JP2007018675A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、低速の動作テストによるデータ読み出し時に、アクセスタイム不良を検出することを最も主要な特徴とする。
【解決手段】メモリセルアレイ11と、メモリセルアレイ11に記憶されたデータをクロック信号CLKに同期して読み出すデータ読み出し回路と、データ読み出し回路の動作を制御する制御回路21と、データ読み出し回路から読み出されたデータをラッチし、出力するラッチ回路19と、ラッチ回路19の前段に設けられたスイッチ回路18と、テストモードのデータ読み出し時に、データ読み出し開始後からアクセスタイムのしきい値に相当する時間だけスイッチ回路18が導通するようにスイッチ回路の動作を制御するスイッチ制御回路22を具備する。
【選択図】図1
【解決手段】メモリセルアレイ11と、メモリセルアレイ11に記憶されたデータをクロック信号CLKに同期して読み出すデータ読み出し回路と、データ読み出し回路の動作を制御する制御回路21と、データ読み出し回路から読み出されたデータをラッチし、出力するラッチ回路19と、ラッチ回路19の前段に設けられたスイッチ回路18と、テストモードのデータ読み出し時に、データ読み出し開始後からアクセスタイムのしきい値に相当する時間だけスイッチ回路18が導通するようにスイッチ回路の動作を制御するスイッチ制御回路22を具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、クロック信号に同期して動作するクロック同期式の半導体記憶装置に係り、特に低速の動作テストによりアクセスタイムの良否判定が行われる半導体記憶装置に関する。
クロック同期式の半導体記憶装置、例えばSRAM(Static Random Access Memory)混載のASIC(Application Specific Integrated Circuits)において、SRAMの動作テストを行う際、回路構成上の制約により、実動作時に使用される周波数よりも低い周波数のクロック信号を用いて動作テストを行う場合がある。このように、低速で動作テストを行う際に、SRAMのアクセスタイムの不良が検知できない問題がある。そのメカニズムについて以下に説明する。
図11は、高周波数のクロック信号を使用した高速の動作テスト時におけるSRAMの主要な信号波形の一例を示している。データの読み出し時(リード時)、クロック信号CLKが立ち上がると、メモリセルからのデータ読み出し動作が開始され、アクセスタイムTac後にデータが出力端子(OUT)から出力される。正常な動作が行われた場合、出力データは期待値と等しくなり、動作テストはパス(pass)する。一方、SRAMが異常動作し、アクセスタイムが異常値Tac´(Tac´>Tac)になった場合、期待値との比較を行う際に、前周期の出力データと期待値とが比較されるため、前周期と期待値とが異なる場合には動作テストはフェイル(fail)となる。
図12は、低周波数のクロック信号を使用した低速の動作テスト時におけるSRAMの主要な信号波形の一例を示している。正常な動作が行われた場合、出力データは必ず期待値と等しくなり、動作テストはパスする。一方、SRAMが異常動作し、アクセスタイムが異常値(Tac´)になった場合でも、期待値との比較を行う際に、出力データと期待値とが一致すれば動作テストはパスする。この場合、アクセスタイムの不良を検出することはできない。なお、図11及び図12において、STROBE信号は、SRAMの動作テストを行うテスト装置が、SRAMからの出力データを取り込むタイミングを決定するための信号である。
上述したように、従来のクロック同期式の半導体記憶装置では、低速で動作テストが行われる際に、アクセスタイムの不良が検出しきれないという問題が生じている。
なお、特許文献1には、アクセス時間測定の精度を向上させるために、メモリ部に入力されるアドレス信号を第1クロック信号に同期してラッチ可能な第1ラッチ回路と、メモリ部からの出力データを第2クロック信号に同期してラッチ可能な第2ラッチ回路と、第2クロック信号に同期してアドレス信号をラッチ可能な第3ラッチ回路を含み、第1クロック信号及び第2クロック信号のそれぞれについて半導体集積回路の外部における導電路での電気長の差を求めて、この電気長差を補正するものが開示されている。
特開平9−127205号公報
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、低速で動作テストが行われる際に、アクセスタイムの不良を確実に検出できる半導体記憶装置を提供することである。
本発明の半導体記憶装置は、データを記憶するメモリ回路と、上記メモリセル回路に記憶されたデータをクロック信号に同期して読み出すデータ読み出し回路と、上記データ読み出し回路の動作を制御するデータ読み出し制御回路と、上記データ読み出し回路から読み出されたデータをラッチし、出力するラッチ回路と、上記ラッチ回路の前段に設けられた第1のスイッチ回路と、テストモードのデータ読み出し時に、データ読み出し開始後からアクセスタイムのしきい値に相当する時間だけ上記第1のスイッチ回路が導通するように上記第1のスイッチ回路の動作を制御するスイッチ制御回路を具備したことを特徴する。
本発明の半導体記憶装置によれば、低速で動作テストが行われる際に、アクセスタイムの不良を確実に検出することができる。
以下、図面を参照して本発明の半導体記憶装置を実施の形態により説明する。
図1は本発明の第1の実施の形態に係るSRAMの構成を示すブロック図である。なお、図1ではデータ読み出し系回路の構成についてのみ示しているが、実際のSRAMではデータ書き込み系回路も設けられており、図1では図示を省略している。
メモリセルアレイ11内には、それぞれ図示しない複数のビット線及びワード線が互いに交差するように設けられており、かつ各ビット線及びワード線の交点にはそれぞれ図示しないメモリセルが接続されている。ロウデコーダ12は、内部ロウアドレスに基いてメモリセルアレイ11内のワード線を選択する。プリチャージ回路13は、メモリセルアレイ11内のメモリセルからデータを読み出す(メモリアクセス)際に、データ読み出しに先立ってビット線の電位を一定電位にプリチャージする。
第1のカラム選択回路14は、カラムデコーダ15から出力される内部カラムアドレスの一部のアドレスに基いて、メモリセルアレイ11内のビット線を選択する。第1のカラム選択回路14にはセンスアンプ回路16が接続されている。センスアンプ回路16は、第1のカラム選択回路14で選択されたビット線に読み出された信号をセンスし、データを出力する。センスアンプ回路16には第2のカラム選択回路17が接続されている。第2のカラム選択回路17は、カラムデコーダ15から出力される内部カラムアドレスの残りのアドレスに基いて、センスアンプ回路16のセンスデータを選択する。
第2のカラム選択回路17で選択されたデータは、スイッチ回路18を介してラッチ回路19に送られる。ラッチ回路19はデータをラッチする。ラッチ回路19でラッチされたデータは、バッファ回路20を介してSRAM外部にリードデータとして出力される。
制御回路21は、アドレス及びクロック信号CLK等を受け、ロウデコーダ12及びカラムデコーダ15に内部ロウアドレス及び内部カラムアドレスを供給すると共に、ロウデコーダ12、プリチャージ回路13、カラムデコーダ15、及びセンスアンプ回路17の動作を制御する。
ロウデコーダ12、プリチャージ回路13、第1のカラム選択回路14、カラムデコーダ15、センスアンプ回路16、及び第2のカラム選択回路17は、メモリセルアレイ(メモリ回路)11に記憶されたデータをクロック信号CLKに同期して読み出すデータ読み出し回路を構成しており、制御回路(データ読み出し制御回路)21はデータ読み出し回路の動作を制御する。
スイッチ回路18の動作は制御信号OUTHOLDに基いて制御される。制御信号OUTHOLDはスイッチ制御回路22で生成される。スイッチ制御回路22にはクロック信号CLKが供給される。スイッチ制御回路22は、テストモードのデータ読み出し動作の際に、データ読み出し開始後からアクセスタイムのしきい値に相当する時間だけ、スイッチ回路18が導通するように制御信号OUTHOLDを生成する。
スイッチ制御回路22は、クロック信号CLKを一定時間遅延する遅延回路23、この遅延回路23の出力を反転するインバータ回路24、クロック信号CLKとインバータ回路24の出力とが入力されるAND回路25、電源電圧Vcc(第1の電圧)が供給される電源ノード(第1のノード)と第2のノードとの間にソース、ドレイン間の電流通路が挿入され、ゲート電極にインバータ回路24の出力が供給されるPチャネルのトランジスタ26、第2のノードと接地電圧GND(第2の電圧)が供給される第3のノードとの間にソース、ドレイン間の電流通路が挿入され、ゲート電極にAND回路25の出力が供給されるNチャネルのトランジスタ27、2個のインバータ回路からなり第2のノードの信号をラッチするラッチ回路28、及びOR回路29を有する。
ラッチ回路28は制御信号OUTHOLDを出力する。OR回路29には、制御信号OUTHOLDと、テストモード時に“L”レベルにされるテストモード信号TMODとが供給される。OR回路29は、テストモード時に制御信号OUTHOLDをスイッチ回路18に供給し、テストモード信号TMODが“H”レベルにされる通常動作時には、制御信号OUTHOLDの論理レベルに関わらずに“H”レベルの信号をスイッチ回路18に供給する。通常動作時に、スイッチ回路18は常時動作状態にされる。
スイッチ制御回路21内の遅延回路22の信号遅延時間Tdelayは、アクセスタイムのしきい値に相当する時間に設定されている。このアクセスタイムのしきい値は、SRAMのアクセスタイムの規格値よりも僅かに大きな値である。
SRAMの動作テストを行う場合には、図2に示すように、SRAM100に対してテスト装置200が接続される。アクセスタイムの良否判定テストは、所定のデータ、例えばチェッカーパターンと呼ばれる“1”、“0”のデータが交互に繰り返されるデータが予めSRAM100内のメモリセルアレイに書き込まれる。テスト時には、テスト装置200からSRAM100にクロック信号CLK等が供給され、SRAM100からはデータが読み出され、テスト装置200に供給される。テスト装置200では、SRAM100からの読み出しデータが期待値と比較され、良否判定が行われる。
次に、アクセスタイムの良否判定を行うテストモード時における図1のSRAMの動作を、図3の波形図を参照して説明する。なお、図3中に示されている信号DCLKは、スイッチ制御回路22内の遅延回路23の遅延出力信号である。
制御回路21にアドレスとクロック信号CLKとが供給されることによって、データの読み出しが開始される。読み出しの開始後、プリチャージ回路13によってメモリセルアレイ11内のビット線が一定電位にプリチャージされる。さらに、ロウデコーダ12によってメモリセルアレイ11内のワード線が選択され、カラム選択回路14、17及びセンスアンプ16によって、メモリセルアレイ11内のビット線が選択され、選択されたビット線に読み出されたデータがセンスされる。
一方、データの読み出しが開始された際に、クロック信号CLKの立ち上がりに同期して、アクセスタイムのしきい値に相当する時間だけ“H”レベルにされた制御信号OUTHOLDがスイッチ制御回路22で生成される。なお、スイッチ制御回路22の動作については後に詳述する。スイッチ回路18は、制御信号OUTHOLDが“H”レベルになっている期間に導通し、カラム選択回路17から出力されるセンスデータを出力する。スイッチ回路18から出力されたデータは、ラッチ回路19でラッチされ、バッファ回路20を介してSRAM外部にリードデータとして出力される。
先に述べたように、制御信号OUTHOLDが“H”レベルになっている期間(Tdelay)は、アクセスタイムのしきい値に相当する時間に設定されており、このアクセスタイムのしきい値はSRAMのアクセスタイムの規格値よりも僅かに大きい。
データの読み出し時に、正常な動作が行われた場合、スイッチ回路18が導通している期間に、正常なアクセスタイム(Tac)で読み出されたデータがこのスイッチ回路18を介してラッチ回路19に送られる。従って、出力データは期待値と等しくなり、動作テストはパス(pass)する。
一方、SRAMが異常動作し、アクセスタイムが異常値Tac´(Tac´>Tac)になった場合、アクセスタイムTac´の終了前にスイッチ回路18が非導通になり、前周期のセンスデータがスイッチ回路18を介してラッチ回路19に送られる。従って、この場合には動作テストはフェイル(fail)となる。
本実施形態のSRAMによれば、テストモードのデータの読み出し時に、制御信号OUTHOLDが“H”レベルとなる期間(Tdelay)は、クロック信号CLKの周波数とは無関係に一定である。このため、テスト装置から出力されるクロック信号CLKの周波数が低く、低速の動作テストが行われる場合であっても、アクセスタイムの不良を確実に検出することができる。
なお、通常動作時のデータの読み出し時には、テストモード信号TMODによって、スイッチ回路18は常時導通状態にされる。
次に、図1中のスイッチ制御回路22の動作を、図4及び図5の波形図を参照して説明する。図4及び図5はそれぞれスイッチ制御回路22の要部の信号波形を示しており、図4はクロック信号CLKのデューティ(duty)が比較的大きい場合を、図5は比較的小さい場合を示している。
図4に示すように、クロック信号CLKが“H”レベルに立ち上がってから後、Tdelayの期間が経過すると、遅延回路23の出力信号DCLKが“H”レベルに立ち上がる。一方、DCLKが“H”レベルに立ち上がる前では、インバータ回路24の出力信号Aは“H”レベルであり、Pチャネルのトランジスタ26はオフ状態である。また、クロック信号CLKが“H”レベルに立ち上がってから後、インバータ回路24の出力信号Aが“L”レベルになる前では、AND回路25の出力信号Bは“H”レベルであり、Nチャネルのトランジスタ27はオン状態である。すなわち、クロック信号CLKが“H”レベルに立ち上がってから後、Tdelayの期間が経過するまでの期間では、トランジスタ26、27の接続ノードの信号Cは“L”レベルとなっており、ラッチ回路28のラッチ出力信号Dは“H”レベルである。従って、テストモード信号TMODが“L”レベルにされていれば、スイッチ制御回路22からは、クロック信号CLKの立ち上がりに同期して“H”レベルとなり、遅延回路23の出力信号DCLKの立ち上がりに同期して“L”レベルに落ちる制御信号OUTHOLDが出力される。
図4に示した波形図は、クロック信号CLKのデューティが比較的大きく、クロック信号CLKが“H”レベルとなっている期間Tchが、遅延回路23における遅延時間Tdelayよりも長い、つまりTch>Tdelayの場合である。
これに対し、図5に示した波形図は、クロック信号CLKのデューティが比較的小さく、クロック信号CLKが“H”レベルとなっている期間Tchが、遅延回路23における遅延時間Tdelayよりも短い、つまり、Tch<Tdelayの場合を示している。クロック信号CLKが“H”レベルに立ち上がった後、遅延回路23の遅延出力信号DCLKが“H”レベルに立ち上がるよりも前に、クロック信号CLKが“L”レベルに落ちる場合、信号Aが“H”レベルでかつ信号Bが“L”レベルとなり、Pチャネル及びNチャネルのトランジスタ26、27が共にオフ状態になる期間が生じる。トランジスタ26、27が共にオフ状態になると、トランジスタ26、27の接続ノードの信号Cは不安定なレベルとなる。しかし、信号Cはラッチ回路28によってラッチされるので、Nチャネルのトランジスタ27がオン状態からオフ状態に変化しても、信号Cは“L”レベルに、信号Dは“H”レベルにそれぞれ安定に保持される。
つまり、スイッチ制御回路22内のラッチ回路28は、クロック信号CLKのデューティに関わらずに、常に安定して制御信号OUTHOLDを生成するために設けられているものである。従って、Tch>Tdelayの関係が成立するようにクロック信号CLKのデューティと遅延回路23の遅延時間が設定されている場合には、ラッチ回路28を省略することができる。
図6は、図1中のスイッチ制御回路22の他の構成例を示している。図1中に示したスイッチ制御回路22では、制御信号OUTHOLDの“H”レベル期間は遅延回路23の遅延時間によって決定されており、この期間は固定されている。これに対して、図6に示した構成のスイッチ制御回路22は、制御信号OUTHOLDの“H”レベル期間が制御データに基いてプログラムできるようにしたものである。
図6に示すスイッチ制御回路22は、ディレイロックループ(DLL)回路30とOR回路29とから構成されている。ディレイロックループ回路30は、クロック信号CLKの周期の1/n(nは正の整数)のパルス幅を持つ信号を制御信号OUTHOLDとして生成する。上記nの値は制御データに応じて調整される。
図6に示すスイッチ制御回路22を有するSRAMの動作テストを行う場合には、図7に示すように、SRAM100に対してテスト装置200が接続される。テスト時には、テスト装置200からSRAM100にクロック信号CLKと制御信号OUTHOLDの“H”レベル期間を調整するための制御データが供給され、SRAM100からはデータが読み出され、テスト装置200に供給される。
図8は、図6中のディレイロックループ回路30の具体的な構成の一例を示すブロック図である。このディレイロックループ回路30は、一般に良く知られているものであり、クロック信号CLKを遅延する可変遅延線31と、可変遅延線31の出力信号が供給される出力バッファ回路32と、この出力バッファ回路32の出力信号及びクロック信号CLKをサンプリングして可変遅延線31を制御する制御回路32とを有する。
図9は、図6に示すスイッチ制御回路22内のディレイロックループ回路30の「n」の値が例えば4に設定されている場合の、図3に対応した波形図を示している。つまり、ディレイロックループ回路30は、クロック信号CLKの1/4周期のパルス幅(1/4・Tcyc)を持つ制御信号OUTHOLDを生成する。もちろん、1/4・TcycはTacよりも僅かに長い。
データの読み出し時に、正常な動作が行われた場合、スイッチ回路18が導通している期間に、正常なアクセスタイム(Tac)で読み出されたデータがスイッチ回路18を介してラッチ回路19に送られる。従って、出力データは期待値と等しくなり、動作テストはパス(pass)する。
一方、SRAMが異常動作し、アクセスタイムが異常値Tac´(Tac´>Tac)になった場合、アクセスタイムTac´の終了前にスイッチ回路18が非導通になり、前周期のセンスデータがスイッチ回路18を介してラッチ回路19に送られる。従って、この場合には動作テストはフェイル(fail)となる。
ところで、第1の実施の形態では、図1に示すように、第2のカラム選択回路17とラッチ回路19との間、つまりラッチ回路19の前段に、制御信号OUTHOLDによって制御されるスイッチ回路18を設けている。
しかし、スイッチ回路18をわざわざ設けずに、第2のカラム選択回路17内に設けられているスイッチ回路をこのスイッチ回路18と共用することができる。
図10は、本発明の第2の実施の形態に係るSRAMの一部の構成を示す回路図である。センスアンプ回路16は複数のセンスアンプ(S/A)16−1〜16−mからなり、第2のカラム選択回路17は複数のスイッチ回路17−1〜17−mからなる。第2のカラム選択回路17内の複数のスイッチ回路17−1〜17−mは、カラムデコーダ回路15から出力されるデコード信号に応じていずれか1つが選択され、センスアンプ回路16内の対応するセンスアンプのセンスデータをラッチ回路19に出力する。
そこで、図10に示すように、カラムデコーダ回路15と第2のカラム選択回路17との間に複数のAND回路40を挿入し、これら各AND回路40に対し、カラムデコード信号、及び図1あるいは図6に示されるスイッチ制御回路22で生成される制御信号OUTHOLDを供給し、第2のカラム選択回路17内の複数のスイッチ回路17−1〜17−mの導通期間を制御信号OUTHOLDに応じて制御する。これにより、図1中のスイッチ回路18を省略することができる。
この第2の実施の形態のSRAMでは、第1の形態のSRAMと同様に、テストモードのデータの読み出し時に、テスト装置から出力されるクロック信号の周波数が低く、低速の動作テストが行われる場合であっても、アクセスタイムの不良を確実に検出することができるという効果が得られる。
なお、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能であることはいうまでもない。例えば上記各実施の形態では、本発明をSRAMに実施した場合を説明したが、これはSRAMの他にDRAM、フラッシュメモリ等、クロック同期式の半導体記憶装置全般に実施することができる。
11…メモリセルアレイ、12…ロウデコーダ、13…プリチャージ回路、14…第1のカラム選択回路、15…カラムデコーダ、16…センスアンプ回路、17…第2のカラム選択回路、18…スイッチ回路、19…ラッチ回路、20…バッファ回路、21…制御回路、22…スイッチ制御回路。
Claims (5)
- データを記憶するメモリ回路と、
上記メモリセル回路に記憶されたデータをクロック信号に同期して読み出すデータ読み出し回路と、
上記データ読み出し回路の動作を制御するデータ読み出し制御回路と、
上記データ読み出し回路から読み出されたデータをラッチし、出力するラッチ回路と、
上記ラッチ回路の前段に設けられた第1のスイッチ回路と、
テストモードのデータ読み出し時に、データ読み出し開始後からアクセスタイムのしきい値に相当する時間だけ上記第1のスイッチ回路が導通するように上記第1のスイッチ回路の動作を制御するスイッチ制御回路
を具備したことを特徴する半導体記憶装置。 - 前記第1のスイッチ回路は、アクセスタイムの測定時にのみ前記アクセスタイムのしきい値に相当する時間だけ導通するように制御され、通常動作時には常時導通するように制御されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリ回路は複数のビット線を含むメモリセルアレイを有し、
前記データ読み出し回路は、
上記ビット線を選択する第1のカラム選択回路と、
前記第1のカラム選択回路によって選択されたビット線のデータをセンスするセンスアンプ回路と、
前記センスアンプ回路でセンスされたデータが供給され、第2のスイッチ回路を有する第2のカラム選択回路を有することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記スイッチ制御回路は、
前記クロック信号を遅延する遅延回路と、
前記遅延回路の出力を反転するインバータ回路と、
前記クロック信号と前記インバータ回路の出力とが入力されるAND回路と、
第1の電圧が供給される第1のノードと第2のノードとの間に電流通路が挿入され、ゲート電極に上記インバータ回路の出力が供給されるPチャネルのトランジスタと、
上記第2のノードと第2の電圧が供給される第3のノードとの間に電流通路が挿入され、ゲート電極に上記AND回路の出力が供給されるNチャネルのトランジスタと、
上記第2のノードの信号をラッチするラッチ回路とを有し、
上記ラッチ回路の出力ノードの信号によって前記第1のスイッチ回路の動作が制御されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記スイッチ制御回路は、
前記クロック信号を受け、前記クロック信号の周期の1/n(nは正の整数)のパルス幅を持つ信号を生成するディレイロックループ(DLL)回路を有し、このディレイロックループ回路の出力信号によって前記第1のスイッチ回路の動作が制御されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
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