JP2007025145A - 光モジュール及び光導波路部品の実装ずれ補償方法 - Google Patents
光モジュール及び光導波路部品の実装ずれ補償方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007025145A JP2007025145A JP2005205775A JP2005205775A JP2007025145A JP 2007025145 A JP2007025145 A JP 2007025145A JP 2005205775 A JP2005205775 A JP 2005205775A JP 2005205775 A JP2005205775 A JP 2005205775A JP 2007025145 A JP2007025145 A JP 2007025145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- optical
- optical waveguide
- waveguide core
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 383
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 74
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 73
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 73
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 13
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- PYNHPJZBYGNOPU-ONTZPWRJSA-N C1=CC(N(CCO[Si](C)(C)C(C)(C)C)CCO[Si](C)(C)C(C)(C)C)=CC=C1\C=C\C(CC(C)(C)C/1)=C\C\1=C\C=C\C1=C(C#N)C(=C(C#N)C#N)OC1(C)C Chemical compound C1=CC(N(CCO[Si](C)(C)C(C)(C)C)CCO[Si](C)(C)C(C)(C)C)=CC=C1\C=C\C(CC(C)(C)C/1)=C\C\1=C\C=C\C1=C(C#N)C(=C(C#N)C#N)OC1(C)C PYNHPJZBYGNOPU-ONTZPWRJSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- FOQABOMYTOFLPZ-ISLYRVAYSA-N Disperse Red 1 Chemical compound C1=CC(N(CCO)CC)=CC=C1\N=N\C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 FOQABOMYTOFLPZ-ISLYRVAYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12002—Three-dimensional structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/061—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material
- G02F1/065—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material in an optical waveguide structure
Abstract
【課題】 複数の光導波路部品のアセンブリ化の際に導波路コア間の距離のばらつき（実装ずれ）が生じた場合であっても、十分な光結合効率が得られるようにする。
【解決手段】 第１導波路コア１Ａを備える第１光導波路部品１と、第２導波路コア２Ａを備え、第２導波路コア２Ａと第１導波路コア１Ａとが部分的に近接し、第１導波路コア１Ａと第２導波路コア２Ａとの間で伝搬してきた光が結合しうるように設けられた第２光導波路部品２と、第１導波路コア１Ａと第２導波路コア２Ａとの間に設けられ、電気光学材料からなる電気光学材料層３と、電気光学材料層３の屈折率が変化し、第１導波路コア１Ａと第２導波路コア２Ａとの間の光結合係数が変わるように、電気光学材料層３に電界を印加するための電極４とを備える。
【選択図】 図１
【解決手段】 第１導波路コア１Ａを備える第１光導波路部品１と、第２導波路コア２Ａを備え、第２導波路コア２Ａと第１導波路コア１Ａとが部分的に近接し、第１導波路コア１Ａと第２導波路コア２Ａとの間で伝搬してきた光が結合しうるように設けられた第２光導波路部品２と、第１導波路コア１Ａと第２導波路コア２Ａとの間に設けられ、電気光学材料からなる電気光学材料層３と、電気光学材料層３の屈折率が変化し、第１導波路コア１Ａと第２導波路コア２Ａとの間の光結合係数が変わるように、電気光学材料層３に電界を印加するための電極４とを備える。
【選択図】 図１
Description
本発明は、例えば光通信で用いられる複数の光導波路部品（例えば光波伝送用部品）をアセンブリ化して作製される光モジュール及び光導波路部品の実装ずれ補償方法に関する。
近年、光モジュールの量産化、低コスト化の要求に適するとして、ＳｉプラットフォームやＰＬＣ（Planar Lightwave Circuit；平面光波回路)プラットフォーム上に光部品をハイブリッド集積する実装技術（光集積技術）が注目されている。
また、ＰＬＣプラットフォームを実装基板として用いる実装技術（平面実装技術）は、表面に導波路を形成した共通基板上に光部品を搭載するため、光モジュールの小型化、アセンブリ工程の簡略化に適していると言われている。
また、ＰＬＣプラットフォームを実装基板として用いる実装技術（平面実装技術）は、表面に導波路を形成した共通基板上に光部品を搭載するため、光モジュールの小型化、アセンブリ工程の簡略化に適していると言われている。
プラットフォーム（光導波路基板）上に光部品（光導波路デバイス）を実装する場合、実際の光結合効率をモニタしながら、光部品の位置を調整するアクティブアライメント技術を用いて、調芯作業を行なうのが一般的である。
また、例えばニオブ酸リチウム（ＬＮ；Lithium Niobate）を用いた光変調器やファブリペロー型の半導体レーザなどのように、光ビームがデバイス表面に沿って伝播しデバイス端面から出射するタイプ、又は、デバイス端面から入射した光ビームがデバイス表面に沿って伝播しデバイス端面から出射するタイプの光デバイス（光導波路デバイス）は、デバイス端面近傍に設けられたレンズを介して、直線的に配設された光ファイバや光導波路に結合させるのが一般的である。
また、例えばニオブ酸リチウム（ＬＮ；Lithium Niobate）を用いた光変調器やファブリペロー型の半導体レーザなどのように、光ビームがデバイス表面に沿って伝播しデバイス端面から出射するタイプ、又は、デバイス端面から入射した光ビームがデバイス表面に沿って伝播しデバイス端面から出射するタイプの光デバイス（光導波路デバイス）は、デバイス端面近傍に設けられたレンズを介して、直線的に配設された光ファイバや光導波路に結合させるのが一般的である。
なお、先行技術調査を行なった結果、以下の特許文献１，２及び非特許文献１が得られた。
特許文献１は、半導体光導波路において、２つの光導波路間に形成されたクラッド層に電圧を印加することでクラッド層の屈折率を変化させて、結合長を変化させ、取り出す光の波長を選択できるようにした光スイッチ等の光デバイスを開示している（例えば実施形態２参照）。
特許文献１は、半導体光導波路において、２つの光導波路間に形成されたクラッド層に電圧を印加することでクラッド層の屈折率を変化させて、結合長を変化させ、取り出す光の波長を選択できるようにした光スイッチ等の光デバイスを開示している（例えば実施形態２参照）。
しかしながら、特許文献１に開示された技術は、半導体プロセスで精確に配置され、一体的に形成された光導波路間の結合長を変化させて、取り出す光の波長を選択できるようにしているにすぎず、複数の光導波路部品を備えるものではない。特に、特許文献１に開示された技術は、本願発明のように、「アセンブリ化の際に生じてしまう物理的な導波路コア間の距離のばらつきを補償できるようにし、十分な光結合効率が得られるようにする」という課題は全く想定していない。
特許文献２は、温度変化等によって出射角度が変化してしまう場合に、電気光学効果を有する光導波路に電界を印加し、屈折率を変化させることで、出射光軸を一定に保つことができるようにした光学装置を開示している（例えば「発明が解決しようとする課題」の欄、「課題を解決するための手段」の欄、「作用」の欄参照）。
しかしながら、特許文献２に開示された技術は、１つの電気光学効果を有する光導波路に電界を印加し、屈折率を変化させることで、出射光軸を一定に保つことができるようにした技術を開示しているにすぎず、複数の光導波路部品を備えるものではない。特に、本願発明のように、「アセンブリ化の際に生じてしまう物理的な導波路コア間の距離のばらつきを補償できるようにし、十分な光結合効率が得られるようにする」という課題は全く想定していない。
しかしながら、特許文献２に開示された技術は、１つの電気光学効果を有する光導波路に電界を印加し、屈折率を変化させることで、出射光軸を一定に保つことができるようにした技術を開示しているにすぎず、複数の光導波路部品を備えるものではない。特に、本願発明のように、「アセンブリ化の際に生じてしまう物理的な導波路コア間の距離のばらつきを補償できるようにし、十分な光結合効率が得られるようにする」という課題は全く想定していない。
非特許文献１は、光導波路基板上に光導波路デバイスを実装する場合に、光導波路デバイスと光導波路基板との間で互いの光導波路を近接させて平行に配置し、光波のエバネッセント成分を結合させる方法を開示している。
特開２００２−２３２０５号公報
特開平３−２５６０３０号公報
David W. Vernooy "Alignment-Insensitive Coupling for PLC-Based Surface Mount Photonics" IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, VOL.16, NO.1, p.269-271, JANUARY 2004
ところで、上述のように光導波路基板上に光導波路デバイスを実装する場合、調芯作業に大変な手間がかかることになる。また、高い効率で光を結合させるのも困難である。
また、光導波路デバイスを光ファイバ等に結合する場合、小型化・集積化が難しい。また、レンズ表面や光導波路端面での反射損失があるため、高い効率で光を結合させるのも困難である。
また、光導波路デバイスを光ファイバ等に結合する場合、小型化・集積化が難しい。また、レンズ表面や光導波路端面での反射損失があるため、高い効率で光を結合させるのも困難である。
この点、上述の非特許文献１では、高い光結合効率が得られるように、光導波路基板上に光導波路デバイスを実装する場合に、光導波路デバイスと光導波路基板との間で互いの光導波路を近接させて配置し、光波のエバネッセント成分を結合させる方法を提案しているが、光波のエバネッセント成分の結合は、光導波路間の距離や近接平行部分の長さにきわめて敏感であるため、きわめて高い実装精度が要求されることになる。
例えば、２つの導波路コアを近接させて光結合させるのに、図６に示すように、２つの導波路コアＡ，Ｂの屈折率ｎを１．５６７とし、断面寸法を縦７μｍ×横７μｍとし、２つの導波路コアＡ，Ｂ間に形成されるクラッドの屈折率を１．５６３とし、２つの導波路コアＡ，Ｂが近接している平行部の長さ（結合長）を３ｍｍとした場合、導波路コアＡ，Ｂ間の距離（導波路コア間ギャップの大きさ；導波路コアのエッジ間距離）を５．５μｍに設定すれば、理論的には、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
しかしながら、導波路コア間ギャップの大きさが５．５μｍになるように設計したとしても、実際には、ばらつきが生じ、異なる厚さになってしまう場合がある。例えば、導波路コア間ギャップの大きさが４．０μｍ程度になってしまうと、光結合効率は５３％程度まで急激に低下してしまうことになる。
一般に、アセンブリプロセスにおいて、位置ズレを１μｍ程度以下に抑えるのは容易でない。このため、このような光結合効率の大幅なばらつきに対応できるように、大きなマージンをもたせて光モジュールの設計を行なうことが必要になる。
一般に、アセンブリプロセスにおいて、位置ズレを１μｍ程度以下に抑えるのは容易でない。このため、このような光結合効率の大幅なばらつきに対応できるように、大きなマージンをもたせて光モジュールの設計を行なうことが必要になる。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、複数の光導波路部品のアセンブリ化の際に導波路コア間の距離のばらつき（実装ずれ）が生じた場合であっても、十分な光結合効率が得られるようにすることができるようにした、光モジュールを提供することを目的とする。
また、複数の光導波路部品のアセンブリ化の際に生じる導波路コア間の距離のばらつき（実装ずれ）に起因する光結合効率の低下を補償する、光導波路部品の実装ずれ補償方法を提供することも目的とする。
また、複数の光導波路部品のアセンブリ化の際に生じる導波路コア間の距離のばらつき（実装ずれ）に起因する光結合効率の低下を補償する、光導波路部品の実装ずれ補償方法を提供することも目的とする。
このため、本発明の光モジュールは、第１導波路コアを備える第１光導波路部品と、第２導波路コアを備え、第２導波路コアと第１導波路コアとが部分的に近接し、第１導波路コアと第２導波路コアとの間で伝搬してきた光が結合しうるように設けられた第２光導波路部品と、第１導波路コアと第２導波路コアとの間に設けられ、電気光学材料からなる電気光学材料層と、電気光学材料層の屈折率が変化し、第１導波路コアと第２導波路コアとの間の光結合係数が変わるように、電気光学材料層に電界を印加するための電極とを備えることを特徴としている。
また、本発明の光導波路部品の実装ずれ補償方法は、第１導波路コアを備える第１光導波路部品及び第２導波路コアを備える第２光導波路部品を用意し、第１導波路コアと第２導波路コアとが部分的に近接し、第１導波路コアと第２導波路コアとの間で伝搬してきた光が結合しうるように、第１導波路コアと第２導波路コアとの間に電気光学材料層を介在させて、第１光導波路部品と第２光導波路部品とをアセンブリ化し、第１導波路コアと第２導波路コアとの間の距離がずれている場合には、電気光学材料層に電界を印加して電気光学材料層の屈折率を変化させ、第１導波路コアと第２導波路コアとの間の光結合係数を変えることを特徴としている。
したがって、本発明の光モジュールによれば、電極を介して電気光学材料層に電界を印加することで、電気光学材料層の屈折率を変化させ、第１導波路コアと第２導波路コアとの間の光結合係数を変えることができるため、複数の光導波路部品のアセンブリ化の際に導波路コア間の距離のばらつき（実装ずれ）が生じた場合であっても、十分な光結合効率が得られるようになるという利点がある。
また、本発明の光導波路部品の実装ずれ補償方法によれば、複数の光導波路部品のアセンブリ化の際に生じる導波路コア間の距離のばらつき（実装ずれ）に起因する光結合効率の低下を補償することができ、十分な光結合効率が得られるようになるという利点がある。
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる光モジュール及び光導波路部品の実装ずれ補償方法について、図１〜図５を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる光モジュールは、例えば図１に示すように、表面に導波路コア（基板側導波路コア）１Ａが露出している光導波路基板（光導波路部品）１と、表面に導波路コア（デバイス側導波路コア）２Ａが露出している光導波路デバイス（光導波路部品）２と、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間に設けられ、電気光学材料からなる電気光学材料層３と、電気光学材料層３に電界を印加するための電極４とを備える。
本実施形態にかかる光モジュールは、例えば図１に示すように、表面に導波路コア（基板側導波路コア）１Ａが露出している光導波路基板（光導波路部品）１と、表面に導波路コア（デバイス側導波路コア）２Ａが露出している光導波路デバイス（光導波路部品）２と、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間に設けられ、電気光学材料からなる電気光学材料層３と、電気光学材料層３に電界を印加するための電極４とを備える。
つまり、本光モジュール１０は、光導波路基板１の導波路コア１Ａが露出している面と、光導波路デバイス２の導波路コア２Ａが露出している面とを向かい合わせ、電気光学材料からなる接着剤（これが電気光学材料層３となる）によって固着することで、電気光学材料層３を介して光導波路基板１上に光導波路デバイス２を実装したものとして構成される。
そして、電極４を介して電気光学材料層３に電界を印加することで、電気光学材料層３の屈折率を変化させ、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間の光結合係数を変えることができるようになっている。
ここでは、光導波路基板１と光導波路デバイス２は、それぞれ独立した光導波路部品であり、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとが部分的に平行な状態で近接し、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間で、伝搬してきた光が結合しうるように設けられている。つまり、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａは、互いに近接する平行部（近接平行部）を有し、この部分が光カプラ５として機能しうるように構成されている。
ここでは、光導波路基板１と光導波路デバイス２は、それぞれ独立した光導波路部品であり、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとが部分的に平行な状態で近接し、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間で、伝搬してきた光が結合しうるように設けられている。つまり、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａは、互いに近接する平行部（近接平行部）を有し、この部分が光カプラ５として機能しうるように構成されている。
ここで、光導波路基板１は、例えば一方の端面から入射した光ビームが表面に沿って伝播し、他方の端面から出射するように、チャネル状の導波路コア１Ａが形成されている基板である。この光導波路基板１は、例えばＰＬＣ（Planar Lightwave Circuit；平面光波回路)プラットフォームやＳｉプラットフォームである。
光導波路デバイス２は、例えば光ビームが表面に沿って伝搬し、端面から出射又は入射するように、チャネル状の導波路コア２Ａが形成されているデバイスである。この光導波路デバイス２は、例えば、光ビームが表面に沿って伝播し、端面から出射する光導波路デバイス（例えば半導体レーザなど）や端面から入射した光ビームが表面に沿って伝播し端面から出射する光導波路デバイス（例えば光変調器など）である。
光導波路デバイス２は、例えば光ビームが表面に沿って伝搬し、端面から出射又は入射するように、チャネル状の導波路コア２Ａが形成されているデバイスである。この光導波路デバイス２は、例えば、光ビームが表面に沿って伝播し、端面から出射する光導波路デバイス（例えば半導体レーザなど）や端面から入射した光ビームが表面に沿って伝播し端面から出射する光導波路デバイス（例えば光変調器など）である。
電気光学材料層３は、電気光学効果を生じうる材料によって形成されていれば良く、特に制限はないが、例えばポリマー材料（特に色素を含有したもの）により形成することができる。電気光学効果を生じうるポリマー材料（電気光学ポリマー）としては、例えば、発色団（chromophore）の一種であるDisperse Red-1やCLD-1を、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、エポキシなどに分散させたものを用いることができる（例えばI. Liakatas et al. "Importance of intermolecular interactions in the nonlinear optical properties of poled polymers" APPLIED PHYSICS LETTERS VOLUME 76, NUMBER 11, 13 MARCH 2000, p.1368参照）。
なお、電気光学材料としては、上記電気光学ポリマーのほかに、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、ジルコン酸チタン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）などのペロブスカイト系結晶材料や例えばＧａＡｓなどの半導体材料も使用可能である。
本実施形態では、表面に導波路コア１Ａ，２Ａが露出している光導波路部品１，２同士を、電気光学材料層３を介して接着するようにしているため、電気光学材料層３はクラッド層として機能しうるものとしている。なお、図１では、説明を分かり易くするために、電気光学材料層３を部分的に示しているが、実際には、電気光学材料層３は、光導波路基板１の表面を覆うように全面に形成している。
本実施形態では、表面に導波路コア１Ａ，２Ａが露出している光導波路部品１，２同士を、電気光学材料層３を介して接着するようにしているため、電気光学材料層３はクラッド層として機能しうるものとしている。なお、図１では、説明を分かり易くするために、電気光学材料層３を部分的に示しているが、実際には、電気光学材料層３は、光導波路基板１の表面を覆うように全面に形成している。
電極４は、例えば光導波路基板１を構成する導波路コア１Ａを間に挟んで両側にそれぞれ設けられている。なお、ここでは、電極４を、光導波路基板１側に設けているが、これに限られるものではなく、光導波路デバイス２側に設けても良い。つまり、電極４は、例えば光導波路デバイス２を構成する導波路コア２Ａを間に挟んで両側にそれぞれ設けても良い。
また、本実施形態では、さらに、電極４に制御部６が接続されており、制御部６によって、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間の距離（導波路コア間ギャップの大きさ）に応じて電極４に印加される電圧が制御されるようになっている。このようにして電極４に印加される電圧が制御されると、電気光学材料層３に印加される電界が変化し、電気光学材料層３の屈折率が変化して、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間の光結合係数が変わることになる。
したがって、本実施形態にかかる光モジュールによれば、電極４を介して電気光学材料層３に電界を印加することで、電気光学材料層３の屈折率を変化させ、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間の光結合係数を変えることができるため、複数の光導波路部品１，２のアセンブリ化の際に、物理的な導波路コア１Ａ，２Ａ間の距離のばらつき（実装ずれ）が生じた場合であっても、これを補償（補正・吸収）することができ、十分な光結合効率が得られるようになるという利点がある。これにより、光結合効率に大きなマージンをもたせて光モジュール１０を設計する必要がなくなり、コストパフォーマンスの高い実装方法を実現できることになる。
つまり、光導波路基板１上に電気光学材料層３を介して光導波路デバイス２を実装する際に、光導波路基板１に形成されている導波路コア１Ａと、光導波路デバイス２に形成されている導波路コア２Ａとが近接している近接平行部（光接続部）５における物理的な導波路コア１Ａ，２Ａ間の距離（導波路コア間ギャップの大きさ；導波路コアのエッジ間距離）がずれてしまった場合であっても、光導波路間結合技術を用い、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間の光結合係数を変えることで、実装ずれを解消し、実質的な導波路コア間距離を調整することができ、十分に高い光結合効率が得られるようになる。
このため、本実施形態にかかる光導波路部品の実装ずれ補償方法は、以下のように構成されることになる。
つまり、まず、基板側導波路コア１Ａを備える光導波路基板（光導波路部品）１、及び、デバイス側導波路コア２Ａを備える光導波路デバイス（光導波路部品）２を用意する。ここでは、表面に導波路コア１Ａが露出している光導波路基板１、及び、表面に導波路コア２Ａが露出している光導波路デバイス２を用意する。
つまり、まず、基板側導波路コア１Ａを備える光導波路基板（光導波路部品）１、及び、デバイス側導波路コア２Ａを備える光導波路デバイス（光導波路部品）２を用意する。ここでは、表面に導波路コア１Ａが露出している光導波路基板１、及び、表面に導波路コア２Ａが露出している光導波路デバイス２を用意する。
次に、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとが部分的に近接し、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間で、伝搬してきた光が結合しうるように、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間に電気光学材料層３を介在させて、光導波路基板１と光導波路デバイス２とをアセンブリ化する。本実施形態では、光導波路デバイス２を、電気光学材料層３を介して、光導波路基板１上に実装する。
そして、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間の距離がずれている場合には、電気光学材料層３に電界を印加して電気光学材料層３の屈折率を変化させ、基板側導波路コア１Ａとデバイス側導波路コア２Ａとの間の光結合係数を変える。
したがって、本発明の光導波路部品の実装ずれ補償方法によれば、複数の光導波路部品１，２のアセンブリ化の際に生じる物理的な導波路コア１Ａ，２Ａ間の距離（結合距離）のばらつき（実装ずれ）に起因する光結合効率の低下を補償することができ、十分に高い光結合効率が得られるようになるという利点がある。
したがって、本発明の光導波路部品の実装ずれ補償方法によれば、複数の光導波路部品１，２のアセンブリ化の際に生じる物理的な導波路コア１Ａ，２Ａ間の距離（結合距離）のばらつき（実装ずれ）に起因する光結合効率の低下を補償することができ、十分に高い光結合効率が得られるようになるという利点がある。
ところで、光導波路基板１上に光導波路デバイス２を実装する際に、導波路コア１Ａ，２Ａ間の距離がずれてしまう場合としては、図２（Ｂ）［図１のＸ−Ｙ断面及びＺ−Ｙ断面に相当する］に示すように、２つの導波路コア１Ａ，２Ａの位置が水平方向にずれてしまう場合と、図２（Ｃ）［図１のＸ−Ｙ断面及びＺ−Ｙ断面に相当する］に示すように、２つの導波路コア１Ａ，２Ａの位置が垂直方向にずれてしまう場合［即ち、２つの導波路コア１Ａ，２Ａ間に介在する層（例えばクラッド層や接着層など）の厚さが設計値からずれてしまう場合］がある。
いずれの場合も、上述のように、電極４を介して電気光学材料層３に電界を印加し、電気光学材料層３の屈折率を変化させ、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合係数を変えることで、複数の光導波路部品１，２のアセンブリ化の際に生じる物理的な導波路コア１Ａ，２Ａ間の距離のばらつきを補償（補正・吸収）することができ、十分な光結合効率が得られるようにすることができる。
なお、図２（Ａ）［図１のＸ−Ｙ断面及びＺ−Ｙ断面に相当する］に示すように、実装ずれが生じていない場合には、電極４を介して電気光学材料層３に電界を印加する必要がない。
例えば、屈折率ｎが１．５６３の電気光学材料からなる接着剤（これが電気光学材料層３となる）を用いて、光導波路基板１上に光導波路デバイス２を接着する場合、図３中、実線Ａで示すように、導波路コア１Ａ，２Ａ間の距離（導波路コア間ギャップの大きさ；導波路コアのエッジ間距離）に応じて、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合効率が変わってしまう。なお、ここでは、結合長（近接平行部５の長さ）は３ｍｍとしている。また、各導波路コア１Ａ，２Ａは、屈折率を１．５６７とし、断面寸法を縦７μｍ×横７μｍとしている。
例えば、屈折率ｎが１．５６３の電気光学材料からなる接着剤（これが電気光学材料層３となる）を用いて、光導波路基板１上に光導波路デバイス２を接着する場合、図３中、実線Ａで示すように、導波路コア１Ａ，２Ａ間の距離（導波路コア間ギャップの大きさ；導波路コアのエッジ間距離）に応じて、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合効率が変わってしまう。なお、ここでは、結合長（近接平行部５の長さ）は３ｍｍとしている。また、各導波路コア１Ａ，２Ａは、屈折率を１．５６７とし、断面寸法を縦７μｍ×横７μｍとしている。
電気光学材料層３の屈折率ｎが１．５６３の場合、図３中、実線Ａで示すように、導波路コア間ギャップの大きさ（導波路コア１Ａ，２Ａ間の距離）を５．５μｍにすれば、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
しかしながら、導波路コア１Ａ，２Ａ間ギャップの大きさが５．５μｍになるように設計したとしても、実際には、ばらつきが生じ、異なる厚さになってしまう場合がある。例えば、導波路コア間ギャップの大きさが４．０μｍ程度になってしまった場合、図３中、実線Ａで示すように、光結合効率は５３％程度まで急激に低下してしまうことになる。
しかしながら、導波路コア１Ａ，２Ａ間ギャップの大きさが５．５μｍになるように設計したとしても、実際には、ばらつきが生じ、異なる厚さになってしまう場合がある。例えば、導波路コア間ギャップの大きさが４．０μｍ程度になってしまった場合、図３中、実線Ａで示すように、光結合効率は５３％程度まで急激に低下してしまうことになる。
この場合、電極４を介して電気光学材料層３に電界を印加することで、電気光学材料層３の屈折率を変化させ（ここでは屈折率ｎを１．５６１５まで低減させ）、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合係数を変えれば、図３中、実線Ｂで示すように、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
同様に、導波路コア間ギャップの大きさが６．０μｍ程度になってしまった場合には、電気光学材料層３の屈折率ｎを１．５６３５まで増加させて、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合係数を変えれば、図３中、実線Ｃで示すように、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
同様に、導波路コア間ギャップの大きさが６．０μｍ程度になってしまった場合には、電気光学材料層３の屈折率ｎを１．５６３５まで増加させて、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合係数を変えれば、図３中、実線Ｃで示すように、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
また、導波路コア間ギャップの大きさが４．８μｍ程度になってしまった場合には、電気光学材料層３の屈折率ｎを１．５６２５まで低減させて、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合係数を変えれば、図３中、実線Ｄで示すように、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
さらに、導波路コア間ギャップの大きさが４．３μｍ程度になってしまった場合には、電気光学材料層３の屈折率ｎを１．５６２０まで低減させて、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合係数を変えれば、図３中、実線Ｅで示すように、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
さらに、導波路コア間ギャップの大きさが４．３μｍ程度になってしまった場合には、電気光学材料層３の屈折率ｎを１．５６２０まで低減させて、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合係数を変えれば、図３中、実線Ｅで示すように、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
また、導波路コア間ギャップの大きさが３．７μｍ程度になってしまった場合には、電気光学材料層３の屈折率ｎを１．５６１０まで低減させて、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合係数を変えれば、図３中、実線Ｆで示すように、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
要するに、導波路コア間ギャップの大きさが大きくなってしまった場合には、その大きさに応じて電気光学材料層３の屈折率を大きくすれば（この場合、図３中、光結合効率特性曲線は右側へ連続的に移動していくことになる）、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。一方、導波路コア間ギャップの大きさが小さくなってしまった場合には、その大きさに応じて電気光学材料層の屈折率を小さくすれば（この場合、図３中、光結合効率特性曲線は左側へ連続的に移動していくことになる）、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
要するに、導波路コア間ギャップの大きさが大きくなってしまった場合には、その大きさに応じて電気光学材料層３の屈折率を大きくすれば（この場合、図３中、光結合効率特性曲線は右側へ連続的に移動していくことになる）、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。一方、導波路コア間ギャップの大きさが小さくなってしまった場合には、その大きさに応じて電気光学材料層の屈折率を小さくすれば（この場合、図３中、光結合効率特性曲線は左側へ連続的に移動していくことになる）、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
このように、光導波路基板１上に光導波路デバイス２を実装する際に、導波路コア１Ａ，２Ａ間の距離（導波路コア間ギャップの大きさ；導波路コアのエッジ間距離）がずれてしまった場合には、電極４を介して電気光学材料層３に電界を印加することで、電気光学材料層３の屈折率を変化させ、導波路コア１Ａ，２Ａ間の光結合係数を変えて、光結合効率と導波路コア間距離との関係を示す特性曲線（光結合効率特性曲線）が、図３中、いずれかの実線で示す曲線になるようにすれば、ほぼ１００％の光結合効率が得られることになる。
なお、本実施形態にかかる光モジュールでは、一方の光導波路部品を、表面に導波路コア１Ａが露出している光導波路基板１とし、他方の光導波路部品を、表面に導波路コア２Ａが露出している光導波路デバイス２とし、光導波路デバイスが、電気光学材料層を介して、光導波路基板上に実装されるようにしているが、これに限られるものではない。
例えば、一方の光導波路部品を、導波路コア（基板側導波路コア）上に電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路基板とし、他方の光導波路部品を、表面に導波路コア（デバイス側導波路コア）が露出している光導波路デバイスとし、光導波路デバイスが光導波路基板上に実装されるようにしても良い。
例えば、一方の光導波路部品を、導波路コア（基板側導波路コア）上に電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路基板とし、他方の光導波路部品を、表面に導波路コア（デバイス側導波路コア）が露出している光導波路デバイスとし、光導波路デバイスが光導波路基板上に実装されるようにしても良い。
また、一方の光導波路部品を、導波路コア（基板側導波路コア）上に電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路デバイスとし、他方の光導波路部品を、表面に導波路コア（デバイス側導波路コア）が露出している光導波路基板とし、光導波路デバイスが光導波路基板上に実装されるようにしても良い。
このように構成する場合、基板側導波路コアとデバイス側導波路コアとの間に、電気光学材料層としてのクラッド層が設けられることになる。なお、この場合、電気光学材料層は、クラッド層として機能し、光導波路デバイスや光導波路基板の表面に露出するように形成でき、精密加工が可能な材料を用いることになる。また、電気光学材料層としてのクラッド層を備える光導波路部品は、表面に導波路コアが露出しておらず、導波路コアが表面近傍に形成されたものとなる。
このように構成する場合、基板側導波路コアとデバイス側導波路コアとの間に、電気光学材料層としてのクラッド層が設けられることになる。なお、この場合、電気光学材料層は、クラッド層として機能し、光導波路デバイスや光導波路基板の表面に露出するように形成でき、精密加工が可能な材料を用いることになる。また、電気光学材料層としてのクラッド層を備える光導波路部品は、表面に導波路コアが露出しておらず、導波路コアが表面近傍に形成されたものとなる。
また、上述の実施形態にかかる光導波路部品の実装ずれ補償方法では、一方の光導波路部品として、表面に導波路コア２Ａが露出している光導波路デバイス２を用意し、他方の光導波路部品として、表面に導波路コア１Ａが露出している光導波路基板１を用意し、光導波路デバイス２を、電気光学材料層３を介して、光導波路基板１上に実装するようにしているが、これに限られるものではない。
例えば、一方の光導波路部品として、導波路コア（基板側導波路コア）上に電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路基板を用意し、他方の光導波路部品として、表面に導波路コア（デバイス側導波路コア）が露出している光導波路デバイスを用意し、光導波路デバイスを光導波路基板上に実装するようにしても良い。
また、一方の光導波路部品として、導波路コア（デバイス側導波路コア）上に電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路デバイスを用意し、他方の光導波路部品として、表面に導波路コア（基板側導波路コア）が露出している光導波路基板を用意し、光導波路デバイスを光導波路基板上に実装するようにしても良い。
また、一方の光導波路部品として、導波路コア（デバイス側導波路コア）上に電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路デバイスを用意し、他方の光導波路部品として、表面に導波路コア（基板側導波路コア）が露出している光導波路基板を用意し、光導波路デバイスを光導波路基板上に実装するようにしても良い。
また、本実施形態では、光導波路基板１上に光導波路デバイス２を実装する場合（光導波路基板１と光導波路デバイス２とをアセンブリ化する場合）を例に説明しているが、これに限られるものではなく、本発明は、例えば光導波路デバイスと光導波路デバイスとをアセンブリ化する場合や光導波路基板と光導波路基板とをアセンブリ化する場合にも適用することができる。
また、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。
以下、図４（Ａ）〜（Ｆ）を参照しながら、実施例によって本発明を更に詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
（実施例１）
本実施例では、図４（Ａ）〜（Ｆ）に示すように、導波路コア１１Ａ（１２Ａ）が表面に露出した導波路チップ（光導波路部品）１１（１２）を２つ作製し、電気光学ポリマー（電気光学材料層１３）を介して、これらを接合して、光モジュール１１０を作製した。そして、電極１４を介して電気光学ポリマー１３に電界を印加した際の光パワーの結合効率（光結合効率）の変化を測定した。
［導波路チップの作製］
導波路チップ１１，１２は、以下のようにして作製した。
（実施例１）
本実施例では、図４（Ａ）〜（Ｆ）に示すように、導波路コア１１Ａ（１２Ａ）が表面に露出した導波路チップ（光導波路部品）１１（１２）を２つ作製し、電気光学ポリマー（電気光学材料層１３）を介して、これらを接合して、光モジュール１１０を作製した。そして、電極１４を介して電気光学ポリマー１３に電界を印加した際の光パワーの結合効率（光結合効率）の変化を測定した。
［導波路チップの作製］
導波路チップ１１，１２は、以下のようにして作製した。
つまり、まず、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、石英ガラス基材１１Ｂ（１２Ｂ）の全面に、新日鐵化学社製の透明エポキシＶ２５９によって、下部クラッド層１１Ｃ（１２Ｃ）（屈折率１．５６３；厚さ２０μｍ）を形成し、この下部クラッド層１１Ｃ（１２Ｃ）上に、コア膜（屈折率１．５６７）を塗布し、フォトリソグラフィーによって断面寸法縦７μｍ×横７μｍのチャネル導波路コア１１Ａ（１２Ａ）を形成した。
また、図４（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、この導波路コア１１Ａ（１２Ａ）上にクラッド材（屈折率１．５６３）を塗布し、硬化させた後、導波路コア１１Ａ（１２Ａ）の表面が現れるまで研磨し、表面を平坦化した。このようにして、同一の導波路チップ１１，１２を２つ作製した。
さらに、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、一方の導波路チップ１１の表面上の導波路コア１１Ａを挟んで両側に、導波路コア１１Ａに沿って平行に、長さ４ｍｍの一対のタングステン製の電極１４をスパッタにより形成した。
さらに、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、一方の導波路チップ１１の表面上の導波路コア１１Ａを挟んで両側に、導波路コア１１Ａに沿って平行に、長さ４ｍｍの一対のタングステン製の電極１４をスパッタにより形成した。
そして、図４（Ｆ）に示すように、電極１４を形成した一方の導波路チップ１１の表面に、電気光学ポリマー１３を厚さ約５μｍ塗布した。ここでは、電気光学ポリマー１３は、上記透明エポキシＶ２５９に有機色素ＣＬＤ−１を２０ｗｔ％添加したものを用いた。なお、電気光学ポリマー１３は、屈折率が１．５６３であり、電気光学係数が３０ｐｍ／Ｖであった。
このようにして表面に電気光学ポリマー１３を塗布した一方の導波路チップ１１上に、図４（Ｅ），（Ｆ）に示すように、他方の導波路チップ１２を、それぞれの導波路コア１１Ａ，１２Ａが上下で平行になるように、フリップチップ実装装置を用いて搭載した後、電気光学ポリマー１３を熱硬化させて、光モジュール１１０を作製した。ここでは、それぞれの導波路コア１１Ａ，１２Ａが互いに近接する平行部１５の長さ（結合長）は３ｍｍとした。
［評価］
一方の導波路チップ１１のチャネル導波路コア１１Ａにバットジョイント法で接続したシングルモードファイバから波長１．５５μｍ・３ｍＷの光ビームを入射させ、他方の導波路チップ１２のチャネル導波路コア１２Ａに接続したシングルモードファイバから出射した光パワーを測定し、光結合効率を求めて、評価を行なった。
［評価］
一方の導波路チップ１１のチャネル導波路コア１１Ａにバットジョイント法で接続したシングルモードファイバから波長１．５５μｍ・３ｍＷの光ビームを入射させ、他方の導波路チップ１２のチャネル導波路コア１２Ａに接続したシングルモードファイバから出射した光パワーを測定し、光結合効率を求めて、評価を行なった。
まず、電極１４を介して電気光学ポリマー１３に電界を印加せずに光結合効率を求めたところ、７３％であった。次に、電極１４に電圧を印加し、電気光学ポリマー１３に電界をかけて光結合効率を求めたところ、電界強度２Ｖ／μｍで８２％まで上昇したが、４Ｖ／μｍ、６Ｖ／μｍと電界強度をさらに高くすると、それぞれ、７１％、６０％と低下した。これにより、電極１４への印加電圧の制御によって光結合効率を調整でき、実装ずれを補償できることが確認できた。
（実施例２）
本実施例では、上述の実施例１［図４（Ａ）〜（Ｆ）参照］と同様に、導波路コア１１Ａ（１２Ａ）が表面に露出した導波路チップ（光導波路部品）１１（１２）を２つ作製し、図５に示すように、一方の導波路チップ１１の表面に電気光学ポリマー（電気光学材料層）によって上部クラッド層１３Ａを形成し、これらを接合して、光モジュール１１０を作製した。そして、上部クラッド層１３Ａとしての電気光学ポリマーに電界を印加した際の光パワーの結合効率（光結合効率）の変化を測定した。
［導波路チップの作製］
上述の実施例１と同様に、２つの同一の導波路チップ１１，１２を作製した。但し、一方の導波路チップ１１には、導波路コア１１Ａが露出している側の表面に、電気光学ポリマーによって上部クラッド層１３Ａを形成した。また、図５に示すように、一方の導波路チップ１１の表面（ここではクラッド層１３Ａ）上の導波路コア１１Ａを挟んで両側に、導波路コア１１Ａに沿って平行に、長さ４ｍｍの一対のタングステン製の電極１４をスパッタにより形成した。
本実施例では、上述の実施例１［図４（Ａ）〜（Ｆ）参照］と同様に、導波路コア１１Ａ（１２Ａ）が表面に露出した導波路チップ（光導波路部品）１１（１２）を２つ作製し、図５に示すように、一方の導波路チップ１１の表面に電気光学ポリマー（電気光学材料層）によって上部クラッド層１３Ａを形成し、これらを接合して、光モジュール１１０を作製した。そして、上部クラッド層１３Ａとしての電気光学ポリマーに電界を印加した際の光パワーの結合効率（光結合効率）の変化を測定した。
［導波路チップの作製］
上述の実施例１と同様に、２つの同一の導波路チップ１１，１２を作製した。但し、一方の導波路チップ１１には、導波路コア１１Ａが露出している側の表面に、電気光学ポリマーによって上部クラッド層１３Ａを形成した。また、図５に示すように、一方の導波路チップ１１の表面（ここではクラッド層１３Ａ）上の導波路コア１１Ａを挟んで両側に、導波路コア１１Ａに沿って平行に、長さ４ｍｍの一対のタングステン製の電極１４をスパッタにより形成した。
そして、電極１４を形成した一方の導波路チップ１１の表面にマッチングオイル（屈折率１．５５）を滴下した後、マッチングオイルを滴下した一方の導波路チップ１１上に、他方の導波路チップ１２を、上述の実施例１と同様に、フリップチップ実装装置を用いて搭載して、光モジュール１１０を作製した。ここでは、導波路チップ搭載時の圧力でマッチングオイルが薄い膜としてわずかに残留するように構成した。
［評価］
上述の実施例１と同様に、評価を行なった。
［評価］
上述の実施例１と同様に、評価を行なった。
まず、電極１４を介して上部クラッド層１３Ａとしての電気光学ポリマーに電界を印加せずに光結合効率を求めたところ、６２％であった。次に、電極１４に電圧を印加し、上部クラッド層１３Ａとしての電気光学ポリマーに電界をかけて光結合効率を求めたところ、電界強度２Ｖ／μｍで７０％まで上昇したが、４Ｖ／μｍ、６Ｖ／μｍと電界強度をさらに高くすると、それぞれ、６０％、４８％と低下した。これにより、電極１４への印加電圧の制御によって光結合効率を調整でき、実装ずれを補償できることが確認できた。
（付記１）
第１導波路コアを備える第１光導波路部品と、
第２導波路コアを備え、前記第２導波路コアと前記第１導波路コアとが部分的に近接し、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間で伝搬してきた光が結合しうるように設けられた第２光導波路部品と、
前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間に設けられ、電気光学材料からなる電気光学材料層と、
前記電気光学材料層の屈折率が変化し、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の光結合係数が変わるように、前記電気光学材料層に電界を印加するための電極とを備えることを特徴とする、光モジュール。
第１導波路コアを備える第１光導波路部品と、
第２導波路コアを備え、前記第２導波路コアと前記第１導波路コアとが部分的に近接し、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間で伝搬してきた光が結合しうるように設けられた第２光導波路部品と、
前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間に設けられ、電気光学材料からなる電気光学材料層と、
前記電気光学材料層の屈折率が変化し、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の光結合係数が変わるように、前記電気光学材料層に電界を印加するための電極とを備えることを特徴とする、光モジュール。
（付記２）
前記第１光導波路部品が、前記第１導波路コア上に前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路基板であり、
前記第２光導波路部品が、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路デバイスであり、
前記光導波路デバイスが前記光導波路基板上に実装されていることを特徴とする、付記１記載の光モジュール。
前記第１光導波路部品が、前記第１導波路コア上に前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路基板であり、
前記第２光導波路部品が、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路デバイスであり、
前記光導波路デバイスが前記光導波路基板上に実装されていることを特徴とする、付記１記載の光モジュール。
（付記３）
前記第１光導波路部品が、前記第１導波路コア上に、前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路デバイスであり、
前記第２光導波路部品が、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板であり、
前記光導波路デバイスが前記光導波路基板上に実装されていることを特徴とする、付記１記載の光モジュール。
前記第１光導波路部品が、前記第１導波路コア上に、前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路デバイスであり、
前記第２光導波路部品が、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板であり、
前記光導波路デバイスが前記光導波路基板上に実装されていることを特徴とする、付記１記載の光モジュール。
（付記４）
前記第１光導波路部品が、表面に前記第１導波路コアが露出している光導波路デバイスであり、
前記第２光導波路部品が、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板であり、
前記光導波路デバイスが、前記電気光学材料層を介して、前記光導波路基板上に実装されていることを特徴とする、付記１記載の光モジュール。
前記第１光導波路部品が、表面に前記第１導波路コアが露出している光導波路デバイスであり、
前記第２光導波路部品が、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板であり、
前記光導波路デバイスが、前記電気光学材料層を介して、前記光導波路基板上に実装されていることを特徴とする、付記１記載の光モジュール。
（付記５）
前記電気光学材料層が、電気光学ポリマーにより形成されていることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載の光モジュール。
（付記６）
前記電極に接続され、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の距離に応じて前記電極に印加する電圧を制御する制御部を備えることを特徴とする、付記１〜５のいずれか１項に記載の光モジュール。
前記電気光学材料層が、電気光学ポリマーにより形成されていることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載の光モジュール。
（付記６）
前記電極に接続され、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の距離に応じて前記電極に印加する電圧を制御する制御部を備えることを特徴とする、付記１〜５のいずれか１項に記載の光モジュール。
（付記７）
第１導波路コアを備える第１光導波路部品及び第２導波路コアを備える第２光導波路部品を用意し、
前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとが部分的に近接し、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間で伝搬してきた光が結合しうるように、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間に電気光学材料層を介在させて、前記第１光導波路部品と前記第２光導波路部品とをアセンブリ化し、
前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の距離がずれている場合には、前記電気光学材料層に電界を印加して前記電気光学材料層の屈折率を変化させ、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の光結合係数を変えることを特徴とする、光導波路部品の実装ずれ補償方法。
第１導波路コアを備える第１光導波路部品及び第２導波路コアを備える第２光導波路部品を用意し、
前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとが部分的に近接し、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間で伝搬してきた光が結合しうるように、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間に電気光学材料層を介在させて、前記第１光導波路部品と前記第２光導波路部品とをアセンブリ化し、
前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の距離がずれている場合には、前記電気光学材料層に電界を印加して前記電気光学材料層の屈折率を変化させ、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の光結合係数を変えることを特徴とする、光導波路部品の実装ずれ補償方法。
（付記８）
前記第１光導波路部品として、前記第１導波路コア上に前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路基板を用意し、
前記第２光導波路部品として、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路デバイスを用意し、
前記光導波路デバイスを前記光導波路基板上に実装することを特徴とする、付記７記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。
前記第１光導波路部品として、前記第１導波路コア上に前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路基板を用意し、
前記第２光導波路部品として、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路デバイスを用意し、
前記光導波路デバイスを前記光導波路基板上に実装することを特徴とする、付記７記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。
（付記９）
前記第１光導波路部品として、前記第１導波路コア上に前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路デバイスを用意し、
前記第２光導波路部品として、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板を用意し、
前記光導波路デバイスを前記光導波路基板上に実装することを特徴とする、付記７記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。
前記第１光導波路部品として、前記第１導波路コア上に前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路デバイスを用意し、
前記第２光導波路部品として、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板を用意し、
前記光導波路デバイスを前記光導波路基板上に実装することを特徴とする、付記７記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。
（付記１０）
前記第１光導波路部品として、表面に前記第１導波路コアが露出している光導波路デバイスを用意し、
前記第２光導波路部品として、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板を用意し、
前記光導波路デバイスを、前記電気光学材料層を介して、前記光導波路基板上に実装することを特徴とする、付記７記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。
前記第１光導波路部品として、表面に前記第１導波路コアが露出している光導波路デバイスを用意し、
前記第２光導波路部品として、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板を用意し、
前記光導波路デバイスを、前記電気光学材料層を介して、前記光導波路基板上に実装することを特徴とする、付記７記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。
（付記１１）
前記光導波路デバイスを、前記電気光学材料層としての電気光学ポリマーを用いて前記光導波路基板上に接着することを特徴とする、付記１０記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。
前記光導波路デバイスを、前記電気光学材料層としての電気光学ポリマーを用いて前記光導波路基板上に接着することを特徴とする、付記１０記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。
１ 光導波路基板（光導波路部品）
１Ａ 導波路コア（基板側導波路コア）
２ 光導波路デバイス（光導波路部品）
２Ａ 導波路コア（デバイス側導波路コア）
３ 電気光学材料層
４ 電極
５ 光カプラ（平行部）
６ 制御部
１０ 光モジュール
１１ 導波路チップ（光導波路部品）
１１Ａ 導波路コア
１１Ｂ 石英ガラス基材
１１Ｃ 下部クラッド層
１２ 導波路チップ（光導波路部品）
１２Ａ 導波路コア
１２Ｂ 石英ガラス基材
１２Ｃ 下部クラッド層
１３ 電気光学材料層（電気光学ポリマー）
１３Ａ 上部クラッド層（電気光学材料層，電気光学ポリマー）
１４ 電極
１１０ 光モジュール
１Ａ 導波路コア（基板側導波路コア）
２ 光導波路デバイス（光導波路部品）
２Ａ 導波路コア（デバイス側導波路コア）
３ 電気光学材料層
４ 電極
５ 光カプラ（平行部）
６ 制御部
１０ 光モジュール
１１ 導波路チップ（光導波路部品）
１１Ａ 導波路コア
１１Ｂ 石英ガラス基材
１１Ｃ 下部クラッド層
１２ 導波路チップ（光導波路部品）
１２Ａ 導波路コア
１２Ｂ 石英ガラス基材
１２Ｃ 下部クラッド層
１３ 電気光学材料層（電気光学ポリマー）
１３Ａ 上部クラッド層（電気光学材料層，電気光学ポリマー）
１４ 電極
１１０ 光モジュール
Claims (10)
- 第１導波路コアを備える第１光導波路部品と、
第２導波路コアを備え、前記第２導波路コアと前記第１導波路コアとが部分的に近接し、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間で伝搬してきた光が結合しうるように設けられた第２光導波路部品と、
前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間に設けられ、電気光学材料からなる電気光学材料層と、
前記電気光学材料層の屈折率が変化し、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の光結合係数が変わるように、前記電気光学材料層に電界を印加するための電極とを備えることを特徴とする、光モジュール。 - 前記第１光導波路部品が、前記第１導波路コア上に前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路基板であり、
前記第２光導波路部品が、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路デバイスであり、
前記光導波路デバイスが前記光導波路基板上に実装されていることを特徴とする、請求項１記載の光モジュール。 - 前記第１光導波路部品が、前記第１導波路コア上に前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路デバイスであり、
前記第２光導波路部品が、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板であり、
前記光導波路デバイスが前記光導波路基板上に実装されていることを特徴とする、請求項１記載の光モジュール。 - 前記第１光導波路部品が、表面に前記第１導波路コアが露出している光導波路デバイスであり、
前記第２光導波路部品が、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板であり、
前記光導波路デバイスが、前記電気光学材料層を介して、前記光導波路基板上に実装されていることを特徴とする、請求項１記載の光モジュール。 - 前記電気光学材料層が、電気光学ポリマーにより形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光モジュール。
- 前記電極に接続され、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の距離に応じて前記電極に印加する電圧を制御する制御部を備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光モジュール。
- 第１導波路コアを備える第１光導波路部品及び第２導波路コアを備える第２光導波路部品を用意し、
前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとが部分的に近接し、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間で伝搬してきた光が結合しうるように、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間に電気光学材料層を介在させて、前記第１光導波路部品と前記第２光導波路部品とをアセンブリ化し、
前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の距離がずれている場合には、前記電気光学材料層に電界を印加して前記電気光学材料層の屈折率を変化させ、前記第１導波路コアと前記第２導波路コアとの間の光結合係数を変えることを特徴とする、光導波路部品の実装ずれ補償方法。 - 前記第１光導波路部品として、前記第１導波路コア上に前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路基板を用意し、
前記第２光導波路部品として、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路デバイスを用意し、
前記光導波路デバイスを前記光導波路基板上に実装することを特徴とする、請求項７記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。 - 前記第１光導波路部品として、前記第１導波路コア上に前記電気光学材料層としての上部クラッド層を備える光導波路デバイスを用意し、
前記第２光導波路部品として、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板を用意し、
前記光導波路デバイスを前記光導波路基板上に実装することを特徴とする、請求項７記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。 - 前記第１光導波路部品として、表面に前記第１導波路コアが露出している光導波路デバイスを用意し、
前記第２光導波路部品として、表面に前記第２導波路コアが露出している光導波路基板を用意し、
前記光導波路デバイスを、前記電気光学材料層を介して、前記光導波路基板上に実装することを特徴とする、請求項７記載の光導波路部品の実装ずれ補償方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005205775A JP4734053B2 (ja) | 2005-07-14 | 2005-07-14 | 光導波路部品の実装ずれ補償方法 |
| US11/259,145 US7424188B2 (en) | 2005-07-14 | 2005-10-27 | Optical module and mounting deviation compensation method for optical waveguide part |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005205775A JP4734053B2 (ja) | 2005-07-14 | 2005-07-14 | 光導波路部品の実装ずれ補償方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007025145A true JP2007025145A (ja) | 2007-02-01 |
| JP4734053B2 JP4734053B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=37661724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005205775A Expired - Fee Related JP4734053B2 (ja) | 2005-07-14 | 2005-07-14 | 光導波路部品の実装ずれ補償方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7424188B2 (ja) |
| JP (1) | JP4734053B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011513773A (ja) * | 2008-02-29 | 2011-04-28 | ピレリ・アンド・シー・エス・ピー・エー | 光ファイバおよび高インデックス差導波路を特にカップリングさせるための光モード変換器 |
| WO2018123709A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 日本電気株式会社 | 方向性結合器とその設計方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4279112B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2009-06-17 | 日産自動車株式会社 | 減速制御装置 |
| US7257295B2 (en) * | 2004-09-20 | 2007-08-14 | Fujitsu Limited | Attachment-type optical coupler apparatuses |
| JP2009288614A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Hitachi Ltd | 平面型光導波路アレイモジュールとその製造方法 |
| US9182544B2 (en) * | 2011-12-21 | 2015-11-10 | Intel Corporation | Fabrication of planar light-wave circuits (PLCS) for optical I/O |
| JP6380069B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2018-08-29 | 住友電気工業株式会社 | 光送信モジュール |
| US20160306256A1 (en) * | 2015-04-15 | 2016-10-20 | Chen-Kuo Sun | Method for configuring an optical modulator |
| US10036855B1 (en) * | 2017-07-13 | 2018-07-31 | Chen-Kuo Sun | Reverse bias modulating waveguide/diode |
| US10126496B1 (en) | 2017-07-13 | 2018-11-13 | Chen-Kuo Sun | Reverse bias modulating multi-material waveguide/diode |
| US10409137B2 (en) | 2017-08-22 | 2019-09-10 | Chen-Kuo Sun | System and method for controlling energy flux modulation |
| US10816832B1 (en) | 2019-09-04 | 2020-10-27 | Veo, Inc. | Optical phase shifter using fine lithography defined volumetric junctions |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06175172A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-06-24 | Fujitsu Ltd | 非線形光学材料、その製造方法並びにそれを用いた非線形光学デバイス及び方向性結合型光スイッチ |
| JP2003140207A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-05-14 | Agilent Technol Inc | ２つの非共面光導波路アレイを含む光スイッチ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03256030A (ja) | 1990-03-06 | 1991-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学装置 |
| JP3445226B2 (ja) | 2000-07-05 | 2003-09-08 | 株式会社日立製作所 | 方向性結合器、光変調器、及び波長選択器 |
| US6842573B2 (en) * | 2001-07-05 | 2005-01-11 | Hudson Research Inc. | Directional optical coupler |
| US6917748B2 (en) * | 2003-07-01 | 2005-07-12 | Fujitsu Limited | Variable optical attenuator on an electro-optical layer |
| WO2005031398A2 (en) * | 2003-09-24 | 2005-04-07 | Digital Light Circuits, Inc. | Programmable optical grating device and method |
-
2005
- 2005-07-14 JP JP2005205775A patent/JP4734053B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-27 US US11/259,145 patent/US7424188B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06175172A (ja) * | 1992-07-13 | 1994-06-24 | Fujitsu Ltd | 非線形光学材料、その製造方法並びにそれを用いた非線形光学デバイス及び方向性結合型光スイッチ |
| JP2003140207A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-05-14 | Agilent Technol Inc | ２つの非共面光導波路アレイを含む光スイッチ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011513773A (ja) * | 2008-02-29 | 2011-04-28 | ピレリ・アンド・シー・エス・ピー・エー | 光ファイバおよび高インデックス差導波路を特にカップリングさせるための光モード変換器 |
| US8320721B2 (en) | 2008-02-29 | 2012-11-27 | Google Inc. | Optical mode transformer, in particular for coupling an optical fiber and a high-index contrast waveguide |
| WO2018123709A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 日本電気株式会社 | 方向性結合器とその設計方法 |
| JPWO2018123709A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2019-10-31 | 日本電気株式会社 | 方向性結合器とその設計方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4734053B2 (ja) | 2011-07-27 |
| US20070014519A1 (en) | 2007-01-18 |
| US7424188B2 (en) | 2008-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4734053B2 (ja) | 光導波路部品の実装ずれ補償方法 | |
| US7362924B2 (en) | Optical modulator | |
| US7787717B2 (en) | Optical waveguide device | |
| US20050238069A1 (en) | Wavelength conversion module | |
| JP6268011B2 (ja) | 光入力部材の保持部品と光導波路部品との接続構造 | |
| JP2007304427A (ja) | 光スイッチング素子 | |
| JP2007264488A (ja) | 光導波路素子 | |
| CN214795475U (zh) | 光波导元件、使用光波导元件的光调制器件及光发送装置 | |
| JPH0669490A (ja) | 電子光回路 | |
| KR101018278B1 (ko) | 파장가변 소자 패키지 | |
| JP6871137B2 (ja) | ハイブリッド光回路 | |
| US6385377B1 (en) | Technique for fabrication of a poled electro-optic fiber segment | |
| JP3506304B2 (ja) | 光発生装置及びその製造方法 | |
| JP6398551B2 (ja) | 光変調器 | |
| JP4779255B2 (ja) | レーザ光源 | |
| JP4653393B2 (ja) | 光制御素子 | |
| WO2020059639A1 (ja) | 光回路および光接続構造体 | |
| JP2007093717A (ja) | 光変調器及びその制御方法 | |
| KR101104133B1 (ko) | 유연한 파이버 모듈, 이를 이용한 파장 가변 소자 패키지 및 이들의 제조방법 | |
| JP4183583B2 (ja) | 集積型光導波路素子 | |
| JP2000284135A (ja) | プレーナ型光導波路を有する光導波路デバイス及びそれを使用して構成される集積化光モジュールとその実装方法 | |
| WO2020080196A1 (ja) | 光接続構造 | |
| WO1996018132A1 (en) | Frequency-doubled diode laser device | |
| Conradi et al. | Second Harmonic Generation in Polymer Photonic Integrated Circuits | |
| JP7319582B2 (ja) | 波長変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080519 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110328 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110419 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110425 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |