JP2006337910A - Reticle - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、縮小型投影装置(以下、「ステッパ」という。)に用いられるウエハ上にパターンを転写するためのガラスマスク(以下、「レチクル」という。)に関する。 The present invention relates to a glass mask (hereinafter referred to as “reticle”) for transferring a pattern onto a wafer used in a reduction type projection apparatus (hereinafter referred to as “stepper”).
図11はステッパの概略図であり、ステッパはレチクル1に描画された回路パターン2を光学手段3を介してウエハ4上に縮小投影露光するものである。ウエハ4は、X方向と該X方向に直交するY方向とに移動可能なX−Yテーブル5に保持される。 FIG. 11 is a schematic view of a stepper. The stepper performs reduction projection exposure of a circuit pattern 2 drawn on a reticle 1 onto a wafer 4 through optical means 3. The wafer 4 is held on an XY table 5 that can move in the X direction and a Y direction orthogonal to the X direction.
通常、レチクル上に集積回路(以下、「IC」という。)をレイアウトする場合、そのICの配置(以下、「チップレイアウト」という。)は、レチクル毎に定められているチップレイアウト可能な領域に一個のICチップ(以下、「チップ」という。)が最大数のるように決められている。 Usually, when an integrated circuit (hereinafter referred to as “IC”) is laid out on a reticle, the IC layout (hereinafter referred to as “chip layout”) is set in an area where chip layout can be determined for each reticle. One IC chip (hereinafter referred to as “chip”) is determined to be the maximum number.
それは、ステッパが一度に露光できるICの数(以下、「チップ数」という。)を最大にし、生産性を大きくするためである。 This is to maximize the number of ICs that the stepper can expose at one time (hereinafter referred to as “the number of chips”) and to increase productivity.
本発明に係る生産性とは、ステッパにおける生産性であり、単位時間のウエハの処理枚数(以下、「スループット」という。)のことである。 Productivity according to the present invention is productivity in a stepper, and is the number of wafers processed per unit time (hereinafter referred to as “throughput”).
スループットは、特許文献1(特開2003−142388号公報)の記載によれば、
「スループット(wph)=3600÷(ウエハ供給時間+アライメント時間+露光処理時間+ウエハ回収時間)」
で表される。
According to the description of Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-142388), the throughput is as follows.
“Throughput (wph) = 3600 ÷ (wafer supply time + alignment time + exposure processing time + wafer recovery time)”
It is represented by
ウエハ供給時間、アライメント時間、ウエハ回収時間は装置固有のものであり、定数であると考えることができるため、スループットの向上は露光処理時間で決まる。また、露光処理時間は描画(以下、「ショット」という。)数と描画の配置(以下、「ショットレイアウト」という。)に依存する。 Since the wafer supply time, alignment time, and wafer recovery time are unique to the apparatus and can be considered as constants, improvement in throughput is determined by exposure processing time. The exposure processing time depends on the number of drawing (hereinafter referred to as “shot”) and the arrangement of drawing (hereinafter referred to as “shot layout”).
ここで、後の説明の便宜のため、ウエハにおけるショットできない領域(以下、「ショット無効領域」という。)と焦点無効領域について説明する。 Here, for convenience of later explanation, a non-shot area (hereinafter referred to as “shot invalid area”) and a focus invalid area on the wafer will be described.
ショット無効領域の説明として、例えば、5インチ(=127mm)ウエハの中心のX方向に、複数チップのX方向が120mmのチップレイアウトとなっているレチクルを5:1ステッパでショットする場合以下の計算式を考えてみると、
{127mm−(3mm×2)}/(120mm/5)=5ショット+1mm
となり、1mmのショット無効領域が存在する。仮定としてウエハのチップがとれない領域と焦点無効領域を共にウエハ周辺から3mmとした。
As an explanation of the shot invalid area, for example, when a reticle having a chip layout of 120 mm in the X direction of a plurality of chips is shot with a 5: 1 stepper in the X direction at the center of a 5-inch (= 127 mm) wafer, the following calculation is performed. Consider the formula:
{127 mm- (3 mm × 2)} / (120 mm / 5) = 5 shots + 1 mm
Thus, a 1 mm shot invalid area exists. Assuming that both the area where the wafer chip cannot be taken and the focus invalid area are 3 mm from the wafer periphery.
次に、焦点無効領域を説明する。
通常、ステッパでレチクルパターンをウエハ上にショットするにはレチクルとウエハの焦点を合わせる必要がある。焦点は、レチクルの焦点を合わせる位置(多くの場合レチクル中心)とウエハ表面で合わせられる。そのため、ショットする際にレチクルの焦点を合わせる位置がウエハ表面の焦点の合わせられる範囲に入らなければレチクルパターンをウエハにショットすることができない。このショットできない領域を焦点無効領域と呼ぶことにする。
Next, the focus invalid area will be described.
Normally, in order to shot a reticle pattern on a wafer with a stepper, it is necessary to focus the reticle and the wafer. The focal point is adjusted on the wafer surface with the position (in many cases the reticle center) where the reticle is focused. Therefore, the reticle pattern cannot be shot on the wafer unless the position where the reticle is focused is within the range where the wafer surface is focused. This area that cannot be shot is called a focus invalid area.
よってステッパにおいて、焦点をレチクル中心とウエハ表面で合わせる装置の場合、ウエハ上のショットは1列もしくは1行あたり、最大、レチクル上の複数チップのX方向もしくはY方向の長さの半分の無効領域が存在しうる。 Therefore, in the case of an apparatus for focusing on the reticle center and the wafer surface in the stepper, the shot on the wafer is ineffective area that is half the length of the plurality of chips on the reticle in the X direction or Y direction at the maximum. Can exist.
近年、半導体チップ製造の分野では市場よりチップ単価の低下が益々要求されるようになってきている。そのため、ウエハ径のインチアップや回路の見直しによるICサイズ(以下、「チップサイズ」という。)縮小、原材料のコスト削減など多角的に取り組まれてきている。 In recent years, in the field of semiconductor chip manufacturing, there is an increasing demand for a reduction in chip unit price from the market. For this reason, efforts have been made from various angles such as reducing the IC size (hereinafter referred to as “chip size”) by increasing the diameter of the wafer, reviewing the circuit, and reducing the cost of raw materials.
しかしながら、これらの取り組みは新たな設備投資や人件費を必要とする場合が多く、チップ単価を下げるまでに長い時間とコストを必要とするものであった。 However, these efforts often require new capital investment and labor costs, and it took a long time and cost to lower the chip unit price.
例えば、特許文献2(特開2003−158067号公報)に記載の従来技術では、ステッパのマスキングブレード装置を用いて、チップ取得の減少を抑えるものであった。
前記特許文献2記載の従来技術では、ステッパにおけるマスキングブレードを非常に精度良く制御する必要があるが、ステッパの多くは、ステージに比べマスキングブレードの制御精度が低いことが問題である。 In the prior art described in Patent Document 2, it is necessary to control the masking blade in the stepper with very high accuracy. However, many of the steppers have a problem that the control accuracy of the masking blade is lower than that of the stage.
そこで、本発明は、チップ単価を低下させるために、新たな設備を必要とすることなくウエハ上のチップ乗り数を増加させることを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to increase the number of chips on a wafer without requiring new equipment in order to reduce the unit price of the chip.
前記目的を達成するために、本発明は、次の手段を講じた。即ち、本発明の特徴とするところは、半導体ウエハ上に回路パターンを転写するためのレチクルにおいて、回路パターンを配置可能とするレイアウト可能領域に、回路パターンの最小単位のチップが複数配置されてチップレイアウトが形成され、該チップレイアウトの外周縁と前記レイアウト可能領域の外周縁との間は、1チップ以上の間隔が形成されている点にある。 In order to achieve the above object, the present invention has taken the following measures. That is, the present invention is characterized in that, in a reticle for transferring a circuit pattern onto a semiconductor wafer, a plurality of chips each having a minimum unit of the circuit pattern are arranged in a layoutable area where the circuit pattern can be arranged. A layout is formed, and an interval of one chip or more is formed between the outer peripheral edge of the chip layout and the outer peripheral edge of the layable area.
前記レイアウト可能領域外周縁とチップレイアウト外周縁とは、互いに直交するX方向辺とY方向辺を有する四角形状であり、前記間隔は、XまたはY方向において形成されているのが好ましい。 It is preferable that the outer periphery of the layoutable area and the outer periphery of the chip layout have a quadrangular shape having an X direction side and a Y direction side orthogonal to each other, and the interval is formed in the X or Y direction.
前記ウエハは円形もしくは正方形であり、前記チップレイアウト外周縁は正方形であることが好ましい。 The wafer is preferably circular or square, and the outer periphery of the chip layout is preferably square.
前記間隔は、前記レチクルの焦点を合わせる位置とチップレイアウト中心の位置を一致させることにより、最適化したチップレイアウトとなるように設定するのが好ましい。 The interval is preferably set so as to obtain an optimized chip layout by matching the position where the reticle is focused with the position of the center of the chip layout.
または、前記間隔は、ウエハ中心とショットするときのレチクル上の焦点を合わせる位置を一致させることにより、最適化したチップレイアウトとなるように設定することができる。 Alternatively, the interval can be set so as to achieve an optimized chip layout by matching the wafer center with the position on the reticle for focusing.
前記構成の本発明によれば、新たな設備を必要とすることなくウエハ上のチップ乗り数を増加させることができる。 According to the present invention configured as described above, the number of chips mounted on the wafer can be increased without requiring new equipment.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
なお、本発明のレチクルは、前記図11に示すステッパで使用されるものであるので、同図の符号1は、以下に説明する符号Gに対応するものである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
Since the reticle of the present invention is used in the stepper shown in FIG. 11, reference numeral 1 in the figure corresponds to reference numeral G described below.
図1に、本発明の一実施形態のレチクルGを示す。図6に、図1のレチクルを用いた場合のウエハ上のショットレイアウトの一例を示す。 FIG. 1 shows a reticle G according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 shows an example of a shot layout on the wafer when the reticle of FIG. 1 is used.
比較のために、図5に従来用いられているレチクルの一形態を示す。図10に従来のレチクルを用いた場合のショットレイアウトの一例を示す。 For comparison, FIG. 5 shows a conventional reticle. FIG. 10 shows an example of a shot layout when a conventional reticle is used.
図1に示す本発明の実施の形態において、半導体ウエハ上に回路パターンを転写するためのレチクルGは、回路パターンを配置可能とするレイアウト可能領域Eに、回路パターンの最小単位のチップが複数配置されてチップレイアウトFが形成されている。該チップレイアウトF(以下、チップパターンともいう)の外周縁(図1における太線)と前記レイアウト可能領域Eの外周縁との間は、1チップ以上の間隔(裕度)H,Iが形成されている。 In the embodiment of the present invention shown in FIG. 1, a reticle G for transferring a circuit pattern onto a semiconductor wafer has a plurality of chips each having a minimum unit of the circuit pattern arranged in a layoutable area E where the circuit pattern can be arranged. Thus, a chip layout F is formed. Between the outer periphery (thick line in FIG. 1) of the chip layout F (hereinafter also referred to as a chip pattern) and the outer periphery of the layable area E, intervals (tolerances) H and I of one chip or more are formed. ing.
図6に示すウエハにおいて、太線で示す部分がワンショットレイアウトであり、レチクルG上のチップレイアウトFに対応している。また図中Cはレチクルの中心であり、Dはウエハの中心位置である。 In the wafer shown in FIG. 6, a portion indicated by a thick line is a one-shot layout and corresponds to the chip layout F on the reticle G. In the figure, C is the center of the reticle, and D is the center position of the wafer.
図1において、前記レチクルG上のレイアウト可能領域外周縁とチップレイアウト外周縁とは、互いに直交するX方向辺とY方向辺を有する四角形状であり、前記間隔は、XまたはY方向において形成されている。即ち、図1においては、X方向裕度はHで示され、Y方向裕度はIで示されている。 In FIG. 1, the outer peripheral edge of the layable area on the reticle G and the outer peripheral edge of the chip layout have a quadrangular shape having X-direction sides and Y-direction sides orthogonal to each other, and the interval is formed in the X or Y direction. ing. That is, in FIG. 1, the tolerance in the X direction is indicated by H, and the tolerance in the Y direction is indicated by I.
レチクルG上のチップ配置可能な領域Eは、各ステッパが使用するレチクルGにより一意に決まっている。 The region E on the reticle G where the chip can be arranged is uniquely determined by the reticle G used by each stepper.
上記実施の形態のレチクルGは、チップパターンFをレイアウト可能な領域Eに対し、XまたはY方向に1チップ以上の裕度H,Iをもってチップレイアウトされている。図1では一例としてX方向に1行分(図1にHで示す)、Y方向に3列分(図1にIで示す)の裕度を設定しているが、裕度は使用環境によって任意に設定しても良い。また、生産性の点から裕度はX方向かY方向に1チップ以上であれば少ない方が好ましい。生産性よりウエハの費用を優先させる場合などは、裕度はできる限り多い方が好ましく、レチクル上に1チップ配置させる設定がウエハ上のチップ乗り数は最大となる。 The reticle G of the above embodiment is laid out with tolerances H and I of one or more chips in the X or Y direction with respect to the region E where the chip pattern F can be laid out. In FIG. 1, as an example, margins for one row in the X direction (indicated by H in FIG. 1) and for three columns in the Y direction (indicated by I in FIG. 1) are set. It may be set arbitrarily. Further, from the viewpoint of productivity, it is preferable that the margin is less if it is one chip or more in the X direction or the Y direction. When giving priority to the cost of the wafer over productivity, the margin is preferably as much as possible, and the setting of placing one chip on the reticle maximizes the number of chips on the wafer.
図6と図10を比較してわかるように図6では、本発明の効果によりウエハ周辺部までショットできていることがわかる。 As can be seen by comparing FIG. 6 and FIG. 10, in FIG. 6, it can be seen that a shot has been made up to the wafer periphery due to the effect of the present invention.
これにより、ウエハ上のショットできない無効領域が減少し、従来のようにレチクルG上のチップレイアウトFをチップレイアウト可能な領域Eに対しチップを最大数乗せるより、ウエハ上にチップを多くのせることができる。したがって、ウエハ上のショット無効領域を減少させ、チップ乗り数を増加させることができる。 As a result, the number of invalid areas that cannot be shot on the wafer is reduced, and the chip layout F on the reticle G can be increased to the maximum number of chips on the area E where the chip layout is possible as in the conventional case. Can do. Therefore, the shot invalid area on the wafer can be reduced and the number of chips can be increased.
ステッパにおいて、焦点をレチクル中心で合わせない装置であっても同様である。
また、この実施の形態では新たな設備を必要としないため、製造コストの上昇を抑えることができる。
The same applies to an apparatus that does not focus on the reticle center in the stepper.
Moreover, since this embodiment does not require new equipment, an increase in manufacturing cost can be suppressed.
前記実施の形態では従来例に比べ、ウエハ上のショットレイアウトが変化し、ショット数が増加する可能性が高く、その場合、スループットが低下する。 In the above embodiment, the shot layout on the wafer is changed and the number of shots is likely to increase as compared with the conventional example, and in this case, the throughput decreases.
例として、通常のレチクルでは85ショットのレチクル(1)が本発明により、87ショットに増加した場合(2)のスループットの一例を挙げる。本計算は、特開2003−142388号公報に記載されているものを以下に引用する。 As an example, in the case of a normal reticle, an example of the throughput of (2) when 85-shot reticle (1) is increased to 87 shots according to the present invention will be given. This calculation quotes what is described in JP2003-142388A below.
ウエハ供給時間を5.0秒、アライメント時間を10.0秒、ウエハ回収時間を5.0秒とする。
(1)85ショットの場合
露光処理時間は、ステージ移動時間(X方向の移動時間×移動回数+Y方向の移動時間×移動回数)と露光時間(1ショット当りの露光時間×ショット数)の和となる。85ショットの場合、例としてX方向の移動時間を0.172秒、移動回数を75回、Y方向の移動時間を0.18秒、移動回数を9回、1ショット当りの露光時間を0.1秒とすると露光処理時間は23.02秒となり、スループットを計算すると、
「3600÷(5.0+10.0+23.02+5.0)=83.68WPH」
となる。
(2)87ショットの場合
(1)と同様の計算方法で、ショット数が変化させるため、X方向の移動回数を77回、Y方向の移動回数を9回として露光処理時間を計算すると23.56秒となる。この結果から、スループットを計算すると、
「3600÷(5.0+10.0+23.56+5.0)=82.63WPH」
となる。
The wafer supply time is 5.0 seconds, the alignment time is 10.0 seconds, and the wafer recovery time is 5.0 seconds.
(1) In the case of 85 shots, the exposure processing time is the sum of stage movement time (X-direction movement time × number of movements + Y-direction movement time × number of movements) and exposure time (exposure time per shot × number of shots). Become. In the case of 85 shots, the movement time in the X direction is 0.172 seconds, the number of movements is 75 times, the movement time in the Y direction is 0.18 seconds, the number of movements is 9, and the exposure time per shot is 0. If it is 1 second, the exposure processing time is 23.02 seconds.
“3600 ÷ (5.0 + 10.0 + 23.2 + 5.0) = 83.68 WPH”
It becomes.
(2) In the case of 87 shots Since the number of shots is changed by the same calculation method as in (1), the exposure processing time is calculated with 77 movements in the X direction and 9 movements in the Y direction. 56 seconds. From this result, calculating the throughput,
“3600 ÷ (5.0 + 10.0 + 23.56 + 5.0) = 82.63 WPH”
It becomes.
よって、この場合約1.3%のスループット減少となっているが、ショット数が約2.4%増加していることを考えるとショット数増加が多く、ショット数増加分だけチップ乗り数が増加しているとすると本発明の効果はこの場合大きいと言える。 Therefore, in this case, the throughput is reduced by about 1.3%, but considering that the number of shots has increased by about 2.4%, the number of shots increases and the number of chips increases by the amount of shots. In this case, the effect of the present invention can be said to be great.
そのため、チップをレイアウトする工程では、レチクル上のチップレイアウトとウエハ上の有効露光領域とから任意に裕度を設定してショットレイアウトを決め、レチクル上のレイアウトを複数作成し、最適なレチクルを選択して使用することが望ましい。 Therefore, in the chip layout process, the shot layout is determined by arbitrarily setting the margin from the chip layout on the reticle and the effective exposure area on the wafer, and multiple layouts on the reticle are created to select the optimal reticle. It is desirable to use it.
具体的には、チップレイアウトFの外周縁と前記レイアウト可能領域Eの外周縁との間に形成する間隔は、前記レチクルの焦点を合わせる位置とチップレイアウト中心の位置を一致させることにより、最適化したチップレイアウトとなるように設定する。 Specifically, the interval formed between the outer peripheral edge of the chip layout F and the outer peripheral edge of the layable area E is optimized by matching the position where the reticle is focused with the position of the chip layout center. The chip layout is set to be the same.
この最適化は、次の手順で行う。
S1.本発明を適用したチップレイアウトを作成。
S2.チップレイアウトからショットレイアウトを作成。
S3.前記S1とS2を繰り返し、チップレイアウトを複数作成。
S4.最適となるチップレイアウトと、ショットレイアウトを決定。
S5.ショット数とショットレイアウトから、スループットを算出。
This optimization is performed by the following procedure.
S1. Create a chip layout to which the present invention is applied.
S2. Create shot layout from chip layout.
S3. Repeat S1 and S2 to create multiple chip layouts.
S4. Determine the optimal chip layout and shot layout.
S5. Throughput is calculated from the number of shots and shot layout.
図2に本発明の他の実施の形態のレチクルを示す。図7に図2のレチクルを用いたウエハ上のショットレイアウトの一例を示す。図2における符号AはチップレイアウトFの中心位置、Bは、レチクルの中心位置を示す。 FIG. 2 shows a reticle according to another embodiment of the present invention. FIG. 7 shows an example of a shot layout on a wafer using the reticle of FIG. 2 indicates the center position of the chip layout F, and B indicates the center position of the reticle.
この実施の形態のレチクルは、円形もしくは正方形のウエハにレチクルパターンを転写する半導体製造工程を有し、レチクルのチップレイアウトにおいて、複数チップのX方向とY方向の総和がほぼ同じとなるような裕度を設定している。これは、レチクルG上のチップレイアウトFが正方形に近くなることを示している。 The reticle of this embodiment has a semiconductor manufacturing process for transferring a reticle pattern to a circular or square wafer, and in the reticle chip layout, the sum of the X and Y directions of a plurality of chips is substantially the same. The degree is set. This indicates that the chip layout F on the reticle G is close to a square.
図7に示すように、ウエハは多くの場合、円形もしくは正方形であるため、チップレイアウトが正方形に近くなることでウエハ上のショットレイアウト(図中太線がワンショットレイアウト)が円形もしくは正方形に近くなり、最適化される。これにより、ショット無効領域を減少させ、チップ乗り数を増加させることができる。 As shown in FIG. 7, since the wafer is often circular or square, the shot layout on the wafer (thick line in the figure is a one-shot layout) becomes circular or square when the chip layout is close to square. Optimized. As a result, the shot invalid area can be reduced and the number of chips can be increased.
この実施の形態では、上記のレチクルのチップレイアウトにおいて、複数チップのX方向とY方向の総和がほぼ同じとなるような裕度を設定されている。 In this embodiment, in the above-described reticle chip layout, a tolerance is set such that the sum of the X and Y directions of a plurality of chips is substantially the same.
図2では一例としてY方向に3列分の裕度を設定している。また生産性の点から裕度はX方向かY方向に1チップ以上であれば少ない方が好ましい。 In FIG. 2, as an example, margins for three columns are set in the Y direction. From the viewpoint of productivity, it is preferable that the margin is less if it is one chip or more in the X direction or the Y direction.
ショットレイアウトに関して、図10の従来例に比べ、図7ではショットレイアウトがウエハ形状(円形)に近くなり、ショットレイアウトが最適化されている。 Regarding the shot layout, compared to the conventional example of FIG. 10, in FIG. 7, the shot layout is close to the wafer shape (circular), and the shot layout is optimized.
図3に本発明の他の実施の形態のレチクルを示す。図8に図3のレチクルを用いた場合のショットレイアウトの一例を示す。例としてレチクル上の焦点を合わせる位置をレチクル中心の位置としている。即ち、チップレイアウトFの中心位置Aと、レチクルGの中心位置Bとを一致させている。 FIG. 3 shows a reticle according to another embodiment of the present invention. FIG. 8 shows an example of a shot layout when the reticle of FIG. 3 is used. As an example, the position of focusing on the reticle is the position of the reticle center. That is, the center position A of the chip layout F and the center position B of the reticle G are matched.
これにより、本実施の形態によるチップレイアウトの裕度が、チップレイアウト上さらにはショットレイアウト上、均等に配置されることで本発明を最も効果的に用いることができる。 Thereby, the margin of the chip layout according to the present embodiment is evenly arranged on the chip layout and further on the shot layout, so that the present invention can be used most effectively.
この実施の形態では、レチクル中心の位置(図2、図3中Bで示す)とチップレイアウトの中心位置(図2、図3中Aで示す)を一致させてレイアウトしている。 In this embodiment, the reticle center position (indicated by B in FIGS. 2 and 3) and the chip layout center position (indicated by A in FIGS. 2 and 3) are laid out.
図3では一例として図2のレチクルにおけるチップレイアウトの最適化を示している。
図7と図8のショットレイアウトを用いて比較すると、より効果的にし、ウエハ周辺部までショットできていることがわかる。
FIG. 3 shows optimization of the chip layout in the reticle of FIG. 2 as an example.
When compared using the shot layouts of FIG. 7 and FIG. 8, it can be seen that the shots have been made more effective and the wafer periphery has been shot.
図4、図9に本発明の他の実施形態のレチクルとショットレイアウトを示す。例としてレチクル上の焦点を合わせる位置をレチクル中心の位置としている。 4 and 9 show a reticle and shot layout of another embodiment of the present invention. As an example, the position of focusing on the reticle is the position of the reticle center.
この実施の形態では、ウエハ中心とショットするときのレチクル上の焦点を合わせる位置を最適化したショットレイアウトとしている。 In this embodiment, a shot layout in which the position of focusing on the reticle at the time of shot with the wafer center is optimized.
これにより、最適なショットレイアウトを選択できるため、どのような環境であっても本発明の効果を発揮することができる。 Thereby, since an optimal shot layout can be selected, the effect of the present invention can be exhibited in any environment.
なお、本発明の実施の形態では、ウエハ中心の位置(図6、図9中Dで示す。)とショットするときのレチクル中心の位置(図4、図6、図9中Cで示す。)を調整し、最適化したレイアウトとしている。 In the embodiment of the present invention, the position of the wafer center (indicated by D in FIGS. 6 and 9) and the position of the reticle center at the time of shot (indicated by C in FIGS. 4, 6, and 9). Optimized layout by adjusting.
図9では一例としてウエハ中心の位置と図2のレチクル中心位置であるCとDを一致させて最適化しているショットレイアウトを示している。 FIG. 9 shows, as an example, a shot layout in which the wafer center position and the reticle center positions C and D in FIG.
図6〜図9に示すウエハは、図1〜図4に示すレチクルを用いて製造されたものである。図10の従来技術により作成されたウエハに比べ、ショット無効領域が少なく、チップ乗り数が多いためチップ単価を下げることができる。 The wafer shown in FIGS. 6 to 9 is manufactured using the reticle shown in FIGS. Compared with the wafer produced by the prior art of FIG. 10, since the shot invalid area is small and the number of chips is large, the chip unit price can be reduced.
図6と図9のショットレイアウトを用いて比較すると、本発明により、より効果的にし、ウエハ周辺部までショットできていることがわかる。 Comparing using the shot layouts of FIG. 6 and FIG. 9, it can be seen that the present invention is more effective, and the shot can be made to the wafer peripheral portion.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
本発明は、半導体装置の製造産業に利用可能である。 The present invention is applicable to the semiconductor device manufacturing industry.
A チップレイアウトの中心位置、B レチクル中心位置、C チップ中心位置、D ウエハ中心位置、E レチクル上チップレイアウト可能領域、F レチクル上のチップパターン、G レチクル、H レチクル上チップレイアウト可能領域のX方向裕度、I レチクル上チップレイアウト可能領域のY方向裕度。 A Chip layout center position, B Reticle center position, C Chip center position, D Wafer center position, E Reticle chip layout area, F Reticle chip pattern, G reticle, H Reticle chip layout area X direction Tolerance, I Y direction tolerance of the chip layout possible area on the reticle.
Claims (5)
回路パターンを配置可能とするレイアウト可能領域に、回路パターンの最小単位のチップが複数配置されてチップレイアウトが形成され、
該チップレイアウトの外周縁と前記レイアウト可能領域の外周縁との間は、1チップ以上の間隔が形成されていることを特徴とするレチクル。 In a reticle for transferring a circuit pattern onto a semiconductor wafer,
A chip layout is formed by arranging a plurality of chips of the minimum unit of the circuit pattern in the layout possible area where the circuit pattern can be arranged,
A reticle having an interval of one chip or more is formed between an outer peripheral edge of the chip layout and an outer peripheral edge of the layable area.
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JP2005165451A JP2006337910A (en) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | Reticle |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005165451A JP2006337910A (en) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | Reticle |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006337910A true JP2006337910A (en) | 2006-12-14 |
Family
ID=37558503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005165451A Withdrawn JP2006337910A (en) | 2005-06-06 | 2005-06-06 | Reticle |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006337910A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009251521A (en) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Jedat Inc | Glass data designing system, method and program |
WO2021215641A1 (en) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | (주)하드램 | Micro led chip transfer method |
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2005
- 2005-06-06 JP JP2005165451A patent/JP2006337910A/en not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20081031 |