JP2007005970A - 半導体回路装置および高周波電力増幅モジュール - Google Patents
半導体回路装置および高周波電力増幅モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007005970A JP2007005970A JP2005181669A JP2005181669A JP2007005970A JP 2007005970 A JP2007005970 A JP 2007005970A JP 2005181669 A JP2005181669 A JP 2005181669A JP 2005181669 A JP2005181669 A JP 2005181669A JP 2007005970 A JP2007005970 A JP 2007005970A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- terminal
- transistor
- resistor
- potential supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
【解決手段】 SPDTスイッチ2において、トランジスタQtx1〜Qtx4は、2つのゲートが設けられたデュアルゲートFETよりなり、これらトランジスタQtx1〜Qtx4には、ゲート間の電位供給用抵抗である抵抗Rd1〜Rd4,Rd5〜Rd8がそれぞれ接続されている。抵抗Rd1,Rd3,Rd5,Rd7は、アンテナ端子2aと逆の端子側から分配配線されており、トランジスタQtx1〜Qtx4におけるゲート−ゲート間中間電位の電圧を大幅に増加させることができる。それにより、トランジスタQtx1〜Qtx4のゲート−ソース間容量を小さくすることができるので高調波歪み量を低減させる。
【選択図】 図2
Description
2 SPDTスイッチ
2a アンテナ用端子
2b,2c 送信信号端子
2d〜2g 受信信号端子
2h〜2n 制御端子
3 制御部
4,5 高周波電力増幅器
6,7 ローパスフィルタ
8〜11 SAW
12〜15 LNA
16,17 送信信号切り替え部
18 受信信号切り替え部
19 送信回路
20 送信回路
21 基板
22 エピタキシャル層
23 バッファ層
24 アルミニウムガリウムヒ素(AlGaAs)層
25 n型ガリウムヒ素(GaAs)層
26 絶縁膜
ANT 送受信用アンテナ
Qtx1〜Qtx4 トランジスタ(切り替え用トランジスタ)
Qrx1〜Qrx5 トランジスタ
Rgg1〜Rgg18 抵抗
Rd1 抵抗(第2の電位供給抵抗)
Rd2 抵抗(第1の電位供給抵抗)
Rd3 抵抗(第2の電位供給抵抗)
Rd4 抵抗(第1の電位供給抵抗)
Rd5 抵抗(第2の電位供給抵抗)
Rd6 抵抗(第1の電位供給抵抗)
Rd7 抵抗(第2の電位供給抵抗)
Rd8 抵抗(第1の電位供給抵抗)
Rd9〜Rd15 抵抗
C1〜C6 静電容量素子
H1,H2 ソース/ドレイン配線
SP n+給電パッド
G1,G2 ゲート配線
SH 給電配線
50 SPDTスイッチ
51,52 送信信号切り替え部
Qtx50〜Qtx53 トランジスタ
Rgg50〜Rgg59 抵抗
Rd50〜Rd57 抵抗
C50〜C53 静電容量素子
Claims (6)
- アンテナに結合される第一端子と、
信号処理回路と結合される第二端子と、
前記第一端子と前記第二端子の間に設置され前記第一端子と前記第二端子の接続切り替えを行う切り替えトランジスタと、
前記切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第三端子と、
前記切り替えトランジスタのゲート−ゲート間に電位を供給するゲート間電位供給抵抗とを具備し、
前記ゲート間電位供給抵抗は、
一方の接続部が、前記切り替えトランジスタの一方の入力端子に接続され、他方の接続部が、前記切り替えトランジスタの他方の入力端子に接続された第1の電位供給抵抗と、
一方の接続部が、前記切り替えトランジスタのゲート−ゲート間に接続され、他方の接続部が、前記第二端子側に接続されたトランジスタの入力端子に接続された、前記第1の電位供給抵抗とは異なる第2の電位供給抵抗とよりなることを特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体回路装置。 - 請求項1記載の半導体回路装置において、
前記切り替えトランジスタは制御端子を複数持つマルチゲート電界効果型トランジスタであることを特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体回路装置。 - 請求項1記載の半導体回路装置において、
前記切り替えトランジスタを2以上含み、前記切り替えトランジスタはそれぞれに前記ゲート間電位供給抵抗が接続され、
前記切り替えトランジスタは従属接続されていることを特徴とする移動体通信機器に用いられる半導体回路装置。 - 第一端子と、
第二端子と、
前記第一端子と前記第二端子の間に設置され前記第一端子と前記第二端子の接続切り替えを行う切り替えトランジスタと、
前記切り替えトランジスタの制御信号を生成する制御回路に結合される第三端子と、
前記切り替えトランジスタのゲート−ゲート間に電位を供給するゲート間電位供給抵抗とを具備するアンテナ接続切り替え回路と、
送信回路から送信信号を受取り増幅された前記送信信号を前記第二端子に供給する高周波電力増幅器とを具備し、
前記ゲート間電位供給抵抗は、
一方の接続部が、前記切り替えトランジスタの一方の入力端子に接続され、他方の接続部が、前記切り替えトランジスタの他方の入力端子に接続された第1の電位供給抵抗と、
一方の接続部が、前記切り替えトランジスタのゲート−ゲート間に接続され、他方の接続部が、前記第二端子側に接続されたトランジスタの入力端子に接続された、前記第1の電位供給抵抗とは異なる第2の電位供給抵抗とよりなることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項4記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、
前記アンテナ接続切り替え回路に含まれる切り替えトランジスタは制御端子を複数持つマルチゲート電界効果型トランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。 - 請求項4記載の高周波電力増幅モジュールにおいて、
前記アンテナ接続切り替え回路は前記切り替えトランジスタを2以上含み、前記切り替えトランジスタはそれぞれに前記ゲート間電位供給抵抗が接続され、
前記切り替えトランジスタは従属接続されていることを特徴とする高周波電力増幅モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005181669A JP4684759B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | 半導体回路装置および高周波電力増幅モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005181669A JP4684759B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | 半導体回路装置および高周波電力増幅モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007005970A true JP2007005970A (ja) | 2007-01-11 |
JP4684759B2 JP4684759B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=37691174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005181669A Active JP4684759B2 (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | 半導体回路装置および高周波電力増幅モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4684759B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007067720A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール |
JP2007067762A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール |
JP2010273215A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Tdk Corp | 高周波モジュール |
WO2012161032A1 (ja) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | 株式会社村田製作所 | 半導体集積回路装置および高周波モジュール |
US8824974B2 (en) | 2006-06-29 | 2014-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and radio frequency module |
CN107408942A (zh) * | 2015-01-30 | 2017-11-28 | 派瑞格恩半导体有限公司 | 具有分布式开关的射频切换电路 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0870245A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-12 | Hitachi Ltd | 低歪スイッチ |
JPH09238059A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチ回路装置 |
JP2000277703A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチ回路装置 |
JP2006165224A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Renesas Technology Corp | スイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュール |
-
2005
- 2005-06-22 JP JP2005181669A patent/JP4684759B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0870245A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-12 | Hitachi Ltd | 低歪スイッチ |
JPH09238059A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチ回路装置 |
JP2000277703A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチ回路装置 |
JP2006165224A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Renesas Technology Corp | スイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュール |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007067720A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール |
JP2007067762A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール |
JP4712492B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-06-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール |
US8824974B2 (en) | 2006-06-29 | 2014-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and radio frequency module |
JP2010273215A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Tdk Corp | 高周波モジュール |
WO2012161032A1 (ja) * | 2011-05-20 | 2012-11-29 | 株式会社村田製作所 | 半導体集積回路装置および高周波モジュール |
CN103339858A (zh) * | 2011-05-20 | 2013-10-02 | 株式会社村田制作所 | 半导体集成电路装置以及高频模块 |
JP5494890B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2014-05-21 | 株式会社村田製作所 | 半導体集積回路装置および高周波モジュール |
CN107408942A (zh) * | 2015-01-30 | 2017-11-28 | 派瑞格恩半导体有限公司 | 具有分布式开关的射频切换电路 |
CN107408942B (zh) * | 2015-01-30 | 2020-11-03 | 派赛公司 | 具有分布式开关的射频切换电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4684759B2 (ja) | 2011-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4712492B2 (ja) | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール | |
US7995972B2 (en) | Electronic component for communication device and semiconductor device for switching transmission and reception | |
JP5706103B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20070290744A1 (en) | Radio frequency switching circuit, radio frequency switching device, and transmitter module device | |
JP4724498B2 (ja) | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール | |
JP4939125B2 (ja) | 半導体集積回路装置および高周波モジュール | |
US7986927B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device and high-frequency power amplifier module | |
JP4684759B2 (ja) | 半導体回路装置および高周波電力増幅モジュール | |
JP4106376B2 (ja) | スイッチ回路及び集積回路 | |
JP2006303775A (ja) | 半導体回路装置および高周波電力増幅モジュール | |
JP2010010728A (ja) | 半導体集積回路装置および高周波電力増幅モジュール | |
US9899968B2 (en) | Low noise amplifier circuit | |
JP5652558B2 (ja) | 高周波モジュール | |
JP2004201262A (ja) | 増幅機能を備えたアンテナスイッチングモジュール | |
US10756727B2 (en) | Switching circuit and high-frequency module | |
JP5267648B2 (ja) | 半導体集積回路装置および高周波モジュール | |
US20170257128A1 (en) | Receiving circuit | |
JP5494890B2 (ja) | 半導体集積回路装置および高周波モジュール | |
JP2006270287A (ja) | 高周波電力増幅回路 | |
KR20050122113A (ko) | 저전력 초광대역 수신기를 위한 저잡음 증폭기 | |
JP2006033539A (ja) | 高周波信号スイッチ回路 | |
JP2010219955A (ja) | アンテナスイッチ回路及び通信端末 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080618 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4684759 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |