JP2007035641A - Rfmemsスイッチ - Google Patents
Rfmemsスイッチ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007035641A JP2007035641A JP2006204929A JP2006204929A JP2007035641A JP 2007035641 A JP2007035641 A JP 2007035641A JP 2006204929 A JP2006204929 A JP 2006204929A JP 2006204929 A JP2006204929 A JP 2006204929A JP 2007035641 A JP2007035641 A JP 2007035641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spring
- membrane
- switch
- mems switch
- contact surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
- H01P1/127—Strip line switches
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
- B81B3/0013—Structures dimensioned for mechanical prevention of stiction, e.g. spring with increased stiffness
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/01—Switches
- B81B2201/012—Switches characterised by the shape
- B81B2201/016—Switches characterised by the shape having a bridge fixed on two ends and connected to one or more dimples
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
- H01H2059/0072—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics with stoppers or protrusions for maintaining a gap, reducing the contact area or for preventing stiction between the movable and the fixed electrode in the attracted position
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
- H01H2059/0081—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics with a tapered air-gap between fixed and movable electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【課題】RF MEMSスイッチのスイッチオフ時の分離性を改善する。
【解決手段】本発明に係る相異なるバネ剛性を有するRF MEMSスイッチは、基板上に支持要素が所定間隔で位置し、両支持要素には運動要素であるメンブレインがその両側にそれぞれ位置する複数のバネ要素によって懸架され、メンブレインの底面に対応する基板の上面には接触面である下部電極が備えられるRF MEMSスイッチであって、メンブレイン330の両側にそれぞれ位置する複数のバネ要素340a、340bは、相異なる剛性を有し、RF MEMSスイッチがオフされる場合、バネの剛性率の高いメンブレイン部分が接触面から先に分離することを特徴とする。本発明によると、運動要素であるメンブレイン330の左側および右側に位置したバネ340a、340bの剛性を相異ならせることによって、スイッチのオフ時に接触面とスイッチとの分離を容易にする。
【選択図】図3B
【解決手段】本発明に係る相異なるバネ剛性を有するRF MEMSスイッチは、基板上に支持要素が所定間隔で位置し、両支持要素には運動要素であるメンブレインがその両側にそれぞれ位置する複数のバネ要素によって懸架され、メンブレインの底面に対応する基板の上面には接触面である下部電極が備えられるRF MEMSスイッチであって、メンブレイン330の両側にそれぞれ位置する複数のバネ要素340a、340bは、相異なる剛性を有し、RF MEMSスイッチがオフされる場合、バネの剛性率の高いメンブレイン部分が接触面から先に分離することを特徴とする。本発明によると、運動要素であるメンブレイン330の左側および右側に位置したバネ340a、340bの剛性を相異ならせることによって、スイッチのオフ時に接触面とスイッチとの分離を容易にする。
【選択図】図3B
Description
本発明は、RF MEMSスイッチに関する。
MEMS(Micro Electro Mechanical System)は、半導体工程を用いて製造された超小型の電子機械システムであって、最近、移動通信技術の発達と共にその応用範囲が拡大されつつ、注目を浴びている。係るMEMS製品のうちにはジャイロスコープ、加速度センサー、RF(Radio Frequency)スイッチなどが現在の製品に適用されており、その他にも様々なMEMS製品の開発が加速化されている。
RFスイッチは、マイクロ波やミリ波大域の無線通信端末機およびシステムにおいて信号の選別伝送(signal routing)やインピーダンス整合回路(impedance matching network)などで最も応用される素子である。
既存のMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits)回路では、RFスイッチを具現するためにGaAs FETやPINダイオードなどを主に利用した。しかし、係る素子を用いてスイッチを具現した場合、スイッチオン状態で挿入損失が大きく、またスイッチオフ状態では信号分離の特性が落ちてしまう問題がある。
既存のMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits)回路では、RFスイッチを具現するためにGaAs FETやPINダイオードなどを主に利用した。しかし、係る素子を用いてスイッチを具現した場合、スイッチオン状態で挿入損失が大きく、またスイッチオフ状態では信号分離の特性が落ちてしまう問題がある。
係る短所を改善するために機械的なスイッチに関する研究が活発に進行され、特に、移動通信端末の著しい増加によりRF MEMSスイッチがより求められている。
RF MEMSスイッチは、半導体基板上の超小型に製造されたMEMS構造物が動きながら信号電極と接触されることによって信号をスイッチングし、信号電極から構造物が離隔されることにより信号伝送を遮断する。
RF MEMSスイッチは、半導体基板上の超小型に製造されたMEMS構造物が動きながら信号電極と接触されることによって信号をスイッチングし、信号電極から構造物が離隔されることにより信号伝送を遮断する。
しかし、係る従来のRF MEMSスイッチはスイッチがオンされた状態における接触面の粘着力によって、スイッチオフ時に接触面とスイッチとの分離が難しい問題がある。
米国特許6,707,355号明細書
米国特許6,535,091号明細書
米国特許6,303,885号明細書
米国特許6,307,452号明細書
本発明は前述した問題点を解決するために案出されたもので、本発明の目的は、スイッチのオン/オフの切替の確実性を向上することができるRF MEMSスイッチを提供することにある。
前述した目的を達成するための本発明1に係るRF MEMSスイッチは、基板と、
前記基板上に所定間隔で設けられた支持要素と、前記支持要素のそれぞれに設けられた複数のバネ要素と、前記バネ要素によって前記支持要素間に懸架される、運動要素であるメンブレインと、前記メンブレインの底面に対応する基板の上面に設けられた、接触面である下部電極とを含み、前記メンブレインの両側にそれぞれ位置する複数のバネ要素は、相異なる剛性を有し、RF MEMSスイッチがオフされる場合、バネの剛性率の高いメンブレイン部分が接触面から先に分離することが好ましい。
前記基板上に所定間隔で設けられた支持要素と、前記支持要素のそれぞれに設けられた複数のバネ要素と、前記バネ要素によって前記支持要素間に懸架される、運動要素であるメンブレインと、前記メンブレインの底面に対応する基板の上面に設けられた、接触面である下部電極とを含み、前記メンブレインの両側にそれぞれ位置する複数のバネ要素は、相異なる剛性を有し、RF MEMSスイッチがオフされる場合、バネの剛性率の高いメンブレイン部分が接触面から先に分離することが好ましい。
メンブレンは、複数のバネ要素によって対向するそれぞれの支持要素に支持される。ここで、それぞれの支持要素に接続されたバネ要素は、相異なる剛性を有している。そのため、スイッチをオフにした場合、バネ要素の剛性の違いにより、剛性の弱いバネ要素に支持されているメンブレイン一方が下部電極から先に分離される。よって、スイッチオフ時にスイッチの分離が容易になる利点を持つ。
以上より、本発明によれば、低い電圧にも駆動されながらも、スイッチオンされた状態での粘着力を克服してスイッチオフ時にスイッチ分離を容易にすることができる。
発明2は、発明1において、前記複数のバネ要素は相異なる長さを有することが好ましい。
バネの剛性は、バネの長さ(L)の三乗に反比例することから、長さの短いバネの剛性が長さの長いバネの剛性より大きい。このようなバネ要素の剛性の違いにより、剛性の弱いバネ要素に支持されているメンブレイン一方が下部電極から先に分離される。よって、スイッチオフ時にスイッチの分離が容易になる利点を持つ。
発明2は、発明1において、前記複数のバネ要素は相異なる長さを有することが好ましい。
バネの剛性は、バネの長さ(L)の三乗に反比例することから、長さの短いバネの剛性が長さの長いバネの剛性より大きい。このようなバネ要素の剛性の違いにより、剛性の弱いバネ要素に支持されているメンブレイン一方が下部電極から先に分離される。よって、スイッチオフ時にスイッチの分離が容易になる利点を持つ。
発明3は、発明2において、前記RF MEMSスイッチがオフされる場合、長さの短い側のバネ要素と接続されたメンブレインが接触面から先に分離されることが好ましい。
発明4は、発明1において、前記複数のバネ要素は相異なる幅を有すること好ましい。
スイッチがオフされると、剛性の大きいバネ、即ち、幅の広いバネに接続されたメンブレイン部分が下部電極から分離される。よって、スイッチオフ時にスイッチの分離が容易になる利点を持つ。
発明4は、発明1において、前記複数のバネ要素は相異なる幅を有すること好ましい。
スイッチがオフされると、剛性の大きいバネ、即ち、幅の広いバネに接続されたメンブレイン部分が下部電極から分離される。よって、スイッチオフ時にスイッチの分離が容易になる利点を持つ。
発明5は、発明4において、前記RF MEMSスイッチがオフされる場合、幅の広い側のバネ要素と接続されたメンブレインが接触面から先に分離されることが好ましい。
発明6は、発明1において、前記複数のバネ要素は相異なる厚さを有することが好ましい。
スイッチがオフされると、剛性の大きいバネ、即ち厚さの厚いバネに接続されたメンブレイン部分が接触面である下部電極から先に分離されることになる。よって、スイッチオフ時にスイッチ分離が容易になる利点を持つ。
発明6は、発明1において、前記複数のバネ要素は相異なる厚さを有することが好ましい。
スイッチがオフされると、剛性の大きいバネ、即ち厚さの厚いバネに接続されたメンブレイン部分が接触面である下部電極から先に分離されることになる。よって、スイッチオフ時にスイッチ分離が容易になる利点を持つ。
発明7は、発明1において、前記RF MEMSスイッチがオフされる場合、厚さの厚い側のバネ要素と接続されたメンブレインが接触面から先に分離されることが好ましい。
低い電圧にも駆動されながらも、スイッチオンされた状態での粘着力を克服してスイッチオフ時にスイッチ分離を容易にすることができる。
以下、添付の図面に基づいて本発明の好適な実施形態を詳述する。
図1は一般のRF MEMSスイッチの概略的な斜視図である。
同図に示すように、基板1の上方に駆動ステージ2が位置し、ステージ2はその4つの角部から延長されているバネ3、及びそれを支持するアンカー4により支持される。
ステージ2は、両側の駆動電極2a、2b、およびこれらの間に介在される接点部2cを備える。駆動電極2a、2bの下部には固定電極5a,5bが位置し、接点部2cの下部にはスイッチのための信号ライン6a、6bが位置する。
同図に示すように、基板1の上方に駆動ステージ2が位置し、ステージ2はその4つの角部から延長されているバネ3、及びそれを支持するアンカー4により支持される。
ステージ2は、両側の駆動電極2a、2b、およびこれらの間に介在される接点部2cを備える。駆動電極2a、2bの下部には固定電極5a,5bが位置し、接点部2cの下部にはスイッチのための信号ライン6a、6bが位置する。
このようなRF MEMSスイッチは、固定電極5a、5bと駆動電極2a、2b間の静電気力によりステージ2が基板1について垂直なZ方向に動く。この時、ステージ2が基板1側に移動した時、接点部2cが両信号ライン6a、6bに接して信号ライン6a、6b間の通電を許容する。
図2は図1のRF MEMSスイッチを単純モデリングした図面である。
図2は図1のRF MEMSスイッチを単純モデリングした図面である。
同図に示すように、RF MEMSスイッチ100は、基板1上に支持要素20が所定の間隔をもって位置し、両支持要素20には、運動要素30がその両側のバネ要素40により懸架される。運動要素30の底面に対応する基板1の上面には運動要素30と共に駆動要素を構成している下部電極52が備えられている。
図3Aおよび図3Bは、本発明の一実施の形態に係るRF MEMSスイッチを単純モデリングした概略的な平面図および側面図である。
図3Aおよび図3Bは、本発明の一実施の形態に係るRF MEMSスイッチを単純モデリングした概略的な平面図および側面図である。
図3Aおよび図3Bに示すように、参照符号330は運動要素であるメンブレイン、340aおよび340bはバネ、320は支持要素であるアンカーを示す。
本発明の一実施の形態に係るRF MEMSスイッチ300は、一般的なRF MEMSスイッチ100とは相違し、運動要素であるメンブレイン330を支持するバネ340a、340bの長さが相異なる構造を有する。なお、長さの短い第1バネ340aの剛性(k1)は長さの長い第2バネ340bの剛性(k2)より大きい。バネの剛性はその程度を示す数値であるバネ定数で下記のように表すことができる。
ここで、kはバネ定数、Eは弾性係数、wはバネ幅、tはバネの厚さ、Lはバネの長さである。
本発明の一実施の形態に係るRF MEMSスイッチ300は、一般的なRF MEMSスイッチ100とは相違し、運動要素であるメンブレイン330を支持するバネ340a、340bの長さが相異なる構造を有する。なお、長さの短い第1バネ340aの剛性(k1)は長さの長い第2バネ340bの剛性(k2)より大きい。バネの剛性はその程度を示す数値であるバネ定数で下記のように表すことができる。
即ち、バネの剛性はバネの長さ(L)の三乗に反比例することから、長さの短い第1バネ340aの剛性が長さの長い第2バネ340bの剛性より大きい。
一方、バネの復元力とバネ定数との間に式は次の通りである。
ここで、Fは復元力、kはバネ定数、δは変位を示す。尚、第1バネ340aと第2バネ340bによる変位をそれぞれδ1,δ2と仮定すると、δ1とδ2は同一であるため、第1バネ340aと第2バネ340bによる復元力F1、F2はそれぞれ第1バネ340aのバネ定数(k1)と第2バネ340bのバネ定数(k2)に比例する。
一方、バネの復元力とバネ定数との間に式は次の通りである。
これによって、スイッチ300がオンされた状態においてバネの復元力は、長さの短い第1バネ340aによる復元力(F1)が長さの長い第2バネ340bによる復元力(F2)より大きくなる。即ちF1>F2の関係が成立つ。
従って、スイッチ300がオフされる場合、剛性の大きいバネ、即ち長さの短い第1バネ340aに接続されたメンブレイン330の部分が下部電極(図示せず)から先に分離される。このように、本発明の一実施の形態によると、メンブレイン330の一方が下部電極から先に分離されることによって、スイッチオフ時にスイッチの分離が容易になる利点を持つ。
従って、スイッチ300がオフされる場合、剛性の大きいバネ、即ち長さの短い第1バネ340aに接続されたメンブレイン330の部分が下部電極(図示せず)から先に分離される。このように、本発明の一実施の形態によると、メンブレイン330の一方が下部電極から先に分離されることによって、スイッチオフ時にスイッチの分離が容易になる利点を持つ。
図4は本発明の他の一実施の形態に係るRF MEMSスイッチを単純モデリングした概略的な平面図である。
同図に示すように、本RF MEMSスイッチ400は、一般的なRF MEMSスイッチ100とは相違し、第1バネ440aの幅(w1)が第2バネ440bの幅(w2)より広い、相異なる構造を有する。
同図に示すように、本RF MEMSスイッチ400は、一般的なRF MEMSスイッチ100とは相違し、第1バネ440aの幅(w1)が第2バネ440bの幅(w2)より広い、相異なる構造を有する。
前述した数1に基づくと、バネの剛性はバネの幅(w)に比例するので、幅の広い第1バネ440aの剛性(k1)が幅の狭い第2バネ440bの剛性(k2)より大きくなる。
また、数2に基づくと、第1バネ440aと第2バネ440bによる変位をそれぞれδ1,δ2と仮定すると、δ1とδ2は同一であるので、第1バネ440aと第2バネ440bによる復元力F1,F2はそれぞれ第1バネ440aのバネ定数(k1)と第2バネ440bのバネ定数(k2)に比例する。
また、数2に基づくと、第1バネ440aと第2バネ440bによる変位をそれぞれδ1,δ2と仮定すると、δ1とδ2は同一であるので、第1バネ440aと第2バネ440bによる復元力F1,F2はそれぞれ第1バネ440aのバネ定数(k1)と第2バネ440bのバネ定数(k2)に比例する。
従って、スイッチ400がオンされた状態でバネの復元力は、幅の広い第1バネ440aによる復元力(F1)が幅の狭い第2バネ440bによる復元力(F2)より大きい。即ち、F1>F2という関係が成立つ。
同様に、スイッチ400がオフされる場合、剛性の大きいバネ、即ち、幅の広い第1バネ440aに接続されたメンブレイン430部分が下部電極(図示せず)から分離される。このように、本発明の一実施の形態によると、メンブレイン430の一方が下部電極から先に離れることから、スイッチオフ時にスイッチの分離が容易になる利点を持つ。
同様に、スイッチ400がオフされる場合、剛性の大きいバネ、即ち、幅の広い第1バネ440aに接続されたメンブレイン430部分が下部電極(図示せず)から分離される。このように、本発明の一実施の形態によると、メンブレイン430の一方が下部電極から先に離れることから、スイッチオフ時にスイッチの分離が容易になる利点を持つ。
図5は本発明の更なる一実施の形態に係るRF MEMSスイッチを単純にモデリングした概略的な断面図である。
同図に示すように、本RF MEMSスイッチ500は、第1バネ540aの厚さ(t1)が第2バネ540bの厚さ(t2)より厚い相異なる構造を有する。
前述した数1を参照すると、バネの剛性はバネの厚さ(t)の三乗に比例するので、厚さの厚い第1バネ540aの剛性(k1)が厚さの薄い第2バネ540bの剛性(k2)より大きい。
同図に示すように、本RF MEMSスイッチ500は、第1バネ540aの厚さ(t1)が第2バネ540bの厚さ(t2)より厚い相異なる構造を有する。
前述した数1を参照すると、バネの剛性はバネの厚さ(t)の三乗に比例するので、厚さの厚い第1バネ540aの剛性(k1)が厚さの薄い第2バネ540bの剛性(k2)より大きい。
また、数2を参照すると、第1バネ540aと第2バネ540bによる変位をそれぞれδ1,δ2と仮定すると、δ1とδ2は同一であるので、第1バネ540aと第2バネ540bによる復元力F1,F2はそれぞれ第1バネ540aのバネ定数(k1)と第2バネ540bのバネ定数(k2)に比例する。
これにより、スイッチ500がオンされた状態でバネの復元力は、厚さの厚い第1バネ540aによる復元力(F1)が厚さの薄い第2バネ540bによる復元力(F2)より大きくなる。
これにより、スイッチ500がオンされた状態でバネの復元力は、厚さの厚い第1バネ540aによる復元力(F1)が厚さの薄い第2バネ540bによる復元力(F2)より大きくなる。
同様に、スイッチ500がオフされる場合、剛性の大きいバネ、即ち厚さの厚い第1バネ540aに接続されたメンブレイン530部分が接触面である下部電極から先に分離されることになる。このように、本発明の一実施の形態によると、メンブレイン430の一方が下部電極から先に離れることから、スイッチオフ時にスイッチ分離が容易になる利点を持つ。
以上より、本発明によれば、低い電圧で駆動されている場合であっても、スイッチオンされた状態での粘着力を克服してスイッチオフ時にスイッチ分離を容易にすることができる。
以上、図面に基づいて本発明の好適な実施形態を図示および説明してきたが本発明の保護範囲は、前述の実施形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
以上、図面に基づいて本発明の好適な実施形態を図示および説明してきたが本発明の保護範囲は、前述の実施形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
本発明は、小型のMEMSスイッチとして用いることができる。
300,400,500 MEMSスイッチ
320,420,520 アンカー
330,430,530 メンブレイン
340a,440a,540a 第1バネ
340b,440b,540b 第2バネ
320,420,520 アンカー
330,430,530 メンブレイン
340a,440a,540a 第1バネ
340b,440b,540b 第2バネ
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に所定間隔で設けられた支持要素と、
前記支持要素のそれぞれに設けられた複数のバネ要素と、
前記バネ要素によって前記支持要素間に懸架される、運動要素であるメンブレインと、
前記メンブレインの底面に対応する基板の上面に設けられた、接触面である下部電極とを含み、
前記メンブレインの両側にそれぞれ位置する複数のバネ要素は、相異なる剛性を有し、
RF MEMSスイッチがオフされる場合、バネの剛性率の高いメンブレイン部分が接触面から先に分離することを特徴とする、RF MEMSスイッチ。 - 前記複数のバネ要素は相異なる長さを有することを特徴とする請求項1に記載のRF MEMSスイッチ。
- 前記RF MEMSスイッチがオフされる場合、長さの短い側のバネ要素と接続されたメンブレインが接触面から先に分離されることを特徴とする請求項2に記載のRF MEMSスイッチ。
- 前記複数のバネ要素は相異なる幅を有することを特徴とする請求項1に記載のRF MEMSスイッチ。
- 前記RF MEMSスイッチがオフされる場合、幅の広い側のバネ要素と接続されたメンブレインが接触面から先に分離されることを特徴とする請求項4に記載のRF MEMSスイッチ。
- 前記複数のバネ要素は相異なる厚さを有することを特徴とする請求項1に記載のRF MEMSスイッチ。
- 前記RF MEMSスイッチがオフされる場合、厚さの厚い側のバネ要素と接続されたメンブレインが接触面から先に分離されることを特徴とする請求項6に記載のRF MEMSスイッチ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050068213A KR100633101B1 (ko) | 2005-07-27 | 2005-07-27 | 비대칭 스프링 강성을 갖는 rf 멤스 스위치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007035641A true JP2007035641A (ja) | 2007-02-08 |
Family
ID=37626053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006204929A Pending JP2007035641A (ja) | 2005-07-27 | 2006-07-27 | Rfmemsスイッチ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7420444B2 (ja) |
JP (1) | JP2007035641A (ja) |
KR (1) | KR100633101B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1038406A (en) * | 2009-11-27 | 2011-05-30 | Toshiba Kk | Electrostatic actuator. |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2868591B1 (fr) * | 2004-04-06 | 2006-06-09 | Commissariat Energie Atomique | Microcommutateur a faible tension d'actionnement et faible consommation |
KR100837741B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-06-13 | 삼성전자주식회사 | 미세 스위치 소자 및 미세 스위치 소자의 제조방법 |
TW201026449A (en) * | 2009-01-05 | 2010-07-16 | Basso Ind Corp | Nail gun with safe firing mechanism |
US8363380B2 (en) * | 2009-05-28 | 2013-01-29 | Qualcomm Incorporated | MEMS varactors |
JP5318135B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2013-10-16 | 株式会社東芝 | 静電アクチュエータ |
CN103943418A (zh) * | 2014-04-14 | 2014-07-23 | 苏州锟恩电子科技有限公司 | 一种弹性微桥式rf mems开关 |
US9758366B2 (en) | 2015-12-15 | 2017-09-12 | International Business Machines Corporation | Small wafer area MEMS switch |
CN108508392A (zh) * | 2018-06-21 | 2018-09-07 | 中北大学 | 一种t型四悬臂梁式电子校准件开关 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5817000A (en) * | 1995-09-13 | 1998-10-06 | Souder; James | Magnetic therapy device |
US6483419B1 (en) | 2000-09-12 | 2002-11-19 | 3M Innovative Properties Company | Combination horizontal and vertical thermal actuator |
KR100738064B1 (ko) * | 2001-02-27 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 비선형적 복원력의 스프링을 가지는 mems 소자 |
US6707355B1 (en) | 2001-06-29 | 2004-03-16 | Teravicta Technologies, Inc. | Gradually-actuating micromechanical device |
US6529093B2 (en) * | 2001-07-06 | 2003-03-04 | Intel Corporation | Microelectromechanical (MEMS) switch using stepped actuation electrodes |
JP2004134370A (ja) | 2002-07-26 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スイッチ |
US6621135B1 (en) * | 2002-09-24 | 2003-09-16 | Maxim Integrated Products, Inc. | Microrelays and microrelay fabrication and operating methods |
-
2005
- 2005-07-27 KR KR1020050068213A patent/KR100633101B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-03-22 US US11/385,700 patent/US7420444B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-27 JP JP2006204929A patent/JP2007035641A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1038406A (en) * | 2009-11-27 | 2011-05-30 | Toshiba Kk | Electrostatic actuator. |
JP2011114988A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Toshiba Corp | 静電アクチュエータ |
CN102185517A (zh) * | 2009-11-27 | 2011-09-14 | 株式会社东芝 | 静电致动器 |
US8749113B2 (en) | 2009-11-27 | 2014-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrostatic actuator including a plurality of urging units with varying rigities |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100633101B1 (ko) | 2006-10-12 |
US7420444B2 (en) | 2008-09-02 |
US20070024401A1 (en) | 2007-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007035641A (ja) | Rfmemsスイッチ | |
JP4355717B2 (ja) | コーム構造のアクチュエータを含むrf−memsスイッチ | |
JP3935477B2 (ja) | シーソー型rf用memsスイッチおよびその製造方法 | |
US6850133B2 (en) | Electrode configuration in a MEMS switch | |
JP3918559B2 (ja) | 静電型リレー及び当該リレーを用いた通信用機器 | |
US7251069B2 (en) | MEMS switch and method of fabricating the same | |
JP3651671B2 (ja) | マイクロメカニカルスイッチ及びその製造方法 | |
US7978045B2 (en) | Multi-actuation MEMS switch | |
KR100631204B1 (ko) | Mems 스위치 및 그 제조방법 | |
KR100492004B1 (ko) | 미세전자기계적 시스템 기술을 이용한 고주파 소자 | |
JP5083977B2 (ja) | 電気機械素子、その駆動方法およびそれを用いた電気機器 | |
KR20070013950A (ko) | 정전기력 및 압전력에 의해 구동되는 멤스 스위치 | |
JP4108708B2 (ja) | Memsスイッチおよびその製造方法 | |
JP2006159356A (ja) | 圧電駆動型mems装置 | |
US7109641B2 (en) | Low voltage micro switch | |
JP2006179252A (ja) | スイッチデバイス | |
US10074491B2 (en) | Rapid micro electro mechanical system switching apparatus | |
JP3986881B2 (ja) | 単一アンカーを備えるマイクロ電子機械システムスイッチ | |
JP2007149370A (ja) | スイッチ | |
KR100502156B1 (ko) | 멤스 알에프 스위치 | |
JP2004181552A (ja) | マイクロマシンキャパシタ | |
KR101804412B1 (ko) | 이중 앵커와 주름진 멤브레인 구조를 갖는 rf mems 스위치 및 그 제조방법 | |
WO2014080444A1 (ja) | 静電アクチュエーターおよび可変容量デバイス | |
KR20050023144A (ko) | 정전식 양방향 미세기전 액추에이터 | |
KR20010095553A (ko) | 마이크로 스위치 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080610 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081209 |