JP2007034225A - Display device - Google Patents

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Tetsuo Mitsunami
徹雄 三並
Junichi Yamashita
淳一 山下
Katsuhide Uchino
勝秀 内野
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Sony Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To execute an accurate circuit operation in a pixel circuit. <P>SOLUTION: With respect to two or more vertical scanner parts (a write scanner 14 and a drive scanner 15) disposed on one side of a pixel array, buffer parts (or buffer parts 25 and 35 and level conversion parts 24 and 34) of respective vertical scanner parts are collectively disposed in a position near a pixel array part 20, whereby line lengths from scan pulse output ends of respective vertical scanner parts to the pixel array are approximately equalized. Alternatively they are disposed side by side in a vertical direction per vertical scanner circuit component corresponding to one scan line, whereby differences in line length are eliminated. Reduction or elimination of the differences in line length reduces delay time differences of scan pulses from respective vertical scanner parts in such a degree that the delay time differences don't influence the circuit operation, or eliminates the delay time differences. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、信号線と複数種類の走査線が交差する部分に形成される画素回路がマトリクス状に配置されて成る表示装置であって、例えば発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)を用いた表示装置に関する。   The present invention is a display device in which pixel circuits formed at a portion where a signal line and a plurality of types of scanning lines intersect are arranged in a matrix. For example, an organic electroluminescence element (organic EL element) is used as a light emitting element. The present invention relates to the display device used.

特開2003−255856JP 2003-255856 A 特開2003−271095JP 2003-271095 A

上記特許文献1,2に見られるように、有機EL素子を画素に用いた画像表示装置が開発されている。有機EL素子は自発光素子であることから、例えば液晶ディスプレイに比べて画像の視認性が高く、バックライトが不要であり、応答速度が速いなどの利点を有する。又、各発光素子の輝度レベル(階調)はそれに流れる電流値によって制御可能である(いわゆる電流制御型)。
有機ELディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子(一般には薄膜トランジスタ:TFT)によって制御するものである。
As can be seen in Patent Documents 1 and 2, image display apparatuses using organic EL elements as pixels have been developed. Since the organic EL element is a self-luminous element, it has advantages such as higher image visibility than a liquid crystal display, no need for a backlight, and high response speed. Further, the luminance level (gradation) of each light emitting element can be controlled by the value of the current flowing therethrough (so-called current control type).
In the organic EL display, similarly to the liquid crystal display, there are a simple matrix method and an active matrix method as driving methods. Although the former has a simple structure, there is a problem that it is difficult to realize a large-sized and high-definition display. Therefore, the active matrix method is actively developed at present. In this method, a current flowing through a light emitting element in each pixel circuit is controlled by an active element (generally a thin film transistor: TFT) provided in the pixel circuit.

図11にアクティブマトリクス型有機EL表示装置のブロック図を示す。
この表示装置は、画素回路G11・・・Gmnとして示すように有機EL素子を発光素子とする画素回路Gがm行、n列にm×n個、マトリクス状に配列された画素アレイ部100を有する。
画素アレイ部100に対しては第1列から第n列の各列に対して信号線DTLが配設され、またこの場合、4種類の走査線がそれぞれ第1行から第m行の各行に対して配設されている。そして信号線と4種類の走査線が交差する部分に、各画素回路G11・・・Gnmがそれぞれ配置される状態となっている。
FIG. 11 is a block diagram of an active matrix organic EL display device.
This display device includes a pixel array unit 100 in which pixel circuits G each having an organic EL element as a light emitting element are arranged in m rows and n columns in a matrix form as shown as pixel circuits G11... Gmn. Have.
In the pixel array unit 100, signal lines DTL are provided for the first to n-th columns, and in this case, four types of scanning lines are respectively provided from the first row to the m-th row. It is arranged with respect to. Each pixel circuit G11... Gnm is disposed at a portion where the signal line and the four types of scanning lines intersect.

n本の各信号線DTLは水平セレクタ101によって駆動される。具体的には各信号線には水平セレクタ101により輝度情報に応じた信号が印加され、その信号が走査線によって選択された行の各画素回路Gに供給される。
4種類の走査線としては、ライトスキャナ104によって駆動される走査線WSL、ドライブスキャナ105によって駆動される走査線DSL、第1AZ(Auto Zero)スキャナによって駆動される走査線AZL1、第2AZスキャナによって駆動される走査線AZL2がある。
この4種類の走査線が、各行に配設されており、各画素回路Gは、4本の走査線によって与えられる走査パルスに応じて所定の動作を行う。
Each of the n signal lines DTL is driven by the horizontal selector 101. Specifically, a signal corresponding to luminance information is applied to each signal line by the horizontal selector 101, and the signal is supplied to each pixel circuit G in the row selected by the scanning line.
The four types of scanning lines include a scanning line WSL driven by the write scanner 104, a scanning line DSL driven by the drive scanner 105, a scanning line AZL1 driven by a first AZ (Auto Zero) scanner, and a second AZ scanner. There is a scanning line AZL2 to be performed.
These four types of scanning lines are arranged in each row, and each pixel circuit G performs a predetermined operation in accordance with scanning pulses given by the four scanning lines.

そして4種類の走査線によって或る行の画素回路Gが駆動されているときに、水平セレクタ101によって各信号線に信号電位が与えられることで、その行の各画素回路Gにおいて信号電位に応じた輝度の発光動作が行われる。
4種類の走査線が、各行を順次選択していくことで、1画面(1フレーム)の映像表示が行われる。
When the pixel circuit G in a certain row is driven by the four types of scanning lines, a signal potential is applied to each signal line by the horizontal selector 101, so that each pixel circuit G in that row corresponds to the signal potential. A light emission operation with high brightness is performed.
Four types of scanning lines sequentially select each row, thereby displaying one screen (one frame) of video.

ところで、図11のような構成の場合、画素アレイ部100の右側方にライトスキャナ104とドライブスキャナ105が配置されるが、この場合、ドライブスキャナ105は、ライトスキャナ104よりも画素アレイ部100に遠い位置となる。
ライトスキャナ104からの走査線WSLは、ライトスキャナ104の出力端P1を基点として、画素アレイ部100内を行方向に延長され、画素アレイ部100の最も左側の列の画素回路G(G11、G21・・・Gm1)にまで達するように配設される。
またドライブスキャナ105からの走査線DSLは、ドライブスキャナ105の出力端P3を基点として、画素アレイ部100内を行方向に延長され、画素アレイ部100の最も左側の列の画素回路G(G11、G21・・・Gm1)にまで達するように配設される。
In the case of the configuration as shown in FIG. 11, the write scanner 104 and the drive scanner 105 are arranged on the right side of the pixel array unit 100. In this case, the drive scanner 105 is located in the pixel array unit 100 rather than the write scanner 104. Distant position.
The scanning line WSL from the light scanner 104 is extended in the row direction in the pixel array unit 100 from the output end P1 of the write scanner 104 as a base point, and the pixel circuits G (G11, G21) in the leftmost column of the pixel array unit 100 ... Gm1).
The scanning line DSL from the drive scanner 105 is extended in the row direction in the pixel array unit 100 from the output end P3 of the drive scanner 105 as a base point, and the pixel circuits G (G11, G11, L) in the leftmost column of the pixel array unit 100 G21... Gm1).

ここで図11では、画素アレイ部100の右端側の位置P2,P4を、それぞれ走査線WSLの画素入力端、走査線DSLの画素入力端としているが、走査線WSLの出力端P1と画素入力端P2の距離と、走査線DSLの出力端P3と画素入力端P4の距離の差として、走査線DSL、WSLに配線長の差が生ずることになる。
つまりライトスキャナ104から出力される走査パルスが画素アレイ部100に達するまでの距離よりも、ドライブスキャナ105から出力される走査パルスが画素アレイ部100に達するまでの距離の方が長くなる。
Here, in FIG. 11, the positions P2 and P4 on the right end side of the pixel array unit 100 are the pixel input end of the scanning line WSL and the pixel input end of the scanning line DSL, respectively, but the output end P1 of the scanning line WSL and the pixel input As a difference between the distance of the end P2 and the distance between the output end P3 of the scanning line DSL and the pixel input end P4, a difference in wiring length occurs between the scanning lines DSL and WSL.
That is, the distance until the scanning pulse output from the drive scanner 105 reaches the pixel array unit 100 is longer than the distance until the scanning pulse output from the write scanner 104 reaches the pixel array unit 100.

1つの行の走査線WSL、DSLに対する走査線ライトスキャナ104とドライブスキャナ105の内部構成を図12に示す。この図12は、画素アレイ部20の側方において形成される回路の配置順に示している。   FIG. 12 shows an internal configuration of the scanning line write scanner 104 and the drive scanner 105 for the scanning lines WSL and DSL in one row. FIG. 12 shows the arrangement order of circuits formed on the side of the pixel array section 20.

ライトスキャナ104は、シフトレジスタ部121、クロック供給部122、ロジック部123、レベル変換部124、バッファ部125を有する。
ドライブスキャナ105は、シフトレジスタ部131、クロック供給部132、ロジック部133、レベル変換部134、バッファ部135を有する。
シフトレジスタ部121、131、クロック供給部122、132、ロジック部123、133には、例えば+10Vの電圧VHと、例えば0V(グランド電位)として電圧VL1の電源ラインが配設され、+10V〜0Vの動作電源電圧で動作する。
またレベル変換部124、134、バッファ部125、135には、例えば+10Vの電圧VHと、例えば−5Vの電圧VL2の電源ラインが配設され、+10V〜−5Vの動作電源電圧で動作する。
クロック供給部122,132には、クロック線により所定周波数のクロックCKが供給される。
The write scanner 104 includes a shift register unit 121, a clock supply unit 122, a logic unit 123, a level conversion unit 124, and a buffer unit 125.
The drive scanner 105 includes a shift register unit 131, a clock supply unit 132, a logic unit 133, a level conversion unit 134, and a buffer unit 135.
In the shift register units 121 and 131, the clock supply units 122 and 132, and the logic units 123 and 133, for example, a voltage VH of + 10V and a power supply line of a voltage VL1 as, for example, 0V (ground potential) are arranged, and + 10V to 0V Operates at the operating power supply voltage.
The level converters 124 and 134 and the buffer units 125 and 135 are provided with a power line of a voltage VH of, for example, + 10V and a voltage VL2 of, for example, -5V, and operate with an operating power supply voltage of + 10V to -5V.
A clock CK having a predetermined frequency is supplied to the clock supply units 122 and 132 through a clock line.

ライトスキャナ104では、シフトレジスタ部121から出力されたパルスが、ロジック部123の処理に供されることで走査パルスの波形が生成される。クロック供給部122は、クロックCKをシフトレジスタ121に供給する。
ロジック部123で生成されたパルス波形は、レベル変換部124で、画素回路Gでの動作制御に適したレベルとして+10V〜−5Vのパルスにレベル変換さる。そして当該パルスがバッファ部125で波形整形されて、ライトスキャナ104による走査パルスとして走査線WSLに出力される。
In the write scanner 104, the pulse output from the shift register unit 121 is supplied to the processing of the logic unit 123, thereby generating a scan pulse waveform. The clock supply unit 122 supplies the clock CK to the shift register 121.
The pulse waveform generated by the logic unit 123 is level-converted by the level conversion unit 124 into a pulse of + 10V to −5V as a level suitable for operation control in the pixel circuit G. The pulse is waveform-shaped by the buffer unit 125 and output to the scanning line WSL as a scanning pulse by the write scanner 104.

ドライブスキャナ105では、シフトレジスタ部131から出力されたパルスが、ロジック部133の処理に供されることで走査パルスの波形が生成される。クロック供給部132は、クロックCKをシフトレジスタ131に供給する。
ロジック部133で生成されたパルス波形は、レベル変換部134で、画素回路Gでの動作制御に適したレベルとして+10V〜−5Vのパルスにレベル変換さる。そして当該パルスがバッファ部135で波形整形されて、ドライブスキャナ105による走査パルスとして走査線DSLに出力される。
In the drive scanner 105, the pulse output from the shift register unit 131 is supplied to the processing of the logic unit 133, thereby generating a scan pulse waveform. The clock supply unit 132 supplies the clock CK to the shift register 131.
The pulse waveform generated by the logic unit 133 is level-converted by the level conversion unit 134 to a pulse of +10 V to −5 V as a level suitable for operation control in the pixel circuit G. The pulse is waveform-shaped by the buffer unit 135 and output to the scanning line DSL as a scanning pulse by the drive scanner 105.

このような構成の場合、ライトスキャナ104の出力端P1は、バッファ部125の出力端であり、またドライブスキャナ105の出力端P3は、バッファ部135の出力端となる。
そして配線長の差は、図示するように、バッファ部125、135の各出力端P1,P3間の距離であり、例えば1000μm程度である。
In such a configuration, the output terminal P 1 of the write scanner 104 is an output terminal of the buffer unit 125, and the output terminal P 3 of the drive scanner 105 is an output terminal of the buffer unit 135.
The difference in wiring length is the distance between the output terminals P1 and P3 of the buffer units 125 and 135, as shown in the figure, and is, for example, about 1000 μm.

このようにライトスキャナ104、ドライブスキャナ105の間で、画素アレイ部100に達するまでの配線長の差が存在すると、その配線長の差によって走査線DSLの走査パルスと走査線WSLの走査パルスとの間で、画素アレイ部100からみてパルス遅延量の差が生ずる。
例えば図13(a)のようなパルスがライトスキャナ104の出力端P1から出力されたとき、画素入力端P2では、P1−P2間の配線抵抗や配線容量で波形が鈍ることから図13(b)のように遅延が生ずる。
一方、図13(c)のようなパルスがドライブスキャナ105の出力端P3から出力されたとき、画素入力端P4では、P3−P4間の配線抵抗や配線容量の影響で図13(d)のように遅延が生ずる。そして配線長の差、つまり配線抵抗及び配線容量の差によって、図13(b)(d)を比較してわかるように、ドライブスキャナ105からのパルスの方が、遅延量が大きくなる。
各画素回路Gから見れば、走査線DSLからのパルスと、走査線WSLからのパルスは、上記の遅延量の差をもって与えられることになる。
As described above, if there is a difference in wiring length between the light scanner 104 and the drive scanner 105 until the pixel array unit 100 is reached, the scanning pulse of the scanning line DSL and the scanning pulse of the scanning line WSL are caused by the difference in wiring length. As a result, a difference in pulse delay occurs when viewed from the pixel array unit 100.
For example, when a pulse as shown in FIG. 13A is output from the output terminal P1 of the light scanner 104, the waveform becomes dull at the pixel input terminal P2 due to the wiring resistance and wiring capacity between P1 and P2. ) Delay occurs.
On the other hand, when a pulse as shown in FIG. 13C is output from the output terminal P3 of the drive scanner 105, the pixel input terminal P4 is affected by the wiring resistance between P3 and P4 and the wiring capacitance as shown in FIG. Thus, a delay occurs. Then, as can be seen by comparing FIGS. 13B and 13D, the delay amount of the pulse from the drive scanner 105 becomes larger due to the difference in wiring length, that is, the difference in wiring resistance and wiring capacitance.
When viewed from each pixel circuit G, the pulse from the scanning line DSL and the pulse from the scanning line WSL are given with the difference in the delay amount.

ここで、各画素回路Gにおいては、走査線DSL、WSL、AZL1、AZL2の各パルスによって画素回路内部の各トランジスタがオン/オフされて必要な動作が行われるが、例えば走査線DSL、WSLのパルスの位相差によって或る動作期間が設定されるように発光駆動動作がコントロールされている場合、上記の遅延量の差が、その動作期間に影響し、正確な画素回路動作が実行できなくなる場合がある。   Here, in each pixel circuit G, each transistor in the pixel circuit is turned on / off by each pulse of the scanning lines DSL, WSL, AZL1, and AZL2, and a necessary operation is performed. When the light emission drive operation is controlled so that a certain operation period is set by the phase difference of the pulse, the difference in the delay amount affects the operation period, and an accurate pixel circuit operation cannot be executed. There is.

そこで本発明は、上記のライトスキャナ104、ドライブスキャナ105のように、画素アレイの一側方に複数の垂直スキャナ部を配置させる場合に、各垂直スキャナ部の走査パルスの遅延量の差を減少又は解消させ、画素回路の動作が正しく実行されるようにすること目的とする。   Therefore, the present invention reduces the difference in the scanning pulse delay amount of each vertical scanner unit when a plurality of vertical scanner units are arranged on one side of the pixel array as in the above-described light scanner 104 and drive scanner 105. Alternatively, the object is to eliminate the pixel circuit so that the operation of the pixel circuit is correctly executed.

本発明の表示装置は、画素回路がマトリクス状に配置されて成る画素アレイと、マトリクス状に配置された上記各画素回路に発光輝度を規定する信号を印加するために上記画素アレイ上で列方向に配設される信号線と、マトリクス状に配置された上記各画素回路の動作を制御するために上記画素アレイ上で行方向に配設される複数種類の走査線と、上記信号線を駆動する信号線駆動部と、走査パルス生成回路部と出力バッファ回路部とを備えた垂直スキャナ部として上記複数種類の走査線のそれぞれを駆動する複数個の垂直スキャナ部とを備える。そして上記複数個の垂直スキャナ部のうちで、上記画素アレイの同一の側方に配置される2以上の垂直スキャナ部については、それぞれの垂直スキャナ部における上記出力バッファ回路部が、上記画素アレイに最も近い位置にまとめて配置されているものである。
また上記各垂直スキャナ部には、上記走査パルス生成回路部からの走査パルスをレベル変換して上記出力バッファ回路部に供給するレベル変換回路部が設けられており、上記複数個の垂直スキャナ部のうちで、上記画素アレイの同一の側方に配置される2以上の垂直スキャナ部については、それぞれの垂直スキャナ部における上記出力バッファ回路部と上記レベル変換回路部が、上記画素アレイに最も近い位置にまとめて配置されている。
The display device according to the present invention includes a pixel array in which pixel circuits are arranged in a matrix, and a column direction on the pixel array in order to apply a signal defining emission luminance to each of the pixel circuits arranged in a matrix. A plurality of types of scanning lines arranged in a row direction on the pixel array to control the operation of the pixel circuits arranged in a matrix, and the signal lines. And a plurality of vertical scanner units for driving each of the plurality of types of scanning lines as a vertical scanner unit including a signal line driving unit, a scanning pulse generation circuit unit, and an output buffer circuit unit. Among the plurality of vertical scanner units, for two or more vertical scanner units arranged on the same side of the pixel array, the output buffer circuit unit in each vertical scanner unit is connected to the pixel array. They are arranged together at the closest position.
Each of the vertical scanner units is provided with a level conversion circuit unit for level-converting the scan pulse from the scan pulse generation circuit unit and supplying the level to the output buffer circuit unit. Among them, for two or more vertical scanner units arranged on the same side of the pixel array, the output buffer circuit unit and the level conversion circuit unit in each vertical scanner unit are positioned closest to the pixel array. Are arranged together.

また本発明の表示装置は、画素回路がマトリクス状に配置されて成る画素アレイと、マトリクス状に配置された上記各画素回路に発光輝度を規定する信号を印加するために上記画素アレイ上で列方向に配設される信号線と、マトリクス状に配置された上記各画素回路の動作を制御するために上記画素アレイ上で行方向に配設される複数種類の走査線と、上記信号線を駆動する信号線駆動部と、 上記複数種類の走査線のそれぞれを駆動する複数個の垂直スキャナ部とを備える。そして上記複数個の垂直スキャナ部のうちで、上記画素アレイの同一の側方に配置される2以上の垂直スキャナ部については、1つの走査線に対応する垂直スキャナ回路構成部位毎に、垂直方向に並ぶように配置されているものである。   In addition, the display device of the present invention includes a pixel array in which pixel circuits are arranged in a matrix, and a column on the pixel array for applying a signal defining emission luminance to each of the pixel circuits arranged in a matrix. Signal lines arranged in a direction, a plurality of types of scanning lines arranged in a row direction on the pixel array to control the operation of the pixel circuits arranged in a matrix, and the signal lines. A signal line driving unit for driving, and a plurality of vertical scanner units for driving each of the plurality of types of scanning lines. Of the plurality of vertical scanner units, two or more vertical scanner units arranged on the same side of the pixel array are arranged in the vertical direction for each vertical scanner circuit component corresponding to one scanning line. Are arranged side by side.

このような本発明の表示装置では、画素アレイの同一の側方に配置された2以上の垂直スキャナ部(例えばライトスキャナとドライブスキャナ)について、各垂直スキャナ部の出力バッファ回路部がまとめて画素アレイに近い位置に配置されることで、各垂直スキャナ部の走査パルス出力端から上記画素アレイに至るまでの走査線配線長が略同等となる。つまり各垂直スキャナ部の出力端から画素アレイに達するまでの配線長の差を著しく減少させることができる。
各垂直スキャナ部の出力バッファ回路部とレベル変換回路部がまとめて画素アレイに近い位置に配置される場合も同様である。
また1つの走査線に対応する垂直スキャナ回路構成部位毎に、垂直方向に並ぶように配置されることで、上記配線長の差を無くすことができる。
配線長の差を減少又は解消することで、各垂直スキャナ部からの走査パルスの遅延時間差を、回路動作に影響ない程度に減少したり、遅延時間差を無くすことができる。
In such a display device of the present invention, for two or more vertical scanner units (for example, a write scanner and a drive scanner) arranged on the same side of the pixel array, the output buffer circuit unit of each vertical scanner unit collects pixels. By being arranged at a position close to the array, the scanning line wiring length from the scanning pulse output end of each vertical scanner section to the pixel array becomes substantially equal. That is, the difference in wiring length from the output end of each vertical scanner unit to the pixel array can be significantly reduced.
The same applies to the case where the output buffer circuit unit and the level conversion circuit unit of each vertical scanner unit are collectively arranged near the pixel array.
Further, by arranging the vertical scanner circuit constituent portions corresponding to one scanning line so as to be arranged in the vertical direction, the difference in the wiring length can be eliminated.
By reducing or eliminating the difference in wiring length, it is possible to reduce the delay time difference between the scanning pulses from the vertical scanner units to the extent that the circuit operation is not affected, or to eliminate the delay time difference.

本発明によれば、画素アレイの同一の側方に配置された2以上の垂直スキャナ部から出力される各走査パルスについて、各垂直スキャナ部と画素アレイまでの走査線の配線長の差を減少又は解消できるため、配線長の差に起因する遅延時間差を低減又は解消できる。従って、上記各垂直スキャナ部から出力される走査パルスは、遅延時間差のない(又は回路動作に影響がない程度に小さい)状態で各画素回路に供給されることになり、これによって画素回路では、走査パルスに基づく適正な回路動作を実現できるという効果がある。   According to the present invention, for each scanning pulse output from two or more vertical scanner units arranged on the same side of the pixel array, the difference in the wiring length of the scanning lines from each vertical scanner unit to the pixel array is reduced. Alternatively, the delay time difference due to the difference in wiring length can be reduced or eliminated. Therefore, the scanning pulse output from each vertical scanner unit is supplied to each pixel circuit without a delay time difference (or small enough not to affect the circuit operation). There is an effect that an appropriate circuit operation based on the scanning pulse can be realized.

また、垂直スキャナ部の出力バッファ回路部とレベル変換回路部がまとめて画素アレイに近い位置に配置されるようにすることは、電源ラインの配線の引き回しが容易となり、回路のレイアウト設計を簡易化できる。
また、1つの走査線に対応する垂直スキャナ回路構成部位毎に、垂直方向に並ぶように配置する場合は、垂直方向に配設する電源ライン、クロックラインの削減や、配線の引き回しが容易となる。
In addition, when the output buffer circuit and level conversion circuit of the vertical scanner are placed together at a position close to the pixel array, the wiring of the power line can be easily routed and the circuit layout design is simplified. it can.
In addition, when the vertical scanner circuit components corresponding to one scanning line are arranged so as to be arranged in the vertical direction, it is easy to reduce the number of power lines and clock lines arranged in the vertical direction and to route the wiring. .

以下、本発明の表示装置の第1〜第4の実施の形態として、有機EL素子を用いた表示装置の例を説明する。
Hereinafter, examples of display devices using organic EL elements will be described as first to fourth embodiments of the display device of the present invention.

[第1の実施の形態]

図1に実施の形態の表示装置の構成を示す。この表示装置は後述するように、ドライブトランジスタの閾値電圧変動や移動度のバラツキに対する補償機能を備えた画素回路10を含むものである。
図1に示すように、本例の表示装置は、画素回路10がm行×n列のマトリクス状に配列された画素アレイ部20、水平セレクタ11、ドライブスキャナ15、ライトスキャナ14、第1AZスキャナ12、第2AZスキャナ11を備える。
また水平セレクタ11により選択され、輝度情報に応じた映像信号を画素回路10に対する入力信号として供給する信号線DTL1、DTL2・・・が、画素アレイ部20に対して列方向に配されている。信号線DTL1、DTL2・・・は、画素アレイ部20においてマトリクス配置された画素回路10のn列分だけ配される。
[First Embodiment]

FIG. 1 shows a configuration of a display device according to an embodiment. As will be described later, this display device includes a pixel circuit 10 having a compensation function for fluctuations in threshold voltage of the drive transistor and variations in mobility.
As shown in FIG. 1, the display device of this example includes a pixel array unit 20 in which pixel circuits 10 are arranged in a matrix of m rows × n columns, a horizontal selector 11, a drive scanner 15, a write scanner 14, and a first AZ scanner. 12. A second AZ scanner 11 is provided.
Further, signal lines DTL1, DTL2,..., Which are selected by the horizontal selector 11 and supply video signals corresponding to luminance information as input signals to the pixel circuit 10, are arranged in the column direction with respect to the pixel array unit 20. The signal lines DTL1, DTL2,... Are arranged for n columns of the pixel circuits 10 arranged in a matrix in the pixel array unit 20.

また画素アレイ部20に対して、行方向に走査線WSL1,WSL2・・・、走査線DSL1,DSL2・・・、走査線AZL1−1,AZL1−2・・・、走査線AZL2−1,AZL2−2・・・、が配されている。これらの走査線はそれぞれ、画素アレイ部20においてマトリクス配置された画素回路10のm行分だけ配される。
走査線WSL(WSL1,WSL2・・・)はライトスキャナ14により選択駆動される。
走査線DSL(DSL1,DSL2・・・)はドライブスキャナ15により選択駆動される。
走査線AZL1(AZL1−1,AZL1−2・・・)は第1AZスキャナ12により選択駆動される。
走査線AZL2(AZL2−1,AZL2−2・・・)は第2AZスキャナ13により選択駆動される。
ドライブスキャナ15、ライトスキャナ14、第1AZスキャナ12、第2AZスキャナ13は、それぞれ入力されるスタートパルスspとクロックckを基準として、設定された所定のタイミングで各走査線に選択パルスを与える。
Further, the scanning lines WSL1, WSL2,..., The scanning lines DSL1, DSL2,..., The scanning lines AZL1-1, AZL1-2, and the scanning lines AZL2-1, AZL2 in the row direction with respect to the pixel array unit 20. -2 ... are arranged. Each of these scanning lines is arranged for m rows of the pixel circuits 10 arranged in a matrix in the pixel array unit 20.
The scanning lines WSL (WSL1, WSL2,...) Are selectively driven by the write scanner 14.
The scanning lines DSL (DSL1, DSL2,...) Are selectively driven by the drive scanner 15.
The scanning lines AZL1 (AZL1-1, AZL1-2,...) Are selectively driven by the first AZ scanner 12.
The scanning lines AZL2 (AZL2-1, AZL2-2,...) Are selectively driven by the second AZ scanner 13.
The drive scanner 15, the write scanner 14, the first AZ scanner 12, and the second AZ scanner 13 give a selection pulse to each scanning line at a predetermined timing set based on the input start pulse sp and clock ck, respectively.

図2に画素回路10の構成を示している。なお、図2では簡略化のため、信号線DTLと走査線WSL,DSL,AZL1,AZL2が交差する部分に配される1つの画素回路10のみを示している。
この画素回路10は、発光素子である有機EL素子1と、1個の保持容量C1と、サンプリングトランジスタT1、ドライブトランジスタT5、スイッチングトランジスタT3、第1の検知トランジスタT2、第2の検知トランジスタT4からなる5個の薄膜トランジスタ(TFT)とで構成されている。サンプリングトランジスタT1、ドライブトランジスタT5、第1の検知トランジスタT2、第2の検知トランジスタT4はnチャネルTFTとされ、スイッチングトランジスタT3はpチャネルTFTとされている。
FIG. 2 shows the configuration of the pixel circuit 10. In FIG. 2, only one pixel circuit 10 arranged at a portion where the signal line DTL and the scanning lines WSL, DSL, AZL1, and AZL2 intersect is shown for simplification.
The pixel circuit 10 includes an organic EL element 1 that is a light emitting element, one holding capacitor C1, a sampling transistor T1, a drive transistor T5, a switching transistor T3, a first detection transistor T2, and a second detection transistor T4. It consists of five thin film transistors (TFTs). The sampling transistor T1, the drive transistor T5, the first detection transistor T2, and the second detection transistor T4 are n-channel TFTs, and the switching transistor T3 is a p-channel TFT.

保持容量C1は、一方の端子がドライブトランジスタT5のソースに接続され、他方の端子が同じくドライブトランジスタT5のゲートに接続されている。図では、ドライブトランジスタT5のソースノードをB点、ドライブトランジスタT5のゲートノードをA点として示している。従って保持容量C1はA点−B点間に接続されていることになる。
画素回路10の発光素子は例えばダイオード構造の有機EL素子1とされ、アノードとカソードを備えている。有機EL素子1のアノードはドライブトランジスタT5のソース(B点)に接続され、カソードは所定のカソード電位Vcatに接続されている。
The storage capacitor C1 has one terminal connected to the source of the drive transistor T5 and the other terminal connected to the gate of the drive transistor T5. In the figure, the source node of the drive transistor T5 is shown as point B, and the gate node of the drive transistor T5 is shown as point A. Therefore, the storage capacitor C1 is connected between the points A and B.
The light emitting element of the pixel circuit 10 is, for example, the organic EL element 1 having a diode structure, and includes an anode and a cathode. The anode of the organic EL element 1 is connected to the source (point B) of the drive transistor T5, and the cathode is connected to a predetermined cathode potential Vcat.

第1の検知トランジスタT2は、そのソースが第1の固定電位Vss1に接続され、そのドレインがドライブトランジスタT5のゲート(A点)に接続され、そのゲートは走査線AZL1に接続されている。
第2の検知トランジスタT4は、そのソースが第2の固定電位Vss2に接続され、そのドレインがドライブトランジスタT5のソース(B点)に接続され、ゲートが走査線AZL2に接続されている。
サンプリングトランジスタT1は、その一端が信号線DTLに接続され、他端がドライブトランジスタT5のゲート(A点)に接続され、そのゲートが走査線WSLに接続されている。
スイッチングトランジスタT3は、そのドレインが電源電位Vccに接続され、そのソースがドライブトランジスタT5のドレインに接続され、そのゲートが走査線DSLに接続されている。
The source of the first detection transistor T2 is connected to the first fixed potential Vss1, the drain thereof is connected to the gate (point A) of the drive transistor T5, and the gate thereof is connected to the scanning line AZL1.
The source of the second detection transistor T4 is connected to the second fixed potential Vss2, the drain is connected to the source (point B) of the drive transistor T5, and the gate is connected to the scanning line AZL2.
The sampling transistor T1 has one end connected to the signal line DTL, the other end connected to the gate (point A) of the drive transistor T5, and the gate connected to the scanning line WSL.
The switching transistor T3 has a drain connected to the power supply potential Vcc, a source connected to the drain of the drive transistor T5, and a gate connected to the scanning line DSL.

サンプリングトランジスタT1は走査線WSLによってライトスキャナ14から与えられる走査パルスWSによって選択されたときに動作し、信号線DTLからの入力信号Vsigをサンプリングして保持容量C1に保持させる。
ドライブトランジスタT5は、保持容量C1に保持された信号電位に応じて有機EL素子1を電流駆動する。
スイッチングトランジスタT3は走査線DSLによってドライブスキャナ15から与えられる走査パルスDSによって選択されたときに導通して電源電位VccからドライブトランジスタT5に電流を供給する。
第1の検知トランジスタT2は、走査線AZL1によって第1AZスキャナ12から与えられる走査パルスAZ1によって所定のタイミングで選択され導通される。
第2の検知トランジスタT4は、走査線AZL2によって第2AZスキャナ13から与えられる走査パルスAZ2によって所定のタイミングで選択され導通される。
The sampling transistor T1 operates when selected by the scanning pulse WS given from the write scanner 14 by the scanning line WSL, samples the input signal Vsig from the signal line DTL, and holds it in the holding capacitor C1.
The drive transistor T5 drives the organic EL element 1 by current according to the signal potential held in the holding capacitor C1.
The switching transistor T3 conducts when it is selected by the scanning pulse DS supplied from the drive scanner 15 by the scanning line DSL, and supplies a current from the power supply potential Vcc to the drive transistor T5.
The first detection transistor T2 is selected and turned on at a predetermined timing by a scanning pulse AZ1 provided from the first AZ scanner 12 by the scanning line AZL1.
The second detection transistor T4 is selected and turned on at a predetermined timing by the scanning pulse AZ2 given from the second AZ scanner 13 by the scanning line AZL2.

第1,第2の検知トランジスタT2,T4の動作により、有機EL素子1の電流駆動に先立ってドライブトランジスタT5の閾値電圧Vthを検知し、あらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した閾値電圧を保持容量C1に保持する動作(閾値検出動作)が実行される。
またサンプリングトランジスタT1とスイッチングトランジスタT3が共に導通している期間に、ドライブトランジスタT5の移動度のバラツキに対する補正動作が行われる。
The threshold voltage Vth of the drive transistor T5 is detected prior to the current drive of the organic EL element 1 by the operation of the first and second detection transistors T2 and T4, and the detected threshold voltage is used to cancel the influence in advance. An operation (threshold detection operation) held in the holding capacitor C1 is executed.
Further, during the period in which the sampling transistor T1 and the switching transistor T3 are both conductive, a correction operation for the variation in mobility of the drive transistor T5 is performed.

なお固定電位Vss2は、固定電位Vss1からドライブトランジスタT5の閾値電圧Vthを差し引いたレベルよりも低く設定されている。すなわち、Vss2<Vss1−Vthである。
また固定電位Vss2は、有機EL素子1の閾値電圧Velと、カソード電位Vcatの和より小さく設定されている(Vss2<Vthel+Vcat)。
The fixed potential Vss2 is set lower than the level obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the drive transistor T5 from the fixed potential Vss1. That is, Vss2 <Vss1-Vth.
The fixed potential Vss2 is set smaller than the sum of the threshold voltage Vel of the organic EL element 1 and the cathode potential Vcat (Vss2 <Vthel + Vcat).

図3により画素回路10の動作を説明する。
図3には走査線DSL、WSL、AZL1、AZL2で与えられる走査パルスDS、WS、AZ1,AZ2のタイミングチャートを示している。これは上記構成からわかるように、それぞれスイッチングトランジスタT3、サンプリングトランジスタT1、検知トランジスタT2、検知トランジスタT4のオン/オフタイミングとなる。
また図3にはA点電位、B点電位の変動も示している。
The operation of the pixel circuit 10 will be described with reference to FIG.
FIG. 3 shows a timing chart of the scanning pulses DS, WS, AZ1, and AZ2 given by the scanning lines DSL, WSL, AZL1, and AZL2. As can be seen from the above configuration, this is the ON / OFF timing of the switching transistor T3, the sampling transistor T1, the detection transistor T2, and the detection transistor T4, respectively.
FIG. 3 also shows fluctuations in the point A potential and the point B potential.

図3のタイミングチャートにおける時点tm0〜tm8は、発光素子である有機EL素子1が発光駆動される1サイクル、例えば画像表示の1フレーム期間となる。1フレーム期間は、有機EL素子1の非発光期間と発光期間から成り、例えば時点tm0が、前回の1フレームの終了タイミング、かつ今回の1フレームの開始タイミングとしている。   Time tm0 to tm8 in the timing chart of FIG. 3 is one cycle in which the organic EL element 1 which is a light emitting element is driven to emit light, for example, one frame period of image display. One frame period is composed of a non-light emission period and a light emission period of the organic EL element 1, and for example, the time point tm0 is the end timing of the previous one frame and the start timing of the current one frame.

図3の時点tm0に至るまでの期間、つまり前のフレームの終了直前の期間では、走査線パルスDS,WS,AZ1,AZ2がローレベルである。従って、pチャネルのスイッチングトランジスタT3がオン状態にある一方、サンプリングトランジスタT1、及び検知トランジスタT2,T4はオフ状態にある。
このときドライブトランジスタT5は保持容量C1に保持されている電位に応じて駆動電流を流し、有機EL素子1を発光させている。このときドライブトランジスタT5のソース電位(B点電位)は所定の動作点に保持されている。
ドライブトランジスタT5のソースは電源Vccに接続されており、常に飽和領域で動作するように設定されているため、ドライブトランジスタT5は定電流源として機能し、有機EL素子1に流れる電流IdsはドライブトランジスタT5のゲート・ソース間電圧Vgsに応じて、
Ids=(1/2)・μ・(W/L)・Cox・(Vgs−Vth)2 ・・・(式1)
となる。但し、Idsは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流、μは移動度、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Coxはゲート容量、VthはドライブトランジスタT5の閾値電圧を表わしている。
In the period up to the time point tm0 in FIG. 3, that is, the period immediately before the end of the previous frame, the scanning line pulses DS, WS, AZ1, and AZ2 are at the low level. Therefore, the p-channel switching transistor T3 is in the on state, while the sampling transistor T1 and the detection transistors T2 and T4 are in the off state.
At this time, the drive transistor T5 causes a drive current to flow according to the potential held in the holding capacitor C1, thereby causing the organic EL element 1 to emit light. At this time, the source potential (point B potential) of the drive transistor T5 is held at a predetermined operating point.
Since the source of the drive transistor T5 is connected to the power source Vcc and is always set to operate in the saturation region, the drive transistor T5 functions as a constant current source, and the current Ids flowing through the organic EL element 1 is the drive transistor. According to the gate-source voltage Vgs of T5,
Ids = (1/2) · μ · (W / L) · Cox · (Vgs−Vth) 2 (Equation 1)
It becomes. Where Ids is the current flowing between the drain and source of a transistor operating in the saturation region, μ is the mobility, W is the channel width, L is the channel length, Cox is the gate capacitance, and Vth is the threshold voltage of the drive transistor T5. Yes.

時点tm0から1フレーム期間が開始される。このとき、走査パルスDSがハイレベルに立ち上がる。これによってスイッチングトランジスタT3がオフとされ、有機EL素子1への電流供給が停止されて非発光期間となる。
時点tm1で走査パルスAZ2がハイレベルに立ち上がる。これにより検知トランジスタT4が導通され、B点電位が固定電位Vss2まで下がる。
さらに時点tm2で走査パルスAZ1がハイレベルに立ち上がる。これにより検知トランジスタT2が導通され、A点電位は固定電位Vss1まで下がる。
One frame period starts from time tm0. At this time, the scanning pulse DS rises to a high level. As a result, the switching transistor T3 is turned off, the current supply to the organic EL element 1 is stopped, and a non-emission period is entered.
At time tm1, the scanning pulse AZ2 rises to a high level. As a result, the detection transistor T4 is turned on, and the potential at the point B is lowered to the fixed potential Vss2.
Further, at time tm2, the scanning pulse AZ1 rises to a high level. As a result, the detection transistor T2 is turned on, and the potential at the point A is lowered to the fixed potential Vss1.

なお上記のように固定電位Vss2は、固定電位Vss1からドライブトランジスタT5の閾値電圧Vthを差し引いたレベルよりも低く設定されているため、ドライブトランジスタT5はオン状態を維持する。
また、有機EL素子1にかかる電圧Vel(=B点電位)が、有機EL素子1の閾値電圧Vthelとカソード電圧Vcatの和より小さくなるように固定電位Vss1、Vss2の電圧値が設定されているため、有機EL素子1には電流は流れず、従って非発光状態を維持する。
Since the fixed potential Vss2 is set lower than the level obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the drive transistor T5 from the fixed potential Vss1 as described above, the drive transistor T5 maintains the on state.
Further, the voltage values of the fixed potentials Vss1 and Vss2 are set so that the voltage Vel (= point B potential) applied to the organic EL element 1 is smaller than the sum of the threshold voltage Vthel and the cathode voltage Vcat of the organic EL element 1. Therefore, no current flows through the organic EL element 1, and therefore the non-light emitting state is maintained.

その後、走査パルスAZ2がローレベルに立ち下げられ、検知トランジスタT4がオフとされた後、時点tm3で走査パルスDSが立ち下げられ、スイッチングトランジスタT3がオンとされる。
このときドライブトランジスタT5を流れるドレイン電流により、B点電位は上昇していき、一定時間経過後、ドライブトランジスタT5のゲート・ソース間電圧Vgsは閾値電圧Vthをとる。このとき有機EL素子1にかかる電圧Vel=Vss1−Vth≦Vcat+Vthelとなっている。
このときに、A点−B点間に現われた電位差Vth(即ちドライブトランジスタT5の閾値電圧)は保持容量C1に保持されることになる。
このように閾値検出動作として、検知トランジスタT2,T4が走査パルスAZ1,AZ2によってそれぞれ適切なタイミングで選択されたて動作することで、ドライブトランジスタT5の閾値電圧Vthを検知し、これを保持容量C1に保持する。
これはドライブトランジスタT5の閾値変動に対する補正のための動作となる。
時点tm4で走査パルスDSがハイレベルとされ、スイッチングトランジスタT3がオフとされて閾値検出期間(Vth補正期間)を終える。その後、走査パルスAZ1もローレベルとされ、検知トランジスタT2がオフとされる。
Thereafter, the scanning pulse AZ2 is lowered to a low level, and the detection transistor T4 is turned off. Then, the scanning pulse DS is lowered at a time tm3, and the switching transistor T3 is turned on.
At this time, the potential at the point B increases due to the drain current flowing through the drive transistor T5, and the gate-source voltage Vgs of the drive transistor T5 takes the threshold voltage Vth after a lapse of a certain time. At this time, the voltage Vel applied to the organic EL element 1 is Vs = Vss1−Vth ≦ Vcat + Vthel.
At this time, the potential difference Vth (that is, the threshold voltage of the drive transistor T5) appearing between the points A and B is held in the holding capacitor C1.
As described above, as the threshold detection operation, the detection transistors T2 and T4 are selected and operated at appropriate timings by the scanning pulses AZ1 and AZ2, respectively, so that the threshold voltage Vth of the drive transistor T5 is detected, and this is detected as the storage capacitor C1. Hold on.
This is an operation for correcting the threshold fluctuation of the drive transistor T5.
At time tm4, the scanning pulse DS is set to the high level, the switching transistor T3 is turned off, and the threshold detection period (Vth correction period) ends. Thereafter, the scanning pulse AZ1 is also set to the low level, and the detection transistor T2 is turned off.

時点tm5では、走査パルスWSがハイレベルとされ、サンプリングトランジスタT1がオンとされて信号線DTLからの信号電圧Vsigの保持容量C1への書込が行われる。これによりドライブトランジスタT5のゲート電圧が信号線DTLからの信号電圧Vsigとされる。
このとき、ドライブトランジスタT5のゲート・ソース間電圧Vgsは保持容量C1、有機EL素子1の寄生容量Cel、ドライブトランジスタT5の寄生容量C2によって式2のように決定される。
Vgs=(Cel/(Cel+C1+C2))・(Vsig−Vss1)+Vth
・・・(式2)
しかし、寄生容量Celは容量C1、C2に比べて大きいために、ドライブトランジスタT5のゲート・ソース間電圧Vgsは、ほぼVsig+Vthとなる。
At time tm5, the scanning pulse WS is set to the high level, the sampling transistor T1 is turned on, and the signal voltage Vsig from the signal line DTL is written into the storage capacitor C1. As a result, the gate voltage of the drive transistor T5 is set to the signal voltage Vsig from the signal line DTL.
At this time, the gate-source voltage Vgs of the drive transistor T5 is determined by the holding capacitor C1, the parasitic capacitance Cel of the organic EL element 1, and the parasitic capacitance C2 of the drive transistor T5 as shown in Equation 2.
Vgs = (Cel / (Cel + C1 + C2)). (Vsig−Vss1) + Vth
... (Formula 2)
However, since the parasitic capacitance Cel is larger than the capacitances C1 and C2, the gate-source voltage Vgs of the drive transistor T5 is approximately Vsig + Vth.

信号線DTLからの信号電圧Vsigの書込が終了した時点tm6では、走査パルスWSをハイレベルに維持したまま、走査パルスDSがローレベルとされ、スイッチングトランジスタT3がオンとされる。
その後、時点tm7で走査パルスWSがローレベルとされるが、走査パルスDS,WSによってスイッチングトランジスタT3とサンプリングトランジスタT1が共に導通している期間が、ドライブトランジスタT5の移動度補正期間となる。
このとき、ドライブトランジスタT5の移動度に応じてB点電位が上昇する。即ちドライブトランジスタT5のソース電位は、移動度が大きければ、移動度補正期間におけるソース電位の上昇量が多く、移動度が小さければ、ソース電位の上昇量が小さい。これは結果として発光期間におけるA点−B点間電位差を、移動度に応じて調整する動作となる。
At the time tm6 when the writing of the signal voltage Vsig from the signal line DTL is completed, the scan pulse DS is set to the low level while the scan pulse WS is maintained at the high level, and the switching transistor T3 is turned on.
Thereafter, the scanning pulse WS is set to the low level at the time tm7, but the period in which the switching transistor T3 and the sampling transistor T1 are both conducted by the scanning pulses DS and WS is the mobility correction period of the drive transistor T5.
At this time, the B point potential increases according to the mobility of the drive transistor T5. That is, the source potential of the drive transistor T5 has a large amount of increase in the source potential during the mobility correction period if the mobility is large, and the amount of increase in the source potential is small if the mobility is small. This results in an operation of adjusting the potential difference between point A and point B in the light emission period according to the mobility.

時点tm7では走査パルスWSがローレベルとされ、発光期間が開始される。
上記の式1から明らかな様に、飽和領域ではドライブトランジスタT5のドレイン電流Idsはゲート・ソース間電圧Vgsによって制御されるが、保持容量C1の作用によりドライブトランジスタT5のゲート・ソース間電圧Vgs(=Vsig+Vth)は一定であるので、ドライブトランジスタT5は一定電流を有機EL素子1に流す定電流源として動作する。
これによりB点の電位は有機EL素子1に電流が流れる電圧まで上昇し、有機EL素子1は発光する。つまり今回のフレームにおける、信号電圧Vsigに応じた輝度での発光期間が開始される。
At time tm7, the scanning pulse WS is set to the low level, and the light emission period is started.
As apparent from Equation 1 above, in the saturation region, the drain current Ids of the drive transistor T5 is controlled by the gate-source voltage Vgs, but the gate-source voltage Vgs ( = Vsig + Vth) is constant, the drive transistor T5 operates as a constant current source for flowing a constant current to the organic EL element 1.
As a result, the potential at point B rises to a voltage at which current flows through the organic EL element 1, and the organic EL element 1 emits light. That is, the light emission period with the luminance corresponding to the signal voltage Vsig in the current frame is started.

以上のように画素回路10は1フレーム期間において有機EL素子1の発光のための動作を行うが、上記のように閾値検出(時点tm3〜tm4のVth補正期間)及び移動度補正(時点tm6〜tm7)が行われる。
各フレーム期間での非発光期間にドライブトランジスタT5の閾値電圧が保持容量C1に保持され、発光期間におけるゲート・ソース間電圧Vgs=Vsig+Vthとされるため、経時変動によるドライブトランジスタT5の閾値変動や、各画素回路10でのドライブトランジスタT5の閾値電圧Vthのバラツキに関わらず、信号電位Vsigに応じた電流を有機EL素子1に与えることができる。つまり閾値電圧Vthの経時変化やバラツキによっても、画面上に輝度ムラ等を発生させずに高画質を維持できる。
また、ドライブトランジスタT5の移動度によってもドレイン電流は変動するため、画素回路10毎のドライブトランジスタT5の移動度のバラツキにより画質が低下するが、非発光期間における移動度補正により、ドライブトランジスタT5の移動度の大小に応じてソース電位が得られ、結果として各画素回路10のドライブトランジスタT5の移動度のバラツキを吸収するようなゲート・ソース間電位に調整されるため、移動度のバラツキによる画質低下も解消される。
As described above, the pixel circuit 10 performs an operation for light emission of the organic EL element 1 in one frame period. As described above, threshold detection (Vth correction period from time points tm3 to tm4) and mobility correction (time points tm6 to tm6). tm7) is performed.
The threshold voltage of the drive transistor T5 is held in the storage capacitor C1 during the non-light emission period in each frame period, and the gate-source voltage Vgs = Vsig + Vth in the light emission period is set. Regardless of variations in the threshold voltage Vth of the drive transistor T5 in each pixel circuit 10, a current corresponding to the signal potential Vsig can be applied to the organic EL element 1. That is, high image quality can be maintained without causing uneven brightness on the screen even if the threshold voltage Vth changes with time or varies.
In addition, since the drain current varies depending on the mobility of the drive transistor T5, the image quality deteriorates due to variations in the mobility of the drive transistor T5 for each pixel circuit 10, but the mobility correction in the non-light emitting period causes the drive transistor T5 to The source potential is obtained according to the magnitude of the mobility, and as a result, the gate-source potential is adjusted so as to absorb the mobility variation of the drive transistor T5 of each pixel circuit 10. Therefore, the image quality due to the mobility variation is improved. The decline is also eliminated.

ところで本例の表示装置では、上述のように走査パルスWS、DSがオーバーラップしている期間に移動度補正を行う。つまり、移動度補正期間は、2種類の走査パルスDS,WSの位相差によってコントロールされる。よって、各走査パルスWS,DSのタイミングが重要となる。
図1,図2に示したように、走査パルスWSを発生するライトスキャナ14と、走査パルスDSを発生するドライブスキャナ15は、画素アレイ部20の右側の側方に配置されている。このライトスキャナ14、ドライブスキャナ15を構成する各種回路系を単純に配置すると、上述した図12のようになり、ドライブスキャナ15からの走査線DSLとライトスキャナ14からの走査線WSLは、配線長の差が生じてしまう。
図11,図13で説明したように、この配線長の差によって走査パルスWSと走査パルスDSの間で遅延時間の差が生じてしまうと、画素回路10における正確な動作コントロールができなくなることがある。
By the way, in the display device of this example, the mobility correction is performed during the period in which the scanning pulses WS and DS overlap as described above. That is, the mobility correction period is controlled by the phase difference between the two types of scanning pulses DS and WS. Therefore, the timing of each scanning pulse WS, DS is important.
As shown in FIGS. 1 and 2, the write scanner 14 that generates the scanning pulse WS and the drive scanner 15 that generates the scanning pulse DS are arranged on the right side of the pixel array unit 20. If the various circuit systems constituting the write scanner 14 and the drive scanner 15 are simply arranged, the result is as shown in FIG. 12 described above, and the scanning line DSL from the drive scanner 15 and the scanning line WSL from the write scanner 14 have wiring lengths. The difference will occur.
As described with reference to FIGS. 11 and 13, if a difference in delay time occurs between the scan pulse WS and the scan pulse DS due to the difference in wiring length, accurate operation control in the pixel circuit 10 may not be performed. is there.

つまり上記図3で説明した動作で言えば、走査パルスWSと走査パルスDSの間での遅延時間の差によって、移動度補正期間としての期間長が変動してしまう。
移動度補正期間は、例えば500〜2000nsecの範囲内の期間長として、例えば100nsec単位で調整され、適正な期間長とされるものである。
仮に、ドライブスキャナ15とライトスキャナ14の各回路部を図12のように配置し、ドライブスキャナ15からの走査線DSLとライトスキャナ14からの走査線WSLの配線長の差が図12に示した1000μmとなり、また各配線の幅が5μmであるとする。そして配線のシート抵抗値が2.2Ω、ON抵抗値が50kΩ、および、配線容量が500fFである場合、走査パルスDS,WS間の遅延時間差は25nsec程度となる。
つまり、移動度補正期間としては100nsec単位で適切な期間長が設定されることに対して、その約1/4の時間がパルス遅延の影響を受けてしまう。これにより適切な移動度補正動作が実現できないおそれが生ずる。
That is, in the operation described with reference to FIG. 3, the period length as the mobility correction period varies depending on the delay time difference between the scan pulse WS and the scan pulse DS.
The mobility correction period is adjusted, for example, in units of 100 nsec as a period length within a range of 500 to 2000 nsec, and is set to an appropriate period length.
Temporarily, the circuit units of the drive scanner 15 and the write scanner 14 are arranged as shown in FIG. 12, and the difference in wiring length between the scanning line DSL from the drive scanner 15 and the scanning line WSL from the write scanner 14 is shown in FIG. It is assumed that the width is 1000 μm and the width of each wiring is 5 μm. When the wiring sheet resistance value is 2.2Ω, the ON resistance value is 50 kΩ, and the wiring capacitance is 500 fF, the delay time difference between the scanning pulses DS and WS is about 25 nsec.
That is, an appropriate period length is set in units of 100 nsec as the mobility correction period, but about a quarter of the time is affected by the pulse delay. As a result, an appropriate mobility correction operation may not be realized.

そこで本例では、走査線WSL、DSLの配線長の差を低減し、走査パルスWS、DSの遅延時間差を低減するようにしている。
以下、この遅延時間差低減のためのライトスキャナ14、ドライブスキャナ15の構成を説明する。
Therefore, in this example, the difference between the wiring lengths of the scanning lines WSL and DSL is reduced, and the delay time difference between the scanning pulses WS and DS is reduced.
Hereinafter, the configuration of the write scanner 14 and the drive scanner 15 for reducing the delay time difference will be described.

図4は、画素アレイ部20の右側方に配置されるライトスキャナ14とドライブスキャナ15の内部構成を、その各回路の配置順に示している。
ライトスキャナ14は、シフトレジスタ部21、クロック供給部22、ロジック部23、レベル変換部24、バッファ部25を有する。シフトレジスタ部21、クロック供給部22、ロジック部23がライトスキャナ14の走査パルス生成回路部分であり、この走査パルス生成回路部分で生成されたパルスを、レベル変換部24、バッファ部25を介して出力する構成とされる。
ドライブスキャナ15は、シフトレジスタ部31、クロック供給部32、ロジック部33、レベル変換部34、バッファ部35を有する。シフトレジスタ部31、クロック供給部32、ロジック部33がドライブスキャナ15の走査パルス生成回路部分であり、この走査パルス生成回路部分で生成されたパルスを、レベル変換部34、バッファ部35を介して出力する構成とされる。
FIG. 4 shows the internal configuration of the write scanner 14 and the drive scanner 15 arranged on the right side of the pixel array unit 20 in the order of arrangement of each circuit.
The write scanner 14 includes a shift register unit 21, a clock supply unit 22, a logic unit 23, a level conversion unit 24, and a buffer unit 25. The shift register unit 21, the clock supply unit 22, and the logic unit 23 are the scan pulse generation circuit portion of the write scanner 14, and the pulses generated by the scan pulse generation circuit portion are passed through the level conversion unit 24 and the buffer unit 25. It is set as the structure which outputs.
The drive scanner 15 includes a shift register unit 31, a clock supply unit 32, a logic unit 33, a level conversion unit 34, and a buffer unit 35. The shift register unit 31, the clock supply unit 32, and the logic unit 33 are the scan pulse generation circuit portion of the drive scanner 15, and the pulses generated by the scan pulse generation circuit portion are passed through the level conversion unit 34 and the buffer unit 35. It is set as the structure which outputs.

シフトレジスタ部21、31、クロック供給部22、32、ロジック部23、33には、例えば+10Vの電圧VHと、例えば0V(グランド電位)として電圧VL1の電源ラインが配設され、+10V〜0Vの動作電源電圧で動作する。
またレベル変換部24、34、バッファ部25、35には、例えば+10Vの電圧VHと、例えば−5Vの電圧VL2の電源ラインが配設され、+10V〜−5Vの動作電源電圧で動作する。
クロック供給部22,32には、クロック線により所定周波数のクロックCKが供給される。
The shift register units 21 and 31, the clock supply units 22 and 32, and the logic units 23 and 33 are provided with a voltage VH of, for example, + 10V and a power supply line of voltage VL1 of, for example, 0V (ground potential), and + 10V to 0V. Operates at the operating power supply voltage.
The level converters 24 and 34 and the buffer units 25 and 35 are provided with a power line of a voltage VH of + 10V and a voltage VL2 of -5V, for example, and operate with an operating power supply voltage of + 10V to -5V.
A clock CK having a predetermined frequency is supplied to the clock supply units 22 and 32 through a clock line.

ライトスキャナ14では、シフトレジスタ部21から出力されたパルスが、ロジック部23の処理に供されることで走査パルスWSに相当する波形が生成される。クロック供給部22は、クロックCKをシフトレジスタ21に供給する。
ロジック部23ので生成されたパルス波形は、レベル変換部24で、画素回路10での動作制御に適したレベルとして+10V〜−5Vのパルスにレベル変換される。そして当該パルスがバッファ部25で波形整形されて、ライトスキャナ14による走査パルスWSとして走査線WSLに出力される。
In the write scanner 14, the pulse output from the shift register unit 21 is used for the processing of the logic unit 23, thereby generating a waveform corresponding to the scanning pulse WS. The clock supply unit 22 supplies the clock CK to the shift register 21.
The pulse waveform generated by the logic unit 23 is level-converted by the level conversion unit 24 into a pulse of +10 V to −5 V as a level suitable for operation control in the pixel circuit 10. Then, the pulse is waveform-shaped by the buffer unit 25 and output to the scanning line WSL as the scanning pulse WS by the write scanner 14.

ドライブスキャナ15では、シフトレジスタ部31から出力されたパルスが、ロジック部33の処理に供されることで走査パルスDSに相当する波形が生成される。クロック供給部32は、クロックCKをシフトレジスタ31に供給する。
ロジック部33で生成されたパルス波形は、レベル変換部34で、画素回路10での動作制御に適したレベルとして+10V〜−5Vのパルスにレベル変換される。そして当該パルスがバッファ部35で波形整形されて、ドライブスキャナ15による走査パルスDSとして走査線DSLに出力される。
In the drive scanner 15, a pulse corresponding to the scanning pulse DS is generated by using the pulse output from the shift register unit 31 for processing of the logic unit 33. The clock supply unit 32 supplies the clock CK to the shift register 31.
The pulse waveform generated by the logic unit 33 is level-converted by the level conversion unit 34 into a pulse of +10 V to −5 V as a level suitable for operation control in the pixel circuit 10. The pulse is shaped by the buffer unit 35 and output to the scanning line DSL as a scanning pulse DS by the drive scanner 15.

そしてこの図4からわかるように、ドライブスキャナ15は、バッファ部35及びレベル変換部34としての回路部分は、ロジック部33,クロック供給部32、シフトレジスタ部31による走査パルス生成回路部分から離れた位置に形成され、バッファ部35及びレベル変換部34はライトスキャナ14よりも画素アレイ部20に近い位置に配置されている。これによって画素アレイ部20から近い方から順に、バッファ部35,レベル変換部34、バッファ部25,レベル変換部24が配置される状態となっている。   As can be seen from FIG. 4, in the drive scanner 15, the circuit portions as the buffer unit 35 and the level conversion unit 34 are separated from the scan pulse generation circuit portion by the logic unit 33, the clock supply unit 32, and the shift register unit 31. The buffer unit 35 and the level conversion unit 34 are arranged at positions closer to the pixel array unit 20 than the write scanner 14. As a result, the buffer unit 35, the level conversion unit 34, the buffer unit 25, and the level conversion unit 24 are arranged in order from the side closer to the pixel array unit 20.

ライトスキャナ14の出力端P1は、バッファ部25の出力端であり、またドライブスキャナ15の出力端P3は、バッファ部35の出力端であるため、このようにライトスキャナ14とドライブスキャナ15の各部を配置させた場合、配線長の差、即ちバッファ部25、35の各出力端P1,P3間の距離は、例えば200〜300μm程度とすることができる。つまりバッファ部35,レベル変換部34の回路配置に必要な部分の長さとなり、図12のような従来の構成で配線長の差が1000μm程度であったことに比べて、配線長の差を1/5程度に短くできる。   Since the output terminal P1 of the write scanner 14 is an output terminal of the buffer unit 25 and the output terminal P3 of the drive scanner 15 is an output terminal of the buffer unit 35, each part of the write scanner 14 and the drive scanner 15 is thus constructed. Is arranged, the difference between the wiring lengths, that is, the distance between the output ends P1 and P3 of the buffer units 25 and 35 can be set to about 200 to 300 μm, for example. That is, it becomes the length of the part necessary for the circuit arrangement of the buffer unit 35 and the level conversion unit 34, and the difference in the wiring length is smaller than that in the conventional configuration as shown in FIG. It can be shortened to about 1/5.

即ち本例では、画素アレイ部20の同一の側方に配置されるライトスキャナ14、ドライブスキャナ15については、ドライブスキャナ15のバッファ部35,レベル変換部34と、ライトスキャナ14のバッファ部25,レベル変換部24とが、画素アレイ部20に最も近い位置にまとめて配置されるようにする。
これによってライトスキャナ14からの走査線WSLとドライブスキャナ15からの走査線DSLの配線長の差を低減する。配線長の差が低減されることで、配線抵抗、配線容量の差の影響による走査パルスDS,WSの遅延時間の差も小さくなる。
結果として、走査パルスWS、DSの位相差によって決定される移動度補正期間がほぼ適切に制御されることになり、画素回路10の動作が的確に行われることになる。
That is, in this example, for the write scanner 14 and the drive scanner 15 arranged on the same side of the pixel array unit 20, the buffer unit 35 and the level conversion unit 34 of the drive scanner 15, the buffer unit 25 of the write scanner 14, The level conversion unit 24 is arranged at the position closest to the pixel array unit 20.
As a result, the difference in wiring length between the scanning line WSL from the write scanner 14 and the scanning line DSL from the drive scanner 15 is reduced. By reducing the difference in wiring length, the difference in delay time of the scan pulses DS and WS due to the influence of the difference in wiring resistance and wiring capacitance is also reduced.
As a result, the mobility correction period determined by the phase difference between the scanning pulses WS and DS is almost appropriately controlled, and the operation of the pixel circuit 10 is accurately performed.

またライトスキャナ14とドライブスキャナ15には、電圧VH、VL1、VL2の各電源ラインが配線されるが、バッファ部35,レベル変換部34、バッファ部25、レベル変換部24がまとめた位置に配置されることで、電圧VL2、VL1の電源ラインの引き回しが容易になるという利点もある。   The power scanner 14 and the drive scanner 15 are provided with power lines for voltages VH, VL1, and VL2, but the buffer unit 35, the level converting unit 34, the buffer unit 25, and the level converting unit 24 are arranged at a combined position. As a result, there is an advantage that the power supply lines of the voltages VL2 and VL1 can be easily routed.

なお、図4にはドライブスキャナ15のバッファ部35、レベル変換部34を、ライトスキャナ14のバッファ部25、レベル変換部24より画素アレイ部20に近い方に配置しているが、これを逆にしてもよい。即ち、画素アレイ部20から近い方から順に、バッファ部25,レベル変換部24、バッファ部35,レベル変換部34が配置される状態としてもよい。
さらに、ライトスキャナ14のロジック部23,クロック供給部22、シフトレジスタ部21を、ドライブスキャナ15のロジック部33,クロック供給部32、シフトレジスタ部31よりも、画素アレイ部20から遠い側に配置する例も考えられる。
In FIG. 4, the buffer unit 35 and the level conversion unit 34 of the drive scanner 15 are arranged closer to the pixel array unit 20 than the buffer unit 25 and the level conversion unit 24 of the write scanner 14. It may be. That is, the buffer unit 25, the level conversion unit 24, the buffer unit 35, and the level conversion unit 34 may be arranged in order from the side closer to the pixel array unit 20.
Further, the logic unit 23, the clock supply unit 22, and the shift register unit 21 of the write scanner 14 are arranged on the side farther from the pixel array unit 20 than the logic unit 33, the clock supply unit 32, and the shift register unit 31 of the drive scanner 15. An example is also conceivable.

[第2の実施の形態]

第2の実施の形態を図5で説明する。表示装置の全体構成及び動作は図1〜図3で説明したものと同様である。
この第2の実施の形態では、図5からわかるように、画素アレイ部20から近い方から順に、ドライブスキャナ15のバッファ部35,ライトスキャナ14のバッファ部25、ドライブスキャナ15のレベル変換部34、ライトスキャナ14のレベル変換部24が配置される状態となっている。
[Second Embodiment]

A second embodiment will be described with reference to FIG. The overall configuration and operation of the display device are the same as those described with reference to FIGS.
In the second embodiment, as can be seen from FIG. 5, the buffer unit 35 of the drive scanner 15, the buffer unit 25 of the write scanner 14, and the level conversion unit 34 of the drive scanner 15 in order from the pixel array unit 20. In this state, the level converter 24 of the write scanner 14 is arranged.

ライトスキャナ14の出力端P1は、バッファ部25の出力端であり、またドライブスキャナ15の出力端P3は、バッファ部35の出力端であるため、この図5のようにライトスキャナ14とドライブスキャナ15の各部を配置させた場合、配線長の差、即ちバッファ部25、35の各出力端P1,P3間の距離は、例えば100〜150μm程度とすることができる。つまりバッファ部35の回路配置に必要な部分の長さとなり、図12のような従来の構成で配線長の差が1000μm程度であったことに比べて、配線長の差を1/10程度に短くできる。   Since the output terminal P1 of the write scanner 14 is an output terminal of the buffer unit 25 and the output terminal P3 of the drive scanner 15 is an output terminal of the buffer unit 35, the write scanner 14 and the drive scanner as shown in FIG. When the 15 portions are arranged, the difference in wiring length, that is, the distance between the output ends P1 and P3 of the buffer portions 25 and 35 can be set to about 100 to 150 μm, for example. That is, the length of the portion necessary for the circuit arrangement of the buffer unit 35 is reduced, and the difference in the wiring length is reduced to about 1/10 compared to the conventional configuration as shown in FIG. Can be shortened.

即ち本例では、画素アレイ部20の同一の側方に配置されるライトスキャナ14、ドライブスキャナ15については、ドライブスキャナ15のバッファ部35と、ライトスキャナ14のバッファ部25とが、画素アレイ部20に最も近い位置にまとめて配置されるようにすることで、ライトスキャナ14からの走査線WSLとドライブスキャナ15からの走査線DSLの配線長の差を、上記第1の実施の形態よりもさらに低減する。配線長の差がより低減されることで、配線抵抗、配線容量の差の影響による走査パルスDS,WSの遅延時間の差も、より短い時間となるため、走査パルスWS、DSの位相差によって決定される移動度補正期間がさらに適切に制御されることになり、画素回路10の動作が的確に行われる。
また、バッファ部35,25に続いてレベル変換部34、24も配置されるため、この場合も電圧VL2、VL1の電源ラインの引き回しが容易になるという利点もある。
That is, in this example, for the write scanner 14 and the drive scanner 15 arranged on the same side of the pixel array unit 20, the buffer unit 35 of the drive scanner 15 and the buffer unit 25 of the write scanner 14 include the pixel array unit. By arranging them together at a position closest to 20, the difference in wiring length between the scanning line WSL from the write scanner 14 and the scanning line DSL from the drive scanner 15 is made larger than that in the first embodiment. Further reduction. Since the difference in the wiring length is further reduced, the difference in the delay time of the scan pulses DS and WS due to the influence of the difference in the wiring resistance and the wiring capacitance becomes a shorter time. The determined mobility correction period is further appropriately controlled, and the operation of the pixel circuit 10 is accurately performed.
Further, since the level converters 34 and 24 are also arranged after the buffers 35 and 25, there is also an advantage that the power lines of the voltages VL2 and VL1 can be easily routed in this case.

なお、画素アレイ部20から近い方から順に、ライトスキャナ14のバッファ部25,ドライブスキャナ15のバッファ部35,ドライブスキャナ15のレベル変換部34、ライトスキャナ14のレベル変換部24を配置してもよい。
或いは、画素アレイ部20から近い方から順に、ドライブスキャナ15のバッファ部35,ライトスキャナ14のバッファ部25、ライトスキャナ14のレベル変換部24,ドライブスキャナ15のレベル変換部34を配置してもよい。
或いは、画素アレイ部20から近い方から順に、ライトスキャナ14のバッファ部25,ドライブスキャナ15のバッファ部35,ライトスキャナ14のレベル変換部24、ドライブスキャナ15のレベル変換部34を配置してもよい。
Note that the buffer unit 25 of the write scanner 14, the buffer unit 35 of the drive scanner 15, the level conversion unit 34 of the drive scanner 15, and the level conversion unit 24 of the write scanner 14 may be arranged in this order from the pixel array unit 20. Good.
Alternatively, the buffer unit 35 of the drive scanner 15, the buffer unit 25 of the write scanner 14, the level conversion unit 24 of the write scanner 14, and the level conversion unit 34 of the drive scanner 15 may be arranged in order from the pixel array unit 20. Good.
Alternatively, the buffer unit 25 of the write scanner 14, the buffer unit 35 of the drive scanner 15, the level conversion unit 24 of the write scanner 14, and the level conversion unit 34 of the drive scanner 15 may be arranged in order from the pixel array unit 20. Good.

また、ライトスキャナ14のロジック部23,クロック供給部22、シフトレジスタ部21を、ドライブスキャナ15のロジック部33,クロック供給部32、シフトレジスタ部31よりも、画素アレイ部20から遠い側に配置する例も考えられる。
Further, the logic unit 23, the clock supply unit 22, and the shift register unit 21 of the write scanner 14 are arranged on the side farther from the pixel array unit 20 than the logic unit 33, the clock supply unit 32, and the shift register unit 31 of the drive scanner 15. An example is also conceivable.

[第3の実施の形態]

第3の実施の形態としては、ライトスキャナ14、ドライブスキャナ15にレベル変換部34を設けない場合の例を挙げる。
なお、これは画素回路10が低電圧駆動型の回路とされる場合となるため、まず図6、図7で画素回路10の構成及び動作を説明する。
なお、表示装置の全体構成としては、画素回路10がマトリクス状に配置された画素アレイ20に対して、側方にライトスキャナ14、ドライブスキャナ15が配置され、他方の側方にはAZスキャナが1つ配置される構成となる。
[Third Embodiment]

As a third embodiment, an example in which the level converter 34 is not provided in the write scanner 14 and the drive scanner 15 will be given.
Since this is a case where the pixel circuit 10 is a low-voltage drive type circuit, first, the configuration and operation of the pixel circuit 10 will be described with reference to FIGS.
The overall configuration of the display device is such that a write scanner 14 and a drive scanner 15 are arranged on the side of the pixel array 20 in which the pixel circuits 10 are arranged in a matrix, and an AZ scanner is arranged on the other side. One is arranged.

この画素回路10は、発光素子である有機EL素子1と、2個の保持容量Cc、Csと、サンプリングトランジスタT11、ドライブトランジスタT15、スイッチングトランジスタT13、検知トランジスタT12、T14としての5個のpチャネル薄膜トランジスタ(TFT)とで構成されている。   This pixel circuit 10 includes an organic EL element 1 as a light emitting element, two holding capacitors Cc and Cs, five p-channels as a sampling transistor T11, a drive transistor T15, a switching transistor T13, and detection transistors T12 and T14. It consists of a thin film transistor (TFT).

サンプリングトランジスタT11は、その一端が信号線DTLに接続され、他端が保持容量Cc,Csの接続点に接続される。サンプリングトランジスタT11のゲートにはライトスキャナ14からの走査パルスWSが供給される。
スイッチングトランジスタT13は、そのドレインが電源電位Vccに接続され、そのソースがドライブトランジスタT5のソースに接続される。スイッチングトランジスタT13のゲートにはドライブスキャナ15からの走査線パルスDSが供給される。
検知トランジスタT12は、その一端がドライブトランジスタT15のソースに接続され、他端が保持容量Cc,Csの接続点に接続される。
検知トランジスタT14は、一端がドライブトランジスタT15のゲートに接続され、他端が固定電位Viniに接続される。
検知トランジスタT12、T14の各ゲートには、AZスキャナからの走査パルスAZが供給される。
保持容量Csは、一端が電源電圧Vccラインに接続され、他端が保持容量Ccに接続される。
保持容量Ccは、一端がドライブトランジスタT15のゲートに接続され、他端が保持容量Csに接続される。
発光素子である有機EL素子1は、アノードはドライブトランジスタT5のドレインに接続され、カソードは所定のカソード電位Vcatに接続されている。
なお、ドライブトランジスタT15のソースノードをC点、ゲートノードをD点として示している。
そしてこの画素回路では、例えばVcc=4.8V、Vcat=−7.6V程度に設定される。
The sampling transistor T11 has one end connected to the signal line DTL and the other end connected to the connection point of the holding capacitors Cc and Cs. A scanning pulse WS from the write scanner 14 is supplied to the gate of the sampling transistor T11.
Switching transistor T13 has its drain connected to power supply potential Vcc and its source connected to the source of drive transistor T5. A scanning line pulse DS from the drive scanner 15 is supplied to the gate of the switching transistor T13.
One end of the detection transistor T12 is connected to the source of the drive transistor T15, and the other end is connected to the connection point of the holding capacitors Cc and Cs.
The detection transistor T14 has one end connected to the gate of the drive transistor T15 and the other end connected to the fixed potential Vini.
A scanning pulse AZ from the AZ scanner is supplied to each gate of the detection transistors T12 and T14.
The storage capacitor Cs has one end connected to the power supply voltage Vcc line and the other end connected to the storage capacitor Cc.
The storage capacitor Cc has one end connected to the gate of the drive transistor T15 and the other end connected to the storage capacitor Cs.
The organic EL element 1 which is a light emitting element has an anode connected to the drain of the drive transistor T5 and a cathode connected to a predetermined cathode potential Vcat.
The source node of the drive transistor T15 is shown as point C, and the gate node is shown as point D.
In this pixel circuit, for example, Vcc = 4.8V and Vcat = −7.6V are set.

この図6の画素回路の動作を図7で説明する。
図6には走査パルスWS、AZ、DSのタイミングチャートを示している。これはそれぞれサンプリングトランジスタT11、検知トランジスタT12及びT14、スイッチングトランジスタT13のオン/オフタイミングとなる。
また図6にはC点電位、D点電位の変動も示している。
また時点tm10〜tm15は、発光素子である有機EL素子1が発光駆動される1サイクル、例えば画像表示の1フレーム期間となる。1フレーム期間は、有機EL素子1の非発光期間と発光期間から成り、例えば時点tm10が、前回の1フレームの終了タイミング、かつ今回の1フレームの開始タイミングとしている。
The operation of the pixel circuit of FIG. 6 will be described with reference to FIG.
FIG. 6 shows a timing chart of the scanning pulses WS, AZ, and DS. This is the on / off timing of the sampling transistor T11, the detection transistors T12 and T14, and the switching transistor T13, respectively.
FIG. 6 also shows fluctuations in the point C potential and the point D potential.
Further, the time points tm10 to tm15 are one cycle in which the organic EL element 1 as a light emitting element is driven to emit light, for example, one frame period of image display. One frame period is composed of a non-light emission period and a light emission period of the organic EL element 1, and for example, a time point tm10 is an end timing of the previous one frame and a start timing of the current one frame.

時点tm10に走査パルスAZがローレベルとされ、検知トランジスタT12,T14がオンとされる。このとき走査パルスDSは前フレームから引き続きローレベルでスイッチングトランジスタT13はオンのままである。
検知トランジスタT12,T14がオンとされることによりD点は固定電位Viniとなり、C点電位は電源電圧Vccとなる。
時点tm11に走査パルスDSがハイレベルとなりスイッチングトランジスタT13がオフとされる。このタイミングでドライブトランジスタT15の閾値電圧を検出するVth補正期間が開始される。つまりC点電位は、Vini+閾値電圧Vthまで下降し、保持容量CcにドライブトランジスタT15の閾値電圧Vthが保持される。
時点tm12で走査パルスAZがハイレベルとされ、検知トランジスタT12,T14がオフとされて閾値電圧Vth補正期間が終了される。
その後時点tm13で走査パルスWSがローレベルとされ、サンプリングトランジスタT11がオンとされて、信号線DTLからの信号電圧Vsigが保持容量Csに充電される。
時点tm14で走査パルスDSがローレベルとされ、スイッチングトランジスタT13がオンとされることで、有機EL素子1に電流が流れ、信号電圧Vsigに応じた輝度での発光が開始される。
At time tm10, the scanning pulse AZ is set to the low level, and the detection transistors T12 and T14 are turned on. At this time, the scanning pulse DS continues to be at a low level from the previous frame, and the switching transistor T13 remains on.
When the detection transistors T12 and T14 are turned on, the point D becomes the fixed potential Vini, and the point C potential becomes the power supply voltage Vcc.
At time tm11, the scanning pulse DS becomes high level, and the switching transistor T13 is turned off. At this timing, a Vth correction period for detecting the threshold voltage of the drive transistor T15 is started. That is, the potential at point C drops to Vini + threshold voltage Vth, and the threshold voltage Vth of the drive transistor T15 is held in the holding capacitor Cc.
At time tm12, the scanning pulse AZ is set to the high level, the detection transistors T12 and T14 are turned off, and the threshold voltage Vth correction period ends.
Thereafter, at time tm13, the scanning pulse WS is set to the low level, the sampling transistor T11 is turned on, and the signal voltage Vsig from the signal line DTL is charged in the storage capacitor Cs.
At time tm14, the scanning pulse DS is set to the low level and the switching transistor T13 is turned on, whereby a current flows through the organic EL element 1, and light emission with luminance corresponding to the signal voltage Vsig is started.

このような低電圧駆動の画素回路10を用いる場合、ライトスキャナ14、ドライブスキャナ15において走査パルスWS,DSをレベル変換して出力する必要はなく、上記第1,第2の実施の形態に示したレベル変換部24、34を設ける必要がない。
従って本例の場合のライトスキャナ14、ドライブスキャナ15の構成を図8に示すが、ライトスキャナ14は、シフトレジスタ部21、クロック供給部22、ロジック部23、バッファ部25から成り、ドライブスキャナ15は、シフトレジスタ部31、クロック供給部32、ロジック部33、バッファ部35から成る。
そしてこの第3の実施の形態では、図8からわかるように、画素アレイ部20から近い方から順に、ドライブスキャナ15のバッファ部35,ライトスキャナ14のバッファ部25が配置される状態となっている。
When such a low voltage driving pixel circuit 10 is used, it is not necessary to level-convert and output the scanning pulses WS and DS in the write scanner 14 and the drive scanner 15, which are shown in the first and second embodiments. There is no need to provide the level conversion units 24 and 34.
Accordingly, the configuration of the write scanner 14 and the drive scanner 15 in this example is shown in FIG. 8, and the write scanner 14 includes a shift register unit 21, a clock supply unit 22, a logic unit 23, and a buffer unit 25. 1 includes a shift register unit 31, a clock supply unit 32, a logic unit 33, and a buffer unit 35.
In the third embodiment, as can be seen from FIG. 8, the buffer unit 35 of the drive scanner 15 and the buffer unit 25 of the write scanner 14 are arranged in order from the pixel array unit 20 in order. Yes.

ライトスキャナ14の出力端P1は、バッファ部25の出力端であり、またドライブスキャナ15の出力端P3は、バッファ部35の出力端であるため、この図8のようにライトスキャナ14とドライブスキャナ15の各部を配置させた場合、配線長の差、即ちバッファ部25、35の各出力端P1,P3間の距離は、例えば100〜150μm程度とすることができる。つまりバッファ部35の回路配置に必要な部分の長さとなり、図12のような従来の構成で配線長の差が1000μm程度であったことに比べて、配線長の差を1/10程度に短くでき、走査パルスDS,WSの遅延時間の差を低減できる。
なお、図7の動作例では、移動度補正は行っておらず、走査パルスWS、DSの位相差によって或る動作期間が決定されるものではない。ところが、走査パルスWS,DSについてはもちろん遅延時間差によるタイミングずれが生ずることは画素動作として好ましいものではない。これに対して本例では、回路配置の都合による走査パルスWS,DSの遅延時間差を最小限とすることで、走査パルスタイミングを正確化し、適切な画素回路動作を実行させるものとなる。
Since the output terminal P1 of the write scanner 14 is an output terminal of the buffer unit 25 and the output terminal P3 of the drive scanner 15 is an output terminal of the buffer unit 35, the write scanner 14 and the drive scanner as shown in FIG. When the 15 portions are arranged, the difference in wiring length, that is, the distance between the output ends P1 and P3 of the buffer portions 25 and 35 can be set to about 100 to 150 μm, for example. That is, the length of the portion necessary for the circuit arrangement of the buffer unit 35 is reduced, and the difference in the wiring length is reduced to about 1/10 compared to the conventional configuration as shown in FIG. The difference between the delay times of the scanning pulses DS and WS can be reduced.
In the operation example of FIG. 7, mobility correction is not performed, and a certain operation period is not determined by the phase difference between the scan pulses WS and DS. However, it is not preferable as the pixel operation that the timing deviation due to the delay time difference occurs in the scanning pulses WS and DS. On the other hand, in this example, the difference between the delay times of the scan pulses WS and DS due to the circuit arrangement is minimized, so that the scan pulse timing is accurate and an appropriate pixel circuit operation is executed.

なお、画素アレイ部20から近い方から順に、ライトスキャナ14のバッファ部25,ドライブスキャナ15のバッファ部35を配置してもよい。
また、ライトスキャナ14のロジック部23,クロック供給部22、シフトレジスタ部21を、ドライブスキャナ15のロジック部33,クロック供給部32、シフトレジスタ部31よりも、画素アレイ部20から遠い側に配置する例も考えられる。
Note that the buffer unit 25 of the write scanner 14 and the buffer unit 35 of the drive scanner 15 may be arranged in order from the side closer to the pixel array unit 20.
Further, the logic unit 23, the clock supply unit 22, and the shift register unit 21 of the write scanner 14 are arranged on the side farther from the pixel array unit 20 than the logic unit 33, the clock supply unit 32, and the shift register unit 31 of the drive scanner 15. An example is also conceivable.

[第4の実施の形態]

第4の実施の形態を図9,図10で説明する。
図9に、画素アレイ部20の右側方に配置されるライトスキャナ14、ドライブスキャナ15の配置イメージを示している。
ライトスキャナ14−1、14−2・・・14−mは、それぞれが各走査線WSL1,WSL2・・・WSLmに対応するライトスキャナ14としての回路構成部分である。
ドライブスキャナ15−1、15−2・・・15−mは、それぞれが各走査線DSL1,DSL2・・・DSLmに対応するドライブスキャナ15としての回路構成部分である。
即ち本例では、ライトスキャナ14、ドライブスキャナ15は、1つの走査線に対応する回路構成部位毎に、垂直方向に並ぶように配置されている。
[Fourth Embodiment]

A fourth embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 9 shows an arrangement image of the write scanner 14 and the drive scanner 15 arranged on the right side of the pixel array unit 20.
The write scanners 14-1, 14-2,..., 14-m are circuit components as the write scanner 14 corresponding to the scanning lines WSL1, WSL2,.
Drive scanners 15-1, 15-2,..., 15-m are circuit components as drive scanners 15 corresponding to the respective scanning lines DSL1, DSL2,.
In other words, in this example, the write scanner 14 and the drive scanner 15 are arranged in the vertical direction for each circuit component corresponding to one scanning line.

ドライブスキャナ15−1、ライトスキャナ14−1の部分の構成を図10に示す。なおドライブスキャナ15−2、ライトスキャナ14−2以降も、同様となる。
図10に示すように、ドライブスキャナ15−1は、シフトレジスタ部31、クロック供給部32、ロジック部33、レベル変換部34、バッファ部35を有する。
ライトスキャナ14−1は、シフトレジスタ部21、クロック供給部22、ロジック部23、レベル変換部24、バッファ部25を有する。
なお、この構成はレベル変換部24、34を有する例であり、第3の実施の形態のように低電圧駆動の画素回路10が採用される場合は、レベル変換部24、34は不要となる。
The configuration of the drive scanner 15-1 and the write scanner 14-1 is shown in FIG. The same applies to the drive scanner 15-2 and the write scanner 14-2 and later.
As illustrated in FIG. 10, the drive scanner 15-1 includes a shift register unit 31, a clock supply unit 32, a logic unit 33, a level conversion unit 34, and a buffer unit 35.
The write scanner 14-1 includes a shift register unit 21, a clock supply unit 22, a logic unit 23, a level conversion unit 24, and a buffer unit 25.
This configuration is an example having the level conversion units 24 and 34, and when the low voltage drive pixel circuit 10 is employed as in the third embodiment, the level conversion units 24 and 34 are not necessary. .

ライトスキャナ14−1の出力端P1は、バッファ部25の出力端であり、またドライブスキャナ15−1の出力端P3は、バッファ部35の出力端であるが、図10からわかるように、バッファ部25、35の各出力端P1,P3は、画素アレイ部20から見て等距離にあり、つまりライトスキャナ14−1からの走査線WSL1と、ドライブスキャナ15−1からの走査線DSL1には配線長の差がない。従って、走査パルスDS,WSの遅延時間の差は発生しない。
結果として、走査パルスWS、DSの位相差によって決定される移動度補正期間が適切に制御されるなど、画素回路10の動作が最も正確に行われることになる。
The output terminal P1 of the write scanner 14-1 is the output terminal of the buffer unit 25, and the output terminal P3 of the drive scanner 15-1 is the output terminal of the buffer unit 35. As can be seen from FIG. The output terminals P1 and P3 of the units 25 and 35 are equidistant when viewed from the pixel array unit 20, that is, the scanning line WSL1 from the write scanner 14-1 and the scanning line DSL1 from the drive scanner 15-1 There is no difference in wiring length. Accordingly, there is no difference between the delay times of the scan pulses DS and WS.
As a result, the operation of the pixel circuit 10 is most accurately performed such that the mobility correction period determined by the phase difference between the scanning pulses WS and DS is appropriately controlled.

またライトスキャナ14−1・・・14−mと、ドライブスキャナ15−1・・・15−mには、電圧VH、VL1、VL2の各電源ラインが配線されるが、バッファ部35,レベル変換部34、バッファ部25、レベル変換部24は画素アレイ部20の近辺に集まるため、電圧VL2、VL1の電源ラインの引き回しが容易になる。
さらにライトスキャナ14−1・・・14−mと、ドライブスキャナ15−1・・・15−mが垂直方向に並ぶことで、垂直方向に配設する電源ライン数も削減され、配線の引き回しはさらに容易となる。またクロック発生部32,22に対するクロックCKの配線も、垂直方向に1本設ければよく、これも配線レイアウトの容易性を促進する。
The power scanners 15-1 to 14-m and the drive scanners 15-1 to 15-m are provided with power lines VH, VL1, and VL2, respectively. Since the unit 34, the buffer unit 25, and the level conversion unit 24 are gathered in the vicinity of the pixel array unit 20, the power supply lines for the voltages VL2 and VL1 can be easily routed.
Further, the light scanners 14-1... 14-m and the drive scanners 15-1... 15-m are arranged in the vertical direction, so that the number of power supply lines arranged in the vertical direction is reduced, and wiring is routed. It becomes easier. Further, only one clock CK wiring is required in the vertical direction for the clock generators 32 and 22, which also facilitates the wiring layout.

以上、第1〜第4の実施の形態を説明してきたが、本発明としてはさらに多様な変形例が考えられる。
実施の形態では、画素アレイ部20の同一の側方に配される複数の垂直スキャナ部の例としてライトスキャナ14、ドライブスキャナ15を挙げたが、図1,図2で画素アレイ部20左側方に示した2つの第1AZスキャナ12、第2AZスキャナ13についても、上記のような回路配置構成を適用しても良い。つまり、バッファ部、或いはバッファ部とレベル変換部がまとめて画素アレイ部20に近くなるように配置する。
例えば図2の動作例では、走査パルスAZ1がハイレベルで走査パルスAZ2がローレベルの期間内において、走査パルスDSの立ち下がり、立ち上がりで閾値電圧Vthの補正期間が制御される例としたが、走査パルスDSでスイッチングトランジスタT3を導通させた状態で走査パルスAZ2を立ち下げることで閾値電圧Vth補正期間を開始させ、走査パルスAZ1を立ち下げることで閾値電圧Vth補正期間を終了させる動作例も考えられる。すると走査パルスAZ1、AZ2の位相差で閾値電圧Vth補正期間が規定されることになるが、その場合、走査線AZL1,AZL2についての画素アレイ部20に達する配線長の差による走査パルスAZ1、AZ2の遅延時間差が画素回路10の動作に影響する。
従って、バッファ部、或いはバッファ部とレベル変換部を、まとめて画素アレイ部20に近くなるように配置して走査パルスAZ1、AZ2の遅延時間差を低減することは有効である。
また、第1AZスキャナ12、第2AZスキャナ13を、図9の例のように、1つの走査線に対応する回路構成部位毎に、垂直方向に並ぶように配置することも当然考えられる。
Although the first to fourth embodiments have been described above, various modifications can be considered as the present invention.
In the embodiment, the write scanner 14 and the drive scanner 15 are given as an example of a plurality of vertical scanner units arranged on the same side of the pixel array unit 20, but the left side of the pixel array unit 20 in FIGS. The circuit arrangement configuration described above may be applied to the two first AZ scanners 12 and the second AZ scanner 13 shown in FIG. That is, the buffer unit, or the buffer unit and the level conversion unit are collectively arranged close to the pixel array unit 20.
For example, in the operation example of FIG. 2, the correction period of the threshold voltage Vth is controlled at the falling edge and the rising edge of the scanning pulse DS in the period in which the scanning pulse AZ1 is at the high level and the scanning pulse AZ2 is at the low level. Consider an operation example in which the threshold voltage Vth correction period is started by lowering the scan pulse AZ2 while the switching transistor T3 is turned on by the scan pulse DS, and the threshold voltage Vth correction period is ended by lowering the scan pulse AZ1. It is done. Then, the threshold voltage Vth correction period is defined by the phase difference between the scanning pulses AZ1 and AZ2. In this case, the scanning pulses AZ1 and AZ2 are caused by the difference in the wiring length reaching the pixel array unit 20 for the scanning lines AZL1 and AZL2. The delay time difference affects the operation of the pixel circuit 10.
Therefore, it is effective to reduce the delay time difference between the scanning pulses AZ1 and AZ2 by arranging the buffer unit or the buffer unit and the level converting unit together so as to be close to the pixel array unit 20.
In addition, it is naturally possible to arrange the first AZ scanner 12 and the second AZ scanner 13 so as to be arranged in the vertical direction for each circuit component corresponding to one scanning line as in the example of FIG.

また、上記例では画素アレイ部20の一側方に2つの垂直スキャナ部(例えばドライブスキャナ15とライトスキャナ14)が配置される例で述べたが、画素アレイ部20の一側方に3以上の垂直スキャナ部が設けられる場合に、それぞれの配線長の差を減少するように、各垂直スキャナ部の出力バッファ回路がまとめて画素アレイに近い位置に配置されるようにしたり、或いは配線長の差を解消するように、1つの走査線に対応する回路構成部位毎に垂直方向に並ぶように配置することも考えられる。   In the above example, two vertical scanner units (for example, the drive scanner 15 and the write scanner 14) are arranged on one side of the pixel array unit 20, but three or more are arranged on one side of the pixel array unit 20. When the vertical scanner section is provided, the output buffer circuits of each vertical scanner section are collectively arranged at a position close to the pixel array so as to reduce the difference in the wiring length of each vertical section, or the wiring length of the vertical scanner section is reduced. In order to eliminate the difference, it is also conceivable that the circuit components corresponding to one scanning line are arranged in the vertical direction.

本発明の実施の形態の表示装置のブロック図である。1 is a block diagram of a display device according to an embodiment of the present invention. 実施の形態の表示装置の画素回路の回路図である。It is a circuit diagram of a pixel circuit of a display device of an embodiment. 実施の形態の画素回路の動作の説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of the operation of the pixel circuit of the embodiment. 第1の実施の形態のライトスキャナ及びドライブスキャナの構成のブロック図である。It is a block diagram of composition of a write scanner and a drive scanner of a 1st embodiment. 第2の実施の形態のライトスキャナ及びドライブスキャナの構成のブロック図である。It is a block diagram of the structure of the write scanner and drive scanner of 2nd Embodiment. 第3の実施の形態の画素回路の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of a pixel circuit according to a third embodiment. 第3の実施の形態の画素回路の動作の説明図である。It is explanatory drawing of operation | movement of the pixel circuit of 3rd Embodiment. 第3の実施の形態のライトスキャナ及びドライブスキャナの構成のブロック図である。It is a block diagram of the structure of the write scanner and drive scanner of 3rd Embodiment. 第4の実施の形態のライトスキャナ及びドライブスキャナの配置の説明図である。It is explanatory drawing of arrangement | positioning of the write scanner and drive scanner of 4th Embodiment. 第4の実施の形態のライトスキャナ及びドライブスキャナの構成のブロック図である。It is a block diagram of the structure of the write scanner and drive scanner of 4th Embodiment. 有機EL表示装置の構成の説明図である。It is explanatory drawing of a structure of an organic electroluminescence display. 従来のライトスキャナ及びドライブスキャナの構成のブロック図である。It is a block diagram of the structure of the conventional write scanner and drive scanner. 走査パルスの遅延差の説明図である。It is explanatory drawing of the delay difference of a scanning pulse.

符号の説明Explanation of symbols

1 有機EL素子、10 画素回路、11 水平セレクタ、12 第1AZスキャナ、13 第2AZスキャナ、14 ライトスキャナ、15 ドライブスキャナ、21,31 シフトレジスタ部、22,32 クロック供給部、23,33 ロジック部、24,34 レベル変換部、25,35 バッファ部、C1 保持容量、T1 サンプリングトランジスタ、T2,T4 検知トランジスタ、T3 スイッチングトランジスタ、T5 ドライブトランジスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL element, 10 pixel circuit, 11 horizontal selector, 12 1st AZ scanner, 13 2nd AZ scanner, 14 write scanner, 15 drive scanner, 21, 31 shift register part, 22, 32 clock supply part, 23, 33 logic part , 24, 34 level conversion unit, 25, 35 buffer unit, C1 storage capacitor, T1 sampling transistor, T2, T4 detection transistor, T3 switching transistor, T5 drive transistor

Claims (3)

画素回路がマトリクス状に配置されて成る画素アレイと、
マトリクス状に配置された上記各画素回路に発光輝度を規定する信号を印加するために、上記画素アレイ上で、列方向に配設される信号線と、
マトリクス状に配置された上記各画素回路の動作を制御するために、上記画素アレイ上で、行方向に配設される複数種類の走査線と、
上記信号線を駆動する信号線駆動部と、
走査パルス生成回路部と、出力バッファ回路部とを備えた垂直スキャナ部として、上記複数種類の走査線のそれぞれを駆動する複数個の垂直スキャナ部と、
を備えるとともに、
上記複数個の垂直スキャナ部のうちで、上記画素アレイの同一の側方に配置される2以上の垂直スキャナ部については、それぞれの垂直スキャナ部における上記出力バッファ回路部が、上記画素アレイに最も近い位置にまとめて配置されていることを特徴とする表示装置。
A pixel array in which pixel circuits are arranged in a matrix;
In order to apply a signal that defines light emission luminance to each of the pixel circuits arranged in a matrix, signal lines arranged in the column direction on the pixel array;
In order to control the operation of each of the pixel circuits arranged in a matrix, a plurality of types of scanning lines arranged in the row direction on the pixel array;
A signal line driver for driving the signal line;
As a vertical scanner unit comprising a scan pulse generation circuit unit and an output buffer circuit unit, a plurality of vertical scanner units for driving each of the plurality of types of scanning lines,
With
Among two or more vertical scanner units, for two or more vertical scanner units arranged on the same side of the pixel array, the output buffer circuit unit in each vertical scanner unit is the most in the pixel array. A display device characterized by being arranged together in a close position.
上記各垂直スキャナ部には、上記走査パルス生成回路部からの走査パルスをレベル変換して上記出力バッファ回路部に供給するレベル変換回路部が設けられており、
上記複数個の垂直スキャナ部のうちで、上記画素アレイの同一の側方に配置される2以上の垂直スキャナ部については、それぞれの垂直スキャナ部における上記出力バッファ回路部と上記レベル変換回路部が、上記画素アレイに最も近い位置にまとめて配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
Each vertical scanner section is provided with a level conversion circuit section for level-converting the scanning pulse from the scanning pulse generation circuit section and supplying the level to the output buffer circuit section.
Among the plurality of vertical scanner units, for two or more vertical scanner units arranged on the same side of the pixel array, the output buffer circuit unit and the level conversion circuit unit in each vertical scanner unit are The display device according to claim 1, wherein the display devices are collectively arranged at a position closest to the pixel array.
画素回路がマトリクス状に配置されて成る画素アレイと、
マトリクス状に配置された上記各画素回路に発光輝度を規定する信号を印加するために、上記画素アレイ上で、列方向に配設される信号線と、
マトリクス状に配置された上記各画素回路の動作を制御するために、上記画素アレイ上で、行方向に配設される複数種類の走査線と、
上記信号線を駆動する信号線駆動部と、
上記複数種類の走査線のそれぞれを駆動する複数個の垂直スキャナ部と、
を備えるとともに、
上記複数個の垂直スキャナ部のうちで、上記画素アレイの同一の側方に配置される2以上の垂直スキャナ部については、
1つの走査線に対応する垂直スキャナ回路構成部位毎に、垂直方向に並ぶように配置されていることを特徴とする表示装置。
A pixel array in which pixel circuits are arranged in a matrix;
In order to apply a signal that defines light emission luminance to each of the pixel circuits arranged in a matrix, signal lines arranged in the column direction on the pixel array;
In order to control the operation of each of the pixel circuits arranged in a matrix, a plurality of types of scanning lines arranged in the row direction on the pixel array;
A signal line driver for driving the signal line;
A plurality of vertical scanner units for driving each of the plurality of types of scanning lines;
With
Among the plurality of vertical scanner units, for two or more vertical scanner units disposed on the same side of the pixel array,
A display device, wherein vertical scanning circuit components corresponding to one scanning line are arranged in a vertical direction.
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