JP2007024876A - 内部に少なくとも一対のビーム経路を有するレンズユニットを具備する光学的検査装置及びこれを用いて基板の表面欠陥を検出する方法 - Google Patents

内部に少なくとも一対のビーム経路を有するレンズユニットを具備する光学的検査装置及びこれを用いて基板の表面欠陥を検出する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007024876A
JP2007024876A JP2006183734A JP2006183734A JP2007024876A JP 2007024876 A JP2007024876 A JP 2007024876A JP 2006183734 A JP2006183734 A JP 2006183734A JP 2006183734 A JP2006183734 A JP 2006183734A JP 2007024876 A JP2007024876 A JP 2007024876A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
lens unit
lens
light
main
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006183734A
Other languages
English (en)
Inventor
Jong-An Kim
鐘 安 金
Dong-Chun Lee
東 春 李
Chungsam Jun
忠 森 全
Ik-Chul Kim
翼 ▲てつ▼ 金
Sang-Hee Kim
相 熙 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2007024876A publication Critical patent/JP2007024876A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8822Dark field detection
    • G01N2021/8825Separate detection of dark field and bright field

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

【課題】基板の表面欠陥を検出するために用いられる光学的検査装置を提供する。
【解決手段】
基板55がローディングされるチャック53及びチャック53上に位置するレンズユニット60を具備する。レンズユニット60はその内部に少なくとも一対のビーム経路を具備し、前記ビーム経路は光を直進させる。レンズユニット60上にカメラ61が設けられ、カメラ61はレンズユニット60を貫通する光をイメージとして変換させる。前記検査装置を用いて基板55の表面欠陥を検出する方法をも提供する。
【選択図】図3

Description

本発明は、光学的検査装置及びその使用方法に関し、特に、内部に少なくとも一対のビーム経路を有するレンズユニットを具備する光学的検査装置及びこれを用いて基板の表面欠陥を検出する方法(Optical inspection tools including lens unit with at least apair of beam paths therein and methods of detecting surface defects of a substrate using the same)に関するものである。
半導体素子は、半導体ウエハのような基板に様々な単位工程によって製造される。前記単位工程は、絶縁膜、導電膜、または半導体膜のような物質膜を形成するための蒸着工程、前記物質膜をパターニングするための写真/エッチング工程、前記物質膜、または前記半導体基板の所定の領域を不純物でドーピングさせるためのイオン注入工程、前記物質膜の表面を平坦化させるための化学機械的研磨工程、及び前記各工程が適用された基板の表面に残存する汚染源(contaminants)を除去するための洗浄工程などを含むことができる。
前記各単位工程が適用された基板の表面は、パーティクル及び/またはスクラッチのような所望してない欠陥(undesired defects)により非正常的な表面形状(surface profile)を表すことがある。このようなパーティクルまたはスクラッチは後続工程で他の工程欠陥を発生させて半導体素子の歩留まり及び信頼性を低下させる致命的な要因として作用することもある。よって、前記半導体素子の歩留まり及び信頼性を改善させるためには前記半導体基板の表面欠陥を正確に測定して分析することが要求される。前記半導体基板の表面欠陥は光源及びレンズを採用する光学的検査装置(optical inspection tool)を用いて検出することができる。
図1は、明視野(bright field)を用いる従来の光学的検査装置を示す概略図である。
図1を参照すると、従来の光学的検査装置はレンズモジュール5、レンズモジュール5上に位置するビームスプリッタ(beam splitter)3及びビームスプリッタ3上に配置されたカメラ7を含む。ビームスプリッタ3の一側に光源9が設けられ、光源9はレンズモジュール5の下部に位置する基板1の表面に平行な第1入射光(first incident light)9aを生成する。ビームスプリッタ3は第1入射光9aを基板1に垂直な第2入射光9bに変換させ(convert)、第2入射光9bは基板1またはレンズモジュール5に90゜の入射角度(incident angle)で照射される。その結果、基板1の表面上で前記入射角度と同一の角度で反射される正常な反射光(normal reflecting light)9rが生成される。反射光9rの一部9r’はビームスプリッタ3を介してカメラ7に照射されて明視野(bright field)を提供し、反射光9rの残り部分9r”はビームスプリッタ3によって基板1の表面に平行する方向に向けて反射されて前記明視野の形成に寄与しない。
一方、基板1の表面にパーティクルまたはスクラッチのような表面欠陥SDが存在すると、第2入射光9bは表面欠陥SDにより乱反射されて散乱光(scattered light)9sを生成する。すなわち、表面欠陥SDは散乱光9sのような非正常的な反射光(abnormal reflecting light)を提供して前記明視野内に暗いイメージ(dark image)を生成する。
表面欠陥SDに相応する前記暗いイメージの解像度(resolution)Rは次の数式(1)で表現することができる。
Figure 2007024876
ここで、“λ”は入射光9a,9bの波長を示し、“NA”はレンズモジュール5の開口数(numerical aperture)を示す。前記開口数NAはレンズモジュール5の直径DMに近似的に(approximately)比例し、レンズモジュール5と基板1との間の距離d、すなわち、レンズモジュール5の焦点距離(focal distance)に近似的に反比例する。
また、前記開口数NAは次の数式(2)として示されることができる。
Figure 2007024876
ここで、“n”は空気中で1の値を有し、“θ”はレンズモジュール5の中心垂直軸とレンズモジュール5の焦点からその端に向かう光との間の角度を示す。
レンズモジュール5の性能を改善するためには前記解像度Rを減少させなければならない。すなわち、数式(1)及び数式(2)から分かるように、前記解像度Rを向上させるためには“θ”を増加させなければならない。言い替えれば、前記解像度Rを向上させるためにはレンズモジュール5の直径DMを増加させるか、またはレンズモジュール5の焦点距離dを減少させなければならない。
図1に示す従来の光学的検査装置は、レンズモジュール5の焦点距離dを減少することに何の制約もない。したがって、明視野を用いる従来の光学的検査装置の解像度を向上させることは非常に容易である。しかし、明視野を採用する従来の光学的検査装置は基板の表面に垂直な入射光を用いて欠陥のイメージを生成させている。よって、前記欠陥の形態によっては鮮明なイメージを得ることができない。例えば、平坦な底面を有するグルーブ状の欠陥(groove−shaped defects)は、明視野を採用した従来の光学的検査装置が用いられても高解像度のイメージ(high resolution image)を提供できない場合がある。このようなグルーブ状の欠陥とともにパーティクル及びスクラッチを含むあらゆる表面欠陥は、斜入射照明方式(oblique illumination manner)を採用する検査装置、すなわち、暗視野(dark field)を用いる光学的検査装置によって容易に検出することができる。
図2は、暗視野を用いる従来の光学的検査装置を示す概略図である。
図2を参照すると、従来の光学的検査装置はレンズモジュール13、レンズモジュール13を取り囲むレンズハウジング17、及びレンズモジュール13上に設けられたカメラ15を含む。レンズモジュール13の一側及び他側にそれぞれ光源19及び光トラップ21が設けられる。光源19はレンズモジュール13の下部に位置する基板11の表面上に90゜より小さい入射角αで照射される入射光19aを発生する。光トラップ21は基板11の表面上で正常に反射される反射光19nを受光する(receive)ことができる位置に設けられる。正常な反射光19nの反射角(reflective angle)βは入射角αと等しい。よって、基板11の表面にいかなる欠陥も存在しない場合、レンズモジュール13にいかなる光も照射されないのでカメラ15は暗視野(dark field)を提供する。
例えば、基板11の表面にパーティクルまたはスクラッチのような表面欠陥11aが存在している場合、入射光19aは表面欠陥11aにより乱反射されて散乱光(scattered light)19sを生成し、散乱光19sの一部はレンズモジュール13に照射されて前記暗視野内において相対的に明るいイメージ(bright image)を生成する。
表面欠陥11aに相応する前記明るいイメージの解像度(resolution)Rも上述した数式(1)として示すことができる。結果的に、表面欠陥11aの解像度Rは、レンズモジュール13と基板11との間の距離(焦点距離)dに近似的に反比例し、レンズモジュール13の直径DMに近似的に比例する。よって、前記解像度Rを向上させるためにはレンズモジュール13と基板11との間の距離dを減少させるか、またはレンズモジュール13の直径DMを増加させなければならない。しかし、図2に示す従来の光学的検査装置において、焦点距離dを減少させ、またはレンズモジュール13の直径DMを増加させることに制約がある。それは、焦点距離dを減少させ、またはレンズモジュール13の直径DMを増加させた場合、レンズモジュール13及びそれを取り囲むレンズハウジング17が入射光19aを遮断するからである。
前記斜入射照明(oblique illumination)を用いる光学的検査装置は、特許文献1に「きれいな表面製造のための大面積欠陥モニタ装置(Large Area Defect Monitor Tool for Manufacture of Clean Surfaces)」という名称でヘンリ(Henley)によって開示されている。ヘンリによれば、複数個のレンズモジュール及びそれに相応する複数個のカメラが設けられて1回の斜入射照明(a single step of oblique illumination)により広い面積の表面欠陥を検出する。
米国特許第5631733号明細書
本発明が解決しようとする技術的課題は、斜入射照明とともに解像度を向上させるのに好適な光学的検査装置及びそれを用いて基板の表面欠陥を検出する方法を提供することにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、基板をレンズモジュールの焦点距離に正確に位置させるのに好適な光学的検査装置及びそれを用いて基板の表面欠陥を検出する方法を提供することにある。
本発明の一様態によれば、その内部に少なくとも一対のビーム経路を有するレンズユニットを具備する光学的検査装置が提供される。前記光学的検査装置は、チャック及び前記チャック上部に位置するレンズユニットを含む。前記チャックは、基板が保持(ローディング)する場所を提供し、前記レンズユニットは、その内部に少なくとも一対のビーム経路を具備する。前記ビーム経路はレンズの機能を有しない。したがって、前記ビーム経路を通過する光は直進する。前記レンズユニット上にカメラが設けられる。前記カメラは前記レンズユニットを貫通して前記カメラに到逹する光をイメージに変換させる。
本発明のいくつかの実施形態において、前記少なくとも一対のビーム経路は、前記レンズユニットの垂直中心軸に対して互いに対称に配置される少なくとも1つの第1ビーム経路及び少なくとも1つの第2ビーム経路を含むことができる。前記ビーム経路のそれぞれは前記レンズユニットを構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つのレンズの一部を貫通する空間とすることができる。この場合、前記ビーム経路のそれぞれは開いたスリット形状(opened slit shape)、またはホール形状を有することができる。
他の実施形態において、前記ビーム経路のそれぞれは前記レンズユニットを構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つのレンズの一部に形成された平面部を含むことができる。前記平面部は互いに平行な上部面及び下部面を有することができる。
さらに他の実施形態において、前記レンズユニットにメイン光源及び光トラップが固定されることができる。前記メイン光源は前記第1ビーム経路を経て前記基板上に照射されるメイン斜入射光を提供するように設けることができ、前記光トラップは前記第2ビーム経路を経て前記基板の表面から反射するメイン反射光を受け入れるように設けることができる。さらに、前記レンズユニットに補助光源及びセンシングユニットが固定されることができる。前記補助光源は前記基板上に照射される補助斜入射光を提供することができ、前記センシングユニットは前記補助斜入射光によって前記基板から反射する補助反射光を感知することができる。よって、前記補助反射光が前記センシングユニットに照射される領域の位置は前記基板と前記レンズユニットとの間の距離によって変化することができる。結果的に、前記補助反射光が前記センシングユニットを構成する複数個のセンサのうち所望するセンサに照射されるまで前記基板と前記レンズユニットとの間の距離を変化させることによって前記基板を前記レンズユニットから所定の距離に位置させることができる。
さらに他の実施形態において、前記レンズユニットと前記カメラとの間にビームスプリッタが介在することができ、前記ビームスプリッタに照射されるメイン入射光を提供するようにメイン光源を設けることができる。前記ビームスプリッタは前記メイン入射光の一部を前記基板上に照射されるメイン垂直入射光に変換させる。この場合、前記レンズユニットに固定された補助光源及びセンシングユニットが追加として設けられることができる。前記補助光源は前記第1ビーム経路を経て前記基板上に照射される補助斜入射光を提供することができ、前記センシングユニットは前記第2ビーム経路を経て前記基板の表面から反射する補助反射光を感知することができる。結果的に、前記補助反射光が前記センシングユニットに照射される領域の位置は前記基板と前記レンズユニットとの間の距離によって変化することができる。
本発明の他の様態によれば、前記光学的検査装置を用いて基板の表面欠陥を検出する方法を提供する。この方法は基板を準備する段階と、前記基板をチャック上に保持させる段階を含む。前記チャック上部にレンズユニットが配置され、前記レンズユニットはその内部に少なくとも1つの第1ビーム経路及び少なくとも1つの第2ビーム経路を具備する。前記第1及び第2ビーム経路は光を直進させるためのものである。前記基板を前記レンズユニットの焦点距離に位置させる。続いて、前記レンズユニット上に設けられたカメラを用いて前記基板の表面の表面形状に相応するイメージを生成する。
本発明のいくつかの実施形態において、前記第1ビーム経路及び前記第2ビーム経路は前記レンズユニットの垂直中心軸に対して互いに対称とすることができる。前記ビーム経路のそれぞれは前記レンズユニットを構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つのレンズの一部を貫通する空間とすることができる。この場合、前記ビーム経路のそれぞれは開いたスリット形状(opened slit shape)またはホール形状を有することができる。
他の実施形態において、前記ビーム経路のそれぞれは前記レンズユニットを構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つのレンズの一部に形成された平面部を有することができる。前記平面部は互いに平行な上部面及び下部面を有することができる。
さらに他の実施形態において、前記基板を前記レンズユニットの焦点距離に位置させる段階は、前記レンズユニットに固定された補助光源を用いて前記基板上に補助斜入射光を照射して前記レンズユニットに固定されたセンシングユニットに向かう補助反射光を生成させる段階と、前記補助反射光が前記センシングユニットの特定センサに照射されるまで前記基板と前記レンズユニットとの間の距離を変化させる段階とを含むことができる。前記補助斜入射光は前記第1ビーム経路を経て照射することができ、前記補助反射光は前記第2ビーム経路を経て反射することができる。これに加えて、前記基板と前記レンズユニットとの間の距離は前記基板及び前記レンズユニットのうち、少なくともいずれか1つを上/下に移動させることによって変化することができる。
さらに他の実施形態において、前記イメージを生成させる段階は、前記第1ビーム経路を経て前記基板上にメイン斜入射光を照射して前記第2ビーム経路を通るメイン反射光を生成させる段階と、前記メイン斜入射光が照射される間に前記基板の表面からの散乱光を前記レンズユニットによって前記カメラに照射させる段階とを含むことができる。前記メイン斜入射光は前記レンズユニットに固定されたメイン光源を用いて提供することができ、前記メイン反射光は前記レンズユニットに固定された光トラップによって捕獲することができる。
さらに他の実施形態において、前記イメージを生成させる段階は、前記レンズユニットと前記カメラとの間に設けられたビームスプリッタを用いて前記基板上にメイン垂直入射光を照射して前記基板の表面からのメイン垂直反射光及び散乱光を生成させる段階と、前記メイン垂直反射光及び前記散乱光を前記レンズユニット及び前記ビームスプリッタによって前記カメラに照射させる段階とを含むことができる。前記メイン垂直入射光は前記レンズユニットに固定されたメイン光源を用いて提供することができる。
本発明によれば、レンズモジュールを具備するレンズユニット内に第1及び第2ビーム経路が提供される。前記第1ビーム経路を経て前記レンズユニット下部に位置する基板にメイン斜入射光が照射され、前記基板からのメイン反射光は前記第2ビーム経路を通る。したがって、前記レンズモジュールの焦点距離を減少させ、または前記レンズモジュールの直径を増加させても前記メイン斜入射光は前記基板に正常に照射されることができ、前記メイン反射光は前記レンズユニットに隣接した光トラップに正常に到逹する。これによって、暗視野を用いる光学的検査装置の解像度を向上させることができる。
さらに、前記基板を前記レンズモジュールの焦点距離に位置させるために用いられる補助斜入射光及び補助反射光はそれぞれ前記第1及び第2ビーム経路を経て正常に照射され反射されることができる。すなわち、前記レンズモジュールの焦点距離を減少させ、または前記レンズモジュールの直径を増加させても、前記補助斜入射光の入射角にかかわらず前記基板を前記レンズモジュールの焦点距離に正確に位置させることができる。
結論的に、本発明によれば、明視野及び暗視野を用いる光学的検査装置の解像度をさらに向上させることができる。
以下、添付した図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を詳しく説明する。しかしながら、本発明は、ここで説明する実施形態に限られず、他の形態で具体化されることもある。むしろ、ここで紹介される実施形態は開示された発明が完成されていることを示すと共に、当業者に本発明の思想を十分に伝えるために提供するものである。図面において、層及び領域の厚みは明確性をあたえるために誇張して図示されたものである。明細書全体にわたって同じ参照番号は、同様の構成要素を示す。
図3は、本発明の実施形態による光学的検査装置を示す概略図で、図4A及び図4Bはそれぞれ図3のレンズハウジング及びレンズモジュールを示す斜視図である。
図3、図4A及び図4Bを参照すると、密閉された空間(sealed space)を提供するケース51内にチャック(chuck)53が設けられる。チャック53はその上に半導体ウエハのような基板55がローディングされる場所を提供する。基板55はケース51の側壁の一部を貫通するスリット状の開口部51aを介して取り付けられ、または取り外しされることができる。
チャック53上部にレンズユニット60が設けられる。レンズユニット60はレンズモジュール57及びレンズモジュール57の側壁を取り囲むレンズハウジング59を含むことができる。レンズモジュール57は複数個のレンズで構成することができる。例えば、レンズモジュール57は少なくとも1つの凸レンズ及び少なくとも1つの凹レンズで構成することができる。また、レンズモジュール57は図4Bに示すように円柱状を有することができる。レンズハウジング59はレンズモジュール57の下部面の端までを覆うように延長させることもできる。
レンズユニット60はその内部に少なくとも一対のビーム経路(a pair of beam paths)、例えば、第1ビーム経路60a及び第2ビーム経路60bを具備することができる。
本発明の一実施形態において、第1及び第2ビーム経路60a,60bはレンズユニット60を貫通する第1及び第2空間(empty spaces)とすることができる。この場合、第1空間60aはレンズユニット60の一側に設けられたメイン光源63から基板55を向けて照射されるメイン斜入射光(oblique incident light)63aの通路の役目をする。メイン斜入射光63aの入射角(incident angle)α’は図3に示すように90゜より小さい傾斜角度(oblique angle)である。よって、第1空間60aはレンズユニット60の下部コーナー領域を貫通することができる。言い替えれば、第1空間60aはレンズモジュール57を構成する複数個のレンズのうち、少なくとも最下部のレンズ(lowermost lens)の一部とともにレンズハウジング59の下部コーナー領域を貫通することができる。この場合、第1空間60aはレンズハウジング59を貫通する第1ハウジング開口部(図4Aの59a)及び前記レンズモジュール57を貫通する第1レンズ開口部(図4Bの57a)を含むことができる。すなわち、レンズモジュール57は第1レンズ開口部57aが第1ハウジング開口部59aと整列されるようにレンズハウジング59内に挿入される。
第2空間60bは、メイン斜入射光63aが第1空間60aを介して基板55に照射される間に基板55上で反射されるメイン反射光(reflecting light)63nの通路の役目をする。この場合、メイン反射光63nの反射角β’は入射角α’と等しい。よって、第1及び第2空間60a,60bはレンズユニット60の中心を通る垂直軸60cに対して互いに対称であることが望ましく、第2空間60bも第1空間60aのようにレンズハウジング59を貫通する第2ハウジング開口部(図4Aの59b)及びレンズモジュール57を貫通する第2レンズ開口部(図4Bの57b)を含むことができる。結果的に、第2ハウジング開口部59bは中心軸60cに対して第1ハウジング開口部59aと対称とすることができ、第2レンズ開口部57bは中心軸60cに対して第1レンズ開口部57aと対称とすることができる。この場合、第1レンズ開口部57aが第1ハウジング開口部59aと整列されると、第2レンズ開口部57bも第2ハウジング開口部59bと整列されることができる。第2空間60bを通るメイン反射光63nはレンズユニット60の他側に設けられた光トラップ65によって捕獲される。メイン光源63及び光トラップ65はレンズユニット60に固定されてレンズユニット60とともに移動させることができる。
上述したように、本実施形態によれば、レンズモジュール57と基板55との間の距離d’が減少し、またはレンズモジュール57の直径DM’が増加しても、第1及び第2空間60a,60bの存在によりメイン斜入射光63aは損失なしに基板55上に正常に照射されることができ、基板55からのメイン反射光63nも損失なしに光トラップ65に到逹することができる。ここで、第1及び第2空間60a,60bによりレンズモジュール57の機能を低下させうる。しかし、それにもかかわらず、レンズモジュール57の解像度は従来技術に比べて著しく改善することができる。これは、レンズモジュール57の直径DM’の増加及び/またはレンズモジュール57における焦点距離の減少による解像度の増加率が第1及び第2空間60a,60bの存在による解像度の低下率よりも大きくなるからである。
本発明の他の実施形態において、第1空間60aは第1ハウジング開口部59aのみを含むこともできる。これと同様に、第2空間60bも第2ハウジング開口部59bのみを含むことができる。この場合、第1及び第2空間60a,60bはレンズモジュール57のいかなる機能の低下も誘発させない。
本発明のさらに他の実施形態において、レンズユニット60は、複数個の第1ビーム経路及びこれらにそれぞれ相応する複数個の第2ビーム経路を具備することができる。すなわち、レンズユニット60は複数個の第1空間及びこれらにそれぞれ相応する複数個の第2空間を具備することができる。この場合、単一メイン光源63の代りに複数個のメイン光源が設けられることができ、単一光トラップ65の代りに複数個の光トラップが設けられることができる。
一方、メイン斜入射光63aの入射角α’は、検査すべき表面欠陥の形態及び種類にしたがって変化させることもできる。この場合、第1及び第2空間60a,60bは入射角α’及び反射角β’の変化を考慮しても図4A及び図4Bに示すように開いているスリット形状(opened slit configuration)を有することが好ましい。
基板55上に表面欠陥55aが存在すると、メイン斜入射光63aが基板55上に照射される間に表面欠陥55aから乱反射される(irregularly reflected)散乱された光(scattered light)が生成され、前記散乱光の一部はレンズモジュール57に向けて照射される。レンズモジュール57は前記散乱光を集光させ、前記集光された散乱光はレンズモジュール57上に附着された電荷結合素子(chargecoupled device)またはCMOSイメージセンサ(CMOS image sensor)CISを具備するカメラ61によって表面欠陥55aに相応するイメージに変換される。
本発明のさらに他の実施形態によると、レンズユニット60に固定された補助光源151及びセンシングユニットSSがさらに設けられることができる。補助光源151は基板55上に照射される補助斜入射光151aを提供する。補助斜入射光151aは、前記第1ビーム経路、すなわち第1空間60aを介して照射されることができる。補助斜入射光151aの入射角はメイン斜入射光63aの入射角α’と異なることもある。補助斜入射光151aが照射されると、基板55の表面から反射される補助反射光151nが生成され、補助反射光151nはセンシングユニットSSに向けて照射される。
センシングユニットSSは、複数個のセンサ、例えばn個のセンサSS1、・・・、SSnを具備することができ、センサSS1、・・・、SSnは互いに異なる高さを有するように設けることができる。よって、補助斜入射光151aが基板55上に照射される間、補助反射光151nがセンシングユニットSSに照射される領域の位置は基板55とレンズモジュール57との間の距離によって変わる。例えば、基板55とレンズモジュール57との間の距離が増加すると補助反射光151nはセンシングユニットSSの下部領域を通ることができるし、基板55とレンズモジュール57との間の距離が減少すると補助反射光151nはセンシングユニットSSの上部領域を通ることができる。これは、補助光源151及びセンシングユニットSSが上述したようにレンズユニット60に固定されてレンズモジュール57とともに移動するからである。
補助反射光151nがセンサSS1、・・・、SSnのうち、特定センサに照射されるまで基板55とレンズモジュール57との間の距離を変化させると、基板55とレンズモジュール57との間の距離がいつも一定になるように調節することができる。言い替えれば、補助光源151及びセンシングユニットSSはレンズモジュール57の焦点調節器として用いられることができる。基板55とレンズモジュール57との間の距離はチャック53及びレンズユニット60のうち少なくともいずれか1つを上/下に移動させることによって変化させることができる。レンズモジュール57を含むレンズユニット60は図3の矢印Aが示すように上/下に移動するように設けることができ、チャック53は図3の矢印Bが示すように上/下に移動するように設けることができる。
補助斜入射光151aは、前記メイン斜入射光より小さいビームサイズを有することができる。補助斜入射光151aのビームサイズが減少すると、基板55とレンズモジュール57との間の距離を精密に制御することができる。結果的に、補助斜入射光151aのビームサイズを減少させると、基板55をレンズモジュール57の焦点距離に正確に位置させることができる。
前記焦点調節器を用いて基板55をレンズモジュール57の焦点距離に位置させた後にメイン光源63及び光トラップ65を用いて基板55の表面欠陥を検出すると、前記表面欠陥のイメージ解像度をさらに向上させることができる。
ケース51の外部に制御器(controller)70が設けられることができる。制御器70は中央処理装置67及びモニタ69を含むことができる。中央処理装置67はカメラ61によって生成されたイメージデータを分析し、メイン光源63の動作を制御する。また、中央処理装置67は前記イメージデータの分析結果を作業者が認識することができるようにモニタ69に表示させることができる。さらに、中央処理装置67は補助光源151の動作を制御し、補助反射光151nがセンサSS1、・・・、SSnのうち、所望するセンサに照射されるかどうかを感知する。
第1及び第2レンズ開口部57a,57bの形は図4A及び図4Bに示す前記開いたスリット形状に限定されず、多様な形態で変形することができる。例えば、メイン斜入射光63aが固定された入射角に照射される点状のビーム(spot−shaped beam)の場合、第1及び第2ビーム経路60a,60bはそれぞれ図4Cに示すようにレンズモジュール57の内部を貫通する第1レンズ開口部57a’及び第2レンズ開口部57b’を含むことができる。すなわち、第1及び第2レンズ開口部57a’,57b’はホール形状を有することができる。
さらに他の実施形態において、第1及び第2ビーム経路60a,60bは、図4Dないし図4Kに示すように図4B及び図4Cのレンズ開口部57a,57a’,57b,57b’とは異なる形を有することができる。
図4Dは、図3のレンズモジュール57を構成する少なくとも1つの凸レンズの一例を示す平面図で、図4Eは、図4DのI−I’の断面図である。
図4D及び図4Eを参照すると、レンズモジュール57を構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つの凸レンズ57eはその両端にそれぞれ設けられた第1及び第2平面部FP1’,FP1”を有することができる。第1及び第2平面部FP1’,FP1”は凸レンズ57eの中心点Pに対して互いに対称とすることができ、凸レンズ57eの外周面に接することができる。また、第1及び第2平面部FP1’,FP1”は互いに平行な上部面及び下部面を有する。よって、第1及び第2平面部FP1’,FP1”は光を屈折させるレンズの機能を持たない。言い替えれば、平面部FP1’,FP1”を貫通する光は直進する。結果的に、第1及び第2平面部FP1’,FP1”は図4Bに示す第1及び第2レンズ開口部57a,57bの代りに採用することができる。
図4Fは、図3のレンズモジュール57を構成する少なくとも1つの凹レンズの一例を示す平面図で、図4Gは図4FのII−II’の断面図である。
図4F及び図4Gを参照すると、レンズモジュール57を構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つの凹レンズ57fはそれの両端にそれぞれ設けられた第1及び第2平面部FP2’,FP2”を有することができる。第1及び第2平面部FP2’,FP2”は凹レンズ57fの中心点Pに対して互いに対称とすることができ、凹レンズ57fの外周面に接することができる。また、第1及び第2平面部FP2’,FP2”は互いに平行な上部面及び下部面を有する。よって、第1及び第2平面部FP2’,FP2”は光を屈折させるレンズの機能を持たない。言い替えれば、平面部FP2’,FP2”を貫通する光も直進する。結果的に、第1及び第2平面部FP2’,FP2”は図4Bに示す第1及び第2レンズ開口部57a,57bの代りに採用することができる。
図3のレンズモジュール57が凸レンズ57e及び凹レンズ57fを含む場合、凸レンズ57eの平面部FP1’,FP1”の第1幅DT1は凹レンズ57fの平面部FP2’,FP2”の第2幅DT2と異なることもある。例えば、凸レンズ57eが凹レンズ57f上に積層されると、第1幅DT1は第2幅DT2よりも小さくなることもある。この場合、第1平面部FP1’,FP2’及び第2平面部FP1”,FP2”はそれぞれ図4Bの第1及び第2レンズ開口部57a,57bに相応する位置に設けられることができる。結果的に、平面部FP1’、FP1”、FP2’、FP2”はメイン斜入射光63a及びメイン反射光63nの経路提供とともにレンズモジュール57の機能低下を最小化することができる。
図4Hは、図3のレンズモジュール57を構成する少なくとも1つの凸レンズの他例を示す平面図で、図4Iは図4HのIII−III’の断面図である。
図4H及び図4Iを参照すると、レンズモジュール57を構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つの凸レンズ57gはそれの両端にそれぞれ設けられた第1及び第2平面部FP3’,FP3”を具備することができる。第1及び第2平面部FP3’,FP3”は凸レンズ57gの中心点Pに対して互いに対称とすることができ、凸レンズ57gの外周面から離隔することができる。また、第1及び第2平面部FP3’,FP3”は互いに平行な上部面及び下部面を有する。よって、第1及び第2平面部FP3’,FP3”は光を屈折させるレンズの機能を持たない。言い替えれば、平面部FP3’,FP3”を貫通する光は直進する。結果的に、第1及び第2平面部FP3’,FP3”は図4Cに示す第1及び第2レンズ開口部57a’,57b’の代りに採用することができる。
図4Jは、図3のレンズモジュール57を構成する少なくとも1つの凹レンズの他例を示す平面図で、図4Kは図4JのIV−IV’の断面図である。
図4J及び図4Kを参照すると、レンズモジュール57を構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つの凹レンズ57hはそれの両端にそれぞれ設けられた第1及び第2平面部FP4’,FP4”を有することができる。第1及び第2平面部FP4’,FP4”は凹レンズ57hの中心点Pに対して互いに対称とすることができ、凹レンズ57hの外周面から離隔することができる。また、第1及び第2平面部FP4’,FP4”は互いに平行な上部面及び下部面を有する。よって、第1及び第2平面部FP4’,FP4”は光を屈折させるレンズの機能を持たない。言い替えれば、平面部FP4’,FP4”を貫通する光も直進する。結果的に、第1及び第2平面部FP4’,FP4”は図4Cに示す第1及び第2レンズ開口部57a’,57b’の代りに採用することができる。
図3のレンズモジュール57が凸レンズ57g及び凹レンズ57hを含む場合、凸レンズ57gの平面部FP3’,FP3”とその中心点Pとの間の第1距離S1は、凹レンズ57hの平面部FP4’,FP4”とそれの中心点Pとの間の第2距離S2と異なる場合もある。例えば、凸レンズ57gが凹レンズ57h上に積層されると、第1距離S1は第2距離S2よりも大きくなることもある。この場合、第1平面部FP3’,FP4’及び第2平面部FP3”,FP4”はそれぞれ図4Cの第1及び第2レンズ開口部57a’,57b’に相応する位置に設けられることができる。
図5は、本発明の他の実施形態による光学的検査装置を示す概略図である。図3及び図5の実施形態において、同一参照番号は同一構成要素を示す。よって、本実施形態では、図3の実施形態において用いられた同一参照番号の構成要素についての詳しい説明は省略する。
図5を参照すると、カメラ61とレンズユニット60との間にビームスプリッタ71を介在することができる。レンズユニット60に固定されたメイン光源73が設けられ、メイン光源73はビームスプリッタ71に向けて照射するメイン入射光73aを提供する。ビームスプリッタ71はメイン入射光73aを基板55に垂直なメイン入射光73vに変換させる。メイン垂直入射光73vは基板55上で反射してメイン垂直反射光73rを生成する。メイン垂直反射光73rの一部73r’はレンズモジュール57及びビームスプリッタ71を通過してカメラ61に到逹し、メイン垂直反射光73rの残り73r”はビームスプリッタ71から反射してメイン光源73に向かうことができる。メイン垂直入射光73vが照射される間に基板55上に表面欠陥が存在する場合、前記表面欠陥から乱反射される散乱光の一部もレンズモジュール57及びビームスプリッタ71を通過してカメラ61に到逹する。
さらに、本実施形態による光学的検査装置は図3を参照して説明したように補助光源151及びセンシングユニットSSで構成された焦点調節器を具備することができる。したがって、本実施形態によれば、前記焦点距離調節器を用いて基板55をレンズモジュール57の焦点距離Fに正確に位置させることができ、ビームスプリッタ71及びメイン光源73は明視野を提供する。結果的に、本実施形態によれば、明視野を用いる光学的検査装置の解像度を向上させることができる。
次に、図6及び図7を参照して図3及び図5に示す光学的検査装置を用いて基板の表面欠陥を検出する方法を説明する。
図6は、図3の光学的検査装置を用いて基板の表面欠陥を検出する方法を説明するための工程フローチャート(process flowchart)である。
図3及び図6を参照すると、半導体ウエハのような基板55を準備する(図6の段階81)。基板55を密閉された空間を提供するケース51内のチャック53上にローディングさせる(図6の段階83)。基板55はケース51の側壁を貫通するスリット形状の開口部51aを介してローディングすることができる。チャック53上部にレンズユニット60が配置される(図6の段階85)。レンズユニット60は図3を参照して説明したようにその内部を通過する第1及び第2ビーム経路60a,60bを含む。また、レンズユニット60は複数個のレンズで構成されたレンズモジュール57及びレンズモジュール57の側壁を取り囲むレンズハウジング59を含むことができる。
レンズユニット60に固定された補助光源151及びセンシングユニットSSを用いて基板55をレンズモジュール57の焦点距離に位置させることができる(図6の段階90)。センシングユニットSSは互いに異なる高さを有する複数個のセンサを含む。また、センシングユニットSSは、補助斜入射光151aがレンズモジュール57の焦点面(focal plane)に照射されるときに、前記焦点面から反射する光が到逹する位置に特定センサを有するように構成される。
具体的に、基板55をレンズモジュール57の焦点距離に位置させるためには、基板55上に補助斜入射光151aを照射して基板55の表面から反射する補助反射光151nを生成する(図6の段階87)。続いて、補助反射光151nがセンシングユニットSSの前記特定センサに照射されるまで基板55とレンズモジュール57との間の距離を変化させる(図6の段階89)。その結果、基板55はレンズモジュール57の焦点距離に正確に位置することができる。補助斜入射光151aはレンズユニット60の第1ビーム経路60aを介して照射することができる。この場合、補助反射光151nは第2ビーム経路60bを介してセンシングユニットSSに到逹することができる。したがって、レンズモジュール57の解像度を向上させるためにレンズモジュール57の焦点距離を減少させ、またはレンズモジュール57の直径を増加させても、基板55は第1及び第2ビーム経路60a,60bの存在によりレンズモジュール57の焦点距離に正確に位置することができる。
続いて、レンズモジュール57の焦点距離に位置した基板55上にメイン斜入射光(main oblique incident light)63aを照射する(段階91)。メイン斜入射光63aは、第1ビーム経路60aを介して基板55に対して90゜よりも小さい入射角α’で照射することができる。メイン斜入射光63aが照射する間に基板55上から反射されたメイン反射光63nが生成される。メイン反射光63nはレンズユニット60に固定された光トラップ65に照射され、光トラップ65はメイン反射光63nがケース51内でさらに反射されることを防止するためにメイン反射光63nを捕獲する。ここで、メイン反射光63nは、入射角α’と同一角度で反射する光を意味する。すなわち、前記メイン反射光の反射角(reflective angle)β’はメイン斜入射光63aの入射角αと等しい。メイン反射光63nは第2ビーム経路60bを介して光トラップ65に到逹することができる。
上述のように、第1及び第2ビーム経路60a,60bは、それぞれメイン斜入射光63a及びメイン反射光63nが通る光経路の役目をする。よって、レンズモジュール57と基板55との間の距離d’が減少し、またはレンズモジュール57の直径DM’が増加しても、メイン斜入射光63aは第1ビーム経路60aの存在により基板55に正常に照射することができ、メイン反射光63nは第2ビーム経路60bの存在により光トラップ65に正常に到逹することができる。よって、基板55上にパーティクル(particles)のような表面欠陥55aが存在する場合、表面欠陥55aから乱反射されてレンズモジュール57に向かう散乱光の量を著しく増加させることができる。言い替えれば、レンズモジュール57の解像度は第1及び第2ビーム経路60a,60bの存在により著しく改善させることができる。
レンズモジュール57は、表面欠陥55aから乱反射された前記散乱光の一部を集光させ、前記集光された散乱光は表面欠陥55aに相応するイメージを生成させる(段階93)。前記イメージはレンズモジュール57上に設けられたカメラ61によって生成することができる。
図7は、図5の光学的検査装置を用いて基板の表面欠陥を検出する方法を説明するための工程フローチャートである。
図5及び図7を参照すると、図6の段階81、83、85、及び90と同じ方法を用いて基板55をレンズモジュール57の焦点距離Fに位置させることができる。続いて、レンズユニット60とカメラ61との間のビームスプリッタ71にメイン入射光73aを照射して基板55の表面欠陥を検出する(段階95)。
ビームスプリッタ71に向けてメイン入射光73aが照射されると、ビームスプリッタ71は基板55に垂直なメイン入射光73vを生成する。メイン垂直入射光73vは、基板55の表面からのメイン垂直反射光73rを発生させる。基板55の表面に表面欠陥が存在すると、メイン垂直入射光73vはメイン垂直反射光73rとともに前記表面欠陥からの散乱光を生成する。この場合、メイン垂直反射光73rは明視野を生成し、前記散乱光はレンズモジュール57及びカメラ61によって前記表面欠陥に相応する暗いイメージに変換される。
明視野を用いる従来の光学的検査装置を示す概略図である。 暗視野を用いる従来の光学的検査装置を示す概略図である。 本発明の実施形態による光学的検査装置の概略図である。 図3のレンズハウジングを示す斜視図である。 図3のレンズモジュールの一例を示す斜視図である。 図3のレンズモジュールの他例を示す斜視図である。 図3のレンズモジュールに採用する凸レンズの一例を示す平面図である。 図4DのI−I’線の断面図である。 図3のレンズモジュールに採用する凹レンズの一例を示す平面図である。 図4FのII−II’線の断面図である。 図3のレンズモジュールに採用する凸レンズの他例を示す平面図である。 図4HのIII−III’線の断面図である。 図3のレンズモジュールに採用する凹レンズの他例を示す平面図である。 図4JのIV−IV’線の断面図である。 本発明の他の実施形態による光学的検査装置の概略図である。 図3の光学的検査装置を用いて基板の表面欠陥を検出する方法を説明するための工程フローチャートである。 図5の光学的検査装置を用いて基板の表面欠陥を検出する方法を説明するための工程フローチャートである。
符号の説明
51 ケース、
51a 開口部、
53 チャック、
55 基板、
55a 表面欠陥、
57 レンズモジュール、
57a,57b 第1及び第2レンズ開口部、
59 レンズハウジング、
59a 第1ハウジング開口部、
59b 第2ハウジング開口部、
60 レンズユニット、
60a,60b 第1及び第2ビーム経路、
60c 垂直軸、
61 カメラ、
63 メイン光源、
63a メイン斜入射光、
63a メイン斜入射光、
63n メイン反射光、
65 光トラップ、
67 中央処理装置、
69 モニタ、
70 制御器、
151 補助光源、
151a 補助斜入射光、
151n 補助反射光、
SS センシングユニット、
SS1、・・・、SSn センサ、
α’ 入射角、
β’ 反射角。

Claims (31)

  1. 基板を保持するチャックと、
    前記チャック上部に位置し、光が直進するための少なくとも一対のビーム経路を内部に備えるレンズユニットと、
    前記レンズユニット上に設けられて前記レンズユニットを貫通する光をイメージに変換させるカメラと、
    を含むことを特徴とする光学的検査装置。
  2. 前記少なくとも一対のビーム経路は、前記レンズユニットの垂直中心軸に対して互いに対称である少なくとも1つの第1ビーム経路及び少なくとも1つの第2ビーム経路を含むことを特徴とする請求項1記載の光学的検査装置。
  3. 前記ビーム経路のそれぞれは、前記レンズユニットを構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つのレンズの一部を貫通する空間であることを特徴とする請求項1記載の光学的検査装置。
  4. 前記ビーム経路のそれぞれは、開いたスリット形状またはホール形状を有することを特徴とする請求項3記載の光学的検査装置。
  5. 前記ビーム経路のそれぞれは、前記レンズユニットを構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つのレンズの一部に形成された平面部を有することを特徴とする請求項1記載の光学的検査装置。
  6. 前記平面部は、互いに平行な上部面及び下部面を有することを特徴とする請求項5記載の光学的検査装置。
  7. 前記第1ビーム経路を経て前記基板上に照射されるメイン斜入射光を提供するメイン光源と、
    前記第2ビーム経路を経て前記基板の表面から反射されるメイン反射光を受け入れる光トラップと、をさらに含み、
    前記メイン光源及び前記光トラップは前記レンズユニットに固定されていることを特徴とする請求項2記載の光学的検査装置。
  8. 前記基板上に照射される補助斜入射光を提供する補助光源と、
    前記補助斜入射光によって前記基板から反射される補助反射光を感知するセンシングユニットと、をさらに含み、
    前記補助光源及び前記センシングユニットは前記レンズユニットに固定され、前記補助反射光が前記センシングユニットに照射される領域の位置は前記基板と前記レンズユニットとの間の距離によって変化することを特徴とする請求項7記載の光学的検査装置。
  9. 前記レンズユニットと前記カメラとの間に介在されたビームスプリッタと、
    前記ビームスプリッタに向けて照射されるメイン入射光を提供するメイン光源と、をさらに含み、
    前記ビームスプリッタは前記メイン入射光の一部を前記基板上に照射するメイン垂直入射光に変換させることを特徴とする請求項2記載の光学的検査装置。
  10. 前記第1ビーム経路を経て前記基板上に照射される補助斜入射光を提供する補助光源と、
    前記第2ビーム経路を経て前記基板の表面から反射される補助反射光を感知するセンシングユニットと、をさらに含み、
    前記補助光源及び前記センシングユニットは前記レンズユニットに固定され、前記補助反射光が前記センシングユニットに照射される領域の位置は前記基板と前記レンズユニットとの間の距離によって変化することを特徴とする請求項9記載の光学的検査装置。
  11. 基板を準備する段階と、
    前記基板をチャック上に保持させる段階と、
    光が直進するための少なくとも1つの第1ビーム経路及び少なくとも一つの第2ビーム経路を内部に備えたレンズユニットを前記チャック上部に配置する段階と、
    前記基板を前記レンズユニットの焦点距離に位置させる段階と、
    前記焦点距離に位置する前記基板の表面上にメイン入射光を照射して前記基板の表面から反射するメイン反射光を生成させる段階と、
    前記メイン入射光が照射される間に前記レンズユニット上に設けられたカメラを用いて前記基板の表面形状に相応するイメージを生成させる段階と、
    を含むことを特徴とする光学的検査方法。
  12. 前記第1ビーム経路及び前記第2ビーム経路は、前記レンズユニットの垂直中心軸に対して互いに対称になるように配置することを特徴とする請求項11記載の光学的検査方法。
  13. 前記第1及び第2ビーム経路のそれぞれは、前記レンズユニットを構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つのレンズ内に空間を有するように設けることを特徴とする請求項11記載の光学的検査方法。
  14. 前記空間のそれぞれは、開いたスリット形状またはホール形状を有することを特徴とする請求項13記載の光学的検査方法。
  15. 前記第1及び第2ビーム経路のそれぞれは、前記レンズユニットを構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つのレンズ内に平面部を有するように設けられることを特徴とする請求項11記載の光学的検査方法。
  16. 前記平面部のそれぞれは、互いに平行な上部面及び下部面を有することを特徴とする請求項15記載の光学的検査方法。
  17. 前記基板を前記レンズユニットの焦点距離に位置させる段階は、
    前記レンズユニットに固定された補助光源を用いて前記基板上に補助斜入射光を照射して前記レンズユニットに固定されたセンシングユニットに向かう補助反射光を生成させる段階と、
    前記補助反射光が前記センシングユニットの特定センサに照射されるまで前記基板と前記レンズユニットとの間の距離を変化させる段階と、
    を含むことを特徴とする請求項12記載の光学的検査方法。
  18. 前記補助斜入射光は、前記第1ビーム経路を経て照射され、前記補助反射光は前記第2ビーム経路を経て反射されることを特徴とする請求項17記載の光学的検査方法。
  19. 前記基板と前記レンズユニットとの間の距離は、前記基板及び前記レンズユニットのうち、少なくともいずれか1つを上/下に移動させることによって変化させることを特徴とする請求項17記載の光学的検査方法。
  20. 前記メイン入射光は、前記レンズユニットに固定されたメイン光源を用いて前記第1ビーム経路を経るように提供するメイン斜入射光であり、前記メイン反射光は前記第2ビーム経路を経て前記レンズユニットに固定された光トラップによって捕獲され、前記メイン斜入射光が照射される間に前記基板の表面からの散乱光は前記レンズユニットを介して前記カメラに照射されることを特徴とする請求項11記載の光学的検査方法。
  21. 前記メイン入射光は、前記レンズユニットと前記カメラとの間に設けられたビームスプリッタを介して前記基板上に照射されるメイン垂直入射光であり、前記メイン反射光は前記基板の表面から反射されるメイン垂直反射光であり、前記メイン垂直入射光が照射される間に前記基板の表面からの散乱光及び前記メイン垂直反射光は前記レンズユニット及び前記ビームスプリッタを介して前記カメラに照射されることを特徴とする請求項11記載の光学的検査方法。
  22. 前記メイン入射光は、前記レンズユニットに固定されたメイン光源を用いて提供されることを特徴とする請求項21記載の光学的検査方法。
  23. 前記補助斜入射光のビームサイズは、前記メイン入射光のビームサイズよりも小さいことを特徴とする請求項17記載の光学的検査方法。
  24. 垂直方向に対して互いに対称となるように傾斜された第1及び第2ビーム経路を内部に有するレンズモジュールを含み、前記ビーム経路を通過する光は直進することを特徴とするレンズユニット。
  25. 前記レンズモジュールを取り囲むレンズハウジングをさらに含み、前記レンズハウジングは前記レンズモジュールの前記傾斜された第1及び第2ビーム経路にそれぞれ整列された第1及び第2ビーム経路を有することを特徴とする請求項24記載のレンズユニット。
  26. 前記レンズモジュール及び前記レンズハウジングを貫通する前記第1及び第2ビーム経路は、空間であることを特徴とする請求項25記載のレンズユニット。
  27. 前記レンズモジュールを貫通する前記第1及び第2ビーム経路は、それぞれ複数個の第1空間及び複数個の第2空間を備え、複数個のメイン光源からの光を同時に収容することを特徴とする請求項25記載のレンズユニット。
  28. 前記空間は、スリット形状を有することを特徴とする請求項26記載のレンズユニット。
  29. 前記空間は、ホール形状を有することを特徴とする請求項26記載のレンズユニット。
  30. 前記第1及び第2ビーム経路は、それぞれ前記レンズモジュールを構成する複数個のレンズのうち、少なくとも1つのレンズに形成された第1及び第2平面部を具備し、前記第1及び第2平面部のそれぞれは互いに平行な上部面及び下部面を有することを特徴とする請求項24記載のレンズユニット。
  31. 前記平面部は、前記レンズの外周面から離隔されることを特徴とする請求項30記載のレンズユニット。
JP2006183734A 2005-07-18 2006-07-03 内部に少なくとも一対のビーム経路を有するレンズユニットを具備する光学的検査装置及びこれを用いて基板の表面欠陥を検出する方法 Pending JP2007024876A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050064971A KR100663365B1 (ko) 2005-07-18 2005-07-18 내부에 적어도 한 쌍의 빔 경로들을 갖는 렌즈 유니트를구비하는 광학적 검사장비들 및 이를 사용하여 기판의 표면결함들을 검출하는 방법들

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007024876A true JP2007024876A (ja) 2007-02-01

Family

ID=37661368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006183734A Pending JP2007024876A (ja) 2005-07-18 2006-07-03 内部に少なくとも一対のビーム経路を有するレンズユニットを具備する光学的検査装置及びこれを用いて基板の表面欠陥を検出する方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7728966B2 (ja)
JP (1) JP2007024876A (ja)
KR (1) KR100663365B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016085212A (ja) * 2014-10-22 2016-05-19 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. 欠陥検出システム及び方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
WO2008086282A2 (en) * 2007-01-05 2008-07-17 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US8213704B2 (en) * 2007-05-09 2012-07-03 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7796804B2 (en) 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
WO2010014609A2 (en) 2008-07-28 2010-02-04 Kla-Tencor Corporation Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer
US8775101B2 (en) 2009-02-13 2014-07-08 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
EP2457251A4 (en) * 2009-07-22 2017-11-08 KLA-Tencor Corporation Dark field inspection system with ring illumination
US9608460B2 (en) * 2009-07-30 2017-03-28 Aerovironment, Inc. Remote rechargeable monitoring system and method
US8781781B2 (en) 2010-07-30 2014-07-15 Kla-Tencor Corp. Dynamic care areas
US20120057154A1 (en) * 2010-09-08 2012-03-08 Andrei Brunfeld Optical measuring system with matched collection lens and detector light guide
US20120057172A1 (en) * 2010-09-08 2012-03-08 Andrei Brunfeld Optical measuring system with illumination provided through a void in a collecting lens
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US9087367B2 (en) 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US9402036B2 (en) * 2011-10-17 2016-07-26 Rudolph Technologies, Inc. Scanning operation with concurrent focus and inspection
US8831334B2 (en) 2012-01-20 2014-09-09 Kla-Tencor Corp. Segmentation for wafer inspection
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
KR102019534B1 (ko) 2013-02-01 2019-09-09 케이엘에이 코포레이션 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
US10408766B2 (en) * 2015-02-04 2019-09-10 Bosch Packaging Technology K.K. Inspection device and inspection system
KR102298103B1 (ko) * 2015-02-16 2021-09-07 삼성디스플레이 주식회사 표면 검사 장치
FR3049043B1 (fr) * 2016-03-21 2019-11-22 Centre National D'etudes Spatiales (Cnes) Dispositif d'eclairage pour analyse d'objet ayant au moins une surface polie reflechissante et/ou transparente et systeme associe
CN109056200A (zh) * 2018-09-04 2018-12-21 福恩达机器人(昆山)有限公司 一种缝纫机的布料边界识别方法和传感器及其识别装置
US11733172B2 (en) * 2020-05-15 2023-08-22 Kla Corporation Apparatus and method for rotating an optical objective

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4679937A (en) * 1985-10-18 1987-07-14 Spectra-Physics, Inc. Self leveling transmitter for laser alignment systems
US5428442A (en) * 1993-09-30 1995-06-27 Optical Specialties, Inc. Inspection system with in-lens, off-axis illuminator
US5631733A (en) * 1995-01-20 1997-05-20 Photon Dynamics, Inc. Large area defect monitor tool for manufacture of clean surfaces
JPH08233747A (ja) 1995-02-24 1996-09-13 Mitsubishi Electric Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP3494762B2 (ja) 1995-07-19 2004-02-09 富士通株式会社 表面欠陥検査装置
AU6942998A (en) * 1997-03-31 1998-10-22 Microtherm, Llc Optical inspection module and method for detecting particles and defects on substrates in integrated process tools
JP3185878B2 (ja) 1998-09-25 2001-07-11 日本電気株式会社 光学的検査装置
US20020180959A1 (en) * 2001-05-30 2002-12-05 Hiroshi Nakajima Optical system for detecting surface defects and disk tester and disk testing method utilizing the same optical system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016085212A (ja) * 2014-10-22 2016-05-19 東友ファインケム株式会社Dongwoo Fine−Chem Co., Ltd. 欠陥検出システム及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7728966B2 (en) 2010-06-01
KR100663365B1 (ko) 2007-01-02
US20070013901A1 (en) 2007-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007024876A (ja) 内部に少なくとも一対のビーム経路を有するレンズユニットを具備する光学的検査装置及びこれを用いて基板の表面欠陥を検出する方法
KR102525814B1 (ko) 반도체 웨이퍼 검사용 3차원 이미징
JP6850332B2 (ja) イメージングシステム
US9645097B2 (en) In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning
CN109642875B (zh) 用于原位工艺监测和控制的光谱反射测量法
JP5765345B2 (ja) 検査装置、検査方法、露光方法、および半導体デバイスの製造方法
US9612209B2 (en) Apparatus and methods for detecting defects in vertical memory
US9329137B2 (en) Defect inspection method and device using same
JP7478738B2 (ja) 計測システム及び方法
JP2006135211A (ja) 表面検査装置および表面検査方法および露光システム
JP2010096554A (ja) 欠陥検出方法の高感度化
US6407809B1 (en) Optical inspection system and method
US20220214285A1 (en) Scanning scatterometry overlay measurement
WO2011036838A1 (ja) 欠陥検査方法及びその装置
JP4663725B2 (ja) 端部傷検査装置
US7142315B1 (en) Slit confocal autofocus system
JP2010181317A (ja) 欠陥検査装置
JP6067083B2 (ja) 欠陥検査方法及びその装置
EP1058111A2 (en) Optical inspection system and method
JP4654408B2 (ja) 検査装置、検査方法及びパターン基板の製造方法
JP2007005690A (ja) 半導体装置用検査装置およびこれを用いた半導体装置の検査方法
US11921270B2 (en) Inspection system including reference specimen and method of forming semiconductor device
KR102297038B1 (ko) 펠리클 멤브레인의 검사 데이터베이스 구축 방법 및 그 데이터베이스를 이용한 펠리클 멤브레인의 검사 방법
TW201516396A (zh) 具有粒子掃描的基板處理系統及其操作方法
JP2011141135A (ja) 表面検査装置