JP2006519493A

JP2006519493A - テンプレートでクラスタが集合した線

Info

Publication number: JP2006519493A
Application number: JP2006502764A
Authority: JP
Inventors: サイモンアンソニーブラウン; ジェームスゴードンパートリッジ
Original assignee: Nano Cluster Devices Ltd
Current assignee: Nano Cluster Devices Ltd
Priority date: 2003-02-07
Filing date: 2004-01-29
Publication date: 2006-08-24
Also published as: CA2515105A1; AU2004208967B2; CN1768001A; US20060258132A1; WO2004069735A1; EP1597194A4; EP1597194A1; AU2004208967A1; KR20050115861A

Abstract

例えば電子デバイスなどで使用するために、導電性の線状構造を準備する方法、およびこのような方法によって形成するデバイスについて述べる。前記構造を準備するこのような方法の一例は、線状構造の形成を補助するために、表面テンプレートを使用した導電粒子の集合を使用する。前記構造はナノ規模で準備してよいが、最大でマイクロ規模でも準備してよい。

Description

本発明は電子デバイスに使用する導電性線状構造を準備する方法、およびこのような方法で形成したデバイスに関する。特に、本発明は、線状構造の形成を補助するために表面テンプレートを使用して、導電性粒子を集合させることによって、このようなナノ規模の構造であるが、ミクロン規模までもの構造を準備する方法に関するが、排他的ではない。

ナノテクノロジは、２１世紀の重要な技術として認識されている。この技術は、十億分の数メートルの規模で電子、光、光電子デバイスを製造する能力を中心とする。将来は、このようなデバイスは新しい計算および通信技術を支援し、膨大な量の消費財に組み込まれるようになる。

ナノ規模のデバイスを製造することには、多くの利点がある。最も単純なケースでは、このようなデバイスは（集積回路で使用するトランジスタのような）現在の商用デバイスよりはるかに小さく、パッケージング密度を上げ、電力消費量を下げて、速度を上げるチャンスを提供する。また、このような小さいデバイスは、これより大きい規模で製造したデバイスとは基本的に異なる特性を有することができ、完全に新しいデバイスの用途にチャンスを提供する。

この分野における難問の１つは、量子物理学の法則を利用するナノ構造のデバイスを開発することである。量子の原理で作動する約１００ｎｍの寸法の電気デバイス（単一電子トランジスタおよび量子細線など）は、概ね低温（＜−１００℃）でしか証明されていない。現在の難問は、この同じデバイスの概念を、数ナノメートルしかない寸法の構造に移し替えることである。というのは、量子効果の全範囲および新規のデバイスの機能を室温で使用可能にできるからである。実際、以下で検討するように、製造されているプロトタイプのナノ規模デバイスでは、このような量子効果を比較的高温で実際に示すものもある。しかし、これも以下で検討するように、このようなデバイスが商業的な用途を見いだす前に、克服すべき多くの難問が残っている。

概して、ナノ規模のデバイスを製造するには、２つの別個のアプローチがある。
−「トップダウン」および
−「ボトムアップ」である。

「トップダウン」方式では、リソグラフィとエッチングの組み合わせによってデバイスを生成する。分解能の限界は、例えばリソグラフィ・プロセスで使用する光の波長などによって決定される。リソグラフィは、高度に発達した信頼できる技術であり、スループットが高いが、（ＵＶ放射線を使用する）現在の最新技術は、多大な費用をかけないと約１０ｎｍの寸法のデバイスを達成することができない。他のリソグラフィ技術（例えば電子線リソグラフィ）は、（原則的に）高い分解能を提供するが、スループットがはるかに低くなる。

「ボトムアップ」方式は、ナノ規模の構成単位からデバイスを組み立てることを提案し、したがってナノ規模の分解能を即座に達成するが、この方式は通常、様々な他の問題がある。構成単位を組み立てるために必要になることがある困難さ、費用、および長い期間などである。重要な問題は、両方式の最善の特徴を獲得したデバイスを製造する一方、各方式に固有の問題を回避するために、トップダウン方式とボトムアップ方式を組み合わせることができるか否か、である。

この方式の組み合わせを使用しようと試みる先行技術の開発の例は、炭素のナノチューブからトランジスタの製造に非常に成功している［１］。リソグラフィを使用して接点を製造し、ナノ規模の構成単位を（ナノメートル厚さの端子ナノチューブの形態で）使用して、接点間の導電路を提供する。これらのトランジスタは、量子輸送効果を呈し、集積回路に使用されるＳｉ−ＭＯＳＦＥＴに匹敵するトランジスタ特性を有することが示され［２、３］、したがって原則的に商業的用途に使用可能である。しかし、再現可能なデバイスを形成するために単独のナノチューブを隔離し、操作することの困難さが、広範囲な商業的使用を妨げている。したがって、導電性接点間にナノ規模の線構造を形成するための新技術を開発することが、重要な技術的問題である。

ナノ細線の形成方法の一般的背景
ナノ規模の線を形成するための１つの単純な方法は、わずか数個の原子の直径で破壊点に近づくまで、比較的大きな線を伸張する（例えば参考文献［４］およびその参考文献を参照；走査トンネル型顕微鏡を使用して、同様の効果を達成することができる）。この時点で、破壊した接続点が量子化したコンダクタンスを呈することがある。この技術は、興味深いが、デバイスの形成にはそれほど適切でない。一般的に、この技術は制御が困難であり、１回に１本の線しか製造できず、複数端子のデバイスを容易に達成できないからである。

別の方法は、ナノメートルの規模の間隔で細い線および／または接点を達成するために、リソグラフィ技術と電子化学技術の組み合わせを使用することである［５］。Ｃｕを電気機械的に付着させると、量子化した伝導を観察することができ、このようなナノ細線から化学センサが開発されている［６］。これらのデバイスは有望であるが、商業的用途のためには、これを十分に制御可能または再現可能な状態で製造できるか、この方法を使用して、複数端子または他の電子デバイスを製造できることを、なお実証しなければならない。

参考文献［７］は、誘電媒質中に吊り下げられた個々のナノ細線を、２酸化シリコン基板上にリソグラフィで画定された２つの電極の間で位置決めするために使用する電界補助組立技術を記載している。位置合わせを誘導する力は、加えた交番電界におけるナノ細線の分極の結果である。Ａｕのナノ細線（直径３５０ｎｍ）は、電着を使用してナノ規模の孔があるアルミナ膜に形成し、次にイソプロピルアルコール中に吊り下げる。この方法は、効果的かつ非常に制御された方法で規定の長さおよび断面積の高品質な接点付きナノ細線を提供する。しかし、二重の電着および線と基板を適用するプロセス、および線の予備形成が必要である。これに対して、運動量方式のクラスタ・ナノ細線は、これが最終的に接続するデバイスの接点間に直接形成され、線の形成を感知する能力およびプロセスに固有の自己接触が重要な利点である。

参考文献［８］では、液状溶融物をナノ規模の孔があるアルミナ膜に射出することによって、極微細なナノ細線を合成する。直径がわずか１３ｎｍ、長さが３０〜５０μｍで充填密度が７．１×１０^１０ｃｍ^−２もある大面積（１０×１５ｍｍ）の平行な線が製造されている。ナノ細線のアレイの光吸収スペクトルは、これらのビスマスのナノ細線が２次元封じ込め効果による半金属から半導体への遷移を経験することを示す。この方法は、選択したナノ細線材料でナノ規模の孔があるアルミナを充填する他の方法と同様である。真空射出は、この技術を改良したものであり、電着を使用して可能な直径よりはるかに小さい線直径を獲得することができる。この方法は、接点がないナノ細線を提供するが、長さを規定することができ、非常に高い歩留まりを提供する。

ナノ細線は、ビスマスと窒化クロムで構成され、成長したばかりの複合物薄膜の表面から、毎秒数マイクロメートルという速度で、（室温にて）自然押し出し成形されている［９］。このような複合物薄膜の高い圧縮応力が、ナノ細線の形成に寄与する推進力である。このナノ細線生産方法は、単純に実行されるが、接点付きナノ細線にならず、均一な幅または長さのナノ細線が生産されない。

シリコンの接点間（間隔１００ｎｍ）に電着された銅線に、ナノ接合部が形成されている［１０］。所望の値に到達するまで、接点間の導電率を監視し、フィードバック回路を使用してめっき電位を制御した。電位を逆転することにより、確立した銅接続部をナノ規模の幅および高さまで薄くすることができた。この方法は、予備形成した接点を有する基板への制御下での電着に基づく。線に首部を形成し、これは幅が数ナノメートルで、量子閉じ込め特性を呈する。形成される接点ごとに監視し、逆めっきする能力が必要であることは、この技術がこのようなナノ接合部の大量生産に拡大できないことを意味する。この方法は、真のナノ細線の生産にも不適切である。

原子クラスタの付着により実現されるデバイス
単純な蒸着技術（例えば［１２、１３］参照）によって形成されたナノ規模の粒子である原子クラスタを使用して、数ナノメートルの規模の構造を形成できるという提案［１１］が、既に国際的に数グループの発想を捕らえている［１４］。クラスタは基板全体に拡散し［１５］、次に特定の表面形体で並び、したがってクラスタ鎖構造を生成できる［１６、１７、１８］ことが示されているが、これらの場合、鎖は通常、不完全で（空隙を有し）、このような鎖はこれまで、非導電性基板上の電気接点に接続されていない。この方法は、クラスタのサイズによって線の幅を制御するので有望であるが、有用な基板上に実際のデバイスを形成するようにクラスタを位置決めするという問題が、未だ解決されていない。

原子クラスタを使用して形成したデバイスが、参考文献［８、１９、２０］で報告され、クラスタ網は、電子線リソグラフィを使用して画定した２つの接点間に、ビーム蒸着方法［１５］によって形成される。この研究では、予備形成したナノ粒子を基板に付着させるのではなく、原子蒸気の付着によってクラスタを形成した。デバイスは、Ｔ＝７７Ｋでクーロン遮断を呈する［８］が、室温では量子効果が見られないのは明白である。この研究では、ＡｕＰｄおよびＡｕのクラスタのみ使用し、重要なことに、クラスタ網を通るこれらのデバイスの導電性はトンネル効果によるものであった。導電路を制御可能な状態で形成することになる方法は記載されず、２つの端子デバイスが記載されているのみであり、したがって上述したナノチューブ・トランジスタに類似したデバイスは形成されなかった。

単一（または非常に制限された数）のナノ規模粒子を組み込んだ幾つかのデバイス（例えば［２１、２２、２３］参照）が製造されている。これらのデバイスは、潜在的に非常に強力であるが、それと同等に、構成単位が集合するために必要となり得る費用および長い期間に伴う困難を経験する可能性が高い。デバイス間の再現性、およびナノ粒子の位置決めの困難さも、追加の問題となり得る。さらに、これらのデバイスの好ましい実施形態は、デバイスの性能にとって極めて重要な特性を有するトンネル・バリアによって、ナノ粒子を接点から隔離する必要がある。トンネル効果電流は、指数的にバリアの厚さに依存するからである。場合によっては、走査トンネル型顕微鏡を使用すると、遅く、拡張性がない製造プロセスになる。この分野における最近の進歩により、トンネル効果が生じるアイランドとして、単一の原子で最初の単一電子トランジスタが製造された［２３］。これは重大な業績であり、製造における自動組立の要素は魅力的であるが、このようなデバイスはなお商業生産からほど遠く、使用する方法は、大規模生産で実行不可能である。

ナノ規模デバイスの製造に関しては、湿式化学的方法（例えば［２１］参照）が有用であることも示され、ナノ粒子の位置決めの困難さを克服する方法として多少の有望性がある。これらの技術は、なお今後重要であるが、その限界には、これらの技術を使用して形成できるナノ粒子のタイプの範囲が制限されること、ナノ粒子を引きつける特定部位のコード化が困難であること、これまではスケーリングの適切性に関して解決されていない問題があることなどがある。

最後に、金属ナノ粒子の薄膜の浸透に関して、幾つかの実験（例えば［２４、２５、２６、２７、２８、２９］参照）を実施したことに言及する。通常、ナノ粒子を電気接点の間に付着させ、浸透閾値で導電性の明白な開始を観察することができる。膜がナノ規模の全体的寸法を有する（つまり接点間隔が小さい）ナノ粒子の膜の浸透について研究し、ナノ規模デバイスの形成方法として有用であると提案されたのは、ごく最近のことである［３０］。この提案の鍵は、浸透閾値で、またはその付近で、電気接点の幾何学的形状によって線状構造の形成を制御できるという認識である。

テンプレートによるナノ細線組立方法
Ｖ溝があるＩｎＰ基板上で、最小幅が５０ｎｍの大量のＡｕナノ細線が製造されている［３１］。フォトレジストのホログラフィ・レーザ干渉露光および異方性エッチングを使用して、ＩｎＰ（０１１）基板の表面にパターンを形成し、２００ｎｍ周期のＶ字形溝にした（鋸歯状）。次に、パターン形成した基板を薄いＡｕの膜で覆い、これはよく制御された湿式エッチング・プロセスを使用してナノ細線に構築する。本明細書で検討するクラスタが集合したナノ細線は、同様の基板トポロジを使用し、方法は両方とも、既存のデバイス接点の周囲にナノ細線を形成する能力を提供する。上述した湿式エッチング・プロセスは等方性であり、接点の監視を必要とする。パターン形成したフォトレジストの周囲をエッチングする場合に往々にして認められる加速アンダカット効果を回避するために、注意を払う必要がある。これは、歩留まりを下げ、労働集約的であることが判明している処理段階となる。

Ｖ字溝（鋸歯）パターンを形成したＩｎＰ基板上にＡｕおよびＦｅを斜めに同時蒸着することにより、幅が５０〜１２０ｎｍの範囲のＡｕＦｅナノ細線を準備した［３２］。このようなナノ細線の磁気特性を、４．２Ｋと３００Ｋの間の磁化および磁気抵抗測定で調査した。このプロセスも、Ｖ字溝シリコン・チャネルのクラスタ・アセンブリで使用するものと同様の基板トポロジを提供し、接点がある平面ナノ細線を生産するための安価で潜在的に歩留まりが高い手段であるが、原子付着を使用するので、これもクラスタ付着の利点を用いない。

フォトレジストの（２〜５μｍ幅の）線でパターン形成したＳｉ（１１１）表面に付着したＣｕ原子から、Ｃｕクラスタを鎖状に形成した［３３］。露光したＳｉ表面上の薄いＣｕ層に加えて、大きい（約１５０ｎｍ）クラスタがＳｉとレジスト細片との間の境界で核となる。これらのクラスタは、フォトレジストの溶解後も残る。この方法の主な欠点は、予めパターン形成した基板によって提供される隔離がないことである。レジストの階段状の縁部に凝集したクラスタに加えて、覆われていないシリコン表面に重大な膜が存在する。したがって、ナノ細線は抵抗値が不明の薄膜によって対になって接続される。クラスタのサイズを制御できるか不明であり、リソグラフィの通常の限界が、線の幅を決定できる分解能に当てはまる。

ＣａＦ_１およびＣａＦ_２のクラスタをシリコン（１１１）の階段状縁部に沿って集合させて、その後にフェロセン分子の光分解を介してＦｅナノ細線を付着させるためのマスクとして使用した［３４］。この技術は、シリコン表面の広範囲な前処理を伴い、このために予備形成した接点を使用できず、この方法を生産量が大きい用途に拡大することが妨げられる。

参考文献［３５］では、溶液から、フォトレジストで予めパターン形成した二酸化シリコン表面にＡｕのクラスタを付着させた。フォトレジストを除去した後、レジスト構造の縁部に沿って選択的なクラスタの蓄積が観察された。（参考文献３３のように）参考文献３３の方法の主要な欠点は、予めパターン形成した基板によって提供される隔離がないことであるが、参考文献［３５］では、これは親水性になるように二酸化シリコン基板を処理することによって克服されている。フォトレジストの縁部を有するナノ細線の間の区域に、まだ迷走Ａｕアイランドが形成され、したがってこれらのナノ細線を緊密に充填する可能性を損なう。線を形成するために標準的なリソグラフィ技術に頼ることも問題である。

直径の範囲が１５ｎｍから１μｍで、長さが最大５００μｍの金属モリブデン線を、２段階の手順で準備した［３６、３７］。酸化モリブデン線を階段状縁部に選択的に電着し、次に５００℃の水素ガスで還元し、Ｍｏにした。次に、金属ナノ細線をポリスチレン薄膜に埋め込み、グラファイト電極表面から持ち上げた。導電性を測定すると、塊状モリブデンのそれと同様であった。この技術を［３７］で使用し、水素感知の用途に向けてパラジウム・メソワイヤのアレイを生成した。この方法は大きい可能性を示し、大規模な用途が実証されているが、ポリスチレン・キャリア基板は多くの電子デバイス・アセンブリに適せず、初期基板からワイヤを持ち上げることは、比較的手荒い手順であり、線の廃却率に重大な影響を及ぼすことがある。

近接ＣａＦ_２表面に周期的なナノ規模のＡｇ線のアレイを製造することは、３ｎｍ直径のＡｇクラスタを使用し、イオン・ビームで研磨したＣａＦ_２表面上に形成された段に蓄積するまで、ＡＦＭチップによってこれを移動することによって達成された。［３８］この技術は、極めて労働力および時間がかかる。ナノ細線を形成できるこの速度は、純粋に科学的な用途以外では現実的ではない。

付着した金のクラスタから規則正しいアセンブリを形成することは、厚さ２ｎｍの炭素膜上に形成した２〜８ｎｍの金のナノ結晶を使用して達成された。［３９］凝集が認められ、非常に狭いサイズ範囲の無傷のナノ結晶を、衝撃エネルギーが４０ｅＶ未満である限り付着することができる。その後、衝撃後にナノ結晶の表面が運動して、クラスタ同士が衝突し、比較的大きいクラスタ（＞４ｎｍ）の場合は凝集物を生成するが、比較的小さいクラスタ（＜３．５ｎｍ）の場合は、完全に融解し、再形成して、ほぼ球面対称の比較的大きい凝集クラスタになる。凝集は、炭素膜の欠陥にて増大する。参考文献［４０］では、予め形成した金のクラスタを機能化したグラファイト表面に付着して、サンプルを生成する。集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）ナノエングレービング技術を使用して、表面欠陥を獲得する。炭素／グラファイト膜上にクラスタを集合させるこの方法［３９、４０］の主な欠点は、ナノデバイスをマイクロエレクトロニクスに集積することが現実的な最終目標となるためには、シリコン（不動態化しない、または不動態化する）が選択された基板材料でなければならず、炭素は単に不適切である。

上述した欠点のうち１つまたは複数を克服するか、少なくとも人々に有用な代替品を提供する、ナノ規模または最大でマイクロ規模の線状構造を準備する方法および／またはそれで形成したデバイスを提供することが、本発明の目的である。

本発明の第１の態様によると、基板上に粒子の少なくとも１つの導電性鎖を形成する方法が提供され、方法は、
ａ．トポグラフィ形体を提供するために基板表面を変更するか、基板表面上でトポグラフィ形体を識別するステップと、
ｂ．複数の粒子を準備するステップと、
ｃ．基板に複数の粒子を付着させるステップと、
ｄ．粒子の導電鎖を形成するステップとを備えるか、含む。

さらに、
ｉ基板表面上に２つ以上の接点を形成するステップがあることが好ましく、これは、
− ステップａの前、後、またはそれと同時であってよく、付着は接点間の領域で実行し、粒子の導電鎖は接点間にある、または、
− ステップｄの後でよく、接点は、粒子の導電鎖が自身の間にあるように配置してよく、その間に導電性を提供する。

変更は、基板表面に階段、窪みまたは隆起を形成することを含むことが好ましい。

変更は、ほぼＶ字形の断面または逆ピラミッド形の構造を有し、好ましくはほぼ接点間に延在する溝を形成することを含むことが好ましい。

表面を変更するステップは、
・エッチングの使用を伴い、基板材料の結晶学的面の異なるエッチング速度を利用したり、および／または
・リソグラフィを伴ったりすることが好ましい。

粒子は、０．５ｎｍと１００ミクロンの間のサイズにし、０．５ｎｍと１００ミクロンの間の幅の鎖を提供することが好ましい。

粒子は、Ｖ字溝のサイズより小さいことが好ましく、鎖は多数の粒子分の幅であることが好ましい。

粒子は、２つ以上の原子で構成することが好ましく、これは同じ元素でも、そうでなくてもよい。

粒子はナノ粒子であり、０．５ｎｍから１００ミクロンの寸法の鎖を提供することが、さらに好ましい。

粒子の導電鎖の形成は、少なくとも部分的には付着前に粒子に与えられた運動エネルギーによって生じる基板表面における、またはその上での粒子の移動、滑動、反跳または他の運動に頼ることが好ましい。

１００ミクロンより小さい距離だけ隔置された２つの接点があることが好ましく、接点が、１０００ｎｍ未満の距離だけ隔置されることが、さらに好ましい。

線の長さは、接点間の間隔、Ｖ字溝の長さ、または他の表面変更によって画定することが好ましい。

ナノ粒子は均一または不均一なサイズでよく、ナノ粒子の平均直径は０．５ｎｍと１，０００ｎｍの間であることが好ましい。

ナノ粒子の準備および付着ステップは、不活性ガスの凝集を介し、ナノ粒子は、同じ元素であるか、同じ元素でない複数の原子で構成される原子クラスタであることが好ましい。

基板は絶縁体または半導体材料であることが好ましく、基板はシリコン、窒化シリニン、酸化シリコン、酸化アルミ、インジウム錫酸化物、ゲルマニウム、ガリウム砒素または他のＩＩＩ−Ｖ半導体、クォーツまたはガラスから選択することが、さらに好ましい。

ナノ粒子は、ビスマス、アンチモン、アルミ、シリコン、プラチナ、パラジウム、ゲルマニウム、銀、金、銅、鉄、ニッケルまたはコバルト・クラスタから選択することが好ましい。

接点はリソグラフィで形成することが好ましい。

粒子の鎖の性質は、以下のうち１つまたは複数で制御することが好ましい。
・粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板へのクラスタ付着の入射角を制御する。
・粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板上のトポグラフィ形体の角度を制御する。
・不活性ガス凝集ソースおよび／または関連する真空システムのガス圧および／またはノズル直径および／またはノズルからのガスの速度を制御することによって、基板上に付着すべき粒子の運動エネルギーを調節または制御する。
・基板温度を制御する。
・基板表面の滑らかさを制御する。
・表面のタイプおよび／または素性を制御する。

少なくとも１つの導電鎖の形成は、以下の一方または両方によることが好ましい。
ｉ．接点間の導電性を監視し、導電の開始時または開始後に付着を中止する。
ｉｉ．所望の線の太さを達成するために、付着速度モニタを使用する。

鎖の導電は、粒子の付着中または付着後に電圧または電流を加えることによって開始することが好ましい。

付着前に、以下のプロセスのうち１つまたは複数を実行することが好ましい。
・粒子のイオン化
・粒子のサイズ選択
・クラスタの加速および集束
・入射粒子のその後の運動を変更するように、Ｖ字溝（または他のテンプレート）の表面を酸化するか他の方法で不動態化するステップ
・粒子が基板の一部（例えば表面変更部分間の非変更区域）から反跳し、それによって基板のその区域における導電路の形成を防止するように、粒子および基板材料、および粒子の運動エネルギーを選択すること
・形成される線の太さを制御するように、表面変更のサイズ（例えばＶ字溝の幅）を選択すること

本発明の第２の態様によると、ほぼ上記の方法により準備した基板上に、粒子の１つの導電鎖が提供される。

本発明の第３の態様によると、基板表面上の２つの接点間に導電線を形成する方法が提供され、方法は、
ａ．基板上に接点を形成するステップと、
ｂ．複数の粒子を準備するステップと、
ｃ．少なくとも接点間の領域で、基板に複数の粒子を付着させるステップと、
ｄ．２つの接点間の導電性を監視することによって、導電線の形成を監視し、導電の開始時またはその後に付着を中止するステップとを備えるか、含み、
接点は１００ミクロン未満の距離だけ隔置される。

粒子の導電鎖の形成は、基板の表面に形成されたトポグラフィ形体内へ、またはその近傍での、または既存のトポグラフィ形体内へ、またはその近傍での基板表面における、またはその上での粒子の移動、滑動、反跳または他の運動に頼ることが好ましい。

導電線の性質は、以下のうち１つまたは複数で制御することが好ましい。
・粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板へのクラスタ付着の入射角を制御する。
・粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板上のトポグラフィ形体の角度を制御する。
・不活性ガス凝集ソースおよび／または関連する真空システムのガス圧および／またはノズル直径および／またはノズルからのガスの速度を制御することによって、基板上に付着すべき粒子の運動エネルギーを調節または制御する。
・基板温度を制御する。
・基板表面の滑らかさを制御する。
・表面のタイプおよび／または素性を制御する。

方法は、ステップａ）またはｂ）の前または後であるが、少なくともステップｃ）の前に、導電路を生じるために、付着粒子の位置決めをトポグラフィ的に補助するように表面を変更する追加のステップを含むことが好ましい。

表面の変更は、基板表面に階段、窪みまたは隆起を形成することであることが好ましい。

変更は、ほぼＶ字形の断面または逆ピラミッド形の構造を有し、ほぼ接点間に延在する溝を形成することを含むことが好ましい。

粒子は、０．５ｎｍと１００ミクロンの間のサイズにし、０．５ｎｍと１００ミクロンの開の寸法の鎖を提供することが好ましい。

ナノ粒子は０．５ｎｍと１，０００ｎｍの間の平均直径を有し、均一または不均一なサイズであることが好ましい。

粒子の準備および付着ステップは、不活性ガスの凝集を介し、粒子は、同じ元素であるか、同じ元素でない２つ以上の原子で構成される原子クラスタであることが好ましい。

変更はリソグラフィおよびエッチングによることが好ましい。

基板は絶縁体または半導体材料であることが好ましく、基板はシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミ、インジウム錫酸化物、ゲルマニウム、ガリウム砒素または他のＩＩＩ−Ｖ半導体、クォーツ、ガラスから選択することが、さらに好ましい。

粒子は、ビスマス、アンチモン、アルミ、シリコン、プラチナ、パラジウム、ゲルマニウム、銀、金、銅、鉄、ニッケルまたはコバルト・クラスタから選択することが好ましい。

本発明の第４の態様によると、ほぼ上記の方法により準備した基板表面上の２つの接点間に、導電線が提供される。

本発明の第５の態様によると、基板表面上の２つの接点間に導電線を形成する方法が提供され、方法は、
ａ．基板上に接点を形成するステップと、
ｂ．複数の粒子を準備するステップと、
ｃ．接点間の領域で、基板に複数の粒子を付着させるステップと、
ｄ．粒子に線を形成させる既存のトポグラフィ形体を実現するために基板を変更することによって、あるいはそれを利用することによって、ほぼ２つの接点間に延在する１本の線を実現するステップとを備えるか、含む。

粒子は、０．５ｎｍと１００ミクロンの間のサイズにし、０．５ｎｍと１００ミクロンの間の寸法の鎖を提供することが好ましい。

粒子の導電鎖の形成は、少なくとも部分的には付着後に粒子に与えられた運動エネルギーによって生じる基板表面における、またはその上での粒子の移動、滑動、反跳または他の運動に頼ることが好ましい。

接点は１００ミクロン未満の距離だけ隔置されることが好ましく、接点は１００ｎｍ未満の距離だけ隔置されることが、さらに好ましい。

ナノ粒子の平均直径は０．５ｎｍと１，０００ｎｍの間であることが好ましく、均一または不均一なサイズでよい。

ナノ粒子の準備および付着ステップは、不活性ガスの凝集を介し、ナノ粒子は、同じ元素であるか、同じ元素でない２つ以上の原子で構成される原子クラスタであることが好ましい。

接点はリソグラフィで形成することが好ましい。

ステップｄのどの変更もリソグラフィによって実行することが好ましい。

基板は絶縁体または半導体材料であることが好ましい。

基板はシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミ、インジウム錫酸化物、ゲルマニウム、ガリウム砒素または他のＩＩＩ−Ｖ半導体、クォーツまたはガラスから選択することが好ましい。

本発明の第６の態様によると、ほぼ上記の方法により準備した基板表面上の２つの接点間に導電線が提供される。

本発明の第７の態様によると、基板上に形成した２つの接点間に導電路を含む、または必要とするデバイスを製造する方法が提供され、方法は、
Ａ．上記の方法のいずれかで述べたように、基板表面上の２つの接点間に導電線を凖備するステップと、
Ｂ．接点および線をデバイスに組み込むステップとを含むか、備える。

デバイスは２つ以上の接点を含み、１つまたは複数の導電線を含むことが好ましい。

デバイスはナノ規模のデバイスであり、線はナノ細線であることが好ましい。

組み込むステップの結果、以下の実施形態のうちいずれか１つまたは複数になることが好ましい。
１．自身間に導電ナノ細線を有する２つの１次接点、および１次接点に電気的に接続せず、それによってゲート、または増幅または切り換えデバイス、トランジスタまたは均等物の他の要素として作用することができる基板上の少なくとも１つの第３接点、および／または
２．自身間に導電ナノ細線を有する２つの１次接点、絶縁材料の上層または下層、および上層または下層に対して１次接点から遠位側にある少なくとも１つの第３接点で、それによって第３接点は、切り換えデバイス、トランジスタまたは均等物のゲートまたは他の要素として作用可能であり、かつ／または
３．接点および／またはナノ細線が、自身を保護したり、および／またはその特性を向上させたりするために、酸化物または他の非金属または半導体薄膜によって保護され、かつ／または
４．接点およびナノ細線がある基板の表面上にキャッピング層（ドーピングしても、しなくてもよい）が存在し、これは３の薄膜でも、そうでなくてもよい。
５．基板の表面上でアニールされたナノ粒子、
６．ナノ粒子の位置は、基板に適用したレジストまたは他の有機化合物または酸化物または他の絶縁層によって制御し、次にリソグラフィおよび／またはエッチングを使用して処理し、ナノ粒子が接点間の導電に関わる１つまたは複数の領域、およびナノ粒子が導電網から絶縁される別の１つまたは複数の領域を画定する。

デバイスは、トランジスタまたは他の切り換えデバイス、薄膜付着制御デバイス、磁界センサ、化学的センサ、発光または検出デバイス、または温度センサであることが好ましい。

デバイスは付着センサであり、ナノ粒子は、薄膜の厚さを監視するために抵抗導電の開始を使用するように、完全に金属質であることが好ましい。

デバイスは付着センサであり、ナノ粒子は、薄膜の厚さを監視するためにトンネル効果導電の開始を使用するように、配位子または絶縁層で被覆することが好ましい。

本発明の第８の態様によると、ほぼ上記の方法により凖備した基板上に形成した２つの接点間に導電路を含むか、それを必要とするデバイスが提供される。

本発明の第９の態様によると、基板上に形成した２つの接点間に導電路を含む、またはそれを必要とするナノ規模からマイクロ規模のデバイスが提供され、これは、
ｉ）基板上の少なくとも２つの接点、
ｉｉ）接点間に粒子の導電鎖または路を形成する複数の粒子
を含むか、備え、
粒子は、不活性ガス凝集ソースから表面に付着し、粒子の導電鎖の形成は、基板表面における、またはその上での粒子の移動、滑動、反跳または他の運動に頼る。この移動、滑動、反跳、または他の運動は、少なくとも部分的には付着前に粒子に与えられる運動エネルギーによるものであることが、さらに好ましい。

粒子の導電鎖または路の性質は、以下のうち１つまたは複数で制御することが好ましい。
・粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板へのクラスタ付着の入射角を制御する。
・粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板上のトポグラフィ形体の角度を制御する。
・不活性ガス凝集ソースおよび／または関連する真空システムのガス圧および／またはノズル直径および／またはノズルからのガスの速度を制御することによって、基板上に付着すべき粒子の運動エネルギーを調節または制御する。
・基板温度を制御する。
・基板表面の滑らかさを制御する。
・表面のタイプおよび／または素性を制御する。

デバイスはナノ規模のデバイスであり、粒子はナノ粒子であることが好ましい。

１０ミクロン未満の距離だけ隔置された２つの接点があることが好ましい。

１０００ｎｍ未満の距離だけ隔置された接点があることが好ましい。

ナノ粒子は、２つ以上の原子で構成することが好ましく、これは同じ元素でも、そうでなくてもよい。

ナノ粒子は、均一または不均一なサイズでよく、ナノ粒子の平均直径は、０．５ｎｍと１，０００ｎｍの間であることが好ましい。

基板は絶縁体または半導体材料であることが好ましい。

少なくとも１つの導電鎖は、以下の一方または両方により形成したものであることが好ましい。
ｉ．接点間の導電性を監視し、導電の開始時または開始後に付着を中止する。
ｉｉ．基板表面を変更するか、既存のトポグラフィ形体を利用し、これによってナノ粒子は、変更領域またはトポグラフィ形体に付着すると、ナノ細線を形成する。

本発明の第１０の態様によると、１つまたは複数の図および／または例のいずれかに関して本明細書でほぼ述べた通りの、基板上の幾つかの接点間に粒子の１つの導電鎖が提供される。

本発明の第１１の態様によると、１つまたは複数の図および／または例のいずれかに関して本明細書でほぼ述べた通りの、基板表面上の２つの接点間に導電線が提供される。

本発明の第１２の態様によると、１つまたは複数の図および／または例のいずれかに関して本明細書でほぼ述べた通りに、基板上の幾つかの接点間に粒子の１つの導電鎖を準備する方法が提供される。

本発明の第１３の態様によると、１つまたは複数の図および／または例のいずれかに関して本明細書でほぼ述べた通りに、基板表面上の２つの接点間に導電線を準備する方法が提供される。

定義
本明細書で使用する「ナノ規模」は、０．５から１０００ナノメートルの範囲の１つまたは複数の寸法を有するという意味を有する。

本明細書で使用する「ナノ粒子」は、寸法が０．５から１０００ナノメートルの範囲で、不活性ガスの凝集またはその他の方法によって形成された原子クラスタを含む粒子という意味を有する。

本明細書で使用する「粒子」は、寸法が０．５ｎｍから１０００ミクロンの範囲で、不活性ガスの凝集またはその他の方法によって形成された原子クラスタを含む粒子という意味を有する。

本明細書で使用する「線」は、（例えばトンネル効果導電と比較して）ほぼ、または完全に抵抗導電を介した導電性であるアセンブリ粒子（１ｎｍから１００ミクロンのサイズの範囲でよい）によって形成した通路という意味を有する。これは、単一の直線の形態に限定されず、直接的または間接的でよい。側枝または関連する他の構造を有してもよい。粒子は、導電性である限り、部分的または全体的に合体しても、しなくてもよい。線の定義は、部分的に均質であるが、制限された数の限界経路を有する粒子の薄膜をも含むが、粒子の均質な薄膜、または粒子が付着した結果生じた均質な薄膜は含まない。線の定義は、ＴｅＣＡＮデバイスの状況では、それを形成するために使用したクラスタの直径より大きい直径を有する線を含み、線の幅にわたって多数のクラスタを識別できる（部分的に合体しているか、合体していない）線を含む。

本明細書で使用する「ナノ細線」は、（例えばトンネル効果導電と比較して）ほぼ、または完全に抵抗導電を介した導電性であるアセンブリ・ナノ粒子によって形成した通路という意味を有する。これは、単一の直線の形態に限定されず、直接的または間接的でよい。側枝または関連する他の構造を有してもよい。ナノ粒子は、導電性である限り、部分的または全体的に合体しても、しなくてもよい。ナノ細線の定義は、部分的に均質であるが、制限された数の限界経路を有する粒子の薄膜をも含むが、ナノ粒子の均質な薄膜、またはナノ粒子が付着した結果生じた均質な薄膜は含まない。ナノ細線の定義は、ＴｅＣＡＮデバイスの状況では、それを形成するために使用したクラスタの直径より大きい直径を有する線を含み、線の幅にわたって多数のクラスタを識別できる（部分的に合体しているか、合体していない）線を含む（例えば、約２０ｎｍのクラスタで構成された約１０００ｎｍの全体的寸法の線）。

本明細書で使用する「接点」は、通常は蒸着金属層を備えるが、それに制限されず、ナノ細線またはクラスタ蒸着薄膜と外部の回路または他の電子デバイスとの間に電気的接続を提供するという目的を有する基板上の区域という意味を有する。本明細書で述べるデバイスの接点は、Ｖ字溝または他のテンプレートの頂点にクラスタ・アセンブリの接点を作成するために、頂点まで延在するような方法で、リソグラフィを使用して準備することが好ましいが、それに制限されない。

本明細書で使用する「原子クラスタ」または「クラスタ」は、ガスの凝集、または他の幾つかの技術［４１］のうち１つで形成され、直径が０．５ｎｍから１０００ｎｍの範囲であり、通常は２個から１０^７個の原子を備える原子のナノ規模の凝集物という意味を有する。

本明細書で使用する「基板」は、デバイスを製造する構造的基礎として使用する１つまたは複数の層を備えた絶縁体または半導体材料という意味を有する。基板は、表面組織を形成させることを意図した電気接点の付着、ドーピング、またはリソグラフィ・プロセスによって変更することができる。

本明細書で使用する「導電」は、抵抗導電を含むが、トンネル効果導電は含まない電気導通という意味を有する。導電は、半導体ナノ細線、さらに金属導電で予想されるように、温度に高度に依存する。

本明細書で使用する「鎖」は、接続した網の一部である個々のユニットで構成された通路または他の構造という意味を有する。ナノ細線と同様に、これは単一の直線の形態に限定されず、直接的または間接的でよい。側枝または関連する他の構造を有してもよい。ナノ粒子は、導電性である限り、部分的または全体的に合体しても、しなくてもよい。鎖の定義は、部分的に均質であるが、制限された数の限界経路を有する粒子の薄膜をも含むが、ナノ粒子の均質な薄膜、またはナノ粒子が付着した結果生じた均質な薄膜は含まない。

「テンプレート」：通常はリソグラフィとエッチングとの組み合わせを使用して生成され、クラスタをデバイスの表面に付着する場合に、線状構造の形成の可能性を向上させるために使用する表面形体。

「Ｖ字溝」：適切な基板の表面に生成され、線状構造を形成するためのテンプレートとして作用するＶ字形の溝。Ｖ字溝は、逆ピラミッド形、正方形の底部を有する逆ピラミッド形、台形の断面を有する溝のような、他の同様の構造を含む。Ｖ字溝は必ずしも対称ではない。

「拡散」：表面全体でのクラスタのランダムな運動、つまりブラウン運動。拡散は、例えば入射粒子の残留運動量などによる方向成分がない。

「滑動」：例えばクラスタの初期運動量または運動エネルギーによって、表面との接触後もその方向へのクラスタの運動が継続した場合の、表面でのクラスタの指向性がある運動。これは、表面との接触が維持される運動を含むか、クラスタが表面を離れる場合は、一時的に「反跳」する。

「不動態化」は、物理的または化学的特性を変化させ、特に元の表面の望ましくない反応を解消するために、例えばポリマで被覆するか、酸化物層を成長させることによって基板表面を変更することを指す。

本発明について、添付の図に関連してさらに説明する。

本発明は、導電性ナノ粒子を集合させることによって線状構造を製造する方法を開示する。（多くの競合技術と比較した）この技術の利点は、以下の通りである。
− 導電性ナノ細線を、単純かつ明快な技術、つまりクラスタ付着および比較的低い分解能のリソグラフィしか使用せずに形成することができる。
− その結果生じるナノ細線は、所望に応じて電気接点に自動的に接続することができる。
− 形成した瞬間から、ナノ細線に電流を通すことができる。
− 線は、下記の表面テンプレート技術を使用して「自動的に集合する」ので、ナノ細線を形成するためにクラスタを操作する必要がない。
− 選択したクラスタのサイズによって、ナノ細線の幅を制御することができる。
− 概して、この作業でクラスタを使用すると、クラスタ直径によって制御された直径を有する線を製造するチャンスが与えられ、これはリソグラフィ・プロセスで達成可能な寸法より非常に小さく、はるかに単純である。

本明細書ではナノ細線の形成に力点を置いているが、本発明の方法はナノ規模の寸法の線に制限されず、幅が最大１０μｍの比較的大きい線の形成にも有用であることが判明することがある。

Ａ．発明の方法
本発明は、幾つかのステップおよび／または技術を使用する。
１．（ナノ規模でも、それより大きくても）線の組立てクラスタを案内するように意図され、リソグラフィで画定されたパターンを基板上に形成する。
２．テンプレートがある基板に接点を形成する（これは任意選択のステップであるが、大部分の実施形態にある）。
３．ナノ規模の粒子（原子クラスタ）を形成する。
４．クラスタをテンプレートがある基板に付着させる。
５．ナノ細線の通路の形成を監視する。（これは任意選択のステップである。）

前述したように、本明細書の検討の大部分はナノ細線およびナノ粒子に言及しているが、本発明の方法は、ミクロン規模までの線の準備も含む。この規模の線は、ミクロン規模のクラスタを付着しても十分に形成することができるが、ミクロン規模の線状構造を与えるように組み合わせた多くのナノ規模の粒子を付着させることによっても同等に十分形成することができる。

１．表面テンプレート構造の形成
電子線リソグラフィおよびフォトリソグラフィは、半導体および集積回路産業で十分に確立された技術であり、現在は接点形成の好ましい手段である。これらの技術は、トランジスタから固体レーザまでの範囲で多くの電子デバイスを形成するために、日常的に使用されている。本発明の技術では、標準的なリソグラフィ・プロセスを使用して、ナノ細線のアセンブリ内でクラスタを案内するように意図された表面テンプレートを生成する。当業者には理解されるように、例えばナノインプリント・リソグラフィなど、ナノ規模の接点形成を可能にする当技術分野の他の技術も、電子線リソグラフィおよびフォトリソグラフィに加えて本発明の範囲に含まれる。

リソグラフィは、様々なエッチング技術と組み合わせて使用し、表面組織を生成することができる。特に、例えばＫＯＨでシリコンをエッチングするなど、Ｖ字溝および逆ピラミッド形のような関連構造を形成するために十分に確立された様々な手順がある。本発明の範囲は、ナノ細線の形成を補助する表面パターンを実現するように設計された追加のリソグラフィ・ステップを含む。

２．接点の形成
本発明の技術では、標準的なリソグラフィ・プロセスを使用して、デバイスに接点を生成し、デバイスの能動部品は付着した原子クラスタによって形成されたナノ細線である。当業者には理解されるように、例えばナノインプリント・リソグラフィなど、ナノ規模の接点形成を可能にする当技術分野の他の技術も、電子線リソグラフィおよびフォトリソグラフィに加えて本発明の範囲に含まれる。接点は、ナノ細線を付着した後に形成することが可能である（接点の後形成）。これは本発明の範囲内であるが、好ましい実施形態ではない。

最後に、このステップを完全に省略する場合もあり、プロセスの産物は、単純に１本または複数のナノ細線である。通常、接点は本明細書で述べるデバイスの基本的要素であり、実際にデバイスへの自動接触は本発明の重要な部分であるが、非接触式ナノ細線の自動組立が有用であることが証明されることがある多くの用途もある。このような例の１つは、ワイヤ・グリッド偏波器であり、これは多数の平行な非接触線を備える。

３．原子クラスタの形成
これは、金属蒸気を揮発させて、流れる不活性ガス流に入れるプロセスであり、それによって金属蒸気が小さい粒子中に凝縮する。粒子は、ノズルを通して不活性ガス流によって搬送され、したがって分子ビームが形成される。ビームからの粒子を適切な基板に付着させることができる。このプロセスは、不活性ガス凝集（ＩＧＡ）として知られるが、他の設計のクラスタ・ソースを使用しても、クラスタを同等に十分形成することができる（例えば概要［４１］に記載されたソースを参照）。

４．クラスタの付着
クラスタ付着システムの基本的設計は、参考文献４２に記載され、その内容は参照により本明細書に組み込まれる。これは、クラスタ・ソース、および一連の差別的に給送される室で構成され、これによって基板に最終的に付着する前に、クラスタのイオン化、サイズ選択、加速および集束が可能になる。実際、このような精巧なシステムが望ましいが、これは本質的ではなく、本発明の最初のデバイスは、イオン化、サイズ選択、加速または集束をせずに比較的低い真空で形成したものであった。

一連のノズルを通って流れる不活性ガス流によるクラスタの加速が、この実験における粒子の運動エネルギーを決定するが、当業者には理解されるように、荷電クラスタおよび静電またはパルス状電界を使用するなど、粒子の運動エネルギーを制御する多くの方法がある。図１２は、リソグラフィで画定した接点を使用したサンプルへのクラスタの基本的付着を示す。

５．ナノ細線の形成の監視
使用時には、このステップは通常、１対の電気接点間の導電性を監視し、接点間に導電性接続が形成されたら、原子クラスタの付着を中止することを含む。代替実施形態またはさらなる実施形態は、複数のナノ細線が有用であることがある場合に、複数のナノ細線構造の形成を監視することを含んでもよい。

２つの接点間の導電開始をチェックして、形成を監視する。以下で検討するように、それにはこの付着システムの電気フィードスルーを付着室に組み込み、付着中にデバイスでの電気的測定を実行できるようにする必要がある。

この導電性監視が必要なく、例えば付着の時間のような他の変数を使用して、形成を推定するか、監視できる本発明の態様がある。ナノ細線の形成を全体的に「監視する」このような他の手段は、本発明の範囲に含まれる。

Ｂ．その結果の技術：テンプレートでクラスタが集合したナノデバイス（以降ＴｅＣＡＮとする）および関連方法
この方法は、ＰｅＣＡＮデバイス［３０］と同じ技術を使用するが、クラスタを付着し、適切な基板上に電気接点を製造することに加えて、ナノ粒子鎖の形成を向上するために、基板をエッチングする（または他の方法でパターンを形成する）。

小さい粒子は、十分に滑らかな表面上に降りた場合に拡散できることは、十分に確立されている。粒子は、欠陥または別の粒子に衝突するまで動作または移動し、表面に到達する粒子の流動率は十分に低いので、粒子は相互に十分凝集せずに、欠陥で凝集する。ＴｅＣＡＮは、クラスタの動作が拡散、反跳、滑動、または他の種類の動作のいずれによるものであれ、適切な欠陥によって阻止できるという概念に基づき、クラスタをナノ細線へと凝集させるために工夫することができる。

より高度なＴｅＣＡＮ技術は、電気接点間に表面組織を生成するためにリソグラフィ処理の追加の段階が必要である。ＴｅＣＡＮデバイスは、ＰｅＣＡＮデバイスについて以前に検討した全ての用途［３０］に使用できるが、この技術により、全体的寸法がはるかに小さいデバイスを形成することができる。したがって、ＴｅＣＡＮデバイスは、例えばトランジスタなどの高密度のデバイスを必要とする用途に、さらに適している。

好ましい実施形態では、本発明は、１対の電気接点間に１つまたは複数のＶ字溝を形成させるために、標準的なリソグラフィ技術を使用する（図１６、図１７および図１８参照）。Ｖ字溝の平坦な側部によって、クラスタがＶ字溝の頂点に移動することができ、そこで局所化される。したがって、徐々に凝集して、Ｖ字溝の頂点に沿ってナノ細線を形成する。この技術の魅力の１つは、Ｖ字溝が溝の端部に直交する小平面を形成する自然の傾向により、４つの接点がある線を形成するチャンスが得られることである。これは、多様な用途で重要になる可能性が高い。

上記で検討したように、導電の開始を測定することにより、Ｖ字溝内でのナノ細線の形成を監視することができる（図１９参照）。あるいは、線を形成し、形成した後しかその導電性を測定することができない。

検討したＶ字溝の組織形成は、本発明の好ましい形態であるが、表面組織形成の他の形態も本発明の範囲に含まれることに留意されたい。

温度の考慮事項
ＰｅＣＡＮ技術［３０］の１つの要件は、クラスタが電気接点間の絶縁表面に降りた場合に、これが有意に動作しないことである。これに対して、ＴｅＣＡＮ技術は、ナノ細線を形成するためにクラスタの表面移動、滑動または反跳を使用する。表面の温度制御を使用して、例えば他の方法では動作不能であるような表面上でクラスタが移動できるようにするために、表面上のクラスタの移動性を変化させることができる。クラスタの移動に関して実行している研究が比較的少ないので、ＴｅＣＡＮ技術を適用できる様々なクラスタ／基板の組み合わせが、まだ明白ではない。しかし、ガリウム砒素およびシリコンなどの半導体システムが、Ｖ字溝の形成に適切であることが知られ、基板に対して強力な結合を形成しないクラスタ材料が最も移動性が高いことが予想される。表面とクラスタ温度との両方の変化を使用して、例えばクラスタによる表面の濡れを変化させることによって、クラスタの移動性を変化させることができる。

以下で検討する１つの実験結果によると、移動の支配的な形態は、特にＶ字溝の小平面に対して直角以外の角度で入射する場合、クラスタの滑動および反跳であり（これは、Ｖ字溝の２つの側部のうち少なくとも一方では、常にそうである。というのは、相互に角度がついているからである）、これは改善されたＴｅＣＡＮ方法でＶ字溝（または他のテンプレート）の頂点で線状構造の形成を補助する際に重要である。

結果に影響を及ぼす要素
この研究では、変更すると任意の付着の結果に影響を及ぼし得る多数の要素またはパラメータがある。これらの要素は以下を含む（しかし、これに制限されない）。カッコ内に与えられた範囲は制限的ではなく、パラメータの通常の状態を示すに過ぎない。これらのパラメータは、例えば金属クラスタの素性のように、特定のケースにおける多くの要素に依存することは明白である。特定の状況では、これらの範囲外のパラメータが必要になることがある。
・ガス流量（１〜５０００ｓｃｃｍ）
・付着プロセス時間（１〜１００００ｓ）
・るつぼ温度（３００〜２０００Ｋ）
・Ｖ字溝の幅（１０ｎｍ〜１００μｍ）
・クラスタのサイズ（０．５〜１０００ｎｍ）
・クラスタの金属の素性
・基板および／または基板の不動態化層の素性
・表面テンプレートのタイプおよび／または幾何学的形状
・衝突／入射角度（０〜９０°）
・表面の滑らかさ（＜１００ｎｍのｒ．ｍ．ｓ．粗さ）
・基板の温度（＜１０００Ｋ）
・ソースの圧力（０．１〜１００ｍｂａｒ）
・ノズルの直径（０．１〜１０ｍｍ）
・ビーム・スポットのサイズおよび輪郭
・付着速度（０．００１〜１０００オングストローム／ｓ）
・クラスタ・ソースのタイプ（不活性ガスまたはマグネトロン・スパッタのタイプ）

本発明の基板表面におけるクラスタの移動、およびこの移動においてクラスタの運動エネルギーが果たす役割の重要性からして、上記の要素の幾つかは、システムのエネルギー特性に多少の影響を及ぼすことが予想される。

Ｃ．本発明の用途
本発明の方法で形成したナノ細線の重要な特徴は、概して多くの様々な外部要素（例えば光、温度、化学物質、磁界または電界）の影響を受けやすいことであり、これは幾つかの用途を生じる。本発明のデバイスは、幾つかの用途のいずれかで使用することができる。デバイスの用途は以下を含むが、それに制限されない。

−トランジスタまたは他の切り換えデバイス
以下で述べる幾つかのデバイスによって、電界効果トランジスタに似たモードを使用して切り換えることができる。図１８はこのようなデバイスを示す。

電子線リソグラフィと、電気接点間に単一ゲート付き炭素ナノチューブ（単純にナノ細線として作用する）の配置との組み合わせから形成したトランジスタが、幾つかのグループによって製造されており（例えば［１］参照）、大部分の集積回路で使用されているシリコンＭＯＳＦＥＴデバイスに近い相互コンダクタンス値で機能することが示されている。ＴｅＣＡＮ技術を使用して、１対の接点間に同等の導電性ナノ細線を形成することができる。この線は、炭素ナノチューブ・トランジスタの炭素ナノチューブを直接交換したものと見なすことができる。このデバイスを形成するためにＴｅＣＡＮ技術を使用することの利点は、これらの技術により、ナノ細線を位置決めするために低速で面倒な操作技術を使用する必要がなくなることである。ＴｅＣＡＮ技術を使用すると、ナノ細線が電気接点に自動的に接続され、ＴｅＣＡＮ技術の場合は、ナノ細線の位置が予め決定される。

いかなる場合も、ナノ細線を通る電流の流れを制御するために、第３（ゲート）接点を設けることが非常に重要である。切り換えを実現するには、頂部ゲート（図１８参照）および底部ゲート技術の両方の使用を考慮することができる。しかし、好ましい実施形態は、ナノ細線と同じ面に、または同じ面付近に第３接点があるＴｅＣＡＮデバイスを使用することである。この場合、ＴｅＣＡＮに基づくトランジスタは、上記で検討した炭素ナノチューブ・トランジスタ［１］に非常に類似している。

このデバイスの好ましい実施形態は、ゲルマニウム・クラスタのような半導体ナノ粒子を、基板にエッチングした１つまたは複数のＶ字溝の頂点に案内するものであり、基板は、シリコンまたはガリウム砒素のように異なる半導体であるか、場合によっては同じ半導体でよいが、ナノ細線を基板から絶縁する薄い酸化物層がある。このデバイスのさらなる好ましい実施形態は、ビスマスまたはニッケルのナノ細線のような金属質クラスタ線を含む。

−磁界センサ
磁界センサは、多数の産業用途で必要とされているが、ここでは高密度ハード・ディスク・ドライブ上に記憶された磁気情報、または他の磁気記憶情報のセンサとしての特定の用途に焦点を絞り、ここでは適切に小さい磁界センサを読み取りヘッドとして使用しなければならない。その原理は、読み取りヘッドの能動部品が小型化し、感度が高くなるにつれ、ハード・ドライブ上の情報のビットを小さくし、データの記憶密度を上げられることである。

磁気抵抗は通常、ゼロ磁界における抵抗のパーセンテージとして表現され、ＭＲは読み取りヘッドの有効性を画定する性能指数として使用される。適切なナノ細線は、磁界に対して非常に感度が高いものとして十分に確立されている。つまり大きい磁気抵抗（ＭＲ）を獲得することができる。例えば、ニッケルのナノ細線が常温で３０００パーセントを超えるＭＲを有することがあると最近報告されている。［４３］これは、現在、商業的に生産されているＧＭＲ効果の読み取りヘッド・デバイスのＭＲをはるかに上回る。

ＴｅＣＡＮ技術に基づく読み取りヘッドの能動部品は、クラスタが集合したナノ細線であり、例えば適切な接点間にクラスタを付着させることによって形成したニッケルまたはビスマスのナノ細線である（図１４および図１８に示したデバイスと同様である）。読み取りヘッドの分解能は、ナノ細線のサイズによって支配され、全体的なデバイスのサイズには支配されず（つまり接点のサイズは必ずしも重要ではない）、したがってＰｅＣＡＮ技術でも感度が高い読み取りヘッドが可能になることに留意されたい。ＴｅＣＡＮデバイスの読み取りヘッドに必要な高い磁気抵抗を支配する機構は、線内の鋭利な磁壁におけるスピン依存の電子移動［４３］であるか、幾つかの他の効果のいずれが（またはそれらの効果の組み合わせ）である可能性が高く、例えば弱いまたは強い局所が、電子の集束、おおよびクラスタを製造する元となる材料の基本的特性（例えばビスマスのナノ細線は大きいＭＲ値を有すると報告されている）である。

さらに、十分に感度が高い読み取りヘッドの形成には、明瞭に画定されたナノ細線が本質的なものではないことが分かる。より複雑なクラスタ網があるデバイスも、磁気記憶情報からの磁界によって電子を磁気で集束する可能性、または他の磁気抵抗効果があるために有用である。電子をソースおよびドレイン以外の電気接点および／またはクラスタ網内のデッドエンドに集束する場合は、その結果、特定の弾道半導体デバイスで実現されるものと同様の磁気抵抗（ソースとドレインの間で測定）が非常に強力に変調される。

−化学的センサ
参考文献［６］で検討されたデバイスは、化学的センサに細い線が有用であり、本発明のデバイスの最も細い部分で形成した細い線の反応により、同様の化学的感度が可能なはずであることを実証している。非常に細い線、つまり直径がナノメートルの線は、量子導電率を呈するか否かに関わらず、線の表面に分子が取り付くことによって、その導電率を強力に変調できることが十分に確立されている。これは、線の表面の波動関数のこぼれまたは化学的変調の結果である。線の導電率を強力に変調すると、化学的感度を高くすることができる。

ＴｅＣＡＮデバイス内で形成したナノ細線、さらに網の幾つかのポイントで限界電流経路を有する比較的大きいクラスタ網は、化学的感知の用途に有用なことがある。これらの用途は、産業でのプロセス制御、環境の感知、製品試験、または他の幾つかの商業的環境のいずれかにあってよい。

デバイスの好ましい実施形態は、図１４で示したものに類似し、これは特定の化学物質に対して敏感なクラスタ材料を使用する。排他性が有用となる。つまり、問題の化学物質のみを感知して、他の化学物質は感知しない材料を使用することが理想的であるが、そのような材料は稀である。

化学的感知デバイスの好ましい実施形態は、それぞれが異なる材料から形成されたＴｅＣＡＮナノ細線のアレイである。この場合は、各デバイスが別個のセンサとして作用し、センサのアレイは、感知される気体または液体材料の化学組成を求めるために適切なコンピュータ制御のソフトウェアによって読み取られる。このデバイスの好ましい実施形態は、金属質電気接点間に形成された導電性ポリマのナノ粒子を使用するが、多くの他の材料も同等に十分使用されてよい。

このデバイスのさらなる好ましい実施形態は、ＴｅＣＡＮで形成され、絶縁材料に埋め込まれた、それ自身が化学的に敏感なナノ細線である。絶縁性のキャッピング層に化学的に誘発した変化が、ナノ細線の導電率に変化を生じる。デバイスのさらなる好ましい実施形態は、ナノ細線を囲む絶縁性および不活性のキャッピング層と、ナノ細線上の化学的に敏感な層、例えば適切な導電性ポリマ層（つまり図１８と同様であるが、ゲートの代わりに化学的に敏感なポリマ層がある）を使用することである。これで、導電性ポリマは、適切な化学物質の導入から影響され、導電性ポリマ層の電気的特性の変化は、ゲートの動作と同様であり、これによってナノ細線の導電率を変化させることができる。現在生産されている同様のデバイスは、ＣＨＥＭＦＥＴと呼ばれる。

−発光または検出デバイス
上記で検討したデバイス（および特に、絶縁基板５上の２つの接点１、２と、接点間のクラスタ鎖３を示す図１４で概略的に図示されたデバイスで、光４がクラスタ鎖３に入射する）は、紫外線、可視光線または赤外線光を含む特定の波長、または波長の範囲の光に反応するか、それを発光し、それによって光検出器または発光ダイオード、レーザまたは他の電気ルミネセンス・デバイスを形成するデバイスを実現するために、ナノ粒子の光学的特性を活用してよい。

シリコン技術に基づくＣＣＤは、電子イメージングの市場リーダとして十分に確立されている。ＴｅＣＡＮで形成したナノ細線のアレイも、イメージング目的の光検出器として同等に有用である。このようなアレイは、ディジタル・カメラおよび様々な他の技術に用途を見いだすことができる。

ＴｅＣＡＮ光検出器の好ましい実施形態は、半導体ナノ細線であり、例えば光によって強力に変調される導電率を有し、シリコンのナノ粒子から形成された線である。この点で、各端に抵抗接点がある半導体ナノ細線は適切であるが、１対の反対にドーピングした接点に接続された線の方が効果的である可能性が高い。図１４は、好ましい実施形態の概略的なタイプ、つまりクラスタ鎖に基づく光ダイオードを示す。接点の選択（抵抗接点がショットキー接触か）は、光に対するデバイスの反応に重大な影響を及ぼす。デバイスが反応する光の波長は、クラスタおよび／またはクラスタが集合した線の直径を選択することによって調整することができる。これは、量子閉じ込め効果が有効禁止帯幅を劇的にシフトできる半導体ナノ粒子に特に当てはまる。同様のデバイスを作成して、発光することができる。ｐ−ｎ接合部（例えばｐタイプとｎタイプに作成した接点１および２）に内蔵した半導体量子線は発光することができ、適切な構造に内蔵すると、レージングを実現することができる。

トランジスタ様のデバイス（上記参照）は、外部または他のチップ上電子回路への接続に特に適しているので、光センサとして最も適切であり得る。

デバイスが反応する光の波長は、クラスタおよび／またはクラスタが集合した線の直径を選択することによって調整することができる。これは、量子閉じ込め効果が有効禁止帯幅を劇的にシフトできる半導体ナノ粒子に特に当てはまる。

上記で検討したものと同様のデバイスを作成して、発光することができる。ｐ−ｎ接合部（例えばｐタイプとｎタイプに作成した接点１および２）に内蔵した半導体量子線は発光することができ、適切な構造に内蔵すると、レージングを実現することができる。

−温度センサ
デバイスの珍しい特性には、温度による導電率の急速または高度に再現可能な変動があり、これは温度センサとして有用なことがある。この点で有用なデバイスの略図を図１４および図１８で示す。

可能な用途に関する上記のリストは、幾つかの異なる方法で実現することができ、その特定の例は以下の通りである（これは、本発明の範囲に含まれる）。
ｉ）付着したナノ粒子の最終的位置を制御し、それによって単一のクラスタまたはクラスタ網を含む最も細いポイントを有するクラスタの鎖またはクラスタ網、または付着した個々のクラスタより有意に大きい直径を有する線状構造を実現するために、Ｖ字溝または他の表面にテンプレートがある構造を、シリコンまたはＧａＡｓなどの適切な半導体材料（つまり、異なる結晶面ごとに十分に異なるエッチング速度を有する材料）の表面に画定するデバイス。ナノクラスタは、基板を移動して、特定の表面形体と整列し［１５、１６］、したがってナノ規模の線に類似した構造を生成することができる。ナノ規模表面組織形成技術（例えばＳｉウェハの表面にエッチングしたＶ字溝［４４］、ピラミッド形窪みまたは他の表面形体）は、クラスタを強制的に集合させて、ナノ規模の線にする。Ｖ字溝の表面上で移動性クラスタが移動すると、頂点に鎖または線が形成される。同様に、表面に入射する運動エネルギーの影響でクラスタが滑動すると、Ｖ字溝の頂点に向かって動作し、付着角度の変化を使用して、滑動の量に影響を及ぼすことができる。その概念は、費用と時間がかかるナノリソグラフィ・プロセス（「トップダウン」方式）は、デバイスに比較的多数の単純な電気接点を作成する場合のみ、および場合によってはＶ字溝の形成に使用することである。次に、ナノ規模粒子の自動組立（「ボトムアップ」方式）を使用して、ナノ規模の形体を製造する。デバイスの心臓部には、ナノ技術への「トップダウン」方式と「ボトムアップ」方式との組み合わせがある。以前に検討したように、本発明の方法はナノ規模の寸法の線に制限されず、幅が最大１００μｍの比較的大きい線の形成にも有用であることが判明することがある。
ｉｉ）テンプレート技術を使用して実現されるクラスタ鎖と接触するように電気接点が画定されたｉ）に記載のデバイス。これらのデバイスおよび以下で述べる各デバイスは、ＡＣまたはＤＣまたはパルス・モードで働いてもよい。
ｉｉｉ）よりよく、または異なる方法で機能するデバイスを画定するためか、線の太さを制御できるように［３０］に記載された形態の浸透性デバイスを含めることにより、ｉ）およびｉｉ）に記載されたデバイスのうち２つ以上で構成された比較的大きいデバイス。
ｉｖ）導電の開始を監視することにより、線状構造の形成を観察する、ｉ）またはｉｉ）に記載のデバイス。
ｖ）等しい間隔または異なる間隔の２つ以上の接点を任意のパターンで配置し、接点が、相互係合した規則的または不規則的な配置構成を含む任意の形状である、ｉ）またはｉｉ）に記載のデバイス。
ｖｉ）図１３は、接点１と３の間に延在するＶ字溝（谷に蓄積したクラスタによって大部分が不明瞭になっている）により、接点１および３が、形成されたクラスタ線に対する抵抗接点として作用し、接点２および４が線から隔離され、したがってゲートとして作用できるデバイスを示す（Ｖ字溝の頂上を点線で、Ｖ字溝の谷を実線で示す）。これで、デバイスは電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と同様であり、ゲートに加えた電圧が、接続した路から電子を引き寄せ（追い払い）、それによってクラスタ鎖の導電性を上昇（下降）させ、デバイスをオン（またはオフ）に切り換える。
ｖｉｉ）ｖｉ）に記載されたデバイスのさらなる好ましい実施形態は、１つのＶ字溝しか含まず、したがって１本のナノ細線を生成する（図１７）。
ｖｉｉｉ）ｖｉ）およびｖｉｉ）に記載されたデバイスのさらなる好ましい実施形態は、Ｖ字溝または逆転したピラミッドの底部に形成されたナノ細線への抵抗接触を可能にする接点の配置構成を有するようなデバイスを含む。多くのこのような構成が思い浮かぶ。例えば（図１７のように）Ｖ字溝の各端にある１つの金属接点、Ｖ字溝に対して直角で相互係合した接点、さらに逆転したピラミッドの各隅にある金属接点（図１９参照）である。
ｉｘ）図１７では、Ｖ字溝から離れた上面の接点が、網に対して抵抗を形成しない材料である（つまり導電性接点である）場合、これらの接点はゲートとして、およびソースおよびドレインとしてＶ字溝の頂点に合う接点として予め決定される。この例では、側部の接点は、クラスタ網とショットキー接触を形成することが知られている材料から、またはトンネル・バリアを形成するために酸化されているアルミまたはシリコンのような材料から作成することができる。この例では、付着する前に接点パッドの機能を決定することができる。
ｘ）基板上に酸化物または他の絶縁層を生成し、次にある区域に降りたクラスタのみが、形成されたクラスタ網に実質的に関係するように、その区域を画定するようにリソグラフィ技術を使用することが可能である。ウィンドウ（酸化物で被覆されていない領域）に降りたクラスタのみが、ソースおよびドレイン接点に接続することができる。この方法で、デバイスを相互から隔離し、接点の機能を予め決定することができる。図１５では、絶縁コーティングがゲート接点を覆い、それをクラスタ薄膜から隔離する。接点の隔離は、自然に酸化する（アルミなどの）材料で作成することによっても実現することができる。この技術を使用して、ゲートまたは抵抗接点になる１つまたは複数の接点の機能を予め決定することができる。図１５は、ソース１およびドレイン２の接点をゲート接点３とともに示す。接点は絶縁層４で覆われており、これはクラスタが集合し、接点１と２の間に通る線からゲート接点３を隔離することを保証し、接点は絶縁層４の穴のために付着したクラスタに曝露し、したがってトランジスタ構造を実現する。
ｘｉ）全体的または部分的に酸化物または他の絶縁層に覆われ、クラスタが集合した構造を通る電子の流れを制御するために頂部ゲートを組み込み、これによって図１８で示すような電界効果トランジスタまたは他の増幅または切り換えデバイスを実現する上述のデバイスのいずれか。
ｘｉｉ）電気的隔離を提供するか、付着した表面上でクラスタの拡散または滑動特性を変化させるために、テンプレートの頂部に成長したＳｉＯｘまたはＳｉＮなどの絶縁層の頂部に製造された上述のデバイスのいずれか。
ｘｉｉｉ）自身がゲートとして作用できる導電層の頂部にある絶縁層の頂部に製造され、クラスタが集合した構造を通る電子の流れを制御し、それによって電界効果トランジスタまたは他の増幅または切り換えデバイスを実現することができる上述のデバイスのいずれか。
ｘｉｖ）サンプルの１つまたは複数の部分の表面に対するクラスタの衝突角度が、サンプルの１つまたは複数の部分に対するクラスタの滑動、反跳または固着の可能性に影響するように選択されるか、制御される上述のデバイスのいずれか。これは、基板全体に対する入射角度を制御するか、基板上のテンプレート小平面の角度によって実行することができる。
ｘｖ）サンプルの１つまたは複数の部分に対するクラスタの滑動、反跳または固着の可能性に影響するように、クラスタの運動エネルギーが制御される上述のデバイスのいずれか。
ｘｖｉ）スピン輸送に基づく切り換えまたは増幅を実現し、それによってスピン弁トランジスタを生成する上述のデバイスのいずれか。
ｘｖｉｉ）デバイスは、ビスマスのクラスタで、または多数のナノ粒子生成技術のうち任意の１つを使用して形成できる任意のナノ粒子からも同様に、または任意の元素または合金から製造することができる。ビスマスのクラスタは、キャリアの濃度が低く、塊状材料中の電子の自由路の平均が長いので、特に興味を引く。有用なデバイスにとって他の明白な候補は、シリコン、金、銀、およびプラチナのナノ粒子を含む。デバイスは、ＧａＡｓおよびＣｄＳｅのような合金ナノ粒子からも形成することができる。ナノ粒子は、それらのバルク（微視的）形態で常温で超伝導か、半導体が、半金属性か、金属性かに関わらず、任意の化学元素、またはそれら元素の任意の合金から形成する。ナノ粒子は、導電性ポリマ、または導電性である無機または有機化学物質種から形成してよい。同様に、接点および／またはナノ粒子のいずれか、または両方は、強磁性、強磁性または反強磁性でよい。２つ以上のタイプのナノ粒子を使用し、順番にまたは一緒に付着させることができ、例えば半導体および金属粒子を一緒にするか、強磁性粒子と非磁性粒子を一緒にする。磁性構成要素を有するデバイスは、「スピントロニック」挙動、つまりスピン輸送の結果である挙動を生じることがある。線の内部［４３］または線の間にある鋭利な磁壁をわたるスピン依存の電子輸送は、大きい磁気抵抗を生成することができ、これによってハード・ドライブの読み取りヘッドのような磁界センサでの商業的用途が可能になる。
ｘｖｉｉｉ）本明細書で述べる全てのデバイスについて、基板の温度は、粒子の移動、粒子の融解を制御するか、他の理由のために、付着プロセス中に制御することができる。概して、滑らかな表面および高い基板温度は粒子の移動を促進し、粗い表面および低い基板温度は移動を阻止する。ナノ粒子の融解および移動は材料に依存する。
ｘｉｘ）流れる電流が粒子の接続性、デバイスの導電性、または薄膜の形態を変化させるように、付着中に接点間に電圧を加える上述のデバイスのいずれか。このように加えた電圧により、通常は接続が存在しない表面被覆率（バイアスを加えた状態で劇的な導電の開始を示す参考文献［３０］の図３２参照）で、接点の間に導電路を形成するが、逆に既に存在する導電路の遮断を引き起こすことができる。デバイスと直列または並列に接続された抵抗器、ダイオード、または他の回路要素を使用して、薄膜特性の変化を制御するように、電流の流れを調整することができる。
ｘｘ）薄膜を酸化物または他の非金属または半導体薄膜に埋め込んで、これを保護したり、および／あるいは例えばデバイスの誘電定数を変化させることによって、その特性を強化したりする（例えば図１８参照）上述のデバイスのいずれか。このキャッピング層は、デバイスの導電性を強化するか、制御するか、決定するために、イオン注入によってドーピングするか、ドーパントを付着させることによって他の方法を実行することができる。
ｘｘｉ）付着した粒子の合体を実現するか、他の何らかの理由のために薄膜がアニールされている上述のデバイスのいずれか。
ｘｘｉｉ）付着または凝集プロセスの前または後に、露出するか、現像するか、洗い流すかに関わらず、ナノ粒子のアセンブリがレジストまたは他の有機化合物の影響を受ける上述のデバイスのいずれか。
ｘｘｉｉｉ）ナノ粒子のアセンブリが、均一か、集束するが、集束しないか、干渉パターンの形態であるかに関わらず、光源またはレーザ・ビームによる照明に制御されるか、他の方法で影響される上述のデバイスのいずれか。
ｘｘｉｖ）粒子を有機材料または配位子で被覆する場合を含め、液体からの粒子を付着させる上述のデバイスのいずれか。
ｘｘｖ）幾つかの接点またはポートを有し、ナノ粒子を通して弾道または非弾道電子輸送を使用し、磁界の効果を使用して、ゼロ磁界の元の出力ポートではなかった出力ポートに電子を流すか、任意の磁気集束効果を使用するデバイス。
ｘｘｖｉ）サイズを選択したクラスタを付着させて形成するか、あるいはサイズを選択しない粒子を付着させて形成する上記のデバイスのいずれか。
ｘｘｖｉｉ）原子の蒸気、つまり小さいクラスタを付着させて形成し、付着した粒子より大きいナノ粒子、クラスタ、フィラメント、または他の構造になる上述のデバイスのいずれか。
ｘｘｖｉｉｉ）ほぼ以上のいずれかに記載された通りに製造するが、接点なしで製造したクラスタ集合デバイス。例えば、接点なしのテンプレートで集合した線のアレイを、ワイヤ・グリッド偏光器として使用することができる。

Ｄ．実験
以下は、特定の例とともに好ましい実験の設定を開示する。

ａ）リソグラフィ
標準的な光学および電子線リソグラフィを使用して、シリコン・ウェハ上のＶ字溝、またはＳｉＯｘまたはＳｉＮで被覆したシリコン・ウェハを画定し、Ｖ字溝と交差するか、交差しないような方法で、サンプル表面上のＮｉＣｒおよびＡｕの接点を画定した。ＳｉＯｘまたはＳｉＮの絶縁層がある、またはない商用シリコン・ウェハを、基板として使用する。

ａ）ｉ）Ｖ字溝の形成
以下は、シリコン上のＶ字溝表面テンプレートの形成を扱うが、他の基板上に他の構造を形成するために、同様の方法を使用することができる。

サンプルの処理は、最初に二酸化シリコンまたは窒化シリコンで被覆した（層の厚さは通常１００ｎｍ）シリコン・ウェハをダイシングして、８×８ｍｍの基板にする。＜１１１＞面の方向を正確に配置するために、窒化物または酸化物の層を最初にフォトレジスト・マスクを通してドライ・エッチングし、２°だけ分離された半径方向のスロットを形成する。これらのスロットを、４０重量％のＫＯＨ溶液を使用して下にあるシリコンのＶ字溝内へと並進させる。完了したら、さらにフォトリソグラフィおよびドライ・エッチング段階を通して、デバイスのＶ字溝アレイと試験スロット（最も適切にエッチングした輪郭のものを選択する）との角度位置合わせを実行する。同じＫＯＨ溶液を使用して、Ｖ字溝アレイを形成する。超音波で攪拌し、７０℃に加熱した４０重量％のＫＯＨ溶液を使用して、約５分のエッチング時間で、シリコンに約５ｕｍ幅のシリコンＶ字溝を生成する。

上述した方法で形成し、原子間力顕微鏡を使用して描像したＶ字溝および関連構造の例を、図１６、図１７および図１９で示す。図１６は、ＫＯＨを使用してシリコンにエッチングしたＶ字溝の原子間力顕微鏡写真である。Ｖ字溝は、差し渡しが約５ミクロンで、光学リソグラフィを使用して形成されたものである。この技術の魅力の１つは、電子線リソグラフィを使用して形態を容易にサイズ縮小できることである。

使用される特定のクラスタ／基板対が、クラスタが集合した線と基板との間に絶縁を提供するために、Ｖ字溝の表面を絶縁層で被覆すべきか否かを決定する。一部のクラスタ／基板の組み合わせでは、ショットキー接点を形成し、基板からの線の限定的隔離を可能にする。場合によっては、基板上の自然の酸化物層が十分な隔離を提供する。必要に応じて、Ｖ字溝の不動態化を２つの方法で実行してよい。現在のところ、好ましい方法は、Ｖ字溝アレイを形成した直後に基板全体を熱で酸化することである。酸化は、酸素が豊富な１０５０℃の乾燥炉で実行する。１時間の酸化期間で、１２０ｎｍの厚さの二酸化シリコン薄膜が生成される。代替の不動態化方法は、スパッタリングで被覆した窒化シリコンを使用する。

ａ）ｉ）接点の形成
本発明の大部分の実施形態では、接点を形成する（しかし、以下で検討するように、これを含まない場合もある）。接点を含む場合、これは光学または複合電子線／光学リソグラフィ段階を使用して形成することが好ましいが、当業者が想定するように、他の形成方法を使用することもできる。光学フォトレジスト・パターンを使用して最初に蒸着させ、剥離すると、デバイスのフィンガ（幅が＞１μｍ）、および主要な３×３ｍｍのデバイス区域に延在する接点が残る。デバイスのフィンガは、バーニヤ位置合わせマークを使用して実現したサブミクロン公差で、単一または複数のＶ字溝上に配置する。１ミクロン未満のフィンガ／空隙幅が必要な場合は、電子線パターニングを使用し、これらの形体を、最初の光学リソグラフィ・プロセスで生成したパッドに位置合わせする。最後に蒸着させ、剥離すると、８×８ｍｍのチップの縁部に大規模デバイス接点を位置決めすることができる。図１７は、好ましい実施形態の略図を示す。これは、Ｖ字溝のＡＦＭ像を使用して生成したクラスタ集合ナノ細線の略図を示す。Ｖ字溝の平坦な面に沿ったクラスタの運動の結果生成されたクラスタ集合ナノ細線と電気的に接触するように、頂部および底部の接点をＶ字溝の頂点と位置合わせする。クラスタ集合ナノ細線と電気的に接触しないように、左側および右側の接点をＶ字溝の縁部と位置合わせし、これらの接点をゲートとして使用できるようにする。図１８のように、線の上で絶縁層の頂部に頂部ゲートを製造することによって、トランジスタ構造も実現することができ、図１８では、最初にクラスタ集合ナノ細線の頂部に絶縁層を付着させ、その後にゲート接点をリソグラフィで画定することによって製造したＦＥＴ構造の側面図が図示されている。図１８は、絶縁基板６上の２つの接点１、２を示し、接点間にクラスタ鎖３がある。絶縁層５をゲート接点４とともに示す。

好ましい実施形態では、クラスタを付着させる前に、デバイスを相互から隔離するために基板を不動態化する。これは、パターン形成したスパッタ被覆の二酸化シリコン層を使用して実現することができる。光学リソグラフィの後にドライ・エッチングを使用して、接点フィンガ／Ｖ字溝の区域の真上で二酸化シリコンにウィンドウを開くことができる。熱酸化を使用してシリコンのＶ字溝を不動態化した場合、この最終的なドライ・エッチングは、基礎の酸化物層が大幅に消耗することを回避するために時間を設定する。

次に、ＰｅＣＡＮデバイスの手順［３０］通りに、必要な全てのデバイス接点を有する専用のサンプル・ホルダにサンプルを装着する。好ましい実施形態では、クラスタを付着した後、高い真空にてデバイスを、電子線で蒸着またはスパッタリングした絶縁薄膜（例えばＳｉＯｘ）で密封することができる。この層は、クラスタの酸化を防止するために使用するか、追加のリソグラフィおよび金属蒸着段階で頂部ゲートを製造する前に、絶縁層として使用することができる。図１８は、このようなデバイスの略図を示す（Ｖ字溝は図示せず）。

最後に、ＴｅＣＡＮデバイスは、多くの形態の表面組織形成を利用することができ、Ｖ字溝に制限されないことが分かる。図１９は、「逆ピラミッド」の底部の原子間力顕微鏡の像を２つの異なる分解能で示す。逆ピラミッドは、ＫＯＨと、（上述したようなスロットではなく）円形または正方形の幾何学的形状を有するマスクまたはウィンドウを使用してシリコンをエッチングした場合に形成される。（隆起がＡＦＭ像の品質によるものであり、表面の平坦さを表していない図１９の下の像のように）寸法が非常に小さく、壁が極めて平坦な逆ピラミッドを実現することが可能である。好ましい実施形態では、電子線リソグラフィを使用して、逆ピラミッドの４隅それぞれに電気接点を画定し、それによって小平面の縁部に沿って形成したクラスタ集合線の４つの端子測定が可能になる。このような４つの端子測定は、例えば磁界または化学的感知用途などの精密な導電性測定に有用であることがある。頂部および／または底部ゲートも、これらの構造に適用してよい。

前述したように、好ましい実施形態ではクラスタを付着させる前に接点を形成するが、クラスタ付着後の接点形成も、本発明の範囲に入る。この場合、接点は線と位置合わせする必要がなく、したがって位置合わせおよび接点形成の前に、何らかの形態の線の描像が必要となる。電子線リソグラフィは、これを実現する適切な方法である。表面の描像と接点の高分解能定義との両方を可能にするからである。

さらに、接点を全く使用しない場合もある。そのような場合とは、ワイヤ・グリッド偏光器であり、これは基本的にアレイ状の線である。これも本発明の範囲に入る。

ｂ）クラスタの形成および付着
１つの好ましい装置は、参考文献［４５］に記載された実験装置の変形である。ビスマスのクラスタを不活性ガス濃縮ソースで生成する。ソース室内では、金属を加熱し、７５０〜８５０℃の温度で蒸発させる。常温のアルゴン・ガスが金属蒸気と混合し、クラスタの核を形成して、成長を開始する。クラスタ／気体混合物は、２段階の差動ポンピングを（ソースの室の約１トルから主室の約１０^−６トルへと）通過し、したがって大部分のガスが抽出される。ビームは、約１ｍｍの直径および約０．５°の開口角を有するノズルを通って主室に入る。サンプルでは、クラスタ・ビームの直径は約４ｍｍである。クラスタ・ビームの強度を求めるために、水晶付着速度モニタを使用する。サンプルを可動棒に装着し、付着中に水晶付着速度モニタの前に配置する。

ソースのパラメータのうち特定の範囲は重大でないことに留意されたい。つまり、クラスタは広範囲の圧力（０．０１トルから１００トル）および蒸発温度で生成し、１トルから１０^−１２トルのうちほぼいずれの圧力でも付着させることができる。任意の不活性ガスまたは不活性ガスの混合物を使用して凝集を引き起こし、蒸発可能な任意の材料を使用して、クラスタを形成することができる。クラスタのサイズは、気体の圧力、気体のタイプ、金属の蒸発温度、および圧力が低下する様々な室を接続するために使用するノズルのサイズの相互作用によって決定される。これらの要素は全て、生産する線／ナノ粒子の特定の形態を変更するために、変更することができる。

付着システムでは、例えば参考文献［４６］の設計の質量フィルタを組み込み、標準的な電子線技術でクラスタをイオン化するなど、イオン化したクラスタおよび／または質量選択システムを使用することができる。これらの特徴、さらには低下した最終的圧力およびマグネトロン・スパッタ・ヘッドを使用するクラスタ・ソースという追加の利点を組み込んだ超高真空クラスタ付着システムを構築した。この技術を使用して生成したＳｉクラスタ集合線について以下で検討するが、それ以外は、本明細書で検討する全ての結果は元の高真空システムで獲得したものである。

これらの付着システム全部（通常、参考文献２７の設計のような大部分の真空蒸着システムには組み込まれていない）の特徴は、付着中にデバイスで電気的測定を実行できるように、付着室内に電気的フィードスルーを使用することである。このようなフィードスルーは、真空機器を扱う企業の大部分から供給される標準品である。

（ｃ）付着中の測定
測定回路の中心は、１０^−１５Ａの分解能を有するＫｅｉｔｈｌｅｙ６５１４電位計であった。したがって、電流分解能の制限要素は、システム中のノイズである。５ｍＶから５Ｖの範囲に出力電圧が固定され、電流に依存しない電圧ソースが、必要な安定した電位を供給した。

付着中にデバイスを流れる電流の測定は、幾つかのデバイス設計を実現するために重要である。

（ｄ）Ｖ字溝で集合した線の実験による実現
本セクションでは、シリコンのＶ字溝の基部に付着させ、金属質クラスタが集合したナノ細線の実験による実現を説明する。このクラスタは、高真空クラスタ生成システム内で形成する。クラスタを形成する元となる金属質材料は、ソース室内の炉に含まれる。炉の温度は、炉の基部に装着した熱電対を介して監視し、制御する。炉の温度がホスト金属の融点より上まで上昇したら、ソース室内の金属質蒸気からクラスタが成長する。成長プロセスは、不活性ガスの存在を利用し、本明細書で述べるビスマス、アンチモンおよび銀のクラスタの場合は、アルゴンおよび／またはヘリウムを使用する。不活性ガスは、流量制御装置を通して、炉に近接したソース室へと直接供給する。ソースの出口ノズルが不活性ガス／クラスタの出力ビームを生成し、これはノズルを通して配向され、２つの差動ポンピング段階に入り、最終的に高真空室に入る。高真空室はサンプル・アーム／シャッタ機構および付着速度モニタを収容している。

ポンピングのシーケンスが開始する前に、高真空室のポートを通してサンプル・アームに基板を導入する。システムの通気中に、サンプル・アームには最高８つの基板を装着することができる。このような複数サンプルの機能によって、異なるソース条件で様々な基板材料／位相に関するクラスタの挙動を迅速に実験で特徴付けることができる。

クラスタ材料の付着速度は、サンプルの背後に装着され、クラスタ・ビームと一直線に並んだ振動結晶膜厚さモニタ（ＦＴＭ）を介して監視する。付着する前に、ＦＴＭを使用して安定した速度を確立する。次に、付着を開始するために開いているシャッタの背後で、基板ホルダを結晶の前へと移動する。付着速度は、不活性ガスの流量および溶融した金属ソースの温度から影響を受ける。したがって、任意のガス流量での付着速度は、ソースの温度を介して調節する。

クラスタのサイズは、ソースの圧力、炉の温度、および気体混合物からも影響される。様々な基板に付着したクラスタのサイズを推定するために、電界放出ＳＥＭ像（図１）およびＡＦＭ像（図示せず）を使用している。ＴＥＭは、ビームにおけるクラスタのサイズ分布を特徴付けるために、別個に使用した。この研究では、付着したクラスタの直径は、Ｂｉの場合で全て５ｎｍと１００ｎｍの間、Ｓｂの場合で５ｎｍと１２０ｎｍの間であった。以下で検討するように、Ｖ字溝の頂点、および溝間のプラト上では、構造のサイズが粒子の凝集のせいで異なることがあることが分かる。

クラスタ・ビームは、（選択したソース、および第１差動ポンピング段階のノズル径に応じて）３〜５ｍｍの平均直径を特徴とするガウス束を有する。このガウス・プロフィールを活用して、個々の基板に付着した様々な薄膜の厚さに関する情報を提供することができる。例えば、円形のビーム・スポットの縁部ではクラスタの被覆率が１層未満、中心では被覆率が複数層になるように付着時間を選択することができる。これは、付着したクラスタ、さらに様々な基板表面上におけるその動作を迅速に調査し、特徴付けることができる付着プロセスの特徴である。１つのサンプルで、大きい範囲の表面被覆率を調査できるからである。

以下のパラグラフは、主要なタイプの付着実験を分類している。最初に、クラスタ付着装置を使用して、（不動態化していない）Ｖ字溝付きシリコン基板上で凝集したビスマス・クラスタのナノ細線を調査した。二酸化シリコンの（不動態化した）Ｖ字溝付き基板では、Ｂｉクラスタの動作の増大が見られる。シリコンおよび二酸化シリコン上のアンチモン・クラスタのナノ細線を含む実験も行い、不動態化したシリコン基板および不動態化していないシリコン基板上でのＡｇおよびＳｉクラスタでの実験につながった。

以下の例では、Ｂｉ、Ｓｂ、ＡｇおよびＳｉクラスタで本発明を示した。これらは例示的であり、本発明により形成したクラスタの、したがって線の素性を限定するものではない。

ビスマスのクラスタ
図６（ａ）（ｉ）は、３０ｓｃｃｍのアルゴン流量を使用して付着したビスマス・クラスタを有するＶ字溝付きシリコン基板を示す。このサンプルでは、各Ｖ字溝の頂点に向かうクラスタの多少の動作が明白であるが、この効果は、真のナノ細線を生成するのに十分なほど顕著ではない。図６は、これより高いアルゴン流量にてビスマス・クラスタで被覆している基板を示し、その結果、図６（ａ）（ｉ）で見られるより頂点での線が細くなり、Ｖ字溝の上部壁がはるかにクリーンになる。

この比較は、ビスマスのナノ細線を形成する機構を示す働きをする。（金属質蒸気の凝集を容易にするためにソース室に導入される）アルゴン・ガス流は、クラスタに対して、これをＶ字壁の基部へと追いやるのに十分な運動量を与える。流量が増加するにつれて、クラスタの平均運動量が増加し、クラスタが降りた時に基板に固着する可能性が低下する。Ｖ字溝は、クラスタが反跳または滑動する傾向を活用して、これを細い頂点に配向し、ここでクラスタが整列／凝集して、線状構造を形成する。

図２５（ａ）は、９０ｓｃｃｍのＡｒ流量を使用して付着したＶ字溝付きＳｉ基板の領域を示し、ここではビーム・プロフィールの様々な点で付着速度が異なるせいで、付着した薄膜の厚さが急速に変化する。これは、１つの基板で様々な被覆率に関する情報を獲得する能力を示す。この図は、クラスタの凝集が増加して、粒子が大型化することも示し、これはＶ字溝の基部で発生することがある。Ｖ字溝がある基板にわたってＦＥ−ＳＥＭを使用してクラスタの平均サイズを測定すると、クラスタのサイズがＶ字溝の基部では、これを囲むプラトより大きくなることが示される。この効果は、Ｖ字溝の基部で発生するクラスタ同士の衝突が多くなることに帰される。短い付着時間および高い付着速度で生成したサンプルは、これより長い付着時間および低いクラスタ束で生成したものより大きい凝集を示す。

図２５（ａ）（および本明細書に含まれる他の図）で実際に示す重要な効果は、Ｖ字溝の特定の区間に形成される線状構造の厚さは、その区間がビーム・スポットの中心にいかに近いかによって決定されることである。中心に近いほど、そのスポットで実現される付着速度が上がり、薄膜の全厚さが増加する。任意の面積に付着させるクラスタが増加すると、最終的な線状構造が太くなる。つまりクラスタが、Ｖ字溝の頂部に向かってさらに「バックアップ」される。

図２５（ａ）は、Ｖ溝の側部への衝突角度を変化させることの効果も示す。この場合、Ｖ字溝は、シリコン・ウェハのスライシング・プロセスで多少の位置合わせ不良があるので、対称ではなく、Ｖ字溝の２つの側部が、入るクラスタに対して異なる角度を呈する。角度が浅い方の側部は、クラスタが到着後の運動が明らかに少なくなる。粒子密度が同じである区域では、線が太くなり、Ｖ字溝表面の頂部にあるクリーンな区域が小さくなる。図２５（ｂ）は、同じ効果をさらに詳細に拡大図でもって示し、図２５（ｃ）は全体図で示している。

図３は、Ｖ字溝の頂部で増大したクラスタ凝集効果を示す。この像は、電界放出ＳＥＭ解析を使用して獲得したものであり、９０ｓｃｃｍのアルゴン流量で生成したビスマス・クラスタで被覆したサンプルを示す。特定の状態では、付着した第１クラスタが制限された量だけ滑動すると、その後に到着するクラスタが、最終的に大きい凝集物の雪崩が発生する前に、恐らく十分に大きい衝突が発生すると、部分的に凝集できることも実証される。Ｖ字溝内と隣接するプラト上でクラスタの被覆率およびサイズを比較した図を、図４で示す。実験の証拠は、Ｖ字溝の基部に見られるクラスタ凝集の程度が、被覆率および付着速度に依存することを示唆する。

図５は、不動態化したシリコン（１２０ｎｍの厚さの二酸化シリコン）と不動態化していないシリコンでのビスマス・クラスタの運動を比較したものである。アルゴン流量および炉の温度は、これらのサンプルでは（測定可能な偏差内で）同一であった。Ｖ字溝の壁は、不動態化したサンプルの方が明らかにクリーンであり、Ｖ字溝の頂点に向かってクラスタの表面摩擦が低下し、運動が増大することを示す。この特徴は、アルゴン流量を等しく低下させて不動態化したサンプルと不動態化しないサンプルとを比較した場合も明白である。

図６は、アルゴンの流量を使用して、二酸化シリコン上のビスマス・ナノ細線の幅を制御する方法を示す。Ｖ字壁の頂部での線幅とクラスタ密度は両方とも、アルゴンの流量の増加とともに減少する。Ｖ字溝の壁の頂部でクラスタの占有率が低下することは、不活性ガスの流量を上げて被覆したサンプル（運動量がさらに大きいクラスタを生成する）で特に明白である。図６は、アルゴン流量が１８０ｓｃｃｍのサンプルで、Ｖ字溝の壁の頂部にクラスタ材料が欠けていることを示す。図６（ｂ）は、Ｖ字溝の壁の欠陥にはクラスタの蓄積が生じないことも示す。したがって、頂点にある線と隣接するプラトとの間には接触がない。運動量により集合させた方法は、その間のシリコン・プラトから隔離されたナノ細線を確実に生成する。さらに、ナノ細線を生成するために必要な合計被覆率は低いので、溝間の基板の平坦部分で接続が確立される前に、Ｖ字溝の頂点に沿って接続が形成される。

図６は、Ｂｉクラスタを付着した（（ｉ）左側）不動態化していないＶ字溝付きＳｉ基板と（（ｉｉ）右側）不動態化したＶ字溝付きＳｉ基板を示す。付着プロセス時間は、図示の全サンプルで被覆率が同様になるように選択し、アルゴン流量（（ａ）３０ｓｃｃｍ、（ｂ）６０ｓｃｃｍ、（ｃ）９０ｓｃｃｍおよび（ｄ）１８０ｓｃｃｍ）は、Ｖ字溝上にクラスタがある実験の再現可能な特徴である蓄積効果を実証するために選択した。図６ａは、クラスタ薄膜が均一のように見える低流量のケース（アルゴン流量は３０ｓｃｃｍ）を示す。図６ｂは、６０ｓｃｃｍのアルゴン流量を使用してクラスタを付着したＶ字溝付きサンプルの同様の対を示す。ＳｉとＳｉＯ_２の両サンプルのクラスタ薄膜は、Ｖ字溝の頂部付近に、クラスタの密度が顕著に低い区域（それぞれ幅は１μｍおよび１．５μｍ）を特徴とする。図６ｃでは、クラスタがない区域も見られ、ここでは幅がＳｉおよびＳｉＯ_２のＶ字溝それぞれで１．５μｍおよび２μｍとなる。図６ｄのクラスタがない区域の幅（アルゴン流量１８０ｓｃｃｍでの付着）はＳｉおよびＳｉＯ_２のＶ字溝それぞれで２μｍおよび３μｍである。（クラスタがない区域について引用した幅は全て、連続的なクラスタ薄膜とＶ字溝の頂部との間の（傾斜に平行な）平均距離を指す。）

クラスタがない区域の幅とソースとなるアルゴン流との間には明白な相関関係がある。つまり、ソースの出口ノズルを通るガスの速度が増加するにつれて、クラスタの平均運動量が増加し、各Ｖ字溝の傾斜壁上でクラスタが滑動する平均距離が増加する（図２３のＳｂクラスタも同様の効果を示す）。アルゴンの流れが約１５０ｓｃｃｍを超えると、４〜７μｍ幅のＳｉＯ_２のＶ溝の壁が、通常は（Ｖ字溝の壁に明白な欠陥が存在しても）クラスタの占有率がゼロとなり、溝の頂点には明白に画定されたクラスタ集合線がある（図６ｂ）。この効果は、不動態化していないサンプルでも測定可能であるが、これほど劇的ではない。

Ｖ字溝の頂点で測定したＢｉクラスタのサイズは、クラスタの被覆率および付着速度に依存することが判明した。クラスタ・ビーム・スポットの縁部（被覆率が低い）にあるＶ字溝のクラスタの電界放出ＳＥＭ像を、ビーム・スポットの中心（被覆率が高い）で取得した像と比較し、クラスタの平均サイズは、クラスタの合計付着数が最大となるビームの中央区域で最大になることが判明した。これは、Ｖ字溝の頂点で合体が発生していることを示唆する。さらなる実験は、クラスタが合体し、したがって付着速度を低下させることによって、クラスタ／線の平均直径を縮小できることを示す。

アンチモンのクラスタ
Ｂｉクラスタを使用して実行した実験を、Ｓｂクラスタで繰り返した。図７は、ＳｉおよびＳｉＯ_２のＶ溝にあるＳｂクラスタ・アセンブリを示す。図７のＶ字溝付きＳｉ基板上に付着したクラスタの像を図６のそれと比較すると、ＳｂクラスタはＢｉクラスタと同じ方法で集合していないことが明白である。Ｓｂクラスタが付着したＳｉサンプル（図７ａ（ｉ）、図７ｂ（ｉ）、図７ｃ（ｉ））は、表面被覆で極めて高いコントラストを呈した。Ｖ字溝の頂点ではクラスタの相当の蓄積が発生したが、隣接するプラトは、被覆率がほぼゼロであった。３０ｓｃｃｍのアルゴン流量を使用すると、隣接するＳｉのプラトを有意に占有せずに、ＳｉのＶ字溝をクラスタで完全に充填することが可能であった（図１０）。Ｓｉのプラトで見られた極めて低いクラスタの被覆率は、クラスタ・ビームに対して直角のＳｉ基板表面からクラスタが反跳したことに帰された。５０ｓｃｃｍを超えるアルゴン流量では、不動態化していないＶ字溝の頂点に形成される線は、中断部を含むことが多く、３０ｓｃｃｍを超える流量を使用して生成した線は、３０ｓｃｃｍで生成したものほどコンパクトではなかった（図７ａ（ｉ）および図７ｂ（ｉ））。図７ｃ（ｉ）は、ソース・アルゴン流量が９０ｓｃｃｍでＳｉのＶ字溝に形成し、隔離したクラスタ凝集物を示す。この流量を使用すると、Ｖ字溝自体より細く、有意の長さを有する線を生成することが不可能であった。

これに対して、ＳｉＯ_２上のＳｂクラスタの挙動（図７ａ（ｉｉ）、図７ｂ（ｉｉ）、図７ｃ（ｉｉ））は、ＳｉＯ_２上のＢｉクラスタの挙動（図６ａ（ｉｉ）、図６ｂ（ｉｉ）、図６ｃ（ｉｉ））と多少の類似性を示した。穏やかなアルゴン流量でも、Ｖ字溝の頂部では空隙が明白に識別可能であり（図７ａ（ｉｉ）、図７ｂ（ｉｉ））、Ｂｉの場合と同様に、Ｖ字溝壁のクラスタがない区域の幅は、ソースの出口ノズルを通るガスの速度が増加するにつれて増加した（図７ｃ（ｉｉ））。

図２は、４μｍ幅のＶ字溝内にて、クラスタのビーム・スポットの周囲で形成された、最小幅が１００ｎｍ（Ｖ字溝の幅の１／４０）未満であるＳｂクラスタが集合した線を示す。不規則な形状およびサイズ（２０〜１００ｎｍ）のＳｂクラスタが、クラスタのビーム・スポットの周囲に見られたが、図２で示すように、これらのクラスタは、より一般的に遭遇する球形クラスタと同じ方法で、Ｖ字溝の頂点にて集合する。

図９は、アンチモンの線を形成する元となる典型的なＶ字溝付きシリコン基板を示す。Ｖ字溝の頂点にクラスタが蓄積することは明白である。Ｖ字溝の上壁にはクラスタがないが、Ｖ字溝間のプラトはほとんど被覆されないままであることも明白である。クラスタが平坦な表面から反跳するのに十分なほどのクラスタ運動量が、アルゴン流から与えられたようである。この効果は、シリコンのＶ字溝をほぼ完全に充填するような非常に太い線を生成するほど十分に付着を延長した場合に、最も明白に見ることができる（図１０）。プラトの欠陥にクラスタ凝集が見られるが、クラスタの占有率は、プラトでは隣接するＶ字溝の数分の１である。プラト上の欠陥が、衝突するクラスタにとって「軟着陸場」として作用でき、このクラスタが次に、その後のクラスタの「軟着陸場」として作用すると考えられる。

様々なＡｒ流量を使用して４μｍ幅のＶ字溝に付着させたＳｂクラスタのＦＥ−ＳＥＭ像を使用して、被覆率が低い領域の幅Δ、およびこのように被覆率が低い領域の被覆率（単層のパーセンテージ）を測定した（図２３）。図２３は、クラスタの速度とともに、被覆率が低い領域の幅がいかに増加するか、および被覆率が低い領域内の被覆率がいかに低下するかを定量的に示す。

図８は、Ｓｂクラスタが１８０ｓｃｃｍで付着した後に、Ｖ字溝の頂点で固体ナノ細線がちょうど形成された位置にて、ＳｉＯ_２で被覆したサンプルのプラト（ａ）と、隣接するＶ字溝（ｂ）とを示す。シリコン・プラトの被覆率は４０％未満であり、その接続は現実的でない。

図１１は、２つの平面Ａｕ接点間に延在し、幅が６μｍで、ＳｉＯ_２で被覆したＶ字溝の頂点に沿って集合したＳｂクラスタを示す。Ｖ字溝法は、導電経路の形成に高い選択性を提供し、図１１（ａ）は、Ｖ字溝で集合した約３μｍ幅の線があっても、平面での被覆率は、その導電に必要な値よりはるかに低かったことを示す。この線で取得したＩ（Ｖ）特徴を図１１（ｂ）で示す。

銀のクラスタ
ＳｂおよびＢｉのクラスタが集合した線の生成に使用したものと同じ技術を使用して、Ａｇのクラスタが集合した線を生成した。Ａｇクラスタは、不活性ガス凝集ソース内で生成するが、ソースは高温で操作する。Ｖ字溝がある不動態化したＳｉＯ_２基板に付着したＡｇクラスタのＳＥＭ像を図２１で示す。同様に付着したＳｂクラスタの場合のように、ＡｇクラスタはＶ字溝の底部に蓄積し、Ｖ字溝の頂部付近および平面には、クラスタがほぼ完全にないことが分かる。高い倍率の像（図２１下）は、クラスタが、制限された程度の合体のみで表面に凝集することを示す。

シリコンのクラスタ
クラスタは、上述した炉の構成の代わりにマグネトロン・スパッタリング・ユニットがあるソースを使用しても生成した。ＵＨＶに適合し、結局ははるかに低い圧力で付着できるようにする全く新しいクラスタ付着システムも構築し、現在、このシステムは、上述した高真空システムと同等の圧力でのみ付着を可能にする構成で使用されている。図２２は、ＳｉＯ_ｘで被覆したＶ字溝へのＳｉクラスタの付着結果を示す。

図２２はさらに、本明細書で述べるテンプレート技術の有用性も示す。半導体Ｓｉクラスタを使用して、幅が約１００ｎｍのナノ細線を実現した。Ｖ字溝の頂部付近および平面には、クラスタがほぼ完全にないことが分かる。Ｖ字溝の頂点における凝集Ｓｉクラスタの有意な合体は、極めて均一な幅の連続的なＳｉナノ細線の形成につながる。

結論
上記の例は、Ｂｉ、Ｓｂ、ＡｇおよびＳｉの各クラスタが集合して、線およびナノ細線を形成することを実証する。線を実現するために必要なサイズの範囲および流量など、細部に多少の違いはあるが、Ｖ字溝のようなテンプレートがクラスタを集合させる有用な方法を提供する一般的原理は、同じままである。本発明はＢｉ、Ｓｂ、ＡｇおよびＳｉのクラスタに制限されない。当業者には想定されるように、他の適切なクラスタを使用することができる。本発明は、テンプレートがある基板表面上でクラスタが移動可能である任意のクラスタと基板の対に適用可能である。

従来のフォトリソグラフィおよび低分解能のマスクを使用して、２ミクロンから１０ミクロンの幅を有する接点付きおよび接点なしＶ字溝を生成した。標準的な高分解能の光学リソグラフィを使用して、１μｍ幅のＶ字溝が実現され、電子線で画定したマスクを使用して、わずか約１０ｎｍの幅のＶ字溝を生成することができる。縮小能力によって、コンパクトなデバイスの設計およびデバイスの接点とゲートとの近接が可能になる。

Ｖ字溝の幅は、線の形成に重要な役割を果たすことが分かる。Ｖ字の頂部の開口は、コレクタ区域として作用し、その幅は、線の形成に使用可能なクラスタの（Ｖ字溝の単位長さ当たりの）総数を決定する。任意の付着表面の合計被覆率では、Ｖ字溝の幅が大きいと、（Ｖ字溝の単位長さ当たりの）クラスタ収集数が多く、したがって形成される線が比較的太くなる。細いＶ字溝では、比較的細い線が形成される。

反跳または滑動するクラスタ
図５（ｂ）および図６（ｄ）（ｉｉ）は、Ｖ字溝の壁に沿って明白な欠陥線があるＶ字溝を示す。これらの欠陥は、リソグラフィに使用するマスクとシリコンの結晶面との間の位置合わせ不良によるものである。図６（ｄ）（ｉｉ）は、クラスタがこのような欠陥には凝集しないことを明白に示し、したがって（単純な拡散ではなく）反跳または滑動が、線の形成の重要なメカニズムであるという強力な指標である。グラファイト上で拡散するクラスタは、（はるかに小さい）原子の表面段差に凝集する［１６］ことに留意されたい。Ｖ字溝間のＳｉＯ_２プラトでクラスタの被覆率が低いことは、反跳クラスタ・モデルを強力に支援する。表面拡散のせいでクラスタがプラトから離れる可能性は、プラトの大きい幅（８μｍ）およびそのＲＭＳ表面粗さ（約５ｎｍ）のせいで割り引くことができる。

さらなる実験の観察結果は、反跳クラスタ・モデルを支援している。最初に、サンプルの前に配置した開口の裏側で、大量の後方散乱したＳｂクラスタが収集された。第２に、別個の実験で、平面上のリソグラフィで画定された接点間のＳｂおよびＢｉクラスタの付着を比較した。導電性（浸透性）薄膜の形成にかかる時間は、それ以外の条件がほぼ同じ場合で、Ｓｂクラスタの付着ではＢｉの約３．５倍である。これは、入射したＳｂクラスタのうち、付着する表面に固着するのは約３０％に過ぎないことを示す。同様に欠陥で凝集せずにＶ字溝の頂点に到達するＢｉクラスタと比較すると、Ｂｉクラスタの方がＳｂクラスタより「粘着性が高い」ことが示唆される。つまり、（恐らく、活発な滑動の方に等しい動作で）反跳が弱くなる。

既存のクラスタの文献は、反跳現象を理解するための枠組を提供していないようである。軟着陸、細分化、注入およびスパッタリングなど、クラスタ付着で可能な様々な結果［４７］を広範に検討したところ、「硬質」表面からの反射の可能性に気づいたが、これを直接実証するシミュレーションまたは実験は、以前にはないようである。文献には細分化に関して多数の研究があることを考えると、クラスタのサイズ分布が比較的小さく、細分化（図２、図６および図７）の証拠がないことは、非常に驚くべきことである。これらの実験で、高い合計運動エネルギー（＞１０ｋｅＶ）であるが、原子当たりのエネルギーが非常に低い（＜０．０１ｅＶ／原子）状態で生成した大きい（約４０ｎｍ）クラスタは、以前のシミュレーションおよび実験で考察したものとは明らかに異なる領域にある。

クラスタ付着の結果として薄膜が形成されるシミュレーション研究［４８］は、入射エネルギーが異なると、異なる薄膜形態が予想されることを示すが、クラスタの反跳は観察されなかった。面白いことに、［４８］は、軟着陸領域（＜１ｅＶ／原子）［４７］では、小さいクラスタの薄膜が、最少の合体で比較的軽度に充填されることを示す。つまり、図１ｂで示したものと同様の開放構造である。

しかし、反跳する（ナノ規模）クラスタ現象は、以下でさらに詳細に検討するように、反跳する（マイクロ規模の）液体小滴との類似性が多いようである。

本発明を、以下の例でさらに例示する。

１．リソグラフィ・プロセス
光学リソグラフィと電子線リソグラフィとの組み合わせ、および表面形体および接点の形成へのそれらの使用は、以前の特許出願［３０］に記載され、参照により本明細書に組み込まれる。

２．クラスタ付着実験の結果
ビスマスのクラスタを平坦なＳｉＮ表面（または規定の電気接点があるような表面）に付着させ、原子間力、光学および電界放出走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を使用してこのようなクラスタ薄膜を描像することについては、以前の特許出願［３０］に記載され、参照により本明細書に組み込まれる。以前の研究のＦＥ−ＳＥＭ像は、クラスタがＳｉＮ上で大量に拡散、合体しないことを示す。合体の量は限られ、クラスタの隣接クラスタへの統合は非常にわずかであるが、概して粒子はまだ識別可能である。本発明の研究（図１から図１２の像参照）では、Ｖ字溝の頂点で粒子が合体する程度が高く、１本の線状鎖を備えるデバイスに加えて、比較的大きい直径の粒子、および多くの粒子を含む直径を有する線の構造が、本発明の重要な態様である。

３．クラスタ薄膜の電気的特性
付着巾および付着後の両方でテンプレートがないクラスタ薄膜にて実行した電気的測定については、以前に記載され［３０］、参照により本明細書に組み込まれる。テンプレートがあるクラスタ・デバイスでも同様の結果が獲得されると予想される。

４．入射運動エネルギーが着陸後のクラスタの分離に及ぼす効果
特定の理論に拘束されないことを願って、以下の観察を実行した。

ＤａｖｉｅｓおよびＲｉｄｅａｌ（参考文献［４９］の４４１ページ参照）は、特定の運動エネルギーで固体表面に衝突する液滴について考察し、特に衝突後に滴が表面から分離する可能性について考察した。その原理は、表面に取り付くエネルギーが、主に液体／空気境界面の表面張力および表面に対する接触角に依存し、入り小滴の運動エネルギーによって克服できる、ということである。つまり、取り付くエネルギーは、活発な小滴を表面に結合するには不十分であり、小滴を「反跳」させる。

以下のように仮定する、つまり、
１）ビスマスのクラスタが液体であるか、固体クラスタの有効表面張力が、液体のそれと同様であり、同じ原理が当てはまる、
２）適用可能な表面張力が、２７０℃（ビスマスの融点）における塊状ビスマスの表面張力、つまりγ＝３９０ｄｙｎｅｓ／ｃｍ［５０］であり、
３）接触角が約９０°であり、
４）クラスタが直角の入射角で入射し、
５）使用可能な運動エネルギーのうち５０％しか、クラスタの分離には送られず、
６）入りクラスタの速度が、ソース室のノズルを通って流れる不活性ガスのそれと同様である、
と仮定すると、クラスタのサイズの関数として分離エネルギーに対する運動エネルギーの比率を計算することが可能である。この比率が１（限界値）より大きい場合は、クラスタが反跳／分離する可能性が高い。

図２０は、クラスタのサイズの関数として計算した比率を示す。クラスタが反跳する可能性は、そのサイズに劇的に依存することが明白であり、クラスタが大きいほど反跳する可能性が高く、クラスタが小さいほど取り付く（したがって場合によっては移動する）可能性が高い。現実的な速度を選択すると、閾値サイズは、技術的に重要であるクラスタ・サイズの範囲（つまり１００ｎｍ未満）になり、この反跳挙動は、Ｖ字溝の頂点に向かってクラスタが移動するという観察結果、および予想されていた平面の基板領域にクラスタがないことの説明にもなる。当業者には明白であるように、同様の計算で衝突角度の効果を考慮に入れることができる。

クラスタのサイズ変更の効果に関する調査を実行した。図２４（ａ）、図２４（ｂ）および図２４（ｃ）で示すＳｂクラスタを、同一のＡｒ流量で、したがって同様の速度で付着したが、Ｈｅの流れは異なり、したがってクラスタのサイズも異なった（それぞれ４０ｎｍ、２５ｎｍおよび１５ｎｍ）。プラトでの被覆率には有意の変動が見られる（＜１％から＞１００％）が、Ｖ字溝は同等に充填される。プラトへのこのようなクラスタ取り付きの差は、付着したクラスタの質量の変動に、したがって運動エネルギー（Ｋ．Ｅ．）に帰される。クラスタが大きいほど運動エネルギーが大きく、クラスタ・ビームに対して直角な二酸化シリコンの表面から反射する可能性が高くなる。

ＢｉとＳｂの両クラスタによる表面の濡れの観察結果は、クラスタと表面との強力な相互作用の証拠であり、クラスタを小滴として処理できることを示唆する。ＳｂおよびＢｉの表面張力［５１］および凝集エネルギー［５２］について分かっている値は非常に類似し、表面の濡れ特性が重大であることを示唆する。ＦＥ−ＳＥＭ写真を使用して、ＳｉＯ_ｘ上のＳｂクラスタの濡れ角度（θ）を推定し（θ＝１２０°）、［４９］に従うと、図２６および図２７は、これらの研究［５３］に関連するクラスタ・サイズおよび速度の範囲のζを示す。つまり、直径が約４０ｎｍのＳｂクラスタは、≧５０ｍ／ｓの速度では反跳すると予想され（ζ＞１）、これは今回の実験結果を確実に上回っている。同様の計算は、ＢｉクラスタがＳｂクラスタよりはるかに大量に表面を濡らす（ＡＦＭ像によってθ＝約３０°の推定値が可能である）ので、Ｂｉクラスタが反跳するためには、入射運動エネルギーが約１０倍になる必要があることを示唆する（つまり、任意のサイズでは、Ｂｉクラスタは３倍速く移動する必要がある。図２７参照）。このように予測された挙動は、同等のＳｂクラスタよりはるかに「粘着性が高い」ように見えるＢｉクラスタの実験と、少なくとも定量的に一致し、高速（Ａｒ流量１５０ｓｃｃｍ）で付着するＢｉクラスタは、低い流量で形成されるＳｂ線と同様の線形態になる（図１ａ参照）。

以上で本発明について説明した。当業者にとって明白な変更および改造は、本発明の範囲に組み込まれるものとする。

参考文献

１Ｓ．ＴａｎｓｅｔａｌＮａｔｕｒｅ３９３，４９（１９９８）．
２ＳｅｅＰ．Ｃｏｌｌｉｎｓｅｔａｌ，Ｓｃｉｅｎｃｅ２９２，７０６（２００１）ａｎｄｒｅｆｓｔｈｅｒｅｉｎ．
３Ａ．Ｒｏｃｈｅｆｏｒｔｅｔａｌ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，２５２１（２００１）
４Ｖ．Ｒｏｄｒｉｇｕｅｓｅｔａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．８５４１２４（２０００）．
５ＡＭｏｒｐｕｒｇｏｅｔａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，２０８４（１９９９）
６Ｃ．Ｌｉｅｔａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７６，１３３３（２０００）
７Ｐ．Ａ．Ｓｍｉｔｈｅｔａｌ．，ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ７７（９），１３９９（２０００）．
８Ｚ．Ｚｈａｎｇｅｔａｌ．，ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＲｅｓｅａｒｃｈ１３（７），１７４５（１９９８）．
９Ｙ．−Ｔ．Ｃｈｅｎｇｅｔａｌ．，ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ８１（１７），３２４８（２００２）．
１０Ｃ．Ｚ．Ｌｉｅｔａｌ．，ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ７６（１０），１３３３（２０００）．
１１Ｒ．Ｐａｌｍｅｒ，”ＷｅｌｃｏｍｅｔｏＣｌｕｓｔｅｒｗｏｒｌｄ”，ＮｅｗＳｃｉｅｎｔｉｓｔ，２２Ｆｅｂｒｕａｒｙ１９９７．
１２Ｗ．Ｃｈｅｎｅｔａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６６，３３８３（１９９５）
１３Ｓｅｅ，ｆｏｒｅｘａｍｐｌｅ，Ｉ．Ｍ．Ｇｏｌｄｂｙｅｔａｌ，Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔ．６８，３３２７（１９９７），ａｎｄｒｅｆｓｔｈｅｒｅｉｎ．
１４Ｓｅｅｆｏｒｅｘａｍｐｌｅ，；Ｄ．Ｋｌｅｉｎｅｔａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８，２５７４（１９９６）；Ｔ．Ｔａｄａｅｔａｌ，Ｍｉｃｒｏ．Ｅｎｇ．３５，２９３（１９９７）；Ｔ．Ｔａｄａｅｔａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７０，２５３８（１９９７）；Ｋ．ＳｅｅｇｅｒａｎｄＲ．Ｐａｌｍｅｒ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７３，２０３０（１９９８）．
１５Ｉ．Ｍ．Ｇｏｌｄｂｙｅｔａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６９，２８１９（１９９６）．
１６Ｇ．Ｍ．Ｆｒａｎｃｉｓｅｔａｌ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．７３，２９４２（１９９６）．
１７Ｊ．Ｌｉｕｅｔａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１６２７（１９９９）．
１８Ｓ．Ｊ．Ｃａｒｒｏｌｌｅｔａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７２，３０５（１９９８）．
１９Ｗ．ＣｈｅｎａｎｄＨ．Ａｈｍｅｄ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１１，２５１９（１９９３）．
２０Ｍ．Ｈｏｒｉｅｔａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７３，３２２３（１９９８）．
２１Ｄ．ＫｌｅｉｎｅｔａｌＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８，２５７４（１９９６）．
２２Ｌ．Ｇｕｒｅｖｉｃｈｅｔａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７６，３８４（２０００）．
２３Ｊ．Ｐａｒｋｅｔ．ａｌ．Ｎａｔｕｒｅ４１７，７２２（２００２）；Ｗ．Ｌｉａｎｇｅｔ．ａｌ．Ｎａｔｕｒｅ４１７，７２５（２００２）．
２４Ｓ．Ｙａｍａｍｕｒｏｅｔａｌ，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ，６８，２８（１９９９）．
２５Ｒ．Ｌａｉｂｏｗｉｔｚｅｔａｌ，ＰｈｙｓＲｅｖ．Ｂ．２５，２９６５（１９８２）
２６Ｒ．Ｖｏｓｓｅｔａｌ，ＰｈｙｓＲｅｖ．Ｌｅｔｔ．４９，１４４１（１９８２）．
２７Ａ．ＫａｐｉｔｕｌｎｉｋａｎｄＧ．Ｄｅｕｔｓｈｃｅｒ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．４９，１４４４（１９８２）．
２８Ｐ．Ｊｅｎｓｅｎｅｔａｌ，ＰｈｙｓＲｅｖ．Ｂ４７，５００８（１９９３）．
２９Ｐ．Ｍｅｌｉｎｏｎｅｔａｌ，ＰｈｙｓＲｅｖ．Ｂ４４，１２５６２（１９９１）．
３０ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＰａｔｅｎｔＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｎｕｍｂｅｒＰＣＴ／ＮＺ０２／００１６０；ＮＺＰａｔｅｎｔＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｎｕｍｂｅｒ５１３６７，“ＮａｎｏｓｃａｌｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓａｎｄＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎＭｅｔｈｏｄｓ”．
３１Ｊ．Ｊｏｒｒｉｔｓｍａｅｔａｌ．，ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ６７（１０），１４８９（１９９５）．
３２Ｊ．ＪｏｒｒｉｔｓｍａａｎｄＪ．Ａ．Ｍｙｄｏｓｈ，ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＭａｇｎｅｔｉｃｓ３４（４），９９４（１９９８）．
３３Ｊ．Ｌｉｕｅｔａｌ．，ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ，７３（１４），２０３０（１９９８）．
３４Ｆ．Ｊ．Ｈｉｍｐｓｅｌｅｔａｌ．，ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ１１７１４９（２００１）．
３５Ａ．Ｊ．Ｐａｒｋｅｒｅｔａｌ．，ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ７４（１９），２８３３（１９９９）．
３６Ｍ．Ｐ．Ｚａｃｈｅｔａｌ．，Ｓｃｉｅｎｃｅ２９０，２１２０（２０００）．
３７Ｆ．Ｆａｖｉｅｒｅｔａｌ．，Ｓｃｉｅｎｃｅ２９３，２２２７（２００１）．
３８Ｍ．Ｂａｔｚｉｌｌｅｔａｌ．，Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ９，２０（１９９８）．
３９Ｄ．Ａ．Ｅａｓｔｈａｍｅｔａｌ．，Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ１３，５１（２００２）．
４０Ｌ．Ｂａｒｄｏｔｔｉｅｔａｌ．，ＡｐｐｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ１９１，２０５（２００２）．
４１Ｗ．ｄｅＨｅｅｒ，Ｒｅｖ．Ｍｏｄ．Ｐｈｙｓ．６５，６１１（１９９３）
４２Ｉ．Ｍ．Ｇｏｌｄｂｙｅｔａｌ，Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔ．６８，３３２７（１９９７）．
４３Ｈ．ＣｈｏｐｒａａｎｄＳ．Ｈｕａ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ６６，０２０４０３（２００２）．
４４ＳｉｍｉｌａｒｅｔｃｈｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓａｒｅｕｓｅｄｆｏｒａｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｙｐｅｏｆｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｎＨ．ＩｓｈｉｋｕｒｏａｎｄＴ．Ｈｉｒａｍｏｔｏ，Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３８，３９６（１９９９）．
４５Ｂ．Ｄ．Ｈａｌｌ，ＰｈＤｔｈｅｓｉｓ，ＥｃｏｌｅＰｏｌｙｔｅｃｈｎｉｑｕｅＦｅｄｅｒａｌｅｄｅＬａｕｓｓａｎｎｅ，Ｓｗｉｔｚｅｒｌａｎｄ（１９９１）．
４６Ｂ．ｖｏｎＩｓｓｅｎｄｏｒｆａｎｄＲ．Ｐａｌｍｅｒ，Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔ．７０，４４９７（１９９９）
４７Ｗ．Ｈａｒｂｉｃｈ，Ｃｈ．４ｉｎＭｅｉｗｅｓ−ＢｒｏｅｒＫ−Ｈ（Ｅｄ．）２０００ＭｅｔａｌＣｌｕｓｔｅｒｓａｔＳｕｒｆａｃｅｓ（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ：Ｂｅｒｌｉｎ）．
４８ＨａｂｅｒｌａｎｄＨ，ＩｎｓｅｐｏｖＺａｎｄＭｏｓｅｌｅｒＭ１９９５Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ．５１１１０６１．ＳｅｅａｌｓｏＭｏｓｅｌｅｒＭ，ＲａｔｔｕｎｄｅＯ，ＮｏｒｄｉｃｋＪａｎｄＨａｂｅｒｌａｎｄＨ１９９８Ｃｏｍｐ．Ｍａｔ．Ｓｃｉ．１０４５２
４９Ｊ．Ｔ．ＤａｖｉｅｓａｎｄＥ．Ｋ．Ｒｉｄｅａｌ，ＩｎｔｅｒｆａｃｉａｌＰｈｅｎｏｍｅｎａ，ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓ，ＮｅｗＹｏｒｋ，１９６１
５０Ｃ．Ｓｍｉｔｈｅｌｌｓ，ＭｅｔａｌｓＲｅｆｅｒｅｎｃｅＢｏｏｋＶｏｌＩＩＩ（４^ＴｈＥｄ），Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈｓ，Ｌｏｎｄｏｎ，１９６７．
５１ γ（Ｂｉ）＝３７８ｍＮ／ｍ，γ（Ｓｂ）＝３６７ｍＮ／ｍ，ｄａｔａｆｒｏｍＳｍｉｔｈｅｌｌｓＣＪ１９７６ＭｅｔａｌｓＲｅｆｅｒｅｎｃｅＢｏｏｋ，５^ｔｈＥｄ．（Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈ−Ｈｅｉｎｅｍａｎｎ）
５２Ｃｏｈｅｓｉｖｅｅｎｅｒｇｉｅｓａｒｅ２．７５ｅＶ／ａｔｏｍｆｏｒＳｂａｎｄ２．１８ｅＶ／ａｔｏｍｆｏｒＢｉｆｒｏｍＫｉｔｔｅｌＣ１９９６ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｔｏＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，７^ｔｈＥｄ．（Ｗｉｌｅｙ：ＮｅｗＹｏｒｋ）５７
５３ＦｏｌｌｏｗｉｎｇＲｅｆ．４９ｉｔｉｓａｓｓｕｍｅｄｔｈａｔＥ_ｒ／Ｅ_ｉ＝０．５０，ｗｈｅｒｅＥ_ｉｉｓｔｈｅｉｎｃｉｄｅｎｔＫｉｎｅｔｉｃｅｎｅｒｇｙ．ＴｈｅｖａｌｕｅｏｆＥ_ａｉｓｌａｒｇｅｌｙｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ［ＳｅｅＨａｒｔｌｅｙＧＳａｎｄＢｒｕｎｓｋｉｌｌＲＴ１９５８ｉｎＤａｎｉｅｌｌｉＪＦ，ＰａｎｋｈｕｒｓｔＫＧＡａｎｄＲｉｄｄｉｆｏｒｄＡＣ（Ｅｄｓ．）ＳｕｒｆａｃｅＰｈｅｎｏｍｅｎａｉｎＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＢｉｏｌｏｇｙ（Ｐｅｒｇａｍｏｎ：Ｌｏｎｄｏｎ）２１４］ｂｙａｍｕｌｔｉｐｌｉｃａｔｉｖｅｆａｃｔｏｒｆ（θ），ｗｈｅｒｅｆ（１２０°）＝０．０５５，ａｎｄｆ（３０°）＝０．７５．

Ｖ字溝間の平坦なシリコン表面上のクラスタの電界放出ＳＥＭ像である。最小幅が１００ｎｍ未満のＳｂクラスタが集合した線である。ソース入口のＡｒ流量は１５０ｓｃｃｍであった。被覆率が高いシリコンＶ字溝中のビスマス・クラスタの増強した凝集である。Ａｒ流量９０ｓｃｃｍ。シリコンＶ字溝内および隣接するシリコン・プラト上でのクラスタ・サイズおよびクラスタ凝集の比較である。Ａｒ流量９０ｓｃｃｍ。シリコンＶ字溝と二酸化シリコンで被覆したＶ字溝でビスマスが凝集したクラスタ線の比較である。（ａ）３０ｓｃｃｍ、（ｂ）６０ｓｃｃｍ、（ｃ）９０ｓｃｃｍおよび（ｄ）１８０ｓｃｃｍのソース入口アルゴン流量を使用して生成し、Ｓｉ（ｉ）およびＳｉＯ_２（ｉｉ）のＶ字溝に付着させたＢｉクラスタのＳＥＭ像である。流量が上昇すると、クラスタの自由領域がＶ字溝の頂点に存在し、稠密な線が頂点に形成される。（ａ）３０ｓｃｃｍ、（ｂ）６０ｓｃｃｍおよび（ｃ）９０ｓｃｃｍのソース入口アルゴン流量を使用して生成し、Ｓｉ（ｉ）およびＳｉＯ_２（ｉｉ）のＶ字溝に付着させたＳｂクラスタのＳＥＭ像である。ＳｉのＶ字溝の頂部付近および平面のＳｉ表面には、クラスタがほぼ完全にないことが分かる。１８０ｓｃｃｍのアルゴン流量で付着させたクラスタについて、二酸化シリコンで被覆したＶ字溝の頂点（ａ）および隣接するプラト（ｂ）におけるＳｂクラスタの被覆率である。シリコンのＶ字溝内で凝集したアンチモン・クラスタ線である。Ｖ字溝状のシリコンにおけるアンチモンの高い付着状態である。（Ｖ字溝は充填され、プラトは１０％未満の被覆率を有する。）（ａ）幅３μｍ、長さ１５０μｍの接点付きＳｂメソワイヤのＳＥＭ像、および（ｂ）それに関連する形成後の真空中のＩ（Ｖ）プロットである。Ｓｂクラスタは、９０ｓｃｃｍのソース・アルゴン流量で付着させた。（ａ）の挿入図は、プラト上の比較的少数のクラスタおよび線の高分解能ＦＥ−ＳＥＭ像である。クラスタ付着プロセスの略図である。図１５と同様のデバイスであるが、接点１と３の間にＶ字溝がある。クラスタ鎖に基づく光ダイオードの略図である。３つの端子デバイスの略図である。ＫＯＨを使用してシリコンにエッチングしたＶ字溝の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）像である。Ｖ字溝のＡＦＭ像を使用して生成したクラスタが集合したナノ細線の略図である。クラスタが集合したナノ細線の頂部に絶縁層を付着させ、その後にゲート接点をリソグラフィで画定することによって製造したＦＥＴ構造の側面図である。ＫＯＨを使用してシリコンにエッチングした「逆ピラミッド形」の底部のＡＦＭ像である。ビスマス液の滴に対するクラスタ・サイズの関数としての運動エネルギーおよび分離エネルギーの比率計算値である。１より大きい比率は、入射する滴が反跳する可能性が高いことを示唆する。（ａ）、（ｂ）１８０ｓｃｃｍのソース入口アルゴン流量を使用して生成し、ＳｉＯ_２で不動態化したＶ字溝付き基板に付着させたＡｇクラスタのＳＥＭ像である。同様に付着させたＳｂクラスタの場合と同様に、Ｖ字溝の頂部付近および平面の表面には、クラスタがほぼ完全にないことが分かる。ＳｉＯ_２で不動態化したＶ字溝付き基板に付着したＳｉクラスタのＳＥＭ像である。Ｖ字溝の頂部付近および平面の表面には、クラスタがほぼ完全にないことが分かる。Ｖ字溝の頂部で凝集したＳｉクラスタが大量に合体すると、幅が極めて均一な連続的Ｓｉナノ細線が形成される。幅４μｍで、ＳｉＯ_２で不動態化したＳｉのＶ字溝（ο）の壁に見られるＳｂクラスタの被覆率が低い領域の幅（Δ）、および様々なＡｒ流量でのこの領域内における被覆率（ｘ）である。平均直径が４０ｎｍ、２５ｎｍおよび１５ｎｍのＳｂクラスタについて、プラトでの被覆率と頂点での被覆率である。（ａ）、（ｂ）および（ｃ）で示したクラスタは、同一のＡｒ流量および同様の速度で付着したものである。プラトでは被覆率に大きい変動が見られる（＜１％から＞１００％）が、Ｖ字溝は同様に充填されている。プラトにおけるクラスタ付着のこのような差は、付着したクラスタの質量、したがって運動エネルギー（ＫＥ）の変動に帰される。クラスタが大きいほど運動エネルギーが大きく、クラスタ・ビームに対して直角の二酸化シリコン表面から反射する可能性が高くなる。Ｂｉクラスタの入射角度によるクラスタなし領域の変化である。（ａ）から（ｃ）は、壁の角度が５７．２°（右手側の壁）および５２．３°（左手側の壁）で、二酸化シリコンで不動態化したＶ字溝を示す。（ａ）および（ｂ）は、中程度の被覆率の場合について、右手側および左手側のクラスタがない領域を示し、（ｃ）は、右手側の壁のみで、これより高い被覆率、およびクラスタがない領域を示す。クラスタ半径Ｒの関数として計算したＳｂクラスタの表面に取り付くエネルギーに対する反射する運動エネルギーの比率ζである。ζ＞１は、クラスタが反跳することを示す。クラスタの入射速度は、（上から下へ）５００ｍ／ｓ、２００ｍ／ｓ、１００ｍ／ｓ、５０ｍ／ｓ、２０ｍ／ｓ、１０ｍ／ｓである。クラスタ速度の関数として計算した直径４０ｎｍの反射したＳｂおよびＢｉクラスタの表面に取り付くエネルギーに対する運動エネルギーの比率ζである。ζ＞１は、クラスタが反跳することを示す。

Claims

基板上に粒子の少なくとも１つの導電性鎖を形成する方法であって、
ａ．トポグラフィ形体を提供するために基板表面を変更するか、基板表面上でトポグラフィ形体を識別するステップと、
ｂ．複数の粒子を準備するステップと、
ｃ．前記基板に複数の粒子を付着させるステップと、
ｄ．粒子の導電鎖を形成するステップとを備えるか、含む方法。
さらに、ｉ基板表面上に２つ以上の接点を形成するステップがあり、これは、
ステップａの前、後、またはそれと同時であってよく、付着は接点間の領域で実行し、粒子の導電鎖は接点間にある、または、
ステップｄの後でよく、接点は、粒子の導電鎖が自身の間にあるように配置してよく、その間に導電性を提供する、請求項１に記載の方法。
変更が、基板表面に階段、窪みまたは隆起を形成することを含む、請求項２に記載の方法。
変更が、ほぼＶ字形の断面または逆ピラミッド形の構造を有し、ほぼ接点間に延在する溝を形成することを含む、請求項３に記載の方法。
表面を変更するステップが、
エッチングの使用を伴い、基板材料の結晶学的面の異なるエッチング速度を利用したり、および／または
リソグラフィを伴ったりする、請求項４に記載の方法。
粒子を、０．５ｎｍと１００ミクロンの間のサイズにし、０．５ｎｍと１００ミクロンの間の幅の鎖を提供する、請求項５に記載の方法。
粒子が、Ｖ字溝のサイズより小さく、鎖が０．５ｎｍと１００ミクロンの間の多数の粒子分の幅である、請求項６に記載の方法。
粒子が、２つ以上の原子で構成され、これが同じ元素でも、そうでなくてもよい、請求項７に記載の方法。
粒子の導電鎖の形成が、少なくとも部分的には付着前に粒子に与えられた運動エネルギーによって生じる基板表面における、またはその上での粒子の移動、滑動、反跳または他の運動を使用する、請求項８に記載の方法。
１００ミクロンより小さい距離だけ隔置された２つの接点がある、請求項９に記載の方法。
接点が、１０００ｎｍ未満の距離だけ隔置される、請求項１０に記載の方法。
線の長さが、接点間の間隔、Ｖ字溝の長さ、または他の表面変更によって画定される、請求項１１に記載の方法。
ナノ粒子の平均直径が０．５ｎｍと１，０００ｎｍの間である、請求項１２に記載の方法。
ナノ粒子の準備および付着ステップが、不活性ガスの凝集を介し、ナノ粒子が、同じ元素であるか、同じ元素でない複数の原子で構成される原子クラスタである、請求項１３に記載の方法。
基板が絶縁体または半導体材料であり、基板がシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミ、インジウム錫酸化物、ゲルマニウム、ガリウム砒素または他のＩＩＩ−Ｖ半導体、クォーツまたはガラスから選択することが、さらに好ましく、ナノ粒子が、ビスマス、アンチモン、アルミ、シリコン、プラチナ、パラジウム、ゲルマニウム、銀、金、銅、鉄、ニッケルまたはコバルト・クラスタから選択される、請求項１４に記載の方法。
粒子の鎖の性質を、以下のうち１つまたは複数で制御可能である、つまり、
粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板へのクラスタ付着の入射角を制御する、
粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板上のトポグラフィ形体の角度を制御する、
不活性ガス凝集ソースおよび／または関連する真空システムのガス圧および／またはノズル直径および／またはノズルからのガスの速度を制御することによって、基板上に付着すべき粒子の運動エネルギーを調節または制御する、
基板温度を制御する、
基板表面の滑らかさを制御する、
表面のタイプおよび／または素性を制御することによって制御可能である、請求項１５に記載の方法。
少なくとも１つの導電鎖の形成が、以下の一方または両方による、つまり、
ｉ．接点間の導電性を監視し、導電の開始時または開始後に付着を中止する、
ｉｉ．所望の線の太さを達成するために、付着速度モニタを使用することによる、請求項１６に記載の方法。
付着前に、以下のプロセスのうち１つまたは複数を実行する、つまり、
粒子のイオン化
粒子のサイズ選択
クラスタの加速および集束
入射粒子のその後の運動を変更するように、Ｖ字溝（または他のテンプレート）の表面を酸化するか他の方法で不動態化するステップ
粒子が基板の一部（例えば表面変更部分間の非変更区域）から反跳し、それによって基板のその区域における導電路の形成を防止するように、粒子および基板材料、および粒子の運動エネルギーを選択すること
形成される線の太さを制御するように、表面変更のサイズ（例えばＶ字溝の幅）の選択を実行する、請求項１７に記載の方法。
ほぼ請求項１から１８のいずれか一項に記載の方法により準備した基板上の粒子の１つの導電鎖。
基板表面上の２つの接点間に導電線を形成する方法であって、
ａ．基板上に接点を形成するステップと、
ｂ．複数の粒子を準備するステップと、
ｃ．少なくとも接点間の領域で、基板に複数の粒子を付着させるステップと、
ｄ．２つの接点間の導電性を監視することによって、導電線の形成を監視し、導電の開始時またはその後に付着を中止するステップとを備えるか、含み、
接点は１００ミクロン未満の距離だけ隔置される方法。
粒子の導電鎖の形成が、少なくとも部分的には付着前に粒子に与えられた運動エネルギーによって生じる基板表面における、またはその上での粒子の移動、滑動、反跳または他の運動を使用する、請求項２０に記載の方法。
粒子の導電鎖の形成が、基板の表面に形成されたトポグラフィ形体内へ、またはその近傍での、または既存のトポグラフィ形体内へ、またはその近傍での基板表面における、またはその上での粒子の移動、滑動、反跳または他の運動を使用する、請求項２１に記載の方法。
導電線の性質が、以下のうち１つまたは複数で制御される、つまり、
粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板へのクラスタ付着の入射角を制御する、
粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板上のトポグラフィ形体の角度を制御する、
不活性ガス凝集ソースおよび／または関連する真空システムのガス圧および／またはノズル直径および／またはノズルからのガスの速度を制御することによって、基板上に付着すべき粒子の運動エネルギーを調節または制御する、
基板温度を制御する、
基板表面の滑らかさを制御する、
表面のタイプおよび／または素性を制御することによって制御される、請求項２２に記載の方法。
ステップａ）またはｂ）の前または後であるが、少なくともステップｃ）の前に、導電路を生じるために、付着粒子の位置決めをトポグラフィ的に補助するように表面を変更する追加のステップを含む、請求項２３に記載の方法。
表面の変更が、ほぼＶ字形の断面または逆ピラミッド形の構造を有し、ほぼ接点間に延在する溝を形成することを含む、請求項２４に記載の方法。
粒子が、０．５ｎｍと１００ミクロンの間のサイズであり、２つ以上の元素で構成され、０．５ｎｍと１００ミクロンの間の寸法の鎮を提供する、請求項２５に記載の方法。
粒子の準備および付着ステップが、不活性ガスの凝集を介するものである、請求項２６に記載の方法。
基板が絶縁体または半導体材料であり、基板がシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミ、インジウム錫酸化物、ゲルマニウム、ガリウム砒素または他のＩＩＩ−Ｖ半導体、クォーツ、ガラスから選択することが、さらに好ましく、粒子が、ビスマス、アンチモン、アルミ、シリコン、プラチナ、パラジウム、ゲルマニウム、銀、金、銅、鉄、ニッケルまたはコバルト・クラスタから選択される、請求項２７に記載の方法。
付着前に、以下のプロセスのうち１つまたは複数を実行する、つまり、
粒子のイオン化
粒子のサイズ選択
クラスタの加速および集束
入射粒子のその後の運動を変更するように、Ｖ字溝（または他のテンプレート）の表面を酸化するか他の方法で不動態化するステップ
粒子が基板の一部（例えば表面変更部分間の非変更区域）から反跳し、それによって基板のその区域における導電路の形成を防止するように、粒子および基板材料、および粒子の運動エネルギーを選択すること
形成される線の太さを制御するように、表面変更のサイズ（例えばＶ字溝の幅）の選択を実行する、請求項２８に記載の方法。
ほぼ請求項２０から２９のいずれか一項に記載の方法により準備した基板表面上の２つの接点間にある導電線。
基板表面上の２つの接点間に導電線を形成する方法であって、
ａ．基板上に接点を形成するステップと、
ｂ．複数の粒子を準備するステップと、
ｃ．接点間の領域で、基板に複数の粒子を付着させるステップと、
ｄ．粒子に線を形成させる既存のトポグラフィ形体を実現するために基板を変更することによって、あるいはそれを利用することによって、ほぼ２つの接点間に延在する１本の線を実現するステップとを備えるか、含む方法。
粒子が、０．５ｎｍと１００ミクロンの間のサイズであり、０．５ｎｍと１００ミクロンの間の寸法の鎖を提供する、請求項３１に記載の方法。
粒子の導電鎖の形成が、少なくとも部分的には付着後に粒子に与えられた運動エネルギーによって生じる基板表面における、またはその上での粒子の移動、滑動、反跳または他の運動を使用する、請求項３２に記載の方法。
導電線の性質が、以下のうち１つまたは複数で制御される、つまり、
粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板へのクラスタ付着の入射角を制御する、
粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板上のトポグラフィ形体の角度を制御する、
不活性ガス凝集ソースおよび／または関連する真空システムのガス圧および／またはノズル直径および／またはノズルからのガスの速度を制御することによって、基板上に付着すべき粒子の運動エネルギーを調節または制御する、
基板温度を制御する、
基板表面の滑らかさを制御する、
表面のタイプおよび／または素性を制御することによって制御される、請求項３３に記載の方法。
接点が１００ｎｍ未満の距離だけ隔置され、ナノ粒子の平均直径が０．５ｎｍと１，０００ｎｍの間である、請求項３４に記載の方法。
ナノ粒子の準備および付着ステップが、不活性ガスの凝集を介するものであり、ナノ粒子が、同じ元素であるか、同じ元素でない２つ以上の原子で構成される原子クラスタである、請求項３５に記載の方法。
基板がシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミ、インジウム錫酸化物、ゲルマニウム、ガリウム砒素または他のＩＩＩ−Ｖ半導体、クォーツまたはガラスから選択され、ナノ粒子が、ビスマス、アンチモン、アルミ、シリコン、プラチナ、パラジウム、ゲルマニウム、銀、金、銅、鉄、ニッケルまたはコバルト・クラスタから選択される、請求項３６に記載の方法。
付着前に、以下のプロセスのうち１つまたは複数を実行する、つまり、
粒子のイオン化
粒子のサイズ選択
クラスタの加速および集束
入射粒子のその後の運動を変更するように、Ｖ字溝（または他のテンプレート）の表面を酸化するか他の方法で不動態化するステップ
粒子が基板の一部（例えば表面変更部分間の非変更区域）から反跳し、それによって基板のその区域における導電路の形成を防止するように、粒子および基板材料、および粒子の運動エネルギーを選択すること
形成される線の太さを制御するように、表面変更のサイズ（例えばＶ字溝の幅）の選択を実行する、請求項３７に記載の方法。
ほぼ請求項３０から３８のいずれか一項に記載の方法により準備した基板表面上の２つの接点間にある導電線。
基板上に形成した２つの接点間に導電路を含む、または必要とするデバイスを製造する方法であって、
ａ．請求項１、１８または２９のいずれかに記載の方法により、基板表面上の２つの接点間に粒子の導電線または導電鎖を準備するステップと、
ｂ．接点および線をデバイスに組み込むステップとを含むか、備える方法。
デバイスが２つ以上の接点を含み、１つまたは複数の粒子の導電線または鎮を含む、請求項４０に記載の方法。
デバイスがナノ規模のデバイスであり、１つまたは複数の線または鎖が１つまたは複数のナノ細線である、請求項４１に記載の方法。
組み込むステップの結果、以下の実施形態のうちいずれか１つまたは複数になる、つまり、
ａ．自身間に導電ナノ細線を有する２つの１次接点、および１次接点に電気的に接続せず、それによってゲート、または増幅または切り換えデバイス、トランジスタまたは均等物の他の要素として作用することができる基板上の少なくとも１つの第３接点、および／または
ｂ．自身間に導電ナノ細線を有する２つの１次接点、絶縁材料の上層または下層、および上層または下層に対して１次接点から遠位側にある少なくとも１つの第３接点で、それによって第３接点は、切り換えデバイス、トランジスタまたは均等物のゲートまたは他の要素として作用可能であり、かつ／または
ｃ．接点および／またはナノ細線が、自身を保護したり、および／またはその特性を向上させたりするために、酸化物または他の非金属または半導体薄膜によって保護され、かつ／または
ｄ．接点およびナノ細線がある基板の表面上にキャッピング層（ドーピングしても、しなくてもよい）が存在し、これは３の薄膜でも、そうでなくてもよく、
ｅ．基板の表面上でアニールされたナノ粒子、
ｆ．ナノ粒子の位置は、基板に適用したレジストまたは他の有機化合物または酸化物または他の絶縁層によって制御し、次にリソグラフィおよび／またはエッチングを使用して処理し、ナノ粒子が接点間の導電に関わる１つまたは複数の領域、およびナノ粒子が導電網から絶縁される別の１つまたは複数の領域を画定する、請求項４２に記載の方法。
デバイスが、トランジスタまたは他の切り換えデバイス、薄膜付着制御デバイス、磁界センサ、化学的センサ、発光または検出デバイス、または温度センサである、請求項４３に記載の方法。
付着前に、以下のプロセスのうち１つまたは複数を実行する、つまり、
粒子のイオン化
粒子のサイズ選択
クラスタの加速および集束
入射粒子のその後の運動を変更するように、Ｖ字溝（または他のテンプレート）の表面を酸化するか他の方法で不動態化するステップ
粒子が基板の一部（例えば表面変更部分間の非変更区域）から反跳し、それによって基板のその区域における導電路の形成を防止するように、粒子および基板材料、および粒子の運動エネルギーを選択すること
形成される線の太さを制御するように、表面変更のサイズ（例えばＶ字溝の幅）の選択を実行する、請求項４４に記載の方法。
ほぼ請求項４０から４５のいずれか一項に記載の方法により準備した基板上に形成した２つの接点間に導電路を含むか、それを必要とするデバイス。
本発明の第９の態様によると、基板上に形成した２つの接点間に導電路を含む、またはそれを必要とするナノ規模からマイクロ規模のデバイスが提供され、これは、
ａ．基板上の少なくとも２つの接点、
ｂ．接点間に粒子の導電鎖または路を形成する複数の粒子
を含むか、備え、
粒子は、不活性ガス凝集ソースから表面に付着し、粒子の導電鎖の形成が、基板表面における、またはその上での粒子の移動、滑動、反跳または他の運動を使用し、この移動、滑動、反跳、または他の運動が、少なくとも部分的には付着前に粒子に与えられる運動エネルギーによるものであるデバイス。
粒子の導電鎖または路の性質が、以下のうち１つまたは複数で制御される、つまり、
粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板へのクラスタ付着の入射角を制御すること、
粒子の密度、または基板の任意の１つまたは複数の部分内、またはその上で滑動、固着または反跳するその能力に影響を及ぼすように、基板上のトポグラフィ形体の角度を制御すること、
不活性ガス凝集ソースおよび／または関連する真空システムのガス圧および／またはノズル直径および／またはノズルからのガスの速度を制御することによって、基板上に付着すべき粒子の運動エネルギーを調節または制御すること、
基板温度を制御すること、
基板表面の滑らかさを制御すること、
表面のタイプおよび／または素性を制御することによって制御される、請求項４７に記載の方法。
デバイスがナノ規模のデバイスであり、粒子はナノ粒子であり、接点が１０００ｎｍ未満の距離だけ隔置される、請求項４８に記載の方法。
ナノ粒子が、２つ以上の原子で構成され、これは同じ元素でも、そうでなくてもよく、均一のサイズでも、そうでなくてもよく、ナノ粒子の平均直径が、０．５ｎｍと１，０００ｎｍの間である、請求項４９に記載の方法。
基板がシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミ、インジウム錫酸化物、ゲルマニウム、ガリウム砒素または他のＩＩＩ−Ｖ半導体、クォーツまたはガラスから選択される、請求項５０に記載の方法。
ナノ粒子が、ビスマス、アンチモン、アルミ、シリコン、プラチナ、パラジウム、ゲルマニウム、銀、金、銅、鉄、ニッケルまたはコバルト・クラスタから選択される、請求項５１に記載の方法。
少なくとも１つの導電鎖が、以下の一方または両方により形成したものである、つまり、
ｉ．接点間の導電性を監視し、導電の開始時または開始後に付着を中止する、
ｉｉ．基板表面を変更するか、既存のトポグラフィ形体を利用し、これによってナノ粒子は、変更領域またはトポグラフィ形体に付着すると、ナノ細線を形成する、請求項５２に記載の方法。
付着前に、以下のプロセスのうち１つまたは複数を実行する、つまり、
粒子のイオン化
粒子のサイズ選択
クラスタの加速および集束
入射粒子のその後の運動を変更するように、Ｖ字溝（または他のテンプレート）の表面を酸化するか他の方法で不動態化するステップ
粒子が基板の一部（例えば表面変更部分間の非変更区域）から反跳し、それによって基板のその区域における導電路の形成を防止するように、粒子および基板材料、および粒子の運動エネルギーを選択すること
形成される線の太さを制御するように、表面変更のサイズ（例えばＶ字溝の幅）の選択を実行する、請求項５３に記載の方法。
１つまたは複数の図および／または例のいずれかに関して本請求の範囲でほぼ述べた通りの、基板上の粒子の１つの導電鎖。
１つまたは複数の図および／または例のいずれかに関して本請求の範囲でほぼ述べた通りの、基板表面上の２つの接点間にある導電線。
１つまたは複数の図および／または例のいずれかに関して本請求の範囲でほぼ述べた通りに、基板上の幾つかの接点間に粒子の１つの導電鎖を準備する方法。
１つまたは複数の図および／または例のいずれかに関して本請求の範囲でほぼ述べた通りに、基板表面上の２つの接点間に導電線を準備する方法。