JP2007012962A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップの過熱を防止する半導体モジュールを提供する。
【解決手段】イメージセンサモジュール2は、イメージセンサ用パッケージ4、CCDイメージセンサ8とから構成される。イメージセンサ用パッケージ4はベース6とガラス板10とから構成される。ベース6には載置部6aと囲繞部6bとが形成される。CCDイメージセンサ8は載置部6aに固着され、受光面8aは開口を向く。CCDイメージセンサ8の電極はベース6に形成された配線層13とボンディングワイヤ14によって接続される。収容室12はガラス板10によって密封される。収容室12には空気よりも熱伝導率の大きな水素ガスが封入される。イメージセンサ8と収容室12の内壁との間には水素ガスが介在し、イメージセンサ8で発生した熱は水素ガスに伝導する。
【選択図】 図2
【解決手段】イメージセンサモジュール2は、イメージセンサ用パッケージ4、CCDイメージセンサ8とから構成される。イメージセンサ用パッケージ4はベース6とガラス板10とから構成される。ベース6には載置部6aと囲繞部6bとが形成される。CCDイメージセンサ8は載置部6aに固着され、受光面8aは開口を向く。CCDイメージセンサ8の電極はベース6に形成された配線層13とボンディングワイヤ14によって接続される。収容室12はガラス板10によって密封される。収容室12には空気よりも熱伝導率の大きな水素ガスが封入される。イメージセンサ8と収容室12の内壁との間には水素ガスが介在し、イメージセンサ8で発生した熱は水素ガスに伝導する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体チップを収容した半導体モジュールに関するものである。
デジタルカメラやカメラ付き携帯電話等の撮影装置にはイメージセンサが備えられており、イメージセンサはその受光面に塵や埃が付着しないようにパッケージによって覆われてモジュール化された状態で装置内に組み込まれる。イメージセンサを覆うパッケージはプラスチック製、金属製、セラミック製などが多種多様であり、近年はコストの低さや加工の容易さからプラスチック製のパッケージが用いられることが多くなっている。
イメージセンサを収容するパッケージには、イメージセンサが収容される開口した収容室が形成されており、収容室内の底部には受光面を開口に向けてイメージセンサが固着される。収容室の開口は光を透過させる透光部材によって覆われ、開口の縁と透光部材とは例えばエポキシ樹脂等の接着剤によって接着される。これによって収容室は密封されて収容室内に塵や埃が侵入しないようにされ、ハイレベルな画像の取得が可能なイメージセンサモジュールが提供されていた。
特開2000−77580号公報
ところで、一般にイメージセンサ等の半導体チップは温度の影響により、特性、性能が変化し、この特性や性能の変化が半導体チップを搭載した装置の性能などに影響してしまうため、温度による性能や特性の変化を抑える方法が求められていた。このような事情から特許文献1では、半導体チップと、半導体チップ全体を冷却する冷却する冷却素子と、半導体チップを加熱する第1、第2の加熱手段と、半導体チップの温度を検出する温度検出手段とが設けられた装置が示されている。この装置では冷却手段または第1の加熱手段を用いて半導体チップを目標とする温度よりもわずかに低い温度に設定した後、第2の過熱手段で半導体チップを加熱して半導体チップを目標とする温度に一致させている。
しかしながら、上記のような方法では、半導体チップの温度を制御するために、装置内に加熱手段、冷却手段、及び加熱手段と冷却手段とを制御する制御手段等を設けなければならず、このため大きく重い装置になってしまう可能性が高い。
また、イメージセンサ等の半導体チップをパッケージ内に収めた半導体モジュールでは、半導体チップとパッケージの内壁との間に断熱性の高い空気が介在し、半導体チップからうまく熱が放出されないことがあった。半導体チップから熱が放出されないと半導体チップが過熱してしまい、半導体チップが故障してしまうことがある。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡便な構造をとることによって半導体チップの過熱を防止する半導体モジュールを提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の半導体モジュールでは、半導体チップと、半導体チップを収容するパッケージとを有し、パッケージ内に空気よりも熱伝導率の大きな気体を封入することを特徴とする。
また、パッケージ内に水素ガスを封入したことを特徴とする。
また、パッケージには光を透過させる透光部が設けられており、半導体チップは光を受ける受光面が透光部と対面するように前記パッケージ内に収容されるイメージセンサであることを特徴とする。
また、パッケージは、半導体が載置される第1部材と第1部材との間に半導体チップを収容する収容室を形成する第2部材とからなることを特徴とする。
また、パッケージ内に酸素を吸着する酸素吸着物質を設けたことを特徴とする。
また、パッケージ内に窒素を吸着する窒素吸着物質を設けたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールによれば、半導体チップと、半導体チップを収容するパッケージとを有し、パッケージ内に空気よりも熱伝導率の大きな気体を封入することにより、半導体チップで発生した熱が空気よりも熱伝導率の大きな気体に伝導され、これによって半導体チップの過熱を防止することができる。
また、パッケージ内に水素ガスを封入したことにより、半導体チップで発生した熱が空気よりもはるかに熱伝導率の大きな水素ガスに伝導され、半導体チップの外に効率良く熱を伝導することができ、半導体チップの過熱を防止することができる。
また、パッケージには光を透過させる透光部が設けられており、半導体チップは光を受ける受光面が透光部と対面するように前記パッケージ内に収容されるイメージセンサであることにより、イメージセンサで発生した熱が空気よりも熱伝導率の大きな気体に吸収され、これによりイメージセンサの過熱を防止することができる。
また、パッケージは、半導体チップが載置される第1部材と第1部材との間に半導体チップを収容する収容室を形成する第2部材とからなることにより、簡便な構造で半導体チップを密封することができる。
また、パッケージ内に酸素を吸着する酸素吸着物質を設けたことにより、酸素吸着物質にパッケージ内の酸素が吸着され、パッケージ内で熱伝導率の大きな気体が占める割合を高めることができ、より効率良く半導体チップの外に熱を伝導させることができる。
また、パッケージ内に窒素を吸着する窒素吸着物質を設けたことにより、窒素吸着物質にパッケージ内の窒素が吸着され、パッケージ内で熱伝導率の大きな気体が占める割合を高めることができ、より効率良く半導体チップの外に熱を伝導させることができる。
次に本発明の第1実施形態について説明する。図1に示すように、半導体モジュールであるイメージセンサモジュール2は、イメージセンサ用パッケージ4、及びこれに収容される半導体チップであるCCDイメージセンサ8とから構成される。イメージセンサ用パッケージ4は第1部材であるベース6と、このベース6に取り付けられる第2部材であるガラス板10とから構成される。ガラス板10は光を透過する透光性材料であるガラスによって構成されている。ベース6は、CCDイメージセンサ8が載置される載置部6a及び載置部6aに載置されたCCDイメージセンサ8を囲むように形成された囲繞部6bとを有する。載置部6a及び囲繞部6bとによって形成される収容室12内にCCDイメージセンサ8が収容されると、イメージセンサ8上に形成された受光面8aはガラス板10と対向する。後述するが、ガラス板10は開口6cを覆うようにベース6に接着剤によって気密に接合される。なお、ベース6は、エポキシ樹脂、もしくはポリイミド樹脂等のプラスチック樹脂によって形成されている。
図2に示すように、CCDイメージセンサ8は受光面8aを有し、受光面8aはガラス板10と対面する。図示しないが、受光面8aの周囲には、受光面8aが受けた光に応じて生成された電気信号を出力するための電極が複数配列されている。ベース6には配線層13が形成されており、CCDイメージセンサ8の電極と配線層13とがボンディングワイヤ14を介して接続される。配線層13はベース6の表面に形成され、これによってCCDイメージセンサ8から出力された信号を外部の電子回路、例えばCCDイメージセンサ8からの信号を処理する信号処理回路等に送出することができる。
載置部6aにCCDイメージセンサ8が固着され、CCDイメージセンサ8の電極が配線層13と接続された後、ガラス板10がベース8の囲繞部6bに接着剤18によって接着される。接着剤18は開口6cの縁に層設され、ガラス板10の接着後、収容室12は気密に保持される。ガラス板10が囲繞部6bに接着剤18を介して接着されるとき、載置部6a、囲繞部6b、ガラス板10とによって囲まれた収容室12には水素ガスが封入される。これにより、CCDイメージセンサ8で発生した熱が水素ガスに伝導され、CCDイメージセンサ8の外部に熱を放出させることができる。水素ガスは空気よりも熱伝導率が大きくこのため、収容室12内に空気を封入したときよりも効率良くCCDイメージセンサ8から熱を放出させることができる。なお、ベース6を構成する材料に熱伝導性に優れた材料を用いることにより、ベース6を介してイメージセンサモジュール2の外部に効率良く熱を排出することができる。
本発明の作用について説明する。収容室12内にCCDイメージセンサ8が収容され、CCDイメージセンサ8の電極とベース6の配線層13とがボンディングワイヤ14によって接続された後、ガラス板10がベース6に接着される。このとき、載置部6a、囲繞部6b、ガラス板10とからなる収容室12には水素ガスが封入される。収容室12内に水素ガスが封入されると、CCDイメージセンサ8のまわりに水素ガスが満たされるため、CCDイメージセンサ8で発生する熱が水素ガスに効率よく伝導され、CCDイメージセンサ8の過熱が防止される。また、水素ガスは安価であるため、低コストなイメージセンサモジュールの提供が期待できる。
なお、上記の第1実施形態では収容室12内に水素ガスを封入したが、収容室に封入するガスは水素に限らない。収容室に収容するガスとしては、例えば、ネオンやヘリウムなどでもよい。ネオンやヘリウムなども空気に比べて熱伝導率が大きいため、CCDイメージセンサで発生した熱がこれらのガスに伝導され、CCDイメージセンサが過熱することを防ぐことができる。
また、上記の第1実施形態では半導体チップとしてイメージセンサを用いたものを例示したが、パッケージ内に収容される半導体チップはこれに限らない。例えば、収容室内にトランジスタやサイリスタ等の半導体チップを収容して水素ガスを封入してもよい。これによってもトランジスタやサイリスタから熱を効率良く放出させることができ、過熱を防止することができる。
また、上記の第1実施形態では開口した収容室12がベース6に形成され、開口を覆うようにガラス板10がベース6に気密に接合されたが、半導体チップを収容する収容室はこの形態に限らない。例えば、板状の基板に半導体チップを載置し、この半導体チップを覆う凹部が形成されたカバーを基板に取り付けて半導体チップを気密に収容しても構わない。
次に本発明の第2実施形態について説明する。図3に示すように、ガラス板10とベース12とはガラス系接着剤24によって接着されている。CCDイメージセンサ8の周囲には酸素吸着物質としてシリコン20が設けられ、さらに窒素吸着物質として銅22が設けられている。シリコン20及び銅22は、それぞれ層状に形成され、収容室12内に露呈されるように囲繞部6bの一部に設けられている。収容室12内に水素が注入され、ガラス板10とベース6とがガラス系接着剤24によって接着された後、イメージセンサモジュール2が270℃で過熱処理されると、シリコン20の表面に収容室12内の空気中の酸素が吸着され、銅22の表面に収容室12内の空気中の窒素が吸着される。これによって収容室12内は、空気が除去されて水素のみが満たされた状態となる。ガラス板10とベース6とはガラス系接着剤24によって接着されているためパッケージ12内の水素は外部に漏れることはない。これにより、イメージセンサ8で発生した熱は周囲の水素に伝達され、イメージセンサ8の外部に効率良く熱が伝導される。
なお、上記の第2実施形態では、酸素吸着物質としてシリコン20を用い、窒素吸着物質として銅22を用い、イメージセンサモジュールを270℃に加熱させてシリコン及び銅22に酸素及び窒素を吸着させたが、酸素吸着物質及び窒素吸着物質はこれに限らず、適宜他の物質を用いて構わない。例えば、鉄粉をシートに敷き詰めたものを酸素吸着物質として用いる、あるいは窒素吸着用のゼオライトを窒素吸着物質として用いてもよい。特に、常温で酸素を吸着するような酸素吸着物質や常温で窒素を吸着する窒素吸着物質を用いることで、イメージセンサモジュールを過熱処理する必要がなくなり、イメージセンサの過熱を防止するイメージセンサモジュールをより容易に製造することができる。
また、上記の第2実施形態では、ガラス系接着剤24を用いてガラス板10をベース6に接着させたが、ガラス板10とベース6とを接着させる接着剤はこれに限らす、適宜他のものを用いてよい。即ち、接着剤を構成する高分子が水素分子を通さなければよく、これにより収容室内に水素ガスを封入しておくことができ、イメージセンサの過熱を防止する構造をより長時間にわたって維持することができる。
2 イメージセンサモジュール(半導体モジュール)
4 イメージセンサ用パッケージ
6 ベース(第1部材)
6a 載置部
6b 囲繞部
8 CCDイメージセンサ(半導体チップ)
10 ガラス板(第2部材)
12 収容室
14 ボンディングワイヤ
20 シリコン(酸素吸着物質)
22 銅(窒素吸着物質)
4 イメージセンサ用パッケージ
6 ベース(第1部材)
6a 載置部
6b 囲繞部
8 CCDイメージセンサ(半導体チップ)
10 ガラス板(第2部材)
12 収容室
14 ボンディングワイヤ
20 シリコン(酸素吸着物質)
22 銅(窒素吸着物質)
Claims (6)
- 半導体チップと、前記半導体チップを収容するパッケージとを有し、
前記パッケージ内に空気よりも熱伝導率の大きな気体を封入することを特徴とする半導体モジュール。 - 前記パッケージ内に水素ガスを封入したことを特徴とする請求項1記載の半導体モジュール。
- 前記パッケージには光を透過させる透光部が設けられており、
前記半導体チップは光を受ける受光面が前記透光部と対面するように前記パッケージ内に収容されるイメージセンサであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体モジュール。 - 前記パッケージは、半導体が載置される第1部材と前記第1部材との間に前記半導体チップを収容する収容室を形成する第2部材とからなることを特徴とする請求項1ないし3いずれか1つ記載の半導体モジュール。
- 前記パッケージ内に酸素を吸着する酸素吸着物質を設けたことを特徴とする請求項1ないし4いずれか1つ記載の半導体モジュール。
- 前記パッケージ内に窒素を吸着する窒素吸着物質を設けたことを特徴とする請求項1ないし5いずれか1つ記載の半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005193414A JP2007012962A (ja) | 2005-07-01 | 2005-07-01 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005193414A JP2007012962A (ja) | 2005-07-01 | 2005-07-01 | 半導体モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007012962A true JP2007012962A (ja) | 2007-01-18 |
Family
ID=37751048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005193414A Pending JP2007012962A (ja) | 2005-07-01 | 2005-07-01 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007012962A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111095542A (zh) * | 2017-09-25 | 2020-05-01 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体设备 |
-
2005
- 2005-07-01 JP JP2005193414A patent/JP2007012962A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111095542A (zh) * | 2017-09-25 | 2020-05-01 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体设备 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070116 |