JP2007048594A - 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法 - Google Patents

色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007048594A
JP2007048594A JP2005231826A JP2005231826A JP2007048594A JP 2007048594 A JP2007048594 A JP 2007048594A JP 2005231826 A JP2005231826 A JP 2005231826A JP 2005231826 A JP2005231826 A JP 2005231826A JP 2007048594 A JP2007048594 A JP 2007048594A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dye
film
solar cell
sensitized solar
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005231826A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4966525B2 (ja
Inventor
Kozo Miyoshi
三好  幸三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Enplas Corp
Original Assignee
Enplas Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Enplas Corp filed Critical Enplas Corp
Priority to JP2005231826A priority Critical patent/JP4966525B2/ja
Priority to US11/500,021 priority patent/US8110740B2/en
Priority to EP06016556A priority patent/EP1753000A3/en
Publication of JP2007048594A publication Critical patent/JP2007048594A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4966525B2 publication Critical patent/JP4966525B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2095Light-sensitive devices comprising a flexible sustrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2027Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】 色素増感型太陽電池の光電極基板の透明電極膜から半導体層への逆電子移動を防止するとともに光電変換用の光量の減少を防止し、色素増感型太陽電池の発電特性を向上させることができる、色素増感型太陽電池の光電極基板を提供する。
【解決手段】 光電極基板2と対向電極基板3の対向電極との間に電解質4が封入された色素増感型太陽電池1において、基板部材5の表面に形成された透明電極膜6上に、チタンなどの金属部分7aとその金属の酸化物部分7bとからなる複合膜7が形成され、この複合膜7上に多孔性半導体電極膜8が形成され、この多孔性半導体電極膜8に増感色素8aが吸着・担持され、複合膜7の金属部分7aが多孔性半導体電極膜8に接触し、複合膜7の酸化物部分7bが多孔性半導体電極膜8に接触しないで電解質4に接触している。
【選択図】 図1

Description

本発明は、色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法に関し、特に、光電極基板と対向電極基板の対向電極との間に電解質が封入された色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法に関する。
近年、環境問題の観点から、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池が注目を集めており、特に、製造コストを低くすることができることから、色素増感型太陽電池が注目を集めている。従来の色素増感型太陽電池は、光電変換効率が低いために実用性に乏しかったが、最近、半導体電極を多孔質化して表面積を大きくすることにより、多量の色素を吸着させて、飛躍的に光電変換効率を向上させる技術が開発されている(例えば、特許文献1参照)。
このような技術を用いた色素増感型太陽電池として、図4に模式的に示すように、光電極基板102と、対向電極基板103と、これらの間に封入された電解液104とから構成された色素増感型太陽電池101が知られている。この色素増感型太陽電池101の光電極基板102は、基板部材105と、この基板部材105の表面105aに形成された透明電極膜106と、この透明導電膜106上に形成された酸化チタンなどからなる多孔性半導体電極膜108とから構成され、この多孔性半導体電極膜108に色素が吸着している。なお、多孔性半導体電極膜108は、透明電極膜106上に半導体粒子を含有する懸濁液を塗布し、乾燥した後に焼成することによって形成されている。一方、色素増感型太陽電池101の対向電極基板103は、対向基板部材110と、この対向基板部材110上に白金などの触媒をコーティングすることによって形成された対向電極111とから構成されている。この対向電極111と多孔性半導体電極膜108が所定の間隔で離間して対向するように基板部材105と対向基板部材110が配置され、対向電極111と多孔性半導体電極膜108の間に電解液104が封入されて、色素増感型太陽電池101が構成されている。この色素増感型太陽電池101では、多孔性半導体電極膜108の表面に吸着されている色素分子が光を吸収して、半導体に電子を注入し、多孔性半導体電極膜108側が負極になって発電するようになっている。
特表平5−504023号公報(第1頁、図1)
しかし、上述した従来の色素増感型太陽電池101では、多孔性半導体電極膜108から透明電極膜106までの電子の移動が拡散によって行われるため、透明電極膜106から半導体層への逆電子移動も同時に生じてしまい、多孔性半導体電極膜108内の電子の滞在時間が長くなり、その電子と色素との再結合の確率が増大するため、結果的に色素増感太腸電池101の発電特性が低下するという問題がある。
したがって、本発明は、色素増感型太陽電池の光電極基板の透明電極膜から半導体層への逆電子移動を防止するとともに光電変換用の光量の減少を防止し、色素増感型太陽電池の発電特性を向上させることができる、色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、光電極基板の透明電極膜と対向電極基板の対向電極との間に電解質が封入され、増感色素を吸着または担持する多孔性半導体電極膜が透明電極膜上に形成された色素増感型太陽電池において、金属部分とその金属の酸化物部分とからなる複合膜を介して多孔性半導体電極膜を透明電極膜上に形成することにより、色素増感型太陽電池の光電極基板の透明電極膜から半導体層への逆電子移動を防止するとともに光電変換用の光量の減少を防止し、色素増感型太陽電池の発電特性を向上させることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明による色素増感型太陽電池の光電極基板は、基板部材と、この基板部材上に形成された透明電極膜と、この透明電極膜上に形成され、金属部分とその金属の酸化物部分とからなる複合膜と、この複合膜上に形成された多孔性半導体電極膜と、この多孔性半導体電極膜に吸着または担持された増感色素とを備えたことを特徴とする。この色素増感型太陽電池の光電極基板において、多孔性半導体電極膜が、複合膜の金属部分に接触し且つ酸化物部分に接触していないのが好ましい。また、金属がチタンまたはタンタルであるのが好ましく、複合膜の厚さが1〜100nmであるのが好ましい。
また、本発明による色素増感型太陽電池は、上記の光電極基板と、この光電極基板の多孔性半導体電極膜に対向して配置された対向電極を備えた対向電極基板と、この対向電極基板と光電極基板の間に封入された電解質とからなり、複合膜の酸化物部分が電解質に接触していることを特徴とする。
さらに、本発明による色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法は、基板部材上に透明電極膜を形成する工程と、この透明電極膜上に金属膜を形成する工程と、この金属膜上に多孔性半導体電極膜を形成する工程と、金属膜の一部を酸化して金属部分とその金属の酸化物部分とからなる複合膜を形成する工程と、多孔性半導体電極膜に増感色素を吸着または担持させる工程とを備えたことを特徴とする。この色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法において、金属膜の酸化が陽極酸化であるのが好ましい。この場合、複合膜を形成する工程が、金属膜上に多孔性半導体電極膜を形成する工程の後に行われるのが好ましい。あるいは、金属膜の酸化を熱酸化とし、多孔性半導体電極膜を焼成法によって形成してもよい。この場合、複合膜を形成する工程を、金属膜上に多孔性半導体電極膜を形成する工程と同時に行ってもよい。また、金属がチタンまたはタンタルであるのが好ましく、金属膜の厚さが1〜100nmであるのが好ましい。
本発明によれば、チタンなどの金属部分と酸化チタンなどの酸化物部分(透明な酸化物の部分)からなる複合膜を透明電極膜上に形成し、その複合膜の金属部分と酸化チタンなどからなる多孔性半導体電極膜との接触(金属と半導体との接触)をショットキー接触にして整流特性が現れるようにするとともに、複合膜の多孔性半導体電極膜と接触しない部分を透明な酸化物部分にして光電変換用の光量の減少を防止することができる。すなわち、複合膜の金属部分では、多孔性半導体膜から透明電極側に電子を移動し易いのに対して、その逆方向には電子が移動し難くなり、これによって、透明電極膜から半導体層への逆電子移動を防止することができるとともに、電子と色素との再結合の確率を減少させることができ、また、複合膜の透明な酸化物部分では、光電変換用の光量の減少を防止することができ、その結果、太陽電池の発電効率を向上させることができる。
本発明によれば、色素増感型太陽電池の光電極基板の透明電極膜から半導体層への逆電子移動を防止するとともに光電変換用の光量の減少を防止し、色素増感型太陽電池の発電特性を向上させることができる、色素増感型太陽電池の光電極基板を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明による色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明による色素増感型太陽電池の実施の形態を模式的に示している。図1に示すように、本実施の形態の色素増感型太陽電池1は、光電極基板2と、対向電極基板3と、これらの間に封入された電解質4とから構成されている。光電極基板2は、透明のプラスチック製の基板部材5と、この基板部材5の表面5aに形成された透明電極膜6と、この透明電極膜6上に形成された複合膜7と、この複合膜7上に形成され、増感色素8aを吸着・担持する多孔性半導体電極膜8とから構成されている。複合膜7は、チタンからなる金属部分7aと、酸化チタンからなる酸化物部分7bとからなり、金属部分7aが多孔性半導体電極膜8に接触し、酸化物部分7bが多孔性半導体電極膜8に接触しないで電解質4に接触している。一方、対向電極基板3は、プラスチック製の対向基板部材10と、この対向基板部材10の表面10aに形成された対向電極11とから構成されている。なお、基板部材5および対向基板部材10は、アクリル、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリオレフィン、ポリカーボネート(PC)などのプラスチックにより形成されている。
上述した構造の色素増感型太陽電池1は、以下のように製造することができる。
まず、アルゴンガスと微量の酸素ガスを導入した(図示しない)真空装置内において、酸化インジウム錫(以下、「ITO」という)をターゲット材とし、高周波放電により生成したプラズマを使用してスパッタリング処理を施すことにより、図2Aに示すように、光電極基板2の透明のプラスチック製の基板部材5の表面5a上にITOからなる透明電極膜6を成膜する。
次に、透明電極膜6が形成された基板部材5を、ターゲット材としてのチタンとともに真空装置内に入れ、この真空装置内にアルゴンガスを導入し、高周波放電により生成したプラズマを使用してスパッタリング処理を施し、図2Bに示すように、透明電極膜6上にチタンからなる金属膜7’を形成する。この真空装置内でチタンの成膜作業を連続して行うことにより、透明電極膜6と金属膜7’との界面に不純物などのバリア層を生じることがなく、金属膜7’を透明電極膜6上に積層して形成することができる。なお、金属膜7’は、スパッタリング法の代わりに蒸着法やイオンプレーティング法などにより形成してもよい。
次に、図2Cに示すように、金属膜7’上に、二酸化チタン(TiO)からなる多孔性半導体電極膜8を焼成法により形成する。なお、多孔性半導体電極膜8は、二酸化チタンの代わりに酸化亜鉛などにより形成してもよく、焼成法の代わりに電析法や水熱処理法などにより形成してもよい。
次に、プラズマ陽極酸化法により金属膜7’の酸化処理を行う。このプラズマ陽極酸化は、真空装置内において、透明電極膜6、金属膜7’および多孔性半導体電極膜8が順次形成された基板部材5を陽極に設置した後、酸素ガスを導入し、高周波放電により生じたプラズマを使用して行う。このように、基板部材5を陽極に設置することにより、酸素の負イオンが基板部材5に入射し、金属膜7’の多孔性半導体電極膜8で覆われていない部分と結合し、その部分が酸化チタン(TiO)になる。その結果、図2Dに示すように、金属膜7’の多孔性半導体電極膜8で覆われている部分は酸化されずに金属部分7aのままであり、多孔性半導体電極膜8で覆われていない部分が酸化物部分7bになり、金属部分7aとその金属の酸化物部分7bとからなる複合膜7が形成される。
なお、陽極酸化による金属膜7’の酸化処理は、上述したプラズマ陽極酸化法に限らず、湿式の陽極酸化法を使用してもよい。湿式の陽極酸化により金属膜7’の酸化処理を行う場合は、陰極に白金電極を設置し、これに対向するように陽極に基板部材5を設置し、これらを電解液中に浸漬する。そして、基板部材5の表面5aの金属膜7’と白金電極を電気的に接続した後、この基板部材5の金属膜7’と白金電極の間に電位差を生じさせる。これにより、白金電極上から水素が発生し、金属膜7’に酸素が取り込まれて、金属膜7’の多孔性半導体電極膜8で覆われていない部分が酸化物部分7bになる(図2D参照)。
以上のように、プラズマ陽極酸化法や湿式の陽極酸化法(以下、単に陽極酸化法と略称する)により形成された酸化チタンなどの酸化物部分7bは、原理的に金属膜7’の表面に対して垂直な方向に成長するため、結晶方向が揃った緻密な膜になる。また、陽極酸化法により形成された酸化物部分7bは、結晶の成長方向が一方向に揃った結晶系(例えばアナターゼ型)になり、色素増感型太陽電池1に使用される多孔性半導体電極膜8と一致する。
次に、多孔性半導体電極膜8に、光電変換機能を有する増感色素(例えば、ルテニウム錯体など)を吸着・担持させる。
このように、光電極基板2は、基板部材5の表面5a上に、透明電極膜6と、複合膜7と、増感色素を吸着・担持する多孔性半導体電極膜8とを順次積層することにより形成される。
一方、対向基板部材10の表面10aに、白金からなる対向電極11をコーティングすることにより、図1に示すように、対向基板部材10の表面10aに白金の対向電極11を備えた対向電極基板3を形成する。なお、対向電極11として、白金の代わりに黒鉛を使用してもよい。
このようにして形成された光電極基板2の多孔性半導体電極膜8と対向電極基板3の対向電極11が対向するように配置し、多孔性半導体電極膜8と対向電極11との間に電解質4を封入して、本実施の形態の色素増感型太陽電池1が完成する(図1参照)。なお、電解質4としては、通常、ヨウ素−ヨウ素化合物、臭素−臭素化合物などの酸化還元対を含有するレドックス電解液を使用することができる。
このようにして形成された色素増感型太陽電池1では、外部から太陽光が光電極基板2に入射すると、多孔性半導体膜8に吸着・担持された増感色素8aが励起され、電子が基底状態から励起状態へ遷移する。励起された増感色素8aの電子は、多孔性半導体電極膜8を構成するTiOの伝導帯に注入され、金属部分とその金属の酸化物部分とからなる複合膜7を経由して透明電極膜6に移動し、この透明電極膜6から(図示しない)外部回路を経由して対向電極11に移動する。この対向電極11に移動した電子は、(電解質4としてヨウ素−ヨウ素化合物を含有するレドックス電解液を使用した場合に)電解質4中の三ヨウ化物イオンを還元してヨウ化物イオンにする。この還元されたヨウ化物イオンは、再び増感色素によって酸化され、増感色素に電子を戻す。このような作用を繰り返して電気エネルギーが取り出される。
以上のような本実施の形態の色素増感型太陽電池1では、透明電極膜6上に形成された複合膜7のチタンからなる金属部分7aと多孔性半導体電極膜8との接触がショットキー接触になって整流特性を示す。すなわち、多孔性半導体電極膜8から透明電極膜6側に電子が移動し易いのに対して、その逆方向には電子が移動し難くなり、これによって、透明電極膜6から半導体層への逆電子移動を防止することができるとともに、電子と色素との再結合の確率を減少させることができる。
また、本実施の形態の色素増感型太陽電池1の光電極基板2では、複合膜7の金属部分7aは可視光を反射および吸収する材料からなるが、金属部分7aの大きさ(複合膜7の多孔性半導体電極膜8に対向する面に沿った方向の金属部分7aの大きさ)は、多孔性半導体電極膜8を構成する二酸化チタン(TiO)の粒径(数十nm程度)に依存し、可視光の波長380nm〜770nmに対して十分に小さいため、複合膜7の金属部分7aによって反射および吸収される光量は、複合膜7を透過する光量に対して無視し得る程度である。また、複合膜7の酸化物部分7bは酸化チタンなどの透明材料からなり、入射光を十分に透過させる。したがって、本実施の形態の光電極基板2では、複合膜7を形成しない従来の光電極基板とほぼ同等の透過率を有する。なお、複合膜7の金属部分7aの大きさが可視光の波長に対して十分小さくならない場合には、金属部分7aによって入射光が反射および吸収されるため、複合膜7の厚さを1〜100nmにするのが好ましく、2〜20nmにするのがさらに好ましい。
また、本実施の形態の色素増感型太陽電池1では、陽極酸化法により透明電極膜6上に形成された複合膜7の酸化物部分(酸化チタンの部分)7bは、結晶の成長方向が一方向に揃った結晶性(例えばアナターゼ型)のTiO膜であり、スパッタリングやゾルーゲル法により形成した酸化チタン膜よりも電気抵抗値が低く、電気的ピンホールの発生を防止することができる。その結果、本実施の形態の色素増感型太陽電池1によれば、多孔性半導体電極膜8から透明電極膜6への電荷の移動が円滑化し、色素増感型太陽電池1としての発電特性を損なうことなく、電気的ピンホールに起因する透明電極膜6と電解質4との短絡を防止することができ、リーク電流の発生を防止することができる。
なお、本実施の形態の色素増感型太陽電池1では、基板部材5および対向基板部材10をプラスチック材料により形成しているが、ガラスにより形成してもよい。
また、本実施の形態の色素増感型太陽電池1では、基板部材5側から太陽光を入射させるため、基板部材5を光透過性に優れた透明のプラスチック材料により形成しているので、対向基板部材10を必ずしも光透過性に優れたプラスチック材料により形成する必要はない。しかし、対向基板部材10側から太陽光を入射させる場合には、対向基板部材10を光透過性に優れたプラスチック材料により形成するとともに、対向電極11を透明にする必要がある。このように対向基板部材10側から太陽光を入射させる場合には、基板部材5および透明電極膜6に光透過性の悪い材料を使用してもよい。
また、本実施の形態の色素増感型太陽電池1の光電極基板2の製造方法では、チタンからなる金属膜を使用しているが、タンタルからなる金属膜を使用しても同様の効果を得ることができる。これらの二つの金属は、多孔性半導体電極膜との接触がショットキー接触になるだけでなく、耐食性が高く、電解質中のヨウ素イオンなどによって腐食することもない。
さらに、本実施の形態の色素増感型太陽電池1の光電極基板2の製造方法では、陽極酸化法によって金属膜7’の一部を酸化物にして複合膜7を形成しているが、陽極酸化法の代わりに熱酸化法を使用してもよい。この場合、熱酸化の際の加熱温度を400〜500℃にすれば、多孔性半導体電極膜8を金属膜7’上に焼成して形成する工程と金属膜7’の一部を酸化物にして複合膜7を形成する工程とを一つの工程で同時に行うことができる。
以下、本発明による色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法の実施例について詳細に説明する。
まず、ポリエチレンナフタレート(PEN)からなる基板部材5の表面にITOからなる透明電極膜(ITO膜)6が形成されたITO付き基板部材(一辺の長さが5cmの矩形の平面形状を有し、厚さが125μm、電気抵抗値が10Ω/□の板状部材)を用意した(図2A参照)。このITO付き基板部材を、ターゲット材としてのチタンとともに真空装置内に入れ、この真空装置内にアルゴンガスを50sccmで導入し、高周波放電(13.56MHz、400W)によりターゲット材の表面に生成したプラズマを使用してスパッタリング処理を60秒間施し、ITO膜6上に膜厚10nmの金属膜(チタン膜)7’を形成した(図2B参照)。
次に、このチタン膜7’上に、低温成膜用チタニア塗布ペーストを厚さ50μmになるように塗布した後、150℃で5分間加熱してチタン膜7’上に膜厚5μmの多孔性半導体電極膜8を形成した(図2C参照)。
次に、電解液(純水1Lに対してリン酸二水素アンモニウム0.1gを加えた液体)を入れた陽極酸化槽の陰極に白金を設置し、陽極酸化槽の陽極にチタン膜7’および多孔性半導体電極膜8が形成されたITO膜付き基板部材を設置し、陽極のチタン膜7’と白金を電気的に接続し、陰極と陽極の間に電位差を生じさせた。この陰極と陽極間の電位差は、1分間で0〜5Vまで徐々に電圧を上げ、5Vに到達したらその電圧を維持するようにした。この陽極酸化処理では、陽極酸化によってチタン膜7’から形成される酸化チタンからなる酸化物部分7bの厚さの増加とともに電流値が低下するが、この電流値の低下が停止するまで陽極酸化処理を続けた。このような陽極酸化処理を施すことにより、多孔性半導体電極膜8で覆われていない部分に結晶の成長方向が一方向に揃った結晶系(例えばアナターゼ型)の酸化物部分7bを形成した(図2D参照)。
次に、多孔性半導体電極膜8にルテニウム錯体色素を吸着させた。このようにして、ITO膜6上に金属部分7aとその金属の酸化物部分7bとからなる複合膜7が形成され、この複合膜7上に増感色素が吸着・担持された多孔性半導体電極膜8が積層して形成された光電極基板2を作製した。
このようにして作製した光電極基板2を使用した色素増感型太陽電池1に、ソーラーシミュレータを用いて光照射エネルギー10mW/cmの疑似太陽光を照射し、電池特性試験を行った。また、比較例1として、複合膜7を形成しない以外は同一の構成を有するように図4に示す従来の色素増感型太陽電池101を作製し、比較例2として、陽極酸化処理を行わないで複合膜7の代わりにチタン膜7’を形成した以外は実施例と同一の構成を有するように(図示しない)色素増感型太陽電池を作製し、同様の電池特性試験を行った。その結果を図3および表1に示す。なお、図3は、本実施例の色素増感型太陽電池1と比較例1の色素増感型太陽電池101および比較例2の色素増感型太陽電池の電流−電圧特性についての実験結果を比較して示している。また、表1において、Iscは色素増感型太陽電池の出力端子を短絡させたときに両端子間に流れる電流(短絡電流)、Vocは色素増感型太陽電池の出力端子を開放したときの両端子間の電圧(開放電圧)、f.f.は最大出力Pmax(=Imax・Vmax)を開放電圧Vocと電流密度Jsc(1cm当たりの短絡電流Isc)の積で除した値(曲線因子(Fill Factor)f.f.=Pmax/Voc・Jsc)、ηは最大出力Pmaxを(1cm当たりの)照射光量(W)で除した値に100を乗じてパーセントで表示した値(変換効率)を示している。
Figure 2007048594
図3および表1に示すように、比較例2の色素増感型太陽電池では、比較例1の色素増感型太陽電池101と比べて、短絡電流がほぼ同じであるものの、曲線因子が約1.2倍と向上しているため、結果として変換効率が約1.5倍になっている。このような比較例2の色素増感型太陽電池1と比較例1の色素増感型太陽電池101との性能の差は、比較例2の光電極基板のチタン膜に起因する整流特性によるものと考えられる。すなわち、多孔性半導体電極膜8である酸化チタン膜と透明導電膜6であるITO膜との間にチタン膜(複合膜7の金属部分7a)が存在することにより、酸化チタン膜とチタン膜との接触がショットキー接触になって整流特性を示すためであると考えられる。これに対して、比較例1の光電極基板102では、ITO膜106から半導体層への逆電子移動を防止することができないため、逆方向にも電流が流れるためであると考えられる。
また、図3および表1に示すように、実施例の色素増感型太陽電池1では、短絡電流が、比較例1の色素増感型太陽電池101および比較例2の色素増感型太陽電池と比べて約1.4倍に向上し、曲線因子が、比較例2の色素増感型太陽電池とほぼ同じであるが、比較例1の色素増感型太陽電池101と比べて約1.2倍と向上しているため、結果として変換効率が、比較例1の色素増感型太陽電池101と比べて約1.8倍、比較例2の色素増感型太陽電池と比べて約1.2倍になっている。このような実施例の色素増感型太陽電池1の性能の向上は、比較例2のチタン膜と同様に複合膜7の金属部分7aに起因する整流特性が得られることに加えて、複合膜7の光透過性によるものと考えられる。
本発明による光電極基板を備えた色素増感型太陽電池を複数直列に接続し、あるいは、このように複数直列に接続した太陽電池列を並列に接続して、色素増感型太陽電池組立体を構成すれば、所望の電気エネルギーを得ることができる。
本発明による色素増感型太陽電池の実施の形態を模式的に示す断面図である。 図1に示す色素増感型太陽電池の光電極基板の製造工程を説明する断面図である。 図1に示す色素増感型太陽電池の光電極基板の製造工程を説明する断面図である。 図1に示す色素増感型太陽電池の光電極基板の製造工程を説明する断面図である。 図1に示す色素増感型太陽電池の光電極基板の製造工程を説明する断面図である。 実施例1の色素増感型太陽電池と比較例1および2の色素増感型太陽電池の電流−電圧特性についての実験結果を比較して示す図である。 従来の色素増感型太陽電池を模式的に示す断面図である。
符号の説明
1…色素増感型太陽電池、2…光電極基板、3…対向電極基板、4…電解質、5…基板部材、6…透明電極膜(ITO膜)、7…複合膜、8…多孔性半導体電極膜、7a…金属部分、7b…酸化物部分、8a…増感色素、10…対向基板部材、11…対向電極

Claims (14)

  1. 基板部材と、この基板部材上に形成された透明電極膜と、この透明電極膜上に形成され、金属部分とその金属の酸化物部分とからなる複合膜と、この複合膜上に形成された多孔性半導体電極膜と、この多孔性半導体電極膜に吸着または担持された増感色素とを備えたことを特徴とする、色素増感型太陽電池の光電極基板。
  2. 前記多孔性半導体電極膜が、前記複合膜の金属部分に接触し且つ酸化物部分に接触していないことを特徴とする、請求項1に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板。
  3. 前記金属がチタンであることを特徴とする、請求項1または2に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板。
  4. 前記金属がタンタルであることを特徴とする、請求項1または2に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板。
  5. 前記複合膜の厚さが1〜100nmであることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載の色素増感型太陽電池の光電極基板。
  6. 請求項1乃至5のいずれかに記載の光電極基板と、この光電極基板の多孔性半導体電極膜に対向して配置された対向電極を備えた対向電極基板と、この対向電極基板と前記光電極基板の間に封入された電解質とからなり、前記複合膜の酸化物部分が前記電解質に接触していることを特徴とする、色素増感型太陽電池。
  7. 基板部材上に透明電極膜を形成する工程と、この透明電極膜上に金属膜を形成する工程と、この金属膜上に多孔性半導体電極膜を形成する工程と、前記金属膜の一部を酸化して金属部分とその金属の酸化物部分とからなる複合膜を形成する工程と、前記多孔性半導体電極膜に増感色素を吸着または担持させる工程とを備えたことを特徴とする、色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
  8. 前記酸化が陽極酸化であることを特徴とする、請求項7に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
  9. 前記複合膜を形成する工程が、前記金属膜上に多孔性半導体電極膜を形成する工程の後に行われることを特徴とする、請求項8に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
  10. 前記酸化が熱酸化であり、前記多孔性半導体電極膜が焼成法によって形成されることを特徴とする、請求項7に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
  11. 前記複合膜を形成する工程が、前記金属膜上に多孔性半導体電極膜を形成する工程と同時に行われることを特徴とする、請求項10に記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
  12. 前記金属がチタンであることを特徴とする、請求項7乃至11のいずれかに記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
  13. 前記金属がタンタルであることを特徴とする、請求項7乃至11のいずれかに記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。
  14. 前記金属膜の厚さが1〜100nmであることを特徴とする、請求項7乃至13のいずれかに記載の色素増感型太陽電池の光電極基板の製造方法。

JP2005231826A 2005-08-10 2005-08-10 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法 Expired - Fee Related JP4966525B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005231826A JP4966525B2 (ja) 2005-08-10 2005-08-10 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法
US11/500,021 US8110740B2 (en) 2005-08-10 2006-08-07 Photoelectrode substrate of dye sensitizing solar cell, and method for producing same
EP06016556A EP1753000A3 (en) 2005-08-10 2006-08-08 Photoelectrode substrate of dye sensitizing solar cell, and method for producing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005231826A JP4966525B2 (ja) 2005-08-10 2005-08-10 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007048594A true JP2007048594A (ja) 2007-02-22
JP4966525B2 JP4966525B2 (ja) 2012-07-04

Family

ID=37433630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005231826A Expired - Fee Related JP4966525B2 (ja) 2005-08-10 2005-08-10 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8110740B2 (ja)
EP (1) EP1753000A3 (ja)
JP (1) JP4966525B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100908243B1 (ko) * 2007-08-22 2009-07-20 한국전자통신연구원 전자 재결합 차단층을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그제조 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100859657B1 (ko) * 2007-01-08 2008-09-23 삼성에스디아이 주식회사 솔라 셀을 구비한 유기 전계 발광 표시 장치
JP5360054B2 (ja) * 2008-05-12 2013-12-04 コニカミノルタ株式会社 色素増感型太陽電池およびその製造方法
JP2010277999A (ja) * 2009-06-01 2010-12-09 Korea Electronics Telecommun 染料感応太陽電池及びその製造方法
US20140275544A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Los Alamos National Security, Llc Quantum dot-metal oxide linkers
WO2015159677A1 (ja) * 2014-04-15 2015-10-22 シャープ株式会社 光電変換素子、色素増感太陽電池および色素増感太陽電池モジュール
CN105355786A (zh) * 2015-10-19 2016-02-24 南开大学 一种低温制备二氧化钛和钙钛矿平面异质结太阳电池的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340710A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Toppan Printing Co Ltd 色素増感太陽電池およびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5086336A (ja) * 1973-11-29 1975-07-11
JPS56164583A (en) * 1980-05-22 1981-12-17 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of photosensitive semiconductor device
AU650878B2 (en) 1990-04-17 1994-07-07 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Photovoltaic cells
DE19841650B4 (de) 1998-09-11 2009-04-02 Friedrich-Schiller-Universität Jena Verfahren zur Darstellung von nanokristallinen oder nanokristallinhaltigen Metalloxid- und Metallmischoxidschichten auf sperrschichtbildenden Metallen
JP4461656B2 (ja) 2000-12-07 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子
TWI234885B (en) 2002-03-26 2005-06-21 Fujikura Ltd Electroconductive glass and photovoltaic cell using the same
US8629346B2 (en) * 2002-10-03 2014-01-14 Fujikura Ltd. Electrode substrate, photoelectric conversion element, conductive glass substrate and production method thereof, and pigment sensitizing solar cell
US7462774B2 (en) * 2003-05-21 2008-12-09 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices fabricated from insulating nanostructured template
JP4197637B2 (ja) * 2003-09-29 2008-12-17 株式会社東芝 光増感型太陽電池及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340710A (ja) * 2004-05-31 2005-12-08 Toppan Printing Co Ltd 色素増感太陽電池およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100908243B1 (ko) * 2007-08-22 2009-07-20 한국전자통신연구원 전자 재결합 차단층을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1753000A3 (en) 2011-04-06
JP4966525B2 (ja) 2012-07-04
US20070034254A1 (en) 2007-02-15
EP1753000A2 (en) 2007-02-14
US8110740B2 (en) 2012-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tang et al. A microporous platinum counter electrode used in dye-sensitized solar cells
JP5531300B2 (ja) 色素増感太陽電池
US20130240033A1 (en) Method for producing counter electrode based on electrophoretic deposition of graphene, counter electrode produced by the method and dye-sensitized solar cell including the counter electrode
US20080115824A1 (en) Dye-sensitized solar cell module having vertically stacked cells and method of manufacturing the same
JP4966525B2 (ja) 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法
TWI622178B (zh) Pigment-sensitized solar cell with light collecting device
JP2009245750A (ja) 色素増感太陽電池およびその製造方法
Punnoose et al. Highly catalytic nickel sulfide counter electrode for dye-sensitized solar cells
JP2006134870A (ja) 色素増感太陽電池およびその製造方法ならびに色素増感太陽電池モジュール
Miyasaka et al. Plastic dye-sensitized photovoltaic cells and modules based on low-temperature preparation of mesoscopic titania electrodes
JP5489621B2 (ja) 光電変換素子とその光電変換素子を用いた光発電装置
JP2004319661A (ja) 光電変換素子用基材およびその製造方法ならびに光電変換素子およびその製造方法
Chou et al. Preparation of a Counter Electrode with P‐Type NiO and Its Applications in Dye‐Sensitized Solar Cell
JP2005340167A (ja) 色素増感太陽電池の光電極基板の製造方法、色素増感太陽電池の光電極基板、及び色素増感太陽電池
TWI426617B (zh) 染料敏化太陽能電池及其製作方法
JP5148835B2 (ja) 色素増感型太陽電池およびその光電極基板
KR20090020058A (ko) 전자 재결합 차단층을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그제조 방법
JP5334380B2 (ja) 色素増感太陽電池及びその製造方法
US20110214730A1 (en) Dye-sensitized solar cell
Orebiyi et al. Dye-sensitized solar cells
JP5025938B2 (ja) 色素増感型太陽電池、その対向電極およびその対向電極の製造方法
Job et al. Performance and Stability analysis of Dye-Sensitized Solar Cell
JP2007048590A (ja) 色素増感型太陽電池、その光電極基板およびその光電極基板の製造方法
KR101084047B1 (ko) 광감응층을 갖는 나노 복합형 염료감응 태양전지 제조방법 및 그 태양전지
JP2009218152A (ja) 光電変換素子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080626

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120127

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120327

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120402

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees