JP2006342300A - 接着フィルム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 低応力・低温接着性の接着フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】(A)カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー及び(B)熱硬化性樹脂を含有してなる接着フィルムを提供する。
【選択図】 なし
【解決手段】(A)カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー及び(B)熱硬化性樹脂を含有してなる接着フィルムを提供する。
【選択図】 なし
Description
本発明は、IC、LSI等の半導体素子とリードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材の接合材料、すなわちダイボンディング用材料として用いられる接着フィルム、およびその接着フィルムを用いた半導体装置に関する。
従来、ICやLSIとリードフレームの接合にはAu−Si共晶合金、半田あるいは銀ペースト等が用いられている。Au−Si共晶合金は、耐熱性及び耐湿性は高いが、弾性率が高いため大型チップへ適用した場合に割れやすいほか、高価である難点がある。半田は安価であるものの、耐熱性が劣り、更に弾性率はAu−Si共晶合金と同様に高く、大型チップへ適用が困難である。一方、銀ペーストは安価で、耐湿性が高く、弾性率も上記3者の中では最も低く、350℃の熱圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性も有するので、現在はICやLSIとリードフレームの接着用材料の主流である。しかし、近年ICやLSIの高集積化が進み、それに伴ってチップが大型化しているなかで、ICやLSIとリードフレームを銀ペーストで接合しようとする場合、銀ペーストをチップ全面に広げ塗布するには困難を伴う。
また、本出願人は、先に、特定のポリイミド樹脂を用いた接着フィルム、及びこれに導電性フィラー若しくは無機フィラーを含有するダイボンド用接着フィルムを提案した(特許文献1〜4参照)。
特開平06−145639号公報
特開平06−264035号公報
特開平07−228697号公報
特開2004−48041号公報
本発明者らが先に提案した接着フィルムは、比較的低温で接着でき、かつ良好な熱時接着力をもっている。しかし、近年使われ始めている銅リードフレーム(酸化を受けやすい)や熱伝導性の低い絶縁性支持基板(熱膨張が大きいため、加熱接合時に反りやすい)への接合には、室温程度の更に低い温度で接着できる接着フィルムが強く望まれている。本発明は、ダイボンド用として42アロイリードフレームに用いられるばかりでなく、銅リードフレームにも好適に使用でき、更に絶縁性支持基板にも好適に使用できる低応力・低温接着性の接着フィルムを提供することを目的としている。
本発明の一実施形態は、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマーを含有することにより、低温接着性を向上させようとしたものである。
上記課題を達成するために、本発明では以下の構成をとった。すなわち、本発明は、(A)カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー、(B)熱硬化性樹脂を含有してなる接着フィルムに関する。
また本発明は、(C)フィラーを含有してなる前記の接着フィルムに関する。
また本発明は、接着フィルムの硬化後の弾性率が1〜100MPa(25℃)である前記の接着フィルムに関する。
また本発明は、接着フィルムの硬化後の弾性率が1〜100MPa(250℃)である前記の接着フィルムに関する。
また本発明は、片面または両面を支持フィルムで支持された接着フィルムに関する。
また本発明は、前記の接着フィルムを用いた半導体装置に関する。
また本発明は、前記半導体装置は、前記接着フィルムを介して支持部材上に半導体素子を備え、前記支持部材が42アロイリードフレーム、銅リードフレーム、ポリイミドのプラスチック、エポキシ樹脂のプラスチックフィルム、ポリイミド系樹脂のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にポリイミド、エポキシ樹脂又はポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させたもの及びアルミナから選ばれるものである前記の半導体装置に関する。
本発明により、室温程度の低い温度でダイボンドすることができ、ダイボンド用として42アロイリードフレームに用いられるばかりでなく、有機基板などの絶縁性支持基板や銅リードフレームに好適に使用できる。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の一実施形態は、(A)カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー、(B)熱硬化性樹脂を含有してなる接着フィルムに関する。
ここで、m、x、y、zの範囲は特に限定しないが、一般的には他材料との反応性の点から、mが1〜10、xが1〜100、yが1〜100、zが1〜100の範囲が好ましい。
また、上記(A)成分の重量平均分子量は、1000〜8000が好ましく、3000〜5000がより好ましい。重量平均分子量が8000を超えると、他材料との反応性が低下する。
また、上記(A)成分の粘度は、1000Pa・s以下が好ましく、40〜500Pa・sがより好ましい。粘度が1000Pa・sを超えると、他材料との分散性が低下する。
上記(A)成分としては、例えばHycer CTB−2009×162,CTBN−1300×31,CTBN−1300×8、CTBN−1300×13、CTBNX−1300×9、CTMNX−1300X9(いずれも宇部興産株式会社製)、NISSO−PB−C−2000(日本曹達株式会社製)などが挙げられ、これらは2種以上併用してもよい。
本発明で用いる熱硬化性樹脂(B)としては種々の樹脂が使用できるが、好ましくは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物及び硬化促進剤を含む。
その場合のエポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも2個のエポキシ基を含むもので、硬化性や硬化物特性の点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が好ましく、このような樹脂としては、ビスフェノールA、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、ビスフェノールFもしくはハロゲン化ビスフェノールAとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル等が挙げられる。
エポキシ樹脂の配合量は、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー(A)100重量部に対し300重量部を超えない程度、好ましくは200重量部を超えない程度とする。300重量部を超えると低応力、低温接着性の特性を発揮しにくい。
また、フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物としては、分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有するものが好ましく、このような樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、ポリ−p−ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。
フェノール樹脂または分子中にフェノール性水酸基を有する化合物の配合量は、エポキシ樹脂100重量部に対して150重量部を超えないことが好ましく、より好ましくは10〜120重量部である。150重量部を超えると硬化性が不充分となる。
硬化促進剤は、エポキシ樹脂を硬化させるために用いられるものであればよい。このようなものとしては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7−テトラフェニルボレート等が用いられる。これらは、2種以上を併用してもよい。
硬化促進剤の量はエポキシ樹脂100重量部に対し、好ましくは50重量部を超えない程度、より好ましくは0.1〜20重量部である。50重量部を超えると低応力、低温接着性の特性を発揮しにくい。
熱硬化性樹脂として、1分子中に少なくとも2個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物を使用することもできる。このイミド化合物を、熱硬化性樹脂として単独で用いても、前記の熱硬化性樹脂に加えてもよい。そのような化合物の例としては、オルトビスマレイミドベンゼン、メタビスマレイミドベンゼン、パラビスマレイミドベンゼン、1,4−ビス(p−マレイミドクミル)ベンゼン、1,4−ビス(m−マレイミドクミル)ベンゼンのほか、下記の式(III)〜(V)で表されるイミド化合物等がある。
〔式中、XやYは、O、CH2、CF2、SO2、S、CO、C(CH3)2又はC(CF3)2を示し、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及びR8は、それぞれ独立に水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Dはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示し、nは0〜4の整数を示す。〕
イミド化合物の量は、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー(A)100重量部に対して0〜200重量部、好ましくは0〜100重量部である。200重量部を超えると低応力、低温接着性の特性を発揮しにくい。
イミド化合物の量は、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー(A)100重量部に対して0〜200重量部、好ましくは0〜100重量部である。200重量部を超えると低応力、低温接着性の特性を発揮しにくい。
式(III)のイミド化合物としては、例えば、4,4−ビスマレイミドジフェニルエーテル、4,4−ビスマレイミドジフェニルメタン、4,4−ビスマレイミド−3,3’−ジメチル−ジフェニルメタン、4,4−ビスマレイミドジフェニルスルホン、4,4−ビスマレイミドジフェニルスルフィド、4,4−ビスマレイミドジフェニルケトン、2,2’−ビス(4−マレイミドフェニル)プロパン、4,4−ビスマレイミドジフェニルフルオロメタン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(4−マレイミドフェニル)プロパン等がある。
式(IV)のイミド化合物としては、例えば、ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕エーテル、ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕フルオロメタン、ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(3−マレイミドフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕スルフィド、ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕ケトン、2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル〕プロパン等がある。
これらイミド化合物の硬化を促進するため、ラジカル重合剤を使用してもよい。ラジカル重合剤としては、アセチルシクロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリル等がある。このとき、ラジカル重合剤の使用量は、イミド化合物100重量部に対して概ね0.01〜1.0重量部が好ましい。
また、本発明の一実施形態は、(C)フィラーを含有してなる前記の接着フィルムに関する。
フィラーを含有させる場合、フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の導電性(金属)フィラー、シリカ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機質フィラー等がある。
フィラーのうち、銀粉、金粉、銅粉等の導電性(金属)フィラーは、接着フィルムに導電性、伝熱性、チキソトロピー性を付与する目的で添加される。また、シリカ、アルミナ、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機質フィラーは、接着フィルムに低熱膨張性、低吸湿率、チキソトロピー性を付与する目的で添加される。
また、半導体装置の電気的信頼性を向上させるフィラーとして、無機イオン交換体を加えても良い。接着フィルムのペースト硬化物を熱水中で抽出したとき、水溶液中に抽出されるイオン、例えば、Na+、K+、Cl−、F−、RCOO−、Br−等のイオン捕捉作用が認められるものが有効である。このようなイオン交換体としては、天然に産出されるゼオライト、沸石類、酸性白土、白雲石、ハイドロタルサイト類などの天然鉱物、人工的に合成された合成ゼオライトなどが例として挙げられる。
これら導電性フィラー又は無機物質フィラーは2種以上を混合して用いることもできる。また、物性を損なわない範囲で導電性フィラーと無機物質フィラーとを混合して用いてもよい。
フィラーの量は、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー(A)100重量部に対して、通常0〜100重量部、好ましくは2〜50重量部の範囲である。100重量部よりも多いと接着性が低下する。
フィラー含有の接着フィルムは、熱硬化性樹脂(B)を有機溶媒に溶解しカルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー(A)をあらかじめ混合した後、フィラーを加え、必要に応じ他の成分を加え、攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミルなどの分散機を適宜、組み合せて混合・混練する。得られたペースト状混合物を、ベースフィルムに均一に塗布し、加熱して製造する。ベースフィルムとしては、例えば、テフロン(登録商標)シートが挙げられる。
上記接着フィルムの製造の際に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグライムともいう)、トリエチレングリコールジメチルエーテル(トリグライムともいう)、ジエチレングリコールジエチルエーテル、2−(2−メトキシエトキシ)エタノール、γ−ブチロラクトン、イソホロン、カルビトール、カルビトールアセテート、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、酢酸2−(2−ブトキシエトキシ)エチル、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、アニソール等がある。これらは2種類以上混合して用いてもよい。
有機溶媒の量については、カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー(A)100重量部に対して、通常10〜100重量部である。
こうして得たワニス又はペースト状混合物をベースフィルム上に均一に塗布後、おおむね100℃〜180℃の温度で、10分〜150分間加熱して接着フィルムを作成する。作成後、接着フィルムは両面を保護シートによって保護し、使用の際には、通常は室温下にて保護シートを剥がして使用される。保護シートとしては、例えば、テフロン(登録商標)シートが挙げられる。
得られた接着フィルムは、IC、LSI等の半導体素子と、支持部材との間に本発明の接着フィルムを挟み、室温又は加熱圧着して、両者を接着させる。加熱の際の温度は、通常25℃〜300℃、0.1〜300秒間である。支持部材として、例えば、42アロイリードフレーム、銅リードフレーム、ポリイミドのプラスチック、エポキシ樹脂のプラスチックフィルム、ポリイミド系樹脂のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にポリイミド、エポキシ樹脂又はポリイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させたもの、アルミナ等のセラミックスが挙げられる。
また、本発明の一実施形態は、前記の接着フィルムであって、かつ接着フィルムの片面または両面を支持フィルムで支持された接着フィルムに関する。
支持フィルムとしては、通常フィルムをカバーしているものであれば特に制限はなく、例えば、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリイミドフィルム等が用いられる。
また、本発明の半導体装置は、本発明の接着フィルムを用いて製造されたものであれば特にその構造に制限はなく、例えば、上記のような半導体素子、半導体素子の支持部材、半導体素子と支持部材とを接合している本発明の接着フィルムを含有する半導体装置が挙げられる。
図1に一般的な構造の半導体装置を示す。
図1において、半導体素子8は本発明の接着フィルム1を介して半導体素子支持部材9に接着され、半導体素子8の接続端子(図示せず)はワイヤ6を介して外部接続端子(図示せず)と電気的に接続され、封止材7によって封止されている。近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本発明の接着フィルムの用途は、半導体素子の面積の大部分が接着フィルムと接触していればこの構造に限定されるものではない。
また、図2に半導体素子同士を接着した構造を有する半導体装置の一例を示す。図2において、一段目の半導体素子8は本発明の接着フィルム1を介して半導体素子支持部材9に接着され、一段目の半導体素子8の上に更に本発明の接着フィルム1′を介して二段目の半導体素子8’が接着されている。一段目の半導体素子8及び二段目の半導体素子8’の接続端子(図示せず)は、ワイヤ6を介して外部接続端子(図示せず)と電気的に接続され、封止材(図示せず)によって封止されている。このように、本発明の接着フィルムは、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
(実施例1)
カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー(A)としてCTMNX−1300×9(宇部興産株式会社製)を100重量部を秤取し、これをらいかい機に入れ、熱硬化性樹脂(B)として予め用意していた、エポキシ樹脂(YDCN−702)25重量部及びフェノール樹脂(H−1)15重量部の、溶剤であるカルビトールアセテート(60重量部)溶液(熱硬化性樹脂の固形分の濃度は約40重量%)と、硬化促進剤(2MA−OK)0.5重量部を加え、混合し、続いて、フィラー(C)としてシリカ微粉末であるアエロジル380を8重量部を加え、1時間撹拌・混練し、本発明の接着フィルム用ワニスを得た。(ワニスNo.1)
(実施例2〜3、比較例1〜3)
ベース樹脂、熱硬化性樹脂、フィラー及び/又は溶剤の種類及び配合量を変えて、実施例1と同様に行い、本発明の接着フィルム用ワニス(No.2〜No.3)及び比較対照のワニス(No.4)を得た。表1にワニスの配合を示した。
カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー(A)としてCTMNX−1300×9(宇部興産株式会社製)を100重量部を秤取し、これをらいかい機に入れ、熱硬化性樹脂(B)として予め用意していた、エポキシ樹脂(YDCN−702)25重量部及びフェノール樹脂(H−1)15重量部の、溶剤であるカルビトールアセテート(60重量部)溶液(熱硬化性樹脂の固形分の濃度は約40重量%)と、硬化促進剤(2MA−OK)0.5重量部を加え、混合し、続いて、フィラー(C)としてシリカ微粉末であるアエロジル380を8重量部を加え、1時間撹拌・混練し、本発明の接着フィルム用ワニスを得た。(ワニスNo.1)
(実施例2〜3、比較例1〜3)
ベース樹脂、熱硬化性樹脂、フィラー及び/又は溶剤の種類及び配合量を変えて、実施例1と同様に行い、本発明の接着フィルム用ワニス(No.2〜No.3)及び比較対照のワニス(No.4)を得た。表1にワニスの配合を示した。
なお、表1において、種々の記号は下記の意味である。
CTMNX-1300X9、CTBN-1300X31、CTBN-1300X8:宇部興産株式会社、カルボン酸末端基を有するブタジエン-アクリロニトリル コポリマー、HYCAR CTポリマーシリーズ
YDCN-702:東都化成株式会社、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量220)
EOCN-195:日本化薬株式会社、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量200)N-865:大日本インキ製、ビスフェノールノボラック型エポキシ(エポキシ当量208)
H-1:明和化成株式会社、フェノールノボラック樹脂(OH当量106)
VH-4170:大日本インキ化学工業株式会社、ビスフェノールAノボラック樹脂(OH当量118)
2MA-OK, 2P4MHZ:四国化成工業株式会社、キュアゾール
TPPK:東京化成工業株式会社、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート
シリカ:日本アエロジル株式会社、アエロジル380(シリカの微粉末)
CA :カルビトールアセテート
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
DMAC:ジメチルアセトアミド
DMF:ジメチルホルムアミド
また、比較例1〜3におけるポリイミドの合成は以下のように行った。
YDCN-702:東都化成株式会社、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量220)
EOCN-195:日本化薬株式会社、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量200)N-865:大日本インキ製、ビスフェノールノボラック型エポキシ(エポキシ当量208)
H-1:明和化成株式会社、フェノールノボラック樹脂(OH当量106)
VH-4170:大日本インキ化学工業株式会社、ビスフェノールAノボラック樹脂(OH当量118)
2MA-OK, 2P4MHZ:四国化成工業株式会社、キュアゾール
TPPK:東京化成工業株式会社、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート
シリカ:日本アエロジル株式会社、アエロジル380(シリカの微粉末)
CA :カルビトールアセテート
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
DMAC:ジメチルアセトアミド
DMF:ジメチルホルムアミド
また、比較例1〜3におけるポリイミドの合成は以下のように行った。
(合成例1)
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた500mlの四つ口フラスコに、4,9−ジオキサドデカン−1,12−ジアミン20.4g(0.1モル)及びジメチルアセトアミド150gをとり、攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート二無水物52.2g(0.1モル)を少量ずつ添加した。室温で3時間反応させた後、キシレン30gを加え、N2ガスを吹き込みながら150℃で加熱し、水とともにキシレンを共沸除去した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾過により採り、乾燥してポリイミド樹脂(A)を得た。
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた500mlの四つ口フラスコに、4,9−ジオキサドデカン−1,12−ジアミン20.4g(0.1モル)及びジメチルアセトアミド150gをとり、攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート二無水物52.2g(0.1モル)を少量ずつ添加した。室温で3時間反応させた後、キシレン30gを加え、N2ガスを吹き込みながら150℃で加熱し、水とともにキシレンを共沸除去した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾過により採り、乾燥してポリイミド樹脂(A)を得た。
(合成例2)
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた500mlの四つ口フラスコに、4,9−ジオキサドデカン−1,12−ジアミン10.2g(0.05モル)及び2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン20.5g(0.05モル)及びN−メチル−2−ピロリドン150gをとり、攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート二無水物52.2g(0.1モル)を少量ずつ添加した。添加終了後、氷浴中で3時間、さらに室温で4時間反応させた後、無水酢酸25.5g(0.25モル)及びピリジン19.8g(0.25モル)を加え、室温で2時間攪拌した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾過により採り、乾燥してポリイミド樹脂(B)を得た。
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた500mlの四つ口フラスコに、4,9−ジオキサドデカン−1,12−ジアミン10.2g(0.05モル)及び2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン20.5g(0.05モル)及びN−メチル−2−ピロリドン150gをとり、攪拌した。ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、デカメチレンビストリメリテート二無水物52.2g(0.1モル)を少量ずつ添加した。添加終了後、氷浴中で3時間、さらに室温で4時間反応させた後、無水酢酸25.5g(0.25モル)及びピリジン19.8g(0.25モル)を加え、室温で2時間攪拌した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを濾過により採り、乾燥してポリイミド樹脂(B)を得た。
調合したNo.1〜4のワニスを各々100μmの厚さにテフロン(登録商標)シート(ベースフィルム)上に塗布し、150℃で50分加熱し、その後、室温でベースフィルムを剥がして除き、接着フィルムを得た。
前記No.1〜6(本発明の実施例No.1〜3、比較例No.4〜6で得られたフィルム)の各接着温度でのピール接着力を測定した(表2)。なお、ピール接着力は、接着フィルム1を5×5mmの大きさに切断し、これを5x5mmのシリコンチップ2と銅リードフレーム3の間に挟み、180℃又は250℃の熱盤4上で1000gの荷重をかけ5秒間圧着させた。その後、180℃で1時間硬化させ、図3に示す装置を用いて250℃、20秒間加熱時の引き剥がし強さを測定した。
また、No.1〜6で得られた接着フィルムを用いてリードフレームにシリコンチップを接合させたときのチップ反りを測定した。
No.1〜3の接着フィルムを用いた場合のチップ反りは、ほとんどゼロであり良好な応力緩和能を示した。No.4〜6(比較)の樹脂ペーストを用いた場合はチップ反りが大きい(表2)。
なお、チップ反りは、各接着フィルムを13mm×13mmの大きさに切断し、これを13mm×13mmの大きさのシリコンチップと銅リードフレームの間に挟み、1000gの荷重をかけて、250℃、5秒間圧着させたのち測定した。なお、チップ反りは表面粗さ形を用い直線状に11mmスキャンしたときのベースラインからの最大高さ(μm)の測定値とした。
本発明の接着フィルムは、極めて低応力であり、かつ熱時の接着力に優れている。また本発明の接着フィルムは、室温程度の低い温度で貼り付ける必要がある基板に対して、容易に使用できるダイボンディング用接着フィルムを提供できる。
1、1’ 接着フィルム
2 シリコンチップ
3 銅リードフレーム
4 熱盤
5 支え
6 ワイヤ
7 封止材
8、8’半導体素子
9 半導体素子支持部材
2 シリコンチップ
3 銅リードフレーム
4 熱盤
5 支え
6 ワイヤ
7 封止材
8、8’半導体素子
9 半導体素子支持部材
Claims (7)
- (A)カルボン酸末端基を有するブタジエンのホモポリマーまたはコポリマー及び(B)熱硬化性樹脂を含有してなる接着フィルム。
- さらに(C)フィラーを含有してなる請求項1記載の接着フィルム。
- 前記接着フィルムの硬化後の弾性率が1〜100MPa(25℃)である請求項1または2記載の接着フィルム。
- 前記接着フィルムの硬化後の弾性率が1〜100MPa(250℃)である請求項1〜3いずれか一項に記載の接着フィルム。
- 片面または両面を支持フィルムで支持された請求項1〜4のいずれか一項に記載の接着フィルム。
- 請求項1〜5いずれか一項に記載の接着フィルムを用いた半導体装置。
- 前記半導体装置は、前記接着フィルムを介して支持部材上に半導体素子を備え、前記支持部材が42アロイリードフレーム、銅リードフレーム、ポリイミドのプラスチック、エポキシ樹脂のプラスチックフィルム、ポリイミド系樹脂のプラスチックフィルム、ガラス不織布基材にポリイミド、エポキシ樹脂又はポリイミド系樹脂のプラスチックを含浸・硬化させたもの及びアルミナから選ばれるものである請求項6記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005171036A JP2006342300A (ja) | 2005-06-10 | 2005-06-10 | 接着フィルム及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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ID=37639490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005171036A Pending JP2006342300A (ja) | 2005-06-10 | 2005-06-10 | 接着フィルム及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006342300A (ja) |
-
2005
- 2005-06-10 JP JP2005171036A patent/JP2006342300A/ja active Pending
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