JP3460646B2 - Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに代えて、フレーム枠か
ら簡易に分離可能な外部端子となるランド体を備えたフ
レームであるターミナルランドフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention replaces a conventional lead frame having a beam-shaped lead with a terminal land frame which is a frame having a land body which is an external terminal which can be easily separated from the frame. The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device used and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with the miniaturization of electronic equipment, high density mounting of semiconductor parts such as resin-sealed semiconductor devices has been required.
Thinning is progressing. In addition, the number of pins has been increased while being small and thin, and there is a demand for a high-density, small and thin resin-sealed semiconductor device.
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。A lead frame used in a conventional resin-sealed semiconductor device will be described below.
【０００４】図２２は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図２２に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、
半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダ
イパッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子
を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等
の接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリ
ード部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。FIG. 22 is a plan view showing the structure of a conventional lead frame. As shown in FIG. 22, the conventional lead frame has a frame frame 1 and
A rectangular die pad portion 2 on which a semiconductor element is placed, a suspension lead portion 3 that supports the die pad portion 2, and when a semiconductor element is placed, the placed semiconductor element and a connecting means such as a thin metal wire are used to electrically connect the semiconductor element. A beam-shaped inner lead portion 4 that is electrically connected, and an outer lead portion 5 that is continuously provided with the inner lead portion 4 and is used for connection with an external terminal.
The outer lead portions 5 are connected and fixed to each other, and are composed of a tie bar portion 6 which serves as a resin stopper during resin sealing.
【０００５】なお、リードフレームは、図２２に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。The lead frame is not limited to one pattern having the structure shown in FIG.
They are arranged one above the other in succession.
【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図２３は、図２２に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。Next, a conventional resin-sealed semiconductor device will be described. FIG. 23 is a sectional view showing a resin-sealed semiconductor device using the lead frame shown in FIG.
【０００７】図２３に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。As shown in FIG. 23, the semiconductor element 7 is mounted on the die pad portion 2 of the lead frame, and the semiconductor element 7 and the inner lead portion 4 are electrically connected by the fine metal wire 8. The outer periphery of the semiconductor element 7 and the inner lead portion 4 on the die pad portion 2 is sealed with a sealing resin 9. The outer lead portion 5 is provided so as to project from the side surface of the sealing resin 9, and the tip portion is bent.
【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図２４に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６で包囲された領域
内を封止樹脂９により封止し、アウターリード部５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイ
バー部６で封止樹脂９の境界部をカッティングし、各ア
ウターリード部５を分離し、フレーム枠１を除去すると
ともに、アウターリード部５の先端部をベンディングす
ることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図２３
に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造することが
できる。ここで図２４において、破線で示した領域が封
止樹脂９で封止する領域である。In the conventional method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, as shown in FIG. 24, after the semiconductor element 7 is bonded onto the die pad portion 2 of the lead frame with an adhesive (die bonding step), The tip of the inner lead portion 4 is connected by the metal thin wire 8 (wire bonding step). After that, the outer periphery of the semiconductor element 7 is sealed, and the sealing region is sealed by the sealing resin 9 in the region surrounded by the tie bar portion 6 of the lead frame, and the outer lead portion 5 is projected to the outside. Seal (resin sealing step). Then, the boundary portion of the sealing resin 9 is cut by the tie bar portion 6, each outer lead portion 5 is separated, the frame 1 is removed, and the tip end portion of the outer lead portion 5 is bent (tie bar cut bend Process), FIG.
The resin-sealed semiconductor device having the structure shown in can be manufactured. Here, in FIG. 24, a region indicated by a broken line is a region sealed with the sealing resin 9.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。However, in the conventional lead frame, when the semiconductor elements are highly integrated and have a large number of pins, the width of the inner lead portion (outer lead portion) is limited, and the number of pins is increased. When trying to deal with this, since the number of inner leads (outer leads) is large, the lead frame itself is large, and as a result, the resin-encapsulated semiconductor device is also large. There is a problem that a static semiconductor device cannot be realized. In addition, in order to increase the number of inner lead portions without changing the size of the lead frame to accommodate the multi-pin of the semiconductor element, the width of each inner lead portion must be reduced. There are many problems in processing.
【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア（配線基板）上に
半導体素子を搭載し、電気的接続を行った後、そのキャ
リアの上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・グ
リッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド・
アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタイ
プの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する半
導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半導
体装置が主流になりつつある。したがって、このような
動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応で
きないという大きな課題が顕在化してきている。Recently, as a surface-mounting type semiconductor device, a semiconductor element is mounted on a carrier (wiring board) having an external electrode on the bottom surface, and after electrical connection, the upper surface of the carrier is resin-sealed. Semiconductor devices such as ball grid array (BGA) type and land grid
There is an array (LGA) type semiconductor device. This type of semiconductor device is a semiconductor device which is mounted on the bottom surface side with a mother substrate, and in the future, such surface mounting type semiconductor devices are becoming mainstream. Therefore, in order to cope with such a trend, a big problem that the conventional lead frame and the resin-sealed semiconductor device using the lead frame cannot cope is becoming apparent.
【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが設け
られており、その外部リードと基板電極とを接合して実
装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの
半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものとな
ってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導
体装置は、配線基板を用いているため、コスト的に高価
となるという課題がある。In the conventional resin-encapsulated semiconductor device, the outer leads, which are the outer lead portions, are provided on the side surfaces of the encapsulating resin, and the outer leads and the substrate electrodes are bonded and mounted. The reliability of the board mounting becomes lower than that of the BGA type and LGA type semiconductor devices. Further, since the BGA type and LGA type semiconductor devices use the wiring substrate, there is a problem that the cost is high.
【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置を基板ではな
く、フレーム体を用いて構成することを目的とするもの
である。そして従来のリードフレームに着目した発想か
ら転換し、ビーム状の「リード」に代え、外部電極とな
る「ランド」をフレーム状で形成する点に主眼をおいた
ターミナルランドフレームとそれを用いた樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法を提供するものである。さ
らに本発明は、高機能のマルチチップタイプの樹脂封止
型半導体装置およびその製造方法を提供するものであ
る。The present invention provides a resin-encapsulated semiconductor device using a frame type packaging material that can meet the above-mentioned conventional problems and future trends of the semiconductor device. The semiconductor device can be mounted on a substrate on the bottom side. The purpose is to construct the device using a frame body instead of the substrate. Then, the conventional idea of focusing on the lead frame was changed, and instead of the beam-shaped “lead”, the “land” to be the external electrode was formed into a frame-shaped terminal land frame and the resin using the terminal land frame. The present invention provides a sealed semiconductor device and a method for manufacturing the same. Further, the present invention provides a highly functional multi-chip type resin-sealed semiconductor device and a method for manufacturing the same.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、ターミナルランドフレームを用いた本発明の
樹脂封止型半導体装置は、金属板よりなるフレーム本体
と、前記フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部に
より前記フレーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体
よりも突出して形成され、その底面の面積よりも上面の
面積が大きい複数のランド構成体とよりなり、前記ラン
ド構成体は前記フレーム本体から突出した方向への押圧
力によってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構
成体が前記フレーム本体より分離される構成であるター
ミナルランドフレームを用いて形成された樹脂封止型半
導体装置であって、前記ランド構成体のうち、半導体素
子搭載用のランド構成体上に搭載された第１の半導体素
子と、前記第１の半導体素子上に積層して搭載された第
２の半導体素子と、前記ランド構成体のうち、前記第１
の半導体素子の周辺に配置された信号接続用のランド構
成体の各上面と前記第１の半導体素子もしくは前記第２
の半導体素子、または前記第１の半導体素子および第２
の半導体素子の各電極とを電気的に接続した金属細線
と、前記各ランド構成体の底面を突出させて前記第１の
半導体素子、第２の半導体素子、金属細線の外囲を封止
した封止樹脂とよりなり、前記各ランド構成体の封止樹
脂からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量から前記
各ランド構成体が前記フレーム本体から突出した量を差
し引いた量である樹脂封止型半導体装置である。In order to solve the above-mentioned conventional problems, a resin-sealed semiconductor device of the present invention using a terminal land frame has a frame body made of a metal plate and an area within the frame body. A plurality of land structures, each of which is connected to the frame main body by a thin portion and protrudes from the frame main body, and has an upper surface area larger than a bottom surface area. The body is a resin seal formed using a terminal land frame in which the thin portion is broken and the land structure is separated from the frame body only by a pressing force in a direction protruding from the frame body. Type semiconductor device, wherein a first semiconductor element mounted on a land structure for mounting a semiconductor element in the land structure and the first structure A second semiconductor element mounted by stacking on the conductive element, of the land structure, the first
Each of the upper surfaces of the land structures for signal connection arranged around the semiconductor element and the first semiconductor element or the second semiconductor element.
Semiconductor element, or the first semiconductor element and the second semiconductor element
Of the metal element electrically connected to each electrode of the semiconductor element and the bottom surface of each of the land structures are projected to seal the outer circumference of the first semiconductor element, the second semiconductor element, and the metal thin wire. The amount of protrusion of each land structure from the sealing resin is the amount of the thickness of the frame body minus the amount of each land structure protruding from the frame body. It is a static semiconductor device.
【００１４】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、金
属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域
内に配設されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続
し、かつ前記フレーム本体よりも突出して形成され、そ
の底面の面積よりも上面の面積が大きい複数のランド構
成体と半導体素子支持用のダイパッド部とよりなり、前
記ランド構成体および半導体素子支持用のダイパッド部
はフレーム本体から突出した方向への押圧力によっての
み、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体および半
導体素子支持用のダイパッド部が前記フレーム本体より
分離される構成であるターミナルランドフレームを用い
て形成された樹脂封止型半導体装置であって、前記半導
体素子支持用のダイパッド部上に搭載された第１の半導
体素子と、前記第１の半導体素子上に積層して搭載され
た第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子の周辺に
配置された前記ランド構成体の各上面と前記第１の半導
体素子もしくは前記第２の半導体素子、または前記第１
の半導体素子および第２の半導体素子の各電極とを電気
的に接続した金属細線と、前記ランド構成体の底面を突
出させて前記第１の半導体素子、第２の半導体素子、金
属細線の外囲を封止した封止樹脂とよりなり、前記ラン
ド構成体およびダイパッド部の封止樹脂からの突出量
は、前記フレーム本体の厚み量から前記ランド構成体，
ダイパッド部が前記フレーム本体から突出した量を差し
引いた量である樹脂封止型半導体装置である。The resin-encapsulated semiconductor device of the present invention is provided with a frame body made of a metal plate, disposed in the area of the frame body, connected to the frame body by a thin portion, and Is also formed so as to project, and the upper surface area is larger than the bottom surface area of the plurality of land structure body and semiconductor element supporting die pad portion, the land structure body and the semiconductor element supporting die pad portion from the frame body A resin formed using a terminal land frame in which the thin portion is broken and the die pad portion for supporting the semiconductor element is separated from the frame body only by the pressing force in the protruding direction. A sealed semiconductor device, comprising: a first semiconductor element mounted on a die pad portion for supporting the semiconductor element; Second semiconductor element stacked and mounted on the semiconductor element, the respective upper surfaces of the land structures arranged around the first semiconductor element, and the first semiconductor element or the second semiconductor Element, or the first
Of the fine metal wire electrically connecting the respective electrodes of the semiconductor element and the second semiconductor element to the outside of the first semiconductor element, the second semiconductor element, and the fine metal wire by projecting the bottom surface of the land structure. The amount of protrusion of the land structure and the die pad portion from the sealing resin is determined by the thickness of the frame body, the land structure,
The resin-encapsulated semiconductor device has an amount obtained by subtracting the amount of protrusion of the die pad portion from the frame body.
【００１５】またターミナルランドフレームを用いた本
発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、金属板より
なるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配設
されて、薄厚部により前記フレーム本体と接続し、かつ
前記フレーム本体よりも突出して形成され、その底面の
面積よりも上面の面積が大きい複数のランド構成体とよ
りなり、前記ランド構成体は前記フレーム本体から突出
した方向への押圧力によってのみ、前記薄厚部が破断さ
れて前記ランド構成体が前記フレーム本体より分離され
る構成であるターミナルランドフレームを用意する工程
と、前記ターミナルランドフレームのランド構成体のう
ち、半導体素子搭載用のランド構成体の突出した側に第
１の半導体素子を搭載する工程と、前記第１の半導体素
子の上面に第２の半導体素子を積層して搭載する工程
と、前記第１の半導体素子もしくは前記第２の半導体素
子、または前記第１の半導体素子および第２の半導体素
子の各電極と前記第１の半導体素子の周辺の信号接続用
のランド構成体とを各々金属細線により電気的に接続す
る工程と、前記第１の半導体素子、第２の半導体素子、
金属細線の外囲であって、前記ターミナルランドフレー
ムの上面側のみを封止樹脂により封止し、樹脂封止型半
導体装置を形成する工程と、前記ターミナルランドフレ
ームの前記フレーム本体を固定した状態で前記フレーム
本体の底面側から前記各ランド構成体の底面側に対して
押圧力を印加し、各ランド構成体とフレーム本体とを接
続している薄厚部を破断させ、前記フレーム本体から樹
脂封止型半導体装置を分離する工程とを有する樹脂封止
型半導体装置の製造方法である。Further, in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device of the present invention using a terminal land frame, the frame main body made of a metal plate and the frame main body provided in the region of the frame main body and having a thin portion. A plurality of land structure bodies connected to the frame body and projecting from the frame body and having an upper surface area larger than a bottom surface area thereof, the land structure bodies being pushed in a direction projecting from the frame body. A step of preparing a terminal land frame in which the thin portion is broken and the land structure is separated from the frame body only by pressure; and a semiconductor element mounting part of the land structure of the terminal land frame. The step of mounting the first semiconductor element on the protruding side of the land structure, and the second step on the upper surface of the first semiconductor element. Laminating and mounting conductor elements, and electrodes of the first semiconductor element or the second semiconductor element, or electrodes of the first semiconductor element and the second semiconductor element, and the periphery of the first semiconductor element Electrically connecting each of the signal connecting land structures with a metal thin wire, and the first semiconductor element and the second semiconductor element,
A step of forming a resin-encapsulated semiconductor device by encapsulating only an upper surface side of the terminal land frame with an encapsulation resin, which is an outer circumference of the thin metal wire, and a state in which the frame body of the terminal land frame is fixed. Then, a pressing force is applied from the bottom surface side of the frame body to the bottom surface side of each land structure to break the thin portion connecting each land structure and the frame body, and the frame body is sealed with a resin. A method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, the method including the step of separating the static semiconductor device.
【００１６】具体的には、ターミナルランドフレームの
ランド構成体のうち、半導体素子搭載用のランド構成体
の突出した側に第１の半導体素子を搭載する工程では、
ランド構成体の突出した側に第１の半導体素子をその主
面を上にして接着する樹脂封止型半導体装置の製造方法
である。Specifically, in the step of mounting the first semiconductor element on the protruding side of the land structure for mounting the semiconductor element in the land structure of the terminal land frame,
This is a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device in which a first semiconductor element is bonded to the protruding side of a land structure with its main surface facing upward.
【００１７】また、第１の半導体素子の上面に第２の半
導体素子を積層して搭載する工程では、第２の半導体素
子をその主面を上にして第１の半導体素子上に接着して
積層する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。In addition, in the step of stacking and mounting the second semiconductor element on the upper surface of the first semiconductor element, the second semiconductor element is bonded to the first semiconductor element with its main surface facing upward. It is a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device to be laminated.
【００１８】本発明で用いるターミナルランドフレーム
は、樹脂封止型半導体装置を構成した際、その外部電極
となるランド構成体を設けたものであり、そのランド構
成体は、一方向の押圧力、例えば突き上げ力により、ラ
ンド構成体とフレーム本体とを接続している部分である
薄厚部を破断させることにより、フレーム本体から分離
することができるので、リードカット工程やリードベン
ド工程をなくし、容易に樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができるものである。これは比較的、精度が要求され
た従来のリードフレームにおけるリードカット工程、リ
ードベンド工程に比べて、工程自体が、突き上げ処理に
より樹脂封止型半導体装置をフレームから分離する、と
いう比較的単純な処理であり、不良、破壊、変形等が発
生することがなくなるため、容易に樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。The terminal land frame used in the present invention is provided with a land structure which serves as an external electrode of the resin-sealed semiconductor device, and the land structure is a unidirectional pressing force. For example, it is possible to separate from the frame body by breaking up the thin portion, which is the portion connecting the land structure and the frame body, by the push-up force, so it is possible to eliminate the lead cutting step and the lead bending step, and easily. A resin-sealed semiconductor device can be obtained. This is a relatively simple process in which the resin-sealed semiconductor device is separated from the frame by the push-up process as compared with the lead cutting process and the lead bending process in the conventional lead frame, which requires relatively high accuracy. Since this is a process and no defects, breakage, deformation, etc. occur, a resin-encapsulated semiconductor device can be easily obtained.
【００１９】またターミナルランドフレームの製造方法
においては、パンチ部材により金属板の一部を打ち抜き
加工する際、完全に打ち抜かず、途中でパンチ部材の押
圧を停止させることで、半切断状態を形成し、金属板の
押圧された部分を切り離すことなく、金属板の本体に接
続させて残存させることができる。また、金属板のラン
ド構成体を形成する部分に接触するパンチ部材の接触面
積はダイ部に設けた開口部の開口面積よりも小さく、そ
のパンチ部材により、金属板の一部を押圧して金属板か
ら突出したランド構成体を形成する工程においては、金
属板から突出したランド構成体の上面部分の面積が、金
属板側に接続したランド構成体の底面部分の面積よりも
大きく、ランド構成体の突出した側の上面のエッジ部は
抜きダレによる曲面を有しているランド構成体を形成す
るものである。この構造により、形成されたランド構成
体は、それが突出した方向に対しての押圧力、すなわち
ランド構成体の底面部分側からの押圧力により、容易に
分離されるものであり、またそれが突出した方向、すな
わちランド構成体の上面部分からの押圧力によっては分
離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離す
る構造となる。Further, in the method of manufacturing the terminal land frame, when a part of the metal plate is punched by the punch member, the punch member is not completely punched but the pressing of the punch member is stopped midway to form a semi-cut state. The metal plate can be left connected to the body of the metal plate without separating the pressed portion of the metal plate. Further, the contact area of the punch member contacting the portion forming the land structure of the metal plate is smaller than the opening area of the opening provided in the die part, and the punch member presses a part of the metal plate to make the metal In the step of forming the land structure protruding from the plate, the area of the upper surface part of the land structure protruding from the metal plate is larger than the area of the bottom part of the land structure connected to the metal plate side. The edge portion of the upper surface on the protruding side forms a land structure having a curved surface due to drooping. With this structure, the formed land structure is easily separated by the pressing force in the direction in which it protrudes, that is, the pressing force from the bottom surface side of the land structure, and The structure is such that it is not separated by the pressing force from the protruding direction, that is, the pressing force from the upper surface portion of the land structure, and is separated only by the pressing force from one direction.
【００２０】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置としては、ランド構成体がその底面に配列され、
またランド構成体が封止樹脂の底面よりも突出して設け
られ、基板実装時のスタンドオフが形成されているもの
である。ここで樹脂封止型半導体装置のランド構成体の
突出量は、フレーム本体の厚み量からランド構成体が突
出した量を差し引いた量となり、ランド構成体の外部ラ
ンド電極としてのスタンドオフが、ターミナルランドフ
レームを用いることにより、別工程によりスタンドオフ
を形成せずに自己整合的に形成されるものである。As described above, in the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, the land structure is arranged on the bottom surface thereof,
In addition, the land structure is provided so as to protrude from the bottom surface of the sealing resin, and a standoff is formed when the board is mounted. Here, the protrusion amount of the land structure of the resin-encapsulated semiconductor device is an amount obtained by subtracting the amount of protrusion of the land structure from the thickness of the frame body, and the standoff of the land structure as an external land electrode is By using the land frame, it is formed in a self-aligned manner without forming a standoff in a separate process.
【００２１】また、１つのパッケージ内に２つの半導体
素子を搭載し、かつ薄型、小型を実現したものである。
例えば、第１の半導体素子としては、ＬＳＩロジック素
子、第２の半導体素子としては、バイポーラ素子，メモ
リー素子が搭載可能であり、積層型マルチチップパッケ
ージ、モジュールパッケージを効率よく実現できるもの
である。Further, two semiconductor elements are mounted in one package, and a thin type and a small size are realized.
For example, an LSI logic element can be mounted as the first semiconductor element, and a bipolar element and a memory element can be mounted as the second semiconductor element, and a stacked multi-chip package and a module package can be efficiently realized.
【００２２】またターミナルランドフレームを用いるこ
とにより、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいては、半導体素子を搭載し、樹脂封止した後、ラン
ド構成体、ダイパッド部部分の下方からの突き上げによ
りフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型半導体装
置の底面部分に半導体素子と電気的に接続したランド電
極を配列することができる。また、本発明のターミナル
ランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造す
る際、樹脂封止時において、ランド底面部分への樹脂バ
リの進入を防止でき、加えて、ランド電極の外部電極と
してのスタンドオフが確保できるものである。Further, by using the terminal land frame, in the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device of the present invention, after mounting the semiconductor element and resin-sealing, the land structure and the die pad portion are removed from below. By simply removing the frame itself by pushing up, the land electrode electrically connected to the semiconductor element can be arranged on the bottom surface portion of the resin-sealed semiconductor device. Further, when a resin-sealed semiconductor device is manufactured using the terminal land frame of the present invention, resin burr can be prevented from entering the bottom surface of the land during resin sealing, and in addition, as an external electrode of the land electrode. The standoff can be secured.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明のターミナルランド
フレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of a terminal land frame, a method for manufacturing the same, a resin-sealed semiconductor device and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２４】図１は本実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナ
ルランドフレームを示す断面図であり、図１において、
Ａ−Ａ１箇所の断面を示している。図３は図２における
ランド構成体部分を拡大して示す断面図である。FIG. 1 is a plan view showing a terminal land frame of this embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the terminal land frame of this embodiment, and in FIG.
The cross section of A-A1 place is shown. FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a land structure portion in FIG.
【００２５】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体１２とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体１２および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体１２はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体１２がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体１２の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。As shown in the figure, the terminal land frame of the present embodiment includes a frame body 10 made of a copper plate or a metal plate used for a normal lead frame such as 42-alloy, and an area within the frame body 10. The plurality of land structures 12 are arranged in a grid pattern and are connected to the frame body 10 by the thin portion 11 and project from the frame body 10. That is, the frame body 10, the land structure 12, and the thin portion 11 are integrally formed of the same metal plate. The land structure 12 has a structure in which the thin portion 11 is broken and the land structure 12 is separated from the frame body 10 by a pressing force in a direction protruding from the frame body 10. The grid structure of the land structure 12 may be arranged in a zigzag pattern, a grid pattern in a grid pattern, or randomly arranged in a plane, but an arrangement suitable for connection with a mounted semiconductor element by a fine metal wire is adopted. .
【００２６】図３に示すように、ランド構成体１２の底
面部分１２ａに対して、突出した方向への押圧力を印加
することにより、薄厚部１１の破線部分で破断されるこ
とになり、フレーム本体１０からランド構成体１２が分
離するものである。ここで、薄厚部１１はフレーム本体
１０自体に対して、打ち抜き加工の半切断手段により形
成される「繋ぎ部分」であり、フレーム本体１０のラン
ド構成体を形成したい部分をパンチ部材を用いて打ち抜
き加工し、完全に打ち抜かずに、途中、好ましくは半分
程度の打ち抜きで止め、途中まで打ち抜かれた部分がフ
レーム本体１０から突出し、その突出した部分がランド
構成体１２を構成するとともに、フレーム本体１０と切
断されずに接続している繋ぎ部分が薄厚部１１を構成す
るものである。したがって、薄厚部１１は極薄であり、
ランド構成体１２の底面部分１２ａに対して、突出した
方向への押圧力を印加する程度で、薄厚部１１が破断す
る厚みを有するものである。As shown in FIG. 3, when a pressing force is applied to the bottom surface portion 12a of the land structure 12 in the protruding direction, the broken portion of the thin portion 11 is broken, and the frame is broken. The land structure 12 is separated from the main body 10. Here, the thin portion 11 is a "connecting portion" formed on the frame body 10 itself by a semi-cutting process of punching, and the portion of the frame body 10 where the land structure is to be formed is punched using a punch member. It is processed, and is not completely punched out, but is stopped by punching halfway, preferably about halfway, the part punched out halfway projects from the frame body 10, and the projecting part constitutes the land structure 12 and the frame body 10 The connecting portion that is connected without being cut off constitutes the thin portion 11. Therefore, the thin portion 11 is extremely thin,
The thin portion 11 has a thickness at which the pressing force is applied to the bottom surface portion 12a of the land structure 12 in the protruding direction.
【００２７】また、フレーム本体１０よりも突出して形
成されたランド構成体１２は、その突出量はフレーム本
体１０自体の厚みの過半数以上の突出量を有しており、
ランド構成体１２がフレーム本体１０から突出した方向
への押圧力により、薄厚部１１が破断されてランド構成
体１２がフレーム本体１０より分離される構成を実現で
きるよう構成されている。例えば本実施形態では、ター
ミナルランドフレーム自体の厚み、すなわちフレーム本
体１０の厚みを２００［μｍ］とし、ランド構成体１２
の突出量を１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム
本体１０の厚みの７０［％］〜９０［％］）としてい
る。なお、フレーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限
定するものではなく、必要に応じて、４００［μｍ］の
厚型のフレームとしてもよい。また、ランド構成体１２
の突出量に関しても、実施形態では過半数以上のフレー
ム本体厚みの７０［％］〜９０［％］の突出量とした
が、半数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が
破断される範囲で、突出量を設定できるものである。Further, the land structure 12 formed so as to project from the frame body 10 has a projecting amount which is more than a majority of the thickness of the frame body 10 itself.
It is configured to realize a configuration in which the thin portion 11 is broken and the land structure 12 is separated from the frame body 10 by the pressing force in the direction in which the land structure 12 projects from the frame body 10. For example, in this embodiment, the thickness of the terminal land frame itself, that is, the thickness of the frame body 10 is set to 200 [μm], and the land structure 12
The amount of protrusion is 140 [μm] to 180 [μm] (70 [%] to 90 [%] of the thickness of the frame body 10). The thickness of the frame body is not limited to 200 [μm], and a thick frame of 400 [μm] may be used if necessary. In addition, the land structure 12
Regarding the amount of protrusion, the amount of protrusion is 70 [%] to 90 [%] of the frame body thickness of a majority or more in the embodiment, but it may be a protrusion amount of half or less, and the range in which the thin portion 11 is broken. Thus, the amount of protrusion can be set.
【００２８】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、メッキ処理されたものであり、必要に応じて例え
ば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金
（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキされている
ものである。メッキ処理については、ランド構成体１２
を成形した後に行ってもよく、または金属板へのランド
構成体の成形前に行ってもよい。また本実施形態のター
ミナルランドフレームの表面粗さとしては、０．１［μ
ｍ］以下である。この表面粗さは、樹脂封止した際の樹
脂との剥離性の点で影響があるため、ランド構成体以外
の無用な凹凸をなくす必要がある。The terminal land frame of the present embodiment is plated, and if necessary, a metal such as nickel (Ni), palladium (Pd) and gold (Au) is laminated and appropriately plated. It has been done. Regarding the plating process, the land structure 12
May be performed after molding, or may be performed before molding the land structure on the metal plate. The surface roughness of the terminal land frame of this embodiment is 0.1 [μ
m] or less. Since this surface roughness has an influence on the releasability from the resin when the resin is sealed, it is necessary to eliminate unnecessary irregularities other than the land structure.
【００２９】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムにおいては、ランド構成体１２の突出した上面部分
は、コイニングと称されるプレス成形により、その突出
した上面形状が上面平坦なキノコ状を構成するものであ
る。このコイニングによる形状により、ターミナルラン
ドフレームに対して、半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際、封止樹脂のランド構成体への食いつきを良好に
し、封止樹脂との密着性を向上させ、片面封止であって
も樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。ま
た形状は上面平坦なキノコ状に限定されるものではな
く、鍵状等の封止樹脂とのアンカー作用のある上面平坦
な形状であればよい。Further, in the terminal land frame of this embodiment, the protruding upper surface portion of the land structure 12 is formed by a press forming called coining so that the protruding upper surface shape is a mushroom shape having a flat upper surface. is there. With this shape by coining, when the semiconductor element is mounted on the terminal land frame and resin-sealed, the biting of the sealing resin to the land constituent body is improved, and the adhesion with the sealing resin is improved, Even with single-sided sealing, the reliability of resin sealing can be obtained. Further, the shape is not limited to the mushroom shape having a flat upper surface, and may be a flat shape having an upper surface having an anchor action with the sealing resin such as a key shape.
【００３０】本実施形態のターミナルランドフレームで
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体１２の群の内、一部のランド構成体を
ダイパッド部として使用し、半導体素子の支持用のラン
ド構成体とすることができる。このことにより、品種の
違いにより、ターミナルランドフレーム上に搭載する半
導体素子の大きさに差があった場合でも、適宜、ランド
構成体１２の群の一部を支持用のランド構成体として使
用し、その他のランド構成体１２をその搭載した半導体
素子との電気的な接続用のランド構成体として使用する
ことにより、ターミナルランドフレームを共用すること
ができ、１枚のフレーム中で複数の大きさの異なる半導
体素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。In the terminal land frame of this embodiment, the die pad portion, which is a member on which the semiconductor element is mounted, is not intentionally provided, but a part of the group of land structure bodies 12 provided in the region of the frame body 10 is used. Can be used as a die pad portion to form a land structure for supporting a semiconductor element. As a result, even if there is a difference in the size of the semiconductor elements mounted on the terminal land frame due to the difference in product type, a part of the group of land structures 12 is appropriately used as a supporting land structure. By using the other land structure 12 as a land structure for electrical connection with the mounted semiconductor element, the terminal land frame can be shared and a plurality of sizes can be formed in one frame. It is possible to obtain a resin-encapsulated semiconductor device by mounting semiconductor elements of different types.
【００３１】なお、ランド構成体１２の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。そして図１に示すように、ランド構成体
１２はフレーム本体１０の領域に形成するが、左右・上
下に連続して形成できるものである。またランド構成体
１２の形状は円形としているが、角形や長方形でもよ
く、また大きさは、ターミナルランドフレーム内ですべ
て同一としてもよいし、樹脂封止型半導体装置を構成
し、ランド電極とした場合、基板実装の際の応力緩和の
ために、周辺部に位置するランド構成体１２を大きくす
るようにしてもよい。本実施形態では、ランド構成体１
２の上面の大きさは、半導体素子を搭載し、電気的接続
手段として、金線等の金属細線により接続する際、ボン
ディング可能な大きさであればよく、１００［μｍ］φ
以上の大きさとしている。The number of land structures 12 can be appropriately set according to the number of pins of the semiconductor element to be mounted. As shown in FIG. 1, the land structure 12 is formed in the region of the frame body 10, but can be formed continuously in the left / right and up / down directions. Although the land structure 12 has a circular shape, it may have a rectangular shape or a rectangular shape, and may have the same size in the terminal land frame, or may form a resin-sealed semiconductor device to serve as a land electrode. In this case, the land structure 12 located in the peripheral portion may be made large in order to relieve the stress when mounting on the board. In this embodiment, the land structure 1
The size of the upper surface of 2 may be 100 [μm] φ as long as it can be bonded when a semiconductor element is mounted and a metal wire such as a gold wire is used as an electrical connection means for connection.
It has the above size.
【００３２】また、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームは、従来のようなインナーリード部、アウタ
ーリード部、ダイパッド部などを有さず、ランド電極と
してランド構成体１２を有し、そのランド構成体１２を
半導体素子が搭載される面内に格子状、千鳥状に配列す
ることにより、このターミナルランドフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を構成した場合、底面にランド電
極を備えた樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。また従来のように電極となる構成が、ビーム状のリ
ード構成ではなく、ランド構成体１２であるため、それ
らを面状に配置することができ、ランド構成体１２の配
置の自由度が向上し、多ピン化に対応することができ
る。勿論、搭載する半導体素子のピン数により、ランド
構成体１２の配置は設定するものであり、従来のような
一連の配置でもよい。Further, the terminal land frame shown in this embodiment does not have the inner lead portion, the outer lead portion, the die pad portion and the like as in the prior art, but has the land structure 12 as the land electrode, and the land structure thereof. When the resin-sealed semiconductor device is constructed by using this terminal land frame by arranging the bodies 12 in a lattice pattern or a staggered pattern in the surface on which the semiconductor elements are mounted, the resin-sealed resin having the land electrode on the bottom surface is sealed. A static semiconductor device can be realized. Further, since the structure which becomes the electrode as in the prior art is not the beam-shaped lead structure but the land structure 12, they can be arranged in a plane, and the degree of freedom in the arrangement of the land structure 12 is improved. It is possible to cope with the increase in the number of pins. Of course, the layout of the land structure 12 is set according to the number of pins of the semiconductor element to be mounted, and a series of conventional layouts may be used.
【００３３】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について説明する。Next, a method of manufacturing the terminal land frame of this embodiment will be described.
【００３４】図４および図５は、ターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図であり、ランド構成体部分
を示す断面図である。4 and 5 are cross-sectional views showing a method of manufacturing a terminal land frame, and a cross-sectional view showing a land structure portion.
【００３５】まず図４に示すように、ターミナルランド
フレームのフレーム本体となる金属板１３を打ち抜き金
型のダイ部１４に載置し、金属板１３の上方から押え金
型１５により押さえる。ここで図４において、ダイ部１
４には、打ち抜き用の開口部１６が設けられている。ま
た、金属板１３に対して上方には、パンチ部材１７が設
けられており、パンチ部材１７により金属板１３が押圧
され打ち抜き加工された際、金属板１３の押圧された箇
所が開口部１６に打ち抜かれる構造を有している。First, as shown in FIG. 4, the metal plate 13 which becomes the frame main body of the terminal land frame is placed on the die portion 14 of the punching die, and is pressed by the pressing die 15 from above the metal plate 13. Here, in FIG. 4, the die unit 1
4 is provided with an opening 16 for punching. A punch member 17 is provided above the metal plate 13, and when the metal plate 13 is pressed and punched by the punch member 17, the pressed portion of the metal plate 13 is formed in the opening 16. It has a punched structure.
【００３６】次に図５に示すように、ダイ部１４上の所
定の位置に固定した金属板１３に対して、その上方から
パンチ部材１７により押圧による打ち抜き加工を行い、
金属板１３の一部をダイ部１４側の開口部１６側に突出
するように押圧して、金属板１３の所定箇所を半切断状
態にし、ランド構成体１２を形成する。ここで薄厚部１
１により金属板１３と接続されて残存し、かつ金属板１
３の本体部よりも突出して形成されたランド構成体１２
を形成するものである。Next, as shown in FIG. 5, the metal plate 13 fixed at a predetermined position on the die portion 14 is punched by pressing from above with the punch member 17.
A part of the metal plate 13 is pressed so as to protrude toward the opening 16 on the die part 14 side, and a predetermined portion of the metal plate 13 is semi-cut to form the land structure 12. Thin part 1
1 connected to the metal plate 13 to remain, and the metal plate 1
The land structure 12 formed so as to protrude from the main body of FIG.
Is formed.
【００３７】本実施形態では、パンチ部材１７により金
属板１３の一部を打ち抜き加工する際、完全に打ち抜か
ず、途中でパンチ部材１７の押圧を停止させることで、
半切断状態を形成し、金属板１３の押圧された部分を切
り離すことなく、金属板１３の本体に接続させて残存さ
せるものである。また、金属板１３のランド構成体１２
を形成する部分に接触するパンチ部材１７の接触面積は
ダイ部１４に設けた開口部１６の開口面積よりも小さ
く、そのパンチ部材１７により、金属板１３の一部を押
圧して金属板１３から突出したランド構成体１２を形成
する工程においては、金属板１３から突出したランド構
成体１２の上面部分１２ｂの面積が、金属板１３側に接
続したランド構成体１２の底面部分１２ａの面積よりも
大きく、ランド構成体１２の突出した側の上面のエッジ
部は抜きダレによる曲面を有しているランド構成体１２
を形成するものである。この構造により、形成されたラ
ンド構成体１２は、それが突出した方向に対しての押圧
力、すなわちランド構成体１２の底面部分１２ａ側から
の押圧力により、容易に分離されるものであり、またそ
れが突出した方向、すなわちランド構成体１２の上面部
分１２ｂからの押圧力によっては分離しないものであ
り、一方向からの押圧力にのみ分離する構造となる。In this embodiment, when punching a part of the metal plate 13 with the punch member 17, the punch member 17 is not completely punched, but the pressing of the punch member 17 is stopped midway.
A semi-cut state is formed, and the pressed portion of the metal plate 13 is connected to the main body of the metal plate 13 and left without being separated. In addition, the land structure 12 of the metal plate 13
The contact area of the punch member 17 in contact with the portion forming the groove is smaller than the opening area of the opening 16 provided in the die portion 14, and the punch member 17 presses a part of the metal plate 13 to remove the metal plate 13 from the metal plate 13. In the step of forming the protruding land structure 12, the area of the upper surface portion 12b of the land structure 12 protruding from the metal plate 13 is smaller than the area of the bottom surface portion 12a of the land structure 12 connected to the metal plate 13 side. The land structure 12 is large and the edge portion of the upper surface on the protruding side of the land structure 12 has a curved surface due to drooping.
Is formed. With this structure, the land structure 12 formed is easily separated by the pressing force in the protruding direction thereof, that is, the pressing force from the bottom surface portion 12a side of the land structure 12, Further, the structure is such that it does not separate in the projecting direction, that is, the pressing force from the upper surface portion 12b of the land structure 12, and separates only in the pressing force from one direction.
【００３８】また、ランド構成体１２の突出した上面部
分に対して、コイニングと称されるプレス成形を行うこ
とにより、その突出した上面形状が上面平坦なキノコ状
を構成するようにしてもよい。このコイニングによる形
状により、ターミナルランドフレームに対して、半導体
素子を搭載し、樹脂封止した際、封止樹脂のランド構成
体への食いつきを良好にし、アンカー効果を得て、封止
樹脂との密着性をさらに向上させ、片面封止であっても
樹脂封止の信頼性を得ることができるものである。The protruding upper surface portion of the land structure 12 may be subjected to press molding called coining so that the protruding upper surface shape is a mushroom shape having a flat upper surface. Due to the shape of this coining, when the semiconductor element is mounted on the terminal land frame and resin-sealed, the landing structure of the sealing resin is favorably bitten to the land structure, and the anchor effect is obtained, so that The adhesiveness can be further improved, and the reliability of resin sealing can be obtained even with one-sided sealing.
【００３９】本実施形態において、金属板１３に対して
ランド構成体１２を形成する際、金属板１３の一部を突
出させるその突出量については、金属板１３自体の厚み
の過半数以上とし、本実施形態では、２００［μｍ］の
金属板１３の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０
［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出したランド構成体１２を形成している。し
たがって、突出した形成されたランド構成体１２は、金
属板１３の本体に対して、極めて薄い厚みの薄厚部１１
により接続されていることになる。本実施形態では、薄
厚部１１の厚みとしては、２０［μｍ］〜６０［μｍ］
（金属板自体の厚みの１０［％］〜３０［％］）であ
り、ランド構成体１２自体が突出した方向に対しての押
圧力により、容易に分離されるものである。なお、フレ
ーム本体の厚みは、２００［μｍ］に限定するものでは
なく、必要に応じて、４００［μｍ］の厚型のフレーム
としてもよい。また、ランド構成体１２の突出量に関し
ても、本実施形態では過半数以上の突出量としたが、半
数以下の突出量としてもよく、薄厚部１１部分が破断さ
れる範囲で、突出量を設定できるものである。In the present embodiment, when the land structure 12 is formed on the metal plate 13, the protrusion amount for protruding a part of the metal plate 13 is more than half of the thickness of the metal plate 13 itself. In the embodiment, 140 [μm] to 180 [μm] for a thickness of the metal plate 13 of 200 [μm].
[Μm] (70 [%] to 90% of the thickness of the metal plate itself)
[%]) The protruding land structure 12 is formed. Therefore, the protruding land structure 12 has a very thin thickness portion 11 with respect to the main body of the metal plate 13.
Will be connected by. In the present embodiment, the thickness of the thin portion 11 is 20 [μm] to 60 [μm].
(10 [%] to 30 [%] of the thickness of the metal plate itself), and is easily separated by the pressing force in the protruding direction of the land structure 12 itself. The thickness of the frame body is not limited to 200 [μm], and a thick frame of 400 [μm] may be used if necessary. Also, regarding the amount of protrusion of the land structure 12, in the present embodiment, the amount of protrusion is more than half, but it may be less than half, and the amount of protrusion can be set within the range where the thin portion 11 is broken. It is a thing.
【００４０】ここで本実施形態のランド構成体１２を形
成する際の半切断について説明する。図６は金属板１３
に対して押圧し、半切断状態を構成した際のランド構成
体１２と金属板１３、および薄厚部１１の部分の構造図
である。Half-cutting when forming the land structure 12 of this embodiment will be described below. FIG. 6 shows a metal plate 13
FIG. 3 is a structural diagram of a land structure body 12, a metal plate 13, and a thin portion 11 when pressed against to form a semi-cut state.
【００４１】図６に示すように、金属板１３に対してラ
ンド構成体１２を形成した際、金属板１３のランド構成
体１２部分は、図４，図５に示したパンチ部材１７によ
る打ち抜き加工によって発生した抜きダレ部１８と、パ
ンチ部材によりせん断されたせん断部１９と、ランド構
成体１２自体が突出した方向に対しての押圧力により、
容易にランド構成体１２が分離した際の破断面となる破
断部２０を有している。As shown in FIG. 6, when the land forming body 12 is formed on the metal plate 13, the land forming body 12 portion of the metal plate 13 is punched by the punch member 17 shown in FIGS. 4 and 5. By the punched sagging portion 18, the shearing portion 19 sheared by the punch member, and the pressing force in the direction in which the land structure 12 itself protrudes,
It has a fractured portion 20 which becomes a fractured surface when the land structure 12 is easily separated.
【００４２】ランド構成体１２の形成としては、パンチ
部材１７により打ち抜き加工した際、抜きダレ部１８，
せん断部１９，破断部２０の順に形成されていくもので
ある。破断部２０となる部分は薄厚部１１であり、図面
上はモデル的に示している関係上、相当の厚みを有して
いるように示されているが、実質的には極めて薄い状態
である。また金属板１３の打ち抜き加工においては、理
想的な状態は、Ａ：Ｂ＝１：１であり、パンチ部材１７
が金属板１３を打ち抜き、金属板１３の厚みの１／２を
打ち抜いた時点でパンチ部材１７を停止させ、打ち抜き
を完了させるものであるが、その条件は適宜、設定する
ものである。The land structure 12 is formed by punching the punch member 17,
The sheared portion 19 and the fractured portion 20 are formed in this order. The portion that becomes the breakage portion 20 is the thin portion 11, and although it is shown as having a considerable thickness in the drawing because of the model relationship, it is substantially in a very thin state. . Further, in punching the metal plate 13, the ideal state is A: B = 1: 1, and the punch member 17
Punches the metal plate 13 and stops the punch member 17 at the time of punching 1/2 of the thickness of the metal plate 13 to complete punching, but the conditions are set as appropriate.
【００４３】また打ち抜き加工において、クリアランス
の値を変更することにより、せん断部１９と破断部２０
との長さを操作することができ、クリアランスを小さく
すると、せん断部１９を破断部２０よりも大きくするこ
とができ、逆にクリアランスを大きくすると、せん断部
１９を破断部２０よりも小さくすることができる。した
がって、クリアランスをゼロとし、破断部２０の長さを
短く抑えることで、金属板１３の抜き完了のタイミング
を遅らせ、パンチ部材が金属板１３の１／２以上入って
も、抜きが完了しないようにできるものである。ここで
クリアランスは、パンチ部材１７の大きさとダイ部１４
の開口部１６の大きさとの差により形成された隙間の量
を示している。In the punching process, the shearing portion 19 and the breaking portion 20 are changed by changing the clearance value.
Can be manipulated, and if the clearance is made smaller, the shearing portion 19 can be made larger than the breaking portion 20, and conversely, if the clearance is made larger, the shearing portion 19 can be made smaller than the breaking portion 20. You can Therefore, the clearance is set to zero and the length of the breaking portion 20 is kept short to delay the completion timing of the metal plate 13 so that the punching does not complete even if the punch member enters more than 1/2 of the metal plate 13. It can be done. Here, the clearance is the size of the punch member 17 and the die portion 14.
The amount of the gap formed by the difference with the size of the opening 16 is shown.
【００４４】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の実施
形態について図面を参照しながら説明する。図７，図８
は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、
図７は断面図であり、図８は底面図である。なお、図７
の断面図は図８の底面図において、Ｂ−Ｂ１箇所の断面
を底面側を下にして示した図であり、また本実施形態の
樹脂封止型半導体装置を示す平面図については、いわゆ
る矩形状を示すのみであるため省略する。Next, an embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings. 7 and 8
Is a diagram showing a resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment,
7 is a sectional view and FIG. 8 is a bottom view. Note that FIG.
8 is a cross-sectional view of the B-B1 portion in the bottom view of FIG. 8 with the bottom side facing downward, and a plan view showing the resin-sealed semiconductor device of the present embodiment is a so-called rectangular shape. Since it only shows the shape, it is omitted.
【００４５】図７，図８に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置は、前述したようなターミナルラン
ドフレームを用いて、半導体素子を搭載した半導体装置
であり、ランド構成体１２の内、第１のランド構成体１
２ａ，１２ｂ上に銀ペースト等の導電性接着剤２１、ま
たは絶縁性ペーストにより搭載、接合された半導体素子
２２と、その半導体素子２２の周辺に配置され、半導体
素子２２と金属細線２３により電気的に接続された第２
のランド構成体１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆと、各
ランド構成体１２の底面を突出させて半導体素子２２の
外囲を封止した封止樹脂２４とよりなる樹脂封止型半導
体装置である。そして本実施形態において、ランド構成
体１２の封止樹脂２４からの突出量は、使用したターミ
ナルランドフレーム本体の厚み量からランド構成体１２
がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量であ
り、基板実装時のスタンドオフを有しているものであ
る。As shown in FIGS. 7 and 8, the resin-sealed semiconductor device of the present embodiment is a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted using the terminal land frame as described above, and the land structure 12 Of the first land structure 1
A semiconductor element 22 mounted and bonded on the conductive paste 21 such as a silver paste or an insulating paste on the 2a and 12b, and arranged around the semiconductor element 22 and electrically connected by the semiconductor element 22 and the fine metal wire 23. Second connected to
Of the land structure bodies 12c, 12d, 12e, and 12f, and a sealing resin 24 that projects the bottom surface of each land structure body 12 to seal the outer circumference of the semiconductor element 22. In the present embodiment, the amount of protrusion of the land structure 12 from the sealing resin 24 depends on the thickness of the used terminal land frame main body 12 and the land structure 12.
Is the amount obtained by subtracting the amount of protrusion from the frame body, and has standoffs when the board is mounted.
【００４６】本実施形態では、ランド構成体１２の一部
を半導体素子２２を支持するダイパッド部として使用し
た構造であり、他のランド構成体１２は電極として使用
し、底面配列においては、ランド・グリッド・アレイ
（ＬＧＡ）を構成しているものである。そして、搭載す
る半導体素子の大きさ、ピン数に応じて、半導体素子の
支持用のランド構成体１２を適宜、設定することができ
る。また、従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半
導体装置とは異なり、ランド構成体１２の面積は、１０
０［μｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであれ
ばよく、また高さも１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］程
度であるため、高密度な電極配列が可能であり、ピッチ
調整も可能であり、小型・薄型の樹脂封止型半導体装置
を実現できるものである。さらに本実施形態の構造によ
り、多ピン化に対応でき、高密度面実装型の樹脂封止型
半導体装置を実現できるものであり、半導体装置自体の
厚みとしても、１［ｍｍ］以下の５００［μｍ］程度の
極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を実現できるもので
ある。In this embodiment, a part of the land structure 12 is used as a die pad portion for supporting the semiconductor element 22, and the other land structure 12 is used as an electrode. It constitutes a grid array (LGA). The land structure 12 for supporting the semiconductor element can be appropriately set according to the size of the semiconductor element to be mounted and the number of pins. Further, unlike the conventional resin-sealed semiconductor device using a lead frame, the area of the land structure body 12 is 10
It is only necessary to have a wire bond size of 0 [μm] or more, and the height is about 140 [μm] to 180 [μm]. Therefore, high-density electrode arrangement is possible and pitch adjustment is also possible. A small and thin resin-encapsulated semiconductor device can be realized. Furthermore, the structure of the present embodiment can accommodate a large number of pins and can realize a high-density surface mounting type resin-sealed semiconductor device, and the thickness of the semiconductor device itself is 500 [1 mm] or less. It is possible to realize an extremely thin resin-sealed semiconductor device of about [μm].
【００４７】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂２４に封止された側のランド構成体１２の
上面の面積が、封止樹脂２４から露出、突出した側のラ
ンド構成体１２の底面の面積よりも大きく、封止された
側のランド構成体１２の上面のエッジ部は曲面を有して
おり、ランド構成体１２は略逆台形状の断面形状を有し
ているものである。この構造により、封止樹脂２４とラ
ンド構成体１２との食いつきを良好にし、密着性を向上
させることができ、基板実装の際の接続の信頼性を得る
ことができるものである。なお、用いるターミナルラン
ドフレーム自体の板厚を厚く設定することで、ランド構
成体１２と封止樹脂２４との食いつきエリアを拡大さ
せ、アンカー効果が増大するため、一層の信頼性向上が
図れる。In the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, the area of the upper surface of the land structure 12 on the side sealed by the sealing resin 24 is exposed and protruded from the sealing resin 24. The edge portion of the upper surface of the land structure 12 on the sealed side, which is larger than the area of the bottom surface of the body 12, has a curved surface, and the land structure 12 has a substantially inverted trapezoidal cross-sectional shape. It is a thing. With this structure, it is possible to improve the bite between the sealing resin 24 and the land structure 12, improve the adhesion, and obtain the reliability of the connection when mounting on the board. By setting the plate thickness of the terminal land frame itself to be thick, the bite area between the land constituting body 12 and the sealing resin 24 is expanded and the anchor effect is increased, so that the reliability can be further improved.
【００４８】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９（ａ）〜（ｆ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。Next, an embodiment of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings.
9A to 9F are cross-sectional views for each step showing the method for manufacturing the resin-sealed semiconductor device of this embodiment.
【００４９】まず図９（ａ）に示すように、フレーム本
体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設され
て、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、かつ
フレーム本体１０よりも突出して形成された複数のラン
ド構成体１２とよりなり、ランド構成体１２はフレーム
本体１０からそれが突出した方向への押圧力により、薄
厚部１１が破断されてランド構成体１２自体がフレーム
本体１０より分離される構成を有するターミナルランド
フレームを用意する。First, as shown in FIG. 9A, the frame body 10 and the frame body 10 are arranged in the region of the frame body 10, are connected to the frame body 10 by the thin portion 11, and project from the frame body 10. The land forming body 12 is formed by a plurality of land forming bodies 12 formed by a pressing force in a direction in which the land forming body 12 protrudes from the frame body 10. A terminal land frame having a more separated structure is prepared.
【００５０】次に図９（ｂ）に示すように、ターミナル
ランドフレームのランド構成体１２が突出した面側であ
って、ランド構成体１２の内、所定の第１のランド構成
体１２ａ，１２ｂ上に導電性接着剤２１、または絶縁性
ペーストにより半導体素子２２を載置、接合する。この
工程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に
相当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導
電性接着剤２１の塗布、半導体素子２２の載置、加熱処
理により半導体素子２２を接合するものである。ここ
で、ターミナルランドフレームは、ランド構成体１２が
突出した方向に対しての押圧力、すなわちランド構成体
１２の底面部分側からの押圧力により、容易に分離され
るものであるが、それが突出した方向、すなわちランド
構成体１２の上面部分からの押圧力によっては分離しな
いものであり、一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、半導体素子２２を搭載する際、フレームに
対して下方の押圧力が作用しても、ランド構成体１２は
分離せず、安定してダイボンドできるものである。Next, as shown in FIG. 9B, on the surface side of the land structure 12 where the terminal structure 12 is projected, of the land structure 12, a predetermined first land structure 12a, 12b is formed. The semiconductor element 22 is placed and bonded on the conductive adhesive 21 or the insulating paste. This step is a step corresponding to a die bonding step in a semiconductor device assembling step, and applies the conductive adhesive 21 to the terminal land frame, mounts the semiconductor element 22, and heat-bonds the semiconductor element 22. . Here, the terminal land frame is easily separated by the pressing force in the protruding direction of the land structure 12, that is, the pressing force from the bottom surface side of the land structure 12, but It is not separated by the pressing force from the protruding direction, that is, the pressing force from the upper surface portion of the land structure 12, and the structure is such that it is separated only by the pressing force from one direction. Even if a downward pressing force is applied, the land constituting body 12 is not separated and stable die bonding is possible.
【００５１】次に図９（ｃ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子２２とランド構
成体１２の内、外部ランド電極となる第２のランド構成
体１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆとを金属細線２３に
より電気的に接続する。したがって、ランド構成体１２
は上面の金属細線２３が接続される面の面積は１００
［μｍ］以上である。また、この工程においても、ラン
ド構成体１２は一方向からの押圧力にのみ分離する構造
であるため、金属細線２３をランド構成体１２の上面に
接続する際、下方に押圧力が作用しても、ランド構成体
１２は分離せず、安定してワイヤーボンドできるもので
ある。Next, as shown in FIG. 9C, of the semiconductor element 22 and the land structure 12 bonded on the terminal land frame, second land structures 12c, 12d, 12e, which serve as external land electrodes, are formed. 12 f is electrically connected to the metal wire 23. Therefore, the land structure 12
The area of the surface to which the thin metal wire 23 is connected is 100
[Μm] or more. Also in this step, since the land structure 12 is structured so as to be separated only by the pressing force from one direction, when the metal thin wire 23 is connected to the upper surface of the land structure 12, the pressing force acts downward. However, the land structure 12 is not separated and stable wire bonding is possible.
【００５２】次に図９（ｄ）に示すように、ターミナル
ランドフレーム上に接合した半導体素子２２、および電
気的接続手段である金属細線２３の領域を封止樹脂２４
により封止する。通常は上下封止金型を用いたトランス
ファーモールドにより片面封止を行う。ここではターミ
ナルランドフレームの半導体素子２２が搭載された面の
みが封止樹脂２４により封止されるものであり、片面封
止構造となっている。そして各ランド構成体１２は突出
して設けられているため、封止樹脂２４がその段差構造
に対して、食いつくため片面封止構造であっても、ター
ミナルランドフレームと封止樹脂２４との密着性を得る
ことができる。Next, as shown in FIG. 9D, the region of the semiconductor element 22 bonded on the terminal land frame and the metal thin wire 23 which is the electrical connection means is sealed with resin 24.
To seal. Usually, single-sided sealing is performed by transfer molding using upper and lower sealing dies. Here, only the surface of the terminal land frame on which the semiconductor element 22 is mounted is sealed with the sealing resin 24, and has a single-sided sealing structure. Since each land structure 12 is provided so as to project, the adhesiveness between the terminal land frame and the sealing resin 24 is high even if the sealing resin 24 has a single-sided sealing structure because it bites against the step structure. Can be obtained.
【００５３】次に図９（ｅ）に示すように、ターミナル
ランドフレームを固定した状態、例えばターミナルラン
ドフレームの端部を固定し、封止樹脂２４で封止した領
域をフリーにした状態で、ターミナルランドフレームの
下方からランド構成体１２の底面に対して、押圧力を印
加する。この場合、ターミナルランドフレームの端部を
固定し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押
圧力を印加することにより、ランド構成体１２とターミ
ナルランドフレームのフレーム本体１０とが分離するも
のである。ランド構成体１２とフレーム本体１０とを接
続している極薄の薄厚部１１が突き上げによる押圧力で
破断されることにより分離されるものである。また、突
き上げる場合は、一部の例えば中央部付近の半導体素子
２２の下方に位置するランド構成体１２のみを突き上げ
てもよく、または周辺部のランド構成体１２を突き上げ
てもよく、またはすべてのランド構成体１２を突き上げ
てもよい。ただし、部分的な突き上げによりランド構成
体１２自体が封止樹脂２４から剥離して落下しない範囲
で突き上げを行う。勿論、突き上げ以外の手段で分離し
てもよく、フレーム本体に対してひねりを加えたり、封
止樹脂２４部分を吸着して引き上げても、ランド構成体
１２とターミナルランドフレームのフレーム本体２６と
を分離させることができる。Next, as shown in FIG. 9E, with the terminal land frame fixed, for example, with the end portions of the terminal land frame fixed and the region sealed with the sealing resin 24 free. A pressing force is applied to the bottom surface of the land structure 12 from below the terminal land frame. In this case, the land structure 12 and the frame body 10 of the terminal land frame are separated by fixing the end portion of the terminal land frame and pushing it up from below with a push-up pin to apply a pressing force. The extremely thin thin portion 11 connecting the land structure 12 and the frame body 10 is separated by being ruptured by the pressing force caused by pushing up. Further, in the case of pushing up, only a part of, for example, the land structure 12 located below the semiconductor element 22 in the vicinity of the central portion may be pushed up, or the land structure 12 in the peripheral portion may be pushed up, or all of them may be pushed up. The land structure 12 may be pushed up. However, the land structure 12 itself is lifted up within a range in which the land structure 12 itself does not separate from the sealing resin 24 and drop by partial lift up. Of course, it may be separated by a means other than the push-up, and the land structure 12 and the frame body 26 of the terminal land frame may be separated by twisting the frame body or adsorbing and pulling up the sealing resin 24 portion. It can be separated.
【００５４】図９（ｆ）に示すように、ランド構成体１
２とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部が突き
上げによる押圧力で破断されることにより分離されて、
樹脂封止型半導体装置２５を得ることができる。なお、
ここでフレーム本体のランド構成体１２が形成されてい
ない領域と封止樹脂２４との密着性は弱く、ランド構成
体１２が分離することにより、フレーム本体から樹脂封
止型半導体装置２５を得ることができるものである。図
示するように、樹脂封止型半導体装置２５は、ランド構
成体２８がその底面に配列され、またランド構成体１２
が封止樹脂２４の底面よりも突出して設けられ、基板実
装時のスタンドオフが形成されているものである。ここ
で樹脂封止型半導体装置２５のランド構成体１２の突出
量は、フレーム本体の厚み量からランド構成体１２が突
出した量を差し引いた量となり、ランド構成体１２の外
部ランド電極としてのスタンドオフが形成されるもので
ある。本実施形態では、２００［μｍ］の厚みのフレー
ム本体に対して、ランド構成体１２を１４０［μｍ］〜
１８０［μｍ］（フレーム本体の厚みの７０［％］〜９
０［％］）突出させているため、スタンドオフ高さの量
は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム本体の厚み
の１０［％］〜３０［％］）となり、基板実装時のスタ
ンドオフを有したランド電極を得ることができる。As shown in FIG. 9F, the land structure 1
2 is separated by breaking the ultra-thin portion that connects the frame body and the frame body by the pushing force due to pushing up,
The resin-sealed semiconductor device 25 can be obtained. In addition,
Here, the adhesiveness between the region of the frame body where the land structure body 12 is not formed and the sealing resin 24 is weak, and the resin structure type semiconductor device 25 is obtained from the frame body by separating the land structure body 12. Is something that can be done. As shown in the figure, in the resin-encapsulated semiconductor device 25, land structures 28 are arranged on the bottom surface thereof, and the land structures 12 are
Is provided so as to project from the bottom surface of the sealing resin 24, and a standoff is formed when the board is mounted. Here, the protruding amount of the land constituting body 12 of the resin-sealed semiconductor device 25 is an amount obtained by subtracting the protruding amount of the land constituting body 12 from the thickness amount of the frame body, and the stand as an external land electrode of the land constituting body 12 is obtained. Off is what is formed. In the present embodiment, the land structure 12 has a thickness of 140 [μm] to a frame body having a thickness of 200 [μm].
180 [μm] (70 [%] to 9 of the thickness of the frame body)
The standoff height is 20 [μm] to 60 [μm] (10 [%] to 30 [%] of the thickness of the frame body) because it is protruded. A land electrode having standoffs can be obtained.
【００５５】なお、フレーム本体から樹脂封止型半導体
装置を分離する工法としては、前記したようなランド構
成体１２部分に対する突き上げ法の他、樹脂封止型半導
体装置部分を固定した状態でフレーム本体自体を引き剥
がすことにより、分離できるものであるが、製品の信頼
性を考慮して分離方法を採用するものである。As a method for separating the resin-sealed semiconductor device from the frame body, in addition to the push-up method for the land structure 12 portion as described above, the frame body is fixed with the resin-sealed semiconductor device portion fixed. Although it can be separated by peeling itself, the separation method is adopted in consideration of the reliability of the product.
【００５６】次に本発明のターミナルランドフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置の別の実施形態について図
面を参照しながら説明する。Next, another embodiment of the resin-sealed semiconductor device using the terminal land frame of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００５７】図１０は本実施形態のターミナルランドフ
レームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
る。FIG. 10 is a sectional view showing a resin-sealed semiconductor device using the terminal land frame of this embodiment.
【００５８】図１０に示すように本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、金属板よりなるフレーム本体と、その
フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部によりフレ
ーム本体と接続し、かつフレーム本体よりも突出して形
成され、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複数
のランド構成体とよりなり、そのランド構成体はフレー
ム本体から突出した方向への押圧力によってのみ、薄厚
部が破断されてランド構成体がフレーム本体より分離さ
れる構成であるターミナルランドフレームを用いて形成
された樹脂封止型半導体装置であって、ランド構成体２
６のうち、半導体素子搭載用のランド構成体２６ａ，２
６ｂ，２６ｃ上にその主面を上にして、銀ペースト等の
導電性接着剤により搭載された第１の半導体素子２７
と、その第１の半導体素子２７上にその主面を上にし
て、絶縁性接着剤により積層して搭載された第２の半導
体素子２８と、ランド構成体２６のうち、第１の半導体
素子２７の周辺に配置された信号接続用のランド構成体
２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇの各上面と第１の半導
体素子２７および第２の半導体素子２８の各電極パッド
とを電気的に接続した金属細線２９と、ランド構成体２
６の底面を突出させて第１の半導体素子２７、第２の半
導体素子２８、金属細線２９の外囲を封止した封止樹脂
３０とよりなり、ランド構成体２６の封止樹脂３０から
の突出量は、ターミナルランドフレームのフレーム本体
の厚み量からランド構成体２６がフレーム本体から突出
した量を差し引いた量である樹脂封止型半導体装置であ
る。As shown in FIG. 10, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment has a frame body made of a metal plate, and is arranged in the region of the frame body, and is connected to the frame body by a thin portion. In addition, the land structure is formed so as to protrude from the frame body and has an upper surface area larger than the bottom surface area.The land structure body is formed only by the pressing force in the direction protruding from the frame body. A resin-sealed semiconductor device formed by using a terminal land frame having a structure in which the land structure is broken and the land structure body is separated from the frame body.
6, the land structures 26a, 2 for mounting semiconductor elements
First semiconductor element 27 mounted on 6b, 26c with its main surface facing upward by a conductive adhesive such as silver paste.
And a second semiconductor element 28 mounted on the first semiconductor element 27 with its main surface facing upward and laminated with an insulating adhesive, and the first semiconductor element of the land structure 26. A metal for electrically connecting the respective upper surfaces of the signal connecting land structures 26d, 26e, 26f and 26g arranged around 27 to the respective electrode pads of the first semiconductor element 27 and the second semiconductor element 28. Fine wire 29 and land structure 2
6 is formed by projecting the bottom surface of the first semiconductor element 27, the second semiconductor element 28, and the sealing resin 30 that seals the outer circumference of the thin metal wire 29. In the resin-sealed semiconductor device, the amount of protrusion is the amount obtained by subtracting the amount of protrusion of the land structure 26 from the frame body from the thickness of the frame body of the terminal land frame.
【００５９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、１
つのパッケージ内に２つの半導体素子を搭載し、かつ薄
型、小型を実現したものである。例えば、第１の半導体
素子２７としては、ＬＳＩロジック素子、第２の半導体
素子２８としては、バイポーラ素子，メモリー素子が搭
載可能であり、積層型マルチチップパッケージを効率よ
く実現できるものである。The resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment has one
Two semiconductor elements are mounted in one package, and thin and small size is realized. For example, an LSI logic element can be mounted as the first semiconductor element 27, and a bipolar element or a memory element can be mounted as the second semiconductor element 28, and a stacked multi-chip package can be efficiently realized.
【００６０】図１１は本実施形態のターミナルランドフ
レームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
り、図１０に示した樹脂封止型半導体装置とは半導体素
子の支持構造が異なる樹脂封止型半導体装置を示す実施
形態である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a resin-sealed semiconductor device using the terminal land frame of this embodiment, which is different from the resin-sealed semiconductor device shown in FIG. It is an embodiment showing a sealed semiconductor device.
【００６１】図１１に示すように本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、金属板よりなるフレーム本体と、その
フレーム本体の領域内に配設されて、薄厚部によりフレ
ーム本体と接続し、かつフレーム本体よりも突出して形
成され、その底面の面積よりも上面の面積が大きい複数
のランド構成体群と半導体素子支持用のダイパッド部と
よりなり、そのランド構成体群および半導体素子支持用
のダイパッド部はフレーム本体から突出した方向への押
圧力によってのみ、薄厚部が破断されてランド構成体群
および半導体素子支持用のダイパッド部がフレーム本体
より分離される構成であるターミナルランドフレームを
用いて形成された樹脂封止型半導体装置であって、半導
体素子支持用のダイパッド部３１上にその主面を上にし
て、銀ペースト等の導電性接着剤により搭載された第１
の半導体素子２７と、その第１の半導体素子２７上にそ
の主面を上にして、絶縁性接着剤により積層して搭載さ
れた第２の半導体素子２８と、第１の半導体素子２７の
周辺に配置された信号接続用のランド構成体２６の各上
面と第１の半導体素子２７および第２の半導体素子２８
の各電極パッドとを電気的に接続した金属細線２９と、
ランド構成体２６の底面を突出させて第１の半導体素子
２７、第２の半導体素子２８、金属細線２９の外囲を封
止した封止樹脂３０とよりなり、ランド構成体２６およ
びダイパッド部３１の封止樹脂３０からの突出量は、タ
ーミナルランドフレームのフレーム本体の厚み量からラ
ンド構成体２６，ダイパッド部３１がフレーム本体から
突出した量を差し引いた量である樹脂封止型半導体装置
である。As shown in FIG. 11, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment is provided with a frame body made of a metal plate, and the frame body is arranged in the region of the frame body and is connected to the frame body by a thin portion. Further, the land structure group and the semiconductor element supporting die group are formed by projecting from the frame body and having a plurality of land structure groups having a top surface area larger than the bottom surface area and a semiconductor device supporting die pad portion. The die pad part uses a terminal land frame in which the thin part is broken and the die pad part for supporting the semiconductor element and the die pad part for supporting the semiconductor element are separated from the frame body only by the pressing force in the direction protruding from the frame body. A formed resin-encapsulated semiconductor device, comprising a die pad portion 31 for supporting a semiconductor element, with its main surface facing upward, silver paste or the like. The mounted by a conductive adhesive 1
Of the semiconductor element 27, the second semiconductor element 28 mounted on the first semiconductor element 27 with its main surface facing upward and laminated with an insulating adhesive, and the periphery of the first semiconductor element 27. The upper surface of each of the signal connecting land structures 26 arranged in the first semiconductor element 27 and the second semiconductor element 28.
A thin metal wire 29 electrically connected to each electrode pad of
The land structure body 26 and the die pad portion 31 are made of a sealing resin 30 in which the bottom surface of the land structure body 26 is projected to seal the outer circumference of the first semiconductor element 27, the second semiconductor element 28, and the thin metal wire 29. The amount of protrusion from the sealing resin 30 is the amount obtained by subtracting the amount of protrusion of the land structure 26 and the die pad portion 31 from the frame body from the thickness of the frame body of the terminal land frame in the resin-sealed semiconductor device. .
【００６２】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、１
つのパッケージ内に２つの半導体素子を搭載し、かつ薄
型、小型を実現したものであるが、第１の半導体素子２
７としては、発熱性のある半導体素子を搭載し、支持し
ているダイパッド３１の底面が露出しているため、外部
（実装基板等）に熱を放散することができる。したがっ
て、ダイパッド部３１を半切断工法でターミナルランド
フレームに形成することにより、放熱タイプの積層型マ
ルチチップパッケージを効率よく実現できるものであ
る。The resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment has one
The first semiconductor element 2 has two semiconductor elements mounted in one package and is thin and small.
As for 7, since the bottom surface of the die pad 31 supporting and mounting a semiconductor element having a heat generating property is exposed, the heat can be radiated to the outside (mounting substrate or the like). Therefore, by forming the die pad portion 31 on the terminal land frame by the semi-cutting method, a heat dissipation type laminated multi-chip package can be efficiently realized.
【００６３】なお、本実施形態では第１の半導体素子２
７とランド構成体２６、第２の半導体素子２８とランド
構成体２６とをそれぞれ金属細線２９で接続する例を示
したが、第１の半導体素子、第２の半導体素子の機能、
種類によっては、第１の半導体素子と第２の半導体素子
とが素子どうしで金属細線で接続し、そして第１の半導
体素子とランド構成体とが金属細線で接続する場合にお
いても、同様にターミナルランドフレームを用いて樹脂
封止型半導体装置を形成できる。また第１の半導体素子
と第２の半導体素子とがバンプ接合され、第１の半導体
素子と周囲のランド構成体とを金属細線で接続する構造
としてもよい。In this embodiment, the first semiconductor element 2
7 and the land structure 26 and the second semiconductor element 28 and the land structure 26 are connected by the thin metal wires 29, respectively, the functions of the first semiconductor element and the second semiconductor element,
Depending on the type, even when the first semiconductor element and the second semiconductor element are connected to each other by a thin metal wire, and the first semiconductor element and the land structure are connected to each other by a thin metal wire, the terminal is similarly formed. A resin-sealed semiconductor device can be formed using the land frame. Further, the first semiconductor element and the second semiconductor element may be bump-bonded, and the first semiconductor element and the surrounding land structure may be connected by a thin metal wire.
【００６４】また図１０に示した構造とは別に、第１の
半導体素子をターミナルランドフレームの各ランド構成
体に対してバンプ電極を介してその電極面を下にしてフ
リップチップ接合し、その第１の半導体素子の裏面に対
して第２の半導体素子を搭載し、第２の半導体素子とラ
ンド構成体とを金属細線で接続した構造としてもよい。
さらに第１の半導体素子の上面に対して第２の半導体素
子をバンプ電極を形成してフリップチップ接合し、その
第１の半導体素子とランド構成体とを金属細線で接続し
た構造としてもよい。In addition to the structure shown in FIG. 10, the first semiconductor element is flip-chip bonded to each land structure of the terminal land frame with the electrode surface facing down via the bump electrode. A second semiconductor element may be mounted on the back surface of the first semiconductor element, and the second semiconductor element and the land structure may be connected by a thin metal wire.
Furthermore, a structure may be adopted in which bump electrodes are formed on the upper surface of the first semiconductor element to form a bump electrode, and flip-chip bonding is performed, and the first semiconductor element and the land structure are connected by a thin metal wire.
【００６５】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について図面を参照しながら説明する。Next, a method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described with reference to the drawings.
【００６６】まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で用いるターミナルランドフレームについて説
明する。図１２，図１３は本実施形態の樹脂封止型半導
体装置の製造方法で用いるターミナルランドフレームを
示す図であり、図１２は平面図、図１３は図１２のＣ−
Ｃ１箇所の断面図である。なお、基本概念は図１に示し
た実施形態のターミナルランドフレームと同様である。First, the terminal land frame used in the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device of this embodiment will be described. 12 and 13 are views showing a terminal land frame used in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device of the present embodiment, FIG. 12 is a plan view, and FIG. 13 is a C- of FIG.
It is sectional drawing of C1 location. The basic concept is the same as the terminal land frame of the embodiment shown in FIG.
【００６７】図示するように本実施形態のターミナルラ
ンドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常の
リードフレームに用いられている金属板よりなるフレー
ム本体１０と、そのフレーム本体１０の領域内に格子状
に配設されて、薄厚部１１によりフレーム本体１０と接
続し、かつフレーム本体１０よりも突出して形成された
複数のランド構成体２６とよりなるものである。すなわ
ち、フレーム本体１０、ランド構成体２６および薄厚部
１１は同一の金属板より一体で形成されているものであ
る。そしてランド構成体２６はフレーム本体１０から突
出した方向への押圧力により、薄厚部１１が破断されて
ランド構成体２６がフレーム本体１０より分離される構
成を有するものである。ランド構成体２６の格子状の配
列は、千鳥格子状、碁盤の目格子状、またはランダムに
面配置してもよいが、搭載する半導体素子との金属細線
による接続に好適な配置を採用する。As shown in the figure, the terminal land frame of this embodiment includes a frame body 10 made of a copper material or a metal plate used for a normal lead frame such as 42-alloy, and an area within the frame body 10. The plurality of land structures 26 are arranged in a grid pattern, are connected to the frame body 10 by the thin portion 11, and project from the frame body 10. That is, the frame body 10, the land structure 26, and the thin portion 11 are integrally formed of the same metal plate. The land structure 26 has a structure in which the thin portion 11 is broken and the land structure 26 is separated from the frame body 10 by a pressing force in a direction protruding from the frame body 10. The grid configuration of the land structure 26 may be a houndstooth check pattern, a grid check pattern, or a random surface arrangement, but an arrangement suitable for connection with a mounted semiconductor element by a thin metal wire is adopted. .
【００６８】また本実施形態のターミナルランドフレー
ムは、メッキ処理されたものであり、必要に応じて例え
ば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ）および金
（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッキされている
ものである。メッキ処理については、ランド構成体２６
を成形した後に行ってもよく、または金属板へのランド
構成体の成形前に行ってもよい。The terminal land frame of this embodiment is plated, and if necessary, a metal such as nickel (Ni), palladium (Pd) and gold (Au) is laminated and appropriately plated. It has been done. For the plating process, the land structure 26
May be performed after molding, or may be performed before molding the land structure on the metal plate.
【００６９】本実施形態のターミナルランドフレームで
は、あえて半導体素子が搭載される部材であるダイパッ
ド部を設けていないが、フレーム本体１０の領域内に設
けたランド構成体２６の群の内、一部のランド構成体を
半導体素子搭載用のランド構成体として使用することが
できる。このことにより、品種の違いにより、ターミナ
ルランドフレーム上に搭載する半導体素子の大きさに差
があった場合でも、適宜、ランド構成体２６の一部を支
持用のランド構成体として使用し、その他のランド構成
体２６をその搭載した半導体素子との電気的な信号接続
用のランド構成体として使用することにより、ターミナ
ルランドフレームを共用することができ、１枚のフレー
ム中で複数の大きさの異なる半導体素子を搭載し、樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。In the terminal land frame of this embodiment, the die pad portion, which is a member on which the semiconductor element is mounted, is intentionally not provided, but a part of the group of land structure bodies 26 provided in the region of the frame body 10 is provided. Can be used as a land structure for mounting a semiconductor element. As a result, even if the size of the semiconductor element mounted on the terminal land frame varies depending on the product type, a part of the land structure 26 is appropriately used as a supporting land structure, and The terminal land frame can be shared by using the land structure 26 of FIG. 1 as a land structure for electrical signal connection with the mounted semiconductor element, and a plurality of sizes can be formed in one frame. By mounting different semiconductor elements, a resin-sealed semiconductor device can be obtained.
【００７０】なお、ランド構成体２６の数は、搭載する
半導体素子のピン数などにより、その数を適宜設定でき
るものである。またランド構成体２６の形状は円形とし
ているが、角形や長方形でもよく、また大きさは、ター
ミナルランドフレーム内ですべて同一としてもよいし、
樹脂封止型半導体装置を構成し、ランド電極とした場
合、基板実装の際の応力緩和のために、周辺部に位置す
るランド構成体２６を大きくするようにしてもよい。The number of land structures 26 can be set appropriately depending on the number of pins of the semiconductor element to be mounted. Although the shape of the land structure 26 is circular, it may be rectangular or rectangular, and the size may be the same in the terminal land frame.
When a resin-encapsulated semiconductor device is formed and used as a land electrode, the land structure 26 located in the peripheral portion may be enlarged in order to relieve stress when mounting on a substrate.
【００７１】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について図面を参照しながら説明する。図１４
〜図２１は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方
法を示す工程ごとの断面図である。なお、ここでは代表
的に図１０に示した形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法について説明する。Next, a method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described with reference to the drawings. 14
21A to 21C are cross-sectional views of each step showing the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment. A method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device having the form shown in FIG. 10 will be described here as a representative.
【００７２】まず図１４に示すように、フレーム本体１
０と、そのフレーム本体１０の領域内に配設されて、薄
厚部１１によりフレーム本体１０と接続し、かつフレー
ム本体１０よりも突出して形成された複数のランド構成
体２６とよりなり、ランド構成体２６はフレーム本体１
０からそれが突出した方向への押圧力により、薄厚部１
１が破断されてランド構成体２６自体がフレーム本体１
０より分離される構成を有するターミナルランドフレー
ムを用意する。First, as shown in FIG. 14, the frame body 1
0 and a plurality of land structures 26 arranged in the region of the frame body 10 and connected to the frame body 10 by the thin portion 11 and projecting from the frame body 10. Body 26 is the frame body 1
Due to the pressing force from 0 to the direction in which it protrudes, the thin portion 1
1 is broken and the land structure 26 itself is the frame body 1
A terminal land frame having a structure separated from 0 is prepared.
【００７３】次に図１５に示すように、ターミナルラン
ドフレームのランド構成体２６が突出した面側であっ
て、ランド構成体２６の内、所定の半導体素子搭載用の
ランド構成体２６ａ，２６ｂ，２６ｃ上に導電性接着剤
（図示せず）または絶縁性ペーストにより第１の半導体
素子２７をその主面を上にして載置、接合する。この工
程は半導体装置の組立工程におけるダイボンド工程に相
当する工程であり、ターミナルランドフレームへの導電
性接着剤の塗布、半導体素子の載置、加熱処理により第
１の半導体素子２７を接合するものである。また本実施
形態では第１の半導体素子２７の搭載において、周辺部
に電極パッドが形成された面を上にして搭載している。
またここで、ターミナルランドフレームは、ランド構成
体２６が突出した方向に対しての押圧力、すなわちラン
ド構成体２６の底面部分側からの押圧力により、容易に
分離されるものであるが、それが突出した方向、すなわ
ちランド構成体２６の上面部分からの押圧力によっては
分離しないものであり、一方向からの押圧力にのみ分離
する構造であるため、第１の半導体素子２７を搭載する
際、フレームに対して下方の押圧力が作用しても、ラン
ド構成体１２は分離せず、安定してダイボンドできるも
のである。Next, as shown in FIG. 15, on the projecting side of the land structure 26 of the terminal land frame, among the land structure 26, predetermined land mounting structures 26a, 26b for mounting semiconductor elements, The first semiconductor element 27 is placed and bonded on the surface 26c with a conductive adhesive (not shown) or an insulating paste with its main surface facing upward. This step is a step corresponding to the die bonding step in the assembly process of the semiconductor device, and is a step of joining the first semiconductor element 27 by applying a conductive adhesive to the terminal land frame, mounting the semiconductor element, and performing heat treatment. is there. Further, in the present embodiment, when mounting the first semiconductor element 27, the first semiconductor element 27 is mounted with the surface on which the electrode pads are formed in the peripheral portion facing upward.
Further, here, the terminal land frame is easily separated by the pressing force in the direction in which the land structure 26 is projected, that is, the pressing force from the bottom surface side of the land structure 26. When the first semiconductor element 27 is mounted, since the structure is such that it is not separated by the pressing force from the protruding direction, that is, the pressing force from the upper surface portion of the land structure 26, and is separated only by the pressing force from one direction. Even if a downward pressing force is applied to the frame, the land structure 12 is not separated and stable die bonding is possible.
【００７４】次に図１６に示すように、ターミナルラン
ドフレーム上に接合した第１の半導体素子２７の上面、
すなわち第１の半導体素子２７の表面の電極パッドが形
成されている周辺部にかからない領域に第２の半導体素
子２８を絶縁性接着剤によりその表面を上にして接着
し、積層して搭載する。Next, as shown in FIG. 16, the upper surface of the first semiconductor element 27 bonded on the terminal land frame,
That is, the second semiconductor element 28 is adhered to the area of the surface of the first semiconductor element 27, which is not covered by the peripheral portion where the electrode pads are formed, with the surface of the second semiconductor element 28 facing upward, and is laminated and mounted.
【００７５】次に図１７，図１８に示すように、ターミ
ナルランドフレーム上に接合した第１の半導体素子２
７、その上に積層した第２の半導体素子２８とランド構
成体の内、外部ランド電極となる信号接続用のランド構
成体２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇとを各々金属細線
２９により電気的に接続する。また、この工程において
も、ランド構成体２６は一方向からの押圧力にのみ分離
する構造であるため、金属細線２９をランド構成体２６
ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇの上面に接続する際、下方
に押圧力が作用しても、ランド構成体２６は分離せず、
安定してワイヤーボンドできるものである。Next, as shown in FIGS. 17 and 18, the first semiconductor element 2 bonded on the terminal land frame is formed.
7. The second semiconductor element 28 laminated thereon and the land constituent bodies 26d, 26e, 26f and 26g for signal connection, which are the external land electrodes, of the land constituent bodies are electrically connected by the thin metal wires 29, respectively. To do. Also in this step, since the land structure 26 has a structure in which it is separated only by the pressing force from one direction, the thin metal wire 29 is removed from the land structure 26.
When connecting to the upper surface of d, 26e, 26f, 26g, even if a pressing force acts downward, the land structure 26 does not separate,
It can be wire-bonded stably.
【００７６】次に図１９に示すように、ターミナルラン
ドフレーム上に接合した第１の半導体素子２７、第２の
半導体素子２８および電気的接続手段である金属細線２
９の領域を封止樹脂３０により封止する。通常は上下封
止金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止
を行う。ここではターミナルランドフレームの半導体素
子２７，２８が搭載された面のみが封止樹脂３０により
封止されるものであり、片面封止構造となっている。そ
して各ランド構成体２６は突出して設けられているた
め、封止樹脂３０がその段差構造に対して、食いつくた
め片面封止構造であっても、ターミナルランドフレーム
と封止樹脂３０との密着性を得ることができる。Next, as shown in FIG. 19, the first semiconductor element 27, the second semiconductor element 28, and the thin metal wire 2 which is an electrical connecting means are joined on the terminal land frame.
The region 9 is sealed with the sealing resin 30. Usually, single-sided sealing is performed by transfer molding using upper and lower sealing dies. Here, only the surface of the terminal land frame on which the semiconductor elements 27 and 28 are mounted is sealed with the sealing resin 30, and the one-side sealing structure is provided. Since each land structure 26 is provided so as to project, the adhesiveness between the terminal land frame and the sealing resin 30 is high even if the sealing resin 30 has a single-sided sealing structure because it bites against the step structure. Can be obtained.
【００７７】次に図２０に示すように、ターミナルラン
ドフレームを固定した状態、例えばターミナルランドフ
レームの端部を固定し、封止樹脂３０で封止した領域を
フリーにした状態で、ターミナルランドフレームの下方
からランド構成体２６の底面に対して、押圧力を印加す
る。この場合、ターミナルランドフレームの端部を固定
し、その下方から突き上げピンにより突き上げて押圧力
を印加することにより、ランド構成体２６とターミナル
ランドフレームのフレーム本体１０とが分離するもので
ある。ランド構成体２６とフレーム本体１０とを接続し
ている極薄の薄厚部１１が突き上げによる押圧力で破断
されることにより分離されるものである。なお、図２０
中、三角印は押圧力を示す。Next, as shown in FIG. 20, with the terminal land frame fixed, for example, with the end portion of the terminal land frame fixed and the area sealed with the sealing resin 30 being free, A pressing force is applied to the bottom surface of the land structure 26 from below. In this case, the land structure 26 and the frame body 10 of the terminal land frame are separated by fixing the end portion of the terminal land frame and pushing it up from below with a push-up pin to apply a pressing force. The ultrathin thin portion 11 connecting the land structure 26 and the frame body 10 is separated by being ruptured by the pressing force due to the push-up. Note that FIG.
The triangle mark indicates the pressing force.
【００７８】そして図２１に示すように、ランド構成体
２６とフレーム本体とを接続している極薄の薄厚部が突
き上げによる押圧力で破断されることにより分離され
て、樹脂封止型半導体装置３２を得ることができる。な
お、ここでフレーム本体のランド構成体２６が形成され
ていない領域と封止樹脂３０との密着性は弱く、ランド
構成体２６が分離することにより、フレーム本体から樹
脂封止型半導体装置３２を得ることができるものであ
る。図示するように、樹脂封止型半導体装置３２は、ラ
ンド構成体２６がその底面に配列され、またランド構成
体２６が封止樹脂３０の底面よりも突出して設けられ、
基板実装時のスタンドオフが形成されているものであ
る。ここで樹脂封止型半導体装置３２のランド構成体２
６の突出量は、フレーム本体の厚み量からランド構成体
２６が突出した量を差し引いた量となり、ランド構成体
２６の外部ランド電極としてのスタンドオフが形成され
るものである。本実施形態では、２００［μｍ］の厚み
のフレーム本体に対して、ランド構成体１２を１４０
［μｍ］〜１８０［μｍ］（フレーム本体の厚みの７０
［％］〜９０［％］）突出させているため、スタンドオ
フ高さの量は、２０［μｍ］〜６０［μｍ］（フレーム
本体の厚みの１０［％］〜３０［％］）となり、基板実
装時のスタンドオフを有したランド電極を得ることがで
きる。Then, as shown in FIG. 21, the extremely thin portion connecting the land structure 26 and the frame body is separated by being ruptured by the pressing force due to the push-up, so that the resin-sealed semiconductor device is separated. 32 can be obtained. Here, the adhesiveness between the region of the frame main body where the land structure 26 is not formed and the sealing resin 30 is weak, and the resin structure semiconductor device 32 is separated from the frame main body by separating the land structure 26. Is what you can get. As shown in the figure, in the resin-encapsulated semiconductor device 32, the land structure 26 is arranged on the bottom surface thereof, and the land structure 26 is provided so as to protrude from the bottom surface of the sealing resin 30,
The standoff is formed when the board is mounted. Here, the land structure 2 of the resin-sealed semiconductor device 32
The protrusion amount of 6 is the amount obtained by subtracting the protrusion amount of the land structure 26 from the thickness amount of the frame body, and the standoff as the external land electrode of the land structure 26 is formed. In the present embodiment, the land structure 12 is used for the frame main body having a thickness of 200 [μm].
[Μm] to 180 [μm] (70 of the thickness of the frame body)
[%] To 90 [%]) Since the protrusion is made, the amount of the standoff height is 20 [μm] to 60 [μm] (10 [%] to 30 [%] of the thickness of the frame body), A land electrode having standoffs when mounted on a substrate can be obtained.
【００７９】以上の工程により、ランド構成体２６のう
ち、半導体素子搭載用のランド構成体２６ａ，２６ｂ，
２６ｃ上にその主面を上にして、銀ペースト等の導電性
接着剤により搭載された第１の半導体素子２７と、その
第１の半導体素子２７上にその主面を上にして、絶縁性
接着剤により積層して搭載された第２の半導体素子２８
と、ランド構成体２６のうち、第１の半導体素子２７の
周辺に配置された信号接続用のランド構成体２６ｄ，２
６ｅ，２６ｆ，２６ｇの各上面と第１の半導体素子２７
および第２の半導体素子２８の各電極パッドとを電気的
に接続した金属細線２９と、ランド構成体２６の底面を
突出させて第１の半導体素子２７、第２の半導体素子２
８、金属細線２９の外囲を封止した封止樹脂３０とより
なり、ランド構成体２６の封止樹脂３０からの突出量
は、ターミナルランドフレームのフレーム本体の厚み量
からランド構成体２６がフレーム本体から突出した量を
差し引いた量である樹脂封止型半導体装置を得る。Through the above steps, of the land structures 26, the land structures 26a, 26b for mounting semiconductor elements,
26c, with its main surface facing upwards, a first semiconductor element 27 mounted with a conductive adhesive such as silver paste, and on the first semiconductor element 27 with its main surface facing upwards, insulating properties Second semiconductor element 28 stacked and mounted with an adhesive
Of the land structures 26, the land structures 26d, 2 for signal connection arranged around the first semiconductor element 27.
6e, 26f, and 26g each upper surface and the first semiconductor element 27.
And the metal thin wire 29 electrically connecting each electrode pad of the second semiconductor element 28 and the bottom surface of the land structure 26 so that the first semiconductor element 27 and the second semiconductor element 2 are formed.
8 and the sealing resin 30 that seals the outer circumference of the thin metal wire 29, and the amount of protrusion of the land structure 26 from the sealing resin 30 depends on the thickness of the frame main body of the terminal land frame. A resin-sealed semiconductor device having an amount obtained by subtracting the amount protruding from the frame body is obtained.
【００８０】なお、本実施形態では、ターミナルランド
フレームに対して、第１の半導体素子を搭載した後、そ
の上に第２の半導体素子を搭載しているが、第１の半導
体素子に対して第２の半導体素子を搭載した半導体素子
ブロックをターミナルランドフレームに一括で搭載して
もよい。In this embodiment, the first semiconductor element is mounted on the terminal land frame and then the second semiconductor element is mounted thereon. The semiconductor element blocks having the second semiconductor element mounted thereon may be collectively mounted on the terminal land frame.
【００８１】また第１の半導体素子をターミナルランド
フレームの各ランド構成体に対してバンプ電極を介して
その電極面を下にしてフリップチップ接合し、その第１
の半導体素子の裏面に対して第２の半導体素子を搭載し
てもよい。また第１の半導体素子の上面に対して第２の
半導体素子をバンプ電極を形成してフリップチップ接合
してもよい。Further, the first semiconductor element is flip-chip bonded to each land constituting body of the terminal land frame with the electrode surface facing down through the bump electrode, and the first
The second semiconductor element may be mounted on the back surface of the semiconductor element. Alternatively, the second semiconductor element may be flip-chip bonded to the upper surface of the first semiconductor element by forming bump electrodes.
【００８２】さらに本実施形態では第１の半導体素子と
ランド構成体、第２の半導体素子とランド構成体とをそ
れぞれ金属細線で接続する例を示したが、第１の半導体
素子と第２の半導体素子とが金属細線で接続する場合に
おいても、同様にターミナルランドフレームを用いて樹
脂封止型半導体装置を形成できる。Further, in the present embodiment, an example in which the first semiconductor element and the land structure body and the second semiconductor element and the land structure body are respectively connected by the fine metal wires is shown, but the first semiconductor element and the second structure element are connected to each other. Even when the semiconductor element is connected to the metal thin wire, the resin-sealed semiconductor device can be similarly formed by using the terminal land frame.
【００８３】また本実施形態では、第１の半導体素子の
上に第２の半導体素子を搭載する２重構造としたが、３
つ以上の半導体素子を積層することも可能である。Further, in this embodiment, the double structure in which the second semiconductor element is mounted on the first semiconductor element is adopted.
It is also possible to stack one or more semiconductor elements.
【００８４】以上、本実施形態で示したようなターミナ
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、ランド構成体の下方からの突き
上げによりフレーム自体を除去するだけで、樹脂封止型
半導体装置の底面部分に半導体素子と電気的に接続した
ランド電極を配列することができる。その結果、面実装
タイプの半導体装置が得られ、従来のようなリード接合
による実装に比べて、基板実装の信頼性を向上させるこ
とができる。さらに樹脂封止型半導体装置において、各
ランド構成体の封止樹脂からの突出量は、使用したター
ミナルランドフレーム本体の厚み量から各ランド構成体
自体がそのフレーム本体から突出した量を差し引いた量
であり、フレーム本体から製品を分離した時点で基板実
装時のスタンドオフが構成されるものであり、あえて別
工程でランドのスタンドオフを形成する必要がないもの
である。As described above, by using the terminal land frame as shown in this embodiment, after mounting the semiconductor element and sealing with resin, the frame itself is removed by pushing up the land structure from below. Land electrodes electrically connected to the semiconductor elements can be arranged on the bottom surface of the resin-sealed semiconductor device. As a result, a surface-mounting type semiconductor device is obtained, and the reliability of board mounting can be improved as compared with the conventional mounting by lead bonding. Furthermore, in the resin-sealed semiconductor device, the amount of protrusion of each land structure from the sealing resin is the amount of the thickness of the terminal land frame body used minus the amount of each land structure itself protruding from the frame body. That is, the standoff for mounting on the substrate is configured when the product is separated from the frame body, and it is not necessary to form the standoff of the land in a separate process.
【００８５】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた基板を用いるものでなく、ターミナルランドフレ
ームという金属板からなるフレーム本体から半導体装置
を構成するので、量産性、コスト性などの面において
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも有利とな
る。さらに製品加工工程において、上述のごとく、フレ
ーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を得ること
ができるので、従来のようなフレームからの分離におい
て必要であったリードカット工程、リードベンド工程を
なくし、リードカットによる製品へのダメージやカット
精度の制約をなくすことができ、製造工程の削減によっ
てコスト力を強めた画期的な技術を提供できるものであ
る。Further, unlike the BGA type semiconductor device, the resin-sealed semiconductor device of this embodiment does not use a substrate provided with land electrodes, but includes a terminal land frame, which is a frame main body made of a metal plate and includes a semiconductor device. Therefore, in terms of mass productivity and cost, it is more advantageous than the conventional BGA type semiconductor device. Furthermore, in the product processing process, as described above, a completed product can be easily obtained by only separating the frame body. Therefore, the lead cutting process and the lead bending process that were required in the conventional separation from the frame. It is possible to eliminate the damage to the product due to the lead cutting and the restriction of the cutting accuracy, and to provide the epoch-making technology which strengthened the cost power by reducing the manufacturing process.
【００８６】[0086]
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置は
ターミナルランドフレームを用いることにより、従来の
ようなビーム状のリード電極に代えて、ランド電極を有
した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そ
して本発明により、樹脂封止型半導体装置の底面のラン
ド電極を基板等を用いることなく、フレーム状態から形
成でき、また自己整合的にランド電極のスタンドオフを
形成できるものであり、従来にないフレーム構造、工法
によりランド電極を有したリードレスパッケージ型の樹
脂封止型半導体装置を実現することができるものであ
る。As described above, the resin-sealed semiconductor device of the present invention uses the terminal land frame to replace the conventional beam-shaped lead electrode with a resin-sealed semiconductor device having a land electrode. Can be realized. Further, according to the present invention, the land electrode on the bottom surface of the resin-encapsulated semiconductor device can be formed from a frame state without using a substrate or the like, and the standoff of the land electrode can be formed in a self-aligned manner, which is not available in the past. It is possible to realize a leadless package type resin-sealed semiconductor device having a land electrode by a frame structure and a construction method.
【００８７】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、従来のようにフレーム製作上のラインアンドス
ペース、設計仕様などの制約をなくし、リードがない
分、リードカット工程、リードベンド工程が不要であっ
て、樹脂封止後は突き上げ処理により、容易にフレーム
本体を分離して、樹脂封止後の半導体装置を得ることが
でき、工程削減による低コスト製造を実現できるもので
ある。さらに、樹脂封止の際の樹脂モレがなく、またラ
ンド構成体上への樹脂バリの発生もないため、樹脂バリ
除去工程等の後工程が不要である。In addition, in the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device, there are no restrictions such as line and space in the frame manufacturing and design specifications as in the conventional case, and since there are no leads, the lead cutting step and the lead bending step are unnecessary. After the resin sealing, the frame main body can be easily separated by the push-up process to obtain the resin-sealed semiconductor device, and low-cost manufacturing can be realized by reducing the steps. Further, since there is no resin leakage during resin sealing and no resin burr is generated on the land structure, a post-process such as a resin burr removing process is unnecessary.
【００８８】さらに本発明のターミナルランドフレーム
を用いることにより、ターミナルランドフレーム上に搭
載した半導体素子の上に第２の半導体素子を積層搭載
し、積層型マルチチップパッケージを効率よく形成でき
るものである。Further, by using the terminal land frame of the present invention, the second semiconductor element can be stacked and mounted on the semiconductor element mounted on the terminal land frame, and the stacked multi-chip package can be efficiently formed. .
【図１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図FIG. 1 is a plan view showing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図FIG. 3 is a sectional view showing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図FIG. 4 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the terminal land frame according to the embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図FIG. 5 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the terminal land frame according to the embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図FIG. 6 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the terminal land frame according to the embodiment of the present invention.
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図FIG. 7 is a sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図FIG. 8 is a bottom view showing the resin-sealed semiconductor device according to the embodiment of the present invention.
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図FIG. 9 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of one embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図FIG. 10 is a sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図FIG. 11 is a sectional view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図FIG. 12 is a plan view showing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図FIG. 13 is a sectional view showing a terminal land frame according to an embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 14 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of one embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 15 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of one embodiment of the present invention.
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 16 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of one embodiment of the present invention.
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 17 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of one embodiment of the present invention.
【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 18 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of one embodiment of the present invention.
【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 19 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of one embodiment of the present invention.
【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 20 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of one embodiment of the present invention.
【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図FIG. 21 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of one embodiment of the present invention.
【図２２】従来のリードフレームを示す平面図FIG. 22 is a plan view showing a conventional lead frame.
【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図FIG. 23 is a sectional view showing a conventional resin-sealed semiconductor device.
【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図FIG. 24 is a plan view showing a method for manufacturing a conventional resin-sealed semiconductor device.
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ タイバー部 ７ 半導体素子 ８ 金属細線 ９ 封止樹脂 １０ フレーム本体 １１ 薄厚部 １２ ランド構成体 １２ａ 底面部分 １２ｂ 上面部分 １３ 金属板 １４ ダイ部 １５ 押え金型 １６ 開口部 １７ パンチ部材 １８ 抜きダレ部 １９ せん断部 ２０ 破断部 ２１ 導電性接着剤 ２２ 半導体素子 ２３ 金属細線 ２４ 封止樹脂 ２５ 樹脂封止型半導体装置 ２６ ランド構成体 ２７ 第１の半導体素子 ２８ 第２の半導体素子 ２９ 金属細線 ３０ 封止樹脂 ３１ ダイパッド部 ３２ 樹脂封止型半導体装置 1 frame 2 Die pad part 3 Hanging leads 4 Inner lead part 5 Outer lead part 6 tie bar section 7 Semiconductor element 8 thin metal wires 9 Sealing resin 10 frame body 11 Thin section 12 land components 12a bottom part 12b Top surface part 13 Metal plate 14 Die part 15 Presser die 16 openings 17 Punch member 18 Without sag 19 Shear section 20 Break 21 Conductive adhesive 22 Semiconductor element 23 Metal fine wire 24 Sealing resin 25 Resin-sealed semiconductor device 26 Land structure 27 First semiconductor element 28 Second semiconductor element 29 thin metal wires 30 sealing resin 31 Die pad part 32 Resin-sealed semiconductor device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 25/18 (56)参考文献 特開 平10−256460（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−165550（ＪＰ，Ａ) 特許2986788（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/12 H01L 23/52 H01L 25/065 H01L 25/07 H01L 25/18 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI H01L 25/18 (56) References JP 10-256460 (JP, A) JP 3-165550 (JP, A) Patent 2986788 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/50 H01L 23/12 H01L 23/52 H01L 25/065 H01L 25/07 H01L 25/18
Claims (5)
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大き
い複数のランド構成体とよりなり、前記ランド構成体は
前記フレーム本体から突出した方向への押圧力によって
のみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体が前記
フレーム本体より分離される構成であるターミナルラン
ドフレームを用いて形成された樹脂封止型半導体装置で
あって、前記ランド構成体のうち、半導体素子搭載用の
ランド構成体上に搭載された第１の半導体素子と、前記
第１の半導体素子上に積層して搭載された第２の半導体
素子と、前記ランド構成体のうち、前記第１の半導体素
子の周辺に配置された信号接続用のランド構成体の各上
面と前記第１の半導体素子もしくは前記第２の半導体素
子、または前記第１の半導体素子および第２の半導体素
子の各電極とを電気的に接続した金属細線と、前記各ラ
ンド構成体の底面を突出させて前記第１の半導体素子、
第２の半導体素子、金属細線の外囲を封止した封止樹脂
とよりなり、前記各ランド構成体の封止樹脂からの突出
量は、前記フレーム本体の厚み量から前記各ランド構成
体が前記フレーム本体から突出した量を差し引いた量で
あることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。1. A frame main body made of a metal plate and formed in a region of the frame main body, connected to the frame main body by a thin portion and protruding from the frame main body, and having an area of a bottom surface thereof. The land structure is composed of a plurality of land structures having a larger upper surface area than the frame body, and the land structure is broken by the pressing force only in the direction in which the land structure protrudes from the frame body. A resin-sealed semiconductor device formed by using a terminal land frame having a further separated structure, wherein a first semiconductor mounted on a land structure for mounting a semiconductor element among the land structures. An element, a second semiconductor element stacked and mounted on the first semiconductor element, and arranged in the periphery of the first semiconductor element in the land structure. A metal that electrically connects each upper surface of the land structure for signal connection to the first semiconductor element or the second semiconductor element, or each electrode of the first semiconductor element and the second semiconductor element A thin wire, and a bottom surface of each of the land structures protruding so as to project the first semiconductor element;
The second semiconductor element is made of a sealing resin that seals the outer circumference of the thin metal wire, and the amount of protrusion of each land structure from the sealing resin is determined by the thickness of the frame body. A resin-encapsulated semiconductor device, wherein the amount is the amount obtained by subtracting the amount of protrusion from the frame body.
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大き
い複数のランド構成体と半導体素子支持用のダイパッド
部とよりなり、前記ランド構成体および半導体素子支持
用のダイパッド部はフレーム本体から突出した方向への
押圧力によってのみ、前記薄厚部が破断されて前記ラン
ド構成体および半導体素子支持用のダイパッド部が前記
フレーム本体より分離される構成であるターミナルラン
ドフレームを用いて形成された樹脂封止型半導体装置で
あって、前記半導体素子支持用のダイパッド部上に搭載
された第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子上に
積層して搭載された第２の半導体素子と、前記第１の半
導体素子の周辺に配置された前記ランド構成体の各上面
と前記第１の半導体素子もしくは前記第２の半導体素
子、または前記第１の半導体素子および第２の半導体素
子の各電極とを電気的に接続した金属細線と、前記ラン
ド構成体の底面を突出させて前記第１の半導体素子、第
２の半導体素子、金属細線の外囲を封止した封止樹脂と
よりなり、前記ランド構成体およびダイパッド部の封止
樹脂からの突出量は、前記フレーム本体の厚み量から前
記ランド構成体，ダイパッド部が前記フレーム本体から
突出した量を差し引いた量であることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。2. A frame main body made of a metal plate and formed in a region of the frame main body, connected to the frame main body by a thin portion and protruding from the frame main body, and having an area of a bottom surface thereof. The upper surface area is composed of a plurality of land structure body and a semiconductor element supporting die pad portion, the land structure body and the semiconductor element supporting die pad portion only by a pressing force in a direction protruding from the frame body, A resin-sealed semiconductor device formed by using a terminal land frame having a structure in which the thin structure is broken and the land structure and a die pad part for supporting a semiconductor element are separated from the frame body, A first semiconductor element mounted on a die pad portion for supporting a semiconductor element, and stacked and mounted on the first semiconductor element A second semiconductor element, each upper surface of the land structure arranged around the first semiconductor element, the first semiconductor element or the second semiconductor element, or the first semiconductor element and the first semiconductor element and the second semiconductor element. The metal thin wire electrically connecting each electrode of the second semiconductor element and the bottom surface of the land structure are projected to seal the outer circumference of the first semiconductor element, the second semiconductor element, and the metal thin wire. The amount of protrusion of the land structure body and the die pad portion from the sealing resin is an amount obtained by subtracting the amount of protrusion of the land structure body and the die pad portion from the frame body from the thickness of the frame body. The resin-sealed semiconductor device according to claim 1.
レーム本体の領域内に配設されて、薄厚部により前記フ
レーム本体と接続し、かつ前記フレーム本体よりも突出
して形成され、その底面の面積よりも上面の面積が大き
い複数のランド構成体とよりなり、前記ランド構成体は
前記フレーム本体から突出した方向への押圧力によって
のみ、前記薄厚部が破断されて前記ランド構成体が前記
フレーム本体より分離される構成であるターミナルラン
ドフレームを用意する工程と、前記ターミナルランドフ
レームのランド構成体のうち、半導体素子搭載用のラン
ド構成体の突出した側に第１の半導体素子を搭載する工
程と、前記第１の半導体素子の上面に第２の半導体素子
を積層して搭載する工程と、前記第１の半導体素子もし
くは前記第２の半導体素子、または前記第１の半導体素
子および第２の半導体素子の各電極と前記第１の半導体
素子の周辺の信号接続用のランド構成体とを各々金属細
線により電気的に接続する工程と、前記第１の半導体素
子、第２の半導体素子、金属細線の外囲であって、前記
ターミナルランドフレームの上面側のみを封止樹脂によ
り封止し、樹脂封止型半導体装置を形成する工程と、前
記ターミナルランドフレームの前記フレーム本体を固定
した状態で前記フレーム本体の底面側から前記各ランド
構成体の底面側に対して押圧力を印加し、各ランド構成
体とフレーム本体とを接続している薄厚部を破断させ、
前記フレーム本体から樹脂封止型半導体装置を分離する
工程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法。3. A frame main body made of a metal plate and formed in a region of the frame main body, connected to the frame main body by a thin portion and protruding from the frame main body, and having an area of a bottom surface thereof. The land structure is composed of a plurality of land structures having a larger upper surface area than the frame body, and the land structure is broken by the pressing force only in the direction in which the land structure protrudes from the frame body. A step of preparing a terminal land frame having a further separated structure; and a step of mounting a first semiconductor element on a protruding side of a land constituent body for mounting a semiconductor element among the land constituent bodies of the terminal land frame. A step of stacking and mounting a second semiconductor element on the upper surface of the first semiconductor element, and the first semiconductor element or the second semiconductor element. Body element, or a step of electrically connecting each electrode of the first semiconductor element and the second semiconductor element and a land structure for signal connection around the first semiconductor element with a thin metal wire, A step of forming a resin-encapsulated semiconductor device by encapsulating only the upper surface side of the terminal land frame with an encapsulation resin, which is the outer periphery of the first semiconductor element, the second semiconductor element, and the thin metal wire. , A pressing force is applied from the bottom surface side of the frame main body to the bottom surface side of each of the land structures in a state where the frame main body of the terminal land frame is fixed, and each land structure is connected to the frame main body. Rupture the thin part
And a step of separating the resin-encapsulated semiconductor device from the frame body.
体のうち、半導体素子搭載用のランド構成体の突出した
側に第１の半導体素子を搭載する工程では、ランド構成
体の突出した側に第１の半導体素子をその主面を上にし
て接着することを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法。4. In the step of mounting the first semiconductor element on the protruding side of the land forming body for mounting the semiconductor element in the land forming body of the terminal land frame, the first side is formed on the protruding side of the land forming body. The method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to claim 3, wherein the semiconductor element is bonded with its main surface facing upward.
素子を積層して搭載する工程では、第２の半導体素子を
その主面を上にして第１の半導体素子上に接着して積層
することを特徴とする請求項３に記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法。5. In the step of stacking and mounting the second semiconductor element on the upper surface of the first semiconductor element, the second semiconductor element is bonded onto the first semiconductor element with its main surface facing upward. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 3, wherein the resin-sealed semiconductor device is laminated.
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