JP2006514445A - 改良された発光装置のシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (45)
- 発光装置であって、
半導体材料から形成される基板と、
前記基板の上面に形成される誘電体層と、
Siナノ結晶を含む光学活性層であって、前記光学活性層は、希土類元素がドープされ、前記誘電体層の中に形成される光学活性層と、および
前記光学活性層と光通信をする光共振器とを備える
発光装置。 - 前記光共振器が、
前記光学活性層の上面に堆積されたもう一つの誘電体層を有し、
前記もう一つの誘電体層が、前記光学活性層から放射された光を反射する複数の離間した格子歯を有する
請求項1に記載の発光装置。 - 前記もう一つの誘電体層が、前記光学活性層の屈折率とは異なる屈折率を有する誘電体材料を含む複数の離間した格子歯を有する
請求項2に記載の発光装置。 - 前記光学活性層が、ある1つの波長の光の放射が可能であり、
前記光学活性層から放射される光を反射する複数の離間した格子歯を有する前記もう一つの誘電体層は、第2の格子歯から前記波長の2分の1の間隔離れている第1の格子歯を含む、
請求項2に記載の発光装置。 - 光を反射する離間した格子歯を有する前記もう一つの誘電体層は、
前記第1の格子歯と前記第2の格子歯の間の領域の外部にあり、前記第1の格子歯から前記波長である1つの波長の間隔だけ離れている第3の格子歯
を有する請求項4に記載の発光装置。 - 半導体材料から形成されている前記基板が、シリコンから形成されている基板を有する請求項1に記載の発光装置。
- 半導体材料から形成されている前記基板が、SiGeから形成されている基板を有する請求項1に記載の発光装置。
- 前記基板の上面に形成された前記誘電体層が、フッ化物の層を有する請求項1に記載の発光装置。
- 前記基板の上面に形成された前記誘電体層が、フッ素がドープされたSiO2の層を有する請求項1に記載の発光装置。
- Siナノ結晶を含む前記光学活性層に、プラセオジミウムがドープされている請求項1に記載の発光装置。
- 前記光学活性層が、1.3μmの波長を有する光を発光可能である請求項10に記載の発光装置。
- Siナノ結晶を含む前記光学活性層に、ホルミウムがドープされている請求項1に記載の発光装置。
- 前記光学活性層が、1.2μmの波長を有する光を発光可能である請求項12に記載の発光装置。
- Siナノ結晶を含む前記光学活性層に、イッテルビウムがドープされている請求項1に記載の発光装置。
- 前記光学活性層が、980nmの波長を有する光を発光可能である請求項14に記載の発光装置。
- Siナノ結晶を含む前記光学活性層に、セリウムがドープされている請求項1に記載の発光装置。
- 前記光学活性層が、620nmの波長を有する光を発光可能である請求項16に記載の発光装置。
- Siナノ結晶を含む前記光学活性層に、ツリウムがドープされている請求項1に記載の発光装置。
- 前記光学活性層が、1.4μmの波長を有する光を発光可能である請求項18に記載の発光装置。
- 希土類元素がドープされている前記光学活性層が、2以上のドーパントの原子がコドープされている光学活性層を有し、
前記2以上のドーパントの一つが希土類元素である
請求項1に記載の発光装置。 - 前記光共振器は、前記光学活性層中にエッチングされた、複数の離間した格子歯を有する請求項1に記載の発光装置。
- 前記光学活性層の側面にあり、電気通信における第1の導電接点と、
前記光学活性層の他方の面にあり、電気通信における第2の導電接点と
を更に有し、
前記第1の導電接点および前記第2の導電接点は、前記光学活性層を電気的に励起できる
請求項1に記載の発光装置。 - 前記光学活性層から放射された光を光学的に変調する、前記光共振器と光通信する変調装置
を更に備える請求項1に記載の発光装置。 - 希土類元素がドープされた前記光学活性層が、希土類元素を含む化合物がドープされた光学活性層
を有する請求項1に記載の発光装置。 - 発光装置を製造する方法であって、
半導体材料からなる基板を提供する段階と、
前記基板の上面に誘電体層を形成する段階と、
前記誘電体層の上面に希土類元素がドープされたSiナノ結晶を含む光学活性層を形成する段階と、
前記光学活性層からの光を捕捉する前記光学活性層の上面に光共振器を形成する段階と
を備える発光装置を製造する方法。 - 前記光学活性層から放射される光を反射する前記光学活性層の上面の前記光共振器を形成する段階が、
前記光学活性層の上面にもう一つの誘電体層を堆積する段階と、
前記光学活性層から放射される光を反射する第1の反射面と第2の反射面とを供給するために、前記もう一つの誘電体層中に第1の格子歯のセットと第2の格子歯のセットとをエッチングする段階
を有する請求項25に記載の方法。 - 前記誘電体層の上面に光学活性層を形成する段階が、
前記誘電体層の上面にSiO2の層を堆積する段階と、
Siナノ結晶を形成するために前記堆積された層をアニールする段階と、
イオン打ち込みによりSiナノ結晶の層の中に希土類元素の原子を打ち込む段階
を有する請求項25に記載の方法。 - 希土類元素の原子を打ち込む段階が、 Siナノ結晶の層中にプラセオジミウムの原子を打ち込む段階を有する請求項27に記載の方法。
- 希土類元素の原子を打ち込む段階が、 Siナノ結晶の層中にホルミウムの原子を打ち込む段階を有する請求項27に記載の方法。
- 希土類元素の原子を打ち込む段階が、 Siナノ結晶の層中にイッテルビウムの原子を打ち込む段階を有する請求項27に記載の方法。
- 希土類元素の原子を打ち込む段階が、 Siナノ結晶の層中にセリウムの原子を打ち込む段階を有する請求項27に記載の方法。
- 希土類元素の原子を打ち込む段階が、 Siナノ結晶の層中にツリウムの原子を打ち込む段階を有する請求項27に記載の方法。
- システムであって、
希土類元素がドープされたSiナノ結晶の光学活性層と、前記光学活性層によって放射された光を反射する光共振器とを含む発光装置を有する、半導体基板から形成された第1の集積回路(IC)チップと、
前記発光装置と第1の光経路の末端が光学的に連結された光経路と、
第2の光経路の末端が光学的に光検出器と連結された第2のICチップと
を備えるシステム。 - 希土類元素がドープされたSiナノ結晶の光学活性層と前記光学活性層によって放射された光を閉じ込める光共振器を有する前記発光装置が、
下側の誘電体層と上側の誘電体層との間に存在する、希土類元素がドープされているSiナノ結晶の光学活性層を有し、
前記光共振器は、前記光学活性層から放射された光を反射する、前記上側の誘電体層にエッチングされた離間した格子歯によって形成される
請求項33に記載のシステム。 - 希土類元素がドープされたSiナノ結晶の前記光学活性層が、プラセオジミウムがドープされたSiナノ結晶の光学活性層を有する請求項34に記載のシステム。
- 希土類元素がドープされたSiナノ結晶の前記光学活性層が、ホルミウムがドープされたSiナノ結晶の光学活性層を有する請求項34に記載のシステム。
- 希土類元素がドープされたSiナノ結晶の前記光学活性層が、イッテルビウムがドープされたSiナノ結晶の光学活性層を有する請求項34に記載のシステム。
- 希土類元素がドープされたSiナノ結晶の前記光学活性層が、セリウムがドープされたSiナノ結晶の光学活性層を有する請求項34に記載のシステム。
- 希土類元素がドープされたSiナノ結晶の前記光学活性層が、ツリウムがドープされたSiナノ結晶の光学活性層を有する請求項34に記載のシステム。
- 前記発光装置を光学的に励起する、前記発光装置と光通信する発光ダイオードを更に備える請求項33に記載のシステム。
- 前記発光装置に電気的に接続された駆動部を更に備える請求項33に記載のシステム。
- システムであって、
希土類元素がドープされたSiナノ結晶の光学活性層と、半導体基板上に形成された前記光学活性層から放射された光を閉じ込める光共振器とを有する発光装置と、
前記発光装置と光通信をする第1の末端を有する光ファイバー
を備えるシステム。 - 前記半導体基板上に形成された励起源をさらに備え、 前記励起源は、前記発光装置から光を放射させる請求項42に記載のシステム。
- 前記発光装置から放射される光を受信して前記光ファイバーの第2の末端と光通信する光検出器を更に備える請求項43に記載のシステム。
- 前記発光装置から放射された光を変調する前記半導体基板上に形成された変調装置を更に備える請求項44に記載のシステム。
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