JP2001068585A - Manufacture of resin-sealing-type semiconductor device - Google Patents

Manufacture of resin-sealing-type semiconductor device

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a resin-sealing-type semiconductor device at a low cost by eliminating lead-cutting and lead-bending processes as before and easily obtaining the resin-sealing-type semiconductor device. SOLUTION: A terminal land frame, that is provided in the region of a frame body, is connected to the frame body by a half-cut thin part and has a land construct being formed while projecting from the frame body is used, an element is mounted, then the upper surface is sealed completely, the sealing resin is polished for exposing the bottom surface of a semiconductor element 30, the thin part is broken from the frame body for separating a resin-sealing type semiconductor device construct 34, and then it is cut and separated into each resin-sealing type semiconductor device by a rotary blade 35, thus achieving a method for manufacturing a resin-sealing type semiconductor device with enhanced by productivity.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに代えて、外部端子とな
るランド体を備えたフレームであるターミナルランドフ
レームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
るもので、特に生産効率を向上させた樹脂封止型半導体
装置の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device using a terminal land frame, which is a frame having a land body as an external terminal, instead of a conventional lead frame having beam-shaped leads. And more particularly to a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device with improved production efficiency.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with miniaturization of electronic equipment, high-density mounting of semiconductor components such as resin-encapsulated semiconductor devices has been required.
Thinning is progressing. In addition, the number of pins has been increased while being small and thin, and a high-density small and thin resin-sealed semiconductor device has been demanded.

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。Hereinafter, a lead frame used in a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described.

【０００４】図２２は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図２２に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。FIG. 22 is a plan view showing the structure of a conventional lead frame. As shown in FIG. 22, a conventional lead frame includes a frame 1 and a frame 1 inside the frame.
A rectangular die pad portion 2 on which a semiconductor element is mounted, a suspension lead portion 3 supporting the die pad portion 2, and when a semiconductor element is mounted, the semiconductor element is electrically connected to the mounted semiconductor element by a connecting means such as a thin metal wire. A beam-shaped inner lead portion 4 to be electrically connected, an outer lead portion 5 provided continuously with the inner lead portion 4, and connected to an external terminal;
The outer lead portions 5 were connected and fixed to each other, and were constituted by a tie bar portion 6 serving as a resin stopper at the time of resin sealing.

【０００５】なお、リードフレームは、図２２に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。The lead frame has a plurality of patterns each having the structure shown in FIG.
They are arranged vertically continuously.

【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図２３は、図２２に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。Next, a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described. FIG. 23 is a cross-sectional view showing a resin-sealed semiconductor device using the lead frame shown in FIG.

【０００７】図２３に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。As shown in FIG. 23, a semiconductor element 7 is mounted on a die pad section 2 of a lead frame, and the semiconductor element 7 and the inner lead section 4 are electrically connected by a thin metal wire 8. The outer periphery of the semiconductor element 7 and the inner lead portion 4 on the die pad portion 2 is sealed with a sealing resin 9. An outer lead portion 5 is provided so as to protrude from a side surface of the sealing resin 9, and a front end portion is bent.

【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図２４に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図２３
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図２４において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。In a conventional method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, as shown in FIG. 24, a semiconductor element 7 is bonded onto a die pad portion 2 of a lead frame by an adhesive (die bonding step), The distal end portion of the inner lead portion 4 is connected with the thin metal wire 8 (wire bonding step). After that, the outer periphery of the semiconductor element 7 is sealed, and the sealing region is sealed with the sealing resin 9 in the region surrounded by the tie bar portion 6 of the lead frame, and the outer lead portion 5 is projected outside. Sealing (resin sealing step). Then, the boundary portion of the sealing resin 9 is cut with the tie bar portion 6, each outer lead portion 5 is separated, the frame 1 is removed, and the tip of the outer lead portion 5 is bent (tie bar cut / bend). Step), FIG.
Can be manufactured. Here, in FIG. 24, the area shown by the broken line is the area sealed with the sealing resin 9.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。However, in the conventional lead frame, when the semiconductor element is highly integrated and the number of pins is increased, there is a limit in forming the width of the inner lead portion (outer lead portion). In order to cope with the problem, the number of inner lead portions (outer lead portions) increases, so that the lead frame itself becomes large, and as a result, the size of the resin-encapsulated semiconductor device also increases. There is a problem that a fixed semiconductor device cannot be realized. In addition, when increasing the number of inner leads without changing the size of the lead frame in order to support multiple pins of the semiconductor element, the width of each inner lead must be reduced, and etching of the lead frame may be performed. There are many problems in processing.

【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。Recently, as a surface mount type semiconductor device, a semiconductor element is mounted on a carrier (wiring board) having an external electrode provided on a bottom surface, and after electrical connection is made, the upper surface of the carrier is sealed with a resin. Semiconductor devices such as ball grid array (BGA) type and land grid
There is an array (LGA) type semiconductor device. This type of semiconductor device is a semiconductor device mounted on a motherboard on the bottom side, and such a surface mount type semiconductor device is becoming mainstream in the future. Therefore, in order to cope with such a trend, a big problem that a conventional lead frame and a resin-sealed semiconductor device using the lead frame cannot be dealt with has become apparent.

【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。In a conventional resin-encapsulated semiconductor device, an external lead formed of an outer lead portion is provided on a side surface of a sealing resin, and the external lead and a substrate electrode are bonded and mounted. The reliability of board mounting is lower than that of BGA type and LGA type semiconductor devices. In addition, since BGA type and LGA type semiconductor devices use a wiring board, there is a problem that the cost is high.

【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレーム体
を用いて構成することを目的とするものである。そして
従来のリードフレームに着目した発想から転換し、ビー
ム状の「リード」に代え、外部電極となる「ランド」を
フレーム状で形成する点に主眼をおいたターミナルラン
ドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置および
その製造方法を提供するものである。さらに本発明は、
従来のようにリードカット工程やリードベンド工程をな
くし、容易に樹脂封止型半導体装置を得ることができ、
樹脂封止型半導体装置を低コストで製造できるものであ
る。The present invention provides a resin-encapsulated semiconductor device using a frame-type package material which can cope with the above-mentioned conventional problems and future trends in semiconductor devices. Using a frame body. The terminal land frame, which focuses on forming a frame-shaped external land as a land instead of a beam-shaped lead, and a resin that uses the terminal land frame. An object of the present invention is to provide a sealed semiconductor device and a method for manufacturing the same. Furthermore, the present invention
Eliminating the lead cutting step and the lead bending step as in the past, a resin-encapsulated semiconductor device can be easily obtained,
A resin-encapsulated semiconductor device can be manufactured at low cost.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の領域内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体
と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成さ
れ、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複数のラ
ンド構成体群とよりなり、前記ランド構成体群は前記フ
レーム本体から突出した方向への押圧力により、前記薄
厚部が破断されて前記ランド構成体群が前記フレーム本
体より分離される構成であるターミナルランドフレーム
を用意する工程と、前記ターミナルランドフレームの前
記ランド構成体群の一部のランド構成体の突出した側に
半導体素子を搭載する工程と、搭載した半導体素子とラ
ンド構成体とを金属細線により電気的に接続する工程
と、搭載した半導体素子の外囲であって、前記ターミナ
ルランドフレームの上面側全面を封止樹脂により封止す
る工程と、前記ターミナルランドフレームの前記フレー
ム本体を固定した状態で前記フレーム本体の底面側から
前記ランド構成体の底面側に対して押圧力を印加し、ラ
ンド構成体群とフレーム本体とを接続している薄厚部を
破断させ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置
を分離する工程とを有する樹脂封止型半導体装置の製造
方法である。In order to solve the above-mentioned conventional problems, a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention comprises a method of disposing a frame main body made of a metal plate in a region of the frame main body. And a plurality of land constituent groups connected to the frame main body by a thin portion and protruding from the frame main body, and having a top surface area larger than a bottom surface area thereof. A step of preparing a terminal land frame having a configuration in which the thin portion is broken by a pressing force in a direction protruding from the frame main body to separate the land component group from the frame main body; Mounting a semiconductor element on a protruding side of a part of the land members of the land member group, and mounting the mounted semiconductor element and the land member on a metal. A step of electrically connecting by a wire, a step of sealing the entire upper surface side of the terminal land frame around the mounted semiconductor element with a sealing resin, and fixing the frame body of the terminal land frame In this state, a pressing force is applied from the bottom surface side of the frame body to the bottom surface side of the land structure to break a thin portion connecting the land structure group and the frame body, and the resin is removed from the frame body. And a step of separating the encapsulated semiconductor device.

【００１４】さらに具体的には本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、
前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により
前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体より
も突出して形成され、その底面の面積よりも上面の面積
が大きい複数のランド構成体群とよりなり、前記ランド
構成体群は前記フレーム本体から突出した方向への押圧
力によってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構
成体群が前記フレーム本体より分離される構成であるタ
ーミナルランドフレームを用意する工程と、前記ターミ
ナルランドフレームの前記ランド構成体群の一部のラン
ド構成体の突出した側に半導体素子をその電極パッドが
形成された面を下にしてフェースダウン接合する工程
と、搭載した複数の半導体素子の外囲であって、前記タ
ーミナルランドフレームの上面側を封止樹脂により全面
封止する工程と、前記ターミナルランドフレームの上面
の封止樹脂に対して研削を行い、前記フェースダウン実
装された半導体素子の底面を封止樹脂から露出させる工
程と、前記ターミナルランドフレームを固定した状態で
その底面側から前記ランド構成体の底面側に対して押圧
力を印加し、ランド構成体群とフレーム本体とを接続し
ている薄厚部を破断させ、前記フレーム本体から樹脂封
止型半導体装置構成体を分離する工程と、フレーム本体
から分離した前記樹脂封止型半導体装置構成体に対し
て、その上面の封止樹脂に対してブレードで切断し、個
々の樹脂封止型半導体装置に分離する工程とを有する樹
脂封止型半導体装置の製造方法である。More specifically, a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention comprises the steps of:
A plurality of land component groups disposed in the region of the frame main body, connected to the frame main body by a thin portion, formed so as to protrude from the frame main body, and having an upper surface area larger than a bottom surface area thereof; The terminal land frame is configured such that the thin portion is broken and the land component group is separated from the frame main body only by a pressing force in a direction protruding from the frame main body. And a step of face-down joining the semiconductor element to the projecting side of a part of the land structures of the land structure group of the terminal land frame with the surface on which the electrode pads are formed facing down, A step of completely enclosing the upper surface side of the terminal land frame with an encapsulating resin in an outer periphery of the plurality of mounted semiconductor elements; Grinding the sealing resin on the upper surface of the terminal land frame, exposing the bottom surface of the face-down mounted semiconductor element from the sealing resin, and fixing the terminal land frame from the bottom surface side with the terminal land frame fixed. A step of applying a pressing force to the bottom surface side of the land structure, breaking a thin portion connecting the land structure group and the frame body, and separating the resin-sealed semiconductor device structure from the frame body And a step of cutting the sealing resin on the upper surface of the resin-sealed semiconductor device component body separated from the frame body with a blade to separate the resin-sealed semiconductor device components into individual resin-sealed semiconductor devices. This is a method for manufacturing a sealed semiconductor device.

【００１５】また、ターミナルランドフレームのランド
構成体群の一部のランド構成体の突出した側に半導体素
子をその電極パッドが形成された面を下にしてフェース
ダウン接合する工程では、半導体素子の電極パッドに突
起電極を形成し、その突起電極を介して前記ランド構成
体と接合する工程である樹脂封止型半導体装置の製造方
法である。Further, in the step of face-down joining the semiconductor element to the protruding side of a part of the land structures of the land structure group of the terminal land frame with the surface on which the electrode pads are formed facing down, This is a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, which is a step of forming a protruding electrode on an electrode pad and bonding the protruding electrode to the land structure via the protruding electrode.

【００１６】また、ターミナルランドフレームの上面の
封止樹脂に対して研削を行い、フェースダウン実装され
た半導体素子の底面を封止樹脂から露出させる工程で
は、封止樹脂の研磨とともに、半導体素子の底面をも研
磨する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。In the step of grinding the sealing resin on the upper surface of the terminal land frame to expose the bottom surface of the face-down mounted semiconductor element from the sealing resin, polishing of the sealing resin and polishing of the semiconductor element are performed. This is a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which the bottom is also polished.

【００１７】前記構成の通り、本発明のターミナルラン
ドフレームは、樹脂封止型半導体装置を構成した際、そ
の外部電極となるランド構成体を設けたものであり、そ
のランド構成体は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力
により、ランド構成体とフレーム本体とを接続している
部分である薄厚部を破断させることにより、フレーム本
体から分離することができるので、リードカット工程や
リードベンド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。これは比較的、精度
が要求された従来のリードフレームにおけるリードカッ
ト工程、リードベンド工程に比べて、工程自体が、突き
上げ処理により樹脂封止型半導体装置をフレームから分
離する、という比較的単純な処理であり、不良、破壊、
変形等が発生することがなくなるため、容易に樹脂封止
型半導体装置を得ることができるものである。As described above, the terminal land frame of the present invention is provided with a land structure serving as an external electrode when a resin-sealed semiconductor device is formed, and the land structure is unidirectional. Pressing force, for example, by pushing up force, by breaking the thin portion which is the portion connecting the land structure and the frame main body, it is possible to separate from the frame main body, so that the lead cutting process and the lead bend process Thus, a resin-sealed semiconductor device can be easily obtained. This is a relatively simple process, in which the process itself separates the resin-encapsulated semiconductor device from the frame by a push-up process, compared to the lead cutting process and the lead bending process in a conventional lead frame that required relatively high accuracy. Processing, failure, destruction,
Since deformation and the like do not occur, a resin-sealed semiconductor device can be easily obtained.

【００１８】またランド構成体、またはランド構成体お
よびダイパッド部において、その突出した上面はコイニ
ングされてキノコ状を構成しているので、本発明のター
ミナルランドフレームに対して、半導体素子を搭載し、
樹脂封止した際には、封止樹脂の食いつきを良好にし、
封止樹脂の密着性を向上させることができる。In the land structure or the land structure and the die pad portion, the protruding upper surface is coined to form a mushroom shape. Therefore, the semiconductor element is mounted on the terminal land frame of the present invention.
When sealed with resin, make the sealing resin bite well,
The adhesiveness of the sealing resin can be improved.

【００１９】またターミナルランドフレームの製造方法
においては、パンチ部材により金属板の一部を打ち抜き
加工する際、完全に打ち抜かず、途中でパンチ部材の押
圧を停止させることで、半切断状態を形成し、金属板の
押圧された部分を切り離すことなく、金属板の本体に接
続させて残存させることができる。また、金属板のラン
ド構成体を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面
積はダイ部に設けた開口部の開口面積よりも小さく、そ
のパンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板か
ら突出したランド構成体を形成する工程においては、金
属板から突出したランド構成体の上面部分の面積が、金
属板側に接続したランド構成体の底面部分の面積よりも
大きく、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は
抜きダレによる曲面を有しているランド構成体を形成す
るものである。この構造により、形成されたランド構成
体は、それが突出した方向に対しての押圧力、すなわち
ランド構成体の底面部分側からの押圧力により、容易に
分離されるものであり、またそれが突出した方向、すな
わちランド構成体の上面部分からの押圧力によっては分
離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離す
る構造となる。In the method of manufacturing a terminal land frame, when a part of a metal plate is punched by a punch member, the metal plate is not completely punched, and the pressing of the punch member is stopped halfway to form a half-cut state. Further, the pressed portion of the metal plate can be left connected to the main body of the metal plate without being separated. In addition, the contact area of the punch member that contacts the portion forming the land structure of the metal plate is smaller than the opening area of the opening provided in the die portion, and a part of the metal plate is pressed by the punch member to press the metal. In the step of forming the land structure projecting from the plate, the area of the top surface portion of the land structure projecting from the metal plate is larger than the area of the bottom surface portion of the land structure connected to the metal plate, The edge of the upper surface on the protruding side forms a land structure having a curved surface formed by punching. With this structure, the formed land structure is easily separated by the pressing force in the direction in which it protrudes, that is, the pressing force from the bottom surface side of the land structure, and It does not separate according to the protruding direction, that is, the pressing force from the upper surface of the land structure, and has a structure that separates only to the pressing force from one direction.

【００２０】したがって本発明の樹脂封止型半導体装置
は、ランド構成体がその底面に配列され、またランド構
成体が封止樹脂の底面よりも突出して設けられ、基板実
装時のスタンドオフが形成されているものである。ここ
で樹脂封止型半導体装置のランド構成体の突出量は、フ
レーム本体の厚み量からランド構成体が突出した量を差
し引いた量となり、ランド構成体の外部ランド電極とし
てのスタンドオフが、ターミナルランドフレームを用い
ることにより、別工程によりスタンドオフを形成せずに
自己整合的に形成されるものである。Therefore, in the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, the land members are arranged on the bottom surface, and the land members are provided so as to protrude from the bottom surface of the sealing resin, thereby forming a stand-off when mounting the substrate. Is what is being done. Here, the amount of protrusion of the land structure of the resin-encapsulated semiconductor device is the amount obtained by subtracting the amount by which the land structure protrudes from the thickness of the frame main body. With the use of the land frame, it is formed in a self-aligned manner without forming a standoff in a separate process.

【００２１】また本発明のターミナルランドフレームを
用いることにより、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法においては、半導体素子を搭載し、樹脂封止した
後、ランド構成体、ダイパッド部分の下方からの突き上
げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型半
導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接続したラ
ンド電極を配列することができる。また、本発明のター
ミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を
製造する際、樹脂封止時において、ランド底面部分への
樹脂バリの進入を防止でき、加えて、ランド電極の外部
電極としてのスタンドオフが確保できるものである。Further, by using the terminal land frame of the present invention, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, the semiconductor element is mounted and sealed with resin, and then the land structure and the lower portion of the die pad portion are formed. The land electrodes electrically connected to the semiconductor elements can be arranged on the bottom surface portion of the resin-sealed semiconductor device only by removing the frame itself by pushing up from the bottom. Further, when manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device using the terminal land frame of the present invention, at the time of resin encapsulation, it is possible to prevent resin burrs from entering the bottom surface of the land, and in addition, as an external electrode of the land electrode Standoff can be secured.

【００２２】さらに本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、上面を封止樹脂で全面封止したターミナル
ランドフレームに対して、個々の樹脂封止型半導体装置
に分離する前に、封止樹脂を研削によりその厚みを薄く
加工するとともに、搭載した半導体素子の底面を露出さ
せ、そしてフレーム本体から樹脂封止型半導体装置構成
体を分離し、次いでその上面の封止樹脂に対して回転ブ
レードで切削し、各樹脂封止型半導体装置ごとに分離す
るため、生産性を高めた樹脂封止型半導体装置の製造方
法を実現できるものである。Further, in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the present invention, a terminal land frame whose entire upper surface is sealed with a sealing resin is sealed before being separated into individual resin-sealed semiconductor devices. In addition to processing the resin to reduce its thickness by grinding, exposing the bottom surface of the mounted semiconductor element, separating the resin-encapsulated semiconductor device component from the frame body, and then rotating with respect to the sealing resin on the top surface Since it is cut with a blade and separated for each resin-sealed semiconductor device, it is possible to realize a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device with improved productivity.

【００２３】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明のターミナルランド
フレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an exploded perspective view of a terminal land frame and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention;

【００２４】図１は本実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナ
ルランドフレームを示す断面図であり、図１において、
Ａ−Ａ１箇所の一部の断面を示している。図３は図２に
おけるランド構成体部分を拡大して示す断面図である。FIG. 1 is a plan view showing a terminal land frame of the present embodiment. FIG. 2 is a sectional view showing the terminal land frame of the present embodiment.
The cross section of a part of AA1 part is shown. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a land structure in FIG.

【００２５】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体１２とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体１２がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体１２の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。As shown in the figure, the terminal land frame of the present embodiment has a frame main body 10 made of a copper material or a metal plate used for a normal lead frame such as 42-alloy and the like. And a plurality of land members 12 connected to the frame main body 10 by the thin portion 11 and protruding from the frame main body 10. That is, the frame body 10, the land structure 12, and the thin portion 11 are integrally formed from the same metal plate. The land structure 12 has a configuration in which the thin portion 11 is broken by a pressing force in a direction protruding from the frame body 10 and the land structure 12 is separated from the frame body 10. The grid arrangement of the land structures 12 may be arranged in a staggered grid, a grid pattern on a grid, or randomly arranged on a plane, but an arrangement suitable for connection with a semiconductor element to be mounted by a thin metal wire is employed. .

【００２６】図３に示すように、ランド構成体１２の底
面部分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、薄厚部１１の破線部分で破断されるこ
とになり、フレーム本体１０からランド構成体１２が分
離するものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のラン
ド構成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜
き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分
程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフ
レーム本体１０から突出し、その突出した部分がランド
構成体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切
断されずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成す
るものである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、
ランド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した
方向への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断す
る厚みを有するものである。As shown in FIG. 3, by applying a pressing force in a protruding direction to the bottom surface portion 12a of the land structure 12, the thin portion 11 is broken at the broken line portion, and The land structure 12 is separated from the main body 10. Here, the thin portion 11 is a "joining portion" formed by a half-cutting means of a punching process with respect to the frame body 10 itself, and a portion of the frame body 10 where a land structure is to be formed is punched using a punch member. It is processed, not completely punched out, but is stopped halfway, preferably by about half the punching, the part punched out halfway projects from the frame body 10, and the projecting part constitutes the land structure 12 and the frame body 10 The connecting portion that is connected without being cut off constitutes the thin portion 11. Therefore, the thin portion 11 is extremely thin,
The thin portion 11 has a thickness such that the thin portion 11 is broken just by applying a pressing force in a protruding direction to the bottom surface portion 12a of the land structure 12.

【００２７】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
ランド構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてランド構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。例えば本実施形態では、ター
ミナルランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本
体１０の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２
の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム
本体１０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としてい
る。なお、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限
定するものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の
厚型のフレームとしてもよい。また、ランド構成体１２
の突出量に関しても、本実施形態では過半数以上のフレ
ーム本体厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量とした
が、半数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が
破断される範囲で、突出量を設定できるものである。Further, the land structure 12 formed so as to protrude from the frame main body 10 has a protruding amount that is at least a majority of the thickness of the frame main body 10 itself,
The configuration is such that the thin portion 11 is broken by the pressing force in the direction in which the land component 12 protrudes from the frame main body 10, and the land component 12 is separated from the frame main body 10. For example, in the present embodiment, the thickness of the terminal land frame itself, that is, the thickness of the frame body 10 is set to 200 [μm], and the land structure 12
Is set to 140 [μm] to 180 [μm] (70 [%] to 90 [%] of the thickness of the frame body 10). The thickness of the frame body is not limited to 200 [μm], but may be a 400 [μm] thick frame as needed. In addition, the land structure 12
In the present embodiment, the protrusion amount of 70% to 90% of the frame body thickness of the majority or more is set in the present embodiment, but the protrusion amount may be less than the half, and the thin portion 11 is broken. The protrusion amount can be set within the range.

【００２８】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、その表面がメッキ処理されたものであり、必要に
応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）
および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキさ
れているものである。メッキ処理については、ランド構
成体１２を成形した後に行ってもよく、または金属板へ
のランド構成体の成形前に行ってもよい。またターミナ
ルランドフレームの表面粗さについては、極めて平坦で
あって、０．１［μｍ］以下であり、封止樹脂との剥離
性に影響するものであり、ランド構成体１２以外の部分
には無用な凹凸がないようにする必要がある。The surface of the terminal land frame of the present embodiment is plated, and if necessary, for example, nickel (Ni), palladium (Pd)
And a metal such as gold (Au) is laminated and appropriately plated. The plating may be performed after the land structure 12 is formed, or may be performed before the land structure is formed on the metal plate. Further, the surface roughness of the terminal land frame is extremely flat and is 0.1 [μm] or less, which affects the releasability from the sealing resin. It is necessary to eliminate unnecessary unevenness.

【００２９】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムにおいては、ランド構成体１２の突出した上面部分
は、コイニングと称されるプレス成形により、その突出
した上面形状が上面平坦なキノコ状を構成するものであ
る。このコイニングによる形状により、ターミナルラン
ドフレームに対して、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際、封止樹脂のランド構成体への食いつきを良好に
し、封止樹脂との密着性を向上させ、片面封止であって
も樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。ま
た形状は上面平坦なキノコ状に限定されるものではな
く、鍵状等の封止樹脂とのアンカー作用のある上面平坦
な形状であればよい。In the terminal land frame of the present embodiment, the protruding upper surface of the land structure 12 is formed into a mushroom shape having a flat upper surface by press molding called coining. is there. By this coining shape, when the semiconductor element is mounted on the terminal land frame and sealed with resin, the sealing resin bites into the land structure, and the adhesion with the sealing resin is improved. Even with single-sided sealing, reliability of resin sealing can be obtained. Further, the shape is not limited to a mushroom shape having a flat top surface, and may be a flat shape having a flat top surface having an anchoring action with a sealing resin such as a key.

【００３０】本実施形態のターミナルランドフレームで
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体１２の群の内、一部のランド構成体を
ダイパッド部として使用し、半導体素子の支持用のラン
ド構成体とすることができる。このことにより、品種の
違いにより、ターミナルランドフレーム上に搭載する半
導体素子の大きさに差があった場合でも、適宜、ランド
構成体１２の群の一部を支持用のランド構成体として使
用し、その他のランド構成体１２をその搭載した半導体
素子との電気的な接続用のランド構成体として使用する
ことにより、ターミナルランドフレームを共用すること
ができ、１枚のフレーム中で複数の大きさの異なる半導
体素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。In the terminal land frame of the present embodiment, the die pad portion, which is a member on which the semiconductor element is mounted, is not provided, but a part of the group of land structures 12 provided in the region of the frame body 10 is provided. Can be used as a die pad portion to provide a land structure for supporting a semiconductor element. As a result, even when the size of the semiconductor element mounted on the terminal land frame is different due to the difference in product type, a part of the group of the land members 12 is appropriately used as a supporting land member. By using the other land structure 12 as a land structure for electrical connection with the semiconductor element on which it is mounted, a terminal land frame can be shared. By mounting semiconductor elements different from each other, a resin-sealed semiconductor device can be obtained.

【００３１】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、ランド構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またランド構成体
１２の形状は円形としているが、角形や長方形でもよ
く、また大きさは、ターミナルランドフレーム内ですべ
て同一としてもよいし、樹脂封止型半導体装置を構成
し、ランド電極とした場合、基板実装の際の応力緩和の
ために、周辺部に位置するランド構成体１２を大きくす
るようにしてもよい。本実施形態では、ランド構成体１
２の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしている。The number of land structures 12 can be appropriately set according to the number of pins of the semiconductor element to be mounted. Then, as shown in FIG. 1, the land structure 12 is formed in the region of the frame main body 10, but can be formed continuously in the left, right, up and down directions. In addition, although the shape of the land structure 12 is circular, it may be square or rectangular, and the size may be all the same in the terminal land frame, or may constitute a resin-encapsulated semiconductor device and serve as a land electrode. In this case, the land structure 12 located in the peripheral portion may be enlarged in order to relieve stress at the time of mounting the substrate. In the present embodiment, the land structure 1
The size of the upper surface of 2 may be 100 [μm] φ as long as it can be bonded when a semiconductor element is mounted and connected by a thin metal wire such as a gold wire as an electrical connection means.
The size is more than that.

【００３２】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部、ダイパッド部などを有さず、ランド電極と
してランド構成体１２を有し、そのランド構成体１２を
半導体素子が搭載される面内に格子状、千鳥状に配列す
ることにより、このターミナルランドフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を構成した場合、底面にランド電
極を備えた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。また従来のように電極となる構成が、ビーム状のリ
ード構成ではなく、ランド構成体１２であるため、それ
らを面状に配置することができ、ランド構成体１２の配
置の自由度が向上し、多ピン化に対応することができ
る。勿論、搭載する半導体素子のピン数により、ランド
構成体１２の配置は設定するものであり、従来のような
一連の配置でもよい。Further, the terminal land frame shown in the present embodiment does not have the inner lead portion, the outer lead portion, the die pad portion and the like as in the prior art, has the land structure 12 as a land electrode, and has the land structure. By arranging the bodies 12 in a lattice or staggered pattern on the surface on which the semiconductor elements are mounted, a resin-encapsulated semiconductor device is formed using this terminal land frame. It is possible to realize a fixed semiconductor device. Further, since the configuration serving as the electrode is not the beam-shaped lead configuration but the land configuration 12 as in the related art, they can be arranged in a plane, and the degree of freedom in the arrangement of the land configuration 12 is improved. It is possible to cope with the increase in the number of pins. Of course, the arrangement of the land structures 12 is set according to the number of pins of the semiconductor element to be mounted, and may be a series of arrangements as in the related art.

【００３３】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。Next, a method for manufacturing the terminal land frame according to the present embodiment will be described.

【００３４】図４および図５は、ターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図であり、ランド構成体部分
を示す断面図である。FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views showing a method of manufacturing a terminal land frame, and are cross-sectional views showing a land structure portion.

【００３５】まず図４に示すように、ターミナルランド
フレームのフレーム本体となる金属板１３を打ち抜き金
型のダイ部１４に載置し、金属板１３の上方から押え金
型１５により押さえる。ここで図４において、ダイ部１
４には、打ち抜き用の開口部１６が設けられている。ま
た、金属板１３に対して上方には、パンチ部材１７が設
けられており、パンチ部材１７により金属板１３が押圧
され打ち抜き加工された際、金属板１３の押圧された箇
所が開口部１６に打ち抜かれる構造を有している。First, as shown in FIG. 4, a metal plate 13 serving as a frame body of a terminal land frame is placed on a die 14 of a punching die, and is pressed from above the metal plate 13 by a pressing die 15. Here, in FIG.
4 is provided with an opening 16 for punching. Further, a punch member 17 is provided above the metal plate 13, and when the metal plate 13 is pressed and punched by the punch member 17, the pressed portion of the metal plate 13 is located in the opening 16. It has a punched-out structure.

【００３６】次に図５に示すように、ダイ部１４上の所
定の位置に固定した金属板１３に対して、その上方から
パンチ部材１７により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１３の一部をダイ部１４側の開口部１６側に突出
するように押圧して、金属板１３の所定箇所を半切断状
態にし、ランド構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１３と接続されて残存し、かつ金属板１
３の本体部よりも突出して形成されたランド構成体１２
を形成するものである。Next, as shown in FIG. 5, the metal plate 13 fixed at a predetermined position on the die portion 14 is punched from above by a punch member 17 by pressing.
A portion of the metal plate 13 is pressed so as to protrude toward the opening 16 on the die portion 14 side, and a predetermined portion of the metal plate 13 is cut in a half-cut state, thereby forming the land structure 12. Here the thin part 1
1 and remains connected to the metal plate 13 and the metal plate 1
3 and a land structure 12 protruding from the main body.
Is formed.

【００３７】本実施形態では、パンチ部材１７により金
属板１３の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１７の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１３の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１３の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１３のランド構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１７の接触面積は
ダイ部１４に設けた開口部１６の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１７により、金属板１３の一部を押
圧して金属板１３から突出したランド構成体１２を形成
する工程においては、金属板１３から突出したランド構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１３側に接
続したランド構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、ランド構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているランド構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたラ
ンド構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちランド構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。In the present embodiment, when a part of the metal plate 13 is punched by the punch member 17, the punching of the punch member 17 is stopped halfway without punching completely.
A half-cut state is formed, and the pressed portion of the metal plate 13 is connected to the main body of the metal plate 13 without being separated, and is left. The land structure 12 of the metal plate 13
The contact area of the punch member 17 that comes into contact with the portion forming the opening is smaller than the opening area of the opening 16 provided in the die portion 14, and the punch member 17 presses a part of the metal plate 13 to separate the metal plate 13 from the metal plate 13. In the step of forming the protruding land structure 12, the area of the upper surface portion 12b of the land structure 12 protruding from the metal plate 13 is larger than the area of the bottom surface portion 12a of the land structure 12 connected to the metal plate 13 side. The edge of the upper surface of the land structure 12 on the protruding side of the land structure 12 has a curved surface formed by cutting out.
Is formed. With this structure, the formed land component 12 is easily separated by the pressing force in the direction in which it protrudes, that is, the pressing force from the bottom surface portion 12a side of the land component 12, In addition, the structure does not separate according to the direction in which it protrudes, that is, the pressing force from the upper surface portion 12b of the land structure 12, and has a structure that separates only into the pressing force from one direction.

【００３８】また、ランド構成体１２の突出した上面部
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、ターミナルランドフレームに対して、半導体
素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のランド構成
体への食いつきを良好にし、アンカー効果を得て、封止
樹脂との密着性をさらに向上させ、片面封止であっても
樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。The projecting upper surface of the land structure 12 may be subjected to press molding called coining so that the projecting upper surface has a mushroom shape with a flat upper surface. By this coining shape, when the semiconductor element is mounted on the terminal land frame and sealed with resin, the sealing resin bites into the land structure well, an anchor effect is obtained, and The adhesiveness can be further improved, and the reliability of resin sealing can be obtained even with single-sided sealing.

【００３９】本実施形態において、金属板１３に対して
ランド構成体１２を形成する際、金属板１３の一部を突
出させるその突出量については、金属板１３自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１３の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したランド構成体１２を形成している。し
たがって、突出して形成されたランド構成体１２は、金
属板１３の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、ランド構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、ランド構成体１２の突出量に関し
ても、実施形態では過半数以上の突出量としたが、半数
以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断され
る範囲で、突出量を設定できるものである。In this embodiment, when the land structure 12 is formed on the metal plate 13, the amount of protrusion of a part of the metal plate 13 is set to be more than a half of the thickness of the metal plate 13. In the embodiment, 140 [μm] to 180 [μm] with respect to the thickness of the metal plate 13 of 200 [μm].
[Μm] (70 [%] to 90% of the thickness of the metal plate itself)
[%]) The protruding land structure 12 is formed. Therefore, the protruding land structure 12 has a very thin portion 11 with respect to the main body of the metal plate 13.
Means that they are connected. In the present embodiment, the thickness of the thin portion 11 is 20 [μm] to 60 [μm].
(10 [%] to 30 [%] of the thickness of the metal plate itself), and can be easily separated by the pressing force in the direction in which the land structure 12 itself protrudes. The thickness of the frame body is not limited to 200 [μm], but may be a 400 [μm] thick frame as needed. Also, in the embodiment, the protrusion amount of the land structure 12 is set to a majority or more, but may be set to a half or less, and the protrusion amount can be set as long as the thin portion 11 is broken. It is.

【００４０】ここで本実施形態のランド構成体１２を形
成する際の半切断について説明する。図６は金属板１３
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のランド構成
体１２と金属板１３、および薄厚部１１の部分の構造図
である。Here, a description will be given of half-cutting when forming the land structure 12 of the present embodiment. FIG. 6 shows a metal plate 13.
FIG. 3 is a structural diagram of a land component 12, a metal plate 13, and a thin portion 11 when a half-cut state is formed by pressing the thin plate 11.

【００４１】図６に示すように、金属板１３に対してラ
ンド構成体１２を形成した際、金属板１３のランド構成
体１２部分は、図４，図５に示したパンチ部材１７によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１８と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部１９と、ランド構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にランド構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２０を有している。ランド構成体１２の形成として
は、パンチ部材１７により打ち抜き加工した際、抜きダ
レ部１８、せん断部１９、破断部２０の順に形成されて
いくものである。破断部２０となる部分は薄厚部１１で
あり、図面上はモデル的に示している関係上、相当の厚
みを有しているように示されているが、実質的には極め
て薄い状態である。また金属板１３の打ち抜き加工にお
いては、理想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パン
チ部材１７が金属板１３を打ち抜き、金属板１３の厚み
の１／２を打ち抜いた時点でパンチ部材１７を停止さ
せ、打ち抜きを完了させるものであるが、その条件は適
宜、設定するものである。As shown in FIG. 6, when the land structure 12 is formed on the metal plate 13, the land structure 12 of the metal plate 13 is punched by the punch member 17 shown in FIGS. The shear force generated in the direction in which the land component 12 itself protrudes, and the shearing portion 19 sheared by the punch member,
It has a rupture portion 20 which becomes a rupture surface when the land structure 12 is easily separated. When the land member 12 is formed by punching with the punch member 17, the land member 12 is formed in the order of the punching sagging portion 18, the shearing portion 19, and the breaking portion 20. The portion to be the break portion 20 is the thin portion 11, which is shown in the drawing as having a considerable thickness in terms of a model, but is substantially extremely thin. . In the punching process of the metal plate 13, the ideal state is A: B = 1: 1, and when the punch member 17 punches the metal plate 13 and punches １ ／ of the thickness of the metal plate 13. The punch member 17 is stopped to complete the punching, and the conditions are appropriately set.

【００４２】また打ち抜き加工において、クリアランス
の値を変更することにより、せん断部１９と破断部２０
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部１９を破断部２０よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
１９を破断部２０よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２０の長さを
短く抑えることで、金属板１３の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１３の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１７の大きさとダイ部１４
の開口部１６の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。In the blanking process, by changing the value of the clearance, the shear portion 19 and the break portion 20 are changed.
When the clearance is reduced, the shear portion 19 can be made larger than the break portion 20 when the clearance is reduced, and when the clearance is increased, the shear portion 19 can be made smaller than the break portion 20. Can be. Therefore, by setting the clearance to zero and keeping the length of the broken portion 20 short, the timing of the completion of the removal of the metal plate 13 is delayed, so that the removal is not completed even if the punch member enters the metal plate 13 by 1/2 or more. Can be done. Here, the clearance is determined by the size of the punch member 17 and the die portion 14.
The size of the gap formed by the difference from the size of the opening 16 of FIG.

【００４３】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図７，図８
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図７は断面図であり、図８は底面図である。なお、図７
の断面図は図８の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を示す図であり、また本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す平面図については、いわゆる矩形状を示すのみ
であり省略する。Next, an embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings. 7 and 8
Is a diagram showing a resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment,
FIG. 7 is a sectional view, and FIG. 8 is a bottom view. FIG.
Is a cross-sectional view taken along a line B-B1 in the bottom view of FIG. 8, and a plan view showing the resin-sealed semiconductor device of the present embodiment is only a so-called rectangular shape and is omitted. I do.

【００４４】図７，図８に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、前述したようなターミナルラン
ドフレームを用いて、半導体素子を搭載した半導体装置
であり、ランド構成体２１の内、第１のランド構成体２
１ａ，２１ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤２２、ま
たは絶縁性ペーストにより搭載、接合された半導体素子
２３と、その半導体素子２３の周辺に配置され、半導体
素子２３と金属細線２４により電気的に接続された第２
のランド構成体２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆと、各
ランド構成体２１の底面を突出させて半導体素子２３の
外囲を封止した封止樹脂２５とよりなる樹脂封止型半導
体装置である。そして本実施形態において、ランド構成
体２１の封止樹脂２５からの突出量は、使用したターミ
ナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体２１
がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量であ
り、基板実装時のスタンドオフを有しているものであ
る。As shown in FIGS. 7 and 8, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment is a semiconductor device having a semiconductor element mounted thereon using the terminal land frame as described above. Of the first land structure 2
A semiconductor element 23 mounted and bonded on a conductive paste 22 such as a silver paste or an insulating paste on 1a and 21b, and disposed around the semiconductor element 23, and electrically connected to the semiconductor element 23 and the thin metal wires 24. The second connected to
This is a resin-encapsulated semiconductor device comprising land members 21c, 21d, 21e, and 21f, and a sealing resin 25 that protrudes the bottom surface of each land member 21 and seals the outer periphery of the semiconductor element 23. In this embodiment, the amount of protrusion of the land structure 21 from the sealing resin 25 is determined based on the thickness of the terminal land frame body used.
Is the amount obtained by subtracting the amount of protrusion from the frame main body, and has a standoff at the time of board mounting.

【００４５】本実施形態では、ランド構成体２１の一部
を半導体素子２３を支持するダイパッド部として使用し
た構造であり、他のランド構成体２１は電極として使用
し、底面配列においては、ランド・グリッド・アレイを
構成しているものである。そして、搭載する半導体素子
の大きさ、ピン数に応じて、半導体素子の支持用のラン
ド構成体２１を適宜、設定することができる。また、従
来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置とは
異なり、ランド構成体２１の面積は、１００［μｍ］以
上のワイヤーボンドができる大きさであればよく、また
高さも１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］程度であるた
め、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。In this embodiment, a part of the land structure 21 is used as a die pad portion for supporting the semiconductor element 23. The other land structure 21 is used as an electrode. This constitutes a grid array. Then, the land element 21 for supporting the semiconductor element can be appropriately set according to the size of the semiconductor element to be mounted and the number of pins. Further, unlike a resin-encapsulated semiconductor device using a conventional lead frame, the area of the land structure 21 may be large enough to enable wire bonding of 100 [μm] or more, and the height is 140 [μm]. ] To about 180 [μm], a high-density electrode arrangement is possible, and a small and thin resin-sealed semiconductor device can be realized. Furthermore, with the structure of the present embodiment, it is possible to cope with the increase in the number of pins and to realize a high-density surface-mount type resin-encapsulated semiconductor device.
Even when the thickness of the semiconductor device itself is 50 mm or less of 1 [mm] or less.
An extremely thin resin-encapsulated semiconductor device of about 0 [μm] can be realized.

【００４６】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２５に封止された側のランド構成体２１の
上面の面積が、封止樹脂２５から露出、突出した側のラ
ンド構成体２１の底面の面積よりも大きく、封止された
側のランド構成体２１の上面のエッジ部は曲面を有して
おり、ランド構成体２１は略逆台形状の断面形状を有し
ているものである。この構造により、封止樹脂２５とラ
ンド構成体２１との食いつきを良好にし、密着性を向上
させることができ、基板実装の際の接続の信頼性を得る
ことができるものである。なお、用いるターミナルラン
ドフレーム自体の板厚を厚く設定することで、ランド構
成体２１と封止樹脂２５との食いつきエリアを拡大さ
せ、アンカー効果が増大するため、一層の信頼性向上が
図れる。Further, in the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, the area of the top surface of the land structure 21 on the side sealed with the sealing resin 25 is exposed and protruded from the sealing resin 25. The edge of the top surface of the land structure 21 on the sealed side is larger than the area of the bottom surface of the body 21 and has a curved surface, and the land structure 21 has a substantially inverted trapezoidal cross-sectional shape. Things. With this structure, the bite between the sealing resin 25 and the land structure 21 can be improved, the adhesion can be improved, and the reliability of connection at the time of mounting on the substrate can be obtained. By setting the thickness of the terminal land frame itself to be large, the biting area between the land structure 21 and the sealing resin 25 is enlarged, and the anchor effect is increased, so that the reliability can be further improved.

【００４７】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。Next, an embodiment of a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIGS. 9A to 9F are cross-sectional views for each process showing the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment.

【００４８】まず図９（ａ）に示すように、フレーム本
体２６と、そのフレーム本体２６の領域内に配設され
て、薄厚部２７によりフレーム本体２６と接続し、かつ
フレーム本体２６よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体２８とよりなり、ランド構成体２８はフレーム
本体２６からそれが突出した方向への押圧力により、薄
厚部２７が破断されてランド構成体２８がフレーム本体
２６より分離される構成を有するターミナルランドフレ
ームを用意する。First, as shown in FIG. 9A, the frame main body 26 is disposed in the region of the frame main body 26, connected to the frame main body 26 by the thin portion 27, and protrudes from the frame main body 26. The thin land portion 27 is broken by the pressing force in the direction in which the land body 28 protrudes from the frame body 26, and the land body 28 is A terminal land frame having a configuration to be separated is prepared.

【００４９】次に図９（ｂ）に示すように、ターミナル
ランドフレームのランド構成体２８が突出した面側であ
って、ランド構成体２８の内、所定の第１のランド構成
体２８ａ，２８ｂ上に導電性接着剤２９、または絶縁性
ペーストにより半導体素子３０を載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着剤２９の塗布、半導体素子３０の載置、加熱処
理により半導体素子３０を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体２８が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
２８の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体２８の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子３０を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体２８は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。Next, as shown in FIG. 9B, a predetermined first land structure 28a, 28b is located on the side of the land structure 28 of the terminal land frame where the land structure 28 protrudes. The semiconductor element 30 is placed and bonded thereon with the conductive adhesive 29 or the insulating paste. This step is a step corresponding to a die bonding step in an assembling step of the semiconductor device, in which the semiconductor element 30 is joined by applying the conductive adhesive 29 to the terminal land frame, placing the semiconductor element 30, and heating. . Here, the terminal land frame is easily separated by the pressing force in the direction in which the land structure 28 protrudes, that is, the pressing force from the bottom surface side of the land structure 28, The structure does not separate according to the protruding direction, that is, the pressing force from the upper surface portion of the land structure 28, and the structure separates only into the pressing force from one direction. Thus, even if a downward pressing force acts, the land structure 28 does not separate and can be stably bonded.

【００５０】次に図９（ｃ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０とランド構
成体２８の内、外部ランド電極となる第２のランド構成
体２８ｃ，２８ｄ，２８ｅ，２８ｆとを金属細線３１に
より電気的に接続する。したがって、ランド構成体２８
は上面の金属細線３１が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体２８は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線３１をランド構成体２８の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
２８は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。Next, as shown in FIG. 9C, of the semiconductor element 30 and the land structure 28 joined on the terminal land frame, the second land structures 28c, 28d, 28e serving as external land electrodes are formed. 28f is electrically connected by a thin metal wire 31. Therefore, the land structure 28
Indicates that the area of the surface to which the thin metal wire 31 on the upper surface is connected is 100
[Μm] or more. Also in this step, since the land member 28 has a structure that separates only into the pressing force from one direction, the pressing force acts downward when the thin metal wire 31 is connected to the upper surface of the land member 28. However, the land members 28 can be stably bonded without being separated.

【００５１】次に図９（ｄ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子３０、および電
気的接続手段である金属細線３１の領域を封止樹脂３２
により封止する。通常は上下封止金型を用いたトランス
ファーモールドにより片面封止を行う。ここではターミ
ナルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面の
みが封止樹脂３２により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各ランド構成体２８は突出
して設けられているため、封止樹脂３２がその段差構造
に対して、食いつくため片面封止構造であっても、ター
ミナルランドフレームと封止樹脂３２との密着性を得る
ことができる。Next, as shown in FIG. 9D, the region of the semiconductor element 30 bonded on the terminal land frame and the area of the thin metal wire 31 as the electrical connection means are sealed with a sealing resin 32.
Sealing. Usually, single-sided sealing is performed by transfer molding using upper and lower sealing dies. Here, only the surface of the terminal land frame on which the semiconductor element 30 is mounted is sealed with the sealing resin 32, and has a single-sided sealing structure. Since each land component 28 is provided so as to protrude, the sealing resin 32 bites against the step structure, so that even if the sealing resin 32 has a single-sided sealing structure, the adhesion between the terminal land frame and the sealing resin 32 can be improved. Can be obtained.

【００５２】次に図９（ｅ）に示すように、ターミナル
ランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した領
域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体２８の底面に対して、押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体２８とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体２６とが分離するも
のである。ランド構成体２８とフレーム本体２６とを接
続している極薄の薄厚部２７が突き上げによる押圧力で
破断されることにより分離されるものである。また、突
き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導体素子
３０の下方に位置するランド構成体２８のみを突き上げ
てもよく、または周辺部のランド構成体２８を突き上げ
てもよく、またはすべてのランド構成体２８を突き上げ
てもよい。ただし、部分的な突き上げによりランド構成
体２８が封止樹脂３２から剥離しない範囲で突き上げを
行う。また突き上げ以外の手段により、ランド構成体２
８が分離できるものであればよく、例えばフレーム本体
２６に対してひねりを加えても分離させることができる
が、信頼性を考慮して行う。Next, as shown in FIG. 9E, in a state where the terminal land frame is fixed, for example, in a state where the end of the terminal land frame is fixed and the region sealed with the sealing resin 32 is free. A pressing force is applied to the bottom surface of the land structure 28 from below the terminal land frame. In this case, by fixing the end of the terminal land frame and pushing up from below by a push-up pin to apply a pressing force, the land structure 28 and the frame body 26 of the terminal land frame are separated. The very thin part 27 connecting the land structure 28 and the frame body 26 is separated by being broken by the pushing force generated by pushing up. In the case of pushing up, only a part of the land members 28 located below the semiconductor element 30 near the center, for example, may be pushed up, or the land members 28 in the peripheral portion may be pushed up, or all of them may be pushed up. The land structure 28 may be pushed up. However, the push-up is performed in a range where the land structure 28 does not peel off from the sealing resin 32 due to the partial push-up. Also, by means other than pushing up, the land structure 2
8 can be separated, for example, a twist can be applied to the frame main body 26, but the separation can be performed in consideration of reliability.

【００５３】図９（ｆ）に示すように、ランド構成体２
８とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部２７が
突き上げによる押圧力で破断されることにより分離され
て、樹脂封止型半導体装置３３を得ることができる。な
お、ここで封止樹脂３２とフレーム本体との剥離は、フ
レーム本体のランド構成体２８を形成した部分以外の領
域と封止樹脂との密着性が弱く、ランド構成体２８が分
離されることにより、樹脂封止型半導体装置を取り出す
ことができるものである。ランド構成体２８部分はその
凹凸形状が封止樹脂３２に食い込むため、剥離せずに封
止樹脂３２内に形成されるものである。図示するよう
に、樹脂封止型半導体装置３３は、ランド構成体２８が
その底面に配列され、またランド構成体２８が封止樹脂
３２の底面よりも突出して設けられ、基板実装時のスタ
ンドオフが形成されているものである。ここで樹脂封止
型半導体装置３３のランド構成体２８の突出量は、フレ
ーム本体の厚み量からランド構成体２８が突出した量を
差し引いた量となり、ランド構成体２８の外部ランド電
極としてのスタンドオフが形成されるものである。本実
施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレーム本体に対
して、ランド構成体２８を１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９０［％］）
突出させているため、スタンドオフ高さの量は、２０
［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚みの１０
［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタンドオ
フを有したランド電極を得ることができる。As shown in FIG. 9F, the land structure 2
The very thin portion 27 connecting the frame 8 and the frame body is separated by being broken by the pressing force of the push-up, so that the resin-encapsulated semiconductor device 33 can be obtained. Here, the peeling of the sealing resin 32 from the frame main body may be caused by weak adhesion between the sealing resin and a region other than the portion where the land main body 28 of the frame main body is formed, and the land main body 28 may be separated. Thereby, the resin-encapsulated semiconductor device can be taken out. The land structure 28 is formed in the sealing resin 32 without being peeled off because the uneven shape bites into the sealing resin 32. As shown in the figure, the resin-encapsulated semiconductor device 33 has a land structure 28 arranged on the bottom surface thereof, the land structure 28 protruding from the bottom surface of the sealing resin 32, and a stand-off when mounting the substrate. Are formed. Here, the amount of protrusion of the land member 28 of the resin-encapsulated semiconductor device 33 is the amount obtained by subtracting the amount by which the land member 28 protrudes from the thickness of the frame main body. An off is formed. In the present embodiment, the land structure 28 is set to 140 [μm] to 180 [μm] for a frame body having a thickness of 200 [μm].
m] (70 [%] to 90 [%] of the thickness of the frame body)
The amount of standoff height is 20
[Μm] to 60 [μm] (10% of the thickness of the frame body)
[%] To 30 [%]), and a land electrode having a stand-off when mounted on a substrate can be obtained.

【００５４】なお、フレーム本体から樹脂封止型半導体
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体２８部分に対する突き上げ法の他、フレーム本体自
体を引き剥がすことにより、分離できるものであるが、
製品の信頼性を考慮して分離方法を採用するものであ
る。As a method of separating the resin-encapsulated semiconductor device from the frame body, in addition to the above-described method of pushing up the land structure 28, the frame body itself can be separated by peeling. But,
The separation method is adopted in consideration of product reliability.

【００５５】さらに本実施形態で示したような半導体素
子を搭載するランド構成体の代わりにランド構成体より
も面積的に大きいダイパッド部を半切断で形成してター
ミナルランドフレームを構成してもよい。そしてそのタ
ーミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置
を形成してもよい。Further, instead of the land structure on which the semiconductor element is mounted as shown in the present embodiment, a die pad portion having a larger area than the land structure may be formed by half cutting to form a terminal land frame. . Then, a resin-sealed semiconductor device may be formed using the terminal land frame.

【００５６】次に本発明のターミナルランドフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法について、別の
実施形態について図面を参照しながら説明する。Next, another embodiment of the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device using the terminal land frame of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００５７】まず本実施形態で用いるターミナルランド
フレームについて説明する。図１０は本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の製造方法で用いるターミナルランド
フレームを示す平面図である。図１１は本実施形態のタ
ーミナルランドフレームを示す断面図であり、図１０に
おいて、Ｃ−Ｃ１箇所の一部の断面を示している。First, the terminal land frame used in this embodiment will be described. FIG. 10 is a plan view showing a terminal land frame used in the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment. FIG. 11 is a cross-sectional view showing the terminal land frame of the present embodiment, and FIG. 10 shows a partial cross-section taken along the line C-C1.

【００５８】図１０，図１１に示すように、本実施形態
で用いるターミナルランドフレームは、図１，図２およ
び図３に示したターミナルランドフレームと同様の構成
を有するものであり、銅材または、４２−アロイ等の通
常のリードフレームに用いられている金属板よりなるフ
レーム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格
子状に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０
と接続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成さ
れた複数のランド構成体１２とよりなるものである。す
なわち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄
厚部１１は同一の金属板より一体で形成されているもの
である。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０か
ら突出した方向への押圧力によってのみ、薄厚部１１が
破断されてランド構成体１２がフレーム本体１０より分
離される構成を有するものである。そしてランド構成体
１２の配列は、図１０に示すようにフレーム全面の配列
でもよく、その配列も正格子状、あるいは千鳥状の配列
でよい。As shown in FIGS. 10 and 11, the terminal land frame used in this embodiment has the same configuration as the terminal land frame shown in FIGS. 1, 2 and 3, and is made of copper or , 42-alloy or the like, a frame body 10 made of a metal plate used for a normal lead frame, and a frame body 10 which is arranged in a grid in the area of the frame body 10 and has a thin portion 11
And a plurality of land structures 12 formed to protrude from the frame body 10. That is, the frame body 10, the land structure 12, and the thin portion 11 are integrally formed from the same metal plate. The land structure 12 has a configuration in which the thin portion 11 is broken and the land structure 12 is separated from the frame body 10 only by a pressing force in a direction protruding from the frame body 10. The arrangement of the land structures 12 may be the arrangement of the entire frame as shown in FIG. 10, and the arrangement may be a regular lattice or a staggered arrangement.

【００５９】なお、本実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法については、前記したようなプレス加工
を用いた半切断工法と同様である。The method for manufacturing the terminal land frame according to the present embodiment is the same as the half-cutting method using the press working as described above.

【００６０】次にターミナルランドフレームを用いた樹
脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。図１
２〜図２１は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法を示す断面図である。Next, a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device using a terminal land frame will be described. FIG.
2 to 21 are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment.

【００６１】まず図１２に示すように、フレーム本体２
６と、そのフレーム本体２６の領域内に格子状に配設さ
れて、半切断による薄厚部２７によりフレーム本体２６
と接続し、かつフレーム本体２６よりも突出して形成さ
れた複数のランド構成体２８とよりなり、そのランド構
成体２８はフレーム本体２６から突出した方向への押圧
力により、薄厚部２７が破断されてランド構成体２８が
フレーム本体２６より分離される構成を有するターミナ
ルランドフレームを用意する。なお、ここでターミナル
ランドフレームの各ランド構成体２８の配列、そのピッ
チ、大きさは搭載する半導体素子の電極パッドの配列、
ピッチに合わせたものを用意する。First, as shown in FIG.
6 and a thin portion 27 which is arranged in a lattice shape in the area of the frame
And a plurality of land components 28 formed so as to protrude from the frame main body 26, and the thin component 27 is broken by the pressing force in the direction protruding from the frame main body 26. A terminal land frame having a configuration in which the land structure 28 is separated from the frame main body 26 is prepared. Note that, here, the arrangement of each land structure 28 of the terminal land frame, its pitch and size are the arrangement of the electrode pads of the semiconductor element to be mounted,
Prepare something that matches the pitch.

【００６２】次に図１３に示すように、ターミナルラン
ドフレームのランド構成体２８が突出した面側であっ
て、ランド構成体２８の内、半導体素子搭載用のランド
構成体上に導電性接着剤２９、またはバンプ等の金属突
起電極を介して半導体素子３０をその電極パッドが形成
されている面を下にしてフェースダウン接合する。この
工程では、半導体素子３０の主面の電極パッド上に予め
突起電極を形成したものを用いて、ターミナルランドフ
レームのランド構成体２８と半導体素子３０の電極パッ
ドとをフリップチップボンディングしてもよく、その突
起電極、例えば金（Ａｕ）バンプとランド構成体とを接
合するものである。ランド構成体２８の表面には、ニッ
ケル（Ｎｉ），パラディウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）が積
層メッキされており、その金層と金バンプとを接合でき
るものである。または突起電極と導電性接着剤とを組み
合わせたものを用いてもよく、金バンプ等の突起電極の
先端部に導電性接着剤を形成し、その導電性接着剤を介
してランド構成体と半導体素子の電極パッドとを接続す
ることで、半導体素子の電極パッドへの衝撃、応力印加
を防止できる。Next, as shown in FIG. 13, a conductive adhesive is provided on the surface of the terminal land frame on which the land structure 28 protrudes, and in the land structure 28, the land structure for mounting the semiconductor element. The semiconductor element 30 is face-down bonded with the surface on which the electrode pad is formed downward through the metal protrusion electrode 29 or a bump or the like. In this step, the land structure 28 of the terminal land frame and the electrode pads of the semiconductor element 30 may be flip-chip bonded using a projection electrode previously formed on the electrode pad on the main surface of the semiconductor element 30. And a bump electrode, for example, a gold (Au) bump and a land structure. Nickel (Ni), palladium (Pd), and gold (Au) are laminated and plated on the surface of the land structure 28 so that the gold layer and the gold bump can be joined. Alternatively, a combination of a protruding electrode and a conductive adhesive may be used. A conductive adhesive is formed at the tip of the protruding electrode such as a gold bump, and the land structure and the semiconductor are connected via the conductive adhesive. By connecting to the electrode pad of the element, it is possible to prevent impact and stress from being applied to the electrode pad of the semiconductor element.

【００６３】また、ここで、ターミナルランドフレーム
は、ランド構成体２８が突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体２８の底面部分側からの押圧
力により、容易に分離されるものであるが、それが突出
した方向、すなわちランド構成体２８の上面部分からの
押圧力によっては分離しないものであり、一方向からの
押圧力にのみ分離する構造であるため、半導体素子３０
を接合する際、フレームに対して下方の押圧力が作用し
ても、ランド構成体２８は分離せず、安定して接合でき
るものである。また、フリップチップ実装する半導体素
子３０としては、チップの主面の周囲に電極パッドが配
列された半導体チップや、チップの主面上に電極パッド
がエリア配置されたチップなど種々の電極パッド配列を
有した半導体チップを用いることができる。Here, the terminal land frame is easily separated by the pressing force in the direction in which the land structure 28 protrudes, that is, the pressing force from the bottom surface side of the land structure 28. However, the semiconductor element 30 is not separated by the protruding direction, that is, by the pressing force from the upper surface portion of the land structure 28, and is separated only by the pressing force from one direction.
In joining, even if a downward pressing force acts on the frame, the land members 28 are not separated and can be stably joined. As the semiconductor element 30 to be flip-chip mounted, various electrode pad arrangements such as a semiconductor chip in which electrode pads are arranged around the main surface of the chip and a chip in which electrode pads are arranged in an area on the main surface of the chip are available. A semiconductor chip having the same can be used.

【００６４】次に図１４に示すように、ターミナルラン
ドフレーム上に接合した半導体素子３０の領域を封止樹
脂３２により封止するとともに、フレームの上面領域を
全面封止する。通常は上下封止金型を用いたトランスフ
ァーモールドにより片面封止を行う。ここではターミナ
ルランドフレームの半導体素子３０が搭載された面のみ
が封止樹脂３２により封止されるものであり、片面封止
構造となっている。そして各ランド構成体２８は突出し
て設けられているため、封止樹脂３２がその段差構造に
対して、食いつくため片面封止構造であっても、ターミ
ナルランドフレームと封止樹脂３２との密着性を得るこ
とができる。Next, as shown in FIG. 14, the region of the semiconductor element 30 bonded on the terminal land frame is sealed with a sealing resin 32, and the entire upper surface region of the frame is sealed. Usually, single-sided sealing is performed by transfer molding using upper and lower sealing dies. Here, only the surface of the terminal land frame on which the semiconductor element 30 is mounted is sealed with the sealing resin 32, and has a single-sided sealing structure. Since each land component 28 is provided so as to protrude, the sealing resin 32 bites against the step structure, so that even if the sealing resin 32 has a single-sided sealing structure, the adhesion between the terminal land frame and the sealing resin 32 can be improved. Can be obtained.

【００６５】次に図１５に示すように、封止樹脂３２に
より上面を樹脂封止したターミナルランドフレームに対
して、その上面の封止樹脂を均一にグラインディング、
すなわち研削除去する。ここでは通常、半導体ウェハー
の裏面を研削／研磨するバックグラインドと同様に封止
樹脂を研削し、半導体素子３０の底面側に存在している
封止樹脂を研削する。研削においては、上面を樹脂封止
したターミナルランドフレームをシートに貼付した状態
で封止樹脂３２の上面方向を研削するものである。Next, as shown in FIG. 15, a terminal land frame whose upper surface is resin-sealed with a sealing resin 32 is uniformly ground with the sealing resin on the upper surface.
That is, it is removed by grinding. Here, the sealing resin is usually ground in the same manner as in the back grinding for grinding / polishing the back surface of the semiconductor wafer, and the sealing resin existing on the bottom surface side of the semiconductor element 30 is ground. In the grinding, the upper surface direction of the sealing resin 32 is ground in a state where a terminal land frame whose upper surface is resin-sealed is attached to a sheet.

【００６６】図１６にはターミナルランドフレームの上
面の封止樹脂３２を研削して薄く構成し、半導体素子３
０の底面が露出した状態を示している。また封止樹脂３
２の研削においては、半導体素子３０の底面が露出する
程度でもよく、またはさらに半導体素子３０自体をも研
削して全体厚を薄くするように研削してもよい。FIG. 16 shows that the sealing resin 32 on the upper surface of the terminal land frame is thinned by grinding,
0 shows a state where the bottom surface is exposed. Sealing resin 3
In the grinding of No. 2, the bottom surface of the semiconductor element 30 may be exposed, or the semiconductor element 30 itself may be ground to reduce the overall thickness.

【００６７】次に図１７に示すように、半導体素子３０
の底面が封止樹脂３２より露出し、それ以外の上面部分
は封止樹脂３２により樹脂封止されたターミナルランド
フレームを固定した状態、例えばターミナルランドフレ
ームの端部を固定し、封止樹脂３２で封止した領域をフ
リーにした状態で、ターミナルランドフレームの下方か
らランド構成体２８の底面に対して、押圧力を印加す
る。この場合、ターミナルランドフレームの端部を固定
し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押圧力
を印加することにより、ランド構成体２８とターミナル
ランドフレームのフレーム本体２６とが分離するもので
ある。すなわち、ランド構成体２８とフレーム本体２６
とを接続している極薄の薄厚部２７が突き上げによる押
圧力で破断されることにより分離されるものである。ま
た、突き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導
体素子３０の下方に位置するランド構成体２８のみを突
き上げてもよく、または周辺部のランド構成体２８を突
き上げてもよく、またはすべてのランド構成体２８を突
き上げてもよい。ただし、部分的な突き上げによりラン
ド構成体２８が封止樹脂３２から剥離しない範囲で突き
上げを行う。また突き上げ以外の手段により、ランド構
成体２８が分離できるものであればよく、例えばフレー
ム本体２６に対してひねりを加えても分離させることが
できるが、信頼性を考慮して行う。なお、ここで封止樹
脂３２とフレーム本体２６との剥離（分離）は、フレー
ム本体２６のランド構成体２８を形成した部分以外の領
域と封止樹脂３２との密着性が弱く、ランド構成体２８
が分離されることにより、樹脂封止型半導体装置を取り
出すことができるものである。ランド構成体２８部分は
その凹凸形状が封止樹脂３２に食い込むため、剥離せず
に封止樹脂３２内に密着して残存するものである。Next, as shown in FIG.
The bottom surface of the terminal land frame is exposed from the sealing resin 32, and the other upper surface portion is fixed to a terminal land frame resin-sealed by the sealing resin 32, for example, the end portion of the terminal land frame is fixed. A pressing force is applied to the bottom surface of the land structure 28 from below the terminal land frame in a state where the region sealed by is free. In this case, by fixing the end of the terminal land frame and pushing up from below by a push-up pin to apply a pressing force, the land structure 28 and the frame body 26 of the terminal land frame are separated. That is, the land structure 28 and the frame body 26
Are separated by being broken by the pushing force generated by pushing up. In the case of pushing up, only a part of the land members 28 located below the semiconductor element 30 near the center, for example, may be pushed up, or the land members 28 in the peripheral portion may be pushed up, or all of them may be pushed up. The land structure 28 may be pushed up. However, the push-up is performed in a range where the land structure 28 does not peel off from the sealing resin 32 due to the partial push-up. Also, any structure can be used as long as the land structure 28 can be separated by means other than the push-up. For example, the land body 28 can be separated by applying a twist to the frame body 26, but this is performed in consideration of reliability. Here, the peeling (separation) between the sealing resin 32 and the frame main body 26 is weak because the adhesion between the sealing resin 32 and the region other than the portion where the land constituents 28 of the frame main body 26 are formed is weak. 28
Is separated, so that the resin-encapsulated semiconductor device can be taken out. Since the land structure 28 has a concave and convex shape that bites into the sealing resin 32, the land member 28 does not peel off but remains in close contact with the sealing resin 32.

【００６８】図１８には、半導体素子３０の底面が露出
し、その外囲を封止樹脂３２で全面封止され、フレーム
本体から分離された樹脂封止型半導体装置構成体３４を
示す。FIG. 18 shows a resin-encapsulated semiconductor device assembly 34 in which the bottom surface of the semiconductor element 30 is exposed, the outer periphery thereof is entirely sealed with a sealing resin 32, and separated from the frame body.

【００６９】次に図１９，図２０に示すように、半導体
素子３０の底面が露出し、その外囲を封止樹脂３２で全
面封止され、フレーム本体から分離された樹脂封止型半
導体装置構成体３４に対して、半導体素子３０ごとの分
離領域の封止樹脂３２を回転ブレード３５で切削し、半
導体素子３０と半導体素子３０との間の領域、すなわち
将来、樹脂封止型半導体装置を単体で構成できる半導体
素子３０ごとに切断する。ここでは半導体素子３０の底
面が露出しているため、各樹脂封止型半導体装置の切断
区域が明確に認識できるため、精度よく切断することが
できる。またシート等に樹脂封止型半導体装置構成体３
４を貼り付けて順次、ブレード切断することができる。
本実施形態のように、フレーム本体を分離した後に封止
樹脂３２を回転ブレード３５で切断するので、切断材料
が封止樹脂だけであるため、回転ブレード３５の必要以
上の摩耗、欠けを防止し、生産性を向上させることがで
きる。また使用する回転ブレード３５は、通常、半導体
ウェハーのダイシングで使用するブレードと同様にダイ
アモンドブレードを用いる。そしてブレード形状、ブレ
ード幅、回転数、送り条件は適宜、設定する。また封止
樹脂３２の切断においては、切り残し厚を設定すること
により、完全切断または一部の樹脂を残存させて接続し
た状態にした部分切断が可能であるが、本実施形態では
完全切断する例を示している。Next, as shown in FIGS. 19 and 20, the bottom surface of the semiconductor element 30 is exposed, and the entire outer periphery thereof is sealed with a sealing resin 32 to be separated from the frame body. The sealing resin 32 in the separation region for each semiconductor element 30 is cut by a rotary blade 35 for the constituent body 34, and a region between the semiconductor elements 30, that is, a resin-encapsulated semiconductor device in the future is cut. Cutting is performed for each semiconductor element 30 that can be configured as a single unit. Here, since the bottom surface of the semiconductor element 30 is exposed, the cutting area of each resin-encapsulated semiconductor device can be clearly recognized, so that cutting can be performed with high accuracy. In addition, a resin-encapsulated semiconductor device component 3 on a sheet or the like
4 can be cut and blades can be cut one after another.
Since the sealing resin 32 is cut by the rotating blade 35 after the frame main body is separated as in the present embodiment, the cutting material is only the sealing resin, so that unnecessary wear and chipping of the rotating blade 35 are prevented. , Productivity can be improved. As the rotating blade 35 to be used, a diamond blade is usually used similarly to the blade used in dicing of a semiconductor wafer. The blade shape, blade width, number of rotations, and feed conditions are set as appropriate. Further, in the cutting of the sealing resin 32, by setting the uncut thickness, it is possible to perform a complete cut or a partial cut in a state where a part of the resin is left and connected, but in the present embodiment, the complete cut is performed. An example is shown.

【００７０】そして図２１に示すように、各半導体素子
ごとに封止樹脂の部分を切断し、単体の樹脂封止型半導
体装置３３を得ることができる。図示するように、樹脂
封止型半導体装置３３は、半導体素子３０の電極と接続
したランド構成体２８がその底面に配列され、またラン
ド構成体２８が封止樹脂３２の底面よりも突出して設け
られ、基板実装時のスタンドオフが形成されているもの
である。そして半導体素子３０の底面が露出し、放熱性
を有するとともに、樹脂封止型半導体装置としては、半
導体素子３０、ランド構成体２８、およびその半導体素
子３０とランド構成体２８とを接続する導電性接着剤２
９または突起電極の厚みにより構成されているので、極
薄厚の樹脂封止型半導体装置を得ることができるもので
ある。本実施形態では、半導体素子３０の厚みは２００
［μｍ］、突起電極の厚み（高さ）は６０［μｍ］、ラ
ンド構成体２８の厚みは２００［μｍ］であり、５００
［μｍ］以下のＳＴＰ（Ｓｕｐｅｒ−Ｔｈｉｎ−Ｐａｃ
ｋａｇｅ）を実現できるものである。Then, as shown in FIG. 21, a portion of the sealing resin is cut for each semiconductor element, whereby a single resin-sealed semiconductor device 33 can be obtained. As shown in the figure, in the resin-encapsulated semiconductor device 33, land members 28 connected to the electrodes of the semiconductor element 30 are arranged on the bottom surface, and the land members 28 are provided so as to protrude from the bottom surface of the sealing resin 32. In this case, a standoff at the time of mounting the substrate is formed. Then, the bottom surface of the semiconductor element 30 is exposed, has heat dissipation, and as a resin-encapsulated semiconductor device, the semiconductor element 30, the land structure 28, and the conductive property for connecting the semiconductor element 30 and the land structure 28. Adhesive 2
9 or the thickness of the protruding electrode, it is possible to obtain an extremely thin resin-sealed semiconductor device. In the present embodiment, the thickness of the semiconductor element 30 is 200
[Μm], the thickness (height) of the protruding electrode is 60 [μm], and the thickness of the land structure 28 is 200 [μm].
[Μm] STP (Super-Thin-Pac)
kage) can be realized.

【００７１】なお、ここで樹脂封止型半導体装置３３の
ランド構成体２８の突出量は、フレーム本体の厚み量か
らランド構成体２８が突出した量を差し引いた量とな
り、ランド構成体２８の外部ランド電極としてのスタン
ドオフが形成されるものである。本実施形態では、２０
０［μｍ］の厚みのフレーム本体に対して、ランド構成
体２８を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本
体の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出させているた
め、スタンドオフ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μ
ｍ］（フレーム本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）
となり、基板実装時のスタンドオフを有したランド電極
を得ることができる。Here, the amount of protrusion of the land member 28 of the resin-encapsulated semiconductor device 33 is the amount obtained by subtracting the amount by which the land member 28 protrudes from the thickness of the frame body. A standoff as a land electrode is formed. In the present embodiment, 20
The land component 28 is projected from 140 [μm] to 180 [μm] (70 [%] to 90 [%] of the thickness of the frame body) from the frame body having a thickness of 0 [μm]. The amount of off-height is 20 [μm] to 60 [μm].
m] (10% to 30% of the thickness of the frame body)
Thus, a land electrode having a standoff at the time of mounting on a substrate can be obtained.

【００７２】さらに本実施形態で示したような半導体素
子を搭載するランド構成の代わりにランド構成体よりも
面積的に大きいダイパッド部に相当する部位を半切断で
形成してターミナルランドフレームを構成してもよい。
そしてそのターミナルランドフレームを用いて樹脂封止
型半導体装置を形成してもよい。Further, instead of the land structure on which the semiconductor element is mounted as shown in the present embodiment, a portion corresponding to a die pad portion having an area larger than that of the land structure is formed by half cutting to form a terminal land frame. You may.
Then, a resin-sealed semiconductor device may be formed using the terminal land frame.

【００７３】以上、本実施形態で示したようなターミナ
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、ランド構成体、ダイパッド部分
の下方からの突き上げによりフレーム自体を除去するだ
けで、樹脂封止型半導体装置の底面部分に半導体素子と
電気的に接続したランド電極を配列することができる。
その結果、面実装タイプの半導体装置が得られ、従来の
ようなリード接合による実装に比べて、基板実装の信頼
性を向上させることができる。さらに樹脂封止型半導体
装置において、各ランド構成体の封止樹脂からの突出量
は、使用したターミナルランドフレーム本体の厚み量か
ら各ランド構成体自体がそのフレーム本体から突出した
量を差し引いた量であり、フレーム本体から製品を分離
した時点で基板実装時のスタンドオフが構成されるもの
であり、あえて別工程でランドのスタンドオフを形成す
る必要がないものである。As described above, by using the terminal land frame as shown in this embodiment, the semiconductor element is mounted and sealed with resin, and then the frame itself is removed by pushing up the land structure and the die pad from below. Thus, the land electrodes electrically connected to the semiconductor elements can be arranged on the bottom surface of the resin-sealed semiconductor device.
As a result, a surface-mount type semiconductor device is obtained, and the reliability of board mounting can be improved as compared with the conventional mounting by lead bonding. Further, in the resin-encapsulated semiconductor device, the amount of protrusion of each land structure from the sealing resin is obtained by subtracting the amount of each land structure itself protruding from the frame body from the thickness of the used terminal land frame body. When the product is separated from the frame main body, a stand-off for mounting on the substrate is formed, and there is no need to form a stand-off for the land in a separate step.

【００７４】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、ターミナルランドフレ
ームという金属板からなるフレーム本体から半導体装置
を構成するので、量産性、コスト性などの面において
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも有利とな
る。さらに製品加工工程において、上述のごとく、フレ
ーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を得ること
ができるので、従来のようなフレームからの分離におい
て必要であったリードカット工程、リードベンド工程を
なくし、リードカットによる製品へのダメージやカット
精度の制約をなくすことができ、製造工程の削減によっ
てコスト力を強めた画期的な技術を提供できるものであ
る。The resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment does not use a substrate provided with land electrodes as in the case of a BGA type semiconductor device. Is more advantageous than the conventional BGA type semiconductor device in terms of mass productivity and cost. Further, in the product processing step, as described above, if only the frame main body is separated, the completed body can be easily obtained. Therefore, the lead cutting step and the lead bending step which are necessary in the conventional separation from the frame. This eliminates damage to the product due to lead cutting and restrictions on cutting accuracy, and provides an epoch-making technology with increased cost capability by reducing the number of manufacturing steps.

【００７５】また、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法のように、上面を封止樹脂で一括封止したタ
ーミナルランドフレームに対して、封止樹脂を研削して
搭載した半導体素子の底面を露出させ、そして樹脂封止
型半導体装置構成体を分離後、その封止樹脂に対して回
転ブレードで切削し、各樹脂封止型半導体装置ごとに切
断、分離することにより、個々に樹脂封止するよりも生
産性を高めた樹脂封止型半導体装置の製造方法を実現で
きるものである。Further, as in the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the present embodiment, the semiconductor element is mounted by grinding the encapsulation resin on a terminal land frame whose upper surface is collectively encapsulated by the encapsulation resin. After exposing the bottom surface of the resin-encapsulated semiconductor device and separating the resin-encapsulated semiconductor device component, the encapsulation resin is cut with a rotating blade, and cut and separated for each resin-encapsulated semiconductor device, thereby individually. It is possible to realize a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device with higher productivity than resin-encapsulation.

【００７６】[0076]

【発明の効果】以上、本発明のターミナルランドフレー
ムにより、従来のようなビーム状のリード電極に代え
て、ランド電極を有した樹脂封止型半導体装置を実現す
ることができる。そして本発明により、樹脂封止型半導
体装置の底面のランド電極を基板等を用いることなく、
フレーム状態から形成でき、また自己整合的にランド電
極のスタンドオフを形成できるものであり、従来にない
フレーム構造、工法によりランド電極を有したリードレ
スパッケージ型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができるものである。As described above, with the terminal land frame of the present invention, a resin-encapsulated semiconductor device having land electrodes can be realized in place of the conventional beam-shaped lead electrodes. According to the present invention, the land electrode on the bottom surface of the resin-encapsulated semiconductor device can be used without using a substrate or the like.
A land electrode stand-off can be formed in a self-aligned manner from a frame state, and a leadless package-type resin-encapsulated semiconductor device having land electrodes by an unconventional frame structure and method is realized. Is what you can do.

【００７７】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、従来のようにフレーム製作上のラインアンドス
ペース、設計仕様などの制約をなくし、リードがない
分、リードカット工程、リードベンド工程が不要であっ
て、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレーム
本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得ることが
でき、工程削減による低コスト製造を実現できるもので
ある。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、またラ
ンド構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂バリ
除去工程等の後工程が不要である。In the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, there is no need to restrict the line and space and design specifications in the frame production as in the prior art, and the lead cutting step and the lead bending step are unnecessary because there are no leads. Then, after the resin sealing, the frame main body can be easily separated by the push-up process, and the semiconductor device after the resin sealing can be obtained, thereby realizing low-cost manufacturing by reducing the number of steps. Further, since there is no resin leakage at the time of resin sealing and no resin burr is generated on the land structure, a post-process such as a resin burr removal process is unnecessary.

【００７８】さらに本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、上面を封止樹脂で一括封止したターミナル
ランドフレームに対して、個々の樹脂封止型半導体装置
に分離する前に封止樹脂を研削して薄く加工して半導体
素子の底面を露出させ、そして一括封止された樹脂封止
型半導体装置構成体をフレーム本体から分離し、次いで
その樹脂封止型半導体装置構成体の封止樹脂に対して回
転ブレードで切削し、各樹脂封止型半導体装置ごとに分
離するため、生産性を高め、かつ極薄厚の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を実現できるものである。Further, in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the present invention, a terminal land frame whose upper surface is collectively sealed with a sealing resin is sealed before being separated into individual resin-sealed semiconductor devices. The resin is ground and thinned to expose the bottom surface of the semiconductor element, and the packaged resin-sealed semiconductor device component is separated from the frame body, and then the resin-sealed semiconductor device component is sealed. Since the stop resin is cut by a rotating blade and separated into each resin-encapsulated semiconductor device, it is possible to increase the productivity and realize a method of manufacturing an ultra-thin resin-encapsulated semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図FIG. 1 is a plan view showing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.

【図２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.

【図３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図FIG. 3 is a sectional view showing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.

【図４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図FIG. 4 is a sectional view showing a method for manufacturing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.

【図５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図FIG. 5 is a sectional view showing the method for manufacturing the terminal land frame according to the embodiment of the present invention;

【図６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図FIG. 6 is a sectional view showing the method for manufacturing the terminal land frame according to the embodiment of the present invention;

【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図FIG. 7 is a sectional view showing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図FIG. 8 is a bottom view showing a resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図FIG. 9 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図１０】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図FIG. 10 is a plan view showing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.

【図１１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図FIG. 11 is a sectional view showing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.

【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 12 is a sectional view showing the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 13 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 14 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 15 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 16 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 17 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 18 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 19 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す図FIG. 20 is a diagram showing a method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 21 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to one embodiment of the present invention;

【図２２】従来のリードフレームを示す平面図FIG. 22 is a plan view showing a conventional lead frame.

【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図FIG. 23 is a sectional view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図FIG. 24 is a plan view showing a method for manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ タイバー部 ７ 半導体素子 ８ 金属細線 ９ 封止樹脂 １０ フレーム本体 １１ 薄厚部 １２ ランド構成体 １２ａ 底面部分 １２ｂ 上面部分 １３ 金属板 １４ ダイ部 １５ 押え金型 １６ 開口部 １７ パンチ部材 １８ 抜きダレ部 １９ せん断部 ２０ 破断部 ２１ ランド構成体 ２２ 導電性接着剤 ２３ 半導体素子 ２４ 金属細線 ２５ 封止樹脂 ２６ フレーム本体 ２７ 薄厚部 ２８ ランド構成体 ２９ 導電性接着剤 ３０ 半導体素子 ３１ 金属細線 ３２ 封止樹脂 ３３ 樹脂封止型半導体装置 ３４ 樹脂封止型半導体装置構成体 ３５ 回転ブレード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Frame frame 2 Die pad part 3 Suspended lead part 4 Inner lead part 5 Outer lead part 6 Tie bar part 7 Semiconductor element 8 Fine metal wire 9 Sealing resin 10 Frame body 11 Thin part 12 Land structure 12a Bottom part 12b Top part 13 Metal plate Reference Signs List 14 Die part 15 Pressing die 16 Opening part 17 Punch member 18 Pull-out part 19 Shear part 20 Break part 21 Land structure 22 Conductive adhesive 23 Semiconductor element 24 Fine metal wire 25 Sealing resin 26 Frame body 27 Thin part 28 Land Structure 29 Conductive adhesive 30 Semiconductor element 31 Fine metal wire 32 Sealing resin 33 Resin-sealed semiconductor device 34 Resin-sealed semiconductor device structure 35 Rotating blade

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 徹 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA04 DB17 5F044 KK05 RR18  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Toru Nomura 1-1, Sakaicho, Takatsuki-shi, Osaka Matsushita Electronics Co., Ltd. F-term (reference) 4M109 AA01 BA01 CA21 DA04 DB17 5F044 KK05 RR18

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大き
い複数のランド構成体群とよりなり、前記ランド構成体
群は前記フレーム本体から突出した方向への押圧力によ
ってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体群
が前記フレーム本体より分離される構成であるターミナ
ルランドフレームを用意する工程と、前記ターミナルラ
ンドフレームの前記ランド構成体群の一部のランド構成
体の突出した側に半導体素子をその電極パッドが形成さ
れた面を下にしてフェースダウン接合する工程と、搭載
した複数の半導体素子の外囲であって、前記ターミナル
ランドフレームの上面側を封止樹脂により全面封止する
工程と、前記ターミナルランドフレームの上面の封止樹
脂に対して研削を行い、前記フェースダウン実装された
半導体素子の底面を封止樹脂から露出させる工程と、前
記ターミナルランドフレームを固定した状態でその底面
側から前記ランド構成体の底面側に対して押圧力を印加
し、ランド構成体群とフレーム本体とを接続している薄
厚部を破断させ、前記フレーム本体から樹脂封止型半導
体装置構成体を分離する工程と、フレーム本体から分離
した前記樹脂封止型半導体装置構成体に対して、その上
面の封止樹脂に対してブレードで切断し、個々の樹脂封
止型半導体装置に分離する工程とを有することを特徴と
する樹脂封止型半導体装置の製造方法。1. A frame main body made of a metal plate, and disposed in a region of the frame main body, connected to the frame main body by a thin portion, formed so as to protrude from the frame main body, and have an area of a bottom surface thereof. The land structure group is composed of a plurality of land structure groups having an upper surface area larger than that of the land structure group, and only the pressing force in the direction protruding from the frame main body causes the thin portion to be broken and the land structure group to be broken. A step of preparing a terminal land frame having a configuration separated from the frame main body; and forming an electrode pad on the semiconductor element on a protruding side of a part of the land structures of the land structure group of the terminal land frame. Bonding face down with the surface facing down, and surrounding the plurality of mounted semiconductor elements, A step of entirely sealing the surface side with a sealing resin, and a step of grinding the sealing resin on the upper surface of the terminal land frame to expose the bottom surface of the face-down mounted semiconductor element from the sealing resin. In a state where the terminal land frame is fixed, a pressing force is applied from the bottom side to the bottom side of the land structure to break a thin portion connecting the land structure group and the frame body, A step of separating the resin-encapsulated semiconductor device component from the frame main body, and cutting the resin-encapsulated semiconductor device component separated from the frame main body with a blade on the sealing resin on its upper surface; Separating the semiconductor device into a resin-encapsulated semiconductor device. 【請求項２】 ターミナルランドフレームのランド構成
体群の一部のランド構成体の突出した側に半導体素子を
その電極パッドが形成された面を下にしてフェースダウ
ン接合する工程では、半導体素子の電極パッドに突起電
極を形成し、その突起電極を介して前記ランド構成体と
接合する工程であることを特徴とする請求項１に記載の
樹脂封止型半導体装置の製造方法。2. A step of face-down joining a semiconductor element to a protruding side of a part of a land structure group of a land structure group of a terminal land frame with its surface on which an electrode pad is formed facing down. 2. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of forming a protruding electrode on the electrode pad and bonding the protruding electrode to the land structure via the protruding electrode. 【請求項３】 ターミナルランドフレームの上面の封止
樹脂に対して研削を行い、フェースダウン実装された半
導体素子の底面を封止樹脂から露出させる工程では、封
止樹脂の研磨とともに、半導体素子の底面をも研磨する
ことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法。3. The step of grinding the sealing resin on the upper surface of the terminal land frame to expose the bottom surface of the face-down mounted semiconductor element from the sealing resin includes polishing the sealing resin and polishing the semiconductor element. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the bottom surface is also polished.
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