JP2007005798A - 多層導電層においてインダクターを備えた集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】集積回路の多層導電層において、第1インダクターおよび第2インダクターの対称部分は、2以上の導電層において形成されている。近接した導電層に設けられた各第1インダクター部分同士、また、近接した導電層に設けられた各第2インダクター部分同士が、ビアによって互いに接続される。第1および第2インダクター部分は、略ループ型構造を各導電層において形成する。第1および第2インダクタービアは、内半径と外半径とを交替することにより、略ループ型インダクター構造の中の同じ位置に配置されてもよい。または、第1および第2インダクタービアは、第1および第2インダクター部分におけるノッチを用いて、略ループ型インダクター構造の中で、第2インダクターのためのビアが第1インダクターのためのビアの反対側に配置されていてもよい。
【選択図】なし
Description
本発明は、一般に、無線周波数(RF)集積回路(IC’s)に関するものであり、より具体的には、インダクターの構造およびその製造方法に関するものである。
電気工学分野におけるインダクターは、一般的に、電流が流れたときに電磁気特性を示すコイルからなる。インダクターは、一般に、その磁界においてエネルギーを蓄えることができ、例えば、インダクターを流れる電流量の変化を妨害する。インダクターのインダクタンスは、いくつかの因子に依存する。1つの因子としては、巻線の数であり、巻線の数が多ければ多いほどインダクタンスも高くなる。もう1つの因子としては、コイルの断面積であり、断面積が大きければ大きいほどインダクタンスも高くなる。さらに、もう1つの因子としては、巻線の幅であり、巻線の幅が大きければ大きいほど、コイルの内直径に対する外直径の比が大きくなり、インダクタンスを減少させる。これらの因子は、浮遊容量およびインダクターの抵抗にも影響を与える。
上述したような問題は、一般に、本発明の好適な実施形態によって、解決されるか、または回避され、技術的な効果が得られる。本発明の好適な実施形態は、新規の構成を有した2つのインダクターを備えており、2つのインダクターは集積回路の2層以上の導電層に設けられていればよい。ある実施形態において、連結部は、インダクター部分の内半径および外半径において、種々の導電層における2つのインダクター部分のビア接合部(via connection)の位置を互い違いにすることによって、1つ以上の導電層に形成してもよい。これにより、増加したインダクタンスを有する差動型インダクターの製造が可能となる。他の実施形態では、ビア接合部は2つのインダクターによって形成された略ループ型構造の同じ位置に設けられており、ノッチはビアの位置に応じてインダクター部分の各端部に含まれている。
現時点で好ましい実施形態の形成および用法について、以下に詳述する。しかし本発明は、様々な具体的状況において応用および実施可能な概念を提供していることについて理解されたい。本明細書において説明する具体的な実施形態は、本発明の具体的な形成方法および使用方法を単に例証したものであって、本発明の範囲を限定するものではない。
Claims (36)
- 母材と、
母材上に配置された第1導電性層と、第1インダクターの第1部および第2インダクターの第1部が第1導電層の内部に配置されており、第2インダクターの第1部は第1インダクターの第1部に対称であり、
第1導電層に隣接して配置された少なくとも1つの第2導電層と、第1インダクターの第2部および第2インダクターの第2部が少なくとも1つの第2導電層の内部にそれぞれ配置され、少なくとも1つの第2導電層の内部において第2インダクターの第2部は第1インダクターの第2部に対して対称であり、
少なくとも1つの第1インダクタービアは、第1導電層における第1インダクターの第1部を、近接した第2導電層における第1インダクターの第2部に結合しており、
少なくとも1つの第2インダクタービアは、第1導電層における第2インダクターの第1部を、近接した第2導電層における第2インダクターの第2部に結合しており、少なくとも1つの第2インダクタービアは少なくとも1つの第1インダクタービアに対称であることを特徴とする半導体装置。 - 第1インダクターの第1部および少なくとも1つの第2部が差動型インダクターの第1インダクターまたは変圧器を構成し、第2インダクターの第1部および少なくとも1つの第2部が差動型インダクターの第2インダクターまたは変圧器を構成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1インダクターの第1部および第2インダクターの第1部は、略ループ型構造を構成しており、少なくとも1つの第2インダクタービアは、略ループ型構造において、少なくとも1つの第1インダクタービアに対して0度または180度に位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1インダクターの第1部および第2インダクターの第1部は、略ループ型構造を構成しており、第1インダクターの第1部は、第1インダクターの第1部の少なくとも1つの端部において第1ノッチを含んでおり、第2インダクターの第1部は、第2インダクターの第1部の少なくとも1つの端部において第2ノッチを含んでおり、少なくとも1つの第1インダクタービアは第1ノッチと結合し、少なくとも1つの第2インダクタービアは第2ノッチと結合することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1ノッチが略ループ型構造から外側に面し、かつ、第2ノッチが略ループ型構造から内側に面している、または、第1ノッチが略ループ型構造から内側に面し、かつ、第2ノッチが略ループ型構造から外側に面していることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 第1インダクターの第2部は、第1導電層に近接する第2導電層の内部に配置されているとともに、第1導電層における第2インダクターの第1部に近接しており、
第2インダクターの第2部は、第1導電層に近接する第2導電層の内部に配置されているとともに、第1導電層における第1インダクターの第1部に近接していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 近接する導電層間において、第1インダクター部分と第1インダクター部分との間の少なくとも1つの第1インダクタービアは、連続的な各導電層において、第1インダクター部分の内半径と外半径との間の位置において互い違いとなっており、近接する導電層間において、第2インダクター部分と第2インダクター部分との間の少なくとも1つの第2インダクタービアは、連続的な各導電層において、第2インダクター部分の内半径と外半径との間の位置において互い違いとなっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 少なくとも1つの第1インダクタービアおよび少なくとも1つの第2インダクタービアは、一直線上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1インダクターの第1部および第2インダクターの第1部は略ループ型構造を構成しており、近接する導電層間において、第1インダクター部分と第1インダクター部分との間の第1インダクタービアは、略ループ型構造に沿って、近接する導電層間において、第2インダクター部分と第2インダクター部分との間の第2インダクタービアと近接して位置しているか、または反対側に位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1インダクターの第3部は、少なくとも1つの第2導電層に近接して配置された第3導電層に形成されており、
第2インダクターの第3部は、第3導電層に形成されており、第2インダクターの第3部は、第1インダクターの第3部に対して対称であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 第1インダクターの第1部は、第1端および第2端を含んでおり、
第2インダクターの第1部は、第1端および第2端を含んでおり、第2インダクターの第1部の第1端は、第1インダクターの第1部の第1端に近接しており、第2インダクターの第1部の第2端は、第1インダクターの第1部の第2端に隣接しており、
第1インダクターの第2部は、第1端および第2端を含んでおり、第1インダクターの第2部の第1端は、第1インダクターの第1部の第1端と結合しており、
第2インダクターの第2部は、第1端および第2端を含んでおり、第2インダクターの第2部の第1端は、第1インダクターの第2部の第1端に近接しており、第2インダクターの第2部の第2端は第1インダクターの第2部の第2端に近接しており、第2インダクターの第2部の第2端は第2インダクターの第1部の第2端と結合しており、
第1インダクターの第3部は、第1端および第2端を含んでおり、第1インダクターの第3部の第2端は第1インダクターの第2部の第2端と結合しており、
第2インダクターの第3部は、第1端および第2端を含んでおり、第2インダクターの第3部の第1端は第1インダクターの第3部の第1端に近接しており、第2インダクターの第3部の第2端は第1インダクターの第3部の第2端に近接しており、第2インダクターの第3部の第1端は第2インダクターの第1部の第1端と結合していることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。 - 第1電圧端子は第1インダクターの第1部の第2端と結合し、第2電圧端子は第2インダクターの第1部の第1端と結合することを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。
- 母材上に配置された第4導電層をさらに備え、第4導電層の一部は第1インダクターの第3部と第2インダクターの第3部とを結合させ、第4導電層の一部は電圧供給端末に結合していることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 母材上に配置された第4導電層をさらに備え、第1インダクターの第4部および第2インダクターの第4部は第4導電層の内部に配置されていることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。
- 第1インダクターの第4部は第1端および第2端を含み、第2インダクターの第4部は第1端および第2端を含み、第1インダクターの第4部の第1端は第1インダクターの第3部の第1端と結合しており、第2インダクターの第4部の第2端は第2インダクターの第3部の第2端に結合していることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 第4導電層の一部は第1インダクターの第2端と第2インダクターの第1端とを結合させ、第4導電層の一部は電圧供給端子に結合していることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
- 少なくとも1つの第1インダクタービアは、第1インダクターの第2部の外半径にある位置と第1インダクターの第1部の外半径にある位置とを結合し、
少なくとも1つの第2インダクタービアは、第2インダクターの第2部の内半径にある位置と第2インダクターの第1部の内半径にある位置とを結合することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 第1導電層は、集積回路の中で最高の導電性レベルを有しており、第1導電層は少なくとも第2導電層の厚みよりも大きな厚みを有しており、第1インダクターの第1部および第2インダクターの第1部は第1幅を有し、第1インダクターの第2部および第2インダクターの第2部は第2幅を有し、第2幅は第1幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1インダクターの第2部は、第2導電層の内部に配置されており、第1導電層における第2インダクターの第1部の真下に設けられており、
第2インダクターの第2部は、第2導電層の内部に配置されており、第1導電層における第1インダクターの第1部の真下に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 第1インダクターの第2部は、第2導電層の内部に配置されており、第1導電層における第2インダクターの第1部からずれているが、近接して設けられており、
第2インダクターの第2部は、第2導電層の内部に配置されており、第1導電層における第1インダクターの第1部からずれているが、近接して設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 第1インダクターの第1部および第2インダクターの第1部は、第1巻数または端数の巻数を含んでおり、第1インダクターの第2部および第2インダクターの第2部は、第2巻数または端数の巻数を含んでおり、第1巻数または端数の巻数と第2巻数または端数の巻数とは、同等または異なることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1導電層は少なくとも第2導電層の厚みよりも大きな厚みを有しており、第2巻数または端数の巻数は第1巻数または端数の巻数よりも大きく、第1インダクターの第1部は第1インダクターの第2部と略同一の抵抗を有し、第2インダクターの第1部は第2インダクターの第2部と略同一の抵抗を有することを特徴とする請求項21に記載の半導体装置。
- 第1巻数または端数の巻数および第2巻数または端数の巻数は、0.5、0.75、1.0、1.25、1.5、1.75、2.0またはそれ以上の巻数を含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体装置。
- 第1インダクターは略第1螺旋の形状を有しており、第2インダクターは略第2螺旋の形状を有しており、第2螺旋は第1螺旋の鏡像であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 1つ以上の第1インダクター部分および第2インダクターの対応部分は2つの端部を含んでおり、第1インダクター部分および第2インダクター部分の近接した端部が互い違いに置かれるように、第1インダクター部分および第2インダクター部分の端部はノッチを含んでおり、第1インダクター部分および第2インダクター部分の切込みを付けた端部において、複数の第1インダクタービアおよび複数の第2インダクタービアを結合させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1インダクター部分および第2インダクター部分は巻数がx.fであり、xは0、1、2、3等の自然数を含み、fは端数の巻数を含んでいることを特徴とする請求項25に記載の半導体装置。
- 1つの導電層は、巻数xの巻線からなるインダクター部分を含み、xは自然数であり、他の導電層も全て巻数xの巻線を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第2インダクターの第1部は、約180度回転させた第1インダクターの第1部のパターンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第2インダクターの第2部は、第1インダクターの第1部の鏡像であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第1導電層は第1厚みおよび第1導電性材料からなり、少なくとも1つの第2導電層は第2厚みおよび第2導電性材料からなり、第2厚みは第1厚みとは異なっており、第1インダクターの第1部および第2インダクターの第1部は第1幅および第1数を有する巻線からなり、第1インダクターの第2部および第2インダクターの第2部は第2幅および第2数を有する巻線からなり、第2幅および第2数を有する巻線は第1幅および第1数を有する巻線とは異なっており、第1導電層におけるインダクター部分を形成する第1導電性材料の抵抗は、少なくとも1つの第2導電層におけるインダクター部分を形成する第2導電性材料の抵抗とほぼ等価であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 請求項1に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電圧制御発振器(VCO)または変圧器。
- 請求項1に記載の半導体装置を備えることを特徴とする集積回路。
- 母材を備え、
母材上に第1導電層を形成し、
第1導電層に近接する少なくとも1つの第2導電層を形成し、
第1導電層の内部に第1インダクターの第1部および第2インダクターの第1部を形成し、第1インダクターの第1部と第2インダクターの第1部とは対称であり、
少なくとも1つの第2導電層の内部に、第1インダクターの第2部および第2インダクターの第2部をそれぞれ形成し、第1インダクターの第2部と第2インダクターの第2部とは少なくとも1つの第2導電層の内部において対称であり、
第1導電層における第1インダクターの第1部を、近接した第2導電層における第1インダクターの第2部に、少なくとも1つの第1インダクタービアによって結合させ、
第1導電層における第2インダクターの第1部を、近接した第2導電層における第2インダクターの第2部に、少なくとも1つの第2インダクタービアによって結合させ、少なくとも1つの第1インダクタービアおよび少なくとも1つの第2インダクタービアは対称であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1インダクターの第1部および少なくとも1つの第2部が差動型インダクターの第1インダクターまたは変圧器を構成し、第2インダクターの第1部および少なくとも1つの第2部が差動型インダクターの第2インダクターまたは変圧器を構成することを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 第1インダクターの第1部および第2インダクターの第1部は略ループ型構造を構成しており、少なくとも1つの第2インダクタービアは、略ループ型構造において、少なくとも1つの第1インダクタービアに対して0度または180度に位置していることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 第1インダクターの第1部および第2インダクターの第1部は、略ループ型構造を構成しており、第1インダクターの第1部は、第1インダクターの第1部の少なくとも1つの端部において第1ノッチを含んでおり、第2インダクターの第1部は、第2インダクターの第1部の少なくとも1つの端部において第2ノッチを含んでおり、少なくとも1つの第1インダクタービアは第1ノッチと結合し、少なくとも1つの第2インダクタービアは第2ノッチと結合することを特徴とする請求項33に記載の方法。
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