JP2007023387A - 基板成膜用真空クラスタ（変形） - Google Patents

Abstract

【課題】部材面から基板への汚染物質・不純物が少なく膜厚が均質かつ均一で、メンテナンスを行いやすく生産性が高い基板成膜用真空クラスタを提供する。
【解決手段】真空チャンバと、基板の位置決めのための基板ホルダと、基板に成膜するための処理装置と、前記基板ホルダおよび／または基板の表面に平行に相互移動し得るように装着された処理装置搬送機構とを備える真空クラスタにおいて、真空チャンバに、主区画部と少なくとも１つの処理区画部とを設け、処理装置を、真空チャンバの処理区画部内に配置し、基板ホルダおよび／または基板の表面に平行に真空チャンバの主区画部内を相互移動させ得るように装着し、処理装置搬送機構を、真空チャンバの外側に配置し基板ホルダにより処理装置と連結する。
【選択図】図１

Description

ここに提案する真空クラスタおよびその変形は、例えば、受像管、フラットディスプレイなどの、大型基板を含む、基板に材料を真空蒸着させる分野において使用され、基板の前面に多層薄膜を成膜することを目的としており、また、マルチクラスタ真空プラントにおいて種々の材料から多成分・多層化した膜を成膜するために使用し得る。

組み立て後に受像管（陰極線管（ＣＲＴ））の外側の面に薄膜を成膜する既知の方法および装置がある。

既知の装置では、異なる粗引き装置（differential roughing system）を有する堆積チャンバは、堆積ゾーンと粗引きゾーン（roughing zone）（排気ゾーン）とからなる。

プラントの作動工程では、堆積ゾーン内の圧力は、１×１０^−１から８×１０^−１Ｐａであり、粗引きゾーンでは、５×１０^−３から７×１０^−２Ｐａである。

基板ホルダ内に配置されたＣＲＴは、真空チャンバに沿って移動する。この場合、基板ホルダには、真空チャンバの容積を、堆積ゾーンと粗引きゾーンとの２つのゾーンに分割するバリヤプレートが設けられる。既知のプラントでは、例えば、表面の静電放電の除去を促進するＣＲＴスクリーンの保持リングへ、または他の接地領域に隣接した表面の部分へマグネトロン堆積することにより、真空中において導電性コーティングを堆積させる（例えば、特許文献１を参照）。

しかしながら、既知のプラントには、本質的な欠点がある。

逐次処理プラントなので、生産性が低い。あるいは、組み立てられたＣＲＴが真空チャンバ内を移動することによって、部材の表面から種々の汚染物質および望ましくない不純物が入り被成膜面に堆積してしまう。その結果、要求される成膜の質が保証されない。この場合、成膜されるＣＲＴをプラントの中に連続して一定の流れで配置するときに、装置の個々のユニットが故障すると、装置の運転が完全に停止されてしまう。それによって、プラントの信頼性と有用度とが低下し、これに伴い、生産性が低下する。

さらに、既知のプラントでは、装置の生産性に応じて材料を堆積させて成膜する１つのＣＲＴごとの消費電力を減少させることができない。それは、装置の全てのユニットが、装置全体を作動させることを保証するように正確に機能するからである。

基板を配置するための開口部と、密閉要素と、膜を堆積させるための処理装置とが設けられた真空チャンバを備える真空スパッタリング装置もまた知られている（例えば、特許文献２を参照）。

あるいは、基板に成膜するための真空モジュール（その変形）およびモジュールの装置が、知られており、本装置は、基板を配置するための開口部と、密閉要素と、膜を堆積させるための処理装置と、真空ゲートバルブと、基板表面に平行に往復動し得るように装着された処理装置搬送機構と、が設けられた真空チャンバを備える（例えば、特許文献３を参照）。

真空堆積プラント、その設計を変更した真空モジュール、およびモジュールの装置は、高品質の薄膜多層化膜を生成するために基板に材料を真空堆積させる分野において使用することを目的とする。

しかしながら、真空下で基板に成膜するための、既知の全ての装置には共通の重大な欠点がある。すなわち、
・膜自体が汚染され、欠陥率が高いため、膜のしかるべき品質が保証されないこと、
・予防および調整のためのメンテナンスをしても、耐用期間が短いこと、
・膜厚が、均質および均一でなくなること、
・生産性が要求に達しないこと。

よって、処理装置を有するキャリッジを真空チャンバ内において移動させて、堆積プロセスにおいて望ましくない汚染物質が膜に積もることによって、膜の清浄さ、欠陥率、よってその品質にもっとも深刻な影響が生じる。

あるいは、キャリッジ移動中に真空チャンバ内に配置される種々の連通用（水、ガス、電力供給用）構成要素には、十分かつ頻繁に費用のかかる、熱および熱放射流から保護するための処置が必要である。熱および熱放射流の影響によって、これらの構成要素の表面が、破壊され、真空の程度が下がり、被膜自体がそれぞれさらに劣化するからである。

最後に、成膜プロセスが行われる真空チャンバ内における処理装置の構成によって、ある特定の容積の真空チャンバ内にこのような装置を多く使用することは、著しく制限され、すなわち、この容積をかなり拡張する必要がある。この場合、予防的な作業と作動作業との間の連続作動時間は、短くなり、よって、装置全体の生産性が低くなる。
米国特許第５４８９３６９号明細書 独国特許発明第Ｐ４３１３３５３．３号明細書 ユーラシア特許公開第００３１４８号明細書

ここに提案する本発明の目的は、堆積される膜の品質を改善し、生産性を上げ、同様の目的のプラントの機能および技術的な特徴を改善することである。

ここに挙げた問題は、基板に成膜するための真空クラスタ内に真空チャンバを設けることによって解決され、この真空チャンバは、上記真空チャンバと、基板の位置決めのための基板ホルダと、基板に成膜するための処理装置と、基板および／または基板ホルダ表面に平行に往復動し得るように装着された処理装置搬送機構と、を備える。本発明（変形１）によれば、真空チャンバは、主区画部と、少なくとも一つの処理区画部とを有し、処理装置は、真空チャンバの処理区画部内に配置され、基板ホルダおよび／または基板の面に平行に真空チャンバの主区画部内に往復動し得るように装着され、処理装置搬送機構は、真空チャンバの外側に配置され、処理装置に供給するための連通構成要素が設けられたホルダにより処理装置に連結されている。

本発明の第２の変形によれば、真空チャンバには、主区画部と少なくとも一つの処理区画部とが、設けられ、真空チャンバの主区画部には、開口部および真空ゲートバルブが設けられ、当該開口部および真空ゲートバルブは、主区画部を処理区画部と連結して単一の処理ユニットにするように、基板ホルダおよび／または基板の面に垂直な面に配置され、処理区画部は、別個のユニットとして設計され真空チャンバの主区画部に接合され、処理装置は、基板ホルダおよび／または基板の面と平行に真空チャンバの主区画部内に往復動し得るように、処理区画部内に装着され、処理装置搬送機構は、真空チャンバの外側に配置され、処理装置に供給を行う連通構成要素が設けられたホルダにより処理装置に連結される。

ホルダは、中空の円筒形の管として設計され、この管は、搬送機構および処理装置と堅固に連結されており、その内部に、ガスキャリア、水キャリア、電力キャリアとして使用される連通構成要素が、配置される。

あるいは、設計の変形のいずれかに係る、ここに提案するクラスタ内の真空チャンバは、２つまたはそれ以上の処理区画部を備え、各処理区画部は、それぞれ処理装置を備える。

処理装置は、処理装置搬送機構と連結されたプラットフォーム上に装着し、交換し得る複数の処理構成要素、すなわち、直線状に並べたエッチング、補助およびスパッタリング源と、ターゲットと、マグネトロンスパッタリング源と、基板を処理しその上に成膜するための基板加熱装置とを一組として設計し得る。

この場合、処理装置搬送機構は、搬送機構に堅固に連結されたキャリッジおよびホルダとして設計され、処理装置は、処理区画部および搬送機構と密閉式に連結された可撓性のあるベローズ内に配置される。

発明およびその設計の変形としての、基板に成膜するための真空クラスタの設計は、同様の目的の既知の装置と比較して明らかに利点を有する。

例えば、真空下で機構が移動すると表面が摩耗することにより生じる汚染物質の量が、クレームした設計に係る真空チャンバの外側への処理装置搬送機構の配置により、相当減少し得る。

処理装置を作動させるための連通構成要素（ガスキャリア、水キャリアおよび電力キャリア）を、真空チャンバの外側に延びる中空円筒形ホルダ内に備えることもまた、汚染物質の減少に役立つ。この場合、ホルダの長さは、成膜時に基板に対する処理装置の移動プロセスの程度により選択される。ホルダ自体は、連通構成要素の表面を熱および熱放射流の影響から保護する保護スクリーンとして役に立つ。

この場合、変形２に係る真空チャンバの技術的な区画部を、真空チャンバに接合される別個のユニットとして設計し得るので、真空チャンバの主区画部は、成膜区画部として、また処理区画部として、すなわち処理装置を収容する区画部として役立つ。

この場合、連通構成要素（ガスキャリア、水キャリアおよび電力キャリア）の真空チャンバへの装着は、円筒形のホルダ内においてすでに作動されていることから不要であるが、真空チャンバに別々に装着し、真空チャンバ上で別々に機能させてもよい。したがって、真空チャンバ内に汚染物質がさらに入ることは、実際に、減少してゼロになる。

（真空クラスタの設計の両方の変形における）可撓性のあるベローズを、連通構成要素を真空密閉するために使用する。この場合、ベローズの一方の側が処理区画部と真空気密連結され、また他方の側が真空チャンバの外側に配置された搬送機構と真空気密連結されることが、保証される。

ベローズを伸縮させても気密性を保持し得ることによって、主区画部内における処理装置の動きを妨げずに基板表面をスキャンし得る。

開口部および真空ゲートバルブが主区画部と技術的区画部との間に装着される（変形２）ことによって、真空チャンバの気密性を失わせずに処理装置のメンテナンスまたは交換を一方の側から行うことができ、よって、予防的作業の間の時間が増し、プラントの生産性が全体として向上する。

もっとも広範囲の材料から多層膜を成膜するのに必要な多数の処理装置を使用する場合、いくつかの、例えば３つの処理区画部を、真空チャンバの主区画部に接合することができ、各処理区画部は、処理装置を備える。成膜時に処理装置を主区画部に入れるので、処理装置自体の汚染は著しく減少し、成膜するのに必要な真空パラメータの安定性が保証される。上記の全てによって、当然、基板に塗布される被膜が高品質になることが保証される。

本発明により、真空チャンバの外側に延びるように搬送機構を設計することによって、真空チャンバ内の真空を失わせずに、必要に応じて、予防的および補修作業を行うことができ、よって、プラント全体の生産性が高くなる。

図１に、単一の処理区画部の真空空間が隔てられていない（変形１に係る）真空クラスタの概略図を示す。図２に、単一の処理区画部と、開口部と、必要に応じて、主要な区画部を処理区画部から隔てるための真空ゲートバルブとを有する（変形２による）真空クラスタ全体の概略図を示す。図３に、２つの処理区画部を有する（変形１および２に係る）真空クラスタの概略図を示す。

基板に成膜することを目的として第1の変形（図１）によって設計された真空クラスタは、主区画部２および処理区画部３を有する真空チャンバ１と、基板５を有する基板ホルダ４と、基板５に成膜することを目的として主区画部３内に配置された処理装置６と、処理装置６を搬送する機構７と、処理装置６に連結されたホルダ８と、処理装置６が装着されたプラットフォーム９と、ホルダ８の内部に連通構成要素１１が配置されたホルダ８がその内部にあるベローズ１０と、を備える。

ベローズ１０は、ホルダ８を周囲から隔て、ホルダ８を真空空間内に密閉し得る。

ベローズ１０を伸縮させるときに気密性を保持できるので、搬送機構７により処理装置６を基板５に対して相対移動させることにより、基板表面に成膜するときに基板表面をスキャンし得る。

ホルダ８は、中空の円筒形の管として設計されており、その内部に、処理装置６の作動を保証する連通構成要素１１が組み込まれている。

その設計の第1の変形とは異なって、第２の変形により設計された真空クラスタ（図２）には、開口部１２と、真空ゲートバルブ１３とが設けられており、この真空ゲートバルブ１３は、基板ホルダ４および／または基板５の面に垂直な面内に装着され、真空チャンバ１の主区画部２を主区画部３と連結することを目的とする。

あるいは、真空クラスタの設計の第２の変形に係る処理区画部３を、真空チャンバ１の主区画部２に接合された別のユニットとして設計する。

図３に、２つの処理区画部３および３'を備える真空クラスタを示す。主区画部３'および主区画部３は、基板５に成膜することを目的として主区画部３'内に配置される処理装置６’と、処理装置６’を搬送する機構７’と、処理装置６’および搬送機構７’に連結されたホルダ８'と、、処理装置６’が装着されるプラットフォーム９'と、連通構成要素１１'を有するホルダ８'がその内部にあるベローズ１０'と、を備える。

装置の作動を理解しやすくするために、図３に、一例として、基板５を入れることを目的として真空チャンバ１の主区画部２内にスリットゲートバルブ１５が形成された側方開口部１４を示す。このような開口部は、真空クラスタの設計の各変形に存在する。しかしながら、これらの開口部を真空クラスタ主区画部に形成する変形では、どこに（例えば、主区画部２の上部または側部に）あってもよいので、図１および図２にはこれらの開口部を示していない。

（変形１および２に係る）発明として提案する基板に成膜するための真空クラスタは、以下のように作動する。

基板５を、側方開口部１４から、真空チャンバ１の主区画部２内に配置した基板ホルダ４内に配置する。次に、スリットゲートバルブ１５を閉じ、真空チャンバ１を残留圧力に排気する（例えば、５×１０^−４−１０^−５Ｐａ）。

冷却流体、作用ガスおよび電力が、ベローズ１０内に配置された連通構成要素１１により処理装置６に供給され、本装置が、作動モードに入る。次に、搬送機構７が、始動され、処理装置６により、主区画部２内に配置された基板５に膜が堆積される。

主区画部３内に配置された処理装置６の、主区画部２内への移動は、真空チャンバ１の外側に配置された搬送機構７により行い得る。

処理装置６は、主区画部２内を往復動している間に、特定のプログラムに従って、基板５に成膜する。

成膜プロセスが完了すると、処理装置６は、初期位置から主区画部３内へ移動する。

次に、基板５が、真空チャンバ１の主区画部２から取り出される。このために、スリットゲートバルブ１５が開かれて、側方開口部１４を通って基板５がチャンバ１から出される。

開口部１２と、真空クラスタの設計の第２の変形において提供される、主区画部２と処理区画部３（図２）との間に配置された真空ゲートバルブ１３とによって、以下のことが可能である。
・主区画部内の真空を失わせずに、処理装置のメンテナンスまたは交換を行えること、
・予防的な作業の間の時間が長くなること、よって、真空クラスタの生産性が上がること。

あるいは、処理装置６をそれぞれ備えるいくつか（２つまたはそれ以上）の各処理区画部３を、真空チャンバ１の主区画部２に接合し得る。

よって、図３に、真空チャンバ１の主区画部２に、処理装置６を備える処理区画部３と処理装置６’を備える処理区画部３'とが連結された真空チャンバ１を示す。

基板５を、給送し、基板ホルダ４から側方開口部１４を通って取り出す。

主区画部２内に配置された基板を交互に処理する処理装置をより多く使用するこのような設計にすることによって、コストにおいて、設備の機能性が高まる。

プラットフォーム９に配置される処理装置６（図３）の交換し得る構成要素として、以下の、陽極層と、２位置回転型ターゲットを有する加速器型のイオンスパッタリング源とが、使用される。プラットフォーム９’に配置される処理装置６’（図３）の交換し得る構成要素として、連続した平板マグネトロンおよび線形ＩＲ（赤外線）基板加熱装置が、使用される。

この場合、多数の種々の材料から多成分・多層膜を効率的に形成し得る。装置自体の汚染程度は、著しく減少し、これは、堆積プロセスが行われる主区画部２内において装置が交互に入れ替わるからである。

変形によって設計された真空クラスタを使用して基板に成膜する当該技術の特定の実施例をここに示す。

基板５を、真空チャンバ１の主区画部２の側方開口部１４を通って基板ホルダ４内に配置し、スリットゲートバルブ１５を閉鎖する。基板５を、大気中から側方開口部１４を通って給送するか、または１つを超える真空クラスタを使用する場合、側方開口部１４を通って搬送真空チャンバから真空下で単一の搬送システムにより給送する（図３）。

主区画部２内の圧力は、１０^−４Ｐａになる。冷水およびアルゴン−酸素の混合物が、９５％：５％の割合で、処理区画部６内に配置されたイオン源内に給送される。

この場合、主区画部内の全圧力は、５×１０^−２Ｐａであり、真空チャンバの外側から給送される水温は、１５℃から１８℃である。

４ｋＶの正電位が、イオン源の陽極にかけられ、この陽極は、交換可能な、放電を行う構成要素として処理装置６内に備えられている。イオン源は、セラミックＩＴＯ（酸化インジウム錫）ターゲット（９０％Ｉｎ２Ｏ３、１０％ＳｎＯ２）に向けられるイオンビームを生成する。

搬送機構７が、作動し、プラットフォーム９が、装着されたプロセス構成要素（イオン源およびターゲット）とともに、主区画部２内へ移動され、その中を基板５に対して往復動する。

膜が、クォーツセンサにより化学量論的組成および厚さに制御される。特定の厚さに到達すると、処理装置６を有するプラットフォーム９は、主区画部３へ戻り、処理が中止される。

スリットゲートバルブ１５が開放され、基板５が、側方開口部１４を通って取り出される（図３）。

真空クラスタの設計の第２の変形において、開口部１２および真空ゲートバルブ１３が、主処理区画部と技術的区画部との間に設けられる場合、成膜プロセスは、同様に行われる。

上記の部材は、主区画部３内の真空を維持することを目的としているが、（図２の）真空ゲートバルブ１３は、基板５を主区画部２内へ搬送する前に主区画部と処理区画部との間の開口部１２を遮断し、それと同時に、処理装置６を真空状態下で主区画部３内に密閉することのみが相違している。

真空チャンバ１の主区画部２を迅速に粗引きする（rough）ことができ、処理サイクル時間を短縮し、設備の生産性を高くすることができる。

一つを超える処理区画部を使用する場合、成膜プロセスは、以下のように行われる（図３）。

基板５が、真空チャンバから、マルチクラスタシステムの場合のように側方開口部１４を通って真空クラスタの主区画部２内へ移動され、基板ホルダ４内に配置される。次に、スリットゲートバルブ１５が、閉鎖される。

処理区画部３内に配置された処理装置６と、処理区画部３’内に配置された処理装置６’とには、以下の交換可能な構成要素、すなわち、スパッタリングされる銀（Ａｇ）ターゲットを処理装置６のプラットフォーム９上に有するイオンビーム源と、ＩＴＯターゲットを処理装置６’のプラットフォーム９’上に有するＩＲ加熱装置およびマグネトロンとが備え付けられている。

主区画部内の圧力は、１０^−４Ｐａである。装置６’は、機構７’により、処理区画部３’から主区画部２内へ移動され、基板５への成膜を行う。

処理装置６’を基板５の表面に対して相対移動させている間、ＩＲ加熱装置が、始動し、基板温度を２５０℃にする。次に、アルゴン−酸素の混合物が、それぞれ、８４％：１６％で、真空チャンバ１内に給送される。次に、主区画部２内の圧力を５×１０^−１Ｐａにする。

４８０Ｖの負の電位が、マグネトロンにかけられ、厚さ４００ÅのＩＴＯ膜に、５．３Ａの放電がかけられる。次に、処理装置６’が、処理区画部３’に移動され停止される。

処理区画部３内に配置されるイオン源は、アルゴンで満たされて、圧力が６×１０^−２Ｐａになり、４．０ｋＶの電位がかけられる。次に、電流が３４０ｍＡでターゲットに向けられるイオンビームが生成される。

キャリッジとして設計された搬送機構７が、処理装置６のプラットフォーム９上に配置されたイオン源を主区画部２内に移動させる。次に、処理装置６が、基板５に成膜を行い、その表面に厚さが１５０ÅのＡｇ膜が、形成される。

次に、処理装置６は、処理区画部３内に戻されて停止される。

最終層、厚さが４００ÅのＩＴＯ膜が、処理区画部３’内に配置された処理装置６’により、第１の膜が生成されたのと全く同様に形成される。

成膜プロセスが終了すると、スリットゲートバルブ１５が開かれ、基板５が、主区画部２から側方開口部１４を通ってマルチクラスタプラントの共通の搬送チャンバ内へ移動される。

したがって、発明としてここに提案するもっとも広範囲の標準サイズの基板に成膜することを目的とした真空クラスタおよびその変形の設計によって、ここにクレームするプラントの多機能性および高生産性が保証される。

真空システムの外側から導入される搬送機構によって、必要に応じて、チャンバ内の真空を失わせずに搬送機構を予防的にかつ最新にメンテナンスし得る。

処理装置のプラットフォーム上に装着された処理構成要素を交換し得ることによって、タスクセットにより異なるこれらの構成要素をプラットフォーム上に構成することにかかる時間が削減される。

処理区画部を独立させて設計することによって、２つまたはそれ以上の区画部を使用して、真空チャンバの主区画部の容量を拡張せずにこれらの区画部を独立した処理ユニットとしての主区画部に接合することにより、プラントの多機能性が得られる。

可撓性のあるベローズにより連通構成要素がホルダ内に配置されホルダが密閉されることによって、連通構成要素は、熱および熱放射の影響から保護され、また、耐用期間が延び、成膜時に種々の汚染物質が基板表面に達することが妨げられる。

真空ゲートバルブを有する開口部が存在することによって、主区画部および処理区画部の一方の気密性が失われた時に他方の中の真空を維持しながら、主区画部を処理区画部から隔てることができ、これは、プラント全体としての生産性を高めることに役立つ。

設けられた装置の部材によって、種々の標準的サイズの基板の広範囲の材料から高品質の薄膜を得られる。

ここに発明として提案する、基板に成膜するための真空クラスタおよびその変形は、多目的であり、工業条件において応用され得る。

一発明として提案する真空クラスタおよびその設計の変形を示す図である。 一発明として提案する真空クラスタおよびその設計の変形を示す図である。 一発明として提案する真空クラスタおよびその設計の変形を示す図である。

符号の説明

１： 真空チャンバ
２： 主区画部
３： 処理区画部
４： 基板ホルダ
５： 基板
６： 処理装置
７： 搬送機構
８： ホルダ
９： プラットフォーム
１０： ベローズ
１２： 開口部
１３： 真空ゲートバルブ
１４： 側方開口部
１５： スリットゲートバルブ

Claims (11)

1. 基板に成膜するための真空クラスタであって、
   真空チャンバと、
   基板の位置決めのための基板ホルダと、
   基板に成膜するための処理装置と、
   前記基板ホルダおよび／または基板の表面に平行に往復動し得るように装着された処理装置搬送機構と、
   を備え、
   前記真空チャンバには、主区画部と、少なくとも１つの処理区画部とが設けられ、
   前記処理装置は、前記真空チャンバの処理区画部内に配置され、前記基板ホルダおよび／または基板の表面に平行に前記真空チャンバの主区画部内に往復動し得るように装着され、
   前記処理装置搬送機構は、前記真空チャンバの外側に配置され、前記基板ホルダにより前記処理装置と連結されていることを特徴とする真空クラスタ。
2. 基板に成膜するための真空クラスタであって、
   開口部が設けられた真空チャンバと、
   基板を装着するための基板ホルダと、
   基板に成膜する処理装置と、
   前記基板ホルダおよび／または基板の表面に平行に往復動し得るように装着された処理装置搬送機構と、
   真空ゲートバルブと、
   を備え、
   前記真空チャンバには、主区画部と、少なくとも１つの処理区画部とが設けられ、
   前記真空チャンバの主区画部には、開口部と、真空ゲートバルブとが設けられ、
   当該開口部と真空ゲートバルブとは、前記主区画部を前記処理区画部と連結して単一の処理ユニットにするように、前記基板ホルダおよび／または基板の面に垂直な面に配置され、
   前記処理区画部は、別個のユニットとして設計され前記真空チャンバの主区画部に接合され、
   前記処理装置は、前記基板ホルダおよび／または基板の面に平行に前記真空チャンバの主区画部内へ往復動し得るように、処理区画部内に装着され、
   前記処理装置搬送機構は、前記真空チャンバの外側に配置され、前記基板ホルダにより前記処理装置と連結されることを特徴とする真空クラスタ。
3. 前記真空チャンバは、２つまたはそれ以上の前記処理区画部を備え、各処理区画部は、前記処理装置を含むことを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の真空クラスタ。
4. 前記処理装置は、複数の処理構成要素、すなわち、直線状に並べたエッチング、補助およびスパッタリング源と、ターゲットと、マグネトロンスパッタリング源と、基板を処理しその上に成膜するための基板加熱装置とを一組として設計されることを特徴とする請求項１、２、３のいずれかに記載の真空クラスタ。
5. 前記処理構成要素は、交換可能に設計されていることを特徴とする請求項４に記載の真空クラスタ。
6. 前記処理装置は、前記処理装置搬送機構に連結されたプラットフォームに装着されることを特徴とする請求項１、２、３または４のいずれかに記載の真空クラスタ。
7. 前記処理装置搬送機構は、キャリッジとして設計されることを特徴とする請求項１、２、６のいずれかに記載の真空クラスタ。
8. 前記基板ホルダは、前記搬送機構および処理装置と強固に連結される中空の管として設計されることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の真空クラスタ。
9. 前記基板ホルダは、前記処理区画部および搬送機構と密閉式に連結された前記可撓性のあるベローズ内に配置されていることを特徴とする請求項１、２、８のいずれかに記載の真空クラスタ。
10. 前記処理装置に電力を供給するための連通要素が、前記基板ホルダ内に配置されることを特徴とする請求項１、２、８、９のいずれかに記載の真空クラスタ。
11. 前記ガス、水および電気キャリアが、前記連通要素として使用されることを特徴とする請求項１０に記載の真空クラスタ。

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