JPH0669490A

JPH0669490A - 電子光回路

Info

Publication number: JPH0669490A
Application number: JP21692092A
Authority: JP
Inventors: Tetsuzo Yoshimura; 徹三吉村; Satoshi Tatsuura; 智辰浦; Wataru Toyama; 弥外山; Katsusada Motoyoshi; 勝貞本吉; Takeshi Ishizuka; 剛石塚; Koji Tsukamoto; 浩司塚本; Yasuhiro Yoneda; 泰博米田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-08-14
Filing date: 1992-08-14
Publication date: 1994-03-11

Abstract

(57)【要約】【目的】フレキシビリティに富み、複雑な光インター
コネクションに対応できる電子光回路、また電子素子や
ＯＥＩＣを配置し、電気的コンタクトを行うだけで光接
続ができるような簡単な電子光回路、更に複数の光回路
面で光を切りとりすることにより光回路内での導波路配
線を簡素化する電子光回路を提供する。【構成】基板の両面に装着した光デバイスと電子デバ
イス及び／又は光電子デバイスと基板の両面に形成した
光導波路及び電気配線の少なくとも一部とを接続して電
子光回路を構成し、また光導波路と光ファイバーとを光
回路表面上で接続し、導波路デバイスとファイバーデバ
イスとを一体化して電子光回路を構成し、更に光スイッ
チ又は変調器を電子デバイス又は光デバイスの出力端子
に対応させて電子光回路を構成して電圧印加による屈折
率変化で光を光回路外部に出射させることによって目的
を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子光回路に関し、更に
詳しくはフレキシビリティに富み、複雑なインターコネ
クションに対応できる電子光回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】光回路は、計算機の光インターコネクシ
ョンや光交換機をはじめ、種々の光システムにおいて、
重要な役割を果たしつつあることはよく知られている通
りである。従来提案されている代表的な光回路の一例を
図１に示す。この例では、ＩＣやマルチチップモジュー
ルなどの電子素子間を光導波路で結合し、信号伝達を行
っている。しかしながら、この光回路においては、ＩＣ
の数が増加して接続が複雑になると、導波路を頻繁に交
差させる必要を生じたり、また半導体レーザーやフォト
ダイオードとのインターフェースをスムーズにとったり
することが重要となる。また、ＩＣの数が増加して接続
が複雑になると、導波路の屈折を大きくとらなければな
らないが、現在通常用いられているシングルモード導波
路では、導波路の曲がりを大きくすることは困難であ
る。一方、導波路に光スイッチや光変調機能をもたせよ
うとすると、シングルモード導波路が望ましいというジ
レンマがあった。さらに、導波路光スイッチ、光変調器
を駆動するためのＩＣ、受信信号のアンプなどの電子デ
バイスが基板上に目白押しとなり実装上からも大きな問
題となっている。

【０００３】また、光インターコネクションなどにおい
ては、光アンプ機能があることが望ましいが、現在のと
ころ、光アンプとしては、ＥｒドープファイバーやＰｒ
ドープファイバーのようにファイバー形状のものが大部
分であり、光回路への適用が困難であるという問題があ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は前記した従来
の電子光回路の問題点を解決し、フレキシビリティに富
み、複雑な光インターコネクションに対応できる電子光
回路を提供することを目的とする。

【０００５】本発明は、また、電子素子やＯＥＩＣを配
置し、電気的コンタクトを行うだけで光接続ができるよ
うな簡便な電子光回路を提供することを目的とする。

【０００６】本発明は、更に、複数の光回路間で光をや
りとりすることにより、光回路内での導波路配線を簡素
化することのできる電子光回路を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第一の態様で
は、基板の両面に光デバイスと、電子デバイス及び／又
は光電子デバイスとを装着し、さらに多層回路を導入す
ることにより、上記問題を解決することができる。

【０００８】本発明の第二の態様では、従来、光導波路
端面から行われていた光導波路と光ファイバーとの接続
を光回路表面上で行わせ、導波路デバイスとファイバー
デバイスとを一体化し、さらに他の電子光回路と接続す
ることにより、更に好ましくは光増幅ファイバーを取り
付け、光回路で必要な箇所の光を増幅することにより上
記問題を解決することができる。

【０００９】本発明の第三の態様では、光スイッチまた
は変調器を電子素子の出力端子に対応させて形成した電
子光回路において、電圧印加で生じた屈折率変化により
光回路内の導波路から光回路外部に導波光の一部または
全部を出射させてデータを送るようにした電子光回路に
よって上記問題を解決することができる。

【００１０】本発明の第四の態様では、光スイッチによ
り、電子光回路の位置ごとにモード数を適宜変化させる
ことにより、また、モード変換や光路変換を導波路ホロ
グラム材料で行うことにより上記問題を解決することが
できる。

【００１１】第五の態様では、（ｉ）光増幅導波路を形
成し、光回路で必要な箇所の光を増幅すること又は（i
i）受光素子や発光素子、更には光を供給するためのフ
ァイバーを装着し、また、電子素子の入出力端子を受け
るための電極を形成し、通常の電子素子を置いて電気的
接続をするだけで光接続ができるようにすることにより
上記問題を解決することができる。

【００１２】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明を以下の実施例に限定するものでない
ことはいうまでもない。

【００１３】図２に、本発明の第一の態様の一例を概念
的に示した。半導体レーザ、ＬＥＤ、フォトダイオー
ド、フォトトランジスター、光ファイバ、ホログラフィ
ック光学デバイス、光変調器、光スイッチ等の光デバイ
ス（光素子）や光電子集積デバイス（光電子素子（ＯＥ
ＩＣ））は光導波路を形成した基板の上面に、電子素子
（例えばＩＣ）は電気配線を有する基板下面に装着され
ている。基板の上面と下面は基板を貫通した電気配線ま
たは光配線で接続されている。なお、図２において、上
面に電子素子、下面に光素子や光電子集積デバイスが共
存していてもよい。また、図３に示すように、基板の一
方の面に電気配線、基板の他方の面に光導波路（及び電
気配線）が共存していてもよい。

【００１４】これらの電気配線及び光導波路の少なくと
も一部はデバイスに接続されており、基板面上の電気配
線は多層回路基板（例えばガラスセラミックス多層回路
基板）であってもよく、光配線は多層光回路であっても
よい。また、光導波路の一部または全部を例えばペンダ
ント付加型ポリマー、主鎖型ポリマー、共役ポリマーな
どの非線形光学効果材料で構成する場合には、光スイッ
チ、変調器などを基板に組み込むことができ、柔軟な光
配線が可能となる。基板上には、複数の光デバイスおよ
び／または複数の電子デバイスおよび／または複数の光
電子集積デバイスをチップ上に集積してなるマルチチッ
プモジュールを装着することができる。電子デバイス及
び／または光デバイス及び／または光電子デバイスをの
せたボードをたてた形で装着することもできる。

【００１５】前記したような両面回路は、例えば、下面
電気配線および下面と上面との接続用の電気配線を従来
の回路基板技術で形成した後、両面露光装置を用いたパ
ターニングプロセスにより多層光回路形成の手法（例え
ば特願平４−４８９６１号（平成４年３月６日出願）参
照）で作製することができる。なお、バッファ層はポリ
マー、無機膜など、光吸収が少なく、屈折率が導波路部
より小さい物質であれば任意の材料から構成することが
できる。

【００１６】図４に、本発明の第二の態様に従った電子
光回路の一例を概念的に示した。この例では多層導波路
構造の例を示したが、必ずしも多層構造とする必要はな
い。この態様では半導体レーザ、フォトダイオード、フ
ォトトランジスター、光スイッチ等の光デバイスと導波
路の結合の全部または一部を、例えば石英やポリマーな
どの材質の光ファイバー（光ファイバーリボンもしくは
ハンドルを含む）を通して行う。その際、光回路面にあ
らかじめ光ファイバーを装着しておき、それと光デバイ
スを接続するか、または、光素子に接続されたファイバ
ーを光回路面上に接続する。或いは、光回路面にあらか
じめファイバーを装着し、また光素子にもファイバーを
接続しておき、それらを接続する光路面上に接続する。
ファイバーと導波路の接続には、例えば、後で説明する
光スイッチに示したようなホログラムを利用した方法に
よることができる。基板上に装着する素子は、光デバイ
ス、電子デバイス、光電子デバイスや、複数の光デバイ
スおよび／または複数の電子デバイスおよび／または複
数の光電子集積デバイスとをチップ上に集積してなるマ
ルチチップモジュールとすることができる。また、これ
らをのせたボードとしてもよい。この場合、ボードは光
回路面に対して、たてて設置することが望ましい。

【００１７】また、光増幅ファイバーを例えば図４に示
すように、光回路面から取り出してポンプ光（例えばツ
リウムドープガラスファイバーの場合は〜680nm がポン
プ光で 800nm付近の光を増幅する。エルビウムドープガ
ラスファイバーの場合は、１μｍ付近のポンプ光で 1.5
μｍ付近の光を増幅）で増幅して光回路面に戻すことに
より、必要な部分において光増幅を行うことができる。
これにより光電変換後の電気的な増幅への負担が減り、
または電気的増幅が不要になるため、システムを簡略化
することができる。

【００１８】図５に、本発明の第五の態様に従った電子
光回路の他の例を示す。この例においては、導波路の一
方は光アンプ機能を有する光増幅導波路である。ドープ
するイオンは使う波長により異なるが、例えば 1.5ミク
ロン帯ではＥｒイオン、 1.3ミクロン帯ではＰｒイオン
0.8μｍ帯ではＴｍイオンが使用できる。半導体レーザ
ーからの光をポンプ光（例えば波長0.98ミクロンのレー
ザー光）で増幅し、これを光の供給減（光電源）とす
る。光回路には、例えばフォトダイオード（ＰＤ）など
の光デバイスを装着されており、またＩＣの入出力端子
に対応して電極を形成してある。このような光回路基板
にＩＣを装着すると、ＩＣの出力端子の電圧に応じてＥ
Ｏ（電気光学）ポリマー（ポッケルス効果を示すポリマ
ーで、電圧に比例して屈折率が変化する）の屈折率変調
が生じ、光電源の光の大部分または一部がピックアップ
される。この光が他の入力ピンに対応して形成されたフ
ォトダイオードに送られ光電変換により電気信号として
ＩＣに入力される。ここで信号光の強度が 0.1〜１mWオ
ーダー程度と強ければ、電気的増幅が不要になるか、あ
るいは低増幅率の増幅ですむことになる。光増幅導波路
が、光スイッチでピックアップ後の光信号の経路に置か
れていてもよい。またＥＯポリマーの位置は、図の位置
に限定されず、導波路層、クラッド層又はこれらの両方
の層に形成されていてもよい。

【００１９】図６に、本発明の第三の態様に従った電子
光回路の一例を示す。図６（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の
例では、例えばシリコンウエハー上に幾つかのＩＣをの
せてマルチチップモジュール（ＭＣＭ）の光回路基板を
示す（図６（Ａ）参照）。これらは図６（Ｂ）に示すよ
うに、マザーボード上に複数設置されていてもよい。こ
れらの各ＭＣＭの出力は櫛形電極に接続されており、櫛
形電極の他端はグランドに落ちている。櫛形電極は導波
路上に設けられ、サイズは、導波路に電極が掛かってい
る限り出来るだけ小さいことが望ましい。また、櫛形電
極下の導波路および／またはバッファ層はポッケルス効
果を持つ電気光学物質、例えば、有機非線形光学結晶
（例えばＭＮＢＡ、ＤＡＮ、ＭＮＡなどペンダント付加
型ポリマー、主鎖型ポリマー、共役ポリマー）、電気光
学ポリマー（例えば特願平３−１３２４４８号（平成３
年３月２６日出願）に記載のような）、化合物半導体
（例えば III−Ｖ族半導体やII−VI族半導体の超格子）
などで構成することができる。なお、櫛形電極の変わり
にグレーティング状の電極をつけ、基板との間に電圧が
かけられるようにすることもできる。

【００２０】導波光は、ＭＣＭの出力電圧により生じた
屈折率変化により、印加電圧に応じてその一部または全
部が導波路外に出射する。この光は、ホログラフィック
オプティカルエレメントを経て、他の光回路基板に、導
くことができ、他の光回路基板に設けられた受光素子に
より光電変換され、ＭＣＭの入力となる。ここで、受光
素子とアンプ回路がモノリシック化されたＯＥＩＣ（光
電子集積回路（例えばフォトディテクターと電気信号増
幅回路がモノリシックに形成されている）を用いること
が有効である。あるいは、ＭＣＭの基板がＳｉなどの半
導体であれば、基板にフォトディテクタや電気増幅回路
をつくりつけておくこともできる。また、一旦、光をホ
ログラフィックオプティカルエレメントや回折格子を用
いて導波光に変え、光スイッチ、光増幅素子（例えば半
導体増幅器や導波路増幅器など）に誘導し、所定の処理
ののち光電変換してもよい。あるいは、所定の処理後、
再び導波路外へ出射させ他の光回路基板に誘導すること
も出来る。さらに、光出射部にホログラフィックオプテ
ィカルエレメントをのせることにより、出射ビームの波
面を制御し、所望の方向に光を誘導することもできる。

【００２１】図６（Ａ）の例ではＩＣを幾つかのせたマ
ルチチップモジュール（ＭＣＭ）間での光伝達を示した
が、図７はＩＣ間での光伝達の例である。原理は図６と
全く同じであるので説明は省略する。この場合は、ＩＣ
の出力を光で伝達し、他のＩＣに伝えている。また、以
下の内容はＭＣＭの例で説明されているが、ＩＣ間にも
すべて適用されるものである。

【００２２】図８は光回路への光供給形態の例である。
ＬＤアレイからの導入、ファイバからの導入、ＬＤを光
回路上に装着することによる導入などがある。このほ
か、ＯＥＩＣとして光回路基板上に設けることもある。

【００２３】図９は変調行った後、ホログラフィックオ
プティカルエレメントや回折格子により光を出射した例
である。

【００２４】図10は、マトリクス光スイッチや１×Ｎス
イッチで切り換えた後出射するもので、配線を切り換え
演算の自由度を増す効果がある。また、多段に出射部を
設ける事によっても、出射先を選択できる。この場合、
グレーティングの周期を変化させておけば出射角がコン
トロール可能となる。

【００２５】図11では、マザーボード上にＭＣＭとホロ
グラフィックオプティカルエレメントが混在している。
図12のようにマザーボードの間にホログラフィックオプ
ティカルエレメントを挿入することも可能である。

【００２６】図13に、本発明の第四の態様の一例を示
す。この態様では光回路の各位置において、ポッケルス
効果又は光カー効果を利用して、モード変換や光路変換
を変化させることができる光スイッチ（光回路素子）が
提供される。多層導波路の上側がマルチモード（または
面方向にマルチモード）、下側がシングルモード導波路
である。導波路及び／又はバッファ（クラッド）層が非
線形光学導波路であり、光の大部分または一部を下層か
ら上層にスイッチングしている。上側の光導波路１に移
行した光は、この光導波路がマルチモード導波路である
ため、導波路曲がりを大きくすることができる。光導波
路の材料は、スイッチ部が前記したような非線形光学材
料であれば、他はパッシブ導波路でもよい。図14は光導
波路２がシングルモードで、光導波路１及び３がマルチ
モードとした３層の例である。この例では光導波路２か
ら光導波路１または３に光がスイッチングされる。図15
は、図13の例とは逆に、下側がマルチモードの例であ
る。このように、本発明によれば、基板上に多層状に光
導波路を形成することができ、また多層の上部層に設け
られた光導波路の少なくとも一部と、下部層に設けられ
た光導波路の少なくとも一部との間で光が移行するよう
に構成してもよい。またこれらの例では、多層構造を示
してきたか、通常のプレーナー構造において、同様の動
作をさせることが可能なことは言うまでもない。また、
シングルからマルチへという切り換えに限定されること
もない。スピード導波路からｎモード（ｎ＞３）導波路
への切り換えも可能である。

【００２７】図16及び17は光インターコネクションに適
応した例である。これらの例によれば、チャネル型導波
路からチャネル型導波路へ、またはスラブ型導波路から
チャネル型導波路への光移行により、光スイッチを電子
素子の出力端子に対応させて光回路基板を形成すること
により、例えば、ＩＣの出力電圧に応じた光信号を伝達
することができる。

【００２８】図18は波長λの光の光路変更を導波路ホロ
グラムで行う例である。図18の例について説明すると、
この態様では光導波路１、２及び３を図の如く配置す
る。光導波路材料には特に限定はない。光導波路１及び
２は直線上にあり、対向する導波路を形成し、更に第３
の導波路３を形成する。また、対向する光導波路１及び
２に対応して導波路レンズが形成されているが、第３の
導波路３のレンズは必ずしも必要でない。ここに、図18
（Ａ）に示すように、同じ波長で可干渉性の光を通す
と、それらのクロスポイントでホログラムができる。そ
の結果、向かい側の導波路３から出射した光λは光導波
路２へ、逆に光導波路２から出射した光λは向かい側の
導波路３に入る。以上のように、ホログラムを用いるこ
とにより、急激な光路変更を自動的に行うことができ
る。ホログラム形式領域は、感光性材料からなってお
り、これには、通常のホログラム材料が適用できる。

【００２９】更に、図19に示すように、対抗する光導波
路１及び２をシングルモード、第３の導波路３をマルチ
モードとして同様のプロセスを実行することにより、シ
ングル／マルチのモード変換も可能となる。

【００３０】図20及び21は、図18及び19の対向する２つ
の導波路のかわりに一本の導波路とし、これに平行でな
い第３の導波路３を形成した例で、図18及び19と同様に
ホログラムを作製すると、光路変更やシングル／マルチ
モード変換が可能となる。図22及び23はそれぞれスラブ
型導波路とチャネル型導波路の間での光路変更及びシン
グル／マルチモード変換の例である。これらの場合は、
少なくともホログラム形成領域は、ホログラム材料であ
る必要があることは言うまでもない。

【００３１】図24は、上述のような、モード変換機能を
利用し、シングルモードでスイッチングし、これをマル
チ化し、変換によりシングルモード化した例である。こ
れによって、光電変換時にはシングルモード光となるの
で、マルチモードで問題となるスペックルノイズを効果
的に抑制することができる。なお、上記した導波路材料
やホログラム材料としては、従来公知の一般的材料を用
いることができる。例えばガラス、シリコン、プラスチ
ック等の支持体（基板）上に導波路のクラッド層となる
膜を形成する。クラッド層を形成する膜の材料として
は、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポ
リメチルメタクリレート、ポリトリフルオロエチルメタ
クリレート等のポリマーおよびそれらのポリマーの混合
物、およびかかるポリマの構成モノマーからの共重合体
等を用いることができる。上記ポリマーを溶媒に溶解
し、支持体上にスピンコート等によって塗布し、ベーク
してクラッド層を作製する。次いで、その上層に導波路
およびホログラムを形成する屈折率変調型の感光性材料
を塗布する。屈折率変調型の感光性材料としては、これ
まで、例えば、フォトポリマーハンドブック、フォトポ
リマー懇話会編、工業調査会発行、初版（1989）、 442
〜457 頁; NIKKEI NEW MATERIALS、1990年４月16日号、
43〜49頁; 材料技術、Vol.2 、10(1984)、１〜17頁、O
plus E、No.133(1990)、 105〜116 頁等において多くの
提案がなされており、本発明ではこれらの材料を使用す
ることができる。例えば、低屈折率のポリマーと高屈折
率のモノマーおよび光重合開始剤を構成要素とする材料
が使用でき、低屈折率ポリマーとしてはポリメチルメタ
クリレート、ポリビニルアセテート等があり、高屈折率
モノマーとしてはジブロモフェニルアクリレート、トリ
ブロモフェニルアクリレート、ペンタブロモフェニルア
クリレート、ビニルナフタレン、ビニルカルバゾール、
トリメチロールプロパントリアクリレート、ネオペンチ
ルグリコールジアクリレート等の混合物があり、光重合
開始剤としては鉄−アーレン錯体系、有機過酸化物系、
ビイミダゾール系の開始剤等がある。感光膜の上層に、
再び、感光膜よりも低屈折率で透明な膜をクラッド層と
して形成してもよい。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に従えば、
フレキシビリティに富み、複雑なインターコネクション
に対応できる電子光回路が実現でき、また光交換、光通
信など光回路を使用するシステムに共通的に使用するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光回路の一例を示す図面である。

【図２】本発明の電子光回路の第一の態様の一例を示す
図面である。

【図３】本発明の電子光回路の第一の態様の他の例を示
す図面である。

【図４】本発明の電子光回路の第二の態様の一例を示す
図面である。

【図５】本発明の電子光回路の第二の態様の他の例を示
す図面である。

【図６】本発明の電子光回路の第三の態様の一例を示す
図面である。

【図７】本発明の電子光回路の第三の態様の他の例を示
す図面である。

【図８】本発明の電子光回路の第三の態様の更に他の例
を示す図面である。

【図９】本発明の電子光回路の第三の態様の更に他の例
を示す図面である。

【図１０】本発明の電子光回路の第三の態様の更に他の
例を示す図面である。

【図１１】本発明の電子光回路の第三の態様の更に他の
例を示す図面である。

【図１２】本発明の電子光回路の第三の態様の更に他の
例を示す図面である。

【図１３】本発明の第四の態様に従った光スイッチの一
例を示す図面である。

【図１４】本発明の光スイッチの他の例を示す図面であ
る。

【図１５】本発明の光スイッチの更に他の例を示す図面
である。

【図１６】本発明の光スイッチの更に他の例を示す図面
である。

【図１７】本発明の光スイッチの更に他の例を示す図面
である。

【図１８】本発明の光スイッチの更に他の例を示す図面
である。

【図１９】本発明の光スイッチの更に他の例を示す図面
である。

【図２０】本発明の光スイッチの更に他の例を示す図面
である。

【図２１】本発明の光スイッチの更に他の例を示す図面
である。

【図２２】本発明の光スイッチの更に他の例を示す図面
である。

【図２３】本発明の光スイッチの更に他の例を示す図面
である。

フロントページの続き (72)発明者本吉勝貞神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者石塚剛神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者塚本浩司神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者米田泰博神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の両面に光デバイスと、電子デバイ
スおよび／または光電子デバイスとを装着してなり、基
板の両面に光導波路及び電気配線が形成されており、そ
の少なくとも一部が前記デバイスに接続されている、電
子光回路。
【請求項２】光デバイスが半導体レーザ、ＬＥＤ、フ
ォトダイオード、フォトトランジスター、光ファイバ、
ホログラフィック光学デバイス、光変調器及び光スイッ
チから選ばれた少なくとも一つ又はそれを載せたマルチ
チップモジュールであり、電子デバイスが半導体集積回
路又は複数の半導体集積回路を載せたマルチチップモジ
ュールまたはボードであり、光電子デバイスが光デバイ
スと電子デバイスとをチップ上に集積したオプト−エレ
クトロニック集積回路であるか、または、光デバイス、
電子デバイス、ＯＥＩＣの中から選ばれた２種類以上の
デバイスを載せたマルチチップモジュールまたはボード
である請求項１に記載の電子光回路。
【請求項３】基板上に光導波路、または光導波路およ
び電気配線が形成された光回路において、光導波路と光
ファイバーとの接続を、光回路上に光ファイバーを装着
して行ない、かつ光導波路と光デバイスおよび／または
光電子デバイスとの間を光ファイバーで接続することを
特徴とする電子光回路。
【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項に記載の光
回路において、光増幅導波路が更に形成された電子光回
路。
【請求項５】光導波路を形成した光回路基板上に、受
光素子又は受光素子および発光素子を装着し、電子素子
の入出力端子を受けるための電極を形成してなる請求項
１，２，３又は４の電子光回路。
【請求項６】光スイッチまたは変調器を電子デバイス
または光電子デバイスの出力端子に対応させて形成した
電子光回路において、電圧印加で生じた屈折率変化によ
り光回路内の導波路から光回路外部に導波光の少なくと
も一部を出射させてデータを送るようにしたことを特徴
とする電子光回路。
【請求項７】光スイッチまたは変調器を電子デバイス
または光電子デバイスの出力端子に対応させて形成した
電子光回路であって、電圧印加で生じた屈折率変化によ
り光スイッチまたは光変調された光を光回路内の導波路
から光回路外部に出射させ、データを送るようにした電
子光回路。
【請求項８】ポッケルス効果または光カー効果を利用
して、光導波路から他の光導波路に光を切り換える光ス
イッチにおいて、光切り換えに係わる導波路のうちの少
なくとも一つの導波路が、他の光導波路と異なるモード
数を持つようにして配置して成ることを特徴とする光ス
イッチ。
【請求項９】直線状に対向したチャネル型光導波路１
及び２と、該導波路１及び２の間隙に少なくとも出射光
の一部を通過させ得るようにチャネル型光導波路３とを
配置し、光導波路１（または２）と光導波路３に同一波
長で可干渉性の光を入射させて、上記間隙を含む領域に
ホログラムを形成せしめ、光導波路２（または１）から
光導波路３へ、または光導波路３から光導波路２（また
は１）へ光路を変更させるようにした光路変換素子。
【請求項１０】請求項９においてチャネル型光導波路
１及び２は同一モード数を有する導波路とし、チャネル
型光導波路３は光導波路１及び２と異なるモード数を有
する導波路として、光のモードを変換するようにしたモ
ード変換素子。
【請求項１１】チャネル型光導波路１と、該導波路に
平行でないようにチャネル型光導波路２とを配置し、こ
れらの光導波路１及び２に同一波長で可干渉性の光を入
射させて両方の光のオーバーラップ部分にホログラムを
形成せしめ、光導波路１から光導波路２へ、または導波
路２から導波路１へ光路を変更させるようにした光路変
換素子。
【請求項１２】請求項１１において、チャネル型光導
波路１とチャネル型光導波路２とが異なるモード数を有
するようにして光をモード変換させるようにしたモード
変換素子。
【請求項１３】チャネル型光導波路１とスラブ型導波
路２とを配置し、光導波路１と２とに同一波長で可干渉
性の光を入射させて両方の光のオーバーラップ部分にホ
ログラムを形成せしめ、光導波路１から光導波路２へ、
または光導波路２から光導波路１へ光路変更させるよう
にした光路変換素子。
【請求項１４】請求項１３において、チャネル型光導
波路１とチャネル型導波路２とが異なるモード状態を有
するようにして光をモード変換させるようにしたモード
変換素子。