JP2006528413A - 有機電子デバイス - Google Patents
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- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 194
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 70
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 14
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 80
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 description 60
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 24
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 20
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 12
- -1 conductive Substances 0.000 description 12
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 8
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015275 MoF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004529 TaF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N iodomethane Chemical compound IC INQOMBQAUSQDDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006224 matting agent Substances 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001511 metal iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- HTJNDQNBKKHPAQ-UHFFFAOYSA-N oxotin zirconium Chemical compound [Sn]=O.[Zr] HTJNDQNBKKHPAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003214 poly(methacrylonitrile) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000012748 slip agent Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Abstract
Description
(b)有機層と、
(c)有機層に覆い被さる第1の導電性部材であって、この場合、導電性リードに最も近い第1の導電性部材の一面および導電性リードに最も近い有機層の一面が、互いに実質的に隣接し、かつ、平面図において、導電性リードおよび第1の導電性部材が互いに離間されている第1の導電性部材と、
(d)第1の導電性部材を導電性リードに電気的に接続する第2の導電性部材と
を含む有機電子デバイスである。
後述の実施形態の詳細を扱う前に、いくつかの用語が定義され、または明確にされる。本明細書で使用されるとき、用語「アレイ」、「周辺回路」、および「リモート回路」は、有機電子デバイスの異なる領域または構成部品を意味することを意図している。例えば、アレイは、相当数の画素、セル、または、規則的な配置(通常行と列で示される)内の他の構造を含むことができる。画素、セル、またはアレイ内の他の構造は、周辺回路によって局所的に制御することができ、周辺回路は、同じ有機電子デバイス内にアレイとして、しかしアレイそれ自体の外側に位置することができる。リモート回路は、一般に周辺回路から離れて位置し、信号をアレイに送信し、または、アレイから信号を受信する(通常周辺回路を介して)。リモート回路はまた、アレイに無関係な機能を行うことができる。リモート回路は、アレイを有する基板に属しても属さなくてもよい。
さて、図1〜10に記載しかつ示した第1の組の実施形態の詳細に注意を向けたい。そこでは、1つまたは複数の下にある有機材料をドライエッチングするとき、有機電子デバイスの性能に敏感な要素が、具体的にはマスクとしてパターン化した導電層を使用してドライエッチングされる。有機電子デバイスを形成する際に現在使用されている材料が使用できる。したがって、プロセス開発および新規な材料を組込むという懸念を回避できる。
一実施形態では、有機電子デバイスの性能に敏感な要素のドライエッチング方法は、
(a)少なくとも1つの性能に敏感な要素を、第1の導電性部材から離間されて基板上に配置する工程であって、性能に敏感な要素のうちの少なくとも1つが導電性リードである工程と、
(b)性能に敏感な要素および第1の導電性部材の上に有機材料を配置する工程と、
(c)性能に敏感な要素の予め定められた部分を露出させるように、その有機材料の上にパターン化した導電層を形成する工程と、
(d)性能に敏感な要素が露出する領域において、少なくとも1種の酸素含有ガスを使用して、有機材料をドライエッチングする工程と
を含む。
基板上に第1の導電性部材および導電性リードを形成する工程であって、第1の導電性部材および導電性リードが互いに離間されている工程と、
基板上に有機層、第1の導電性部材、および導電性リードを形成する工程と、
その有機層の上にパターン化した導電層を形成する工程であって、パターン化した導電層が第2の導電性部材を含み、およびパターン化した導電層が、有機層の露出部分および有機層の非露出部分を作り出す工程と、
少なくとも1種の酸素含有ガスを使用して、有機層の露出部分をドライエッチングして、導電性リードの一部を露出させる工程。
第1のシャドーマスク40のパターンとは異なるパターンを有する、図8に示すような第2のシャドーマスク80を使用してパターン化した導電層が形成される。開口部82は、導電性部材がその後に形成される領域に対応する。開口部82は開口部42に類似しているが、ただし、それは、有機電子デバイスの平面図の上から見たとき、導電性部材522および524の長方向に平行な方向がより長いことを除く。破線42は、マスク40の開口部の横方向の端部に対応する。開口部82内には材料が存在しないので、破線は参照用に使用したにすぎないことに留意されたい。開口部82の幅は、導電性部材522および524の長方向に垂直な方向において、実質的に同じかまたは開口部42より狭い場合がある。開口部82の長さの重要性は、この明細書の後半に扱われる。固体材料84を使用して、どんな材料も基板10の望ましくない部分の上に蒸着されるのを実質的に防ぐ。周辺およびリモート回路領域では、開口部(図示せず)が存在し、アレイとアレイの外側の回路を互いに電気的に接続するのに使用される。
別の実施形態では、フルカラーのアクティブマトリックス・ディスプレイを形成することができる。有機井戸構造の絶縁層が、導電性部材12および導電性リード14を形成した後、順番に形成することができる。また、有機活性層34の部分は、画素内に異なる色相を実現できるインクジェットを使用して、有機色素を選択的に受け入れることができる。アクティブマトリックスの場合、一般のカソードが使用されることになるとき、アノードが、帯板とは対照的にパッドの形をしているはずなので、カソード分離層22は形成されないだろう。アクティブマトリックスOLEDディスプレイが形成される場合、薄膜回路が基板10と一緒に存在することになる。かかる薄膜回路は従来型である。
Claims (7)
- 導電性リードと、
有機層と、
有機層に覆い被さる第1の導電性部材であって、
導電性リードに最も近い第1の導電性部材の一面および導電性リードに最も近い有機層の一面が互いに実質的に隣接し、かつ、
平面図において、導電性リードおよび第1の導電性部材が互いに離間されている第1の導電性部材と、
第1の導電性部材を導電性リードに電気的に接続する第2の導電性部材と
を含むことを特徴とする有機電子デバイス。 - 基板と、
基板に覆い被さる第3の導電性部材であって、第3の導電性部材が導電性リードから離間され、かつ、第1の導電性部材または第2の導電性部材のいずれにも接触しない第3の導電性部材と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。 - 前記有機層が、第3の導電性部材に覆い被さり、かつ、正孔輸送層および有機活性層を含むことを特徴とする請求項2に記載のデバイス。
- 前記基板が、ポリマーフィルムを含むことを特徴とする請求項2に記載のデバイス。
- 前記有機層が、電荷輸送材料、耐クエンチング材料、発光材料、または光検出材料である少なくとも1種の材料を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のデバイス。
- 前記有機電子デバイスが、発光ダイオード、発光ディスプレイ、放射線感受性デバイス、光伝導セル、光電池、フォトレジスタ、光スイッチ、光検出器、フォトトランジスタ、または光電管であることを特徴とする請求項1または2に記載のデバイス。
- 前記デバイスが、有機発光ダイオードディスプレイであることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/625,037 US7002292B2 (en) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | Organic electronic device |
PCT/US2004/023666 WO2005010991A1 (en) | 2003-07-22 | 2004-07-22 | Organic electronic device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006528413A true JP2006528413A (ja) | 2006-12-14 |
Family
ID=34080120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006521251A Pending JP2006528413A (ja) | 2003-07-22 | 2004-07-22 | 有機電子デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7002292B2 (ja) |
EP (1) | EP1647055A1 (ja) |
JP (1) | JP2006528413A (ja) |
KR (1) | KR101218850B1 (ja) |
CN (1) | CN100505255C (ja) |
TW (1) | TWI353194B (ja) |
WO (1) | WO2005010991A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7271534B2 (en) * | 2003-11-04 | 2007-09-18 | 3M Innovative Properties Company | Segmented organic light emitting device |
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-
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- 2004-07-21 TW TW093121768A patent/TWI353194B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-22 KR KR1020067001368A patent/KR101218850B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-07-22 WO PCT/US2004/023666 patent/WO2005010991A1/en not_active Application Discontinuation
- 2004-07-22 CN CNB2004800191643A patent/CN100505255C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-22 EP EP04778956A patent/EP1647055A1/en not_active Withdrawn
- 2004-07-22 JP JP2006521251A patent/JP2006528413A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050017628A1 (en) | 2005-01-27 |
US7002292B2 (en) | 2006-02-21 |
CN100505255C (zh) | 2009-06-24 |
TWI353194B (en) | 2011-11-21 |
WO2005010991A1 (en) | 2005-02-03 |
KR101218850B1 (ko) | 2013-01-07 |
KR20060056339A (ko) | 2006-05-24 |
EP1647055A1 (en) | 2006-04-19 |
TW200509746A (en) | 2005-03-01 |
CN1816912A (zh) | 2006-08-09 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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