal atom selected from each atom such as Ca, Sr and Ba.

3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInの各原子から選ばれる少なくとも1種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはY、Ce、Sm、Eu、Al、La、Gd、Lu、Ga及びIn等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。 M 3 is at least one selected from each atom of Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, and In. This represents a trivalent metal atom, but among them, a trivalent metal atom selected from each atom such as Y, Ce, Sm, Eu, Al, La, Gd, Lu, Ga, and In is preferable. .

AはEu、Tb、In、Ga、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgの各原子から選ばれる少なくとも1種の金属原子である。   A is at least selected from each atom of Eu, Tb, In, Ga, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, and Mg. One kind of metal atom.

輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、X、X′及びX″はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子を表すが、F、Cl及びBrから選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子が好ましく、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子がさらに好ましい。   From the viewpoint of improving the photostimulable emission brightness of the photostimulable phosphor, X, X ′, and X ″ each represent at least one halogen atom selected from F, Cl, Br, and I atoms. At least one halogen atom selected from Br is preferable, and at least one halogen atom selected from Br and I atoms is more preferable.

また、一般式(1)において、bは0≦b<0.5を表すが、好ましくは、0≦b≦10-2である。 In the general formula (1), b represents 0 ≦ b <0.5, and preferably 0 ≦ b ≦ 10 −2 .

本発明の一般式(1)で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる製造方法により製造される。   The photostimulable phosphor represented by the general formula (1) of the present invention is produced, for example, by the production method described below.

蛍光体原料としては、
(a)NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、CsF、CsCl、CsBr及びCsIから選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物が用いられる。
As a phosphor material,
(A) At least one compound selected from NaF, NaCl, NaBr, NaI, KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, CsCl, CsBr and CsI is used.

(b)MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCI2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaBr2・2H2O、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2の化合物から選ばれる少なくとも1種または2種以上の化合物が用いられる。 (B) MgF 2, MgCl 2 , MgBr 2, MgI 2, CaF 2, CaCl 2, CaBr 2, CaI 2, SrF 2, SrCI 2, SrBr 2, SrI 2, BaF 2, BaCl 2, BaBr 2, BaBr 2 2H 2 O, BaI 2 , ZnF 2 , ZnCl 2 , ZnBr 2 , ZnI 2 , CdF 2 , CdCl 2 , CdBr 2 , CdI 2 , CuF 2 , CuCl 2 , CuBr 2 , CuI, NiF 2 , NiCl 2 , NiBr At least one or two or more compounds selected from 2 and NiI 2 compounds are used.

(c)前記一般式(1)において、Eu、Tb、In、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMg等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。   (C) In the general formula (1), Eu, Tb, In, Cs, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu And a compound having a metal atom selected from each atom such as Mg.

一般式(1)で表される化合物において、aは0≦a<0.5、好ましくは0≦a<0.01、bは0≦b<0.5、好ましくは0≦b≦10-2、eは0<e≦0.2、好ましくは0<e≦0.1である。 In the compound represented by the general formula (1), a is 0 ≦ a <0.5, preferably 0 ≦ a <0.01, b is 0 ≦ b <0.5, preferably 0 ≦ b ≦ 10 −. 2 and e are 0 <e ≦ 0.2, preferably 0 <e ≦ 0.1.

上記の数値範囲の混合組成になるように前記(a)〜(c)の蛍光体原料を秤量し、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合する。   The phosphor materials (a) to (c) are weighed so as to have a mixed composition in the above numerical range, and sufficiently mixed using a mortar, ball mill, mixer mill or the like.

次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ルツボまたはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。   Next, the obtained phosphor raw material mixture is filled in a heat-resistant container such as a quartz crucible or an alumina crucible and fired in an electric furnace.

焼成温度は300〜1000℃が適当である。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、一般には0.5〜6時間が適当である。   The firing temperature is suitably 300 to 1000 ° C. The firing time varies depending on the filling amount of the raw material mixture, the firing temperature, and the like, but generally 0.5 to 6 hours is appropriate.

焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気或いは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。   The firing atmosphere includes a nitrogen gas atmosphere containing a small amount of hydrogen gas, a weak reducing atmosphere such as a carbon dioxide gas atmosphere containing a small amount of carbon monoxide, a neutral atmosphere such as a nitrogen gas atmosphere and an argon gas atmosphere, or a small amount of oxygen gas. A weak oxidizing atmosphere is preferred.

なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば蛍光体の発光輝度をさらに高めることができ好ましい。   After firing once under the aforementioned firing conditions, the fired product is taken out from the electric furnace and pulverized, and then the fired product powder is again filled in a heat-resistant container and placed in the electric furnace, and again under the same firing conditions as described above. Firing is preferable because it can further increase the light emission luminance of the phosphor.

また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気または中性雰囲気のままで冷却してもよい。   In addition, when the fired product is cooled to the room temperature from the firing temperature, the desired phosphor can be obtained by taking the fired product from the electric furnace and allowing it to cool in the air. You may cool in an atmosphere or neutral atmosphere.

また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気もしくは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。   In addition, by moving the fired product from the heating unit to the cooling unit in an electric furnace and quenching in a weak reducing atmosphere, neutral atmosphere or weak oxidizing atmosphere, the emission luminance due to the phosphor phosphors obtained can be increased. It can be further increased.

また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相成長法によって形成されることを特徴としている。   In addition, the photostimulable phosphor layer of the present invention is formed by a vapor phase growth method.

輝尽性蛍光体の気相成長法としては蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、その他の方法を用いることができる。   As a vapor phase growth method of the photostimulable phosphor, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, an ion plating method, and other methods can be used.

本発明においては、例えば、以下の方法が挙げられる。   In the present invention, for example, the following methods can be mentioned.

第1の方法の蒸着法は、まず、支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とする。次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。 In the vapor deposition method of the first method, first, after the support is installed in the vapor deposition apparatus, the inside of the apparatus is evacuated to a degree of vacuum of about 1.333 × 10 −4 Pa. Next, at least one of the photostimulable phosphors is heated and evaporated by a resistance heating method, an electron beam method, or the like to grow the photostimulable phosphor on the surface of the support to a desired thickness. As a result, a photostimulable phosphor layer containing no binder is formed, but it is also possible to form the photostimulable phosphor layer in a plurality of times in the vapor deposition step.

また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。   In the vapor deposition step, it is possible to co-evaporate using a plurality of resistance heaters or electron beams to synthesize the desired photostimulable phosphor on the support and simultaneously form the photostimulable phosphor layer. is there.

蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放射線画像変換パネルを製造することが好ましい。なお、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順をとってもよい。   It is preferable to manufacture the radiation image conversion panel of the present invention by providing a protective layer on the side opposite to the support side of the photostimulable phosphor layer, if necessary, after completion of the vapor deposition. In addition, after forming a photostimulable phosphor layer on a protective layer, a procedure for providing a support may be taken.

さらに、前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体(支持体、保護層または中間層)を冷却あるいは加熱してもよい。   Furthermore, in the vapor deposition method, the vapor deposition target (support, protective layer or intermediate layer) may be cooled or heated as necessary during vapor deposition.

また、蒸着終了後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、前記蒸着法においては必要に応じてO2、H2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。 Further, the stimulable phosphor layer may be heat-treated after the vapor deposition. In the vapor deposition method, reactive vapor deposition may be performed in which vapor deposition is performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 as necessary.

第2の方法としてのスパッタリング法は、蒸着法と同様、保護層または中間層を有する支持体をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して1.333×10-1Pa程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。 In the sputtering method as the second method, like the vapor deposition method, after a support having a protective layer or an intermediate layer is placed in the sputtering apparatus, the inside of the apparatus is once evacuated to about 1.333 × 10 −4 Pa. The degree of vacuum is set, and then an inert gas such as Ar or Ne is introduced into the sputtering apparatus as a sputtering gas to obtain a gas pressure of about 1.333 × 10 −1 Pa. Next, a stimulable phosphor layer is grown on the support to a desired thickness by sputtering using the stimulable phosphor as a target.

前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種の応用処理を用いることができる。   Various applied treatments can be used in the sputtering step as in the vapor deposition method.

第3の方法としてCVD法があり、また、第4の方法としてイオンプレーティング法がある。   The third method is a CVD method, and the fourth method is an ion plating method.

また、前記気相成長における輝尽性蛍光体層の成長速度は0.05〜300μm/分であることが好ましい。成長速度が0.05μm/分未満の場合には本発明の放射線画像変換パネルの生産性が低く好ましくない。また成長速度が300μm/分を越える場合には成長速度のコントロールがむずかしく好ましくない。   The growth rate of the stimulable phosphor layer in the vapor phase growth is preferably 0.05 to 300 μm / min. When the growth rate is less than 0.05 μm / min, the productivity of the radiation image conversion panel of the present invention is low, which is not preferable. If the growth rate exceeds 300 μm / min, it is difficult to control the growth rate.

放射線画像変換パネルを、前記の真空蒸着法、スパッタリイング法等により得る場合には、結着剤が存在しないので輝尽性蛍光体の充填密度を増大でき、感度、解像力の上で好ましい放射線画像変換パネルが得られ好ましい。   When the radiation image conversion panel is obtained by the above-described vacuum deposition method, sputtering method, etc., since there is no binder, the packing density of the photostimulable phosphor can be increased, which is preferable in terms of sensitivity and resolution. An image conversion panel is obtained and preferred.

前記輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から50〜1000μmであることが好ましく、より好ましくは100〜600μmであり、さらに好ましくは300〜600μmである。   The film thickness of the photostimulable phosphor layer is preferably 50 to 1000 μm from the viewpoint of obtaining the effects of the present invention, although it varies depending on the purpose of use of the radiation image conversion panel and the type of stimulable phosphor. More preferably, it is 100-600 micrometers, More preferably, it is 300-600 micrometers.

上記の気相成長法による輝尽性蛍光体層の作製にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、100℃以上に設定することが好ましく、さらに好ましくは150℃以上であり、特に好ましくは150〜400℃である。   In the production of the photostimulable phosphor layer by the vapor phase growth method described above, the temperature of the support on which the photostimulable phosphor layer is formed is preferably set to 100 ° C. or more, more preferably 150 ° C. or more. Yes, particularly preferably 150 to 400 ° C.

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層は、支持体上に前記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体を気相成長させて形成されることが好ましく、層形成時に該輝尽性蛍光体が柱状結晶を形成することがより好ましい。   The stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel of the present invention is preferably formed by vapor-phase growth of the stimulable phosphor represented by the general formula (1) on the support. Sometimes it is more preferred that the photostimulable phosphor forms columnar crystals.

蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成するためには、前記一般式(1)で表される化合物(輝尽性蛍光体)が用いられるが、中でもCsBr系蛍光体が特に好ましく用いられる。   In order to form a columnar photostimulable phosphor layer by a method such as vapor deposition or sputtering, the compound represented by the general formula (1) (stimulable phosphor) is used. Among them, a CsBr phosphor Is particularly preferably used.

また、本発明においては、柱状結晶が、主成分として下記一般式(2)で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。   In the present invention, the columnar crystal preferably has a stimulable phosphor represented by the following general formula (2) as a main component.

一般式(2)
CsX:A
一般式(2)において、XはBrまたはIを表し、AはEu、In、TbまたはCeを表す。
General formula (2)
CsX: A
In the general formula (2), X represents Br or I, and A represents Eu, In, Tb, or Ce.

ガラス支持体(以下、単に支持体ともいう)上に、気相堆積法により蛍光体層を形成する方法としては、輝尽性蛍光体の蒸気または該原料を供給し、蒸着等の気相成長(堆積)させる方法によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる。これらの場合において、支持体と坩堝との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて通常10〜60cmに設置するのが好ましい。   As a method for forming a phosphor layer on a glass support (hereinafter also simply referred to as a support) by vapor deposition, vapor of a stimulable phosphor or the raw material is supplied, and vapor deposition such as vapor deposition is performed. A photostimulable phosphor layer composed of independent long and narrow columnar crystals can be obtained by a method of (deposition). In these cases, it is preferable that the distance between the shortest part of the support and the crucible is usually set to 10 to 60 cm in accordance with the average range of the stimulable phosphor.

蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃により発した電子ビームの走査により行われるが、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。   The stimulable phosphor as an evaporation source is uniformly dissolved or formed by pressing or hot pressing and charged in a crucible. At this time, it is preferable to perform a degassing treatment. The method for evaporating the photostimulable phosphor from the evaporation source is performed by scanning the electron beam emitted from the electron gun, but it can also be evaporated by other methods.

また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。   The evaporation source is not necessarily a stimulable phosphor, and may be a mixture of a stimulable phosphor material.

また、蛍光体の母体に対して賦活剤を後からドープしてもよい。例えば、母体であるRbBrのみを蒸着した後、賦活剤であるTlをドープしてもよい。即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、MTFは低下しないからである。   Moreover, you may dope an activator afterwards with respect to the base material of fluorescent substance. For example, after depositing only RbBr as a base material, Tl as an activator may be doped. That is, since the crystals are independent, even if the film is thick, it can be sufficiently doped, and crystal growth hardly occurs, so the MTF does not decrease.

ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤(賦活剤)を熱拡散、イオン注入法によって行うことができる。   Doping can be performed by thermal diffusion and ion implantation of a doping agent (activator) in the base layer of the formed phosphor.

また、各柱状結晶間の間隙の大きさは30μm以下がよく、さらに好ましくは5μm以下がよい。即ち、間隙が30μmを越える場合は蛍光体層中のレーザー光の散乱が増加し、鮮鋭性が低下してしまう。   Further, the size of the gap between the columnar crystals is preferably 30 μm or less, more preferably 5 μm or less. That is, when the gap exceeds 30 μm, the scattering of the laser light in the phosphor layer increases and the sharpness decreases.

次に、本発明の輝尽性蛍光体層の形成を図2を用いて説明する。   Next, formation of the photostimulable phosphor layer of the present invention will be described with reference to FIG.

図2は、支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示す図であるが、輝尽性蛍光体蒸気流16を支持体面の法線方向に対する入射角度として0〜5°の範囲で入射することにより、柱状結晶が形成される。   FIG. 2 is a diagram showing a state where a photostimulable phosphor layer is formed by vapor deposition on a support, and the photostimulable phosphor vapor flow 16 is 0 to 5 as an incident angle with respect to the normal direction of the support surface. A columnar crystal is formed by incidence in the range of °.

このようにして支持体上に形成した輝尽性蛍光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルより層厚を薄くすることができる。さらに輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。   Since the photostimulable phosphor layer formed on the support in this way does not contain a binder, it has excellent directivity, high directivity of stimulated excitation light and stimulated emission, and high brightness. The layer thickness can be made thinner than that of a radiation image conversion panel having a dispersive stimulable phosphor layer in which a stimulable phosphor is dispersed in a binder. Further, the sharpness of the image is improved by reducing the scattering of the stimulating light in the stimulable phosphor layer.

また、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。   In addition, the gap between the columnar crystals may be filled with a filler or the like, and in addition to reinforcing the stimulable phosphor layer, it may be filled with a high light absorption substance, a high light reflectance substance, or the like. Thus, in addition to providing the above-mentioned reinforcing effect, it is effective for reducing the light diffusion in the lateral direction of the stimulated excitation light incident on the stimulable phosphor layer.

高反射率の物質とは、輝尽励起光(500〜900nm、特に600〜800nm)に対する反射率の高いものをいい、例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属等、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。   A highly reflective substance refers to a substance having a high reflectivity for stimulated excitation light (500 to 900 nm, particularly 600 to 800 nm), such as white pigment and green to red, such as aluminum, magnesium, silver, indium and other metals. Area colorants can be used.

高感度である放射線画像変換パネルを得る観点から、本発明の輝尽性蛍光体層の反射率は20%以上であることが好ましく、より好ましくは30%以上であり、特に好ましくは40%以上である。なお、上限は100%である。   From the viewpoint of obtaining a radiation image conversion panel having high sensitivity, the reflectance of the photostimulable phosphor layer of the present invention is preferably 20% or more, more preferably 30% or more, and particularly preferably 40% or more. It is. The upper limit is 100%.

本発明においては、基板上にアルミニウム等の光を反射するような鏡面処理(例えば、蒸着等)が行われている場合は、輝尽性蛍光体層の反射率を測定する。   In the present invention, when a mirror surface treatment (for example, vapor deposition) that reflects light such as aluminum is performed on the substrate, the reflectance of the stimulable phosphor layer is measured.

ここで、反射率の測定は、下記の測定装置を用い、下記の測定条件にて行うことができる。   Here, the reflectance can be measured under the following measurement conditions using the following measuring apparatus.

(測定装置)
HITACHI557型、Spectrophotometer
(測定条件)
測定光の波長 :680nm
スキャンスピード:120nm/min
繰り返し回数 :10回
レスポンス :自動設定
白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として、TiO2(アナターゼ型、ルチル型)、MgO、PbCO3・Pb(OH)2、BaSO4、Al23、M(II)FX(但し、M(II)はBa、Sr及びCaの中の少なくとも一種であり、XはCl、及びBrのうちの少なくとも一種である。)、CaCO3、ZnO、Sb23、SiO2、ZrO2、リトポン(BaSO4・ZnS)、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウム等が挙げられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させることができる。
(measuring device)
HITACHI 557, Spectrophotometer
(Measurement condition)
Measurement light wavelength: 680 nm
Scan speed: 120 nm / min
Number of repetitions: 10 times Response: automatic setting The white pigment can also reflect stimulated emission. As white pigments, TiO 2 (anatase type, rutile type), MgO, PbCO 3 .Pb (OH) 2 , BaSO 4 , Al 2 O 3 , M (II) FX (where M (II) is Ba, Sr and At least one of Ca, and X is at least one of Cl and Br.), CaCO 3 , ZnO, Sb 2 O 3 , SiO 2 , ZrO 2 , lithopone (BaSO 4 .ZnS), silicic acid Examples include magnesium, basic silicic acid sulfate, basic lead phosphate, and aluminum silicate. These white pigments have a strong hiding power and a high refractive index, so that it is possible to easily scatter scattered light by reflecting or refracting light, and to significantly improve the sensitivity of the resulting radiation image conversion panel. it can.

また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボンブラック、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄等及び青の色材が用いられる。このうちカーボンブラックは輝尽発光も吸収する。   Moreover, as a substance having a high light absorption rate, for example, carbon black, chromium oxide, nickel oxide, iron oxide and the like and a blue color material are used. Among these, carbon black absorbs stimulated light emission.

また、色材は、有機または無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー3G(ヘキスト製)、エストロールブリルブルーN−3RL(住友化学製)、D&CブルーNo.1(ナショナルアニリン製)、スピリットブルー(保土谷化学製)、オイルブルーNo.603(オリエント製)、キトンブルーA(チバガイギー製)、アイゼンカチロンブルーGLH(保土ヶ谷化学製)、レイクブルーAFH(協和産業製)、プリモシアニン6GX(稲畑産業製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化学製)、シアンブルーBNRCS(東洋インク製)、ライオノイルブルーSL(東洋インク製)等が用いられる。またカラーインデクスNo.24411、23160、74180、74200、22800、23154、23155、24401、14830、15050、15760、15707、17941、74220、13425、13361、13420、11836、74140、74380、74350、74460等の有機系金属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、TiO2−ZnO−Co−NiO系顔料が挙げられる。 The color material may be either an organic or inorganic color material. Examples of organic colorants include Zavon First Blue 3G (Hoechst), Estrol Brill Blue N-3RL (Sumitomo Chemical), D & C Blue No. 1 (made by National Aniline), Spirit Blue (made by Hodogaya Chemical), Oil Blue No. 1 603 (made by Orient), Kitten Blue A (made by Ciba Geigy), Eisen Katyron Blue GLH (made by Hodogaya Chemical), Lake Blue AFH (made by Kyowa Sangyo), Primocyanin 6GX (made by Inabata Sangyo), Brill Acid Green 6BH (Hodogaya) Chemical Blue), Cyan Blue BNRCS (Toyo Ink), Lionoyl Blue SL (Toyo Ink), etc. are used. The color index No. 24411, 23160, 74180, 74200, 22800, 23154, 23155, 24401, 14830, 15050, 15760, 15707, 17941, 74220, 13425, 13361, 13420, 11836, 74140, 74380, 74350, 74460, etc. Materials are also mentioned. Examples of inorganic color materials include ultramarine blue, cobalt blue, cerulean blue, chromium oxide, and TiO 2 —ZnO—Co—NiO pigments.

また、本発明の輝尽性蛍光体層は、保護層を有していてもよい。   Moreover, the photostimulable phosphor layer of the present invention may have a protective layer.

保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることもできる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、SiC、SiO2、SiN、Al23等の無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には0.1〜2000μm程度が好ましい。 The protective layer may be formed by directly applying a coating solution for the protective layer on the photostimulable phosphor layer, or a protective layer separately formed in advance may be adhered on the photostimulable phosphor layer. Or you may take the procedure of forming a photostimulable phosphor layer on the protective layer formed separately. Materials for the protective layer include cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, polyvinylidene chloride, nylon, polytetrafluoroethylene, polytrifluoride-ethylene chloride Ordinary protective layer materials such as tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer are used. In addition, a transparent glass substrate can be used as the protective layer. In addition, this protective layer may be formed by laminating inorganic substances such as SiC, SiO 2 , SiN, Al 2 O 3 by vapor deposition, sputtering, or the like. The thickness of these protective layers is generally preferably about 0.1 to 2000 μm.

図3は、本発明の放射線画像変換パネル及び放射線画像読み取り装置の構成の1例を示す概略図である。   FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the radiation image conversion panel and the radiation image reading apparatus according to the present invention.

図3において21は放射線発生装置、22は被写体、23は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、24は放射線画像変換パネル23の放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起光源、25は放射線画像変換パネル23より放出された輝尽発光を検出する光電変換装置、26は光電変換装置25で検出された光電変換信号を画像として再生する画像再生装置、27は再生された画像を表示する画像表示装置、28は輝尽励起光源24からの反射光をカットし、放射線画像変換パネル23より放出された光のみを透過させるためのフィルタである。なお、図3は被写体の放射線透過像を得る場合の例であるが、被写体22自体が放射線を放射する場合には、前記放射線発生装置21は特に必要ない。   In FIG. 3, 21 is a radiation generator, 22 is a subject, 23 is a radiation image conversion panel having a visible or infrared photostimulable phosphor layer containing a stimulable phosphor, and 24 is a radiation of the radiation image conversion panel 23. A stimulated excitation light source for emitting a latent image as stimulated emission, 25 is a photoelectric conversion device that detects the stimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 23, and 26 is a photoelectric conversion signal detected by the photoelectric conversion device 25. 27 is an image display device that displays the reconstructed image, and 28 is a device that cuts off the reflected light from the stimulating excitation light source 24 and transmits only the light emitted from the radiation image conversion panel 23. It is a filter to make it. FIG. 3 shows an example of obtaining a radiation transmission image of a subject. However, when the subject 22 itself emits radiation, the radiation generator 21 is not particularly necessary.

また、光電変換装置25以降は放射線画像変換パネル23からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、前記に限定されない。   The photoelectric conversion device 25 and the subsequent devices are not limited to the above as long as they can reproduce optical information from the radiation image conversion panel 23 as an image in some form.

図3に示されるように、被写体22を放射線発生装置21と放射線画像変換パネル23の間に配置し放射線Rを照射すると、放射線Rは被写体22の各部の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像RI(すなわち放射線の強弱の像)が放射線画像変換パネル23に入射する。この入射した透過像RIは放射線画像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによって輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した数の電子及び/または正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透過像のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち可視あるいは赤外領域の光を照射する輝尽励起光源24によって輝尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積された電子及び/または正孔を追い出し、蓄積されたエネルギーを輝尽発光として放出せしめる。この放出された輝尽発光の強弱は蓄積された電子及び/または正孔の数、すなわち放射線画像変換パネル23の輝尽性蛍光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置25で電気信号に変換し、画像再生装置26によって画像として再生し、画像表示装置27によってこの画像を表示する。画像再生装置26は単に電気信号を画像信号として再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、画像の記憶、保存等ができるものを使用するとより有効である。   As shown in FIG. 3, when the subject 22 is placed between the radiation generator 21 and the radiation image conversion panel 23 and irradiated with the radiation R, the radiation R is transmitted according to the change in the radiation transmittance of each part of the subject 22, A transmission image RI (that is, an image of the intensity of radiation) enters the radiation image conversion panel 23. The incident transmission image RI is absorbed by the photostimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23, so that a number of electrons and / or holes proportional to the amount of radiation absorbed in the photostimulable phosphor layer are generated. Occurs and accumulates at the trap level of the photostimulable phosphor. That is, a latent image in which the energy of the radiation transmission image is accumulated is formed. Next, this latent image is made visible by being excited with light energy. That is, the stimulable phosphor layer is irradiated with light in the visible or infrared region to irradiate the photostimulable phosphor layer, expelling electrons and / or holes accumulated at the trap level and stimulating the accumulated energy. Let it be released as. The intensity of the emitted stimulated emission is proportional to the number of accumulated electrons and / or holes, that is, the intensity of the radiation energy absorbed in the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 23. The optical signal is converted into an electric signal by a photoelectric conversion device 25 such as a photomultiplier tube, and is reproduced as an image by an image reproduction device 26, and this image is displayed by an image display device 27. The image reproduction device 26 is more effective not only for reproducing an electrical signal as an image signal but also using an apparatus that can perform so-called image processing, image calculation, image storage, storage, and the like.

また、光エネルギーで励起する際、輝尽励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放出される発光を受光する光電変換器は一般に600nm以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったものが望ましい。本発明の輝尽性蛍光体の発光波長域は300〜500nmであり、一方輝尽励起波長域は500〜900nmであるので前記の条件を同時に満たすが、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射画像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で、かつ、コンパクト化が容易な半導体レーザーが好まれ、そのレーザー光の波長は680nmであり、本発明の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、680nmの励起波長を用いた時に極めて良好な鮮鋭性を示すものである。   In addition, when excited by light energy, it is necessary to separate the reflected light of the stimulated excitation light from the stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer, and it is emitted from the stimulable phosphor layer. Photoelectric converters that receive light emission generally have high sensitivity to light energy with a short wavelength of 600 nm or less, so that the stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer has a spectral distribution in the short wavelength region as much as possible. What you have is desirable. The emission wavelength range of the photostimulable phosphor of the present invention is 300 to 500 nm, while the photostimulable excitation wavelength range is 500 to 900 nm, which satisfies the above-mentioned conditions at the same time. Recently, downsizing of diagnostic devices has progressed. A semiconductor laser that has a high output and is easy to make compact is preferred as the excitation wavelength used for image reading of the radiation image conversion panel, and the wavelength of the laser light is 680 nm, and is incorporated in the radiation image conversion panel of the present invention. The photostimulable phosphor exhibits extremely good sharpness when an excitation wavelength of 680 nm is used.

すなわち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれも500nm以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を固めることができる。   That is, all of the photostimulable phosphors of the present invention emit light having a main peak at 500 nm or less, and the excitation excitation light can be easily separated and coincides well with the spectral sensitivity of the light receiver. The sensitivity of the image receiving system can be solidified.

輝尽励起光源24としては、放射線画像変換パネル23に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザー光を用いると光学系が簡単になり、また、輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率を上げることができ、より好ましい結果が得られる。   As the excitation light source 24, a light source including the excitation wavelength of the stimulable phosphor used in the radiation image conversion panel 23 is used. In particular, when laser light is used, the optical system becomes simple, and the intensity of the stimulated excitation light can be increased, so that the photostimulated emission efficiency can be increased, and a more preferable result can be obtained.

本発明においては、輝尽性蛍光体層に照射されるレーザー径が100μm以下であることが好ましく、より好ましくは80μm以下である。   In the present invention, the laser diameter irradiated to the photostimulable phosphor layer is preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less.

レーザーとしては、He−Neレーザー、He−Cdレーザー、Arイオンレーザー、Krイオンレーザー、N2レーザー、YAGレーザー及びその第2高調波、ルビーレーザー、半導体レーザー、各種の色素レーザー、銅蒸気レーザー等の金属蒸気レーザー等がある。通常はHe−NeレーザーやArイオンレーザーのような連続発振のレーザーが望ましいが、パネル1画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザーを用いることもできる。また、フィルタ28を用いずに特開昭59−22046号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザーを用いて変調するよりもパルス発振のレーザーを用いる方が好ましい。 As the laser, the He-Ne laser, the He-Cd laser, Ar ion laser, Kr ion laser, N 2 laser, YAG laser and its second harmonic, ruby laser, semiconductor lasers, various dye lasers, copper vapor laser, etc. There are metal vapor lasers. Usually, a continuous wave laser such as a He—Ne laser or an Ar ion laser is desirable, but a pulsed laser can also be used if the scanning time and the pulse of one pixel of the panel are synchronized. In addition, when using a method of separating light emission using a delay of light emission as shown in JP-A-59-22046 without using the filter 28, a pulsed laser is used rather than modulation using a continuous wave laser. It is preferable to use it.

上記の各種レーザー光源の中でも、半導体レーザーは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。   Among the various laser light sources described above, the semiconductor laser is particularly preferably used because it is small and inexpensive and does not require a modulator.

フィルタ28としては、放射線画像変換パネル23から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカットするものであるから、これは放射線画像変換パネル23に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起光源24の波長の組合わせによって決定される。   Since the filter 28 transmits the stimulated luminescence emitted from the radiation image conversion panel 23 and cuts the stimulated excitation light, the filter 28 emits the luminescent phosphor of the stimulable phosphor contained in the radiation image conversion panel 23. It is determined by the combination of the exhaust emission wavelength and the wavelength of the stimulated excitation light source 24.

例えば、輝尽励起波長が500〜900nmで輝尽発光波長が300〜500nmにあるような実用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては、例えば、東芝社製C−39、C−40、V−40、V−42、V−44、コーニング社製7−54、7−59、スペクトロフィルム社製BG−1、BG−3、BG−25、BG−37、BG−38等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。また、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置25としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。   For example, in the case of a practically preferable combination in which the excitation wavelength is 500 to 900 nm and the emission wavelength is 300 to 500 nm, examples of the filter include C-39, C-40, and V- 40, V-42, V-44, Corning 7-54, 7-59, Spectrofilm BG-1, BG-3, BG-25, BG-37, BG-38, etc. A filter can be used. When an interference filter is used, a filter having an arbitrary characteristic can be selected and used to some extent. The photoelectric conversion device 25 may be any device capable of converting a change in light quantity into a change in electronic signal, such as a photoelectric tube, a photomultiplier tube, a photodiode, a phototransistor, a solar cell, or a photoconductive element.

以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.

実施例
〔放射線画像変換パネルの作製〕
(下引き樹脂層塗布液1の調製)
ポリエステル樹脂(東洋紡(株)製、バイロン63SS)と架橋剤として多官能イソシアネート化合物であるコロネート3041(日本ポリエレタン工業(株)製)とを混合し、この混合物をメチルエチルケトン/トルエンの1/1混合溶媒に添加し、プロペラミキサーによって分散して下引き樹脂層塗布液1を調製した。
Example [Production of Radiation Image Conversion Panel]
(Preparation of undercoat resin layer coating solution 1)
A polyester resin (Toyobo Co., Ltd., Byron 63SS) and a polyfunctional isocyanate compound, Coronate 3041 (manufactured by Nippon Polyeletan Kogyo Co., Ltd.), are mixed as a crosslinking agent, and this mixture is mixed with methyl ethyl ketone / toluene 1/1 Was added to and dispersed by a propeller mixer to prepare an undercoat resin layer coating solution 1.

(下引き樹脂層塗布液2〜5の調製)
下引き樹脂層塗布液1の調製において、平均表面粗さRa及び膜厚を表1に示す値になるように混合溶媒量を調整し、他は同様にして下引き樹脂層塗布液2〜5を調製した。
(Preparation of undercoat resin layer coating solutions 2 to 5)
In the preparation of the undercoat resin layer coating solution 1, the amount of the mixed solvent is adjusted so that the average surface roughness Ra and the film thickness are the values shown in Table 1, and the others are similarly applied. Was prepared.

(下引き樹脂層の塗設)
厚さ500μm、10cm四方のアルミ板支持体上に、上記調製した下引き樹脂層塗布液1〜5を、それぞれ乾燥膜厚が表1に示す値になるようにナイフコーターを用いて塗布し、150℃、2時間乾燥し、下引き樹脂層付き支持体を得た。
(Coating of undercoat resin layer)
On the aluminum plate support having a thickness of 500 μm and a 10 cm square, the above-prepared undercoat resin layer coating solutions 1 to 5 were applied using a knife coater so that the dry film thickness was a value shown in Table 1, respectively. It dried at 150 degreeC for 2 hours, and obtained the support body with an undercoat resin layer.

(放射線画像変換パネル1〜5の作製)
上記調製した下引き樹脂層付き支持体上に、図4に示した蒸着装置を用いて輝尽性蛍光体(CsBr:Eu)を有する輝尽性蛍光体層を形成した。
(Production of radiation image conversion panels 1 to 5)
A stimulable phosphor layer having a stimulable phosphor (CsBr: Eu) was formed on the prepared support with an undercoat resin layer using the vapor deposition apparatus shown in FIG.

図4に示した蒸着装置を使用し、アルミニウム製のスリットを用い、支持体とスリットとの距離dを60cmとして、上記アルミ板支持体と平行な方向に、蛍光体原料(CsBr:Eu)の入ったルツボを搬送しながら蒸着を行ない、輝尽性蛍光体層の厚みが300μmになるように調整した。   Using the vapor deposition apparatus shown in FIG. 4, using an aluminum slit and setting the distance d between the support and the slit to 60 cm, the phosphor raw material (CsBr: Eu) is parallel to the aluminum plate support. Vapor deposition was performed while the crucible contained therein was conveyed, and the thickness of the stimulable phosphor layer was adjusted to 300 μm.

なお、蒸着にあたっては、前記支持体を蒸着器内に設置し、次いで、蛍光体原料(CsBr:Eu)を蒸着源としてプレス成形し水冷したルツボに入れた。その後、蒸着器内を一旦排気し、その後N2ガスを導入し0.133Paに真空度を調整した後、支持体の温度(基板温度ともいう)を約240℃に保持しながら、蒸着した。輝尽性蛍光体層の膜厚が300μmとなったところで蒸着を終了し、放射線画像変換パネル試料1〜5を得た。 In the vapor deposition, the support was placed in a vapor deposition device, and then, the phosphor raw material (CsBr: Eu) was press-molded using a vapor deposition source and placed in a water-cooled crucible. Thereafter, the inside of the vapor deposition device was once evacuated, then N 2 gas was introduced and the degree of vacuum was adjusted to 0.133 Pa, and then vapor deposition was performed while maintaining the temperature of the support (also referred to as the substrate temperature) at about 240 ° C. When the thickness of the photostimulable phosphor layer reached 300 μm, the vapor deposition was terminated, and radiation image conversion panel samples 1 to 5 were obtained.

〔放射線画像変換パネルの評価〕
以上のようにして作製した放射線画像変換パネルについて、下記の方法に従って、剥離性、鮮鋭性及び鮮鋭性の経時安定性の評価を行った。
[Evaluation of radiation image conversion panel]
About the radiographic image conversion panel produced as mentioned above, according to the following method, peelability, sharpness, and the temporal stability of sharpness were evaluated.

(剥離性)
輝尽性蛍光体層を蒸着により下向き結晶を成長させ形成する際の、結晶の落下の有無を目視で調べた。
(Peelability)
When the stimulable phosphor layer was formed by growing a downward crystal by vapor deposition, the presence or absence of the crystal was visually examined.

(鮮鋭性)
鮮鋭性は、変調伝達関数(MTF)を求め評価した。MTFは放射線画像変換パネルにCTFチャートを貼りつけた後、80kVpのX線を10mR(被写体までの距離;1.5m)照射した後、輝尽性蛍光体層を有する面側から半導体レーザ光(680nm、パネル上でのパワー40mW、直径100μmφ)を照射して、CTFチャート像を走査し読み取って求めた。表1の値は、2.0lp/mmにおけるMTF値を示す。この場合、MTF値は高いほど鮮鋭性がよい。
(Sharpness)
Sharpness was evaluated by obtaining a modulation transfer function (MTF). After attaching a CTF chart to the radiation image conversion panel, the MTF is irradiated with 80 kVp X-rays at a distance of 10 mR (distance to the subject; 1.5 m), and then the semiconductor laser light (from the side having the stimulable phosphor layer) The CTF chart image was scanned and read by irradiating with 680 nm, a power of 40 mW on the panel, and a diameter of 100 μmφ. The values in Table 1 indicate MTF values at 2.0 lp / mm. In this case, the higher the MTF value, the better the sharpness.

(鮮鋭性の経時安定性)
作製した放射線画像変換パネルを30℃、80%RHの雰囲気下で240時間保存後、上記と同じ方法で鮮鋭性を測定し、鮮鋭性(経時後)/鮮鋭性(経時前)を鮮鋭性の経時安定性とした。この値は1に近いほど経時安定性が高いことを示す。
(Sharpness stability over time)
The prepared radiation image conversion panel was stored for 240 hours in an atmosphere of 30 ° C. and 80% RH, and then the sharpness was measured by the same method as described above, and the sharpness (after time) / sharpness (before time) It was defined as stability over time. The closer this value is to 1, the higher the stability over time.

Figure 2006125854
Figure 2006125854

表より、本発明の放射線画像変換パネルは比較例に比べ、剥離性、鮮鋭性及び鮮鋭性の経時安定性に優れていることが分かる。   From the table, it can be seen that the radiation image conversion panel of the present invention is superior in peelability, sharpness, and sharpness over time as compared with the comparative example.

支持体上に形成した柱状結晶形状の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the columnar crystal shape formed on the support body. 支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of a mode that a photostimulable phosphor layer is formed by vapor deposition on a support body. 本発明の放射線画像変換パネル及び放射線画像読み取り装置の構成の1例を示す概略図である。It is the schematic which shows one example of a structure of the radiographic image conversion panel and radiographic image reading apparatus of this invention. 蒸着により支持体上に輝尽性蛍光体層を形成する方法の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the method of forming a photostimulable fluorescent substance layer on a support body by vapor deposition.

符号の説明Explanation of symbols

1 支持体
2 柱状結晶
3 結晶成長方向の中心を通る垂線
4 結晶先端断面部の接線
5 柱状結晶の結晶径
15 支持体ホルダ
21 放射線発生装置
22 被写体
23 放射線画像変換パネル
24 輝尽励起光源
25 光電変換装置
26 画像再生装置
27 画像表示装置
28 フィルタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Support body 2 Columnar crystal 3 Perpendicular through the center of crystal growth direction 4 Tangent line of crystal | crystallization tip cross-section part 5 Crystal diameter of columnar crystal 15 Support body holder 21 Radiation generator 22 Subject 23 Radiation image conversion panel 24 Photoexcitation light source 25 Photoelectric Conversion device 26 Image reproduction device 27 Image display device 28 Filter

Claims (4)

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、支持体と該輝尽性蛍光体層との間に、平均表面粗さRaが0.01〜0.05μmで、かつ膜厚が0.5〜10μmである下引き樹脂層を設けることを特徴とする放射線画像変換パネル。 In a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer on a support, an average surface roughness Ra is 0.01 to 0.05 μm and a film between the support and the photostimulable phosphor layer. A radiation image conversion panel comprising an undercoat resin layer having a thickness of 0.5 to 10 μm. 前記下引き樹脂層の膜厚が1〜5μmであることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換パネル。 The radiation image conversion panel according to claim 1, wherein the thickness of the undercoat resin layer is 1 to 5 μm. 前記輝尽性蛍光体層が、下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の放射線画像変換パネル。
一般式(1)
1X・aM2X′2:eA、A″
(式中、M1はLi、Na、K、Rb及びCsの各原子から選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属原子であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiの各原子から選ばれる少なくとも1種の二価金属原子であり、X、X′はF、Cl、Br及びIの各原子から選ばれる少なくとも1種のハロゲン原子であり、A及びA″はEu、Tb、In、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm及びYの各原子から選ばれる少なくとも1種の希土類原子であり、a、eはそれぞれ0≦a<0.5、0<e≦0.2の範囲の数値を表す。)
The radiation image conversion panel according to claim 1 or 2, wherein the stimulable phosphor layer contains a stimulable phosphor represented by the following general formula (1).
General formula (1)
M 1 X · aM 2 X ′ 2 : eA, A ″
(In the formula, M 1 is at least one alkali metal atom selected from Li, Na, K, Rb and Cs atoms, and M 2 is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu. And at least one divalent metal atom selected from each atom of Ni, and X and X ′ are at least one halogen atom selected from each atom of F, Cl, Br and I, and A and A ″ Is at least one rare earth atom selected from each atom of Eu, Tb, In, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm and Y, and a and e are respectively (Numerical values in the range of 0 ≦ a <0.5 and 0 <e ≦ 0.2)
請求項1〜3のいずれか1項に記載の放射線画像変換パネルを、少なくとも一層の輝尽性蛍光体層が気相成長法(気相堆積法ともいう)により50〜1mmの膜厚になるように形成することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 The radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 3, wherein at least one of the photostimulable phosphor layers has a thickness of 50 to 1 mm by a vapor deposition method (also referred to as a vapor deposition method). The manufacturing method of the radiographic image conversion panel characterized by forming like this.
JP2004310612A 2004-10-26 2004-10-26 Radiation image conversion panel, and manufacturing method therefor Pending JP2006125854A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004310612A JP2006125854A (en) 2004-10-26 2004-10-26 Radiation image conversion panel, and manufacturing method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004310612A JP2006125854A (en) 2004-10-26 2004-10-26 Radiation image conversion panel, and manufacturing method therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006125854A true JP2006125854A (en) 2006-05-18

Family

ID=36720759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004310612A Pending JP2006125854A (en) 2004-10-26 2004-10-26 Radiation image conversion panel, and manufacturing method therefor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006125854A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008180627A (en) * 2007-01-25 2008-08-07 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Radiation image conversion panel, method for manufacturing it and radiography system
US7638785B2 (en) 2007-01-25 2009-12-29 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Reading system for radiation image conversion panel and radiation image conversion panel
US7718986B2 (en) 2007-01-25 2010-05-18 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation image conversion panel, production method of the same, and X-ray image capturing system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008180627A (en) * 2007-01-25 2008-08-07 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Radiation image conversion panel, method for manufacturing it and radiography system
US7638785B2 (en) 2007-01-25 2009-12-29 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Reading system for radiation image conversion panel and radiation image conversion panel
US7718986B2 (en) 2007-01-25 2010-05-18 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation image conversion panel, production method of the same, and X-ray image capturing system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5476991B2 (en) Radiation image conversion panel, manufacturing method therefor, and X-ray imaging system
JP2004279086A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
US7053385B2 (en) Radiographic image conversion panel and method for manufacturing the same
JP4770737B2 (en) Radiation image conversion panel
JP4304998B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP4650433B2 (en) Radiation image conversion panel reading system and radiation image conversion panel
JP2005083792A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
JP3915593B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2006125854A (en) Radiation image conversion panel, and manufacturing method therefor
JP4475106B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP4259035B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2008116462A (en) Radiographic image conversion panel, and manufacturing method of radiographic image conversion panel
JP4079073B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2006064383A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
JP4828771B2 (en) Radiation image conversion panel
JP2008203252A (en) Radiation image conversion panel, its manufacturing method, and x-ray photographing system
JP3807347B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2007057306A (en) Radiation image conversion panel using stimulable phosphor and method for manufacturing it
JP2007024817A (en) Radiological image conversion panel and its manufacturing method
JP5360160B2 (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2006064382A (en) Radiation image conversion panel and method for manufacturing it
JP2004301819A (en) Radiation image conversion panel, and manufacturing method for radiation image conversion panel
JP2003270395A (en) Radiogram conversion panel
JP2008180627A (en) Radiation image conversion panel, method for manufacturing it and radiography system
JP2004085430A (en) Radiation image transformation panel, and manufacturing method for radiation image transformation panel