JP2007019378A - 電子部品、その電子部品を積層してなる積層型部品モジュール及びその電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細な貫通穴及び導電路を低コストかつ短時間で形成することができ、しかも貫通穴のアスペクト比に関係なく、貫通穴内に電極を形成することができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】型21の成形面に高分子溶液を高湿度環境下で塗布して、複数の貫通穴51及び複数の非貫通穴52を有する絶縁性薄膜5を形成する。複数の貫通穴51のうちの特定の貫通穴51に金属ナノ粒子を吹きつけて充填し、焼成することによって複数の電極7を形成する。複数の非貫通穴52のうちの特定の非貫通穴52´と電極7との間に金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって複数の導電路9を形成する。
【選択図】図1D
【解決手段】型21の成形面に高分子溶液を高湿度環境下で塗布して、複数の貫通穴51及び複数の非貫通穴52を有する絶縁性薄膜5を形成する。複数の貫通穴51のうちの特定の貫通穴51に金属ナノ粒子を吹きつけて充填し、焼成することによって複数の電極7を形成する。複数の非貫通穴52のうちの特定の非貫通穴52´と電極7との間に金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって複数の導電路9を形成する。
【選択図】図1D
Description
この発明は高分子材料で形成された絶縁性薄膜を備える電子部品、この電子部品を積層して構成された積層型部品モジュール及び電子部品の製造方法に関する。
従来、コア層と第1配線層と第2配線層とを備える部品内蔵モジュールが知られている(下記特許文献1参照)。
コア層には能動部品である半導体及び受動部品であるチップ部品が内蔵されている。コア層の一面には第1配線パターンが形成されている。半導体及びチップ部品は第1配線パターン上に配置されている。コア層の他面には第2配線パターンが形成されている。また、コア層には貫通穴であるインナービアが形成されている。インナービアには導電性ペーストが充填されている。この導電性ペーストにより第1配線パターンと第2配線パターンとが互いに接続されている。
コア層の一面には第1配線層が接合されている。第1配線層の一面には配線パターンが形成されている。この配線パターンは第1配線層に形成されたインナービアを通じてコア層の第1配線パターンに接続されている。
コア層の他面には第2配線層が接合されている。第2配線層の一面には配線パターンが形成されている。この配線パターンは第2配線層に形成されたインナービアを通じてコア層の第2配線パターンに接続されている。
この部品内蔵モジュールでは、インナービアとなる貫通穴は、レーザー加工法或いはパンチング加工法等によって形成される。
インナービアに充填される導電性ペーストは粒径がミクロン単位の金属粉と熱硬化性樹脂とを混合することによって作られる。導電性ペーストはスクリーン印刷法によってインナービアに充填される。この導電性ペーストを加熱して硬化させるによって層間を電気的に接続する電極が形成される。
導電路である配線パターンはエッチング法によって形成される。
特開2002−261449号公報(段落0055〜0059、図6参照)
上述のように、従来の部品内蔵モジュールでは、インナービアとなる貫通穴がレーザー加工法やパンチング加工法等によって形成されるが、パンチング加工法では微細な貫通穴を形成することができないので、部品内蔵モジュールの高密度化が困難である。このため、レーザー加工法を用いることが多い。
しかし、レーザー加工法を用いるには、レーザー加工装置を導入する必要があり、それが製造コストを高くする一因となっていた。更に、レーザー加工法によって貫通穴を形成する場合、貫通穴を1つずつ形成しなければならない。レーザー光を1ショットするのに要する時間は数ミリ秒と極めて短いが、多数の貫通穴を形成するには長時間を要する。このため、大量生産に対応することが困難であった。
また、配線パターンを形成するためにマスクを必要とするが、このマスクの価格は高いので、それが製造コストを更に高くする一因となっていた。
更に、上述のように導電性ペーストはスクリーン印刷法により貫通穴に充填されるので、貫通穴のアスペクト比(径と深さとの比)によっては導電性ペーストが貫通穴全体に行き渡らない虞があった。
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題は微細な貫通穴及び導電路を低コストかつ短時間で形成することができ、しかも貫通穴のアスペクト比に関係なく、貫通穴内に電極を形成することができる電子部品、積層型部品モジュール及び電子部品の製造方法を提供することである。
前述の課題を解決するため請求項1の発明の電子部品は、高分子材料で形成された絶縁性薄膜と、この薄膜の一方の面に形成された複数の導電路と、この導電路に接合されるとともに前記絶縁性薄膜の他方の面から突出する複数の電極とを備え、前記電極は、前記絶縁性薄膜の形成時に前記高分子材料の溶液の自己組織化によって形成された複数の貫通穴及び複数の非貫通穴のうちの特定の貫通穴に、金属ナノ粒子を吹きつけて充填し、焼成することによって形成され、前記導電路は、前記複数の非貫通穴のうちの特定の非貫通穴と前記電極との間に前記金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって形成されたことを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1記載の電子部品において、前記複数の電極のうちの特定の2つの電極間に位置する前記複数の非貫通穴のうちの特定の非貫通穴に金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって形成された受動部品又は能動部品を備えていることを特徴とする。
請求項3の発明の積層型部品モジュールは、前記請求項1又は2記載の電子部品を積層して、積層方向へ隣接する上の電子部品の電極と下の電子部品の導電路とを接合してなる。
請求項4の発明の電子部品の製造方法は、型の成形面に高分子材料の溶液を高湿度環境下で塗布して、複数の貫通穴及び複数の非貫通穴を有する絶縁性薄膜を形成する第1工程と、前記複数の貫通穴のうちの特定の貫通穴に金属ナノ粒子を吹きつけて充填し、焼成することによって複数の第1の電極を形成する第2工程と、前記複数の非貫通穴のうちの特定の非貫通穴と前記第1の電極との間に金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって複数の導電路を形成する第3工程とを含むことを特徴とする。
複数の貫通穴及び非貫通穴は、型の成形面に高分子材料の溶液を高湿度環境下で塗布した後の高分子材料の自己組織化によって形成される。
また、上述のように複数の第1の電極を貫通穴に金属ナノ粒子を吹きつけて充填して形成するようにしたので、金属ナノ粒子は貫通穴全体に行き渡る。
更に、上述のように複数の導電路を特定の非貫通穴と第1の電極との間に金属ナノ粒子を吹きつけて付着させて形成するようにしたので、導電路を形成するためにマスクを必要としない。
請求項5記載の発明は、請求項4記載の電子部品の製造方法において、前記型から前記絶縁性薄膜を剥離した後、前記絶縁性薄膜の底面に露出する前記第1の電極の一部に金属ナノ粒子を吹きつけるようにして付着させ、焼成することによって複数の第2電極を形成する第4工程を含むことを特徴とする。
以上説明したようにこの発明によれば、微細な貫通穴及び導電路を低コストかつ短時間で形成することができ、しかも貫通穴のアスペクト比に関係なく、貫通穴内に電極を形成することができる。
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1はこの発明の第1実施形態に係る電子部品の製造方法を説明するための図であり、図1Aは型の断面図、図1Bは型に高分子材料の溶液を散布した状態を示す断面図、図1Cは自己組織化により非貫通穴及び貫通穴が形成された絶縁性薄膜の断面図、図1Dは絶縁性薄膜に導電路を形成した状態を示す断面図、図1Eは絶縁性薄膜を型から外した状態を示す断面図、図1Fは絶縁性薄膜の下面にバンプを形成した状態を示す断面図、図1Gは絶縁性薄膜に半導体パッケージを実装した状態を示す断面図、図1Hは完成した状態の電子部品の断面図、図2Aは絶縁性薄膜に第1の電極を形成した状態を示す平面図、図2Bは絶縁性薄膜に導電路及び抵抗を形成した状態を示す平面図、図2Cは絶縁性薄膜には半導体パッケージを実装した状態を示す平面図、図2Dは完成した状態の電子部品の平面図である。
図1H及び図2Dに示すように、この電子部品は、絶縁性薄膜5と複数の導電路9と複数の電極(第1の電極)7とバンプ(第2の電極)11と抵抗(受動部品)13と半導体チップ(能動部品)15とを備える。
絶縁性薄膜5は高分子材料で形成されている。
複数の導電路9は絶縁性薄膜5の一方の面に形成されている。
複数の電極7はそれぞれ導電路9に接合される。
半導体チップ15はそのバンプ15aによって導電路9に接合されている。半導体チップ15と絶縁性薄膜5との間には熱硬化性樹脂であるアンダーフィル17が配置されている。
この電子部品は、バンプ11によって回路基板(図示せず)に実装される。
次に、この電子部品の製造方法について図1,2に基づいて説明する。
図1Aに示すように、まず、型21を作成する。型21は、基板21aと、この基板21aの上面に形成された円柱状の複数の突起21bとを有する。型21はシリコンで形成されている。突起21bは絶縁性薄膜5に貫通穴51を形成するためのものであるので、精度よく形成されている。
次に、常温で湿度が85%以上の雰囲気中で、図1Bに示すように、高分子溶液(高分子材料の溶液)3を型21の成形面に散布して付着させる。高分子溶液3としては、例えば、ポリメチルメタクリレートやポリイミド等の溶質を、非水溶性を有するベンゼンやクロロホルム等の溶媒に溶解させたものが挙げられる。この例では、溶媒1000mlに対して溶質を1g〜10g程度加える。
型21の成形面上の高分子溶液3を上述の雰囲気中で蒸発させると、図1Cに示すように自己組織化により、格子状に並ぶサブミクロンの大きさの無数の貫通穴51や非貫通穴52を有する絶縁性薄膜5が形成される。高分子溶液3の濃度が上述の範囲内であると、絶縁性薄膜5の突起21b上に形成される穴は貫通穴51となり、それ以外の部分に形成される穴は非貫通穴52となる。
上述の工程(第1工程)の後、図2Aに示すように、複数の貫通穴51のうちの特定の貫通穴51に金属ナノ粒子を吹きつけて充填し、焼成することによって複数の電極7を形成する(第2工程)。
第2工程の後、図1D、図2Bに示すように、複数の非貫通穴52のうちの特定の非貫通穴52´と電極7との間に金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって複数の導電路9を形成する(第3工程)。また、複数の電極7のうちの特定の2つの電極7´,7´間に位置する複数の非貫通穴52のうちの特定の非貫通穴52´に金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって抵抗(受動部品)13を形成する。
第3工程の後、図1Eに示すように、型21を絶縁性薄膜5から剥離する(剥離工程)。型21から剥離された絶縁性薄膜5の下面には、型21の突起21bによって凹部53が形成される。
この剥離工程の後、図1Fに示すように、絶縁性薄膜5の底面に露出する電極7の一部及びそれが位置する凹部53内に金属ナノ粒子を吹きつけるようにして付着させ、焼成することによって複数の球状のバンプ(第2電極)11を形成する(第4工程)。このとき、バンプ11と電極7とは一体化される。
このバンプ形成工程の後、図1G、図2Cに示すように、半導体チップ15を絶縁性薄膜5の中央に配置する。このとき、半導体チップ15のバンプ15aを導電路9の上に載せる。その後、超音波接合等の手段によって半導体チップ15のバンプ15aを導電路9に実装する(半導体チップ実装工程)。
この半導体チップ実装工程の後、図1H、図2Dに示すように、熱硬化樹脂であるアンダーフィル17を絶縁性薄膜5と半導体チップ15との間に注入し、加熱して硬化させる。
以上の工程を経て電子部品が完成する。
この実施形態によれば、貫通穴51を高分子材料の溶液の自己組織化によって形成するので、微細な貫通穴51を低コストでかつ短時間に精度よく形成することができる。
また、導電路9は複数の非貫通穴52のうちの特定の非貫通穴52´と電極7との間に金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって形成される。このため、導電路9を形成するためのマスクを必要としないので、製造コストが下がる。
更に、金属ナノ粒子で導電路9や抵抗13等を形成するようにしたので、導電路9や抵抗13等の形状の変更を容易にでき、少量多品種に対応することができる。
また、電極7は貫通穴51に金属ナノ粒子を吹きつけて充填し、焼成することによって形成されるので、貫通穴51のアスペクト比に関係なく金属ナノ粒子を貫通穴51内に行きわたらすことができ、貫通穴51内に電極7を確実に形成することができる。
図3はこの発明の第2実施形態に係る積層型部品モジュールの断面図、図4は図3に示す積層型部品モジュールを構成する絶縁性薄膜等を示し、図4Aは1層目の絶縁性薄膜の平面図、図4Bは2層目の絶縁性薄膜の平面図、図4Cは3層目の絶縁性薄膜の平面図、図4Dは回路基板の平面図、図5は図3に示す積層型部品モジュールの1層目の絶縁性薄膜に実装された半導体チップの底面図である。
第1実施形態に係る電子部品と共通する部分については同一符号を付してその説明を省略する。以下、主な相違部分についてだけ説明する。
第1実施形態に係る電子部品では、絶縁性薄膜5が1層であるが、この積層型部品モジュールでは絶縁性薄膜が3層である。
図3、図4Aに示すように、第1絶縁性薄膜105は能動部品を備えていない点を除き、第1実施形態の絶縁性薄膜5とほぼ同じである。電極107(d)はバンプ111を通じて下層の第2絶縁性薄膜205の導電路209に接合されている。電極107(d)のピッチp2は半導体チップ215(図5参照)のバンプ215aのピッチp1よりも大きい。
なお、電極の符号に付されている(d)はその電極がその下の絶縁性薄膜5の導電路に接続されるものであること表わし、電極の符号に附されている(u)はその電極がその上の絶縁性薄膜5の導電路に接続されるものであること表わす。
図3、図4Bに示すように、第2絶縁性薄膜205は第1絶縁性薄膜105とほぼ同じである。電極207(d)はバンプ211を通じて下層の第3絶縁性薄膜305の導電路309に接合されている。電極207(d)のピッチp3は電極107(d)のピッチp2よりも大きい。
図3、図4Cに示すように、第3絶縁性薄膜305は第2絶縁性薄膜205とほぼ同じである。電極307(d)はバンプ311を通じて下層の回路基板25のパッド25aに接合されている。電極307(d)のピッチp4は電極207(d)のピッチp3よりも大きい。第3絶縁性薄膜305には抵抗13が形成されている。
図3、図4Dに示すように、回路基板25は複数のパッド25aとこれらのパッド25aにそれぞれ接続された複数の導体パターン25bとを有する。パッド25aのピッチp4は電極307(d)のピッチp4と等しい。
半導体チップ215と第1絶縁性薄膜105との間、第1絶縁性薄膜105と第2絶縁性薄膜205との間、第2絶縁性薄膜205と第3絶縁性薄膜305との間、第3絶縁性薄膜305と回路基板25との間には、それぞれ熱硬化性樹脂18が充填されている。熱硬化性樹脂18により絶縁性薄膜105,205,305及び回路基板25が一体的に結合する。熱硬化性樹脂18としては、エポキシ樹脂が挙げられる。
第2実施形態によれば、半導体チップ215のバンプ215aのピッチ変換をすることができる。
なお、第1、第2の実施形態では、能動部品として半導体チップ15,215が設けられ、受動部品として抵抗13が設けられているが、能動部品及び受動部品はこれらに限られない。
また、電極7,107(d),207(d),307(d)にそれぞれ結合するバンプ11,111,211,311を設けたが、これらのバンプ11,111,211,311は必ずしも必要ではない。
なお、上述の実施形態では、インクジェットによって金属ナノ粒子を吹きつけるようにしたが、必ずしもインクジェットを用いる必要はない。
3 高分子溶液(高分子材料の溶液)
5 絶縁性薄膜
51 貫通孔
52 非貫通孔
7、107(d),(u),207(d),(u)、307(d),(u) 電極(第1の電極)
9 導電路
11、111、211、311 バンプ(第2の電極)
13 抵抗(受動部品)
15,215 半導体チップ(能動部品)
21 型
21a 基板
21b 突起
5 絶縁性薄膜
51 貫通孔
52 非貫通孔
7、107(d),(u),207(d),(u)、307(d),(u) 電極(第1の電極)
9 導電路
11、111、211、311 バンプ(第2の電極)
13 抵抗(受動部品)
15,215 半導体チップ(能動部品)
21 型
21a 基板
21b 突起
Claims (5)
- 高分子材料で形成された絶縁性薄膜と、
この薄膜の一方の面に形成された複数の導電路と、
この導電路に接合されるとともに前記絶縁性薄膜の他方の面から突出する複数の電極とを備え、
前記電極は、前記絶縁性薄膜の形成時に前記高分子材料の溶液の自己組織化によって形成された複数の貫通穴及び複数の非貫通穴のうちの特定の貫通穴に、金属ナノ粒子を吹きつけて充填し、焼成することによって形成され、
前記導電路は、前記複数の非貫通穴のうちの特定の非貫通穴と前記電極との間に前記金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって形成された
ことを特徴とする電子部品。 - 前記複数の電極のうちの特定の2つの電極間に位置する前記複数の非貫通穴のうちの特定の非貫通穴に金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって形成された受動部品又は能動部品を備えていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
- 前記請求項1又は2記載の電子部品を積層して、積層方向へ隣接する上の電子部品の電極と下の電子部品の導電路とを接合してなる積層型部品モジュール。
- 型の成形面に高分子材料の溶液を高湿度環境下で塗布して、複数の貫通穴及び複数の非貫通穴を有する絶縁性薄膜を形成する第1工程と、
前記複数の貫通穴のうちの特定の貫通穴に金属ナノ粒子を吹きつけて充填し、焼成することによって複数の第1の電極を形成する第2工程と、
前記複数の非貫通穴のうちの特定の非貫通穴と前記第1の電極との間に金属ナノ粒子を吹きつけて付着させ、焼成することによって複数の導電路を形成する第3工程と
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記型から前記絶縁性薄膜を剥離した後、前記絶縁性薄膜の底面に露出する前記第1の電極の一部に金属ナノ粒子を吹きつけるようにして付着させ、焼成することによって複数の第2電極を形成する第4工程
を含むことを特徴とする請求項4記載の電子部品の製造方法。
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