JP2007041203A - ディスプレイパネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁性を有する平坦化膜33と、平坦化膜33の上面に設けられたサブピクセル電極20aと、サブピクセル電極20aの周囲に設けられた熱応力緩和膜34と、熱応力緩和膜34の上面に設けられた金属隔壁Wとを具備し、熱応力緩和膜34の線膨張係数が、平坦化膜33の線膨張係数と金属隔壁Wの線膨張係数との間の値である。
【選択図】図3
Description
また、画素毎に薄膜トランジスタがパターニングされているため、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリクス状にパターニングするに際して薄膜トランジスタに接続する下層側のサブピクセル電極を画素毎に独立するようパターニングする。一方、対向電極は、全ての有機エレクトロルミネッセンス素子に共通電極としてベタ一面に成膜する。
絶縁性を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上面に設けられた電極と、
前記電極の周囲に設けられた熱応力緩和膜と、
前記熱応力緩和膜の上面に設けられた隔壁とを具備し、
前記熱応力緩和膜の線膨張係数は、前記絶縁層の線膨張係数と前記隔壁の線膨張係数との間の値であることを特徴とする。
前記絶縁層は、コンタクトホールが設けられ、
前記電極は、前記コンタクトホールに設けられた導電体を被覆することによって前記導電体と接続され、
前記熱応力緩和膜は、前記電極の周端及び電極における前記導電体との接続部を被覆するように設けられていることを特徴とする。
図1から図3を参照しながら、本発明に係るディスプレイパネルについて説明する。
ここで、図1は、ディスプレイパネル1の概略構成を示す平面図である。
本実施形態におけるディスプレイパネル1は、図1に示すように、画素がマトリクス状に配置されている。これらの画素は、略長方形状の1ドットの赤サブピクセルPと、1ドットの緑サブピクセルPと、1ドットの青サブピクセルPとから構成されており、各サブピクセルPは、画素3において、互いの長手方向(以下、垂直方向)が平行となるように、かつ、長手方向と直交する方向(以下、水平方向)に赤サブピクセルP、緑サブピクセルP、青サブピクセルPの順の繰り返しとなるように配列されている。
ここで、図2は、各サブピクセルPにおける回路構成を示す等価回路図である。
何れのサブピクセルPも同様に構成されており、1ドットのサブピクセルPには、図2に示すように、有機EL素子20と、いずれもNチャネル型アモルファスシリコン薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ21、保持トランジスタ22及び駆動トランジスタ23と、キャパシタ24とが具備されている。これら薄膜トランジスタは、全てポリシリコントランジスタでもよく、Pチャネル型、或いはNチャネル型及びPチャネル型の組合せでもよい。
ここで、図3は、図1に示された破断線III―IIIに沿って絶縁基板2の厚さ方向に切断した矢視断面図である。
本実施形態におけるディスプレイパネル1には、図3に示すように、絶縁基板2が具備されており、この絶縁基板2の上面には、ゲート絶縁膜31がベタ一面に成膜されている。また、このゲート絶縁膜31の上面には、スイッチトランジスタ21、保持トランジスタ22、駆動トランジスタ23及びキャパシタ24が配設されており、これらスイッチトランジスタ21、保持トランジスタ22、駆動トランジスタ23及びキャパシタ24は、共通のトランジスタ保護絶縁膜32によって被覆されている。
また、図3において図示されていない保持トランジスタ22も、上述したスイッチトランジスタ21及び駆動トランジスタ23と同様に構成され、半導体膜のチャネル幅、チャネル長や、チャネル長に応じたゲート、ソース、ドレインの長さの違いを除けば、同様の構造となっている。
ここで、本実施形態における絶縁基板2から平坦化膜33までの積層構造を、トランジスタアレイパネル50という。
また、本実施形態において適用可能なアクリル樹脂の具体例としては、PC−403(JSR社製)や、FPR−510(ナガセケミカル社製)等が挙げられる。
ここで、本実施形態においては、サブピクセル電極20a、有機EL層20b、対向電極20cの順に積層されたものを有機EL素子20とする。
本実施例におけるディスプレイパネル1は、平坦化膜33にアクリル系感光性樹脂を、金属隔壁Wに銅をそれぞれ用いた。ここで、アクリル系感光性樹脂の一般的な線膨張係数は70〜80ppm/℃であり、銅の一般的な線膨張係数の値は、16〜17ppm/℃である。また、熱応力緩和膜34には、線膨張係数が40〜50ppm/℃であるエポキシ系樹脂を用いた。
20a サブピクセル電極
20b 有機EL層
33 平坦化膜
34 熱応力緩和膜
91 コンタクトホール
92 導電性パッド
W 金属隔壁
Claims (6)
- 絶縁性を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上面に設けられた電極と、
前記電極の周囲に設けられた熱応力緩和膜と、
前記熱応力緩和膜の上面に設けられた隔壁とを具備し、
前記熱応力緩和膜の線膨張係数は、前記絶縁層の線膨張係数と前記隔壁の線膨張係数との間の値であることを特徴とするディスプレイパネル。 - 前記隔壁は、金属であることを特徴とする請求項1に記載のディスプレイパネル。
- 前記絶縁層は、平坦化膜であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のディスプレイパネル。
- 前記絶縁層は、コンタクトホールが設けられ、
前記電極は、前記コンタクトホールに設けられた導電体を被覆することによって前記導電体と接続され、
前記熱応力緩和膜は、前記電極の周端及び電極における前記導電体との接続部を被覆するように設けられていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。 - 前記電極は、当該電極の上面に有機EL層が設けられていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
- 前記熱応力緩和膜は、線膨張係数が20〜50ppm/℃の範囲内であることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載のディスプレイパネル。
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