CN111554825A - 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法 - Google Patents

Abstract

一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法包括：阳极、像素限定层、置于阳极与像素限定层之间并将阳极与像素限定层隔开的阳极应力缓冲层；上述的阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，通过在阳极与像素限定层之间设置阳极应力缓冲层，吸收阳极折弯操作时的应力，避免应力在阳极上集中，同时通过阳极应力缓冲层将阳极与像素限定层隔开避免折弯时两者相互干扰，相互影响造成，形成应力二次受力影响，同时避免像素限定层将应力传递给阳极而造成阳极二次受力而折弯损坏。

Description

阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。

背景技术

近几年来，柔性显示技术发展越来越迅速，尤其是AMOLED(Active-matrixorganic light-emitting diode有源矩阵有机发光二极体)柔性显示在手机、电脑及电视等终端的应用越来越广泛。在AMOLED中存有很多的刚性膜层，这些刚性膜层在柔性屏幕可靠性弯折测试中，以一定半径、一定速度进行测试，多次的弯折使得刚性膜层受到较大的应力从而引起断裂。阳极结构在受到应力作用时，其膜层极易开裂，当弯折次数达到一定上限时会使阳极结构出现断裂，最终导致对应子像素发光失效。

发明内容

基于此，有必要提供一种可提高弯折可靠性的阵列基板。

同时，提供一种可提高弯折可靠性的显示面板。

另提供一种可提高可靠性的阵列基板的制备方法。

一种阵列基板，包括：阳极、像素限定层、置于所述阳极与像素限定层之间并将阳极与像素限定层隔开的阳极应力缓冲层。

在优选的实施例中，所述阳极应力缓冲层包括：设置于所述阳极上的第一缓冲层及设置于所述第一缓冲层上的第二缓冲层。

在优选的实施例中，所述第一、二缓冲层、像素限定层上均设置有开口；所述第一、二缓冲层的开口、所述像素限定层的开口在水平面上的投影至少部分重合，且与至少部分阳极重合。

在优选地实施例中，所述第二缓冲层的开口面积大于所述第一缓冲层的开口面积，且所述第一缓冲层的开口在水平面上的投影完全落入所述第二缓冲层的开口在水平面上的投影。

在优选的实施例中，所述第一或第二缓冲层的开口自上至下为由大变小的梯形体的开口。

在优选的实施例中，所述阳极包括：形成有圆台状或锥状孔腔的孔腔部、及由孔腔部开口一端端部向周边延伸的阳极主体，所述第一缓冲层包括：缓冲主体、由所述缓冲主体向下延伸并与所述阳极的孔腔配合的圆台状或锥状的缓冲填充部、及由缓冲主体的端部向靠近阳极方向延伸形成的环绕包围阳极边缘的缓冲侧壁。

在优选的实施例中，所述第一缓冲层的开口设置在缓冲主体上，所述第二缓冲层的开口大于所述第一缓冲层的开口，所述第一缓冲层开口边缘隔开所述阳极与像素限定层。

在优选的实施例中，所述第一缓冲层和/或第二缓冲层的弹性模量小于所述像素限定层的弹性模量。

在优选的实施例中，所述第一或第二缓冲层采用以酚醛树脂为主的有机胶形成。

一种显示面板，包括如上所述的阵列基板，还包括发光器件层。

一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

在驱动层组上进行平坦化处理形成平坦化层，在所述平坦化层形成过孔；

在平坦化层上形成阳极，并进行图案化；

进行一次涂布并曝光，再进行显影和固化于阳极上形成设置有开口的第一缓冲层，所述第一缓冲层的侧部包围阳极周边；

进行二次涂布并曝光，再进行显影和固化，于所述第一缓冲层上形成具有开口结构的第二缓冲层；

在缓冲层上生成像素限定层。

上述的阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，通过在阳极与像素限定层之间设置阳极应力缓冲层，吸收阳极折弯操作时的应力，避免应力在阳极上集中，同时通过阳极应力缓冲层将阳极与像素限定层隔开，避免折弯时两者相互干扰、相互影响造成二次应力，同时避免像素限定层将部分受力直接传导给或作用于阳极造成阳极应力集中。

附图说明

图1为本发明一实施例的包含阵列基板的显示面板的部分结构示意图；

图2为图1的A-A方向的剖视图；

图3为本发明一实施例的阵列基板的常态及进行外折叠、内折叠的受力示意图；

图4为本发明一实施例的制造阳极应力缓冲层的部分流程示意图。

具体实施方式

如图1至图2所示，本发明一实施例的阵列基板20包括：阳极22、像素限定层24、置于阳极22与像素限定层24之间并将阳极22与像素限定层24隔开的阳极应力缓冲层26。阳极应力缓冲层26将阳极22与像素限定层24隔开以使阳极22与像素限定层24互相不接触。

本实施例通过在像素限定层与阳极之间设置应力缓冲层，且应力缓冲层将阳极与像素限定层完全隔开，使阳极和像素限定层之间完全不接触，从而在阳极受到弯折应力时，应力缓冲层能够对阳极起到保护作用，分解并吸收部分应力。本实施例在不改变原有阳极结构的情况下，通过在阳极表面形成应力缓冲层，避免阳极在受到应力作用时出现断裂。

进一步，为了方便成型，同时为了更好的吸收应力，本实施例的阳极应力缓冲层26包括：设置于阳极22上的第一缓冲层262、及设置于第一缓冲层262上的第二缓冲层264。

在本实施例中，应力缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层。第一缓冲层和第二缓冲层的材料可以相同，也可以不同。通过设置双层应力缓冲层，进一步提高应力缓冲层吸收应力的能力，加强对阳极的保护作用。

为了使阳极22形成空穴，本实施例的第一、二缓冲层262、264、像素限定层24上均设置有开口。第一、二缓冲层262、264的开口、像素限定层24的开口在水平面上的投影至少部分重合，且与至少部分阳极22重合。

进一步，本实施例的第二缓冲层的开口面积大于所述第一缓冲层的开口面积，且所述第一缓冲层的开口在水平面上的投影完全落入所述第二缓冲层的开口在水平面上的投影。

如图2所示，第二缓冲层位于第一缓冲层上方，且第二缓冲层的开口面积大于第一缓冲层的开口面积，因此在第一缓冲层开口的边缘并不与第二缓冲层开口的边缘重合，第一缓冲层的开口边缘与第二缓冲层之间形成台阶状结构，且台阶状结构被像素限定层覆盖。当屏体发生弯折时，阳极所受应力会通过台阶状结构在第一缓冲层和第二缓冲层之间发生转移，从而更好的分解阳极所受应力，起到保护作用，避免在多次弯折后阳极结构发生断裂的情况。

为了方便应力进行传导，进一步，本实施例的第一缓冲层262、第二缓冲层264的开口为梯形截面或梯形体结构。第二缓冲层设置在第一缓冲层的主体上。

进一步，本实施例的阳极22包括：形成有圆台状或锥状孔腔的孔腔部222、及由孔腔部222开口一端端部向周边延伸的阳极主体224。

进一步，本实施例的第一缓冲层262包括：缓冲主体2622、由缓冲主体2622向下延伸并与阳极的孔腔配合的圆台状或锥状的缓冲填充部2624、及由缓冲主体2622的端部向靠近阳极22方向延伸形成的环绕包围阳极的缓冲侧壁2626。本实施例的第一缓冲层的开口设置在缓冲主体上，以使缓冲主体形成环状结构。

为了进一步吸收弯折应力，本实施例的第一缓冲层开口边缘隔开阳极与像素限定层。

本实施例的第一、二缓冲层262、264的材质优选的，选用弹性材料。进一步，本实施例的第一、二缓冲层采用有机胶形成。优选的选用以酚醛树脂为主体成分的有机胶形成。具体的本实施例的第一、二缓冲层采用有机胶包括：酚醛树脂、DNQ(感光剂)、PGMEA(溶剂)、及添加剂混合等形成。

进一步，为了更好的吸收应力，本实施例的第一缓冲层262或第二缓冲层264的弹性模量小于像素限定层的弹性模量。优选的，第一缓冲层262、第二缓冲层264的弹性模量均小于像素限定层24的弹性模量。

为了方便成型，同时便于应力传导，本实施例的第一缓冲层262，和/或，第二缓冲层264为设置有开口的上窄下宽的梯形截面结构或梯形体结构。

当外折叠时，平坦化层PLN2对阳极结构产生向内的应力，向内的应力可分解为水平力和竖直力，在水平方向上，对第一、二缓冲层262、264形成沿水平方向或沿折叠拉伸弧度挤压应力，此时第一、二缓冲层262、264通过形变可存储应力，防止水平应力作用于阳极上；同时由于第一缓冲层的台阶状结构的存在，可使得竖直方向的应力向上传导到第二缓冲层，第二缓冲层可进一步吸收竖直方向上的力，防止竖直应力作用于阳极上。

同时，进一步的通过第二缓冲层264为上窄下宽的梯形截面结构或梯形体结构，平坦化层PLN2的应力于第二缓冲层264下窄上宽的梯形截面结构或梯形体结构的开口底部沿向上导向至开口上部再至第二缓冲层264的主体上部进行导向转移，像素限定层24的开口边缘的受力点对第一缓冲层产生纵向的拉伸力，此时第一缓冲层262通过形变可储存应力，从而防止竖直应力作用于阳极。

当内折叠时，坦化层PLN2对阳极结构产生向外的应力，向内的应力可分解为水平力和竖直力，在水平方向上，对第一、二缓冲层262、264形成沿水平方向或沿折叠拉伸弧度挤压应力，此时第一、二缓冲层262、264通过形变可存储应力，防止水平应力作用于阳极上；同时由于第一缓冲层的台阶状结构的存在，可使得竖直方向的应力进一步向上传导到第二缓冲层，第二缓冲层可进一步吸收竖直方向上的力，防止竖直应力作用于阳极上。

同时，进一步的，由于第一缓冲层264为上窄下宽的梯形截面结构或梯形体结构，平坦化层PLN2的应力对第二缓冲层264的应力于第二缓冲层264主体上部向第二缓冲层264的开口方向并于开口上部向底部进行导向转移，第二缓冲层262通过形变可储存应力，从而防止竖直应力作用于阳极上。

撤销外力时，环状的第一、二环状缓冲层262、264将吸收的应力释放出来，恢复至原始的状态。

柔性屏一般受到的是内折叠或外折叠应力，受力的等效可拆分为一个水平应力与一个竖直应力。本发明的第二缓冲层设置在第一缓冲层的上方起吸收水平应力以及导向应力的作用，第一缓冲层设置在阳极上方，且将PDL边缘与阳极间隔开，起到吸收水平与竖直应力的作用。

如图3所示，当Panel外折叠时受力F，f1为环状第一缓冲层在像素限定层PDL边缘竖直方向的受力且发生形变，f2为环状第一缓冲层与环状第二缓冲层在水平方向受力且发生形变，形变可以吸收应力，撤销外力F后，缓冲结构恢复原始状态，从而起到保护阳极的作用。当Panel内折叠时受力F’，f1’为环状第一缓冲层在像素限定层PDL边缘竖直方向的受力且发生形变，f2’为环状第一缓冲层与第二缓冲层在水平方向受力且发生形变，形变可以吸收应力，撤销外力F’后，第一缓冲层与第二缓冲层释放应力恢复原始状态，从而起到保护阳极的作用。

具体的，外折叠时，受力F，水平方向上，平坦化层PLN2对第一缓冲层262、第二缓冲层264形成挤压的应力f2，此时第一缓冲层262、第二缓冲层264通过形变可存储应力，从而防止水平应力作用于阳极上；竖直方向上由于第二缓冲层264位上窄下宽的梯形截面或梯形体结构，平坦化层PLN2的应力于第二缓冲层264下窄上宽的梯形截面结构或梯形体结构的开口底部沿向上导向至第二缓冲层264的主体上部进行导向转移，像素限定层24的开口边缘的受力点对第一缓冲层产生纵向的拉伸力f1，此时第一缓冲层262通过形变可储存应力，从而防止竖直应力作用于阳极。

当内折叠时，受力F’水平方向上，平坦化层PLN2对第一、二缓冲层262、264形成沿水平方向或沿折叠拉伸弧度的拉伸应力f2’，此时第一、二缓冲层262、264通过形变可存储应力，防止水平应力作用于阳极上；竖直方向上，由于第二缓冲层264为上窄下宽的梯形截面结构或梯形体结构，平坦化层PLN2的应力对第二缓冲层264的应力于第二缓冲层264上部主体向第二缓冲层264的开口方向并于开口上部向开口下部进行导向转移，像素限定层24于其开口边缘的受力点对第一缓冲层262形成挤压力f1’，第一缓冲层262通过形变可储存应力，从而防止竖直应力作用于阳极上。

撤销外力时，环状的第一、二环状缓冲层262、264将吸收的应力释放出来，恢复至原始的状态。

在上述实施例中，通过在矩形的阳极边缘及膜层上方设置环状第一缓冲层与环状第二缓冲层，第一缓冲层/第二缓冲层的弹性模量＜PDL弹性模量，弹性模量越小，形变能力越大，环状第二缓冲层可以将部分应力导向为竖直应力，同时通过形变吸收弯折时对矩形阳极水平方向上的应力；而环状第一缓冲层可以通过形变吸收弯折时对矩形阳极水平与竖直方向上的应力。当外力撤销后，环状第一缓冲层与环状第二缓冲层就会把前面吸收的应力释放出来，恢复至原始的状态，从而保证多次弯折后矩形阳极不开裂且提高子像素发光的寿命。

在本实施例中，设计环状第一缓冲层、环状第二缓冲层使得应力分散为竖直与水平两种应力方向来吸收(应力方向相对阳极而言)。第一缓冲层、第二缓冲层弹性模量均小于＜PDL弹性模量。

环状第一缓冲层与环状第二缓冲层比像素限定层PDL容易发生形变来吸收应力。当进行弯折时，环状第一缓冲层与环状第二缓冲层可以通过发生形变来吸收水平方向上的应力；同时环状第二缓冲层可以把另一部分应力传导为竖直方向的应力，此时环状第一缓冲层构作为像素限定层PDL与阳极的中间层，也通过发生形变来吸收竖直方向应力；当撤销外力时，第一、二缓冲层就会把前面吸收的应力释放出来，且恢复至原始的状态，从而起到保护阳极结构的目的。

一种显示面板100，包括如上所述的阵列基板20和发光器件层。

柔性衬底30的主要作用是为其上各层提供支撑。柔性衬底30包括：基板、设置在基板上的粘接层、以及设置在粘接层上的缓冲层。缓冲层以及粘结层可以根据实际情况选择是否设置。其中，缓冲层可以具有包括PET、PEN、聚丙烯酸酯和/或聚酰亚胺等材料中合适的材料，以单层或多层堆叠的形式层状结构。缓冲层还可以由氧化硅或氮化硅形成，或者可以包括有机材料和/或无机材料的复合层。

其中，驱动层组50的主要形成用于驱动阵列基板如OLED器件的驱动电路结构。优选地，驱动层组50包括覆盖在柔性衬底30上的半导体层、覆盖在半导体层上的栅绝缘层(即GI层)、形成在栅绝缘层上的第一金属层(即M1层)、覆盖在第一金属层上的电介质层(即CI层)、形成在电介质层上的第二金属层(即M2层)、覆盖在第二金属层上的层间绝缘层(即ILD层)、形成在层间绝缘层上的第三金属层(即M3层)。

第一金属层(即M1层)一般形成薄膜晶体管的栅极和电容器的下电极。第二金属层(即M2层)一般形成电容器的上电极。第三金属层(即M3层)一般形成薄膜晶体管的源电极和漏电极。需要说明的是，在某些情况下，也可以是，第一金属层构成薄膜晶体管的栅极，第二金属层构成电容器的下电极，而第三金属层构成薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及电容器的上电极。当然，可以理解的是，第一金属层、第二金属层、第三金属层形成薄膜晶体管和电容器的某种元件，可以根据实际情况进行调配更换。

需要说明的是，第一金属层、第二金属层、以及第三金属层中的金属可以是单质金属，亦可以合金金属；第一金属层、第二金属层、以及第三金属层可以是单层结构，也可以是复合层结构。例如第三金属层一般就是复合结构，第三金属层通常为Ti-Al-Ti的三层结构。

半导体层可以由非晶硅层、氧化硅层金属氧化物或多晶硅层形成，或者可以由有机半导体材料形成。一般情况下，半导体层大多由非晶硅层形成。半导体层包括沟道区和掺杂有掺杂剂的源区与漏区。沟道区与栅极对应，源区与源极通过过孔连接，漏区与漏极也通过过孔连接。

栅绝缘层可以由氧化硅、氮化硅或其他绝缘有机或无机材料形成。

层间绝缘层、电介质层可由绝缘材料构成，可以是单层结构，也可以是复合多层结构。

源电极和漏电极可以经由接触孔接触半导体层。考虑到导电性，源电极和漏电极可以由包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)或其他合适的合金中的至少一种材料的单一材料层或复合材料层形成。

本发明的驱动层组并不局限于上述结构，还可以是能够实现驱动的其它结构，可以根据实际情况，选择合适的驱动结构。

发明一实施例的阵列基板的制备的方法，包括如下步骤：

平坦层形成：在驱动层组上进行平坦化处理形成平坦化层，在平坦化层形成过孔；

阳极形成：如图4的(1)所示，在平坦化层上形成阳极，并进行图案化；

一次图形化：进行一次涂布并曝光(如图4的(2)所示)，再进行显影和固化(如图4的(3)所示)于阳极上形成具有开口的环状第一缓冲层，第一缓冲层的侧部包围阳极周边；

二次图形化：进行二次涂布并曝光(如图4的(4)所示)，再进行显影和固化(如图4的(5)所示)，于第二缓冲层上形成具有开口的环状第二缓冲层；PDL形成：在缓冲层上生成像素限定层(PDL)。

本实施例的阵列基板的制备的方法还包括：SPC：固相结晶化，在像素限定层上生成SPC(Solid Phase Crystallization固相结晶化)层。PDL形成与SPC(如图4的(6)所示)。

平坦化处理为在晶片的表面保持平整平坦的工艺。

涂布过程将带阳极的基板经过紫外灯、滚刷、二流体喷射、风刀等清洗各单元(units)，除去表面有机物等污染物；结束后进行预烘，除去表面残留的水分。然后在涂布机上均匀涂布一层有机胶，使用低压干燥(VCD unit)除去溶剂，再接着进入SB(Soft bake)unit除去溶剂，固定有机胶曝光特性，然后送往曝光。

曝光过程为Roller携带基板匀速通过水银灯曝光之后进入显影。

显示过程为在23±0.5℃环境下使用显影液喷淋，使有机胶反应呈现需要的图形，再通过清洗、AK、EUV等方式洗去显影液和其他污染物。最后送往有机固化炉。

固化过程为放入有机固化炉270±3℃氛围中Curing 1小时。

本发明通过在原有机发光显示面板阳极结构基础上构建一种新型阳极的缓冲结构，达到了吸收、释放阳极在弯折过程中的应力集中和预防器件显示失效效果。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：阳极、像素限定层、置于所述阳极与像素限定层之间并将所述阳极与像素限定层隔开的阳极应力缓冲层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极应力缓冲层包括：设置于所述阳极上的第一缓冲层及设置于所述第一缓冲层上的第二缓冲层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一、二缓冲层、像素限定层上均设置有开口；所述第一、二缓冲层的开口、所述像素限定层的开口在水平面上的投影至少部分重合，且与至少部分阳极重合。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二缓冲层的开口面积大于所述第一缓冲层的开口面积，且所述第一缓冲层的开口在水平面上的投影完全落入所述第二缓冲层的开口在水平面上的投影。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阳极包括：形成有圆台状或锥状孔腔的孔腔部、及由孔腔部开口一端端部向周边延伸的阳极主体，所述第一缓冲层包括：缓冲主体、由所述缓冲主体向下延伸并与所述阳极的孔腔配合的圆台状或锥状的缓冲填充部、及由缓冲主体的端部向靠近阳极方向延伸形成的环绕包围阳极边缘的缓冲侧壁。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的开口均设置为自上至下为由大变小的梯形截面或梯形体上的开口。

7.根据权利要求2至6任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓冲层和/或第二缓冲层的弹性模量小于所述像素限定层的弹性模量。

8.根据权利要求2至6任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一或第二缓冲层采用以酚醛树脂为主的有机胶形成。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的阵列基板，还包括，发光器件层。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在驱动层组上进行平坦化处理形成平坦化层，在所述平坦化层形成过孔；

在平坦化层上形成阳极，并进行图案化；

进行一次涂布并曝光，再进行显影和固化于阳极上形成设置有开口的第一缓冲层，所述第一缓冲层的侧部包围阳极周边；

进行二次涂布并曝光，再进行显影和固化，于所述第一缓冲层上形成具有开口结构的第二缓冲层；

在缓冲层上生成像素限定层。

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