JP2007005569A - Lead frame, semiconductor device, and method and device for cutting - Google Patents

Lead frame, semiconductor device, and method and device for cutting Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lead frame which enables generation of unnecessary cutting pieces while keeping a punched tie bar and its peripheral sealing resin joined integrally without separating the tie bar and the sealing resin, when the tie bar is punched together with the sealing resin. <P>SOLUTION: The lead frame has a plurality of leads 14 disposed so that tips thereof are located together in a circumference of an island whereon a semiconductor element is mounted. The leads 14 are connected by a tie bar 46 which blocks a flow of a sealing resin 15 for resin sealing of the semiconductor element. The tie bar 46 has a projected protrusion 47 in an inner surface facing the island. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、リード間に接続される接続部材（タイバー）を有するリードフレーム、および、上記リードフレームを用いた半導体装置、および、上記半導体装置製造の際に用いられる切断装置、および、上記半導体装置製造の際に接続部材を切断する切断方法に関するものである。   The present invention provides a lead frame having a connecting member (tie bar) connected between leads, a semiconductor device using the lead frame, a cutting device used in manufacturing the semiconductor device, and the semiconductor device. The present invention relates to a cutting method for cutting a connection member during manufacturing.

図１２は、従来の金属製のリードフレーム１０の平面図であり、半導体素子１１を搭載するためのアイランド１２と、外枠からアイランド１２に向けて伸びてアイランド１２を支持する複数の吊りリード１３と、アイランド１２の周囲に先端が集まるように配置された複数のリード１４とを有している。   FIG. 12 is a plan view of a conventional metal lead frame 10, which includes an island 12 for mounting the semiconductor element 11 and a plurality of suspension leads 13 that extend from the outer frame toward the island 12 and support the island 12. And a plurality of leads 14 arranged so that the tips gather around the island 12.

上記アイランド１２は、外枠から見てその内領域に位置するものであり、一般的にはリードフレーム１０の中心位置にその一部（一般的には中央部であるが、必ずしもそうとは限らない）が存在する。また、吊りリード１３は、アイランド１２の対称位置となる四隅角部をそれぞれ支持するように、四箇所に設けられている。但し、この吊りリード１３は四隅角部に設けなければならないという限定はなく、適宜設ければよい。   The island 12 is located in the inner region when viewed from the outer frame, and is generally a part of the lead frame 10 (generally a central portion, but not necessarily). Is not). Further, the suspension leads 13 are provided at four locations so as to support the four corners that are symmetrical positions of the island 12. However, the suspension leads 13 are not limited to be provided at the four corners, and may be provided as appropriate.

図１３に示すように、各リード１４間は、リード１４を互いに支持するとともに封止樹脂１５の流れを塞き止める機能を持つタイバー１６によって接続されている。尚、各リード１４は、タイバー１６の箇所よりも内側領域をインナーリード部１４ａとするとともに外側領域をアウターリード部１４ｂとして区分けされている。尚、リード１４とタイバー１６とはリードフレーム１０と同じ厚さＴを有している。また、リードフレーム１０の表面の算術平均粗さＲａは一般に約６．３μｍに加工されている。   As shown in FIG. 13, the leads 14 are connected to each other by tie bars 16 that support the leads 14 and block the flow of the sealing resin 15. Each lead 14 is divided into an inner lead portion 14a as an inner lead portion 14a and an outer lead portion 14b as an outer lead portion 14b. The lead 14 and the tie bar 16 have the same thickness T as the lead frame 10. The arithmetic average roughness Ra of the surface of the lead frame 10 is generally processed to about 6.3 μm.

次に、図１４に示すように、上記リードフレーム１０を用いて製造された半導体装置２０の構成を説明する。集積回路を形成した半導体素子１１がアイランド１２に取り付けられ、半導体素子１１に備えられた複数の電極パッド１１ａとこれに対応したリード１４とが金属細線２１を介して接続されている。上記半導体素子１１とアイランド１２と金属細線２１とインナーリード部１４ａとが封止樹脂１５によって樹脂封止されており、アウターリード部１４ｂは封止樹脂１５の外側に突出している。   Next, as shown in FIG. 14, the configuration of the semiconductor device 20 manufactured using the lead frame 10 will be described. A semiconductor element 11 in which an integrated circuit is formed is attached to an island 12, and a plurality of electrode pads 11 a provided in the semiconductor element 11 and leads 14 corresponding to the electrode pads 11 a are connected via a thin metal wire 21. The semiconductor element 11, the island 12, the fine metal wire 21, and the inner lead portion 14 a are sealed with a sealing resin 15, and the outer lead portion 14 b protrudes outside the sealing resin 15.

次に、上記半導体装置２０の製造方法を説明する。
図１５に示すように、先ず、半導体素子１１をアイランド１２に接着剤などにより取り付け、電極パッド１１ａとリード１４とを金属細線２１で接続する。次に、半導体素子１１とアイランド１２と金属細線２１とインナーリード部１４ａとを封止樹脂１５で樹脂封入する。この際、図１６に示すように、封止樹脂１５は、タイバー１６によって塞き止められ、タイバー１６の外側へ流出することはない。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device 20 will be described.
As shown in FIG. 15, first, the semiconductor element 11 is attached to the island 12 with an adhesive or the like, and the electrode pad 11 a and the lead 14 are connected by the thin metal wire 21. Next, the semiconductor element 11, the island 12, the fine metal wire 21, and the inner lead portion 14 a are encapsulated with an encapsulating resin 15. At this time, as shown in FIG. 16, the sealing resin 15 is blocked by the tie bar 16 and does not flow out of the tie bar 16.

樹脂封止後、切断装置２４を用いて各タイバー１６を各リード１４から切断し、各リード１４を電気的に独立させる。次に、各リード１４をリードフレーム１０の外枠から切り離し、必要に応じてアウターリード部１４ｂを適宜折り曲げたり切断し、これにより、図１４に示すように半導体装置２０が製造される。   After resin sealing, each tie bar 16 is cut from each lead 14 using a cutting device 24, and each lead 14 is electrically independent. Next, each lead 14 is cut off from the outer frame of the lead frame 10, and the outer lead portion 14b is appropriately bent or cut as necessary, whereby the semiconductor device 20 is manufactured as shown in FIG.

次に、上記切断装置２４の構成を説明する。
図１７に示すように、切断装置２４は、複数の打抜き穴２５を有するダイ２６と、打抜き穴２５に対し昇降して挿脱自在な打抜きパンチ２７とを備えている。上記ダイ２６は半導体装置受け金型２８の外縁部分に設けられている。また、上記打抜きパンチ２７は、各タイバー１６を一括して打抜けるように櫛歯状に形成されている。また、上記半導体装置受け金型２８の下方には、上記打抜きパンチ２７によって打抜かれたタイバー１６を不要切断片として吸引する集塵機２９が設けられている。集塵機２９と各打抜き穴２５の下部との間は吸引通路３０を介して接続されている。 Next, the configuration of the cutting device 24 will be described.
As shown in FIG. 17, the cutting device 24 includes a die 26 having a plurality of punching holes 25, and a punching punch 27 that moves up and down with respect to the punching holes 25 and is detachable. The die 26 is provided on the outer edge portion of the semiconductor device receiving mold 28. The punching punch 27 is formed in a comb-like shape so as to punch through the tie bars 16 all at once. A dust collector 29 for sucking the tie bar 16 punched by the punching punch 27 as an unnecessary cutting piece is provided below the semiconductor device receiving die 28. The dust collector 29 and the lower portion of each punch hole 25 are connected via a suction passage 30.

次に、上記切断装置２４を用いてタイバー１６を切断する切断方法を説明する。
樹脂封止後、図１８，図１９に示すように、打抜きパンチ２７を下降してダイ２６の打抜き穴２５に挿入し、タイバー１６を打抜く。この際、封止樹脂１５を切断せずにタイバー１６のみ切断することは、リードフレーム１０の寸法のばらつきや封止樹脂１５の成型収縮の関係で切断するポイントが３０μｍ程度ばらつくため、不可能である。従って、上記ばらつきを考慮して、タイバー１６と共にタイバー１６の周辺の封止樹脂１５も同時に打抜きパンチ２７で打抜くことが一般的に行われている。図１９に示すように、このときの打抜きパンチ２７の幅Ｗはリード１４間の間隔Ｄよりも６０μｍ（所定量）程度小さく設定されている。 Next, a cutting method for cutting the tie bar 16 using the cutting device 24 will be described.
After the resin sealing, as shown in FIGS. 18 and 19, the punching punch 27 is lowered and inserted into the punching hole 25 of the die 26, and the tie bar 16 is punched out. At this time, it is impossible to cut only the tie bar 16 without cutting the sealing resin 15 because the cutting point varies by about 30 μm due to the variation in the dimensions of the lead frame 10 and the molding shrinkage of the sealing resin 15. is there. Therefore, in consideration of the above-described variation, it is generally performed that the sealing resin 15 around the tie bar 16 is simultaneously punched with the punching punch 27 together with the tie bar 16. As shown in FIG. 19, the width W of the punching punch 27 at this time is set to be about 60 μm (predetermined amount) smaller than the interval D between the leads 14.

これにより、図１８（ｂ）（ｃ），図１９に示すように、打抜きパンチ２７で打抜かれたタイバー１６の切断片１６ａとその周辺の封止樹脂１５の切断片１５ａとが不要切断片３１として発生するが、この不要切断片３１は、吸引通路３０から集塵機１２に真空吸引され、１つ残らず完全に除去されなければならない。その理由は、一度打抜かれたタイバー１６が、連続的に搬送される次の半導体装置２０のリード１４に付着したり、リード１４の形状を損なう等の不具合を及ぼすためである。尚、打抜きパンチ２７がタイバー１６を打抜く際に周辺の封止樹脂１５へ入り込んで打抜く量は１００μｍ程度が一般的である。   As a result, as shown in FIGS. 18B, 18C and 19, the cutting piece 16a of the tie bar 16 punched by the punching punch 27 and the cutting piece 15a of the sealing resin 15 in the vicinity thereof are unnecessary cutting pieces 31. However, the unnecessary cut piece 31 is vacuum-sucked from the suction passage 30 to the dust collector 12 and must be completely removed. The reason is that the tie bar 16 that has been punched once adheres to the lead 14 of the next semiconductor device 20 that is continuously transported, and the shape of the lead 14 is damaged. When the punching punch 27 punches the tie bar 16, the amount of punching into the peripheral sealing resin 15 is generally about 100 μm.

しかしながら上記の従来形式では、タイバー１６は封止樹脂１５の流れを塞き止める機能しか有しておらず、タイバー１６とその周辺の封止樹脂１５との密着性は互いの接触面に発生する接着力のみにより接合している。従来では、図１６に示すようにタイバー１６の一平面すなわち内側面１６ｂのみが封止樹脂１５に接触しているため、タイバー１６と封止樹脂１５との接触面積が小さく、タイバー１６とその周辺の封止樹脂１５との接着力は非常に弱い。したがって、タイバー１６をその周辺の封止樹脂１５と共に同時に打抜いた際、図１８（ｃ），図１９に示すように、打抜きによる衝撃で、不要切断片３１がタイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとに簡単に分離してしまい、タイバー１６の切断片１６ａ（金属片の切断カス）と封止樹脂１５の切断片１５ａ（樹脂片の切断カス）とが個別に発生した。   However, in the above-described conventional type, the tie bar 16 has only a function of blocking the flow of the sealing resin 15, and adhesion between the tie bar 16 and the surrounding sealing resin 15 occurs on the contact surfaces. They are joined only by adhesive strength. Conventionally, as shown in FIG. 16, since only one plane of the tie bar 16, that is, the inner side surface 16b is in contact with the sealing resin 15, the contact area between the tie bar 16 and the sealing resin 15 is small. The adhesive force with the sealing resin 15 is very weak. Therefore, when the tie bar 16 is simultaneously punched together with the surrounding sealing resin 15, as shown in FIGS. 18 (c) and 19, the unnecessary cutting piece 31 is sealed with the cutting piece 16 a of the tie bar 16 by the impact of the punching. It is easily separated into a cut piece 15a of the stop resin 15, and a cut piece 16a (cut piece of metal piece) of the tie bar 16 and a cut piece 15a (cut piece of resin piece) of the sealing resin 15 are generated individually. did.

このうち、タイバー１６の切断片１６ａは、自重による自然落下に加えて集塵機１２の真空吸引力により、吸引通路３０を通って集塵機１２へ集められる。これに対して、封止樹脂１５の切断片１５ａは、上記タイバー１６の切断片１６ａよりも軽量であるため、打抜き時に打抜きパンチ２７との摩擦によって発生する静電気や打抜き後に打抜きパンチ２７の上昇によって発生する空気の流れ等の影響を受けて、集塵機１２の吸引力で吸引されず、打抜きパンチ２７の上昇に伴って、リードフレーム１０の上方へ飛散するといった問題がある。   Among them, the cut pieces 16a of the tie bar 16 are collected to the dust collector 12 through the suction passage 30 by the vacuum suction force of the dust collector 12 in addition to the natural fall due to their own weight. On the other hand, since the cut piece 15a of the sealing resin 15 is lighter than the cut piece 16a of the tie bar 16, static electricity generated due to friction with the punching punch 27 at the time of punching or rising of the punching punch 27 after punching. Under the influence of the generated air flow and the like, there is a problem in that the dust is not sucked by the suction force of the dust collector 12 and is scattered upward of the lead frame 10 as the punching punch 27 rises.

また、最近のパッケージの多ピン化に伴い、電極パッド１１ａの数とそれに対応したリード１４の数とが増加し、リードピッチが益々小さくなる傾向にある。例えば、一般にＱＦＰ（Ｑｕａｒｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージにおいては、従来、その外形が２８ｍｍ角の２０８ピンの場合には、リード１４の幅Ｃが０．２ｍｍ、リード１４間のピッチＰが０．５ｍｍ、リード１４間の間隔Ｄが０．３ｍｍ（＝０．５−０．２）である。この場合にパッケージ外形の１辺の長さ２８ｍｍの長さのなかに５２ピンのリード１４が配置されることとなり、リード１４とリード１４とを接続するタイバー１６を抜くためには、打抜きパンチ２７とリードフレーム１０との位置精度を加味し、±０．０３ｍｍのズレを見越して０．２４ｍｍ（＝０．３−０．０３×２）の幅Ｗの打抜きパンチ２７にてタイバー１６とその周辺の封止樹脂１５とを打抜いていた。   Further, with the recent increase in the number of pins of the package, the number of electrode pads 11a and the number of leads 14 corresponding to the number increase, and the lead pitch tends to become smaller. For example, in a package generally called QFP (Quad Flat Package), when the outer shape is a 208 pin of 28 mm square, the width C of the leads 14 is 0.2 mm and the pitch P between the leads 14 is 0.5 mm. The distance D between the leads 14 is 0.3 mm (= 0.5-0.2). In this case, a 52-pin lead 14 is disposed within a length of 28 mm on one side of the package outer shape. In order to remove the tie bar 16 connecting the lead 14 and the lead 14, a punching punch 27 is used. In consideration of the positional accuracy between the lead frame 10 and the lead frame 10, a tie bar 16 and its surroundings are punched by a punching punch 27 having a width W of 0.24 mm (= 0.3-0.03 × 2) in anticipation of a deviation of ± 0.03 mm. The sealing resin 15 was punched out.

これが昨今の多ピン化にともない、２８ｍｍ角の２５６ピンとなった場合には、リード１４の幅Ｃが０.１６ｍｍ、リード１４間のピッチＰが０.４ｍｍとなり、リード１４間の間隔Ｄが０．２４ｍｍとなる。打抜きパンチ２７とリードフレーム１０との位置精度として±０．０３ｍｍのズレを見越した場合、タイバー１６の切断には０．１８ｍｍの幅Ｗの打抜きパンチ２７を用いる必要がある。   When the number of pins becomes 28 mm square with the recent increase in the number of pins, the width C of the leads 14 is 0.16 mm, the pitch P between the leads 14 is 0.4 mm, and the distance D between the leads 14 is 0. .24 mm. When a deviation of ± 0.03 mm is anticipated as the positional accuracy between the punching punch 27 and the lead frame 10, it is necessary to use the punching punch 27 having a width W of 0.18 mm for cutting the tie bar 16.

つまり上記のような多ピン化に伴い、タイバー１６とその周辺の封止樹脂１５との打抜き時の幅は２５％小さくなってきている。このように、多ピン化に伴って、不要切断片３１そのものも小さくなってきており、これにより、元々飛散し易い封止樹脂１５の切断片１５ａがさらに飛散し易くなり、飛散した封止樹脂１５の切断片１５ａがリードフレーム１０上に付着して次工程の半導体装置のリード形成の曲げ加工時に異物として噛み込まれるといった問題がある。すなわち、上記のように０．１８ｍｍの幅Ｗの打抜きパンチ２７を用いてタイバー１６を打抜いた場合、タイバー１６と共に打抜かれた周辺の封止樹脂１５の幅も０．１８ｍｍとなり、幅０．１８ｍｍの封止樹脂１５の切断片１５ａが飛散して上記幅０．１６ｍｍへ細線化しているリード１４に付着した場合、リード１４が封止樹脂１５の切断片１５ａによって簡単に変形してしまう恐れがある。   That is, with the increase in the number of pins as described above, the width at the time of punching the tie bar 16 and the surrounding sealing resin 15 is reduced by 25%. In this way, with the increase in the number of pins, the unnecessary cut pieces 31 themselves are also becoming smaller, which makes it easier for the cut pieces 15a of the sealing resin 15 that is originally scattered to be scattered, and the scattered sealing resin. There is a problem that 15 cut pieces 15a adhere to the lead frame 10 and are bitten as foreign matters during the lead forming bending process of the semiconductor device in the next process. That is, when the tie bar 16 is punched using the punching punch 27 having a width W of 0.18 mm as described above, the width of the peripheral sealing resin 15 punched together with the tie bar 16 is also 0.18 mm. If the cut piece 15a of the 18 mm sealing resin 15 scatters and adheres to the lead 14 thinned to the width of 0.16 mm, the lead 14 may be easily deformed by the cut piece 15a of the sealing resin 15. There is.

また、下記特許文献１には、打抜かれたタイバーの切断片（切断カス）が打抜きパンチに付着して打抜きパンチと共に上昇するのを防止することが可能なタイバー切断装置が記載されている。すなわち、図２０に示すように、打抜き金型のダイ３５の開口部３６にテーパー部３７を形成し、打抜きパンチ３９でタイバー３８を打抜いた際、タイバー３８の切断片３８ａをテーパー部３７に押し付けて嵌め込むことで、タイバー３８の切断片３８ａに塑性変形を起こさせ、これにより、タイバー３８の切断片３８ａの上昇を防止している。   Further, Patent Document 1 below describes a tie bar cutting device that can prevent a cut piece (cut residue) of a punched tie bar from adhering to the punch and rising together with the punch. That is, as shown in FIG. 20, when the tapered portion 37 is formed in the opening 36 of the die 35 of the punching die and the tie bar 38 is punched by the punching punch 39, the cut piece 38 a of the tie bar 38 is formed into the tapered portion 37. By pressing and fitting, the cut piece 38a of the tie bar 38 is plastically deformed, thereby preventing the cut piece 38a of the tie bar 38 from rising.

しかしながら、図２０に示すものでは、タイバー３８と共にその周辺の封止樹脂も同時に打抜きパンチ３９で打抜いた場合、タイバー３８の切断片３８ａと封止樹脂の切断片とが個別に発生し、このうちタイバー３８の切断片３８ａは上記のようにテーパー部３７に嵌まり込んで塑性変形するが、封止樹脂の切断片に関してはテーパー部３７に押し付けられても塑性変形せず、封止樹脂の切断片が砕けてより小型の切断片となって舞い上がり易くなるため、封止樹脂の切断片が上昇するのを防止する効果はほとんど発揮されず、上昇した封止樹脂の切断片が飛散してリードフレーム上に付着し次工程の半導体装置のリード形成の曲げ加工時に異物として噛み込まれるといった問題がある。
特開２００４−１８６４７４ However, in the case shown in FIG. 20, when the tie bar 38 and the surrounding sealing resin are simultaneously punched by the punching punch 39, a cutting piece 38a of the tie bar 38 and a cutting piece of the sealing resin are generated individually. Of these, the cut piece 38a of the tie bar 38 is fitted into the tapered portion 37 and plastically deformed as described above. However, the cut piece of the sealing resin does not plastically deform even when pressed against the tapered portion 37, and the sealing resin Since the cut pieces are crushed and become easier to fly up as smaller cut pieces, the effect of preventing the sealing resin cut pieces from rising is hardly exerted, and the raised sealing resin cut pieces are scattered. There is a problem in that it adheres to the lead frame and is caught as a foreign object during bending of lead formation of the semiconductor device in the next process.
JP 2004-186474 A

本発明は、接続部材（タイバー）をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた場合、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片を発生させることが可能なリードフレームおよび半導体装置および切断装置および切断方法を提供することを目的とする。   In the present invention, when the connection member (tie bar) is punched together with the peripheral sealing resin, the connection member and the peripheral sealing resin are separated without separating the punched connection member and the peripheral sealing resin. It is an object of the present invention to provide a lead frame, a semiconductor device, a cutting device, and a cutting method capable of generating unnecessary cutting pieces that are joined together.

上記目的を達成するために本第１の発明は、半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、上記接続部材は、上記アイランドに対向する内側に、突起部を有しているものである。   In order to achieve the above object, the present invention provides a lead frame having an island for mounting a semiconductor element and a plurality of leads arranged so that tips are gathered around the island. The connection is made by a connection member that blocks the flow of the sealing resin that encapsulates the semiconductor element, and the connection member has a protrusion on the inside facing the island.

これによると、半導体装置を製造する場合、アイランド上に半導体素子を取付け、半導体素子の電極パッドとリードとを接続し、アイランドと半導体素子とを封止樹脂で樹脂封止する。この際、封止樹脂の流れは接続部材によって塞き止められ、封止樹脂が突起部の周辺に回り込むため、接続部材とその周辺の封止樹脂との接触面積が増大し、これにより、接続部材とその周辺の封止樹脂との接着力が増加する。   According to this, when manufacturing a semiconductor device, a semiconductor element is mounted on an island, electrode pads of the semiconductor element and leads are connected, and the island and the semiconductor element are resin-sealed with a sealing resin. At this time, the flow of the sealing resin is blocked by the connecting member, and since the sealing resin wraps around the periphery of the protruding portion, the contact area between the connecting member and the surrounding sealing resin increases, and thus the connection The adhesive force between the member and the surrounding sealing resin increases.

したがって、各リードを電気的に独立させるために、接続部材をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた際、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生する。この不要切断片は、従来の接続部材と周辺の封止樹脂とが分離した個々の不要切断片に比べて、重量と体積とが増大するため、自然落下し易くなるとともに容易に吸引される。これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。   Therefore, in order to make each lead electrically independent, when the connecting member is punched together with the surrounding sealing resin, the punched connecting member and the surrounding sealing resin are not separated, and the connecting member Unnecessary cut pieces are generated while the peripheral sealing resin is integrally bonded. Since the unnecessary cutting pieces increase in weight and volume as compared with the individual unnecessary cutting pieces in which the conventional connecting member and the peripheral sealing resin are separated, the unnecessary cutting pieces are easily dropped and easily sucked. Thereby, it is possible to prevent unnecessary cutting pieces from being scattered above the lead frame.

また、本第２の発明は、半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、上記接続部材は、上記アイランドに対向する内側に、切欠部を有しているものである。   The second aspect of the present invention is a lead frame having an island for mounting a semiconductor element and a plurality of leads arranged so that tips are gathered around the island, and the gap between the leads The element is connected by a connecting member that blocks the flow of the sealing resin that encapsulates the element, and the connecting member has a notch on the inner side facing the island.

これによると、半導体装置製造時、アイランドと半導体素子とを封止樹脂で樹脂封止する際、封止樹脂の流れは接続部材によって塞き止められ、封止樹脂が切欠部に流れ込むため、接続部材とその周辺の封止樹脂との接触面積が増大し、これにより、接続部材とその周辺の封止樹脂との接着力が増加する。   According to this, at the time of semiconductor device manufacturing, when the island and the semiconductor element are sealed with the sealing resin, the flow of the sealing resin is blocked by the connecting member, and the sealing resin flows into the notch portion. The contact area between the member and the surrounding sealing resin increases, thereby increasing the adhesive force between the connecting member and the surrounding sealing resin.

したがって、各リードを電気的に独立させるために、接続部材をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた際、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生する。この不要切断片は、従来の接続部材と周辺の封止樹脂とが分離した個々の不要切断片に比べて、重量と体積とが増大するため、自然落下し易くなるとともに容易に吸引される。これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。   Therefore, in order to make each lead electrically independent, when the connecting member is punched together with the surrounding sealing resin, the punched connecting member and the surrounding sealing resin are not separated, and the connecting member Unnecessary cut pieces are generated while the peripheral sealing resin is integrally bonded. Since the unnecessary cutting pieces increase in weight and volume as compared with the individual unnecessary cutting pieces in which the conventional connecting member and the peripheral sealing resin are separated, the unnecessary cutting pieces are easily dropped and easily sucked. Thereby, it is possible to prevent unnecessary cutting pieces from being scattered above the lead frame.

また、本第３の発明は、半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、上記接続部材は、所定の厚さで形成された本体部と、本体部のアイランドに対向する内側に形成され且つ上記本体部の厚さよりも薄い薄厚部とを有し、上記接続部材の少なくとも表裏いずれか片面に、上記本体部と薄厚部とによる段差部が形成されているものである。   The third aspect of the present invention is a lead frame having an island for mounting a semiconductor element and a plurality of leads arranged so that tips are gathered around the island, and the gap between the leads It is connected by a connecting member that blocks the flow of sealing resin that encapsulates the element, and the connecting member is formed on the inner side facing the island of the main body and the main body formed with a predetermined thickness, and the above-mentioned And a step portion formed by the main body portion and the thin portion is formed on at least one of the front and back sides of the connection member.

これによると、半導体装置製造時、アイランドと半導体素子とを封止樹脂で樹脂封止する際、封止樹脂の流れは接続部材によって塞き止められ、封止樹脂が段差部に流れ込むため、接続部材とその周辺の封止樹脂との接触面積が増大し、これにより、接続部材とその周辺の封止樹脂との接着力が増加する。   According to this, at the time of semiconductor device manufacturing, when the island and the semiconductor element are sealed with the sealing resin, the flow of the sealing resin is blocked by the connecting member, and the sealing resin flows into the stepped portion. The contact area between the member and the surrounding sealing resin increases, thereby increasing the adhesive force between the connecting member and the surrounding sealing resin.

したがって、各リードを電気的に独立させるために、接続部材をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた際、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生する。この不要切断片は、従来の接続部材と周辺の封止樹脂とが分離した個々の不要切断片に比べて、重量と体積とが増大するため、自然落下し易くなるとともに容易に吸引される。これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。   Therefore, in order to make each lead electrically independent, when the connecting member is punched together with the surrounding sealing resin, the punched connecting member and the surrounding sealing resin are not separated, and the connecting member Unnecessary cut pieces are generated while the peripheral sealing resin is integrally bonded. Since the unnecessary cutting pieces increase in weight and volume as compared with the individual unnecessary cutting pieces in which the conventional connecting member and the peripheral sealing resin are separated, the unnecessary cutting pieces are easily dropped and easily sucked. Thereby, it is possible to prevent unnecessary cutting pieces from being scattered above the lead frame.

また、本第４の発明は、半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、上記封止樹脂と接触する接続部材の接触面の粗さがＲａ１０μｍ以上に設定されているものである。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a lead frame having an island for mounting a semiconductor element and a plurality of leads arranged so that tips are gathered around the island. A connection member that blocks the flow of the sealing resin that encapsulates the element is connected, and the roughness of the contact surface of the connection member that contacts the sealing resin is set to Ra 10 μm or more.

これによると、半導体装置製造時、アイランドと半導体素子とを封止樹脂で樹脂封止する際、封止樹脂が接続部材の接触面に接触して、封止樹脂の流れが接続部材によって塞き止められる。上記接触面の粗さをＲａ１０μｍ以上の粗い面にしているため、接続部材とその周辺の封止樹脂との接触面積が増大し、これにより、接続部材とその周辺の封止樹脂との接着力が増加する。   According to this, at the time of semiconductor device manufacture, when the island and the semiconductor element are sealed with the sealing resin, the sealing resin comes into contact with the contact surface of the connecting member, and the flow of the sealing resin is blocked by the connecting member. It can be stopped. Since the roughness of the contact surface is a rough surface of Ra 10 μm or more, the contact area between the connecting member and the surrounding sealing resin increases, and thereby the adhesive force between the connecting member and the surrounding sealing resin Will increase.

したがって、各リードを電気的に独立させるために、接続部材をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた際、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生する。この不要切断片は、従来の接続部材と周辺の封止樹脂とが分離した個々の不要切断片に比べて、重量と体積とが増大するため、自然落下し易くなるとともに容易に吸引される。これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。   Therefore, in order to make each lead electrically independent, when the connecting member is punched together with the surrounding sealing resin, the punched connecting member and the surrounding sealing resin are not separated, and the connecting member Unnecessary cut pieces are generated while the peripheral sealing resin is integrally bonded. Since the unnecessary cutting pieces increase in weight and volume as compared with the individual unnecessary cutting pieces in which the conventional connecting member and the peripheral sealing resin are separated, the unnecessary cutting pieces are easily dropped and easily sucked. Thereby, it is possible to prevent unnecessary cutting pieces from being scattered above the lead frame.

また、本第５の発明は、上記第１の発明から第４の発明のいずれかに記載のリードフレームを用いて製造された半導体装置であって、複数の電極パッドを有する半導体素子がアイランドに取付けられ、上記電極パッドとリードとが金属細線を介して接続され、上記半導体素子とアイランドと金属細線とが封止樹脂によって樹脂封止され、上記封止樹脂が接続部材によって塞き止められているものである。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufactured using the lead frame according to any one of the first to fourth aspects, wherein a semiconductor element having a plurality of electrode pads is formed on the island. The electrode pad and the lead are connected via a fine metal wire, the semiconductor element, the island and the fine metal wire are sealed with a sealing resin, and the sealing resin is blocked by a connecting member. It is what.

また、本第６の発明は、上記第５の発明に記載の半導体装置を製造する際に、接続部材を切断するのに使用される切断装置であって、打抜き開口部を有するダイと、上記打抜き開口部に対して挿脱自在な打抜きパンチとが設けられ、上記打抜きパンチは、接続部材を、周辺の封止樹脂と共にリードから打抜き、上記打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とからなる不要切断片を吸引する吸引装置が設けられているものである。   The sixth invention is a cutting device used for cutting a connection member when manufacturing the semiconductor device according to the fifth invention, the die having a punching opening, and the above-mentioned A punching punch that can be inserted into and removed from the punching opening is provided. The punching punch punches a connection member from a lead together with a peripheral sealing resin, and includes the punched connection member and a peripheral sealing resin. A suction device for sucking the unnecessary cutting pieces is provided.

これによると、打抜きパンチで、接続部材を、その周辺の封止樹脂と共にリードから打抜く。この際、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生し、この不要切断片は確実に自然落下するとともに吸引装置で容易に吸引される。これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。   According to this, the connecting member is punched from the lead together with the surrounding sealing resin by a punching punch. At this time, the punched connection member and the peripheral sealing resin are not separated, and an unnecessary cut piece is generated while the connection member and the peripheral sealing resin are integrally joined. It surely falls naturally and is easily sucked by a suction device. Thereby, it is possible to prevent unnecessary cutting pieces from being scattered above the lead frame.

また、本第７の発明は、上記第５の発明に記載の半導体装置を製造する際に、接続部材を切断する切断方法であって、樹脂封止後、接続部材を、周辺の封止樹脂と共にリードから打抜き、上記打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とからなる不要切断片を吸引するものである。   The seventh aspect of the invention is a cutting method for cutting the connection member when manufacturing the semiconductor device according to the fifth aspect of the present invention. At the same time, it is punched from a lead, and an unnecessary cut piece composed of the punched connecting member and the surrounding sealing resin is sucked.

これによると、打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とが分離することはなく、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生し、この不要切断片は確実に自然落下するとともに容易に吸引され、これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができる。   According to this, the punched connection member and the peripheral sealing resin are not separated, and an unnecessary cut piece is generated in which the connection member and the peripheral sealing resin are joined together. Can surely fall naturally and be sucked easily, thereby preventing unnecessary cutting pieces from scattering above the lead frame.

以上のように、本発明によると、半導体装置製造時、接続部材とその周辺の封止樹脂との接着力が増加するため、接続部材をその周辺の封止樹脂と共に打抜いた際、接続部材と周辺の封止樹脂とが一体に接合したままの不要切断片が発生する。この不要切断片は、従来の接続部材と周辺の封止樹脂とが分離した個々の不要切断片に比べて、重量と体積とが増大するため、自然落下し易くなるとともに容易に吸引され、これにより、不要切断片がリードフレームの上方へ飛散するのを防止することができ、リードを適宜折り曲げたり切断して半導体装置を製造する工程の歩留を向上させることができる。   As described above, according to the present invention, when the semiconductor device is manufactured, since the adhesive force between the connecting member and the surrounding sealing resin increases, the connecting member is punched together with the surrounding sealing resin. And unnecessary cutting pieces are generated while the peripheral sealing resin is bonded together. Since this unnecessary cutting piece increases in weight and volume compared to the individual unnecessary cutting pieces in which the conventional connecting member and the surrounding sealing resin are separated, it is easy to fall naturally and is easily sucked. Therefore, it is possible to prevent the unnecessary cut pieces from scattering above the lead frame, and to improve the yield of the process of manufacturing the semiconductor device by appropriately bending or cutting the leads.

［第１の実施の形態］
以下に、本発明における第１の実施の形態を図１〜図５に基いて説明する。尚、先に述べた従来技術と同じ構成の部材については、同一の符号を付記して説明を省略する。 [First Embodiment]
Below, the 1st Embodiment in this invention is described based on FIGS. In addition, about the member of the same structure as the prior art mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

図１に示すように、各リード１４間を接続する各タイバー４６（接続部材の一例）は、アイランド１２に対向する内側面に、凸形状の突起部４７を有している。尚、リード１４とタイバー４６と突起部４７とは同じ厚さＴを有している。   As shown in FIG. 1, each tie bar 46 (an example of a connection member) that connects the leads 14 has a convex protrusion 47 on the inner surface facing the island 12. The lead 14, the tie bar 46, and the protrusion 47 have the same thickness T.

また、図１７に示すように、上記半導体装置２０を製造する際にタイバー４６を切断するための切断装置２４は、打抜き穴２５（打抜き開口部の一例）を有するダイ２６と、打抜き穴２５に対し昇降して挿脱自在な打抜きパンチ２７と、打抜きパンチ２７で打抜かれたタイバー４６の切断片４６ａとタイバー４６の周辺の封止樹脂１５の切断片１５ａとからなる不要切断片４８を吸引する集塵機２９（吸引装置の一例）とを具備している。   In addition, as shown in FIG. 17, the cutting device 24 for cutting the tie bar 46 when the semiconductor device 20 is manufactured includes a die 26 having a punching hole 25 (an example of a punching opening), and a punching hole 25. The unnecessary cutting piece 48 which consists of the punching punch 27 which can be moved up and down and removed, the cutting piece 46a of the tie bar 46 punched by the punching punch 27, and the cutting piece 15a of the sealing resin 15 around the tie bar 46 is sucked. And a dust collector 29 (an example of a suction device).

次に、上記半導体装置２０の製造方法を説明する。
先ず、半導体素子１１をアイランド１２に接着剤などにより取り付け、半導体素子１１の電極パッド１１ａとリード１４とを金属細線２１で接続する。次に、半導体素子１１とアイランド１２と金属細線２１とインナーリード１４ａとを封止樹脂１５で樹脂封入する。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device 20 will be described.
First, the semiconductor element 11 is attached to the island 12 with an adhesive or the like, and the electrode pad 11a of the semiconductor element 11 and the lead 14 are connected by the thin metal wire 21. Next, the semiconductor element 11, the island 12, the fine metal wire 21, and the inner lead 14 a are encapsulated with a sealing resin 15.

この際、図２に示すように、封止樹脂１５は、タイバー４６によって塞き止められ、タイバー１６の外側へ流出することはなく、さらに、突起部４７の周囲に回り込む。突起部４７の突出長さをＡ、幅をＢとすると（図１参照）、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接触面積が従来のものよりもＡ×Ｔ×２だけ増大するため、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加する。   At this time, as shown in FIG. 2, the sealing resin 15 is blocked by the tie bar 46, does not flow out of the tie bar 16, and further wraps around the protrusion 47. If the protrusion length of the protrusion 47 is A and the width is B (see FIG. 1), the contact area between the tie bar 46 and the surrounding sealing resin 15 is increased by A × T × 2 than the conventional one. The adhesive force between the tie bar 46 and the surrounding sealing resin 15 increases.

樹脂封止後、上記切断装置２４を用いてタイバー４６をリード１４から切断し、各リード１４を電気的に独立させる。すなわち、図３，図４に示すように、打抜きパンチ２７を下降してダイ２６の打抜き穴２５に挿入することで、タイバー４６をその周辺の封止樹脂１５と共にリード１４から同時に打抜く。   After resin sealing, the tie bar 46 is cut from the lead 14 using the cutting device 24, and each lead 14 is made electrically independent. That is, as shown in FIGS. 3 and 4, the punching punch 27 is lowered and inserted into the punching hole 25 of the die 26, whereby the tie bar 46 is simultaneously punched from the lead 14 together with the surrounding sealing resin 15.

この際、上記のように突起部４７を形成したことによってタイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加しているため、打抜かれたタイバー４６の切断片４６ａと周辺の封止樹脂１５の切断片１５ａとが分離することはなく、上記両切断片４６ａ，１５ａが一体に接合したままの不要切断片４８が発生する。したがって、不要切断片４８は、従来のように互いに分離した個々のタイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとに比べて、重量と体積とが増大するため、確実に自然落下するとともに集塵機２９で容易に吸引される。これにより、不要切断片４８がリードフレーム１０の上方へ飛散するのを防止することができる。   At this time, since the adhesive force between the tie bar 46 and the surrounding sealing resin 15 is increased by forming the projection 47 as described above, the cut piece 46a of the punched tie bar 46 and the peripheral sealing are formed. The cut piece 15a of the resin 15 is not separated, and an unnecessary cut piece 48 is generated in which both the cut pieces 46a and 15a are joined together. Therefore, the unnecessary cut piece 48 is surely spontaneously dropped because the weight and volume are increased as compared with the cut pieces 16a of the individual tie bars 16 and the cut pieces 15a of the sealing resin 15 separated from each other as in the prior art. And is easily sucked by the dust collector 29. Thereby, it is possible to prevent the unnecessary cut pieces 48 from being scattered above the lead frame 10.

その後、各リード１４をリードフレーム１０の外枠から切り離し、必要に応じてアウターリード部１４ｂを適宜折り曲げたり切断し、これにより、半導体装置２０が製造される。この際、上記のように不要切断片４８がリードフレーム１０の上方へ飛散するのを防止し得るため、アウターリード部１４ｂを適宜折り曲げたり切断して半導体装置２０を製造する工程の歩留を向上させることができる。   Thereafter, each lead 14 is separated from the outer frame of the lead frame 10, and the outer lead portion 14b is appropriately bent or cut as necessary, whereby the semiconductor device 20 is manufactured. At this time, since the unnecessary cutting pieces 48 can be prevented from scattering above the lead frame 10 as described above, the yield of the process of manufacturing the semiconductor device 20 by appropriately bending or cutting the outer lead portion 14b is improved. Can be made.

例えば、１つの実施例として、２８ｍｍ角で２０８ピンを有する半導体装置２０では、アウターリード１４ｂの幅Ｃが０．２ｍｍ、アウターリード１４ｂ間のピッチＰが０．５ｍｍ、アウターリード１４ｂ間の間隔Ｄ（すなわちタイバー４６の長さ）が０．３ｍｍである。また、打抜きパンチ２７とリードフレーム１０との位置精度を加味し、±０．０３ｍｍのズレを見越して０．２４ｍｍの幅Ｗの打抜きパンチ２７にてタイバー１６と封止樹脂１５を打抜いているため、打抜きによって発生する不要切断片４８の幅Ｅも０．２４ｍｍとなる。   For example, in one embodiment, in the semiconductor device 20 having 28 mm square and 208 pins, the width C of the outer leads 14b is 0.2 mm, the pitch P between the outer leads 14b is 0.5 mm, and the distance D between the outer leads 14b. (That is, the length of the tie bar 46) is 0.3 mm. Further, in consideration of positional accuracy between the punching punch 27 and the lead frame 10, the tie bar 16 and the sealing resin 15 are punched by the punching punch 27 having a width W of 0.24 mm in anticipation of a deviation of ± 0.03 mm. Therefore, the width E of the unnecessary cut piece 48 generated by punching is also 0.24 mm.

上記のような寸法において、従来の突起部４７の無いタイバー１６では、不要切断片３１のタイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接触長さが０．２４ｍｍとなり、タイバー１６の厚さをＴとすると、タイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接触面積は０．２４×Ｔ（ｍｍ２）となる。 In the tie bar 16 having the above-described dimensions and having no protrusion 47, the contact length between the cutting piece 16a of the unnecessary cutting piece 31 and the cutting piece 15a of the sealing resin 15 is 0.24 mm. When the thickness of 16 is T, the contact area between the cut piece 16a of the tie bar 16 and the cut piece 15a of the sealing resin 15 is 0.24 × T (mm 2 ).

これに対して、第１の実施の形態のタイバー４６は突起部４７を有しているため、突起部４７の突出長さＡを０．１ｍｍ、幅Ｂを０．１ｍｍとすると、不要切断片４８のタイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接触長さはＥ＋２×Ａ＝０．２４＋２×０．１＝０．４４ｍｍとなり、タイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接触面積は０．４４×Ｔ（ｍｍ２）となり、上記従来のものに比べて接触面積が１．８倍に増大する。 On the other hand, since the tie bar 46 according to the first embodiment has the protruding portion 47, if the protruding length A of the protruding portion 47 is 0.1 mm and the width B is 0.1 mm, an unnecessary cut piece The contact length between the cut piece 46a of the 48 tie bars 46 and the cut piece 15a of the sealing resin 15 is E + 2 × A = 0.24 + 2 × 0.1 = 0.44 mm, and the cut pieces 46a of the tie bar 46 and the sealing resin 15 The contact area with the 15 cut pieces 15a is 0.44 × T (mm 2 ), and the contact area is increased by 1.8 times compared to the conventional one.

上記第１の実施の形態では、突起部４７を凸形状に形成しているが、凸形状に限定されるものではなく、例えば図５に示すようなＴ形状又はＬ形状等に形成してもよい。
上記第１の実施の形態では、全てのタイバー４６に突起部４７を形成してもよいし、或いは、一部のタイバー４６のみに突起部４７を形成してもよい。
［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態を図６〜図８に基いて説明する。 In the first embodiment, the protrusion 47 is formed in a convex shape, but is not limited to a convex shape, and may be formed in a T shape or an L shape as shown in FIG. Good.
In the first embodiment, the protrusions 47 may be formed on all tie bars 46, or the protrusions 47 may be formed only on some tie bars 46.
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS.

図６に示すように、各タイバー４６は、アイランド１２に対向する内側面に、凹形状の切欠部５０を有している。
これによると、樹脂封入時、図７に示すように、封止樹脂１５は、タイバー４６によって塞き止められ、タイバー１６の外側へ流出することはなく、さらに、切欠部５０に流れ込む。切欠部５０の切欠長さをＦ、切欠幅をＧとすると（図６参照）、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接触面積が従来のものよりもＦ×Ｔ×２だけ増大するため、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加する。 As shown in FIG. 6, each tie bar 46 has a concave notch 50 on the inner surface facing the island 12.
According to this, when the resin is sealed, as shown in FIG. 7, the sealing resin 15 is blocked by the tie bar 46, does not flow out of the tie bar 16, and flows into the notch 50. If the notch length of the notch 50 is F and the notch width is G (see FIG. 6), the contact area between the tie bar 46 and the surrounding sealing resin 15 is increased by F × T × 2 than the conventional one. Therefore, the adhesive force between the tie bar 46 and the surrounding sealing resin 15 increases.

樹脂封止後、上記切断装置２４を用いて、タイバー４６をその周辺の封止樹脂１５と共にリード１４から同時に打抜く。この際、上記のように切欠部５０を形成したことによってタイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加しているため、図８に示すように、打抜かれたタイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとが分離することはなく、上記両切断片４６ａ，１５ａが一体に接合したままの不要切断片４８が発生する。したがって、不要切断片４８は、従来のように互いに分離した個々のタイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａに比べて、重量と体積とが増大するため、確実に自然落下するとともに集塵機２９で容易に吸引される。これにより、不要切断片４８がリードフレーム１０の上方へ飛散するのを防止することができる。   After the resin sealing, the tie bar 46 is simultaneously punched from the lead 14 together with the peripheral sealing resin 15 by using the cutting device 24. At this time, since the adhesive force between the tie bar 46 and the surrounding sealing resin 15 is increased by forming the cutout portion 50 as described above, the punched tie bar 46 is cut as shown in FIG. The piece 46a and the cut piece 15a of the sealing resin 15 are not separated, and an unnecessary cut piece 48 is generated in which both the cut pieces 46a and 15a are joined together. Therefore, the unnecessary cutting piece 48 is surely naturally dropped because the weight and volume are increased as compared with the cutting pieces 16a of the individual tie bars 16 and the cutting pieces 15a of the sealing resin 15 separated from each other as in the prior art. At the same time, it is easily sucked by the dust collector 29. Thereby, it is possible to prevent the unnecessary cut pieces 48 from being scattered above the lead frame 10.

上記第２の実施の形態では、全てのタイバー４６に切欠部５０を形成してもよいし、或いは、一部のタイバー４６のみに切欠部５０を形成してもよい。
［第３の実施の形態］
次に、第３の実施の形態を図９〜図１１に基いて説明する。 In the second embodiment, the cutouts 50 may be formed in all the tie bars 46, or the cutouts 50 may be formed only in some tie bars 46.
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS.

図９に示すように、各タイバー４６は、リード１４と同じ厚さＴ（所定の厚さに該当）を有する本体部４６ｂと、本体部４６ｂのアイランド１２に対向する内側面に形成され且つ上記本体部４６ｂの厚さＴよりも薄い薄厚部４６ｃとを有している。上記タイバー４６の表裏両面にはそれぞれ、本体部４６ｂと薄厚部４６ｃとによる段差部５２ａ，５２ｂが形成されている。   As shown in FIG. 9, each tie bar 46 is formed on a main body portion 46b having the same thickness T as the lead 14 (corresponding to a predetermined thickness) and an inner side surface of the main body portion 46b facing the island 12, and the above-mentioned And a thin portion 46c that is thinner than the thickness T of the main body portion 46b. Step portions 52 a and 52 b are formed by a main body portion 46 b and a thin portion 46 c on both the front and back surfaces of the tie bar 46.

これによると、樹脂封入時、図１０に示すように、封止樹脂１５は、タイバー４６によって塞き止められ、タイバー１６の外側へ流出することはなく、さらに、両段差部５２ａ，５２ｂに流れ込む。このため、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接触面積が従来のものよりも増大し、これにより、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加する。   According to this, at the time of resin sealing, as shown in FIG. 10, the sealing resin 15 is blocked by the tie bar 46, does not flow out of the tie bar 16, and further flows into both step portions 52a and 52b. . For this reason, the contact area between the tie bar 46 and the surrounding sealing resin 15 is increased as compared with the conventional one, and thereby the adhesive force between the tie bar 46 and the surrounding sealing resin 15 is increased.

樹脂封止後、上記切断装置２４を用いて、タイバー４６をその周辺の封止樹脂１５と共にリード１４から同時に打抜く。この際、上記のように段差部５２ａ，５２ｂを形成したことによってタイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加しているため、図１１に示すように、打抜かれたタイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとが分離することはなく、上記両切断片４６ａ，１５ａが一体に接合したままの不要切断片４８が発生する。したがって、不要切断片４８は、従来のように互いに分離した個々のタイバー１６の切断片１６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａに比べて、重量と体積とが増大するため、確実に自然落下するとともに集塵機２９で容易に吸引される。これにより、不要切断片４８がリードフレーム１０の上方へ飛散するのを防止することができる。   After the resin sealing, the tie bar 46 is simultaneously punched from the lead 14 together with the peripheral sealing resin 15 by using the cutting device 24. At this time, since the step portions 52a and 52b are formed as described above, the adhesive force between the tie bar 46 and the surrounding sealing resin 15 is increased. Therefore, as shown in FIG. The cut piece 46a and the cut piece 15a of the sealing resin 15 are not separated, and an unnecessary cut piece 48 is generated in which both the cut pieces 46a and 15a are joined together. Therefore, the unnecessary cutting piece 48 is surely naturally dropped because the weight and volume are increased as compared with the cutting pieces 16a of the individual tie bars 16 and the cutting pieces 15a of the sealing resin 15 separated from each other as in the prior art. At the same time, it is easily sucked by the dust collector 29. Thereby, it is possible to prevent the unnecessary cut pieces 48 from being scattered above the lead frame 10.

例えば、１つの実施例として、２８ｍｍ角で２０８ピンを有する半導体装置２０では、先に説明したように、打抜きによって発生する不要切断片４８の幅Ｅは０．２４ｍｍとなり、また、薄厚部４６ｃの長さＬを０．１ｍｍとすると、上記不要切断片４８の薄厚部４６ｃの表裏両面の面積（段差部５２ａ，５２ｂの投影面積）はＥ×Ｌ×２＝０．２４×０．１×２＝０．０４８（ｍｍ２）となり、この面積分だけタイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接触面積が従来よりも増大し、これによって、タイバー４６の切断片４６ａと封止樹脂１５の切断片１５ａとの接着力が増加する。 For example, as one example, in the semiconductor device 20 having 28 mm square and 208 pins, as described above, the width E of the unnecessary cut piece 48 generated by punching is 0.24 mm, and the thin portion 46c When the length L is 0.1 mm, the area of the front and back surfaces of the thin portion 46c of the unnecessary cutting piece 48 (projected area of the stepped portions 52a and 52b) is E × L × 2 = 0.24 × 0.1 × 2. = 0.048 (mm 2 ), and the contact area between the cut piece 46a of the tie bar 46 and the cut piece 15a of the sealing resin 15 is increased as compared with the prior art. The adhesive force between the sealing resin 15 and the cut piece 15a increases.

上記第３の実施の形態では、タイバー４６の表裏両面にそれぞれ段差部５２ａ，５２ｂを形成したが、タイバー４６の表面のみに段差部５２ａを形成したり、或いは、裏面のみに段差部５２ｂを形成してもよい。   In the third embodiment, the step portions 52a and 52b are formed on both the front and back surfaces of the tie bar 46. However, the step portion 52a is formed only on the front surface of the tie bar 46, or the step portion 52b is formed only on the back surface. May be.

上記第３の実施の形態では、全てのタイバー４６に段差部５２ａ，５２ｂを形成してもよいし、或いは、一部のタイバー４６のみに段差部５２ａ，５２ｂを形成してもよい。
［第４の実施の形態］
リードフレーム１０の表面の算術平均粗さＲａは約６．３μｍに加工されているが、薄厚部４６ｃの表裏両面（接触面の一例）の算術平均粗さＲａは１０μｍ以上に加工されている。 In the third embodiment, the step portions 52 a and 52 b may be formed on all tie bars 46, or the step portions 52 a and 52 b may be formed only on some tie bars 46.
[Fourth Embodiment]
The arithmetic average roughness Ra of the surface of the lead frame 10 is processed to about 6.3 μm, but the arithmetic average roughness Ra of the front and back surfaces (an example of the contact surface) of the thin portion 46 c is processed to 10 μm or more.

これによると、樹脂封入時、封止樹脂１５は、段差部５２ａ，５２ｂに流れ込み、薄厚部４６ｃの表裏両面に接触し、タイバー４６によって塞き止められる。この際、上記薄厚部４６ｃの表裏両面の算術平均粗さＲａを１０μｍ以上の粗い面にしているため、薄厚部４６ｃの表裏両面と周辺の封止樹脂１５との接触面積が増大し、これにより、タイバー４６とその周辺の封止樹脂１５との接着力がより一段と増加する。   According to this, at the time of resin sealing, the sealing resin 15 flows into the step portions 52a and 52b, contacts both the front and back surfaces of the thin portion 46c, and is blocked by the tie bar 46. At this time, since the arithmetic average roughness Ra of the front and back surfaces of the thin portion 46c is a rough surface of 10 μm or more, the contact area between the front and back surfaces of the thin portion 46c and the peripheral sealing resin 15 is increased. In addition, the adhesive force between the tie bar 46 and the surrounding sealing resin 15 is further increased.

上記第４の実施の形態では、第３の実施の形態の薄厚部４６ｃの表裏両面の算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工しているが、どちらか片面のみを１０μｍ以上に加工してもよい。また、上記第１の実施の形態において、図２に示すように封止樹脂１５と接触する突起部４７の接触面の算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工してもよく、或いは、上記第２の実施の形態において、図７に示すように封止樹脂１５と接触する切欠部５０の接触面の算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工してもよい。
［第５の実施の形態］
図１３に示すように、従来と同じ形状のタイバー１６のアイランド１２に対向する内側面１６ｂ（接触面の一例）の算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工している。 In the fourth embodiment, the arithmetic average roughness Ra on both the front and back surfaces of the thin portion 46c of the third embodiment is processed to 10 μm or more, but even if only one of the surfaces is processed to 10 μm or more. Good. In the first embodiment, the arithmetic average roughness Ra of the contact surface of the protrusion 47 that contacts the sealing resin 15 may be processed to 10 μm or more as shown in FIG. In the second embodiment, as shown in FIG. 7, the arithmetic average roughness Ra of the contact surface of the notch 50 that contacts the sealing resin 15 may be processed to 10 μm or more.
[Fifth Embodiment]
As shown in FIG. 13, the arithmetic average roughness Ra of the inner side surface 16b (an example of a contact surface) facing the island 12 of the tie bar 16 having the same shape as the conventional one is processed to 10 μm or more.

これによると、タイバー１６の内側面１６ｂと封止樹脂１５との接触面積が増大し、これにより、タイバー１６とその周辺の封止樹脂１５との接着力が増加する。
上記第５の実施の形態では、全てのタイバー１６の内側面１６ｂの算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工してもよいし、或いは、一部のタイバー１６のみの内側面１６ｂの算術平均粗さＲａを１０μｍ以上に加工してもよい。 According to this, the contact area between the inner side surface 16b of the tie bar 16 and the sealing resin 15 is increased, and thereby, the adhesive force between the tie bar 16 and the surrounding sealing resin 15 is increased.
In the fifth embodiment, the arithmetic average roughness Ra of the inner side surface 16b of all the tie bars 16 may be processed to 10 μm or more, or the arithmetic average roughness of the inner side surface 16b of only some tie bars 16 is processed. Ra may be processed to 10 μm or more.

本発明は、樹脂封止型半導体装置等に用いられるリードフレーム、および、リードフレームを用いて製造された半導体装置、および、リードフレームのタイバーを切断する切断装置ならびに切断方法に関するものであり、タイバーを切断する工程で発生する不要切断片（カットカス）の排出性を向上させることができ、これによって、半導体装置のリードの変形や不要切断片の付着等がなく、安定した精度の良いリード形状を有する極めて信頼性の高い半導体装置が製造可能であり、また、益々微細化の進む狭ピッチのアウターリード部のものにも対応可能なリードフレームとして有用である。   The present invention relates to a lead frame used for a resin-encapsulated semiconductor device, a semiconductor device manufactured using the lead frame, a cutting device for cutting a tie bar of the lead frame, and a cutting method. This can improve the discharge performance of unnecessary cutting pieces (cut residue) generated in the process of cutting semiconductor chips, thereby preventing lead deformation of the semiconductor device and adhesion of unnecessary cutting pieces, and providing a stable and accurate lead shape. It is possible to manufacture a highly reliable semiconductor device having a high reliability, and it is useful as a lead frame that can be applied to a narrow pitch outer lead portion that is increasingly miniaturized.

本発明の第１の実施の形態におけるリードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view of a tie bar portion of the lead frame in the first embodiment of the present invention. 同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、樹脂封止後の状態を示す。FIG. 6 is an enlarged plan view of a tie bar portion of the lead frame, showing a state after resin sealing. 同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、タイバーを周辺の封止樹脂と共に打抜いた状態を示す。FIG. 4 is an enlarged plan view of a tie bar portion of the lead frame, showing a state in which the tie bar is punched together with surrounding sealing resin. 同、リードフレームのタイバーを周辺の封止樹脂と共に打抜いて切断する方法を示す図であり、（ａ）は打抜きパンチがタイバーに対して下降している図、（ｂ）は打抜きパンチがタイバーをその周辺の封止樹脂と共に打抜いた図、（ｃ）は打抜きパンチがタイバーから上昇している図、（ｄ）は上記（ｃ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。FIG. 4 is a view showing a method of punching and cutting a tie bar of a lead frame together with a peripheral sealing resin, where (a) is a view in which the punch is lowered with respect to the tie bar, and (b) is a punch in which the punch is a tie bar. (C) is a view in which the punch is raised from the tie bar, and (d) is a view taken along the line XX in (c). 同、リードフレームのタイバーの突起部をＴ形状にした拡大平面図である。FIG. 6 is an enlarged plan view in which a tie bar protrusion of the lead frame is formed in a T shape. 本発明の第２の実施の形態におけるリードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the tie bar portion of the lead frame in the second embodiment of the present invention. 同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、樹脂封止後の状態を示す。FIG. 6 is an enlarged plan view of a tie bar portion of the lead frame, showing a state after resin sealing. 同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、タイバーを周辺の封止樹脂と共に打抜いた状態を示す。FIG. 4 is an enlarged plan view of a tie bar portion of the lead frame, showing a state in which the tie bar is punched together with surrounding sealing resin. 本発明の第３の実施の形態におけるリードフレームのタイバーの箇所の拡大図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。It is an enlarged view of the location of the tie bar of the lead frame in the 3rd Embodiment of this invention, (a) is a top view, (b) is a XX arrow line view in (a). 同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大図であり、（ａ）は樹脂封止後の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。FIG. 4 is an enlarged view of a tie bar portion of the lead frame, where (a) is a plan view after resin sealing, and (b) is a view taken along the line XX in (a). 同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、タイバーを周辺の封止樹脂と共に打抜いた状態を示す。FIG. 4 is an enlarged plan view of a tie bar portion of the lead frame, showing a state in which the tie bar is punched together with surrounding sealing resin. 従来のリードフレームの平面図である。It is a top view of the conventional lead frame. 同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図である。FIG. 6 is an enlarged plan view of a tie bar portion of the lead frame. 同、リードフレームを用いて製造された半導体装置の断面図である。2 is a cross-sectional view of a semiconductor device manufactured using the lead frame. FIG. 同、リードフレームの平面図であり、半導体素子を搭載し、金属細線で接続した状態を示す。FIG. 2 is a plan view of the lead frame, showing a state where semiconductor elements are mounted and connected with fine metal wires. 同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、樹脂封止後の状態を示す。FIG. 6 is an enlarged plan view of a tie bar portion of the lead frame, showing a state after resin sealing. 同、リードフレームのタイバーを切断する際に使用される切断装置の図であり、（ａ）は断面、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。It is a figure of the cutting device used when cut | disconnecting the tie bar of a lead frame similarly, (a) is a cross section, (b) is a XX arrow directional view in (a). 同、切断装置を用いてリードフレームのタイバーを切断する切断方法を示す図であり、（ａ）は打抜きパンチがタイバーに対して下降している図、（ｂ）は打抜きパンチがタイバーをその周辺の封止樹脂と共に打抜いた図、（ｃ）は打抜きパンチがタイバーから上昇している図、（ｄ）は上記（ｃ）におけるＸ−Ｘ矢視図である。It is a figure which shows the cutting | disconnection method which cut | disconnects the tie bar of a lead frame using the same cutting device, (a) is a figure where the punch is descending with respect to the tie bar, (b) is the punch that moves the tie bar around it (C) is a view in which the punch is raised from the tie bar, and (d) is a view taken along the line XX in (c). 同、リードフレームのタイバーの箇所の拡大平面図であり、タイバーを周辺の封止樹脂と共に打抜いた状態を示す。FIG. 4 is an enlarged plan view of a tie bar portion of the lead frame, showing a state in which the tie bar is punched together with surrounding sealing resin. 他の従来の切断装置を用いてリードフレームのタイバーを切断する切断方法を示す図である。It is a figure which shows the cutting method which cut | disconnects the tie bar of a lead frame using another conventional cutting device.

符号の説明Explanation of symbols

１０ リードフレーム
１１ 半導体素子
１１ａ 電極パッド
１２ アイランド
１４ リード
１５ 封止樹脂
１６ｂ 内側面（接触面）
２０ 半導体装置
２１ 金属細線
２４ 切断装置
２５ 打抜き穴（打抜き開口部）
２６ ダイ
２７ 打抜きパンチ
２９ 集塵機（吸引装置）
４６ タイバー（接続部材）
４６ｂ 本体部
４６ｃ 薄厚部
４７ 突起部
４８ 不要切断片
５０ 切欠部
５２ａ，５２ｂ 段差部
Ｔ 厚さ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lead frame 11 Semiconductor element 11a Electrode pad 12 Island 14 Lead 15 Sealing resin 16b Inner side surface (contact surface)
20 Semiconductor Device 21 Metal Wire 24 Cutting Device 25 Punching Hole (Punching Opening)
26 Die 27 Punching punch 29 Dust collector (suction device)
46 Tie bar (connection member)
46b Main body portion 46c Thin portion 47 Projection portion 48 Unnecessary cutting piece 50 Notch portions 52a, 52b Stepped portion T Thickness

Claims (7)

半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、
各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、
上記接続部材は、上記アイランドに対向する内側に、突起部を有していることを特徴とするリードフレーム。 A lead frame having an island for mounting a semiconductor element and a plurality of leads arranged so that tips are gathered around the island,
Each lead is connected by a connection member that blocks the flow of the sealing resin that encapsulates the semiconductor element.
The lead frame according to claim 1, wherein the connection member has a protrusion on an inner side facing the island. 半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、
各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、
上記接続部材は、上記アイランドに対向する内側に、切欠部を有していることを特徴とするリードフレーム。 A lead frame having an island for mounting a semiconductor element and a plurality of leads arranged so that tips are gathered around the island,
Each lead is connected by a connection member that blocks the flow of the sealing resin that encapsulates the semiconductor element.
The lead frame according to claim 1, wherein the connecting member has a notch on the inner side facing the island. 半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、
各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、
上記接続部材は、所定の厚さで形成された本体部と、本体部のアイランドに対向する内側に形成され且つ上記本体部の厚さよりも薄い薄厚部とを有し、
上記接続部材の少なくとも表裏いずれか片面に、上記本体部と薄厚部とによる段差部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。 A lead frame having an island for mounting a semiconductor element and a plurality of leads arranged so that tips are gathered around the island,
Each lead is connected by a connection member that blocks the flow of the sealing resin that encapsulates the semiconductor element.
The connecting member has a main body portion formed with a predetermined thickness, and a thin portion formed on the inner side facing the island of the main body portion and thinner than the thickness of the main body portion,
A lead frame, wherein a step portion is formed by the main body portion and the thin portion on at least one side of the connection member. 半導体素子を搭載するためのアイランドとこのアイランドの周囲に先端が集まるように配置された複数のリードとを有するリードフレームであって、
各リード間は、上記半導体素子を樹脂封入する封止樹脂の流れを塞き止める接続部材によって接続され、
上記封止樹脂と接触する接続部材の接触面の粗さがＲａ１０μｍ以上に設定されていることを特徴とするリードフレーム。 A lead frame having an island for mounting a semiconductor element and a plurality of leads arranged so that tips are gathered around the island,
Each lead is connected by a connection member that blocks the flow of the sealing resin that encapsulates the semiconductor element.
The lead frame is characterized in that the roughness of the contact surface of the connecting member in contact with the sealing resin is set to Ra 10 μm or more. 上記請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のリードフレームを用いて製造された半導体装置であって、
複数の電極パッドを有する半導体素子がアイランドに取付けられ、
上記電極パッドとリードとが金属細線を介して接続され、
上記半導体素子とアイランドと金属細線とが封止樹脂によって樹脂封止され、
上記封止樹脂が接続部材によって塞き止められていることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device manufactured using the lead frame according to any one of claims 1 to 4,
A semiconductor element having a plurality of electrode pads is attached to the island,
The electrode pad and the lead are connected via a fine metal wire,
The semiconductor element, the island, and the metal thin wire are resin-sealed with a sealing resin,
A semiconductor device, wherein the sealing resin is blocked by a connection member. 上記請求項５に記載の半導体装置を製造する際に、接続部材を切断するのに使用される切断装置であって、
打抜き開口部を有するダイと、上記打抜き開口部に対して挿脱自在な打抜きパンチとが設けられ、
上記打抜きパンチは、接続部材を、周辺の封止樹脂と共にリードから打抜き、
上記打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とからなる不要切断片を吸引する吸引装置が設けられていることを特徴とする切断装置。 When manufacturing the semiconductor device according to claim 5, a cutting device used for cutting the connection member,
A die having a punching opening, and a punching punch that can be inserted into and removed from the punching opening are provided.
The punching punch punches the connecting member from the lead together with the surrounding sealing resin,
A cutting apparatus comprising: a suction device that sucks an unnecessary cutting piece made of the punched connection member and a surrounding sealing resin. 上記請求項５に記載の半導体装置を製造する際に、接続部材を切断する切断方法であって、
樹脂封止後、接続部材を、周辺の封止樹脂と共にリードから打抜き、
上記打抜かれた接続部材と周辺の封止樹脂とからなる不要切断片を吸引することを特徴とする切断方法。 When manufacturing the semiconductor device according to claim 5, a cutting method for cutting the connection member,
After resin sealing, the connecting member is punched out of the lead together with the surrounding sealing resin,
The cutting method characterized by sucking the unnecessary cut piece which consists of the said connection member and the surrounding sealing resin which were pierce | punched.
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