JP2006518010A - スパッタリングターゲット用金属ブランクの形成方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット用金属ブランクの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006518010A JP2006518010A JP2006503498A JP2006503498A JP2006518010A JP 2006518010 A JP2006518010 A JP 2006518010A JP 2006503498 A JP2006503498 A JP 2006503498A JP 2006503498 A JP2006503498 A JP 2006503498A JP 2006518010 A JP2006518010 A JP 2006518010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- inches
- disk
- tantalum
- flatness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 146
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 146
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 57
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 42
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 13
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000003923 scrap metal Substances 0.000 description 12
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 6
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001062472 Stokellia anisodon Species 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000005555 metalworking Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
図1は、圧延金属プレート(10)を示す。この金属プレート(10)は、圧延したまま又はレベル圧延したままの平坦度が「f」であり、初期設定ゲージ厚さが「g」である。仕上げ厚さ「t」の平面スパッタリングターゲット(20)を、製造できる。一般的に、初期平坦度に関する初期厚さと、仕上げ厚さとの間には、以下の関係がある:
g=t+(2f+0.005”)
Vs=(2f+0.005”)・AT・ρTa (ここで、AT=ターゲット面積、ρTa=0.60lbs/in3である)
また、スクラップの価値は、下式により算出できる:
CS=VS(MS) (ここで、MS=スクラップの販売価格、VS=スクラップの容積、CS=スクラップの価値)
前提条件:
初期平坦度f=0.075”
研磨コスト=Cg m=ディスク1枚当たり$50
研磨切り屑の値段Ms g=$50/lb
初期プレート厚さ
g=t+(2f+0.005)
g=0.250+2(0.075)+0.005
g=0.405インチ
初期プレートコスト=g・At・ρTa・CST
(0.405in)(154in2)(0.60lbs/in3)($250/lb)=$9355
製造歩留りt/g
(0.250)/(0.405)=0.62
スクラップの価値+(2f+0.005)At・ρTa・Ms g
(2(0.075)+0.005)(154in2)(0.60lb/in3)($50/LB)=$716
生じる製造コスト
(初期プレートコスト/製造歩留り)+研磨コスト−スクラップの価値
(9355/0.62)+50−716=$14423
前提条件:
加圧したまま平坦度 f=0.010”
平坦化労働コスト Cm F=$100/ディスク
機械加工労働コスト Cm m=$500/ディスク
機械加工スクラップの値段 Ms M=$100/lb
初期プレート厚さ=0.275”
初期プレートコスト=$6352
製造歩留り=0.91
スクラップの価値=$231
生じる製造コスト=$6999
前提条件:
レベル圧延したままの平坦度 0.075”
機械加工労働コスト $100/ディスク
機械加工スクラップの値段 $100/lb
初期プレート厚さ=0.405”
初期プレートコスト=$9355
製造歩留り=(0.405−f・0.005)/(0.405)=80
スクラップの価値 (0.080)(Af)(ρTa)(MS M)=$739
生じる製造コスト=$11055
前提条件:
加圧平坦化したままの平坦度0.010”
平坦化労働コスト=$100/ディスク
機械加工労働コスト=$150/ディスク
機械加工スクラップの値段=$100/lb
初期プレート厚さ=0.225”
初期プレートコスト=$6352
製造歩留り=(0.275−0.010−0.005)/0.275=0.95
スクラップの価値 (0.015)(Af)(ρTa)(MS M)=$139
生じる製造コスト=$6797
Claims (40)
- a)第一表面と第二表面を有し、前記第一表面及び前記第二表面が実質的に平行である少なくとも一つの平面金属プレートを供給し、
b)前記金属プレートの前記第一表面のみを平坦化することにより、金属ブランクを製造すること
を含む金属ブランクの製造方法。 - 前記金属プレートが、タンタル、銅、アルミニウム、チタン、ニオブ、コバルト、白金、銀、金又はそれらの合金を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記金属プレートは、タンタルである、請求項1に記載の方法。
- 前記金属プレートは、ニオブである、請求項1に記載の方法。
- 前記金属プレートの前記第一表面は、機械加工、研磨又はそれらの組み合わせにより平坦化される、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法により製造された前記金属ブランクの前記第一表面を機械加工してディスクとすることを含む、金属ディスクの製造方法。
- 前記金属ディスクが、タンタル、銅、アルミニウム、チタン、ニオブ、コバルト、白金、銀、金又はそれらの合金を含む、請求項6に記載の方法。
- 請求項3に記載の方法により製造された前記金属ブランクの前記第一表面を機械加工してディスクとすることを含む、金属ディスクの製造方法。
- 請求項4に記載の方法により製造された前記金属ブランクの前記第一表面を機械加工してディスクとすることを含む、金属ディスクの製造方法。
- バッキングプレートに結合した金属ターゲットを備えたスパッターターゲットアセンブリの形成方法であって、
請求項6に記載の方法により製造された金属ディスクを含む金属スパッターターゲットを準備することと、
バッキングプレートを前記金属ディスクに結合させることと
を含む方法。 - 前記バッキングプレートが、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン若しくはチタン合金又はそれらの組み合わせを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記金属ディスクが、タンタルである、請求項10に記載の方法。
- 前記金属ディスクが、ニオブを含む、請求項10に記載の方法。
- バッキングプレートに結合した金属ターゲットを備えたスパッターターゲットアセンブリの形成方法であって、
請求項1に記載の方法により製造された金属ブランクを含む金属スパッターターゲットを準備することと、
バッキングプレートを前記金属ブランクに結合させることと
を含む方法。 - 前記金属ブランクが、タンタル、銅、アルミニウム、チタン、ニオブ、コバルト、白金、銀、金及びそれらの合金を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記金属ブランクが、タンタルである、請求項14に記載の方法。
- 前記金属ブランクが、ニオブである、請求項14に記載の方法。
- 前記金属プレートの一方の表面を機械加工することから本質的になる、請求項1に記載の方法。
- 前記第二表面の平坦度が、約0.075インチ以下である、請求項1に記載の方法。
- 前記第二表面の平坦度が、約0.060インチ〜約0.005インチである、請求項1に記載の方法。
- 前記第二表面の平坦度が、約0.030インチ〜約0.005インチである、請求項1に記載の方法。
- 前記第一表面を平坦に機械加工して、平坦度を約0.005インチ以下とする、請求項1に記載の方法。
- 2つの実質的に平坦な表面を備えたスパッタリングターゲットであって、第一表面の平坦度が約0.005インチ以下であり、第二表面の平坦度が約0.075インチ以下である、スパッタリングターゲット。
- チタン、コバルト、アルミニウム、銅、タンタル、ニオブ、白金、金、銀、又はそれらの合金である、請求項23に記載のスパッタリングターゲット。
- タンタルである、請求項23に記載のスパッタリングターゲット。
- ニオブである、請求項23に記載のスパッタリングターゲット。
- 2つの実質的に平坦な表面を備えた金属ディスクであって、第一表面の平坦度が約0.010インチ以下であり、第二表面の平坦度が約0.060インチ〜約0.005インチである金属ディスク。
- チタン、コバルト、アルミニウム、銅、タンタル、ニオブ、白金、金、銀、又はそれらの合金である、請求項27に記載の金属ディスク。
- タンタルである、請求項27に記載の金属ディスク。
- ニオブである、請求項27に記載の金属ディスク。
- 請求項1に記載の方法により製造された金属ブランク。
- 請求項6に記載の方法により製造された金属ディスク。
- 請求項14に記載の方法により製造されたスパッタリングターゲットアセンブリ。
- 前記金属ターゲットを、前記バッキングプレートに、接着材料によるか、はんだによるか、ろう付けによるか、拡散接合によるか、加圧嵌合によるか、ホットメルティングによるか、又は爆着により結合させる、請求項14に記載の方法。
- 前記金属ブランクの公称厚さ許容差が、前記プレートの圧延ゲージの少なくとも約5%である、請求項1に記載の方法。
- 直径許容差約+0.025/−0.00インチをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- バッキングプレートに結合した金属ターゲットを備えたスパッターターゲットアセンブリの形成方法であって、
請求項1に記載の方法により製造された金属ブランクを含む金属スパッターターゲットを準備することと、
バッキングプレートを前記金属ブランクに結合することとを含み、かつ
前記金属スパッターターゲットがタンタルであり、前記バッキングプレートが銅又はその合金を含む、
方法。 - 前記金属スパッターターゲットと前記バッキングプレートとの間に中間層をさらに設けて前記バッキングプレートを結合させることを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第一表面を平坦に機械加工して、平坦度を約0.010インチ以下とする、請求項1に記載の方法。
- 前記第一表面の平坦度が、約0.005インチ以下である、請求項27に記載の金属ディスク。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/366,650 | 2003-02-13 | ||
US10/366,650 US6921470B2 (en) | 2003-02-13 | 2003-02-13 | Method of forming metal blanks for sputtering targets |
PCT/US2004/004021 WO2004074530A2 (en) | 2003-02-13 | 2004-02-11 | Method of forming metal blanks for sputtering targets |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011217151A Division JP2012012708A (ja) | 2003-02-13 | 2011-09-30 | スパッタリングターゲット用金属ブランクの形成方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006518010A true JP2006518010A (ja) | 2006-08-03 |
JP2006518010A5 JP2006518010A5 (ja) | 2007-03-29 |
JP5341310B2 JP5341310B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=32849794
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006503498A Expired - Lifetime JP5341310B2 (ja) | 2003-02-13 | 2004-02-11 | スパッタリングターゲット用金属ブランクの形成方法 |
JP2011217151A Pending JP2012012708A (ja) | 2003-02-13 | 2011-09-30 | スパッタリングターゲット用金属ブランクの形成方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011217151A Pending JP2012012708A (ja) | 2003-02-13 | 2011-09-30 | スパッタリングターゲット用金属ブランクの形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6921470B2 (ja) |
EP (1) | EP1594998A2 (ja) |
JP (2) | JP5341310B2 (ja) |
KR (1) | KR101093953B1 (ja) |
CN (1) | CN100412224C (ja) |
WO (1) | WO2004074530A2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4422975B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2010-03-03 | 株式会社コベルコ科研 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
US8151685B2 (en) | 2006-09-15 | 2012-04-10 | Force Protection Industries, Inc. | Apparatus for defeating high energy projectiles |
US8784729B2 (en) | 2007-01-16 | 2014-07-22 | H.C. Starck Inc. | High density refractory metals and alloys sputtering targets |
US7798388B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Method of diffusion bonding a fluid flow apparatus |
US20090293709A1 (en) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | Joynt Vernon P | Apparatus for defeating high energy projectiles |
TW201303058A (zh) * | 2011-05-10 | 2013-01-16 | Thermal Conductive Bonding Inc | 彈性體黏合物及脫膠方法 |
US10138544B2 (en) | 2011-06-27 | 2018-11-27 | Soleras, LTd. | Sputtering target |
CN102416497B (zh) * | 2011-12-20 | 2013-05-08 | 北京京仪世纪电子股份有限公司 | 单晶炉炉门数控加工变形控制方法 |
TW201335405A (zh) * | 2012-02-24 | 2013-09-01 | Sumika Technology Co Ltd | 複合式靶材及其製作方法 |
CN105798733B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-10-30 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材的回收方法 |
CN106319229A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-11 | 济源豫金靶材科技有限公司 | 一种从银生产废液中的银颗粒回收银的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07331427A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-19 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲット及びその製作方法 |
JP2000239838A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-09-05 | Sony Corp | 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体およびその製造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3571911A (en) * | 1963-05-01 | 1971-03-23 | Arthur K Littwin | Method of treating a workpiece |
GB1483195A (en) | 1974-01-07 | 1977-08-17 | Ici Ltd | Flattening of anodes |
JPH0621346B2 (ja) | 1986-06-11 | 1994-03-23 | 日本鉱業株式会社 | 高純度金属タンタル製ターゲットの製造方法 |
JPH02122071A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-09 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパッタリングターゲットの製造方法 |
AU1151592A (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-27 | Materials Research Corporation | Target for cathode sputtering |
US5693203A (en) * | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
US5474667A (en) * | 1994-02-22 | 1995-12-12 | Materials Research Corporation | Reduced stress sputtering target and method of manufacturing therefor |
US5836506A (en) | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US6073830A (en) * | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
JPH10158829A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-16 | Sony Corp | スパッタリングターゲット組立体の製造方法 |
US6274015B1 (en) * | 1996-12-13 | 2001-08-14 | Honeywell International, Inc. | Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same |
US6569270B2 (en) * | 1997-07-11 | 2003-05-27 | Honeywell International Inc. | Process for producing a metal article |
US6323055B1 (en) * | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
US6086735A (en) * | 1998-06-01 | 2000-07-11 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Contoured sputtering target |
US6348139B1 (en) * | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
US6071389A (en) * | 1998-08-21 | 2000-06-06 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making |
US6348113B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
US6165413A (en) * | 1999-07-08 | 2000-12-26 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of making high density sputtering targets |
US6164519A (en) * | 1999-07-08 | 2000-12-26 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Method of bonding a sputtering target to a backing plate |
US6264095B1 (en) * | 1999-07-14 | 2001-07-24 | Swales Aerospace | High temperature isostatic pressure bonding of beryllium pressure vessels with an interior void |
JP3628554B2 (ja) * | 1999-07-15 | 2005-03-16 | 株式会社日鉱マテリアルズ | スパッタリングターゲット |
US6331233B1 (en) * | 2000-02-02 | 2001-12-18 | Honeywell International Inc. | Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture |
CN1257998C (zh) | 2001-01-11 | 2006-05-31 | 卡伯特公司 | 钽和铌的坯料及其制造方法 |
-
2003
- 2003-02-13 US US10/366,650 patent/US6921470B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-11 WO PCT/US2004/004021 patent/WO2004074530A2/en active Application Filing
- 2004-02-11 JP JP2006503498A patent/JP5341310B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-11 CN CNB2004800096371A patent/CN100412224C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-11 KR KR1020057014903A patent/KR101093953B1/ko active IP Right Grant
- 2004-02-11 EP EP04710234A patent/EP1594998A2/en not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-06-23 US US11/165,940 patent/US20050274775A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-09-30 JP JP2011217151A patent/JP2012012708A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07331427A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-19 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲット及びその製作方法 |
JP2000239838A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-09-05 | Sony Corp | 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1594998A2 (en) | 2005-11-16 |
KR20050098002A (ko) | 2005-10-10 |
KR101093953B1 (ko) | 2011-12-14 |
US6921470B2 (en) | 2005-07-26 |
CN1771346A (zh) | 2006-05-10 |
CN100412224C (zh) | 2008-08-20 |
WO2004074530A3 (en) | 2004-12-09 |
JP5341310B2 (ja) | 2013-11-13 |
US20050274775A1 (en) | 2005-12-15 |
JP2012012708A (ja) | 2012-01-19 |
US20040159545A1 (en) | 2004-08-19 |
WO2004074530A2 (en) | 2004-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012012708A (ja) | スパッタリングターゲット用金属ブランクの形成方法 | |
US8252126B2 (en) | Sputter targets and methods of forming same by rotary axial forging | |
US6599405B2 (en) | Recessed sputter target | |
CN102958639B (zh) | 旋转工具 | |
JP2007536431A5 (ja) | ||
US20040016635A1 (en) | Monolithic sputtering target assembly | |
JP4902860B2 (ja) | 長寿命スパッタ用ターゲット | |
TW202006163A (zh) | 背板一體型之金屬製濺鍍靶及其製造方法 | |
US6565498B2 (en) | Composite roll for manufacturing heat transfer tubes | |
JP6285044B2 (ja) | チタン製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070207 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110104 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110404 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110930 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111111 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20120113 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120813 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120926 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130412 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130808 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5341310 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |